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II .

CAPITOLO II
DIODI A GIUNZIONE p-n

2.1 - Introduzione
Il comportamento delle giunzioni fra
materiali

semiconduttori

caratteristiche

di

di

conducibilit

differenti
riveste

importanza fondamentale per lo studio dei

a)

dispositivi a semiconduttore. Il pi semplice di


tali dispositivi, il diodo a giunzione p-n,

costituito, come indicato schematicamente in


fig. 1.a), da una barretta di semiconduttore di
cui una parte di tipo p, laltra di tipo n; agli
estremi della barretta vengono saldati due
contatti metallici, attraverso i quali il diodo pu

b)

venire collegato ad un circuito esterno. In


fig. 1.b) riportato il simbolo impiegato per

Fig. 1

rappresentare negli schemi elettrici il diodo a


giunzione. Esaminando sperimentalmente la dipendenza tra la corrente I che scorre nel
diodo e la tensione applicata V, si pu ricavare per punti la caratteristica del diodo, che per
un tipico diodo al silicio ha laspetto indicato
I [mA]

in fig.2. Si vede da tale figura che la


100

conduzione avviene facilmente, cio si ha


una corrente notevole, la corrente diretta,
con bassi valori di tensione applicata, per il

50
-200

caso di polarizzazione diretta, in cui il

V [V]
1

potenziale del terminale p superiore a


quello del terminale n.
Nel

tratto

della

caratteristica

corrispondente alla polarizzazione inversa,


invece, la corrente inversa estremamente
piccola (non rilevabile alla stessa scala usata

Fig. 2

II . 2

per la corrente diretta) per un vasto campo di valori della tensione inversa applicata, fino ad
arrivare ad una tensione inversa di rottura oltre la quale la corrente cresce rapidamente.
Questo comportamento, almeno in parte, prevedibile intuitivamente in base a semplici
ragionamenti sulla disponibilit di cariche mobili nelle due zone del diodo. Nel caso di
polarizzazione diretta la corrente grande perch dovuta alle abbondanti cariche
maggioritarie delle due zone che si dirigono verso la giunzione e vengono spinte ad
attraversarla, mentre la polarizzazione inversa tende ad allontanare le cariche maggioritarie
dalla giunzione ed in questo caso la corrente pu essere dovuta soltanto alle cariche
minoritarie, cio alle poche lacune p presenti nella zona n ed agli elettroni n presenti nella
zona p.

2.2 - Giunzione p-n in condizioni di equilibrio (assenza di polarizzazione)


Per

esaminare

pi

in

dettaglio

fenomeni che avvengono in vicinanza della


giunzione,

consideriamo

dapprima

la

situazione in regime di equilibrio, cio quando


al diodo non applicata alcuna sollecitazione
esterna (tensione, corrente, luce, ecc.), come
mostrato in fig. 3. Si vede facilmente che

Fig. 3

indifferente considerare il caso di circuito


chiuso o aperto: a circuito chiuso non pu passare alcuna corrente, poich non vi sono
sorgenti di energia nel sistema; dunque la differenza di potenziale fra i terminali deve
essere nulla anche a circuito aperto e lapertura o chiusura dellinterruttore non ha alcuna
influenza sulla situazione.
Da un punto di vista puramente concettuale, si pu pensare di costruire un diodo
portando a contatto due barrette di semiconduttore, di tipo p ed n rispettivamente,
inizialmente separate (fig. 4). A contatto eseguito, si ha una diffusione di cariche p ed n
attraverso la giunzione dovuta alla brusca variazione delle concentrazioni in corrispondenza
della giunzione: si ricordino le equazioni (24) e (25) del cap. I. Le lacune, diffondendo nella
zona n, si ricombinano con gli elettroni ivi presenti in grande quantit, e similmente gli
elettroni diffondendo nella zona p riempiono le lacune ivi presenti. Ci d luogo, nelle

II . 3

immediate vicinanze della giunzione, a due

regioni in cui la concentrazione totale delle

cariche mobili (cio n + p) minore del valore


Nella

zona

di

svuotamento

+
+
+
+

- - - - - - - - - -

(*)

di equilibrio .
di

larghezza W si ha una densit di carica


-3

spaziale (Coulombcm ) diversa da zero,

NA

perch le cariche fisse (ioni donatori nella


zona n, con concentrazione ND , ioni accettori

nella zona p, con concentrazione NA) non


sono pi completamente neutralizzate da

+
+
+
+

+
+
+
+

ND
x

Fig. 4

elettroni e lacune mobili. La presenza di due


zone di carica spaziale di segno contrario (positiva nella zona n, negativa nella zona p)
determina la nascita di un campo elettrico E perpendicolare al piano della giunzione di verso
tale da contrastare i flussi delle cariche mobili dovuti alla diffusione. In equilibrio, in tutti i
punti della zona di carica spaziale l'effetto del campo elettrico compensa esattamente quello
delle variazioni di concentrazione, e ambedue i flussi totali delle cariche mobili sono nulli:
Fp = Fn = 0. Ricordando quanto detto nel capitolo precedente, possiamo scrivere per le
lacune:
Fp = Dp

(1)
dove
(2)

dp

d
=
dx dx

ni

dp
dx

E i E F

kT

+p

p
kT

p=0

dE i
dx

dE F
dx

Osserviamo a questo punto che la presenza del campo elettrico nella zona di
svuotamento, cio la presenza di una forza agente sugli elettroni, determina una inclinazione
dei margini delle bande, EC (x) ed EV (x); il diagramma dei livelli di energia si viene quindi a
deformare, mantenendo per inalterata l'altezza della banda proibita EC - EV in ogni punto.
Precisamente, in base alla definizione di energia potenziale, avremo:

(*)

La relazione pn = ni2 continua per a valere in tutti i punti del semiconduttore ed anche
nella zona svuotata, finch non sono applicati campi esterni: si ricordi che tale relazione
stata ricavata in base alla distribuzione statistica di Fermi-Dirac, che vale sempre in
condizioni di equilibrio.

II . 4

dE C

(3)

dx

dE V
dx

dE i
dx

=qE

essendo -q la carica dellelettrone. Tenendo conto della (2) e della (3), la (1) diventa

D p

p dE F
kT

dx

p
kT

qE

p=0

Questultima relazione si semplifica facendo uso della relazione di Einstein


Dp =

k T/q [formule (26) del cap. 1] e si ottiene:


dE F

(4)

dx

=0

cio il livello di Fermi, in condizioni di equilibrio, costante con x attraversando lintera


giunzione p-n. Alla stessa conclusione si sarebbe arrivati, come ovvio, imponendo la
condizione Fn = 0.
Si conclude quindi che in condizioni di
equilibrio gli andamenti degli estremi delle

E
EC

E
p

n
q

bande e la posizione del livello di Fermi


le

Ei
EF

concentrazioni p ed n e quindi la posizione del

EV

attraverso la giunzione quella riportata in


fig. 5.
livello

Lontano
di

Fermi

dalla
rispetto

giunzione
ad

Ei,

EF
Ei

sono

praticamente eguali ai valori di equilibrio per


un semiconduttore omogeneo di lunghezza
infinita; nelle vicinanze della giunzione invece

le concentrazioni dei portatori mobili cambiano


in modo drastico, passando da una alta

Fig. 5

concentrazione di lacune nella zona p ad una alta concentrazione di elettroni nella zona n .
La larghezza W della zona di transizione (chiamata anche zona svuotata o zona di
carica spaziale) pu essere determinata con buona approssimazione considerando la zona
stessa come completamente priva di cariche mobili. Infatti quando il livello di Fermi
intrinseco Ei si avvicina a quello effettivo EF, n e p diventano dello stesso ordine di
grandezza (e quando i 2 andamenti di n(x) e di p(x) si intersecano, le concentrazioni dei

II . 5

portatori mobili diventano eguali e pari ad ni). In queste condizioni il numero complessivo
delle cariche mobili n + p diventa trascurabile rispetto a NA o a ND se le intensit dei due
drogaggi non sono troppo basse. Anche allinizio della zona di transizione, ad esempio nella
parte p, sufficiente che il livello Ei si abbassi di qualche unit kT (0,026 eV a temperatura
ambiente) perch p diventi molto minore di NA ; da questo punto fino in prossimit della fine
della zona di transizione (nella parte n) le cariche presenti sono praticamente soltanto quelle
degli atomi impurit ionizzati, in concentrazioni NA e ND rispettivamente. Nell'analisi che
segue ci limiteremo a considerare il caso in cui NA e ND sono costanti nelle rispettive zone:
un tale tipo di giunzione prende il nome di giunzione a gradino.
Nell'approssimazione dello svuotamento totale, le densit di carica a destra e a sinistra
della giunzione sono costanti, ed facile ricavare una relazione tra la larghezza della zona
svuotata W = xp + xn e l'altezza della barriera

(fig.5) quest'ultima espressa


in Volt. Come si vede dalla figura citata, q

di potenziale

rappresenta

la

variazione

- - - - - - - - - -

complessiva

dell'altezza dei margini delle bande (EC, per


esempio, o Ei o EV) attraverso la zona

+
+
+
+

+
+
+
+

+
+
+
+

svuotata. Data la costanza del livello di Fermi,

si ha evidentemente:

(5)

= E E + E

F p

Ei

in cui gli indici p ed n si riferiscono alle regioni


p ed n lontane dalla giunzione. Il campo
elettrico E (fig. 6) soddisfa lequazione di

