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I.

CAPITOLO I
INTRODUZIONE ALLA FISICA DEI MATERIALI SEMICONDUTTORI

1.1 - Richiami di fisica atomica.


LElettronica studia i dispositivi, i circuiti ed i sistemi nei quali la presenza ed il
movimento degli elettroni gioca un ruolo fondamentale. Allo scopo di comprendere alcuni dei
fenomeni su cui basato il funzionamento dei dispositivi elettronici, quali lemissione di
elettroni dalla materia e la conduzione elettronica nei metalli e nei semiconduttori,
necessario richiamare alcuni concetti di fisica atomica.
Il primo modello dellatomo fu proposto nel 1911 da Ernest Rutherford, il quale ipotizz
che latomo pi semplice, quello dellidrogeno, elettricamente neutro, fosse formato da un
nucleo carico positivamente, dove concentrata la quasi totalit della massa dellatomo,
attorno al quale ruotasse in unorbita circolare un elettrone carico negativamente.
Con riferimento alla meccanica classica, la stabilit del modello ipotizzato per latomo
di idrogeno si poteva ottenere dallequilibrio di due forze eguali e contrarie: la forza di
attrazione coulombiana tra lelettrone (carica e) ed il nucleo (carica +e), esattamente
equilibrata dalla forza centrifuga dellelettrone ruotante attorno al nucleo.
Indicando con e la carica dellelettrone e quindi anche del nucleo, con o la costante
dielettrica del vuoto, me la massa dellelettrone e v la sua velocit, dallequilibrio delle due
forze si ottiene:

(1.a)

e2
4 o r 2

(forza di attraz. coulomb.) =

me v 2
r

(forza centrif .)

In questo modello, coerentemente con quanto ipotizzato, lenergia totale dellelettrone ET


data dalla somma della sua energia cinetica (1/2 me v 2) e della sua energia potenziale.
Questultima data dal valore del potenziale sferico indotto a distanza r dalla carica del
nucleo +e, moltiplicata per la carica dellelettrone, avendo preso come riferimento del
potenziale un valore nullo quando lelettrone a distanza infinita dal proprio nucleo. In tal
caso si ha:

(1.b)

E pot =

e
4 o r

( e ) =

e2
4 o r

(Novembre 2004)

I.2

Pertanto lenergia totale dellelettrone vale:

ET =

Utilizzando lespressione di v

1
e2
me v 2
2
4 o r

ricavabile dalla equazione (1.a), si ottiene lenergia totale

dellelettrone in funzione del raggio dellorbita circolare dellelettrone per latomo di idrogeno
secondo il modello di Rutherford:
ET =

(1.c)

e2
8 o r

La rappresentazione grafica di questa relazione riportata in figura; in tratteggio riportato


landamento dellenergia potenziale in funzione del raggio dellorbita; questultima fornisce
anche il raggio dellorbita pi esterna che pu
occupare un elettrone nel caso in cui tutta la

E
r

sua energia totale eguaglia la sua energia


potenziale (noto anche come imbuto di

ET

energia potenziale, ottenibile con la rotazione


del diagramma di figura attorno allasse delle

EP

ordinate).
Il modello di Rutherford contraddice per
uno dei risultati della legge fondamentale
dellelettromagnetismo, che stabilisce che una
carica in moto circolare irradia energia ad una
frequenza correlata alla lunghezza dellorbita
circolare. Se per lelettrone irradia energia, la perde a scapito della sua energia totale, che
quindi diminuisce. Si riduce di conseguenza il raggio dellorbita, comportando una variazione
della frequenza della radiazione emessa, e lelettrone finisce per cadere sul proprio nucleo.
Al contrario, gli esperimenti eseguiti in laboratorio osservando le righe delle radiazioni
emesse da un insieme di atomi di idrogeno eccitati da una scarica elettrica in ambiente
rarefatto, dicono che le righe di emissione sono sempre alla stessa frequenza (o lunghezza
donda si ricordi che f = c velocit della luce).

I.3

Questa osservazione fu recepita da Niels Bohr nel 1913, che ipotizz per il modello
dellatomo di idrogeno proposto da Rutherford i ben noti tre postulati:
a) che l'elettrone si possa muovere in orbite circolari di raggi ben precisi, alle quali
vengono associati valori discreti di energia; quando lelettrone si trova in una di queste
orbite, non irradia; i valori di energia permessi prendono il nome di livelli energetici o stati
stazionari (si osservi che spesso nella materia trattata, come anche in vari testi
sull'argomento, si parla di livello di un atomo al posto della dizione pi corretta di livello di
energia di un elettrone dell'atomo).
b) che l'elettrone possa irradiare (od assorbire) energia soltanto nella transizione da
un'orbita ad un'altra, cio passando da uno stato energetico pi alto (pi basso) ad uno pi
basso (pi alto). La frequenza della radiazione emessa legata alla differenza di energia
degli stati energetici E2 ed E1 interessati dalla transizione (con E2 maggiore di E1), dalla
relazione:
f =

(1.d)

E 2 E1
h

avendo indicato con h la costante di Planck (6,62 10-34 J sec, oppure 3,48 10-15 eV sec).
c) che i raggi delle orbite degli stati stazionari debbano soddisfare la condizione che il
momento della quantit di moto dellelettrone sia un multiplo intero di h/2, cio
mev r =

(1.e)

nh
,
2

ove n = 1,2,3

Esercizio: Calcolare la lunghezza donda in micron delle radiazioni emesse nelle transizioni
tra E2 ed E1 con valori pari a 1, 1,5 e 2 eV.

Con questi postulati possibile ricavare i raggi delle varie orbite e le energie relative
per l'elettrone dell'atomo di idrogeno; i valori di energia cos ottenuti vengono indicati, come
sopra si detto, con il nome di livelli energetici o stati energetici.
Elevando al quadrato entrambi i membri della (1.e) e sostituendovi lespressione di v 2
ricavabile dalla (1.a), si ottiene linsieme discreto dei raggi delle orbite permesse allelettrone
dellatomo di idrogeno:

I.4

rn =

(1.f)

n2 h2 o
me e 2

Per ricavare linsieme discreto dei valori delle energie totali dellelettrone sufficiente
sostituire lespressione appena trovata nella (1.c). Si ha cos:

En =

(1.g)

Dando allintero

i valori

me e 4
8 n2 h2 o

1, 2, 3...., si ottengono i vari valori dellenergia totale

dellelettrone dellatomo di idrogeno, cio linsieme discreto degli stati energetici permessi.
Da questi valori, possibile prevedere teoricamente tutti i salti Em - En consentiti e quindi i
valori delle frequenze delle radiazioni emesse, ricavabili dalla (1.d) ed osservabili in
laboratorio eccitando un insieme di atomi di idrogeno; tale verifica sperimentale ha
giustificato i postulati di Bohr.
Esercizio: Determinare i valori dei raggi delle orbite per n=1, 2, 3, i corrispondenti valori
delle energie totali dellelettrone dellatomo di idrogeno e le frequenze delle
transizioni E3 E2, E3 E1, E2 E1.
Normalmente lelettrone tende ad occupare lo stato energetico a valore di energia pi
basso, anche chiamato stato fondamentale; nel caso dellatomo di idrogeno ci corrisponde
alla coppia di valori delle (1.f) e (1.g) per n=1, che forniscono rispettivamente E1= - 13,58eV
ed r1 = 0,529 . Allorch si fornisce allelettrone energia dallesterno, questo va ad occupare
stati energetici a valori di energia pi alti e con orbite di raggio crescente, diventando cos
sempre pi lascamente legato al proprio nucleo. Viene definito potenziale di ionizzazione
lenergia che necessario impartire allelettrone affinch esso si stacchi dal proprio nucleo.
Poich in realt nella trattazione che segue saremo interessati soprattutto alle
differenze di energia tra i vari livelli energetici occupabili dagli elettroni, normalmente si pone
eguale a 0 lenergia del livello pi basso o cio quello dello stato fondamentale.
I metodi utilizzati per far variare lenergia degli elettroni di un atomo comprendono le
collisioni con altre particelle (trasferimento di energia cinetica), gli urti con le pareti del
contenitore e linterazione con fotoni (quanti elementari di energia luminosa hf ), che pu
dar luogo o allassorbimento di fotoni con conseguente eccitazione degli elettroni o alla
emissione di radiazione da parte degli elettroni con diseccitazione degli stessi.

