UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES

Perfecta Combinacin entre Energa e Intelecto




1. Diseo


Fig. 1 Circuito Nmos, donde

es un valor fijo y

vara.


Fig. 2 Circuito Pmos donde

es un valor fijo y

vara.


Fig. 3 Circuito Nmos, donde

es igual a 5[V] y

vara.

Fig. 4 Circuito Pmos, donde

es igual a 5[V] y

vara.
2. Simulacin Transistor NMOS


Tabla. 1 parmetros hallados en la prctica.
Del Montaje experimental hallamos los
valores de la tabla anterior (en el punto 3 se
explica cmo fueron hallados), estos valores
se utilizaron para caracterizar los Nmos de la
simulacin y as graficar las curvas
caractersticas.

De la simulacin se hall nuevamente

para
compralo con el

experimental, de all
observamos que de los valores tomados solo
nos sirven los datos de la curva donde se
mantiene un valor constante de

,
ya que son los datos simulados que ms se
acercan a los datos prcticos, en las curvas de

se presentan errores muy

grandes.




- Calculo de

Kn[u] Vthn [m]
545.91 1.31 17.63
Parametros del transistor Nmos
Silvia Acelas Suarez (2092018),
Jorge Manuel Barrios (209),
Maria Benavides Robles (2091996).
INFORME 1: CARACTERIZACIN DE TRANSISTORES MOS
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Nos ubicamos en la zona de saturacin porque es la
regin lineal y facilita ms los clculos, con la
corriente de saturacin logramos encontrar

Para hallar

se utiliz la siguiente ecuacin:

- Clculos de

y Lambda:

Para calcular

linealizamos las curvas

caractersticas hallamos el corte en cero y el
promedio de los tres es

.

Ejemplo:

|

Para clculo de lambda usamos la ecuacin:


|

- Calculo de ro y gm

Para calcular

usamos la siguiente ecuacin:

Para calcular gm y que fuera ms exacto se usan las
tres formas de hallarlo y se hizo un promedio del
siguiente modo.

(

Se obtuvieron los siguientes resultados:


Tabla 2 resultados de la transconductancia.
nalmente se obtuvieron los resultados que se
muestran en la tabla 3.


Tabla. 3 Datos hallados en la simulacin
Curvas caractersticas IDS-VDS


Fig.5 curva corriente contra voltaje.



Fig. 6 Linealizacin de las curvas fig.5
gm 0.66790616
0.66790616
0.66790616
promedio 0.66790616
Kn[u] ro[] [m] gm[mS] Va
561.126 145.12 17.33 667.9 57.67
datos teoricos
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
0 5 10 15
I
D
S
[
u
A
]

VDSV[]
IDS vs VDS
vgs=2.5
vgs=3
vgs=3.5
y = 5.937x + 354.03
y = 28.069x + 1591.4
y = 77.625x + 4401.1
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
0 5 10 15
I
D
S
[
u
A
]

VDS[V]
IDS vs VDS
VGS=2.5
VGS=3
VGS=3.5
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Fig. 7 curva caracterstica de

vs

, resultado de la
simulacin en orcad. Con

=2.5[V].
Curvas caractersticas

- Calculo de VTH
El

se hall en el montaje variando

y manteniendo
Fijo

en 5[V]. De esta manera se observ hasta que

notamos que el transistor se encendi en un

mayor a 1.31
[V], en la siguiente grafica podemos observar que en la
simulacin ocurri lo mismo el transistor se enciende cuando

es mayor a 1.31 aproximadamente.

Fig. 8 Curva

contra

. Con esta curva se halla

Fig. 9 Curva

vs

resultante de la simulacin en Orcad.

Transistor PMOS


Tabla 4. Parmetros obtenidos experimentalmente.
De la misma forma que para el Nmos, se hicieron los
clculos respectivos para el Pmos teniendo en cuenta que
para este cambia las condiciones de las regiones y se
obtuvieron los siguientes resultados.


Tabla 5. Resultados obtenidos de la simulacin.

Curvas caractersticas

Fig. 10 curva caracterstica de corriente contra voltaje Pmos


Fig.11 Linealizacin curvas de la figura 10.



VD(Q1)- VS(Q1)
0V 2V 4V 6V 8V 10V 12V
-I(R1)
0A
250uA
500uA
-I(R1)
-2.00
0.00
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
12.00
0.00 2.00 4.00 6.00 8.00
I
D
S
[
m
A
]

VGS[V]
IDS vs VGS
V_V1
0V 1.0V 2.0V 3.0V 4.0V 5.0V 6.0V 7.0V 8.0V
ID(M1)
0A
4mA
8mA
12mA
ID(M1)
Kp[u] Vthp [m]
579.61 1.21 40.23
Parametros del transistor Pmos
Kp[u] ro[] [m] gm[mS] Va
752.28 38.69 41.255 971.19 24.23
datos teoricos
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0 2 4 6 8 10 12
I
D
S
[
u
A
]

VSD[V]
IDS vs VSD
vsg=2.5
vsg=3
y = 0.0194x + 0.4823
y = 0.0611x + 1.5198
y = 0.0374x + 0.9286
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0 2 4 6 8 10 12
I
D
S
[
u
A
]

VSD[V]
IDS vs VSD
vsg=2.5
vsg=3.5
vsg=3
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Fig. 12 Curva resultante en Orced con

.