E =

Poisson

/ ,
s

che

nel

caso

unidimensionale diventa

xn

Ex

dE ( x )
=
dx
s

(6)

dove con

xp

V
si indicata la costante dielettrica

del semiconduttore, pari a

,
o

e con

(x) la

densit di carica totale. Attraverso una prima

integrazione si trova landamento del campo


Fig. 6

II . 6

elettrico. Il valore massimo di questo si ha in corrispondenza del piano della giunzione, ed


pari a:

Ex

(7)

=p

xp

xn

= n

da cui

W = xp +xn = x

(8)

p 1 +

p
n

E = - dV / dx , la differenza di potenziale attraverso la giunzione data dallarea


tratteggiata nel diagramma (E, x) di fig. 6, cio:
Essendo

=Ex

Le densit

e
p

xp
W
=W p
=
2
2s

p
1+

W2
2s

(in valore assoluto) sono date, nell'ipotesi di svuotamento completo,

da NA q e ND q rispettivamente; tenendo conto di ci ed esprimendo W in funzione del


potenziale di barriera , si ha infine:

W =

(9)

2 s NA +ND
q

NA ND

Riassumendo, in un diodo non polarizzato si determina una differenza di potenziale


attraverso la giunzione; in una zona di larghezza W = xp + xn a cavallo della giunzione non si
hanno praticamente cariche mobili. Le cariche fisse danno origine ad un campo elettrico tale
da bilanciare esattamente la tendenza delle cariche mobili a diffondere attraverso la
giunzione.
Esercizio:

Per una giunzione p-n a gradino asimmetrica con NA > ND, ottenere
l'espressione delle concentrazioni p ed n in funzione della variabile x in
condizioni di equilibrio, usando l'andamento del potenziale relativo all'ipotesi
dello svuotamento completo. (Si ponga l'origine dell'asse x sul margine
sinistro della regione di svuotamento nella zona p).

II . 7

p(x )=NA e

qV

(x)

n(x )= ND e

kT

per x < 0 :

V (x )= 0

per 0 < x < xp :

V (x )=

per xp < x < W : V ( x ) =

Usando

2 s
xp

l'andamento

kT
q

ln

kT

q ND

x2

2s

x p2
2s

q (N A + N D


1
q N D 1

equilibrio, calcolato precevalidit

verificare

dell'ipotesi

svuotamento

xp

la
xp

dello


1
q N A 1

completo.
e

xn,

qND

Calcolare le larghezze delle


due zone,

n i2

potenziale, in condizioni di
dentemente,

( x ) ]

NA ND

del

q [V

x2

q (N A + ND )x

V ( x ) = =

per x > W :

Esercizio:

q NA

qNA

xn

in cui

lo svuotamento non pu
considerarsi
confrontare

completo,

xp

xn

Fig. 7

con

xp e xn rispettivamente: fig.7 (Le quantit xp e xn vengono talvolta chiamate


come lunghezze estrinseche di Debye).
xp
xp

NA +ND
N D ln

NA ND
n i2

xn
xn

NA +ND
N A ln

NA ND
n i2

II . 8

Esercizio:

Per la giunzione considerata negli esercizi precedenti, determinare l'ascissa xi


del punto in cui, in condizioni di equilibrio, il livello Ei incrocia il livello di Fermi

EF .
xi =W

2 kT s
2

ln

q ND

ND
ni

2.3 - Giunzione p-n in polarizzazione inversa e capacit di barriera.


Applicando al diodo una tensione (esterna) inversa, cio rendendo il terminale della
zona p negativo rispetto a quello n (fig. 8.a), non si ha praticamente passaggio di corrente.
In queste condizioni, lontano dalla giunzione, le concentrazioni p ed n sono ancora
quelle di equilibrio, mentre nella zona di
svuotamento

le

cariche

mobili

generate

termicamente o provenienti per diffusione dalle


zone

neutre,

vengono

immediatamente

spazzate via dal campo elettrico.


Nella

zona

svuotata,

quindi,

le

concentrazioni p ed n sono ancora minori che


nel caso precedente, e per il nuovo valore di W

a)

E
EC

vale la trattazione fatta, pur di considerare al


posto di la altezza totale della barriera,

Ei

+ V:

EFp
EV

(10)

W =

2s NA +ND
q

NA ND

q( + V)
qV

( + V )

EFn
Ei

La larghezza della zona svuotata risulta


pertanto maggiore che nel caso di equilibrio, e
per valori di V >> varia con la radice

b)

quadrata della tensione inversa applicata


(ricordiamo

che

ci

stiamo

riferendo

alla

Fig. 8

giunzione a gradino).
La fig. 8.b) illustra l'andamento delle bande di energia. Si noti che in questo caso non
ha senso parlare di livello di Fermi nella zona svuotata. La distribuzione di Fermi F(E)

II . 9

infatti, vale in condizioni di equilibrio: se vi tensione esterna applicata, la distribuzione di


Fermi sussiste soltanto nelle zone del semconduttore in cui il campo elettrico nullo o
trascurabile. Nella zona svuotata, adesso, il prodotto pn molto minore del valore di
equilibrio a causa della presenza del campo elettrico impresso.
Esercizio:

18

-3

16

-3

Per una giunzione p-n in silicio, con NA = 10 cm ed ND = 10 cm , si calcoli


(in condizioni di equilibrio) il valore del campo elettrico nella sezione in cui

Ei = EF . Se l'area della giunzione di 1 mm2, si determinino i valori delle


correnti elettroniche e di lacune, rispettivamente, dovute al campo elettrico e
alla diffusione, in quella sezione.

Ei

2 kT N D

ln

ND
ni

Dal punto di vista del circuito esterno, il


diodo polarizzato inversamente si comporta in
modo analogo a un condensatore, dato che
la tensione applicata provoca una variazione
dello spessore del doppio strato di cariche
fisse presenti nei due lati della giunzione. A
differenza per dei normali condensatori, la
carica

su

proporzionale

una

"armatura"

alla

tensione:

non

risulta

il

diodo

polarizzato inversamente un esempio di


capacit non lineare. E' utile definire una
capacit differenziale:

Fig. 9

C = Q / V
data (fig.9) dal rapporto fra l'aumento di carica

Q=A

xp = A

xn su un lato della

giunzione e la variazione di tensione inversa che lo ha causato (*); A l'area della giunzione.
Riferendosi a una giunzione di sezione unitaria (A=1), a meno di infinitesimi di ordine
superiore al primo, si ha, ricordando la (6):
(*)

Per un condensatore "normale" (lineare) in cui Q proporzionale a V, C coincide


chiaramente con la capacit C definita nel solito modo.

II . 10

Q=

xp = s

V = E ( x ) dx = W E
W

La capacit differenziale per unit di superficie dunque:

(11)

C =

s
W

[ F / cm 2 ]

espressione identica a quella relativa ad un condensatore piano con separazione W tra le


armature e riempito nello spazio tra le due armature con un dielettrico che abbia la stessa
costante dielettrica s del silicio. Nella (11) W dipende dalla tensione applicata [si ricordi la
(9)], per cui C risulta funzione (decrescente) di V e quindi la giunzione p-n in polarizzazione
inversa un raro esempio di capacit non lineare.

Esercizio: Per la giunzione dell'esercizio precedente, calcolare il valore della capacit


differenziale a 0, 50 e 100 V di tensione inversa applicata.
( a 0V

C = 318 pF

a 50V

C = 40,3 pF

a 100V

C = 28,6 pF)

2.4 La corrente inversa di diffusione.


Nelle considerazioni finora svolte abbiamo trascurato il fatto che la tensione inversa V
provoca il passaggio di una corrente attraverso la giunzione. Tale corrente, pur essendo di
solito molto piccola, merita uno studio estremamente attento sia perch essa in certi casi
limita la pratica utilizzazione del diodo, sia perch il meccanismo che la genera rappresenta
un primo esempio di applicazione delle leggi relative alle condizioni di non equilibrio studiate
nel capitolo precedente. Riferendosi al diagramma a bande (fig.10), si vede innanzitutto che
le cariche maggioritarie non possono dar luogo a corrente attraverso la giunzione, dato che il
campo presente nella zona svuotata le respinge verso le zone p ed n rispettivamente. Invece
gli elettroni della zona p e le lacune della zona n , se giungono ai margini della zona

II . 11

svuotata, vengono immediatamente risucchiati


e "spazzati" attraverso di essa dal campo; si
vengono cos a creare due flussi, Fp e Fn.
La corrente inversa determinata quasi
esclusivamente, in certi casi, da questi due
flussi. Una terza componente dovuta alla
generazione (ad esempio termica) di coppie
elettrone-lacuna dentro la zona svuotata: le
due cariche appena create vengono separate
per l'azione del campo elettrico, il che ne
rende improbabile la ricombinazione.
Si osservi che la creazione di una coppia
elettrone-lacuna ad una certa ascissa x

Fig. 10

corrisponde, dal punto di vista del circuito


esterno, al passaggio di una carica elementare attraverso lintera zona W.
Per ora tratteremo soltanto le due componenti della corrente inversa dovute alle
cariche minoritarie presenti fuori dalla zona di carica spaziale. Poich traverseranno la
giunzione quelle cariche che per diffusione giungono dalle zone neutre fino ai margini della
zona di carica spaziale, le due componenti della corrente inversa che cos si vengono a
creare si chiamano correnti di diffusione. Ricordiamo qui quanto visto a proposito delle (36)
e (37) del cap. I: nelle zone neutre il flusso delle cariche minoritarie determinato,
praticamente, soltanto dalla diffusione. Dato che i flussi cercati dipendono dalle derivate
delle concentrazioni, per determinarli occorre risolvere le seguenti equazioni differenziali,
incontrate nel precedente capitolo:

zona p:

Dn

d 2np
dx 2

n p n po

=0

(12)
zona n:

Dp

d 2 pn
dx 2

p n p no

=0

Per quanto riguarda le condizioni al contorno, sappiamo che lontano dalla giunzione
( x e x - ) le due concentrazioni minoritarie devono tendere ai rispettivi valori di
equilibrio pno ed npo . Un'altra condizione si ricava se si ammette che la tensione inversa
applicata V sia abbastanza grande (qualche volt): in questo caso qualsiasi portatore

II . 12

minoritario, che giunga ai margini


della zona di svuotamento, viene
immediatamente

risucchiato

dal

campo elettrico ivi presente. Allora


le concentrazioni np e pn, rispettivamente ai margini sinistro e destro
della zona di svuotamento, saranno
molto piccole rispetto ai valori di
equilibrio npo e pno e si potranno
considerare nulle. In questa ipotesi
la

distribuzione

delle

cariche

minoritarie illustrata in fig. 11 .