I.5

1.2 - Livelli e bande di energia


La teoria di Bohr non in grado di spiegare i fenomeni riguardanti atomi con pi di un
elettrone. Tale problema viene affrontato con l'ausilio della meccanica quantistica che, oltre
a confermare i risultati ottenuti con il modello atomico di Bohr per l'idrogeno, in grado di
fornire i livelli energetici per sistemi pi complessi. Un risultato fondamentale della
meccanica quantistica afferma che quando si costituisce un sistema formato da due atomi
identici (ad esempio una molecola biatomica), per ogni livello energetico dell'atomo isolato si
vengono a creare due livelli del sistema complessivo, le cui energie sono prossime a quelle
del livello dell'atomo isolato; la separazione fra le energie dei due livelli cresce con il
diminuire della distanza fra i due atomi.
Per chiarire questo fenomeno, consideriamo una situazione analoga presa in prestito
dallanalisi delle reti elettriche: se supponiamo di avvicinare ad un circuito risonante "LC"
senza perdite, in assenza quindi di dissipazioni di energia e caratterizzato da una frequenza
di risonanza f0 (vedi fig. 1), un secondo circuito identico al primo, creando cos un
coefficiente di mutua induzione M fra le due bobine, vediamo che il sistema presenta due
frequenze di risonanza ( f1 ed f2 ), una un p pi alta ed una un p pi bassa del valore
originario f0. L'analogia fra i due casi tra le frequenze di oscillazione del sistema dei due
risuonatori ed i valori di energia dei livelli occupati da elettroni nel sistema formato dai due
atomi.
Se estendiamo il ragionamento fatto a sistemi con pi atomi, possibile intuire che nel
caso dei solidi, dove il numero di atomi che si influenzano reciprocamente grandissimo e
dato che il numero di stati energetici uguale alla somma degli stati degli atomi singoli, ogni

L
C

risuonatore elementare:

2 risuonatori elementari accoppiati:

f0 = 1 / (2(LC)1/2)

f1 = f0 / (1 k)1/2
f2 = f0 / (1 + k)1/2
dove
Fig. 1

M=kL

con

0k1

I.6

livello degli atomi (supposti tutti identici) costituenti il sistema dar luogo ad un numero cos
grande di livelli di energia molto vicini tra loro ed a quello originario da poter considerare
praticamente continuo l'insieme di tali livelli; un insieme di questo tipo prende il nome di
banda di energia.
In un solido omogeneo, perfettamente regolare, senza impurit e costituito da un
proprio reticolo cristallino (struttura che ripete infinite volte la struttura di una cella
elementare), si indica con il nome di banda di valenza l'ultima banda occupata dagli
elettroni; la successiva banda, la banda di conduzione, normalmente vuota. Prende il
nome di banda interdetta, cos definita perch "proibita" agli elettroni, l'insieme dei valori di
energia compresi tra l'estremo inferiore della banda di conduzione (EC) e l'estremo superiore
della banda di valenza (EV).
Per chiarire quanto definito, in fig. 2
viene indicata una rappresentazione tipica

delle bande di energia per un solido, avendo


riportato nellasse x delle ascisse una
qualsiasi direzione del reticolo cristallino e

banda di conduzione

EC

nellasse E delle ordinate lenergia totale


banda interdetta

degli elettroni.
Gli

elettroni

degli

atomi

che

costituiscono un solido, sono distribuiti nelle

EV
banda di valenza

bande permesse, riempiendo in esse gli stati


energetici ad energia pi bassa (quindi gli

x
Fig. 2

stati disponibili nella banda di valenza); in


accordo al principio di esclusione di Pauli, un qualsiasi stato non pu essere occupato nello
stesso istante da pi di un elettrone.
Per i nostri scopi possiamo classificare i materiali solidi in tre gruppi, conduttori, isolanti
e semiconduttori, a seconda della dislocazione relativa tra le bande di valenza e di
conduzione. In fig. 3 vengono rappresentate nei tre casi le distribuzioni delle bande suddette.
In fig. 3.a) indicato il caso dei conduttori, per i quali la banda di conduzione parzialmente
sovrapposta a quella di valenza. E' noto che il processo di conduzione elettrica in un solido
consiste in un moto di elettroni orientato nella direzione in cui viene applicato un campo
elettrico dallesterno. In termini di energia ci significa che un materiale pu condurre se gli
elettroni della banda di valenza possono, acquistando energia dal campo, occupare degli
stati energetici liberi. Nei conduttori, data la sovrapposizione delle bande, gli elettroni di
valenza, anche sotto l'azione di un debole campo elettrico, hanno la possibilit di occupare

I.7

un gran numero di stati liberi della banda di conduzione e quindi in tali materiali il fenomeno
della conduzione non solo possibile, ma richiede dall'esterno una quantit minima di
energia.
Molto differente la situazione degli isolanti: in questo caso, come indicato
schematicamente in fig. 3.b), gli elettroni di valenza, fortemente legati al loro nucleo,
riempiono totalmente la banda di valenza e non possono occupare, a causa del valore
notevole della banda interdetta, gli stati liberi della banda di conduzione, tranne che non
venga loro impartita dall'esterno una energia molto elevata (ad esempio, nel caso della
rottura degli isolanti). Quindi in condizioni normali nei materiali isolanti il processo di
conduzione impossibile.

E
EC

EV

EG

EC

EC

EV

EG

EV
x

x
Conduttore
a)

Isolante
b)

x
Semiconduttore
c)

Fig. 3

Il caso intermedio rappresentato dai materiali semiconduttori, che hanno la


distribuzione delle bande del tipo indicato in fig. 3.c), con valori della banda interdetta EG
(detta anche banda proibita in quanto impedita agli elettroni, dato che non vi sono stati
energetici occupabili), pari ad EC - EV, dell'ordine dell'elettron-volt (si ricordi che
1 eV = 1,6x10-19 Joule l'energia che un elettrone acquista attraversando una zona con una
differenza di potenziale accelerante di 1 Volt). Gli elementi semiconduttori sono in genere
appartenenti al IV gruppo del sistema periodico ed i legami covalenti fra atomi vicini sono
modestamente forti; anche composti III-V hanno comportamento simile, come il GaAs
(arseniuro di gallio) o il InP (fosfuro di indio).

I.8

A temperatura maggiore dello zero assoluto, l'agitazione termica degli atomi pu produrre la
rottura di qualche legame; ci corrisponde, dal punto di vista energetico, alla cessione di una
quantit di energia pari o maggiore di EG a qualche elettrone che si trovi nella banda di
valenza che, cos, "salta" nella banda di conduzione. A tale fenomeno essenzialmente
legato il processo di conduzione nei materiali semiconduttori; in essi quindi la conducibilit,
come vedremo in seguito, viene fortemente influenzata dalla temperatura e, in generale,
dall'assorbimento di energia di qualsiasi tipo dall'esterno. Poich laltezza della banda
interdetta dipende dalla distanza interatomica, che intuitivamente varia con la temperatura,
ne consegue che anche la EG funzione di T e diminuisce al crescere di T. Esprimendo la
temperatura T in gradi Kelvin, per i tre semiconduttori pi comuni, germanio, silicio ed
arseniuro di gallio, si ha rispettivamente:
E G ( T ) = 0 ,785 3 ,7 x 10 4 T
E G ( T ) = 1 ,17
E G ( T ) = 1 , 52

4 ,73 x 10 4 T
T + 636
5 , 4 x 10 4 T

per il Ge
2

per il Si

per il GaAs

T + 204

1.3 - I semiconduttori intrinseci e la concentrazione intrinseca


Abbiamo visto che, quando l'altezza
EC - EV

della

banda

"proibita"

(banda

compresa tra i livelli EC ed EV nel diagramma

di energia degli elettroni di fig. 4) non


troppo grande rispetto al termine kT (*), un
certo numero di elettroni verr a trovarsi

EC

nella banda di conduzione, avendo ricevuto


dall'agitazione termica l'energia necessaria a

EV

compiere il salto.
Questi elettroni, promossi nella banda
di conduzione, possono adesso muoversi

x
Fig. 4

(acquistare cio energia cinetica) sotto


(*)

La costante di Boltzmann k vale 1,38 x 10-23 J/K pari ad 8,6 x 10 -5 eV/K; il termine kT,
che a temperatura ambiente vale 0,026 eV, d una misura dell'energia di agitazione
termica.

I.9

l'azione di un campo elettrico; il materiale presenter dunque una certa conduttivit elettrica,
intermedia fra quella elevata di un conduttore metallico e quella quasi nulla di un buon
isolante. Dal processo che responsabile della presenza di questi elettroni, si desume che
la conduttivit di un materiale semiconduttore sar funzione della temperatura.
I materiali semiconduttori pi comuni, come gi detto, sono rappresentati dal
germanio, dal silicio e dallarseniuro di gallio, per i quali EC - EV

vale rispettivamente

0,67 eV, 1,11 eV e 1,43 eV a temperatura ambiente.


In realt la conduzione della corrente elettrica nei semiconduttori non dovuta
solamente agli elettroni presenti nella banda di conduzione. Ognuno di essi, infatti, ha
lasciato libero un "posto" (un livello energetico) nella banda di valenza, che in tal modo non
risulta pi completamente occupata. E' possibile quindi agli elettroni dei livelli inferiori della
banda di valenza, occupare questi stati resi liberi, acquistando l'energia necessaria
(infinitesima) sotto l'azione del campo elettrico applicato. Questa conduzione, dovuta al moto
degli elettroni (cariche negative) nella banda di valenza, pu considerarsi dovuta al moto dei
"posti liberi", assimilati a cariche positive mobili. Il concetto di lacuna mobile cos introdotto,
dotata di una carica +e e massa dell'ordine di quella dell'elettrone, utilissimo e
universalmente adottato. Il concetto pu essere chiarito intuitivamente pensando al moto di
una bolla di aria entro un liquido: quando la bolla sale verso Ia superficie, in realt il liquido
che scende attorno ad essa; tuttavia pi facile considerare la bolla che sale come una
specie di massecola negativa che tende verso la posizione di minima energia potenziale (la
superficie del liquido) ed analogamente verso il livello EV per la lacuna.
Nel caso finora considerato di un cristallo semiconduttore perfettamente puro ed
omogeneo, privo cio di elementi estranei (semiconduttore intrinseco), il numero delle
cariche "n" (elettroni) sempre eguale al numero delle cariche "p" (lacune), dato che per
ogni elettrone che si rende libero nella banda di conduzione per effetto della temperatura, si
sar creata una lacuna in banda di valenza, cio queste cariche vengono create a coppie.
Un primo passo nello studio dei materiali semiconduttori consiste nel determinare, per
data temperatura T, quanti elettroni (eguali ad altrettante lacune e quindi n = p) vi saranno
per unit di volume del semiconduttore. E' chiaro che il problema di natura statistica: in
condizioni di equilibrio si avranno continuamente rotture e ricostituzioni di legami covalenti,
con conseguente bilanciamento dei due processi di generazione e di ricombinazione di
coppie lacuna-elettrone; si tratta di determinare dei valori medi. Il problema della
distribuzione degli elettroni fra i livelli energetici esistenti nei solidi risolto dalla statistica di
Fermi-Dirac, il cui risultato, per quanto riguarda questa trattazione, rappresentato dalla
funzione di distribuzione di Fermi-Dirac:

I . 10

F( E ) =

(2.a)

1
( E E F )
1 + e kT

Questa funzione d la probabilit (0 F 1)


che un livello avente energia E sia occupato

F(E)

da un elettrone alla temperatura T. Si vede

To = 0 K
T2

subito che F(EF) = 1/2 ; e quindi il livello di


T3

Fermi EF si pu definire come quel livello di


energia che ha il 50% di probabilit di
essere

occupato

da

un

elettrone.

