TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA (TBJ)

1. OBJETIVO
1.1. Disear el circuito de control para un transistor bipolar de juntura de potencia.
1.2. Conocer las caractersticas de conmutacin del transistor bipolar de juntura.
2. MARCO TERICO
El transistor bipolar de juntura TBJ es un elemento de tres terminales (Figura 4.1(a)), cada uno de
ellos accede a una de las tres capas de semiconductor que forman el elemento.
El TBJ tiene dos junturas tal como se indica en la Figura 4.1(b), la juntura colector-base J
CB
y la
juntura base-emisor J
BE
.

(a) (b)
Figura 4.1
Las regiones de operacin del transistor son: regin de corte, regin activa y regin de saturacin.
Regin de corte: el transistor esta desactivado o la corriente de base es insuficiente para activarlo
por la tanto ambas junturas J
CB
y J
BE
estn polarizadas inversamente.
Regin activa: el transistor acta como un amplificador de corriente y el voltaje colector-emisor
V
CE
disminuye con el incremento de la corriente de base como se muestra en la Figura 5.2. La
juntura J
CB
est en polarizacin inversa y la juntura J
BE
en polarizacin directa.
Regin de saturacin: la corriente de base es lo suficientemente alta para que el voltaje colector-
emisor sea bajo y ambas junturas tienen polarizacin directa. Un incremento en la corriente de
base no produce cambios considerables en la corriente de colector. El transistor acta como
interruptor.

Figura 4.2
Entonces si un transistor trabaja entre las regiones de corte y saturacin puede ser usado como un
switch o en rgimen de conmutacin, siendo la configuracin de emisor comn la ms utilizada en
estas aplicaciones.
Como se puede observar en la Figura 4.2, para entrar a la regin de saturacin la juntura J
CB
debe
estar en polarizacin directa, caso contrario si est en polarizacin inversa, est en la regin activa
o en la regin de corte por lo que el lmite para entrar a la regin de saturacin es cuando V
CB
= 0
es decir V
BE
= V
CE
por lo que la corriente mnima requerida en la base para entrar en saturacin
estar dada por:
donde I
C(sat)
es la corriente de colector cuando V
CE
= V
CE(sat)


Es recomendable disear el circuito para una corriente mayor que I
B(sat)min
para garantizar que el
TBJ est trabajando en la regin de saturacin, caso contrario una corriente de base insuficiente
puede ocasionar que el TBJ trabaje en la regin activa lo que implica funcionamiento como
amplificador ocasionando un excesivo calentamiento del elemento. La relacin entre I
B
e I
B(sat)min
se
conoce como el factor de sobreexcitacin ODF:

Y la relacin entre I
C(sat)
e I
B
se conoce como la ganancia forzada :

CONSIDERACIONES DE DISEO PARA EL CIRCUITO DE ACTIVACIN DEL TBJ
Como se puede observar el diseo del circuito de control para transistores de potencia tiene un
cierto grado de complejidad por las siguientes razones:
Ganancia de corriente baja: los transistores de potencia al ser un elemento controlado por
corriente y con una baja ganancia (en saturacin la ganancia disminuye) por lo que se requiere una
corriente considerable aplicada a la base en ocasiones en las decenas de los amperios por lo que
un circuito lgico es incapaz de manejar un transistor directamente lo que hace necesaria una
etapa intermedia de acoplamiento en base a un transistor de mediana potencia que ser quien
suministre la cantidad de corriente requerida en la base del transistor de potencia, como
consecuencia la capacidad de corriente requerida desde el circuito de control se vuelve
considerable.
Una posible solucin para evitar la necesidad de una considerable corriente en el circuito de
control es usar la configuracin Darlington donde el transistor de mediana potencia Q
2
se coloca
de la manera indicada en la Figura 4.3, en esta configuracin la corriente de base del transistor de
potencia se toma de la fuente de potencia lo que disminuye los requerimientos de corriente del
control, pero se debe tener en cuenta que la presencia del transistor de mediana potencia entre el
colector y la base del transistor de potencia Q
1
provocan que la juntura J
CB
este polarizada
inversamente, por ello en esta configuracin el TBJ trabaja en cuasi-saturacin incrementando la
disipacin de potencia.