Fig. 11

Dovendo np e pn soddisfare le

equazioni (12) le due concentrazioni avranno andamento esponenziale a partire dai margini
della zona svuotata, tendendo ai rispettivi valori di equilibrio secondo le costanti (*)
Ln =

Dn n

Lp =

D p

Segue che i gradienti di concentrazione ai margini della zona svuotata saranno:


dn p

(13)

dx

=
x = x p

dp n
dx

=
x=x n

n po
Ln

p no
Lp

Noti i gradienti di concentrazione, si possono ricavare i corrispondenti flussi delle


cariche minoritarie in corrispondenza dei margini della zona svuotata, che sono
rispettivamente:

Fn

(*)

x = x p

= Dn

dn p
dx

=
x = x p

Dn
Ln

n po

Si noti che normalmente le lunghezze di diffusione Ln ed Lp sono notevolmente maggiori


di W; questo fatto non risulta dalla figura, in cui per comodit grafica si sono fatte Ln , Lp e
W dello stesso ordine di grandezza.

II . 13

Fp

x=x n

Dp
Lp

p no

Pertanto la densit di corrente inversa di diffusione (A/cm ) risulta pari, in valore


assoluto, a:

J D = q Fn Fp

)= q

Dn
Ln

n po +

Dp
Lp

p no

Esprimendo le concentrazioni minoritarie (valori in condizioni di equilibrio) in funzione


delle corrisporidenti concentrazioni delle impurit droganti, si pu scrivere infine

JD =q

(14)

Esercizio:

n i2

Dn
Ln N A

Dp
LpND

Calcolare la corrente inversa di diffusione per una giunzione a gradino in cui

NA =1018cm-3 , ND =1016cm-3 utilizzante germanio. Si ponga Ln = Lp = 60 m,


A = 1 mm2, e per il calcolo di Dn e Dp si assuma un fattore di riduzione,
rispetto ai valori relativi al germanio intrinseco, uguale a quello che si avrebbe
nel silicio con uguali concentrazioni droganti.
(ID = 0,6 x 10-6 A)

2.5 La corrente inversa dovuta alla generazione.


Lespressione data dalla (14) fornisce il valore limite cui tende la corrente inversa per
valori della tensione inversa applicata dellordine del volt. Si noti che nella (14) la tensione
inversa applicata non compare; essa infatti d la corrente determinata dalla diffusione, e
questa dipende esclusivamente dagli andamenti delle concentrazioni. Questi ultimi non
variano pi (pur allargandosi la zona svuotata) una volta che il campo abbastanza forte da
ridurre le concentrazioni minoritarie per x = - xp e x = xn molto al di sotto dei rispettivi valori di
equilibrio.
L'indipendenza della caratteristica inversa dalla tensione di polarizzazione inversa
deriva dall'aver trascurato la corrente dovuta alle coppie elettrone-lacuna generate dentro la
zona svuotata.

II . 14

Indicando con JD e JG le componenti della densit di corrente dovute rispettivamente


alla diffusione e alla generazione, la densit di corrente totale

J = JD + JG

(15)

-3

-1

Indicando con G la velocit di generazione termica (cm sec ) entro la zona svuotata,
e ammettendo che tutte le cariche create vengano separate per effetto del campo elettrico
prima che possa avvenire la ricombinazione, sar

JG = W G q .

(16)

Questa componente della corrente inversa dipende dalla tensione, in quanto la


larghezza W della zona svuotata cresce al crescere di V, come si visto prima. Si dimostra
che la velocit di generazione G

(17)

G=

v th N T n i
2

ni
2

in cui vth la velocit di agitazione termica, NT la concentrazione dei centri trappola (cfr.
cap. I, par 1.9) nella zona di svuotamento, la sezione d'urto di tali centri, supposta
eguale per semplicit per elettroni e lacune, e il tempo di vita media. Si noti che il termine

JG della (15) risulta proporzionale a ni, mentre JD, per la (14), proporzionale a ni2 .
A questo proposito si osservi che dato che ni cresce fortemente con la temperatura e
diminuisce al crescere della banda interdetta EC - EV, pu accadere che per materiali
semiconduttori con alti valori di EC EV , a temperature relativamente basse il termine della
corrente inversa dovuto alla generazione sia pi grande di quello dovuto alla diffusione. Ci
succede, per esempio, in un diodo al silicio a temperatura ambiente con drogaggi dell'ordine
di grandezza dato nell'ultimo esercizio per la giunzione al germanio.
Per un tale diodo la corrente inversa calcolata in base alla diffusione dell'ordine di
-14

10

A, mentre quella di generazione gi a basse tensioni inverse di almeno un fattore 100

maggiore. Al crescere della temperatura prevale l'effetto della diffusione: ci in generale


viene dedotto dai rilievi sperimentali della caratteristica del diodo a varie temperature,
osservando la dipendenza della corrente inversa dalla tensione applicata; cio, al crescere
della temperatura diminuisce la pendenza della caratteristica inversa.

II . 15

Si noti ancora che la ripartizione della corrente inversa di diffusione fra lacune ed
elettroni pu variare grandemente a seconda dei drogaggi delle due zone, come risulta dalla
(14): in una giunzione con ND >> NA la corrente inversa JD dovuta praticamente soltanto
agli elettroni della zona p e viceversa se NA >> ND ; ci ammettendo, come di solito, che

Ln ed Lp non abbiano valori troppo discosti tra loro.


Esercizio:

Il circuito di fig.12 utilizza il diodo al


germanio considerato precedentemente.
Dopo

l'apertura

dell'interruttore,

la

tensione inversa sul diodo si annulla


gradualmente; si ricavi in modo semplice
un'espressione

approssimata

per

il

Fig. 12

tempo necessario perch la tensione si


riduca ad 1/3 del valore iniziale. Si tracci l'andamento approssimativo della
tensione ai capi del diodo in funzione del tempo.
( t = 4, 4 10 -3 sec )

2.6 Andamenti dei flussi dei portatori in polarizzazione inversa.


E' importante rendersi conto dell'andamento dei flussi dei portatori attraverso le varie
regioni del diodo; per semplicit, ci riferiremo inizialmente al caso in cui sia ND >> NA
cosicch la corrente inversa di diffusione costituita quasi esclusivamente da elettroni che
diffondono dalla zona p attraverso la giunzione; fig. 13. Per indicare il maggiore drogaggio
della zona n rispetto a quella p si usa il simbolo n+ . Notiamo anzitutto che in una giunzione
di questo tipo, detta giunzione a gradino unilaterale, la zona svuotata viene a cadere
pressoch interamente nella zona meno drogata (p nel nostro caso) come ovvio per la (8).
Poniamo l'origine dell'asse x sul margine sinistro della zona svuotata. La densit di corrente,
ovviamente costante in qualsiasi sezione del diodo (*), data da:
(18)

(*)

JD = q(Fn Fp) = q Fn

x = o

La densit di corrente costante se la sezione costante, come abbiamo finora


implicitamente ammesso. In ogni caso costante la corrente, I = A J .

II . 16

Il flusso Fn, determinato, nella zona


neutra p, soltanto dalla diffusione, in base
alla distribuzione np(x) della figura dato da:

Fn ( x ) =

n po
Ln

Dn e

x
Ln

per x<0

Il flusso di elettroni costante da x = 0


in poi: nella zona svuotata ci equivale a
trascurare la generazione o la ricombinazione
(nella zona n il flusso F costante perch la
corrente trasportata pressoch interamente
dagli elettroni).
Si ha cio:
Fn ( x ) =

n po
Ln

Dn

per x>0

Fig. 13

Nella zona p, a distanza crescente dalla giunzione, il flusso degli elettroni diminuisce;
dovendo J essere costante nasce un flusso di lacune dato da:

Fp (x ) =

n po
Ln

x
Ln
Dn e

per x<0

tale che Fn - Fp sia costante e pari a Fn(0); risulta in tal modo, come deve essere:

JD = q(Fn - Fp) = cost.


Si vede cos che la corrente, lontano dalla giunzione, sempre portata dalle cariche
maggioritarie della zona considerata. In vicinanza dell'inizio della zona di carica spaziale il
regime stazionario mantenuto da una continua generazione di lacune ed elettroni, che
compensa i termini dFn /dx e dFp /dx [si ricordino le equazioni (34) e (35) del cap. I].
E' immediata l'estensione di questi ragionamenti al caso in cui le concentrazioni
minoritarie nelle due zone sono dello stesso ordine di grandezza: la fig. 14 mostra

II . 17

l'andamento delle concentrazioni e dei


flussi per questo caso. Come prima, a
"grande distanza" (cio molto maggiore di

Ln o Lp) dalla giunzione la corrente


portata

interamente

(*)

dalle

cariche

maggioritarie.
Ripetiamo, quanto detto vale finch
non si ha generazione di cariche entro la
zona

di

svuotamento.