0,5

La

To< T1< T2< T3

funzione F(E), rappresentata nella fig. 5 per


quattro valori diversi della temperatura T,

T1

0
EF

antisimmetrica rispetto al punto (EF , 0,5)


come si pu verificare immediatamente.
Esercizio:

Fig. 5

Determinare i valori di E per cui F(E) vale 0,1 e 0,9 rispettivamente; si esprima
E - EF in unit kT per i due casi.

(E - EF = 2,2 kT)

Supponendo noto, per il momento, il valore di EF, e data la temperatura, sar


determinata F(E). Per ottenere il numero effettivo di elettroni per cm3, presenti in media
nell'intorno di una certa ordinata (energia) nel diagramma delle bande (fig. 4), occorre
moltiplicare il numero di livelli energetici (per cm3) esistenti nell'intorno di quella energia per
la funzione F(E); ci in base alla definizione di probabilit. Le densit dei livelli nell'intorno di
EC e di EV, indicate con NC ed NV (cm-3) sono date per il germanio e per il silicio nella tabella
I; esse sono funzioni della temperatura, e risultano proporzionali a T3/2.
Indicando con n e p le concentrazioni per cm3 di elettroni liberi e di lacune libere, si
avr per un semiconduttore intrinseco, in base a quanto detto:
(2.b)

n = NC F(EC) = p = NV [1 - F(EV)]

dato che la probabilit di avere una lacuna a un certo livello pari alla probabilit che il
livello non sia occupato.

I . 11

In realt, i valori di NC e di NV assunti nel ricavare la (2.b) rappresentano dei valori


medi e la trattazione seguita molto approssimata, se non errata, poich non si tenuto
conto, tra laltro, del principio di Pauli.
Un procedimento, pi soddisfacente dal punto di vista matematico, per arrivare allo
stesso risultato deve tener conto che la funzione densit dei livelli energetici N(E) una
funzione dellenergia E e pertanto la concentrazione di elettroni complessivamente presenti
nella banda di conduzione si ottiene attraverso lintegrazione, estesa a tutta laltezza della
banda stessa, del prodotto della funzione N(E) per la funzione di Fermi F(E); cio si ha:

N ( E ) F ( E ) dE
E top

n=

EC

avendo indicato con Etop il valore massimo di energia della banda di conduzione.
La funzione N(E) nella banda di conduzione data da AC (E EC)1/2, dove AC una
costante che vale 4 (2mc)3/2/h3. Potendosi assumere che normalmente nei semiconduttori
intrinseci E EF >> kT, la F(E) si pu approssimare in:

F( E ) = e

( E E F )
kT

Quindi si ha:

n = AC

E top

(E EC )

1/ 2

( E EF )
kT dE

EC

Sommando e sottraendo nellesponente della F(E) la quantit EC e mettendo in evidenza la


quantit (kT)3/2, si ottiene:
n = AC (kT )3 / 2

Etop

EC

1/ 2

E Ec

kT

( E EC )
( E E )
C F
E
kT e
kT
d

EC
kT

Introducendo una nuova variabile definita come (E - EC)/kT = x, lintegrale diventa:


n = AC (kT )

3/2

( EC EF )
kT

x'
0

x 1 / 2 e x dx

I . 12

con lestremo x che si pu assumere , dato che Etop - EC >> kT ; in questo caso il valore
dellintegrale noto e pari a 2 . Lespressione trovata identica alla (2.b) se si assume
per NC il valore AC ( kT ) 3 / 2

2.

Prima di procedere oltre si noti che, analogamente a quanto sopra visto nel caso in cui
E EF >> kT , possibile ottenere una espressione semplificata della F(E) valida quando si
ha EF E >> kT :
F( E ) = 1 e

( E E F )
kT

Ci risulta immediatamente dallo sviluppo in serie della funzione F(E) (binomio di Newton
troncato). La (2.b) d, con queste approssimazioni:

(3)

NC e

( EC EF )
kT

dato che nel semiconduttore intrinseco

= NV e

( EF EV )
kT

= ni

n = p = ni , avendo indicato con questultimo

simbolo la concentrazione di elettroni o delle lacune nel semiconduttore intrinseco; di


conseguenza si trova immediatamente che la concentrazione intrinseca ni vale:

n i = NC NV e

EG
2 kT

Inoltre dalle (3) si ricava facilmente la posizione del livello di Fermi nel semiconduttore
intrinseco, che vale:
EF =

(4)

EC + EV
N
kT
+
ln V = E i
2
2
NC

Nella (4) si indicato con Ei il livello di Fermi per un semiconduttore intrinseco; esso
al centro della banda interdetta se NC = NV. Poich NC ed NV sono dello stesso ordine di
grandezza, in pratica Ei dista da (EC + EV)/2 di una quantit molto piccola, dellordine di kT/2
(a temperatura ambiente, kT = 0,026 eV, mentre EC - EV 1,1eV per il silicio). Ci giustifica,
fra laltro, le approssimazioni fatte sopra per F(E) in vicinanza di EC ed EV. In sintesi, noto il
materiale semiconduttore e la temperatura T a cui esso si trova, si conosce la
concentrazione intrinseca ni.

I . 13

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si+

Si
e-

Si

Si

Si

Si

Si

Fig. 6
Esercizio:

Si

Fig.7

Con i valori di NC ed NV dati nella tabella I, calcolare il numero dei portatori liberi
intrinseci ni = n = p per il silicio a temperatura ambiente.

Il fenomeno della creazione di portatori mobili in un cristallo si pu descrivere da un


altro punto di vista, riferendosi alla struttura del reticolo cristallino, che per il silicio quella
del sistema cubico a facce centrate. La fig. 6 d una rappresentazione piana del reticolo per
il caso del silicio puro.
I quattro elettroni di valenza di ciascun atomo di silicio formano legami covalenti con
elettroni di altri quattro atomi; in queste condizioni tutti gli elettroni sono legati ai rispettivi
atomi e non si hanno portatori mobili che possano condurre corrente elettrica. La fig. 7
rappresenta il caso in cui si creata una coppia elettrone-lacuna con la rottura di un legame:
il posto lasciato libero dallelettrone (adesso mobile) pu venir preso da un elettrone di un
atomo confinante praticamente senza spesa di energia: la lacuna, anche in questa
rappresentazione, equivalente a una carica positiva mobile.
Occorre a questo punto sottolineare che, a temperatura ambiente, i valori delle
concentrazioni intrinseche (cio n = p = ni ) sia nel silicio (circa 1010 cm-3), sia nel germanio
13

(circa 10

-3

-3

cm ), sia ancora nellarseniuro di gallio (circa 10 cm ) sono di molti ordini di

grandezza inferiori alle concentrazioni di elettroni liberi nei metalli ( circa 1022 cm-3) e pertanto
intuibile che la conducibilit dei semiconduttori intrinseci risulti molto bassa.

1.4 - I semiconduttori drogati e le concentrazioni maggioritarie e minoritarie


Un metodo molto efficace per aumentare la concentrazione di cariche mobili nei
semiconduttori consiste nell'introduzione di alcune particolari impurit nel reticolo cristallino

I . 14

del materiale semiconduttore. Consideriamo il caso (fig. 8) di una impurit costituita da un


atomo di un elemento che abbia cinque elettroni di valenza (appartenente quindi al V gruppo
del sistema periodico, ad esempio: fosforo), inserito sostituzionalmente nella struttura cubica
del silicio. Quattro elettroni di questo atomo impurit saturano altrettanti legami covalenti con
il silicio, mentre il quinto elettrone non pu costituire legame covalente con nessuno degli
atorni confinanti, tutti tetravalenti: esso risulta perci molto meno legato allatomo di fosforo
cui

apparteneva.

elettrone

da

Mentre

un'atomo

per
di

staccare

silicio

un

occorre

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

unenergia di 1,1 eV (EC - EV della trattazione


precedente), per liberare lelettrone in piu del
fosforo baster molto meno, circa 0,05 eV.
Ci dar luogo ad un portatore libero di
muoversi (lelettrone) di tipo n che potr
partecipare alla conduzione; latomo di fosforo,
privato del quinto elettrone, cio ionizzato,
invece una carica immobile (anche detta carica
fissa) perch legata al reticolo cristallino. In un

Fig. 8

semiconduttore che contenga impurit di questo


tipo (atomi donatori), a temperatura ambiente si ha un eccesso di portatori (mobili) negativi,
e si dice che il semiconduttore di tipo n. I portatori maggiormente presenti, in questo
caso elettroni, vengono chiamati portatori maggioritari e la loro concentrazione indicata
con nn, mentre la concentrazione della carica mobile maggioritaria -qnn ; le lacune vengono
chiamate portatori minoritari e la loro concentrazione indicata con pn. Analogamente la
concentrazione della carica mobile minoritaria
sar data da qpn. Quindi il pedice applicato alle
concentrazioni

identifica

il

tipo

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

di

semiconduttore.
La

fig. 9

rappresenta

il

caso

dellinserimento di un atomo impurit costituito


da un elemento appartenente al III gruppo
(trivalente,

ad

esempio:

boro)

situato

sostituzionalmente nel reticolo cristallino del


silicio. Con una spesa totale di energia molto
bassa, ancora dellordine di 0,05 eV, possibile
strappare un elettrone da uno dei legami silicio-

