Instituto Tecnolgico de Chetumal

Nombre del alumno: Jorge Alfredo Garca Rosales

Trabajo: Semiconductores
enlaces y conectividad
semiconductores de potencia
Unidad 3

Carrera: Ing. Electrica

Materia: Tecnologia de los materiales

Grupo: 2 semestE


SEMICONDUCTORES

Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad elctrica inferior a la de un conductor
metlico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor ms utilizado es el silicio, que es el elemento
ms abundante en la naturaleza, despus del oxgeno. Otros semiconductores son el germanio y el selenio.Los
tomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con slo cuatro electrones, denominados electrones de
valencia. Estos tomos forman una red cristalina, en la que cada tomo comparte sus cuatro electrones de
valencia con los cuatro tomos vecinos, formando enlaces covalentes. A temperatura ambiente, algunos
electrones de valencia absorben suficiente energa calorfica para librarse del enlace covalente y moverse a
travs de la red cristalina, convirtindose en electrones libres. Si a estos electrones, que han roto el enlace
covalente, se les somete al potencial elctrico de una pila, se dirigen al polo positivo.


Cuando un electrn libre abandona el tomo de un cristal de silicio, deja en la red cristalina un hueco, que con
respecto a los electrones prximos tiene efectos similares a los que provocara una carga positiva. Los huecos
tienen la misma carga que el electrn pero con signo positivo.

El comportamiento elctrico de un semiconductor se caracteriza por los siguientes fenmenos:

- Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen hacia el polo positivo de la pila.

- Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de la pila.

- Al conectar una pila, circula una corriente elctrica en el circuito cerrado, siendo constante en todo momento
el nmero de electrones dentro del cristal de silicio.

- Los huecos slo existen en el seno del cristal semiconductor. Por el conductor exterior slo circulan los
electrones que dan lugar a la corriente elctrica.











ENLACES Y CONECTIVIDAD
Semiconductores P y N

En la prctica, para mejorar la conductividad elctrica de los semiconductores, se utilizan impurezas aadidas
voluntariamente. Esta operacin se denomina dopado, utilizndose dos tipos:

Impurezas pentavalentes. Son elementos cuyos tomos tienen cinco electrones de valencia en su orbital
exterior. Entre ellos se encuentran el fsforo, el antimonio y el arsnico.

Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos tomos tienen tres electrones de valencia en su orbital exterior.
Entre ellos se encuentran el boro, el galio y el indio.

Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra en la red cristalina del silicio, se completan los
cuatro electrones de valencia que se precisan para llegar al equilibrio y queda libre un quinto electrn que le
hace mucho mejor conductor. De un semiconductor dopado con impurezas pentavalentes se dice que es de
tipo N.

n cambio, si se introduce una impureza trivalente en la red cristalina del silicio, se forman tres enlaces
covalentes con tres tomos de silicio vecinos, quedando un cuarto tomo de silicio con un electrn sin enlazar,
provocando un hueco en la red cristalina. De un semiconductor dopado con impurezas trivalentes se dice que
es de tipo P.
Unin PN

Cuando a un material semiconductor se le introducen impurezas de tipo P por un lado e impurezas tipo N por
otro, se forma una unin PN .

Los electrones libres de la regin N ms prximos a la regin P se difunden en sta, producindose la
recombinacin con los huecos ms prximos de dicha regin. En la regin N se crean iones positivos y en la
regin P se crean iones negativos. Por el hecho de formar parte de una red cristalina, los iones mencionados
estn interaccionados entre s y, por tanto, no son libres para recombinarse.

Por todo lo anterior, resulta una carga espacial positiva en la regin N y otra negativa en la regin P, ambas
junto a la unin. Esta distribucin de cargas en la unin establece una barrera de potencial que repele los
huecos de la regin P y los electrones de la regin N alejndolos de la mencionada unin. Una unin PN no
conectada a un circuito exterior queda bloqueada y en equilibrio electrnico a temperatura constante.

Unin PN polarizada en directo

Si se polariza la unin PN en sentido directo, es decir, el polo positivo de la pila a la regin P y el polo negativo
a la regin N , la tensin U de la pila contrarresta la barrera de potencial creada por la distribucin espacial
de cargas en la unin, desbloquendola, y apareciendo una circulacin de electrones de la regin N a la regin


P y una circulacin de huecos en sentido contraro. Tenemos as una corriente elctrica de valor elevado,
puesto que la unin PN se hace conductora, presentando una resistencia elctrica muy pequea. El flujo de
electrones se mantiene gracias a la pila que los traslada por el circuito exterior circulando con el sentido
elctrico real, que es contrario al convencional establecido para la corriente elctrica.