Nella

rappresentazione di fig.14, la generazione


entro la zona "svuotata" darebbe luogo a
una inclinazione dei tratti rettilinei delle
curve di flusso (linee tratteggiate). Si vede
che

la

componente

JG

dovuta

alla

generazione proporzionale alla larghezza

W e quindi cresce al crescere della


tensione inversa applicata.

Fig. 14
Esercizio:

Per un diodo al silicio con le solite concentrazioni droganti gi utizzate in


precedenti esercizi, si calcoli la corrente inversa di diffusione a 100 C e a
- 50 C .
( 100 C I D = 1,92 x 10-10A;
- 50 C I D = 2,7 x 10-21 A )

2.7 - Giunzione p-n in polarizzazione diretta.


Se la tensione applicata al diodo tale da rendere il terminale p positivo rispetto a
quello n (fig. 15), la corrente (diretta) attraverso la giunzione costituita dalle cariche

(*)

A rigore questo vero solo approssimativamente: la corrente si ripartisce, p. es. nella


zona n, secondo aliquote proporzionali a n nn e p pn ; ma poich nn >> pn ,
l'approssimazione senz'altro accettabile.

II . 18

maggioritarie delle due zone che vengono


spinte verso la giunzione. Si vede che in

questo caso la corrente fluisce in direzione


opposta al campo elettrico E presente nella

Ex

zona di carica spaziale. Se la corrente non


troppo elevata, si pu ancora ragionare in

modo analogo a quanto si fatto per ricavare

Fig. 15

la (10) ottenendo cos per la larghezza della


zona svuotata l'espressione:

W =

(19)

2s NA +ND
q

NA ND

( V )

La larghezza di tale zona risulta quindi ridotta rispetto al valore di equilibrio. Si noti
per che la ammissione, implicita nella (19), che le zone neutre del diodo siano
equipotenziali (di modo che la tensione esterna applicata V si faccia risentire interamente
nella zona di carica spaziale) meno giustificata che nel caso della polarizzazione inversa.
Infatti il passaggio della corrente diretta, di parecchi ordini di grandezza superiore a
quella inversa, determina inevitabilmente delle cadute di potenziale ohmiche dovute alla
resistivit non nulla delle zone neutre del semiconduttore impiegato. A rigore dunque, nella
(19) il termine da sottrarre a non lintera tensione applicata V ma un valore ridotto
ottenuto sottraendo a V le cadute ohmiche nelle zone neutre e nei contatti.
Unaltra fonte di errore nella trattazione dovuta al fatto che il passaggio della corrente
diretta determina la presenza di notevoli concentrazioni di cariche mobili nella zona di carica
spaziale, dove si verifica la situazione di non
equilibrio con np >> ni2. Ci rende meno valida
lapprossimazione dello svuotamento totale; la
trattazione che segue per la corrente diretta
vale per correnti non troppo forti, in modo che
si possano ancora adottare le formule relative
al caso di svuotamento totale.
Con queste limitazioni, si pu tracciare il
diagramma
polarizzata

delle

bande

direttamente

della
(fig.16)

giunzione
in

modo

analogo a quanto si fatto per il caso della

Fig. 16

II . 19

polarizzazione inversa, ammettendo ancora che abbia senso parlare di livelli di Fermi nelle
zone neutre del diodo. Come nel caso della polarizzazione inversa, i livelli di Fermi delle due
zone, EFp ed EFn , sono ad altezza differente ed il loro disallineamento risulta pari alla
tensione diretta applicata moltiplicata per q; si ha precisamente:

EFn - EFp = qV
Per indicare il fatto che questi livelli si riferiscono a una situazione di non-equilibrio,
essi vengono chiamati livelli di quasi-Fermi. Come indicato nella fig. 16 la corrente diretta
dovuta principalmente agli elettroni della zona n e alle lacune della zona p che, in base alla
distribuzione statistica, hanno energia sufficiente a superare la barriera di potenziale - V
nei due sensi. Una volta traversata la zona di carica spaziale, lacune ed elettroni diventano
cariche minoritarie, e il loro flusso ancora determinato dalla diffusione.
Come nel caso della corrente inversa, si ha una terza componente della corrente,
dovuta ad elettroni e lacune che si ricombinano entro la zona di carica spaziale. Si vede che
possibile scomporre la corrente diretta analogamente a quanto fatto per quella inversa, in
tre componenti, due dovute alla diffusione, di solito preponderanti, e una terza dovuta alla
ricombinazione nella zona svuotata.
Le correnti di elettroni e lacune dovute alla diffusione sono determinate dai gradienti
delle rispettive concentrazioni. E bene riesaminare, a questo punto, gli andamenti delle

Fig. 17

II . 20

concentrazioni delle cariche mobili visti nei due casi precedenti (equilibrio e polarizzazione
inversa) e cercare di prevedere la distribuzione relativa alla polarizzazione diretta. La fig. 17
rappresenta in modo indicativo

(*)

i diagrammi delle concentrazioni di cariche mobili nei tre

casi, nell'approssimazione dello svuotamento completo.


Nel caso della polarizzazione diretta, il fatto che le cariche maggioritarie fluiscono
2

attraverso la zona svuotata fa s che il prodotto pn sia ivi maggiore del valore di equilibrio ni .
In particolare ai due margini della zona di svuotamento le concentrazioni minoritarie risultano
considerevolmente maggiori dei rispettivi valori di equilibrio npo e pno ; a causa di ci, si
creano due flussi Fn ed Fp che costituiscono la parte principale della corrente diretta. Se
ammettiamo di essere nella situazione di
iniezione a basso livello (vedasi cap. I), i
flussi Fn ed Fp sono determinati soltanto dalla
diffusione, cio dalle equazioni (12).
Riferendoci alla fig. 18 in cui sono
rappresentate

soltanto

le

concentrazioni

minoritarie pn ed np, il problema consiste nel


trovare i valori pn(xn) e np(-xp) rispettivamente
ai margini destro e sinistro della zona di
carica spaziale. Infatti, dovendo le due
concentrazioni soddisfare le (12), esse hanno
lormai

noto

andamento

esponenziale

tendente ai rispettivi valori di equilbrio pno e

Fig. 18

npo; i due flussi sono allora:

Fn

x = x p

= Dn

(20)
Fp

x=x n

= Dp

np xp

n po

Ln
pn (xn

p no

Lp

Le concentrazioni np(-xp) e pn(xn) dipendono dalla tensione applicata V; infatti,


riferendoci alla fig. 16, chiaro che quanto maggiore sar la differenza fra i livelli EFn e EFp ,
(*)

I diagrammi della figura hanno solo un valore indicativo, perch in pratica le concentrazioni maggioritarie sono sempre enormemente pi grandi di quelle minoritarie, e non
possibile rappresentarle ambedue nello stesso grafico, a meno di usare una scala
logaritmica.

II . 21

tanto maggiore sar il numero delle cariche in grado di traversare la barriera di potenziale
della zona di svuotamento. Un primo modo di ricavare np(-xp) e pn(xn) consiste
nellammettere che il calcolo delle concentrazioni minoritarie ai margini dellla zona svuotata
possa farsi assumendo come livello di Fermi (per le sole cariche minoritarie) il
prolungamento del livello di quasi-Fermi esistente dall'altra parte della giunzione, cio dalla
zona da cui le cariche provengono. Ci significa, in base alla fig. 16, porre:

E Fn E ip

np x p = ni e

kT

(21)
pn

(xn )=ni e

E in E Fp
kT

Questa ammissione , effettivamente, arbitraria; sua unica giustificazione il fatto che


i risultati cos trovati sono in ragionevole corrispondenza con la realt. Tenendo conto del
fatto che EFn - EFp = q V , le (21) si possono scrivere:

E Fp E ip

np xp = ni e

kT

qV

kT

qV

= n po e

kT

(22)
pn (xn

)= ni e

E in E Fn

qV

kT

kT

qV

= p no e

kT

Si vede cio che sia np(-xp) che pn(xn) sono dati dai rispettivi valori di equilibrio
moltiplicati per il fattore e qV / kT. C da osservare che, come detto in nota in relazione alla
fig. 17, il disegno di fig. 18 non a scala per motivi didattici e pu trarre in inganno. Si pensi
per che il fattore e

qV / kT

, con kT a temperatura ambiente pari a 0,026 eV e con una

tensione esterna diretta applicata di appena 0,52 V, vale 4 x 108. La differenza tra le ordinate
delle concentrazioni dei portatori ai margini della zona svuotata spiega la grande variazione
tra corrente diretta e corrente inversa, dato che le lunghezze di diffusione restano le stesse
nei due casi.
Esercizio:

Si calcolino le densit p ed n in corrispondenza della giunzione (x = 0) per un


diodo al silicio con NA = 1017 cm-3, ND = 1016 cm-3, quando al diodo applicata
una tensione diretta di 0,35 V. Si usino per il calcolo i livelli di quasi-Fermi. Si
verifichi l'accettabilit dell'approssimazione dello svuotamento completo.