Fig. 9

I . 15

silicio e utilizzarlo per completare il legame mancante dellatomo di boro, ricostituendo cos
attorno ad esso la simmetria del reticolo. Adesso latomo di boro (ionizzato) una carica
fissa negativa e la mancanza di un elettrone venutasi a creare nel reticolo del silicio genera
una lacuna mobile, disponibile per il processo di conduzione. Un semiconduttore ricco di
impurit di questo tipo (atomi accettori) mostra a temperatura ambiente, un eccesso di
portatori (mobili) positivi e si chiama semiconduttore di tipo p. Analogamente a quanto
visto sopra, i portatori maggiormente presenti, in questo caso lacune, vengono chiamati
portatori maggioritari e la loro concentrazione viene indicata con pp, mentre la
concentrazione della carica maggioritaria mobile sar qpp; in questo tipo di semiconduttori
gli elettroni vengono chiamati portatori minoritari e la loro concentrazione viene indicata con
np, mentre la concentrazione della carica minoritaria mobile sar -qnp. Anche qui il pedice
applicato alle concentrazioni identifica il tipo di semiconduttore.
Nella rappresentazione del silicio a mezzo delle bande di energia, la presenza delle
impurit (che sono in percentuale minima rispetto agli atomi costituenti il reticolo, dellordine
di 1 per ogni milione di atomi di silicio) determina la creazione di livelli energetici localizzati
spazialmente che cadono entro la banda proibita del semiconduttore.

E
EC
ED

0,05 eV

EC

Ei

Ei

EV

EA
EV

0,05 eV

a)

b)
Fig. 10

Precisamente, per quanto si detto sopra, i livelli donatori (ED in fig. 10.a), generati
dalla presenza nel reticolo di elementi del V gruppo, si troveranno molto vicini (circa 0,05 eV
al di sotto) al margine inferiore della banda di conduzione EC, mentre i livelli accettori (EA
in fig. 10.b), generati dalla presenza di elementi del III gruppo, si troveranno circa 0,05 eV al
di sopra del margine superiore della banda di valenza EV. E' facile prevedere che a
temperature non troppo basse, la maggior parte degli elettroni degli atomi donatori ricever
dalla agitazione termica l'energia necessaria per portarsi nella banda di conduzione:

I . 16

similmente, la maggior parte degli atomi accettori catturer elettroni, cio ceder lacune
alla banda di valenza. Leffetto del drogaggio (presenza di impurit) sulla distribuzione degli
elettroni consiste nello spostare, per il semiconduttore drogato, la posizione del livello di
Fermi EF, che non coincider pi con il valore intrinseco Ei. La posizione del livello si
avviciner a EC o a EV a seconda che prevalga l'effetto degli atomi donatori o degli atomi
accettori. Per vedere ci, richiamiamo le espressioni date dalle (3) ed utilizziamo le formule
approssimate per la funzione di Fermi F(E); si ha:

n = NC e

(5)

( EC EF )
kT

p = NV e

( EF EV )
kT

Dato che le funzioni che forniscono la distribuzione della densit degli stati energetici
nelle bande di conduzione e di valenza non variano con il drogaggio, il metodo utilizzato per
arrivare alle (5) resta comunque valido. Ma poich il drogaggio altera le concentrazioni n e p,
lunica quantit che varia con il drogaggio non pu che essere la posizione del livello di
Fermi EF. Si noti altres che, facendo il prodotto membro a membro delle (5), si ottiene:

pn = NC NV e

(6)

( EC EV )
kT

n i2

T e
3

EG
kT

Si osservi che, per un semiconduttore drogato, p sar in generale diverso da n; ma la


(6) mostra che il prodotto delle due concentrazioni rimane costante al variare della
concentrazione delle impurit e pari al quadrato della concentrazione intrinseca; cio il
prodotto pn dipende soltanto dal materiale e dalla temperatura. Questa una relazione
fondamentale (costanza del prodotto pn in equilibrio, anche detta legge di azione di
massa) cui nel seguito si far pi volte riferimento. E appena il caso di sottolineare che la
variazione dominante di ni2 con T attraverso la funzione esponenziale piuttosto che
attraverso T 3.

1.5 - La legge di azione di massa.


La costanza del prodotto pn in condizioni di equilibrio in un semiconduttore drogato
pu essere dimostrata per altra via. Riassumendo gli effetti dovuti alla presenza di impurit
nei materiali semiconduttori, si pu affermare che:

I . 17

- Il piccolo numero di cariche libere presenti in un cm di semiconduttore intrinseco porta


alla necessit di considerare la possibilit di introdurre piccole concentrazioni di
impurit che siano in grado di modificare drasticamente la disponibilit di portatori liberi
10

-3

22

nei semiconduttori (nel silicio ni vale circa 10 cm , vi sono circa 10 atomi di silicio in
3

un cm , la concentrazione di impurit introdotte normalmente di 1 per 10 di atomi di


16

silicio, il numero di elettroni liberi nel semiconduttore drogato sar dellordine di 10


-3

cm dato che ogni atomo donatore genera un elettrone libero).


- I due tipi di impurit esaminati sono normalmente costituiti sia da atomi di elementi del
V gruppo e vengono indicati come impurit donori, dato che danno luogo ad elettroni
liberi, gi a temperatura ambiente, nella misura di 1 elettrone per ogni atomo donatore,
sia da atomi accettori che generano lacune nella stessa misura e che sono costituiti
da elementi del III gruppo.
La presenza di portatori liberi nei semiconduttori in condizioni di equilibrio dovuta a due
effetti:
a) creazione di coppie elettrone-lacuna per effetto della generazione termica;
b) ionizzazione di impurit immesse allinterno del reticolo cristallino.
Sappiamo inoltre che, anche se i due effetti sono sempre presenti, il processo a) richiede,
affinch avvenga, una quantit di energia maggiore di quella richiesta normalmente dal
processo b). Immaginiamo inoltre di essere in condizioni di equilibrio termico definito come
segue:
1) La temperatura uniforme in ogni punto del cristallo semiconduttore e non varia nel
tempo (regime stazionario).
2) Non vi sono campi elettrici, o magnetici, o radiazioni elettromagnetiche che dallesterno
influenzano il cristallo.
3) Il moto di elettroni e lacune presenti completamente casuale e le concentrazioni di
questi sono costanti e determinate statisticamente.
Si consideri a questo punto un semiconduttore di tipo n (analogo procedimento si
potrebbe fare partendo da un semiconduttore di tipo p) drogato sia con impurit del V
gruppo, la cui concentrazione indichiamo con ND, sia con impurit del III gruppo, la cui
concentrazione indichiamo con NA, ma con ND > NA, cio in questo caso prevale il drogaggio
di tipo n. Supponiamo poi di essere a temperatura ambiente e che a questa temperatura
tutte le impurit siano ionizzate. Osserviamo, come chiarito in fig. 11, che una parte di

I . 18

elettroni derivanti dalle impurit ND (in numero pari ad NA) impegner gli NA stati energetici
disponibili. I rimanenti elettroni saranno pari a ND - NA. Per effetto della generazione termica
vi sar inoltre una creazione di coppie elettrone-lacuna la cui concentrazione indichiamo con
nth. Quindi le concentrazioni dei portatori saranno:
(7)

nn = ND - NA + nth

pn = nth

Il processo di generazione termica il processo con cui un elettrone passa dalla banda
di valenza alla banda di conduzione, mentre il processo di ricombinazione il processo
inverso, in quanto lelettrone libero, nel suo moto del tutto casuale, pu trovarsi in prossimit
di una lacuna e pu occupare questo legame: in questo caso scompare una coppia
elettrone-lacuna. In condizioni di equilibrio termico i due processi si devono bilanciare, cio
la rapidit di creazione di coppie deve essere
pari alla rapidit di scomparsa: tante coppie si

generano nellunit di tempo per effetto della


generazione

termica

ed

altrettante

EC
ED

scompaiono nellunit di tempo per effetto


della ricombinazione. Se cos non fosse, la
concentrazione

degli

elettroni

liberi

Ei
EA

aumenterebbe sempre o diminuirebbe sempre

EV

ed il sistema non sarebbe mai in equilibrio (n


e p costanti nel tempo, ad una data
temperatura, anche se vi sar un continuo

x
Fig. 11

ricambio fra i portatori presenti).