Curvas caractersticas

Calculo de VTH
De la misma forma anterior procedemos a calcular

y lo
comparamos con el de la simulacin y observamos que el
transistor se enciende en

mayores a 1.21 en el montaje

real como en la simulacin.



Fig. 13 Curva caracterstica

. Describe el encendido del

transistor P


Fig. 1 4 Curva de la figura 13 obtenida en la simulacin de orcad.

3. Datos de laboratorio Transistor NMOS




Tablas 6,7y 8 obtenidas experimentalmente en la prctica. NMOS.


De los datos anteriores y sus respectivas graficas fue
que se tom la decisin de despreciar los datos
pertenecientes a las curvas de

de la
primera simulacin, debido a que sus errores eran
muy altos y no se asemejaban a la simulacin.

VS(M1)- VD(M1)
0V 2V 4V 6V 8V 10V 12V
-I(R1)
0A
400uA
800uA
0.00
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.00 2.00 4.00 6.00 8.00
I
S
D
[
m
A
]

VSG[V]
ISD vs VSG
VS(M2)- VG(M2)
0V 1.0V 2.0V 3.0V 4.0V 5.0V 6.0V 7.0V 8.0V
IS(M2)
0A
250uA
500uA
Vr id Vds Kn*w/L
0.349 0.35252525 1.66 0.000497882
0.369 0.37272727 3.69 0.000526414
0.38 0.38383838 5.21 0.000542106
0.389 0.39292929 6.66 0.000554946
0.401 0.40505051 8.54 0.000572065
0.408 0.41212121 9.64 0.000582051
0.427 0.43131313 11.6 0.000609156
kn 0.545910581
VGS=2,5
Vr Id Vds Kn*w/L
0.719 0.72626263 1.21 0.00102572
0.765 0.77272727 3.27 0.00109135
0.736 0.74343434 4.76 0.00104997
0.804 0.81212121 6.25 0.00114698
0.825 0.83333333 8.06 0.00117694
0.838 0.84646465 9.19 0.00119549
0.866 0.87474747 11.1 0.00123543
kn 1.11440892
VGS=3
Vr Id Vds Kn*w/L
1.105 1.116161616 0.931 0.00157639
1.26 1.272727273 2.74 0.00179751
1.297 1.31010101 4.22 0.00185029
1.325 1.338383838 5.69 0.00189024
1.358 1.371717172 7.58 0.00193732
1.374 1.387878788 8.57 0.00196014
1.413 1.427272727 10.6 0.00201578
kn 1.83531523
VGS=3.5
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Fig. 15 Grafica de

Vs

=2.5(azul),

=3(rojo),

=3.5(verde))


Fig. 16 Linealizacin de los Datos de las tablas 6,7 y 8.


Tabla 9. Resultados obtenidos en el montaje.

Tabla 10. Datos obtenidos de la prctica para la curva de

Fig. 17 Curva obtenida de los datos de la tabla 10.
Transistor PMOS


0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0 1 2 3 4
y = 0.0075x + 0.3426
y = 0.0129x + 0.7304
y = 0.0182x + 1.2338
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0 5 10 15
I
D
S
[
m
A
]

VDS[V]
Vds=2.5
VDs=3
VDS=3.5
Kn[u] ro[] [m] gm[mS] Va
561.126 145.12 17.33 667.9 57.67
tipo N vth=1.31
vr ids [mA] vgs
0.1075 0.1086 2.0
0.8480 0.8566 3.0
2.0900 2.1111 4.0
2.7400 2.7677 4.5
3.7500 3.7879 5.1
5.5200 5.5758 6.0
7.5600 7.6364 7.0
0.0000
2.0000
4.0000
6.0000
8.0000
10.0000
0.0 2.0 4.0 6.0 8.0
I
D
S


[
m
A
]

VGS[V]
IDS vs VGS
Vr id Vds Kn*w/L
0.382 0.38585859 1.66 0.000463744
0.412 0.41616162 2.81 0.000500164
0.441 0.44545455 4.06 0.00053537
0.451 0.45555556 4.59 0.00054751
0.472 0.47676768 5.72 0.000573004
0.505 0.51010101 7.43 0.000613065
0.52 0.52525253 8.24 0.000631275
0.54 0.54545455 9.38 0.000655555
0.574 0.57979798 11.3 0.000696831
kp 0.579613143
VGS=2,5
Vr Id Vds Kn*w/L
0.791 0.7989899 1.26 0.00096027
0.869 0.87777778 1.99 0.00105496
0.938 0.94747475 3.26 0.00113872
0.954 0.96363636 4.01 0.00115815
0.96 0.96969697 5.06 0.00116543
0.99 1 6.64 0.00120185
1.03 1.04040404 7.76 0.00125041
1.06 1.07070707 8.89 0.00128683
1.12 1.13131313 10.8 0.00135967
kp 0.00117514
VGS=3
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Tablas 11,12 y 13 resultantes de la prctica experimental del
PMOS.