II . 22

16

-3

-3

(p(0)= 2,3 x 10 cm , n(0)= 4 x 10 cm )


Le (22) possono anche ricavarsi in un altro modo, forse pi soddisfacente dal punto di
vista intuitivo. Riferendoci ancora alla fig. 16, e ragionando per gli elettroni, si pu pensare
che tutti gli elettroni che si trovano immediatamente a destra della zona svuotata, e che
hanno energia superiore al margine della banda di conduzione a sinistra della zona di
svuotamento [il margine della banda di conduzione si innalza di q ( - V) traversando la
giunzione da destra a sinistra] traversino la barriera; il loro numero d quindi la
concentrazione np(-xp) cercata. Se adesso ammettiamo che la densit dei livelli energetici
nella banda di conduzione (cm-3 eV-1) sia costante in funzione di E , e indichiamo con N*C il
suo valore (*) , possiamo scrivere:

nn =

F(E )

dE =

N C*

N C*

EC

np xp =

N C*

E E Fn
kT

dE

EC

E E Fn
kT

E C +q ( V

dE = n n e

V
kT

Poich:
nne

ln

NAND
n i2

=NDe

kT

n i2
NA

= n po

il valore di np(-xp) cos ricavato coincide con quello dato dalla prima delle (22); un
ragionamento identico eseguito per le lacune, conduce alla seconda delle (22).

2.8 La corrente diretta di diffusione


Note le concentrazioni minoritarie ai due margini della zona di carica spaziale, le (20)
permettono di ricavare la densit di corrente diretta dovuta alla diffusione:

J D = q Fp ( x n ) Fn x p

(*)

)] = q

Dn
Ln

n po +

Dp
Lp

qV

p no e kT

Si ricordi, come precisato nel capitolo I, che NC rappresenta un valore medio.

II . 23

Esprimendo le concentrazioni minoritarie di equilibrio in funzione dei relativi drogaggi, si ha:

JD =q

(23)

n i2

Dn
Ln N A

Dp
LpND

qV

kT
e

Si osservi che nella (23) compare come fattore la densit di corrente inversa di diffusione,
formula (14); indicando tale densit con Js (densit di corrente inversa di saturazione), la
(23) pu scriversi:

JD =

(24)

qV

J S e kT

che, dividendo ambo i membri per larea della giunzione, assume la forma:

ID =

(25)

qV

I S e kT

I [mA]

Questa espressione rappresentativa


della caratteristica I = f(V) di un diodo a

100

semiconduttore ed riportata in fig. 19.a). Per i


valori negativi di V, la corrente data dalla (25)

a)

50

tende asintoticamente al valore limite -Is ,

-Is

mentre per valori di V positivi e grandi rispetto a

V [V]
1

kT/q, segue praticamente la legge esponenziale


Is e
le

qV / kT

. Pertanto la (25), se sono trascurabili

componenti

della

corrente

dovute

I [mA]

generazione (nel caso della polarizzazione


inversa)

ricombinazione

diretta) entro la zona di carica spaziale, pu


rappresentare

con

una

100

(polarizzazione

unica

b)

50

espressione

V [V]

ambedue i rami, diretto ed inverso, della

caratteristica di un diodo a giunzione. Risulta


evidente che la caratteristica del diodo presenta
aspetti di decisa non-linearit, oltre alla evidente

Fig. 19

II . 24

capacit di conduzione quando il diodo polarizzato in senso diretto e di non conduzione (o


scarsissima conduzione) quando il diodo polarizzato inversamente. Per confronto in
fig.19.b) riportata la caratteristica di un diodo ideale che si pu assimilare ad un interruttore
aperto in polarizzazione inversa ed ad un interruttore chiuso in polarizzazione diretta.
Esercizio:

Tracciare per punti la caratteristica di un diodo al germanio con


NA = 10 cm , Ln = Lp = 60 m , ND = 10 cm , per tensioni applicate
17

-3

16

-3

comprese tra 10 e +0,4V, a temperatura ambiente (27 C). Ripetere il


tracciamento per una temperatura di 60 C.

2.9 La corrente diretta dovuta alla ricombinazione.


Come si detto, la densit di corrente data dalla (24) rappresenta i contributi dovuti
alla diffusione delle cariche che hanno traversato la zona di carica spaziale; il contributo
degli elettroni e lacune che si ricombinano entro la zona di carica spaziale pu porsi sotto la
forma:
JR= q W U
ammesso che si abbia una velocit di ricombinazione U (cm-3 sec-1) costante su tutta la
larghezza W della zona svuotata. Il calcolo di U piuttosto complesso; si dimostra che per la
funzione U si pu approssimativamente assumere il valore:
qV

qV

1
U = v th N T n i e 2 kT = Ge 2 kT
2

La densit di corrente totale , naturalmente, la somma dei termini dovuti alla


diffusione e alla ricombinazione:
J = JD + JR
Tenendo conto di quanto appena trovato, una espressione unica, di uso pratico, che
pu ben rappresentare landamento reale della corrente di un diodo al silicio in funzione della
tensione applicata, data da:

II . 25

I=

qV
kT
IS e

con che vale 2 per basse correnti ed 1 alle alte correnti.

2.10 Andamento dei flussi dei portatori in polarizzazione diretta.


L'andamento dei flussi di elettroni e lacune attraverso le varie zone del diodo si pu
tracciare in base a ragionamenti identici a quelli fatti a proposito della corrente inversa. La
fig. 20 illustra la situazione per il caso in cui i drogaggi NA ed ND siano dello stesso ordine di
grandezza. Si noti a questo proposito che, se i drogaggi delle due zone sono molto differenti,
la corrente attraverso la giunzione costituita
praticamente da un solo tipo di cariche.
Precisamente, per un diodo, ad esempio, p+n, cio con NA molto maggiore di ND (*), la
corrente diretta nella zona di carica spaziale
sar costituita principalmente da lacune
provenienti dalla zona p , e quella inversa, da
lacune provenienti dalla zona n . Questa
possibilit di regolare la percentuale della
corrente trasportata da uno dei tipi di cariche
di importanza fondamentale, come si vedr,
per il funzionamento dei transistori bipolari a
giunzione (BJT). Qualunque sia la grandezza
relativa di NA ed ND, nelle regioni distanti dalla

Fig. 20

giunzione pi di tre o quattro lunghezze di


diffusione delle cariche minoritarie, la corrente trasportata pressoch interamente dalle
cariche maggioritarie. Analogamente al caso della corrente inversa, la presenza di una
apprezzabile componente della corrente diretta dovuta alla ricombinazione nella zona di
(*)

E' importante ricordare che NA indica la concentrazione degli ioni accettori nella zona p ,
ed ND quella degli ioni donatori nella zona n ; NA ed ND si riferiscono a zone diverse del
diodo. Se in una zona sono presenti sia atomi accettori che donatori, NA ed ND indicano le
concentrazioni nette risultanti, indicate, nel par. 2 del capitolo I, con NA-ND o ND-NA a
seconda che prevalgano gli atomi accettori o quelli donatori.

II . 26

carica spaziale si pu evidenziare, nella fig. 20, con una inclinazione dei tratti rettilinei degli
andamenti dei flussi.
Applicando, come si fatto per la corrente inversa, l'equazione di continuit richiamata
nel cap. I (34), si vede dalla fig. 20 che nelle regioni neutre prossime alla zona di carica
spaziale si ha una continua ricombinazione di portatori; si ricordi che nel caso della corrente
inversa, si aveva invece una continua generazione di coppie elettrone-lacuna. Ci mostra
che, in realt, la distinzione, nella corrente diretta, tra corrente di diffusione e corrente di
ricombinazione arbitraria, dato che la diffusione delle cariche che hanno traversato la
giunzione ha come risultato finale la loro ricombinazione. Da questo punto di vista tutta la
corrente diretta una corrente di ricombinazione; la distinzione fatta prima si basa in realt
sulla zona dove avviene questa ricombinazione. Analoga considerazione, naturalmente, pu
farsi per la corrente inversa.

2.11 - Capacit di diffusione.


Come si visto, il passaggio della
corrente diretta in un diodo determina la
presenza

di

concentrazioni

minoritarie

in

eccesso ai due lati della zona di carica


spaziale.

Questo

immagazzinamento

di

cariche una funzione della corrente, o,


equivalentemente, della tensione applicata (*).
Esso ha delle conseguenze importanti sul
funzionamento dinamico del diodo, in quanto,
se si ha una variazione della tensione diretta,

Fig. 21

necessario, perch la corrente assuma il


nuovo valore di regime sulla caratteristica I = f(V), che le cariche minoritarie assumano la
nuova distribuzione, e ci richiede un tempo finito. La risposta del diodo a variazioni rapide di
tensione applicata non quindi istantanea. Per studiare l'effetto cui si accennato, ci
riferiamo per semplicit (fig.21) a un diodo p+-n, in cui la corrente costituita essenzialmente
da lacune e la concentrazione minoritaria in eccesso prevalentemente dalla parte n [si

(*)

La densit di carica risultante nelle regioni p ed n fuori dalla zona di carica spaziale
sempre nulla: leccesso di cariche minoritarie provoca un corrispondente eccesso di
cariche maggioritarie (fig.17.c).

