Caracterizacin

de transistores
UNIVERSIDAD
INDUSTRIAL DE MOS
SANTANDER

ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES

Perfecta Combinacin entre Energa e Intelecto

Autores: Aida Zaray Amars, Oscar Ivn Jimnez, Jess Layton

Fecha de entrega: 13/06/2014
Profesor: Glenn Hernndez

OBJETIVOS
-

Comparar el comportamiento fsico del

transistor MOS, a travz de mtodos
experimentales y los ofrecidos a travz de
modelos matemticos.
Obtener las curvas caractersticas de los
transistores MOS incluidos en el circuito
integrado CD4007.
Estimar
los
parmetros
ms
representativos de los transitores N-MOS y
P-MOS, tales como Va, lamda, Vt, gm,
W,L,K, y 2.

2,2
2,4
2,6
2,8
3,0
3,2
3,4
3,6
3,8
3,9

0,294
0,294
0,295
0,295
0,296
0,296
0,296
0,297
0,297
0,297

2,4
2,6
2,8
3,0
3,2
3,4
3,6
3,8
3,9

0,616
0,618
0,619
0,619
0,62
0,621
0,622
0,623
0,623

2,4
2,6
2,8
3,0
3,2
3,4
3,6
3,9

1,313
1,316
1,317
1,32
1,322
1,324
1,325
1,328

Con los datos obtenidos anteriormente, se

construye la grfica Ids vs Vds, para tres valores
diferentes de Vgs.

PROCEDIMIENTO.
1. Transistor NMOS.
1.1 Esquema del transistor NMOS.

M 1

4
Vds

Vgs

M b re a k n

Con la ayuda de excel, obtenemos las ecuaciones

de las lneas de tendencia.

Figura 1. Esquema del transistor NMOS.

1.2 Obtencin de los parmetros.
Vgs=3[V]
Vgs=2[V]
Vgs=2,5[V]
Vds[V] Id[mA] Vds[V] Id[mA] Vds[V] Id[mA]
0,07
0,088
0,07
0,082
0,05
0,12
0,11
0,125
0,11
0,209
0,11
0,255
0,15
0,152
0,15
0,291
0,15
0,352
0,2
0,185
0,2
0,317
0,2
0,48
0,25
0,213
0,4
0,482
0,4
0,798
0,4
0,274
0,6
0,57
0,6
1,064
0,6
0,284
0,8
0,596
0,8
1,185
0,8
0,288
1,0
0,604
1,0
1,255
1,0
0,289
1,2
0,607
1,2
1,281
1,2
0,29
1,4
0,609
1,4
1,292
1,4
0,291
1,6
0,611
1,6
1,298
1,6
0,292
1,8
0,613
1,8
1,304
1,8
0,293
2,0
0,614
2,0
1,307
2,0
0,293
2,2
0,616
2,2
1,31

y=0,241x+0,6641
y=0,0831x+0,3867
y=0,0317x+0,2069

x1=-2,725
x2=-4,653
x3=-6,527

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Perfecta Combinacin entre Energa e Intelecto

Se promedian todos los resultados, de las

intersecciones con el eje x, para obtener el valor
de VA = ((-2,725)+(-4,653)+(-6,6527))/3 = -4,635.
= 1/VA = 0,216.
Ahora dejando fijo el valor de Vds en 6 [V],
variando la tensin Vgs de 0,2 en 0,2, se obtiene
la siguiente tabla.
Vds=6(V)
Vgs (V) Id (uA)
0,2
0,5
0,3
0,5
0,4
0,5
0,5
0,5
0,6
0,5
0,7
0,5
0,8
0,5
0,9
0,5
1
0,5
1,1
0,6
1,2
0,7
1,3
1,1
1,4
6,9
1,5
9,9
1,6
46,4
1,7
70,7
1,8
99,8
1,9
139
2
200

Con estos datos se grafica Ids vs Vgs.

De la grfica se obtiene que Vt = 1,2 [V].

Aplicando la ecuacin dde saturacin para el
NMOS, se obtiene que:

Promediando estos tres valores se llega a

Kn(W/L)=0,0008105.
1.3 Simulacin
.model
MbreaknD
NMOS
LAMBDA=0,008953 Kp=0,0008105.

VTO=1.2

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Perfecta Combinacin entre Energa e Intelecto

Al comparar los resultados experimentales con los

de simulacin, podemos ver que solo difieren
entre s en un 10%.
2. Transistor PMOS:
2.1 Esquema del transitor PMOS:
0
2

Vsg

M b re a k p
M 1

Vsd

Se halla el parmetro Va.