Fig. 18 curvas linealizadas de los datos de las tablas 11, 12 y 13.


Tabla 14 datos para la curva

obtenidos en la prctica.


Fig. 19 curva

obtenida de la tabla 14.

4. Tabla resumen



Tablas 15 y 16 resumen de los resultados y clculo de errores.
5. Observaciones
- En algunos casos fue necesario ignorar datos, ya sea
porque son valores lejanos de lo esperado o como en
algunas curvas solo se tomaba la parte ms lineal de la
recta. Los valores que no coincidan con lo esperado solo
introducen un enorme error en el resultado, es probable
que estos datos no sean tan corrector por el rango que se
escogi para el voltaje constante como tambin puede ser
ocasionado por mala toma de datos. Aun as los datos con
los que se realizaron los clculos son suficientes, los
dems podran haber sido tiles para mayor precisin.

Vr Id Vds Kn*w/L
0.99 1 1 0.00120185
1.25 1.262626263 1.65 0.00151749
1.39 1.404040404 2.81 0.00168745
1.45 1.464646465 3.67 0.00176029
1.5 1.515151515 4.57 0.00182099
1.59 1.606060606 6.1 0.00193025
1.65 1.666666667 7.24 0.00200308
1.7 1.717171717 8.34 0.00206378
1.79 1.808080808 10.2 0.00217304
kp 0.00179536
VGS=3.5
y = 0.0186x + 0.3704
y = 0.0311x + 0.7952
y = 0.0528x + 1.2769
0
0.5
1
1.5
2
0 5 10 15
I
D
S
[
m
A
]

VDS[V]
VSG=2.5
VSG=3
VSG=3.5
tipo P vth=1.19
vr isd[mA] vsg
1.51E-01 0.1523 2
1.26E+00 1.2677 3.3
2.49 2.5152 4.2
4.33 4.3737 5.4
5.56 5.6162 6.1
7.22 7.2929 7
0.0000
2.0000
4.0000
6.0000
8.0000
0 2 4 6 8
I
S
D
[
m
A
]

VGS[V]
ISD vs VSG
Kn[u] ro[] [m] gm[mS] Va
545.91 144.2934 17.63 655 56.6971
Kn[u] ro[] [m] gm[mS] Va
561.126 145.12 17.33 667.9 57.67
Kn[u] ro[] [m] gm[mS] Va
2.71% 0.57% 1.73% 1.93% 1.69%
TIPO N
datos experimentales
datos teoricos
%error
Kp[u] ro[] [m] gm[mS] Va
579.61 51.5421 40.23 747.7 24.657
Kp[u] ro[] [m] gm[mS] Va
752.28 38.69 41.255 971.19 24.23
Kn[u] ro[] [m] gm[mS] Va
22.95% 33.22% 2.48% 23.01% 1.76%
TIPO P
datos experimentales
datos teoricos
%error
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6. Conclusiones

- De los porcentajes de error calculados en las tablas
resumen, en su mayora son porcentajes muy mnimos,
para el tipo N, pero no se puede decir lo mismo de
algunos parmetros del tipo P. (TOCA DECIR POR Q
NO SON PARECIDOS A ALGUIEN SE LE OCURRE
ALGO :D NO SE SI CON ESO SEA SUFICIENTE)
SE DEBE A QUE LOS VALORES ERAN MAS
PEQUEOS Y LOS ELEMENTOS DE MEDICION
NO SON TAN EXACTOS.

- De porcentajes de error tan pequeos se puede concluir
que el mtodo empleado en la caracterizacin es
bastante acertado. Estos porcentajes se calcularon
comparando los valores experimentales, que tienen
muchas posibles variables, con la simulacin del mismo
montaje en el simulador ORCAD que se espera arroje
los resultados que se obtendran de forma experimental
si pudiramos tener el escenario ms ideal.

- La caracterizacin del transistor antes de plantear
diseos nos favorece en cuanto a exactitud de
respuestas. Si se conocen los parmetros se pueden
calcular ganancias y otros detalles de diseo que
permiten obtener en la prctica valores muy cercanos a
los de la teora, este no sera el caso si estimaran los
parmetros tanto del tipo P como del tipo N de acuerdo
a rangos muy generales entre los que se conoce que
deberan encontrarse.