II . 27

ricordino le formule (22)]. Nella fig.21, Lp notevolmente maggiore di W, come di solito


avviene; per la polarizzazione diretta, che qui consideriamo, potremo perci trascurare le
variazioni di W in funzione della tensione. Nella figura sono rappresentate due curve di
concentrazione per le lacune nella zona n neutra, relative a due valori della tensione diretta
applicata differenti di V . Si vede che la variazione V provoca, nella zona n, una variazione

Q della carica dovuta alle lacune. Q data dal prodotto della sezione A della giunzione
per l'area tratteggiata e per la carica q dell'elettrone. Il rapporto:
CD =

(26)

dQ
Q
= lim
dV
V

ha le dimensioni di una capacit (capacit di diffusione) ed determinante nello studio del


funzionamento dinamico del diodo.
Come la capacit di barriera C definita precedentemente, anche CD una capacit
differenziale, funzione come vedremo, della tensione applicata; si noti per che CD, a
differenza di C , determinata da cariche accumulate nelle regioni neutre del diodo. La
capacit di barriera C esiste anche nel caso della polarizzazione diretta, ma il suo valore
di solito piccolo in confronto alla capacit di diffusione.
Il calcolo di CD pu eseguirsi facilmente valutando larea compresa tra la curva pn(x,V)
e il valore costante pno (quest'area, moltiplicata per Aq, d la carica Q immagazzinata nella
zona n) ed eseguendone la derivata rispetto a V . Poniamo l'origine x = 0 sul margine destro
della zona di carica spaziale. Essendo:

pn

( x ,V ) =

qV

p no e kT

x
L

1 e p

+ p no

si ottiene, per la carica iniettata in eccesso rispetto alle condizioni di equilibrio, la quantit:

(p

(27)

Q ( V ) = Aq

p no ) dx =

qV

Aqp no e kT

Per la capacit di diffusione si ricava lespressione:

x
L
1 e p

dx =

qV

Aqp no L p e kT

II . 28

C D = A p no

(28)

qV

q 2Lp

kT

kT

Volendo, si pu esprimere CD in funzione della corrente anzich della tensione. Infatti


dalla (23), per tensioni V notevolmente maggiori di kT/q cosicch si possa trascurare l'unit
+

rispetto all'esponenziale e sempre nel caso di giunzione p -n, la corrente diretta pu essere
espressa come:
I D = A q p no

(29)

Dp
Lp

qV

kT

Sostituendo questultima nella (28) si ha:

CD =

(30)

q L 2p
D p kT

ID

E' immediata l'estensione di quanto detto al caso in cui NA ed ND siano dello stesso
ordine di grandezza. Si osservi che sempre nellipotesi di V > kT/q, facendo il rapporto tra la
(27) e la (29), si ottiene:
Q
ID

L 2p
Dp

Pertanto il tempo di vita media delle cariche minoritarie si pu interpretare come


quellintervallo di tempo in cui la carica iniettata in eccesso rispetto alle condizioni di
equilibrio, si rinnova, perdendosi per ricombinazione (metodo del controllo di carica).

Esercizio:

Calcolare il valore della capacit di diffusione per il diodo dell'esercizio


precedente, in corrispondenza dei seguenti valori della tensione diretta: 0,2 V;
0,3 V; 0,35 V. Paragonare i valori ricavati con la capacit di barriera a 0 V.
(0,2 V: CD = 4780 pF ; 0,3 V: CD = 0,216 F ; 0,35 V: CD = 1,46 F)

II . 29

2.12 Tempi di commutazione dei diodi a giunzione.


La presenza della carica iniettata, dovuta ai portatori minoritari, in eccesso rispetto alle
condizioni di equilibrio - situazione che caratterizza la giunzione polarizzata direttamente -,
come pure la diminuzione della carica minoritaria ai bordi della giunzione in polarizzazione
inversa, hanno una notevole influenza nel determinare i tempi di commutazione di un diodo.
Questi tempi sono definiti come gli intervalli di tempo che necessario attendere affinch il
diodo compia lintero passaggio che lo porta dalla polarizzazione diretta a quella inversa e
viceversa. Dei due tempi di commutazione, quello che normalmente richiede un intervallo
temporale maggiore il tempo di commutazione relativo al passaggio dalla polarizzazione
diretta a quella inversa ed su questo che concentreremo lattenzione; lintervallo di tempo
cos definito viene chiamato tempo di recupero inverso t r r (reverse recovery time).
polarizzazione inversa

polarizzazione diretta

pn(xn)
+

pno

pno
W

Lp

a)

Lp
b)

Fig. 22
Per comprendere meglio i fenomeni che accadono alla giunzione nel funzionamento in
commutazione, bene richiamare innanzitutto gli andamenti delle concentrazioni minoritarie
ai bordi della giunzione nella due opposte situazioni di polarizzazione (fig.22). Si supponga di
applicare una tensione v(t), con un andamento a gradino, al circuito di fig. 23.a),
comprendente un diodo a giunzione asimmetrica p+-n in serie ad una resistenza di carico RL
di valore molto maggiore della resistenza offerta dal diodo in conduzione. Landamento della
tensione v(t), che commuta tra VA e -VA, riportato in fig. 23.b). Coerentemente con i
riferimenti scelti per lasse dei tempi di questa tensione, sotto v(t) si riportano i grafici della
differenza pn(xn) - pno (fig. 23.c)), della corrente iD (t) nel circuito (fig. 23.d)) e della tensione
vD (t) ai capi del diodo (fig. 23.e)). Per la tensione di soglia V si veda il par. 2.15.

II . 30

v(t)
VA

b)

vD

t0

t1

-VA

pn(xn) - pno

iD
RL

v(t)

t2

c)

t0

pno
t

t1

iD(t)
(VA V )/RL

a)

t2

d)

t0

t1

- IS
t

- (VA + V )/RL
vD(t)

e)

V
0

t0

t1

t2

-VA

Fig. 23
Come risulta dalla fig. 23.c), la concentrazione pn(xn) - pno di lacune in eccesso allinizio
della zona neutra del semiconduttore di tipo n molto elevata, come si visto nella
trattazione del diodo in polarizzazione diretta. Allistante t = t0, questa carica iniettata in
eccesso, la cui presenza mantiene la giunzione in polarizzazione diretta, inizia a diminuire
riattraversando la giunzione, sollecitata dalla tensione v(t) che ha bruscamente cambiato
segno. La fig. 23.d) indica che nellintervallo di tempo t0 t1 la giunzione viene attraversata
da una corrente in senso inverso (costituita dalle cariche minoritarie in eccesso che ritornano
nella regione di provenienza) circa dello stesso ordine di grandezza della corrente diretta,
fino a quando (istante t1) la carica immagazzinata in eccesso non si azzerata. Questo
giustifica la definizione dell'intervallo di tempo t1 t0 come tempo di storage o tempo di
immagazzinamento.
Allistante t1 la distribuzione della concentrazione dei portatori minoritari diventa quella
della giunzione in equilibrio; per t > t1 il diodo inizia a polarizzarsi inversamente e la tensione
ai suoi capi vD tende al valore -VA (vedasi fig.23 e). Dopo lintervallo t2 t1, che viene
chiamato tempo di transizione, il diodo ha completato la commutazione. La somma di

II . 31

questo tempo e del tempo di storage fornisce il tempo di recupero inverso t r r. In commercio
si trovano diodi per commutazione con t r r che va da un decimo di nanosecondo fino ad un
microsecondo per i tipi costruiti per impieghi con correnti molto elevate.

2.13 - Effetti della temperatura.


Come si avuto occasione di notare in precedenti occasioni, la temperatura influenza
fortemente la caratteristica del diodo a giunzione p-n. Limitandoci inizialmente a considerare
la corrente dovuta alla diffusione, l'equazione (23) pu essere riscritta introducendo
lespressione che d ni2 in funzione di NC, NV ed EG , in modo da evidenziare la dipendenza
dalla temperatura. Si ottiene:

J D = q NC NV e

(31)

EG
kT

Dn
Ln N A

Dp
LpND

qV
e kT

Il termine ni2 cresce fortemente al crescere della temperatura, oltre che per l'essere il
prodotto NC NV proporzionale a T3, per la rapidit di variazione del fattore esponenziale (EG
diminuisce allaumentare della temperatura); le variazioni di Dn, Dp, Ln, Lp risultano invece
molto pi lente con il variare della temperatura e si possono praticamente trascurare. In
conseguenza, la corrente inversa di saturazione una funzione rapidamente crescente della
temperatura, e sia per il germanio sia per il silicio si ha approssimativamente un aumento di
un fattore due per ogni 10C di innalzamento della temperatura. In generale per, per diodi
in grado di condurre la stessa corrente diretta, la corrente inversa risulta molto inferiore per il
silicio.
Nel caso della polarizzazione diretta, si vede facilmente dalla (31) che un aumento
della temperatura fa diminuire la tensione ai capi del diodo, per un dato valore di corrente;
quindi al crescere della temperatura la caratteristica diretta si avvicina all'asse delle correnti.
Anche questo effetto dello stesso ordine di grandezza per germanio e silicio, potendosi
normalmente assumere una riduzione della tensione diretta di circa 2 mV per un grado di
aumento della temperatura. A pari corrente la tensione diretta risulta maggiore per il silicio
che per il germanio: ci si pu prevedere, in base alla (31), dato il maggiore valore della
banda interdetta EG per il silicio. Si pu dire grosso modo che in un normale diodo al
germanio la corrente diretta comincia ad assumere valori notevoli per tensioni maggiori di