La generazione termica, indicata con Gth (cm-3 sec-1), determinata dallentit
dellenergia termica disponibile e dalla energia richiesta per la creazione di una coppia
elettrone-lacuna, pari a EG = EC EV. Quindi Gth una funzione di T e di EG e non dipende
dalle concentrazioni delle cariche libere presenti, n dalla concentrazione delle impurit
droganti.
La ricombinazione R (cm-3 sec-1) dipende invece da quanto frequentemente un
elettrone della banda di conduzione incontra una lacuna della banda di valenza. La velocit
con cui le coppie elettrone-lacuna si ricombinano sar proporzionale alle concentrazioni p ed
n; tanto pi numerosi sono gli elettroni liberi, tanto pi velocemente una lacuna incontrer un
elettrone. La funzione di ricombinazione R anche funzione di EG e di T, che determina la
velocit con cui si muovono i portatori liberi. Quindi potremo porre:

I . 19

R = r nn pn
ove r una funzione di EG e di T. Poich in equilibrio, come si detto sopra, deve essere
Gth = R, segue che nel nostro caso Gth = r nn pn , e pertanto si ha:
nn pn =

G th
r

Il secondo termine soltanto funzione di EG e di T e quindi si dimostrato che in uno


stesso semiconduttore, per esempio silicio, in condizioni di equilibrio e sempre alla stessa
temperatura T, il prodotto delle concentrazioni degli elettroni e delle lacune costante e non
dipende dallentit dei drogaggi. In particolare il valore della costante deve valere anche nel
caso in cui il semiconduttore non sia drogato, cio sia intrinseco. Pertanto si ha:
G th

(8)

= n i p i = n i2

Sostituendo questo valore di Gth /r nella precedente, si ottiene la relazione gi chiamata


"legge di azione di massa":
nn pn = ni2

(9)

Utilizzando per la concentrazione minoritaria pn l'espressione ni2/nn, e sostituendo questa


nelle (7), si ha:
nn = ND NA +

n i2

pn =

nn

n i2
nn

Risolvendo la prima per nn, si ottiene:

nn =

ND N A
2

(N D

NA

)2

+ n i2

quindi se ND - NA molto maggiore di 2ni, le concentrazioni di elettroni e lacune per un


semiconduttore di tipo n valgono:

I . 20

(10)

pn =

nn = ND - NA

(N D

n i2
NA

Ovviamente, se si fosse avuto NA > ND le concentrazioni dei portatori liberi per un


semiconduttore in questo caso di tipo p sarebbero state:

(11)

np =

pp = NA ND

(N A

n i2
ND

Si ricordi che questo risultato stato ottenuto partendo dallipotesi che tutte le impurit
immesse nel reticolo fossero ionizzate.
La legge di azione di massa, espressa dalla (9), esprime la propriet che al crescere del
drogaggio ND cresce la concentrazione dei portatori maggioritari e diminuisce quella dei
portatori minoritari. Esprime altres la propriet che un semiconduttore, inizialmente di tipo p
con un drogaggio NA, pu essere convertito in un semiconduttore di tipo n aggiungendo una
concentrazione di ND maggiore di quella NA. Un caso molto interessante si ha allorch nel
semiconduttore si verifichi la condizione NA = ND ; in tal caso il semiconduttore si dice
compensato e dal punto di vista delle concentrazioni dei portatori liberi identico ad un
semiconduttore intrinseco.

1.6 - Nuove espressioni di n e di p in funzione di ni, Ei ed EF.


Il risultato espresso dalla legge di azione di massa (9) permette di esprimere sia p che
n in funzione di ni, di Ei e di EF. Infatti si ha:

(12)

n
np
n=
= ni i = ni
p
p

NC NV e
NV e

( EC EV )
2 kT

( EF EV )
kT

= ni e

( E F E i )
kT

dove si fatto uso della definizione di Ei data dalla formula (4). Analogamente si ricava per
la concentrazione delle lacune:
(13)

p = ni e

( E i EF )
kT

I . 21

In un semiconduttore di tipo n l'eccesso di elettroni fornito dagli atomi donatori porta a una
diminuzione del numero delle lacune rispetto al caso intrinseco, in base alla (9); avendosi
n > ni e, per la (12), EF > Ei. Viceversa avviene nel caso di drogaggio di tipo "p".
Esercizio:

Per un semiconduttore drogato con 1017 atomi di impurit per cm3 calcolare la
(d = 2,16 x 10-6 cm =216 )

distanza media tra due impurit.


-3

Indichiamo con NA ed ND le concentrazioni (cm ) delle impurit accettori e donatori.


Per i drogaggi che si usano nella maggior parte dei dispostivi a semiconduttore, EF, pur
discostandosi da Ei, resta relativamente lontano dai margini della zona proibita (e anche dai
livelli accettori e donatori, EA ed ED); d'altra parte solo in questo caso valgono gli sviluppi
precedenti, dato che per F(E) abbiamo usato le espressioni approssimate. Allora il numero di
atomi donatori ionizzati sar dato da:
N D [1 F ( E D )] =

( E D E F )

kT

ND 1 e

ND

Il numero degli atomi accettori ionizzati sar:


N A [F ( E A )] =

( E F E A )

kT

N A 1 e

NA

Praticamente, sia gli atomi donatori sia quelli accettori saranno completamente
ionizzati. Se sono presenti soltanto atomi donatori, con concentrazione ND>>ni come di solito
avviene, la concentrazione n degli elettroni disponibili praticamente dato da ND; nel caso di
drogaggio con soli atomi accettori, se NA>>ni , invece p = NA. Il caso di drogaggio
simultaneo p ed n , cio presenza di NA ed ND nello stesso semiconduttore, merita
particolare attenzione, come gi detto. Se ND > NA , il semiconduttore risulta del tipo n ,
con concentrazione di elettroni data approssimativamente da ND NA. Ci perch gli atomi
accettori, ionizzandosi, impegnano NA elettroni che quindi non risultano disponibili per la
conduzione ( pi probabile che un atomo accettore impegni un elettrone libero anzich
estrarne uno della banda di valenza). Analogamente nel caso NA > ND le lacune
effettivamente disponibili per la conduzione sono p = NA ND. Come si gi accennato, i
risultati fin qui ottenuti valgono per le concentrazioni di impurit normalmente impiegate.

I . 22

Al crescere del drogaggio, il livello EF si discosta da Ei tendendo verso uno dei


margini della zona proibita; quando EF dista da EA o da ED di una quantit paragonabile o
minore di kT , luso delle formule approssimate non pi giustificato e la trattazione si
complica. In pratica ci si verifica per drogaggi NA o ND superiori a 1019 cm-3; un
semiconduttore cos fortemente drogato si chiama degenere. Per il seguito ci limiteremo
sempre, tranne in casi particolari che saranno evidenziati, allanalisi di dispositivi che
utilizzano semiconduttori non degeneri. E bene rendersi conto a questo punto che anche in
19

questo caso il drogaggio percentuale molto piccolo: una concentrazione di 10


3

atomi di

impurit per cm corrisponde per il silicio (densit 2,33 g/cm , peso atomico 28) a una
concentrazione relativa di:
10 19

6 x 10 23

28 : 2 ,33

2 x 10 4

cio a una purezza del 99,98% in volume.


Per silicio drogato. con 1016 atomi di boro per cm3, determinare la posizione

Esercizio:

del livello di Fermi a temperatura ambiente (27 C) e a 100 C.


(27 C : EF = Ei - 0,351 eV ;

100 C : EF = Ei - 0,285 eV).

Qualunque sia il tipo (p o n) di semiconduttore, in equilibrio la densit di carica

(Coulomb/cm ) totale deve essere nulla, come ben noto dallelettrostatica. Nel calcolare
questa densit bisogna tener conto di tutte le cariche, sia fisse che mobili. Cio deve essere:

= q (p n + ND NA) = 0

(14)
da cui:

p n = NA ND
In generale nellespressione della neutralit della carica totale, dovrebbe farsi
riferimento, per quanto riguarda la concentrazione delle cariche fisse, a quella percentuale di
impurit che alla data temperatura risultino ionizzate; cio lespressione esatta che tiene
conto di una ionizzazione parziale :
(15)
con:

p n = NA- ND+

I . 23

N A

= N A [F (E A )] =

NA
( E A E F )

1 + e kT

N D+

= N D [1 F (E D )] =

ND
( E F E D )

1 + e kT

Una volta noti i valori di EA e di ED ed i

n ( x 1016 cm-3)

drogaggi NA ed ND, sostituendo le espressioni


di NA- e di ND+ nella (15) e richiamando le (5),

si ottiene un set di 3 equazioni con le quali


possibile

ricavare

le

concentrazioni

dei

portatori n e p e la posizione del livello di

ND

Fermi a qualsiasi temperatura. Ripetiamo, le

formule valgono finch NA ed ND non sono

ni

troppo elevati (< 1019 cm-3).


La

fig. 12

mostra

landamento

T (K)

in

funzione della temperatura del numero di

300

elettroni mobili per cm3 in un campione di


16

silicio drogato con 1,2 x 10

600
Fig. 12

atomi donatori

per cm . In un vasto campo di temperatura la concentrazione nn costante ed pari a ND. A


temperature molto basse la percentuale di atomi donatori ionizzati diminuisce, riducendo il
valore di nn ; a temperature elevate ni (funzione rapidamente crescente di T ) diventa dello
stesso ordine o maggiore di ND e il semiconduttore tende a ridiventare intrinseco.
Esercizio:

Esprimere le concentrazioni maggioritarie e minoritarie in funzione del


drogaggio, quando non si possono trascurare le concentrazioni minoritarie
rispetto a quelle maggioritarie.
nn

1
= N D N A +
2

(N D

NA

pp

1
= N A N D +
2

(N A

ND

+ 4 n i2

+ 4 n i2

;
;

pn =
np =

n i2
nn
n i2
pp

1.7 - Conduzione nei semiconduttori.