Unin PN polarizada en inverso

Si se polariza la unin PN en sentido inverso, es decir, el polo positivo de la pila a la regin N y el polo
negativo a la regin P (figura 6), la tensin U de la pila ensancha la barrera de potencial creada por la
distribucin espacial de cargas en la unin, produciendo un aumento de iones negativos en la regin P y de
iones positivos en la regin N, impidiendo la circulacin de electrones y huecos a travs de la unin.




























SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

El objetivo comn del diseo de interruptores para semiconductores de potencia de alta tensin (cuyos tipos
ms conocidos son el IGBT y el IGCT) es optimizar la combinacin de la potencia en estado de conduccin y
las prdidas en corte. En trminos prcticos, esto significa que el semiconductor debe tener la mnima cada de
tensin posible en la fase de conduccin (es decir, debe crearse un plasma denso) sin que se originen prdidas
excesivamente altas en corte cuando se suprime el exceso de carga.
El dopado del cuerpo de silicio de los semiconductores de potencia, es decir, la conductividad del sustrato, ha
de reducirse continuamente y aumenta la tensin de ruptura buscada. En consecuencia, componentes que en
estado activo pueden confiar en la conductividad de su substrato (los componentes unipolares o de portadores
mayoritarios, como el MOSFET de potencia y el diodo Schottky), presentan capacidades de bloqueo superiores
a 2001.000 V en estado de conduccin, demasiado altas para funcionar econmicamente (el lmite depende
del tipo de componente y de la aplicacin). Consecuentemente, los semiconductores de potencia de silicio de
ms de 600 V se suelen disear como dispositivos modulados por conductividad (plasma). El interior de un
dispositivo de este tipo est saturado con un gran nmero de portadores de cargas positivas y negativas.
Durante el corte, el componente recupera su capacidad de bloqueo creando un campo elctrico desde la unin
pn en el lado del ctodo hasta la zona n. La tensin de recuperacin cubre el plasma desde el ctodo hasta el
nodo. Los portadores de carga cerca del ctodo son suprimidos a una baja tensin y, por tanto, generan
bajas prdidas en corte,mientras que los portadores prximos al nodo fluyen fuera del dispositivo a una
tensin alta,
originando
altas prdidas.









El grosor mnimo de un semiconductor de potencia est predeterminado por la capacidad deseada de bloqueo
y por la intensidad del campo de ruptura del silicio.
La principal diferencia entre el IGBT e IGCT, es que el IGCT crea un plasma denso cerca del ctodo, mientras
que el exceso de densidad de carga en el IGBT cae de forma relativamente brusca del nodo al ctodo.
El semiconductor debe tener la mnima cada de tensin posible en la fase de conduccin sin que se originen
prdidas excesivamente altas en corte cuando se suprime el exceso de carga. Adems de la concepcin con un
cierto grosor adicional, la ruptura brusca se puede reducir mediante una hbil distribucin de dopados en el


lado del nodo del componente. Los fabricantes emplean diferentes nombres para conceptos que son similares
(al menos en su accin), por ejemplo, SPT (Soft Punch Through, Suave Perforacin) o FS (Field Stop, Parada
de Campo). Debe sealarse tambin que para los usuarios es ms importante que nunca limitar en lo posible
las inductancias parsitas en sus sistemas, debido al diseo ms agresivo de los componentes modernos.

La segunda limitacin es atribuible a la radiacin csmica. Si una partcula nuclear del espacio con alta
energa, por ejemplo, un protn, choca contra un ncleo de silicio, la energa liberada genera una altsima
cantidad de electrones y huecos. Si el dispositivo est en modo de bloqueo a alta tensin, estos portadores se
multiplican a modo de avalancha debido a la alta intensidad de campo en el componente. Esto causa una
ruptura muy localizada del componente, que puede daar el dispositivo de forma irreparable. Por consiguiente,
los fabricantes han desarrollado normas para el dimensionado, segn las cuales los componentes se han de
disear con respecto al grosor y la distribucin de la intensidad de campo, para que la probabilidad de
destruccin por radiacin csmica se limite a un grado aceptable.
Esta norma especifica aproximadamente 1-3 FIT (fallos por unidad de tiempo) por cm de rea superficial de
componente, que corresponde a entre 1 y 3 fallos por cada mil millones de horas de operacin y cm . La
prueba de la tasa de fallos de nuevos componentes se suele obtener hoy da mediante bombardeo de
protones o neutrones en aceleradores, que simula con suficiente exactitud el efecto de la radiacin csmica
natural.