II . 32

0,2V e il campo normale di funzionamento permesso si estende fino a circa 0,7 V di tensione
diretta; i corrispondenti valori per il silicio sono 0,6 e 1 V rispettivamente.
Per quanto riguarda la corrente inversa del diodo, essa dovuta, oltre che alla
diffusione, alla generazione (vedi formule (14) e (16)). Poich il termine di generazione
2

proporzionale a ni mentre la corrente di diffusione proporzionale a ni , all'aumentare della


temperatura la corrente di diffusione tende a prevalere su quella di generazione, e la
caratteristica inversa risulta meno dipendente dalla tensione applicata. A causa delle
differenti altezze della banda interdetta (0,67 V per il germanio e 1,11 V per il silicio) ci si
verifica gi a temperatura ambiente per il germanio. In un diodo al silicio, invece, a
temperatura ambiente la corrente inversa costituita principalmente dal termine di
generazione e solo a temperature piuttosto elevate, maggiori di 100 C, comincia a
prevalere la diffusione.
Esistono dei limiti superiori per la temperatura a cui si pu portare una giunzione,
oltrepassando i quali le caratteristiche si deteriorano in modo permanente rendendo il diodo
inutilizzabile; ci vale in generale per i dispositivi a semiconduttore. Questa temperatura
massima ammissibile si aggira sui 100C per i dispositivi u tilizzanti germanio, e sui 200C
per quelli al silicio. Si osservi inoltre che alle dette temperature si inizia a cancellare leffetto
del drogaggio a causa della generazione di coppie elettrone-lacuna per effetto termico;
iniziano quindi a ridursi gli effetti di giunzione ed il diodo tende a comportarsi come una unica
barretta di semiconduttore intrinseco ad alta temperatura. E' ovvio che le temperature
massime sopra indicate si riferiscono alla temperatura di giunzione, che la zona dove
massima la dissipazione di potenza elettrica e, di conseguenza, la temperatura.
Quanto detto sugli effetti termici si constata effettuando rilievi della caratteristica I-V
per diodi di varia costituzione e a varie temperature. Per va detto che molto spesso la
corrente inversa determinata, oltre che dalle concentrazioni all'interno della barretta che
costituisce il diodo, dalle condizioni sulle superfici laterali, che risultano molto difficili da
controllare durante la fabbricazione. In pratica pu accadere che la corrente inversa scorra
quasi interamente lungo la superficie del diodo; il suo valore risulta allora grandemente
variabile da diodo a diodo (anche per lo stesso tipo commerciale) e parecchio maggiore dei
valori calcolati con le formule fornite nel testo. Ci si verifica particolarmente per i diodi al
silicio, in cui le correnti inverse calcolate in base alla diffusione e alla generazione possono
avere valori estremamente bassi (10-12 A = 1 pA) mentre la corrente inversa misurata di
solito di gran lunga superiore (10-9 A = 1 nA).

II . 33

2.14 - Cenni sui fenomeni di rottura.


All'inizio del capitolo si detto che per
tensioni sufficientemente elevate, la giunzione
p-n conduce correnti forti anche nel caso della
polarizzazione inversa; ci si verifica, in
generale, bruscamente, in corrispondenza di
una tensione di rottura (Breakdown Voltage).
Nell'intorno del valore di rottura la corrente
aumenta

molto rapidamente all'aumentare

della tensione inversa.


Il fenomeno della rottura determinato
dal campo elettrico estremamente intenso
esistente nella zona di carica spaziale; se si
arriva al punto in cui il campo abbastanza

Fig. 24

forte da rompere i legami covalenti del reticolo cristallino, le coppie elettrone-lacuna cos
create danno origine a una forte corrente inversa. Ci illustrato in fig. 24 dal punto di vista
dei livelli energetici: il campo elettrico fa s che un elettrone della banda di valenza traversi la
banda proibita e si ritrovi nella banda di conduzione, un p a destra del punto di partenza (*).
Questo fenomeno, detto effetto Zener, d luogo a una abbondante produzione di cariche, e
quindi a una forte corrente, quando il campo
nella zona di carica spaziale raggiunge un
valore critico.
Nei normali diodi si ha un forte aumento
della corrente inversa gi per valori del campo
elettrico inferiori a quello necessario perch si
abbia l'effetto Zener. Avviene infatti un altro
fenomeno, detto effetto valanga, anch'esso
dipendente in modo critico dal campo elettrico.
Esso dovuto, come illustrato in fig. 25, alla
generazione termica di elettroni e lacune nella
zona di carica spaziale. Se il campo

(*)

Fig. 25

Poich l'energia viene comunicata all'elettrone dal campo elettrico, il cammino


dell'elettrone nell'attraversare la banda proibita orizzontale nel diagramma della figura. Il
fenomeno dunque diverso dalla generazione di coppie per effetto termico (fig.10).

II . 34

abbastanza intenso, un elettrone portato nella banda di conduzione dall'agitazione termica


acquista sufficiente energia cinetica, prima di subire una collisione, da rompere un legame
covalente all'atto della collisione, pur restando esso stesso nella banda di conduzione. A
seguito di ci si hanno a disposizione due elettroni di conduzione (e due lacune) che
possono ancora venire accelerati dal campo e produrre altre coppie: da ci il nome di effetto
valanga. Il numero di cariche generate termicamente viene cos moltiplicato per un fattore
molto grande, e la corrente raggiunge valori molto elevati. Il valore del campo elettrico critico
in corrispondenza del quale il fattore di moltiplicazione tende all'infinito (e si ha la rottura
nella caratteristica inversa, fig. 2), dipende dal materiale usato, e cresce con la
concentrazione delle impurit droganti. Per il silicio, esso pu essere di 5 x 105 V/cm per una
16

-3

concentrazione drogante di 10 cm .
Il fenomeno della rottura implica la dissipazione di potenze relativamente grandi nel
diodo, dato che si ha contemporaneamente grande tensione e forte corrente: ci pu portare
alla distruzione del diodo se la potenza dissipata ne innalza eccessivamente la temperatura.
Esistono dei diodi appositamente costruiti per il funzionamento nel tratto di rottura della
caratteristica; poich questo tratto risulta quasi verticale (fig. 2) il diodo si comporta come un
dispositivo a tensione costante, cio, il suo schema equivalente si pu approssimare con un
generatore ideale di tensione. Bench normalmente tali diodi siano basati sull'effetto
valanga, essi vengono chiamati spesso diodi Zener. Alla fine del presente capitolo si
accenner ad alcune applicazioni tipiche di tali diodi.
Esercizio:

In un diodo al silicio si ha NA = 1017 cm-3 e ND = 1016 cm-3. Si calcoli la


tensione di rottura assumendo un campo critico 5 x 105 V/cm . Se la corrente
di rottura di 5 mA, quale la potenza dissipata nel diodo?
( VBV = 89 V)

2.15 - Parametri circuitali e schemi equivalenti.


Per rendere praticamente utilizzabili nelle applicazioni le conoscenze sui diodi a
giunzione, necessario cercare di trovare una rete formata da elementi circuitali lineari attivi
e passivi che sia adatta a rappresentare il funzionamento elettrico di tali dispositivi non
lineari; tale rete viene indicata come schema equivalente del diodo o modello circuitale
del diodo. Lo schema equivalente, che necessario ai fini di estendere ai circuiti contenenti
diodi i teoremi generali validi per l'analisi delle reti elettriche lineari, pu essere desunto sia

II . 35

per via teorica, mediante l'esame analitico dei fenomeni fisici che spiegano il funzionamento
del dispositivo, sia per via grafica, derivandolo dalle caratteristiche e dai rilievi sperimentali.
Occorre premettere che, poich i diodi presentano un comportamento molto differente
a seconda delle condizioni di polarizzazione, saranno necessari pi schemi equivalenti,
ciascuno valido in una regione limitata dell'intera caratteristica. Inoltre si osservi che in
generale la rappresentazione di un dispositivo mediante schema equivalente sempre
relativa agli effetti che si considerano; nella trattazione che segue ci si limiter a descrivere
"circuitalmente" i fenomeni pi importanti e che sono stati analizzati teoricamente, lasciando
ad altre discipline un'analisi pi approfondita. In generale si possono distinguere tre tipi di
funzionamento dei diodi in dipendenza dei quali vengono dati gli schemi equivalenti:
a) funzionamento statico;
b) funzionamento dinamico per piccole variazioni attorno ad un punto della
caratteristica I-V;
c) funzionamento dinamico per grandi variazioni nel campo in cui definita la
caratteristica I-V.
In questo paragrafo ci occuperemo dei primi due tipi. Esaminiamo prima un diodo
polarizzato in senso diretto; in fig. 26.a) viene indicato il simbolo generalmente adottato per i
diodi a semiconduttore, col riferimento del verso di conduzione diretta. Come si visto
precedentemente, affinch un diodo conduca
una certa corrente IQ, necessario applicare ai
suoi

capi

una

certa

tensione

VQ

(vedi

fig. 26.b)); ha quindi interesse considerare il

a)

rapporto:

V
I

R=

VQ
IQ

= cotg

[];

che definisce la resistenza statica offerta dal

I [mA]

diodo in queste condizioni di funzionamento,


cio nel punto di riposo Q. Data la forma della
caratteristica,

la

resistenza

statica

b)

diminuisce al crescere di V o di I . Si noti che


la potenza elettrica in corrente continua che si
dissipa

(o

quindi

che

si

deve

IQ

avere

"disponibile" dal circuito) quando il diodo

polarizzato nel punto Q, vale:


0

VQ
Fig. 26

V [V]

II . 36

PE = V Q I Q =

V Q2
R

= I Q2 R

[W]

Il valore di tale potenza numericamente eguale allarea interna al rettangolo avente


per lati VQ ed IQ. Il calcolo va sempre fatto per verificare che la potenza P sia inferiore a
quella massima Pmax (data nelle specifiche) che pu dissipare il diodo senza deteriorarsi. A
questo proposito si osservi che la potenza che si dissipa interessa normalmente un volume
del diodo assai piccolo, formato dall'area della giunzione per lo spessore della zona svuotata
W. A regime la potenza elettrica dissipata PE deve essere bilanciata dalla potenza termica PT
ceduta da tale volume all'ambiente, cio deve aversi:

P E = V Q I Q = PT =

T j T A

jA

dove jA la resistenza termica tra la giunzione e l'ambiente, TA la temperatura ambiente


e Tj la temperatura di giunzione che non deve superare i valori massimi gi indicati.
Se alla tensione continua V applicata al diodo si sovrappone un segnale variabile nel
tempo (che possiamo supporre sinusoidale) di ampiezza molto piccola rispetto al valore
statico V, la corrente che percorre il diodo varia
I

con legge sinusoidale attorno al valore relativo

al punto Q della caratteristica (vedi fig.27).


