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=
O decrscimo em K
a
compatvel com um modelo eletrosttico do cido. Na
segunda desprotonao, um trabalho eletrosttico adicional deve ser realizado
para remover o prton carregado positivamente, a desprotonao torna-se
menos favorvel.
Para o H
3
PO
4
(triprtico), se pH < pK
a1
(concentraes altas de on hidrnio), a
espcie dominante H
3
PO
4
. Se pH > pK
a3
(concentraes baixas de on
hidrnio), a espcie dominante PO
4
3-
totalmente desprotonada.
Figura 6 O diagrama de distribuio
para as vrias formas do cido
triprtico, cido fosfrico, em funo
do pH.
O decrscimo em K
a
compatvel com um modelo eletrosttico do cido. Na
segunda desprotonao, um trabalho eletrosttico adicional deve ser realizado
para remover o prton carregado positivamente, a desprotonao torna-se
menos favorvel.
2) Nivelamento do solvente
Um cido que fraco em gua pode parecer forte em um solvente que um
receptor de prton mais forte, e vice-versa.
Em solventes suficientemente bsicos (como amnia lquida), pode no ser
possvel organizar uma srie de cidos de acordo com suas foras, porque todos
eles estaro totalmente desprotonados.
Da mesma maneira, bases que so fracas em gua podem parecer fortes em um
solvente mais fortemente doador de prton (como cido actico anidro). Pode
no ser possvel organizar uma srie de bases de acordo com sua fora, porque
todas estaro completamente protonadas em solventes cidos.
Qualquer cido mais forte do que H
3
O
+
em gua doa um prton para a gua e
forma H
3
O
+
. Consequentemente, nenhum cido significativamente mais forte do
que H
3
O
+
pode permanecer protonado em gua.
A gua possui um efeito de nivelamento que coloca todos os cidos mais fortes
abaixo da acidez do H
3
O
+
.
Em cido actico, o HBr e o HI comportam-se como cidos fracos e suas foras
podem ser distinguidas.
Desta forma, conclui-se que o HI um doador de prton mais forte do que o HBr.
Figura 7 A janela de discriminao cido-base de uma variedade de solventes. Em
cada caso, a largura da janela proporcional constante de autoprotlise, pK, do
solvente.
O cido de Brnsted-Lowry um doador de prtons.
Focando nos eltrons: um cido de Brnsted-Lowry pode ser considerado um
receptor de par de eltrons.
cido de Lewis: receptor de par de eltrons.
Base de Lewis: doador de par de eltrons.
Observe: os cidos e as bases de Lewis no precisam conter prtons.
Consequentemente, a definio de Lewis a definio mais geral de cidos e
bases.
cidos e Bases de Lewis (G. N. Lewis)
Os cidos de Lewis geralmente tm um octeto incompleto (por exemplo, BF
3
).
Os ons de metal de transio geralmente so cidos de Lewis.
Os cidos de Lewis devem ter um orbital vazio (para o qual os pares de eltrons
possam ser doados).
Os compostos com ligaes podem agir como cido de Lewis:
H
2
O(l) + CO
2
(g) H
2
CO
3
(aq)
Hidrlise de ons metlicos
Os ons metlicos so carregados positivamente e atraem molculas de gua
(atravs dos pares livres no O).
Quanto maior a carga, menor o on metlico e mais forte a interao M-OH
2
.
Os ons metlicos hidratados agem como cidos:
O pH aumenta medida que o tamanho do on aumenta (por exemplo, Ca
2+
versus Zn
2+
) e medida que a carga aumenta (Na
+
versus Ca
2+
e Zn
2+
versus
Al
3+
).
Fe(H
2
O)
6
3+
(aq) Fe(H
2
O)
5
(OH)
2+
(aq) + H
+
(aq) K
a
= 2 x 10
-3
3) A estrutura molecular e a fora dos cidos
a) Fatores que afetama fora cida
Considere H-X. Para que esta substncia seja um cido, precisamos que:
a ligao H-X seja polar com H+ e X- (se X um metal, ento a polaridade de
ligao H
-
, X
+
e a substncia uma base),
a ligao H-X seja fraca o suficiente para ser quebrada,
a base conjugada, X
-
, seja estvel.
b) cidos binrios
A fora do cido aumenta ao longo de um perodo da esquerda para a direita, e
de cima para baixo em um grupo.
De modo inverso, a fora da base diminui ao longo de um perodo da esquerda
para direita, e de cima para baixo em um grupo.
O HF um cido fraco porque a energia de ligao alta.
A diferena de eletronegatividade entre o C e o H to pequena que a ligao
C-H apolar e o CH
4
no nem cido nem base.
c) Oxicidos
Oxicidos contm ligaes O-H.
Todos os oxicidos tm a estrutura geral Y-O-H.
A fora do cido depende de Y e dos tomos ligados a Y.
Se Y for um metal (baixa eletronegatividade), as substncias so bases.
Se Y tem eletronegatividade intermediria (por exemplo, I, EN = 2,5), os
eltrons esto entre o Y e o O e a substncia um oxicido fraco.
Se Y tem eletronegatividade grande (por exemplo, Cl, EN = 3,0), os eltrons
esto localizados mais prximos de Y do que de O e a ligao O-H
polarizada para perder H
+
.
O nmero de tomos de O ligados a Y aumenta a polaridade da ligao O-H
e a fora do cido aumenta
O nmero de tomos de O ligados a Y aumenta a polaridade da ligao O-H
e a fora do cido aumenta
Tabela 2 Correlao entre a fora do cido e o nmero de oxidao.
A seta vermelha indica a direo do deslocamento da densidade eletrnica para longe
da ligao O-H. As estruturas de Lewis mostradas so aquelas com a carga formal
mais favorvel.
Tabela 3 Correlao entre a fora do cido e a eletronegatividade.
A seta vermelha indica a direo do deslocamento da densidade
eletrnica para longe da ligao O-H.