In una barretta di semiconduttore, intrinseco o drogato, con una concentrazione di
cariche uniforme, le cariche libere si muovono di moto disordinato per effetto dellagitazione

I . 24

E
5

5
2

6
1

1
4

3
a)

b)
Fig. 13

termica subendo di tanto in tanto delle collisioni con gli atomi e gli ioni del reticolo. In media il
moto dovuto allagitazione termica non produce un netto spostamento di cariche attraverso
una generica sezione in un intervallo di tempo misurabile macroscopicamente.
Se alla barretta considerata viene applicata una differenza di potenziale tra due
estremit opposte, il campo elettrico cos generato aggiunge una componente ordinata al
movimento disordinato delle cariche mobili, che acquistano in queste condizioni una velocit
media nella direzione del campo elettrico. Questa velocit media prende il nome di velocit
di scorrimento (drift), anche chiamata velocit di deriva. In fig. 13 vengono rappresentate
in modo schematico le traiettorie di un elettrone in un semiconduttore in assenza (fig. 13.a)
ed in presenza (fig. 13.b) di campo elettrico applicato. Come si vede dalla figura, le
traiettorie, che in assenza di campo elettrico sono rettilinee, si incurvano allorch
sullelettrone agisce la forza dovuta al campo elettrico applicato. In questo caso
nellintervallo di tempo tra collisioni successive lelettrone viene accelerato, cedendo ad ogni
impatto lenergia acquistata dal campo al reticolo che si riscalda; il trasferimento di energia
cinetica provoca un aumento delle ampiezze delle vibrazioni degli atomi. Il valore medio dei
percorsi compiuti tra due collisioni successive viene indicato col nome di cammino libero
medio.
Per determinare in modo semplice la velocit media di scorrimento v, possibile fare il
seguente ragionamento: il valore della velocit di una carica mobile nellistante generico t
scelto nellintervallo di tempo fra collisioni successive vale:
(16)

v(t) = v(0) + at

I . 25

dove v(0) la velocit iniziale subito dopo la collisione ed a laccelerazione. Assumendo


che la direzione in cui parte l'elettrone sia indipendente dal campo applicato, e quindi
orientata in modo del tutto casuale entro langolo solido 4, possiamo ritenere che v(0) sia in
media eguale a zero. Esprimendo nella (16) laccelerazione a in funzione della forza agente
sulla carica mobile, si ottiene per la velocit media di scorrimento lequazione
v = q E tc / (2m*)

(17)

ove si indicato con tc il tempo libero medio tra collisioni successive e con m* la massa
effettiva della carica (*).
Sperimentalmente si visto che per campi elettrici non eccessivamente elevati
(< 2 kV/cm per il silicio) la velocit media direttamente proporzionale al campo E. Il fattore
di proporzionalit viene indicato con , [cm2 / volt sec] e prende il nome di mobilit che
resta definita come la velocit media di scorrimento che una carica mobile assume sotto un
campo elettrico unitario. Per campi elettrici molto intensi i risultati sperimentali mostrano un
effetto di saturazione della velocit v in funzione di E e ci comporta una dipendenza di
da

E; trascurando questa ipotesi, dalla definizione di e dalla (17), si ottiene per la mobilit

lespressione:

= q tc / (2m*)

(18)

Si osservi per che una trattazione rigorosa fatta in base alla meccanica quantistica d
per la mobilit un'espressione simile a quella ricavata ma senza il coefficiente 2 a
denominatore.
Le collisioni che le cariche libere subiscono in un semiconduttore sono di due tipi: le
collisioni con gli atomi del reticolo e quelle con le cariche fisse (atomi di impurit ionizzati);
questi due fenomeni influenzano fortemente il tempo libero medio tc e quindi la mobilit. Le
analisi teoriche e gli studi sperimentali effettuati mostrano una dipendenza della mobilit
dalla concentrazione delle impurit e dalla temperatura.

(*)

La massa effettiva o efficace m* (in genere leggermente minore della massa dellelettrone
libero) quella quantit che sostituisce nei cristalli la massa della carica nel vuoto per
tener conto degli effetti della presenza del reticolo sulla accelerazione della carica stessa.
La meccanica quantistica mostra che m* dipende dalla struttura delle bande di energia.
Per gli scopi della materia trattata si tenga presente che m* differente per elettroni e
lacune e ci spiega la differenza tra i valori di NC ed NV che dipendono anche da m*.

I . 26

Fig. 14
Con riferimento alle collisioni con il reticolo, queste aumentano di frequenza con
laumentare di T e pertanto la mobilit per queste collisioni diminuisce al crescere di T con la
legge T - n con n che varia tra 1,5 e 2,5. Lo scattering dovuto invece alle collisioni con le
impurit ionizzate decresce con T in quanto allaumentare di T cresce la velocit di
agitazione degli elettroni e le traiettorie vengono influenzate meno dalla presenza del campo
sferico che nasce attorno alle impurit ionizzate; in questo caso la mobilit cresce con T. La
mobilit anche influenzata dalla presenza di difetti reticolari o dalla presenza di impurit
non desiderate nel senso che la mobilit si riduce.
Se pi effetti agiscono simultaneamente sul movimento degli elettroni o delle lacune, la
mobilit complessiva di questi si compone come le resistenze in parallelo, cio:
1/tot = 1/1 + 1/2 +
I risultati relativi allinfluenza della variazione della concentrazione delle impurit
droganti (la concentrazione totale CT) sulla mobilit degli elettroni e delle lacune nel silicio a
temperatura ambiente vengono riportati nei diagrammi di fig. 14, ove si nota che le mobilit,
per entrambi i portatori e per data temperatura, decrescono sempre all'aumentare di CT.

I . 27

Si osservi che sull'asse delle ascisse riportata la concentrazione totale CT = ND + NA


delle impurit presenti nel semiconduttore, dato che la traiettoria di una carica mobile che
passi in prossimit di un atomo ionizzato viene modificata sia nel caso di ioni positivi che
negativi. Ci deve far riflettere sul fatto che le mobilit di un semiconduttore parzialmente
compensato possano risultare nettamente inferiori a quelle di un semiconduttore non
compensato con eguale concentrazione netta di cariche libere.
Esercizio:

Determinare per il silicio intrinseco il tempo libero medio degli elettroni e delle
lacune a temperatura ambiente (si supponga me* = m*lac = m ).
(0,815 10-12 sec ; 0,28110-12 sec)

1.8 Corrente di drift o di deriva.


Esaminiamo adesso il processo di
conduzione (che analogo a quello che

avviene nei conduttori) entro una barretta di


semiconduttore omogeneo di tipo n, alla
quale venga applicata una differenza di
potenziale tra due estremit opposte (fig. 15).
Si prevede intuitivamente che la conducibilit

Fig. 15

elettrica macroscopica del semiconduttore


sar funzione della concentrazione delle

cariche libere e della loro mobilit. Per trovare


tale relazione consideriamo un parallelepipedo

elementare della barretta in esame (fig. 16),


percorso dalla densit di corrente J (A/cm2)
quando il campo elettrico applicato E nella
direzione

dell'asse

x.

Consideriamo

e
v
S

due

sezioni A e B di area S distanti di una quantit

Fig. 16

numericamente pari alla velocit media di


scorrimento degli elettroni v. Se la concentrazione degli elettroni n, osserviamo che, a
regime, nellelemento di volume compreso tra le sezioni A e B il numero di elettroni non
cambia, se entro il volume considerato non vi sono fenomeni di generazione o di
ricombinazione di cariche. Il meccanismo della conduzione comporta che un elettrone che

I . 28

attraversa la sezione A venga rimpiazzato da un elettrone entrante dalla sezione B . Quindi


entro il volume considerato vi sono S n v elettroni; dato che tutti gli elettroni si muovono nella
direzione x con una velocit media di scorrimento pari a v , ogni secondo tutti quelli presenti
vengono rimpiazzati da nuovi elettroni in pari numero. Pertanto in un secondo attraverso la
sezione A transitano S n v elettroni e la densit di corrente J con i versi indicati in figura e
con q > 0 vale:
Jn = - n q v
Essendo v = - n E , si ottiene:
Jn = q n n E

(19)
Analogamente per le lacune, si ha:
(20)

Jp = q p p E

In generale, in presenza di ambedue i tipi di portatori mobili, la densit di corrente totale di


scorrimento sar data dalla somma dei due contributi e cio:
(21)

J = Jn + Jp = q E( n n + p p )

da cui la conducibilit [S/cm] per un semiconduttore drogato, per confronto con la legge

di Ohm per i conduttori massicci J = E, vale:


(22)

= q ( p p + n n )

mentre, nel caso del semiconduttore intrinseco, essendo p = n = ni, :


(23)
Esercizio:

i = q ni ( p + n )
Calcolare la velocit di scorrimento degli elettroni corrispondente a una
densit di corrente 1 mA per cm2, rispettivamente per alluminio e per silicio
intrinseco a temperatura ambiente.
(3,47 10-8 cm/sec; 3,18 105 cm/sec)

I . 29

Come stato discusso nel paragrafo precedente, la concentrazione ni cresce


fortemente con la temperatura e quindi, dato che le mobilit variano relativamente poco con
T, la conducibilit dei semiconduttori intrinseci aumenta al crescere della temperatura. Per
contro si osservi che per un semiconduttore drogato, per esempio di tipo n, in relazione al
diagramma di fig. 12, la conducibilit nella parte piatta della curva n = n(T) diminuisce, dato
che in questo campo si fa risentire leffetto della riduzione della mobilit con la temperatura;
in questa regione il semiconduttore drogato si comporta alla stessa stregua dei materiali
conduttori.
Esercizio:

Calcolare le concentrazioni di elettroni e lacune, la resistivit e la posizione del


livello di Fermi in un cristallo di silicio contenente 1,11016 atomi di boro per
cm3 e 91015 atomi di fosforo per cm3 per T = 300 K
(1,05 x 105 cm-3; 2 x 1015 cm-3; 10,4 cm; 0,307 eV + Ei )

Esercizio:

Calcolare la proporzione in peso di fosforo (peso atomico 31) che deve essere
aggiunta ad un cristallo di silicio perch la sua resistivit a temperatura
ambiente sia di 200

cm . Se il cristallo viene ulteriormente drogato con 1014

atomi di gallio per cm3, qual la resistivit del cristallo? E di tipo p o n ?