In queste condizioni di funzionamento

siamo interessati al legame tra variazioni di


tensione e variazioni di corrente intorno ad un IQ

certo punto Q. Infatti, in queste condizioni


possibile sviluppare in serie di Taylor la
funzione I = f(V) nell'intorno di tale punto e

VQ

troncare tale sviluppo al primo termine. Si ha


V

cio:
I Q + I = f ( V Q ) +

dI
dV

V ;
Q

la relazione tra le variazioni di corrente e


tensione quindi:
t
v
i=
r

Fig. 27

II . 37

dove si sono indicate le piccole variazioni I e V rispettivamente con i e v, mentre r


rappresenta la resistenza differenziale o dinamica del diodo in presenza di piccoli segnali,
definita come:
1
dI
=
r dV

= tg
Q

Ricordando la (23), trascurando quindi la componente della corrente diretta dovuta alla
ricombinazione, si ottiene:
r

kT

(valida per V >> kT/q)

q IQ

e quindi la resistenza differenziale diminuisce al crescere della corrente relativa al punto Q.


Si osservi che, sebbene sia r sia la capacit di diffusione CD, data dalla (30),
dipendano dalla corrente diretta, il loro prodotto, che ha le dimensioni di un tempo,
costante e, nel caso di un diodo p+-n, pari al valore della vita media p delle lacune. Si ha
infatti:
r CD =

2
k T q Lp I

q I D p kT

L 2p
Dp

Nel caso di un diodo polarizzato in senso inverso, risulta di scarsa utilit la sua
rappresentazione mediante le resistenze statica e dinamica, dati i valori molto elevati
(dellordine del M) di tali parametri. Dal punto di vista statico si preferisce schematizzare il
diodo con un generatore ideale di corrente (*) che eroga la corrente inversa di saturazione; in
questo modo praticamente si approssima il ramo della caratteristica I-V relativo alla conduzione inversa con una retta parallela all'asse delle ascisse condotta per il valore limite -IS.
Tenuto conto di quanto stato detto a proposito degli effetti capacitivi e delle
definizioni della capacit di barriera C e di quella di diffusione CD (par. 2.3 e 2.11) in
funzionamento dinamico, vengono qui di seguito riportati gli schemi equivalenti statici e
dinamici maggiormente adottati nelle due condizioni di polarizzazione (**).

(*)

Si definisce generatore ideale di corrente un dispositivo con due terminali capace di


erogare una certa corrente qualunque sia la tensione che si manifesta ai suoi capi.

(**)

Come si detto, vengono qui trascurate le resistenze delle zone neutre e gli elementi che
tengono conto degli effetti parassiti dovuti ai terminali ed al montaggio; pur complicando
notevolmente lo schema equivalente, la presenza di questi elementi deve essere
considerata nella rappresentazione del diodo nel funzionamento ad alta frequenza.

II . 38

Funzionamento statico
Polarizzazione inversa

Polarizzazione diretta (V > V )

IS

V
RD

IS

Funzionamento dinamico
Polarizzazione inversa

Polarizzazione diretta (V > V )

Fig. 28

CD

Nello schema equivalente dinamico in polarizzazione diretta la capacit di diffusione


posta in parallelo alla resistenza differenziale r dato che, per una variazione della tensione
applicata ai capi del diodo, la corrente totale somma di una componente resistiva che si
legge sulla caratteristica e di una componente capacitiva data dalla variazione delle cariche
minoritarie iniettate nell'unit di tempo.
Esercizio:

Per il diodo di cui si tracciato la caratteristica I-V, determinare tutti i


parametri degli schemi equivalenti per i seguenti valori di tensione continua
applicata, V = - 5 V , V = 0,2 V.

2.16 - Considerazioni pratiche.


Riportiamo a fine capitolo le specifiche di alcuni diodi commerciali, per illustrare il
modo comunemente usato per descrivere le caratteristiche di un dispositivo a
semiconduttore. Molto spesso le case costruttrici non fanno riferimento ad alcuni dei
parametri definiti in queste note, ispirate a un criterio didattico, e ne danno altri che risultano
di pi comoda misura o pi utili per l'impiego pratico cui il dispositivo destinato.

II . 39

In queste note si cercato di illustrare il


principio di funzionamento di alcuni componenti
a semiconduttore escludendo deliberatamente
considerazioni

sulla

tecnologia

di

tali

componenti. Va detto che in pratica, con i


metodi normalmente usati per la fabbricazione
dei diodi, alcune delle schematizzazioni che si
sono usate non corrispondono alla situazione
reale. Una delle schematizzazioni che abbiamo
adoperato il concetto di giunzione a gradino;

Fig. 29

molto spesso invece, nei casi reali, la variazione


del drogaggio al passare dalla zona p a quella n graduale, piuttosto che brusca come si
ammesso. Una delle tecniche adoperate consiste nel far diffondere ad alta temperatura, da
una estremit di una barretta di semiconduttore gi drogata uniformemente, impurit di tipo
opposto al drogaggio iniziale. Interrompendo la diffusione prima che essa si sia completata,
il che si ottiene raffreddando il semiconduttore fino alla temperatura ambiente, si avr nella
barretta (fig. 29) una concentrazione, in questo caso, di accettori NA funzione decrescente
della x. Ci prevedibile in base alle leggi della diffusione studiate precedentemente, che
regolano anche il fenomeno della migrazione delle impurit in un solido a temperatura
sufficientemente elevata. Nella barretta descritta, la giunzione localizzata nel punto di
intersezione tra due curve NA = NA(x) e ND = cost. .
A seconda della pendenza della curva
NA(x) nel punto di incrocio, una tale giunzione
potr trattarsi o come una giunzione a gradino
unilaterale (par.3) con NA >> ND , fig. 30.a), o
come una giunzione a gradiente lineare,
fig. 30.b) approssimando la curva NA(x) con la
sua tangente nel punto di intersezione con ND.
Ammettendo per un momento di scegliere la
seconda approssimazione, il calcolo della
larghezza della zona di svuotamento si pu
fare in modo analogo a quanto fatto a
proposito della giunzione a gradino, almeno
per il caso della polarizzazione inversa con
V >> (V dunque un dato del problema).

Fig. 30

II . 40

Va notato che in questo caso, fig. 30.b) le densit p e n risultano funzioni crescenti (in
valore assoluto) a destra e a sinistra della giunzione, partendo da zero per x = 0 . In tal
modo si trova facilmente una relazione tra W e V che corrisponde alla (9). Per decidere
adesso se l'approssimazione del gradiente lineare accettabile, basta riportare W
(simmetricamente attorno a x = 0) nella fig. 25: se entro la larghezza W la curva NA(x)
ragionevolmente vicina alla sua tangente per x = 0, l'approssimazione soddisfacente.
Nel caso opposto in cui NA diventa trascurabile rispetto a ND entro una lunghezza
piccola rispetto a W, l'approssimazione della giunzione a gradino unilaterale con NA >> ND
senz'altro da preferire e il calcolo di W va rifatto in base ad essa.
Un altro punto sul quale non ci si soffermati quello dei contatti metallosemiconduttore, per mezzo dei quali i terminali del diodo rendono la giunzione elettricamente
accessibile dall'esterno. Questi contatti vengono saldati alle estremit della barretta; la teoria
del loro funzionamento molto complessa. Nel testo si fatta l'implicita ammissione che sia
possibile considerarli come contatti ohmici, cio dotati di una certa resistenza, piccola e
costante in funzione della corrente. Ci quanto avviene nei normali diodi.
Diciamo infine che per i dispositivi a semiconduttore di fabbricazione recente prevale la
tendenza a usare cristalli ottenuti con le tecniche epitassiali. Questa parola si riferisce al
processo con cui vengono prodotti i monocristalli del semiconduttore usato: il processo
epitassiale consiste nel far crescere il cristallo per deposizione (sublimazione) da una fase
gassosa, ad alta temperatura. Meno recentemente invece, si usa vano monocristalli di silicio
e germanio ottenuti per solidificazione dalla fase liquida. E' ovvio comunque che sempre
indispensabile l'uso di cristalli singoli: una struttura policristallina, per definizione ricchissima
di centri trappola (cap. I), inutilizzabile per gli scopi normali.
Esercizio:

Una giunzione in silicio per cui vale l'approssimazione del gradiente lineare ha
i seguenti dati: ND = 1017 cm-3, NA = 1017 cm-3 per x = 0 , dNA/dx = 1020 cm-4
nell'intorno di x = 0. Si trovi la relazione analitica tra la larghezza della zona di
svuotamento W e la tensione inversa V, se V >>. Per V = 25 V, determinare
la larghezza W in valore numerico.
( W = 2 ,7 m ;

W =

1 / 3

12 s V

dN A
q

dx

II . 41

2.17 Applicazioni dei diodi.


-

Analisi di circuiti con il metodo della retta di carico

Circuiti raddrizzatori

Circuiti logici a diodi

2.18 Diodi speciali


-

Diodi Zener (Regolatore a diodo Zener)

Diodi tunnel