Vsg=3[V]
Vsg=2[V]
Vsg=2,5[V]
Vsd[V] Isd[mA] Vsd[V] Isd[mA] Vsd[V] Isd[mA]
0,024
0,02
0,04
0,052
0,04
0,067
0,061
0,051
0,086
0,111
0,138
0,224
0,277
0,2
0,101
0,127
0,21
0,331
0,436
0,274
0,202
0,242
0,444
0,659
0,652
0,334
0,441
0,478
0,612
0,862
0,803
0,356
0,629
0,622
0,84
1,096
1,054
0,376
0,804
0,736
1,053
1,272
1,249
0,386
1,094
0,835
1,25
1,406
1,448
0,395
1,244
0,869
1,46
1,507
1,674
0,405
1,452
0,903
1,61
1,559
1,859
0,412
1,617
0,922
1,81
1,614
2,06
0,42
1,814
0,942
2,01
1,654
2,229
0,426
2,03
0,961
2,23
1,69
2,485
0,435
2,211
0,976
2,49
1,727
2,617
0,439
2,42
0,992
2,67
1,75
2,861
0,447
2,693
1,011
2,84
1,771
3,084
0,454
2,803
1,019
3
1,789
3,283
0,46
3,01
1,033
3,23
1,814
3,438
0,465
3,217
1,046
3,43
1,835
3,623
0,47
3,43
1,059
3,65
1,858
3,81
0,476
3,6
1,07
3,84
1,875
4
0,482
3,821
1,083
4,06
1,897
4,2
0,487
4,01
1,094
4,21
1,91
4,43
0,494
4,2
1,106
4,47
1,935
4,62
0,499
4,4
1,117
4,6
1,945
4,84
0,505
4,62
1,129
4,8
1,963
5
0,509
4,84
1,14
5,02
1,982
5,22
0,516
5,03
1,15
Grfica de Ids vs Vds

De la figura 10 obtenemos las siguientes

ecuaciones de lnea de tendencia
y1=0,0298x+0,3617
y2=0,0624x+0,8418
y3=0,1024x+1,4769

x1= -12,3187
x2= -13,4903
x3= -14,4228

Promediamos los anteriores resultados de la

interseccin con el eje x para obtener VA=
-13,4106 e = 1/VA por tanto =0.07456
Ahora, dejando Vsd constante con un valor de 6
[V], obtenemos la siguiente tabla:

Vsg (V)

Vsd=6(V)
Isd (uA)
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7

0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5

UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES

Perfecta Combinacin entre Energa e Intelecto

0,8
0,9
1
1,1
1,2
1,3
1,4
1,5
1,6
1,7

0,5
0,5
0,6
1
14,3
26,4
71,5
107
159
200

Vgs=3(V)
Vds (V)
Ids (mA)
0,04
0,067
0,138
0,224
0,2
0,331
0,4
0,659
0,6
0,862
0,8
1,096
1,0
1,272
1,2
1,406
1,4
1,507
1,6
1,559
1,8
1,614
2,0
1,654
2,2
1,69
2,4
1,727
2,6
1,75
2,8
1,771
3
1,789
3,2
1,814
3,4
1,835
3,6
1,858
3,8
1,875
4,0
1,897
4,2
1,91
4,4
1,935
4,6
1,945
4,8
1,963
5,0
1,982

Grfica de Ids vs Vds

Se halla el parmetro Va

De la figura 10 obtenemos las siguientes

ecuaciones de lnea de tendencia
y1=0,0298x+0,3617
y2=0,0624x+0,8418
y3=0,1024x+1,4769

x1= -12,3187
x2= -13,4903
x3= -14,4228

Promediamos los anteriores resultados de la

interseccin con el eje x para encontrar el
parmetro VA= -13,4106 y = 1/VA
con
=0.07456. Ahora, dejando Vsd constante con un
valor de 6 [V], obtenemos la siguiente tabla:
Vsd=6(V)
Vsg (V)
Isd (uA)
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1
1,1
1,2

0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,6
1
14,3

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ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES

Perfecta Combinacin entre Energa e Intelecto

1,3
1,4
1,5
1,6
1,7

26,4
71,5
107
159
200

.model Mbreakp PMOS LAMBDA=0,07456

KP=0,0009356 VTO=-1.1
Se obtuvo los siguientes resultados:

Con esta tabla se construye la grfica Isd Vs Vsg

Se estim un error del 11,5% con los datos

experimentales, lo cual es aceptado para la
prctica.
De la grfica anterior obtenemos Vt=1.2 [V]
Conclusiones

Promediando estos tres valores se llega a Kn

(W/L)=0,0009356.
2.2 Simulacin

Para la simulacin de uso el modelo

1. Los
parmetros
obtenidos
experimentalmente para un transistor
NMOS son VA=-4.365, =0,216, Vt=1,2 y
Kn(W/L)=0,0008105.
2. Los
parmetros
obtenidos
experimentalmente para un transistor
PMOS son VA= -13,4106, =0.07456, Kn
(W/L)=0,0009356, Vto=-1.1.
3. Al comparar los resultados experimentales
con los obtenidos en simulacin podemos
concluir que estos difieren para el
transistor NMOS en un 10% y en transistor
PMOS en un 11,5%.