Figura 4.3 (Darlington)
Corriente negativa de apagado: A veces es necesario aplicar una corriente negativa temporal
durante el apagado para reducir el tiempo de apagado evitando as una mayor disipacin de
potencia durante la conmutacin. Para esto se debe disear un circuito especial que durante un
intervalo de tiempo corto, en el orden de toff polarice inversamente con unos pocos voltios la
juntura base - emisor.
3. EQUIPOS Y MATERIALES
3.1. Equipo (Disponible en el laboratorio)
Osciloscopio
Fuentes variables
Foco de 100W @ 120V
Inductancia
3.2. Materiales (proporcionados por los estudiantes)
Transistor de potencia
Transistor de mediana potencia
Diodo de rpida recuperacin
Diodo rectificador normal
LM555
Resistencia de un valor menor o igual a 1 Ohm
Resistencias varias
4. PREPARATORIO
4.1 Disear y construir un control PWM en base a un LM555 de 1 KHz con una fuente de 12 V. La
relacin de trabajo debe poder variarse de 0,3 a 0,7 aproximadamente.
4.2 Disear el circuito de la Figura 4.3 (solo usar darlington si es necesario) si la fuente a usarse es
de aproximadamente 40 V (lo que se obtenga al poner en serie las dos salidas de las fuentes de
laboratorio) y la resistencia de carga es un foco de 100W, (disear correctamente el circuito que
maneja la base). Tomar en cuenta que la resistencia en fro del filamento del foco es mucho menor
y aumenta cuando se calienta a temperatura nominal.
4.3 Repetir lo anterior si se coloca en serie con el foco una inductancia (se proporcionar en el
laboratorio) de manera de convertir la carga en altamente inductiva. En este caso es indispensable
usar un diodo rpido en anti paralelo con la carga (usar un FAST RECOVERY DIODE) que debe ser
trado por los estudiantes.
4.4 Para los dos numerales anteriores dimensionar adecuadamente el transistor de potencia,
adicionalmente colocar una resistencia de un valor inferior a 1 Ohm en el colector con la finalidad
de poder observar simultneamente el voltaje y la corriente del transistor para visualizar las
conmutaciones.
4.5 Traer armado los circuitos diseados.
5. PROCEDIMIENTO
5.1 El instructor usando el mdulo trazador de curvas disponible en el laboratorio mostrar las
curvas caractersticas de un transistor.
5.2 Para el circuito diseado en el punto 4.2 observar formas de onda y comprobar que el
elemento est trabajando en las regines de corte y saturacin (J
CB
polarizada directamente), caso
contrario corregir.
Usar dos puntas de prueba en el osciloscopio, colocar la referencia de las dos puntas de prueba en
el colector del transistor, el canal A en el emisor (invertir este canal), y el canal B al otro extremo
de la resistencia de 1 Ohm, a una relacin de trabajo aproximada de 0.5 tomar formas de ondas de
corriente de colector (sobre la resistencia de menos de 1 Ohm) y voltaje colector emisor en
funcin del tiempo y adems tomar tiempos de conmutacin con carga resistiva. Tomar tambin
el tiempo que permanece saturado y en corte el transistor para calcular luego la potencia.
Con el mdulo matemtico del osciloscopio, multiplicar las ondas de voltaje y corriente para
observar la curva de potencia disipada en el dispositivo (no todos los osciloscopios tienen esta
facilidad).
Poner el osciloscopio en formato XY (X=voltaje colector-emisor ; Y= corriente de colector tomada
sobre la resistencia colocada en el colector) y tomar la forma de las trayectorias de las
conmutaciones.
5.3 Repetir lo anterior para carga inductiva con diodo de conmutacin (FAST RECOVERY) como se
menciona en numeral 4.3 . Verificar las diferencias con los datos obtenidos en el literal 5.2. .
Verificar tambin los cambios cuando se usa un diodo comn en lugar del diodo rpido, Verificar
de manera especial el efecto de la corriente de recuperacin reversa (Irr)
6. INFORME
Calcular la potencia de disipacin del transistor de potencia para los dos circuitos diseados con
los datos tomados en el laboratorio

7. REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS

[1] MOHAN, Ned, Power Electronics: Converters, Applications and Design, John Wiley &
Sons,1989.
[2] RASHID Muhammad H., Electrnica de Potencia, Circuitos, Dispositivos y Aplicaciones. Segunda
Edicin, 1995.