1.9 Corrente di diffusione.


Si

esaminato

conduzione

dovuto

il

processo

allapplicazione

di

e
e
e
e
e
e

del

campo elettrico e le relazioni tra la densit di

e e e
e
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e
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e
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e
e

e
e

corrente di scorrimento ed il campo in


funzione

delle

caratteristiche

del

semiconduttore. In tali materiali, per, oltre a


questo tipo di corrente, esiste un secondo
tipo di meccanismo atto a dare origine ad
una corrente di diversa natura, che, dal
processo che la genera, prende il nome di
corrente di diffusione. Si definisce corrente
di

diffusione

quella

dovuta

al

flusso

x
Fig. 17

I . 30

complessivo, per unit di superficie, di elettroni e lacune libere che si muovono a caso da
una regione ad alta concentrazione ad una a bassa concentrazione. E lo stesso processo
che avviene in un recipiente pieno di gas con pressioni inizialmente differenti; in esso le
molecole si muovono in modo da stabilire una pressione uniforme in tutto il recipiente.
Occorre osservare che il moto di diffusione delle cariche libere tende a portare il cristallo da
una situazione di disuniformit o di non equilibrio ad una situazione di uniformit o di
equilibrio; il suo studio molto importante perch tale processo gioca un ruolo fondamentale
nel funzionamento dei diodi e dei transistori.
Consideriamo il caso di una barretta di semiconduttore di tipo n con una
concentrazione di elettroni mobili dipendente dalla sola coordinata x (vedi fig. 17). Se
scegliamo una superficie di riferimento ortogonale ad x, si pu intuitivamente prevedere che
il flusso Fn di elettroni attraverso la superficie sar proporzionale al gradiente della
concentrazione e diretto in senso opposto a detto gradiente; ci si traduce nell'equazione:
Fn = D n

(24)

dn
dx

mentre il flusso Fp delle lacune sar dato da:


Fp = D p

(25)

dp
dx

In queste relazioni il flusso F, rappresentando il numero di cariche libere che


attraversano una sezione unitaria in un secondo, espresso in cm-2 sec-1; la costante di
proporzionalit D [cm2 sec-1], che prende il nome di diffusivit o costante di diffusione,
legata alla mobilit dalle relazioni di Einstein, che qui non dimostriamo:

(26)

Dn =

n kT
q

Dp =

p kT
q

Lesistenza di tali relazioni consente di poter utilizzare i diagrammi di fig. 14 ricavati a


temperatura ambiente, per rappresentare D in funzione della concentrazione totale delle
impurit alla stessa temperatura.

I . 31

Esercizio:

Applicando una differenza di potenziale di 10


semiconduttore di tipo p lunga

ad una barretta di

l = 25 mm e di sezione 1 x 1 mm2 a

temperatura ambiente si apprezzata una corrente di 1 A. Determinare:


a) la mobilit e la diffusivit degli elettroni;
b) la concentrazione degli atomi droganti.

(275 cm2 V-1 sec-1; 7 cm2/sec; 1,2 x 1018 cm-3)


Dai flussi di cariche semplice ricavare le componenti della densit di corrente di
diffusione per i due tipi di cariche, dato che J = q F; adottando i versi convenzionali si ha:

(27)

J n = q Dn

(28)

J p = q D p

dn
dx
dp
dx

In conclusione opportuno sottolineare che si ha corrente di diffusione in presenza di


una variazione spaziale di concentrazione di cariche mobili. Perch si abbia un regime di
corrente di diffusione necessario, quindi, che si venga a mantenere con opportuni
procedimenti, di cui si dir in seguito, un gradiente di concentrazione.

1.10 - Condizioni di non equilibrio.


Finora si considerato il caso di un semiconduttore in condizioni di equilibrio. Con ci
si intende che tutte le grandezze considerate non sono funzioni del tempo, e che non vi
alcuna sollecitazione esterna, come luce, flusso di calore, ecc. In realt il fenomeno della
conduzione dovuta al campo elettrico applicato dallesterno implica condizioni di non
equilibrio. Le conclusioni ricavate precedentemente valgono solo se le correnti di
scorrimento e di diffusione non sono tali da modificare le concentrazioni dei portatori liberi
calcolate in condizioni di equilibrio.
E' di interesse fondamentale per il funzionamento dei dispositivi a semiconduttore lo
studio delle situazioni di non equilibrio, in cui le concentrazioni n e p non soddisfano la
relazione (9); cio si ha un eccesso o un difetto di portatori mobili. Vi sono diversi modi di
iniettare portatori in eccesso in una regione di semiconduttore; allo scopo di definire i
parametri fondamentali usati nello studio delle condizioni di non equilibrio, conveniente

I . 32

considerare il caso della generazione di

coppie elettroni-lacune per effetto fotoelettrico.


Riferendoci al diagramma delle bande di

EC

energia per un semiconduttore, ad esempio di

EF

tipo

(fig. 18),

leffetto

fotoelettrico

(*)

corrisponde alla cessione, da parte di un


fotone incidente (cui viene associata dalla

EV

teoria di Planck una quantit di energia pari ad


h), ad un elettrone della banda di valenza,
dellenergia necessaria per portarlo nella

x
Fig. 18

banda di conduzione. Ci richiede che la


frequenza della luce incidente sia > (EC - EV) / h . In seguito alla sparizione del fotone
incidente si viene cos a creare una coppia elettrone-lacuna (cio p ed n) in eccesso rispetto
al valore di equilibrio (pn = ni2) .
Se abbiamo un certo flusso di fotoni incidenti, si pu venire a creare un numero
notevole di portatori in eccesso. Le lacune in eccesso saranno eguali in numero agli elettroni
in eccesso: n = p.
In un semiconduttore di tipo n per cui ND >> ni , anche nn >> pn , dove il pedice si
riferisce al tipo di semiconduttore. Per esempio, se si ha ND = 1016 cm-3 , per un cristallo di
silicio si avr approssimativamente nn = 1016 cm-3 e pn = 2 x 104 cm-3. Se in un certo istante
si hanno 108 coppie elettrone-lacuna per cm3 in eccesso dovute a generazione fotoelettrica,
sia n che p saranno aumentate di questo valore. Percentualmente, per, mentre si avuto
un drastico aumento delle cariche minoritarie (da 104 circa a 108 cm-3), il numero delle
cariche maggioritarie rimasto pressoch invariato: 1016 + 108 1016 cm-3.
Questa situazione, in cui la variazione percentuale di concentrazione notevole solo
per le cariche minoritarie, si definisce iniezione a basso livello; lo studio di essa molto
semplificato rispetto al caso generale.
Per studiare la dinamica della concentrazione delle cariche minoritarie, vediamo di
scrivere, per un semiconduttore di tipo n, un bilancio tra la creazione e la scomparsa di
coppie elettrone-lacuna, e la variazione nel tempo della concentrazione dei portatori
minoritari pn = pn(t), inizialmente nel caso in cui essa non dipenda dalla posizione; una tale
situazione si pu realizzare illuminando il semiconduttore in modo tale che lassorbimento

(*)

Leffetto fotoelettrico si distingue in effetto fotoelettrico interno, che quello appena


descritto ed effetto fotoelettrico esterno, che si ha allorch il fotone ha energia sufficiente
a liberare un elettrone dal materiale sul quale il fotone incide.

I . 33

dei fotoni incidenti sia uniforme entro tutto il volume del semiconduttore. Si pu quindi
scrivere:
dpn
= GL + Gth R
dt

dove GL indica la velocit di generazione [ cm-3 sec-1] dovuta al flusso luminoso incidente,
Gth la velocit di generazione termica ed R la velocit di ricombinazione delle coppie
elettrone-lacuna.
Possiamo definire una velocit di ricombinazione effettiva U:
U = R Gth
(in equilibrio GL = 0 ed U = 0 , cio tante coppie vengono create dallagitazione termica
quante se ne ricombinano nella unit di tempo). Il bilancio diventa allora:

(29)

dpn
= GL U
dt

La funzione U rappresenta la tendenza del sistema a ritornare in condizioni di equilibrio ed


logico pensare che dipenda dalla differenza fra la concentrazione pn(t) ed il suo valore di
equilibrio pno = ni2 / nn . Si assumer da ora in poi che U sia proporzionale a pn pno ; ci
giustificato dal fatto che i risultati cos trovati corrispondono al caso reale. Il coefficiente di
proporzionalit tra U e pn - pno ha le dimensioni di sec-1 ed il suo inverso viene definito, per
motivi che si esamineranno nel seguito, come vita media delle cariche minoritarie.
In conseguenza la (29) assume la forma

(30)

p pno
dpn
= GL n
dt
p

Se GL non varia nel tempo, si raggiunger un regime stazionario (che non una situazione
di equilibrio) per cui dpn / dt = 0 ; la (30) d allora per la concentrazione finale pL il valore:
(31)

pL = pno + GL p

I . 34

Se, una volta raggiunto questo regime, si elimina bruscamente lilluminazione, cio si rende
GL = 0 , la concentrazione varier nel tempo in modo da soddisfare lequazione differenziale
p pno
dpn
= n
dt
p

(32)

La soluzione completa di questa equazione, con la condizione iniziale pn = pL per t = 0,


data da:
p n = pno (pno pL )e

(33)

Si avr quindi un decremento esponenziale verso il valore di equilibrio, con costante di


tempo data da p.
Esercizio:

Una barretta di silicio di tipo n illuminata uniformemente. La vita media delle


lacune 1 sec e la resistivit alloscuro 10 cm . Lilluminazione provoca
la creazione di 1022 coppie elettrone-lacuna per cm3 e per secondo.
Determinare la resistivit sotto illuminazione.
(L = 0,33 cm)

Per studiare il caso pi generale in cui pn una funzione, oltre che del tempo, anche
delle coordinate spaziali, utile richiamare alcune considerazioni elementari di continuit. Ci
limitiamo al caso della dipendenza da una sola coordinata spaziale, che sceglieremo come
asse x . Come si visto precedentemente, se

p varia con x si avr un flusso di lacune Fp


dovuto alla diffusione. Consideriamo (fig. 19)
un volumetto infinitesimo di semiconduttore di
tipo n di sezione S e di spessore x;
prescindendo dai termini di generazione e

Fp1

Fp2

ricombinazione, potremo scrivere il bilancio


per la concentrazione delle lacune nel suo
interno:
S x

pn
t

= S F p1 F p 2

x
Fig. 19

I . 35

dato che la differenza fra le lacune entranti e quelle uscenti si ritrova in una variazione delle
lacune contenute nel volumetto. Al limite per x 0, si ha:

pn

= S

Fp
x

Cio si ha l'equazione di continuit:


pn

(34)

Fp
x

Se sono presenti i termini GL ed U, se cio consideriamo che entro il volumetto S x siano


presenti sia la generazione di coppie elettrone-lacuna per effetto luminoso sia la
ricombinazione, il bilancio completo si pu quindi scrivere:
p n (t )

(35)

Fp
x

+ GL

p n p no

Se il semiconduttore in esame non fa parte di un circuito elettrico attivo, cio se non


sono presenti generatori di tensione o di corrente esterni, non vi sar corrente elettrica
risultante in nessuna sezione di esso; quindi la presenza di un flusso di lacune Fp implica la
presenza di un flusso di elettroni Fn di valore eguale, in modo da annullare la densit di
corrente totale data da:
J = q (Fp Fn)
I due flussi sono determinati dalla diffusione e dal campo elettrico

e, come visto

precedentemente, assumono la forma:

(36)

Fp = Dp

(37)

Fn = D n

p n
x
n n
x

+p

E nn

pn

Pu sembrare strano lavere considerato il campo elettrico per un semiconduttore


isolato; ma E dovuto proprio ai fenomeni di diffusione che stiamo considerando, se si

I . 36

viene a creare un sia pur minimo squilibrio fra le due densit di cariche (positive e negative)
complessive. Dato che i due flussi devono essere eguali, si ha:

F p Fn = E p p n + n n n D p

p n
x

+ Dn

n n
x

=0

e per il campo elettrico E si ottiene:


pn
n
Dn n
x
x
=
p pn + n n n
Dp

(38)

In quest'ultima espressione le diffusivit Dp e Dn non sono troppo discoste fra loro


numericamente e cos pure n e p; i gradienti di concentrazione ( pn)/( x) e ( nn)/( x)
sono praticamente eguali (esattamente eguali allequilibrio per la condizione di neutralit
della carica spaziale, espressa dalla (14)); invece pn sicuramente trascurabile in confronto
ad nn.
La (38) si pu quindi approssimare:

Sostituendo l'espressione trovata per

Fp =

pn
x

pn Dp Dn
x

n nn

nella (36), si ha:

Dp

p pn
n nn

(D p

Dn

In questa relazione il secondo termine entro la parentesi quadra trascurabile


rispetto al primo per la presenza del fattore pn / nn che molto minore dellunit; in
conclusione, la (36) si pu scrivere con ottima approssimazione:

(39)

Fp = D p

pn
x

Tale espressione ci dice che il flusso delle cariche minoritarie determinato,


praticamente, soltanto dalla diffusione. Questo risultato (che non valido per Fn, come si
vede facilmente) di grande importanza per lo studio del funzionamento dei dispositivi a
semiconduttore e risulta verificato anche nel caso di passaggio di corrente, cio quando il
semiconduttore fa parte di un circuito elettrico attivo.

I . 37

Sostituendo la (39) nella (35), il bilancio completo risulta espresso dalla seguente
equazione differenziale in pn(x,t) :
pn

(40)

2 pn

= Dp

p n p no

+GL

Tale equazione, in cui GL rappresenta il termine forzante, particolarmente utile


nellanalisi teorica dei diodi e dei transistori, ed chiamata equazione della diffusione; in
essa vengono correlate le variazioni temporali della concentrazione alle variazioni spaziali
della stessa.
Nel caso stazionario o a regime, in cui GL non dipende da t, la concentrazione di
regime pn (funzione di x soltanto) rappresentata dalla soluzione dellequazione differenziale
del 2 ordine, lineare, ed a coefficienti costanti:

(41)

Dp

2 pn
x2

+GL

p n p no

=0

Come noto, la soluzione completa una combinazione lineare di una soluzione


particolare della (41) e della soluzione dellequazione omogenea associata:

Dp

2 pn
x

pn

=0

che vale:
pn = A e

x
Lp

+B e

x
Lp

ove si posto:
Lp =

D p

Nella soluzione completa, le costanti A e B dovranno determinarsi in base alle


condizioni al contorno del problema; la grandezza Lp [cm] si chiama lunghezza di
diffusione delle cariche minoritarie. Il significato di Lp e dei concetti discussi finora si
chiarisce meglio considerando due esempi.

I . 38

Supponiamo in un primo caso di


avere

una

barretta

di

luce

semiconduttore

illuminata in modo tale che si possa


considerare GL costante in funzione della
coordinata x e del tempo t. Ci significa che
il semiconduttore deve essere praticamente
trasparente
Supponiamo

alla

radiazione

inoltre

che

la

considerata.

ricombinazione (proporzionale a pn pno)

pn

risulti incrementata in corrispondenza di una


(sola)

superficie

della

barretta,

che

prenderemo come piano x = 0 (vedi fig. 20).

pn(0)

A distanza grande da questa superficie,


si

prevede

intuitivamente

velocit di

che

G L p

la

concentrazione pn non dipender pi dalla x


ed assumer il valore pL = pno + GL p del

pno

caso uniforme considerato allinizio. Sulla

superficie x = 0, laumentata velocit di


ricombinazione ha come risultato una minore

Fig. 20

concentrazione delle cariche minoritarie. Di


conseguenza si viene a creare un gradiente di concentrazione che per diffusione d luogo
ad un flusso di lacune

(*)

verso la superficie x = 0 . A regime raggiunto, vale la (39) con le

condizioni al contorno:

(42)

(43)

Fp

x =0

= Dp

p n
x

= S p [ p n ( 0 ) p no

per x = 0

x =0

p n ( ) = p L = p no + G L

per x = .

Nella prima condizione Sp [pn(o) pno] rappresenta il numero di lacune che si


ricombinano alla superficie per unit di tempo e per cm2; Sp ha le dimensioni di cm/sec e si
chiama velocit di ricombinazione di superficie; pn(0) indica il valore della concentrazione
per x = 0 . La soluzione della (39) con queste condizioni al contorno :
(*)

La presenza del termine Fp implica come si detto la presenza di un flusso Fn di valore


eguale, per la condizione J = 0 .

I . 39

Sp
L
p n (x ) = pL (pL pno )
e p
Dp
Sp +
Lp

(44)

ed ha landamento illustrato in fig. 20.


Esercizio:

Dimostrare che la (44) la soluzione della (41) con le condizioni al contorno


(42) e (43).

Un altro caso importante quello in cui


il semiconduttore non trasparente alla
radiazione

incidente,

che

viene

luce

quindi

assorbita in uno spessore molto piccolo a


partire

dalla

superficie

illuminata.

Supponiamo che venga illuminata soltanto la


superficie

x = 0, come in fig. 21; a regime

allinterno del semiconduttore vale la (41)

senza il termine GL:

pn
pn
2

(45)

Dp

p n p no

=0

pLo

Le condizioni al contorno per questo caso


sono:

pno
pn(0) = pLO
pn() = pno

per x = 0
per x =

Lp
Fig. 21

in cui pLO dipende dal flusso luminoso


incidente.
Anche in questo caso il gradiente di concentrazione determina un flusso di lacune; le
cariche minoritarie in eccesso create alla superficie diffondono verso l'interno del
semiconduttore. La soluzione della (45) con le condizioni al contorno sopra scritte risulta
data da:

I . 40

p n = pno (p no pLo ) e

(46)

x
Lp

ed rappresentata in fig. 21. Si noti che il parametro L p =


parametro

D p

corrisponde al

della (32): la legge con cui la concentrazione p tende al valore finale nei due

casi, rispettivamente in funzione del tempo e dello spazio, dello stesso tipo.

Esercizio:

Nel caso illustrato nella fig. 21, esprimere pLO in funzione del flusso luminoso
incidente, I (watt/cm2), per il caso di iniezione a basso livello. Si assuma che
ogni fotone incidente produca una coppia elettrone-lacuna e che la luce sia
monocromatica di lunghezza d'onda .
( p Lo = p no +

Lp I
Dp hC

Abbiamo considerato finora variazioni in funzione del tempo e di una sola variabile
spaziale. L'estensione di quanto sopra al caso generale in cui le grandezze studiate
dipendono da tre coordinate spaziali immediata: basta riscrivere in forma vettoriale le
principali relazioni. Per esempio, il flusso dovuto alla diffusione sar per le lacune:
F

= D p p

e lequazione di continuit (34) varr:


p
t

= F

Cos, lequazione della diffusione per il caso generale


p
t

= D p 2 p + GL

p po

I . 41

1.11 Determinazione del tempo di vita media delle cariche minoritarie .


Le considerazioni precedenti hanno mostrato che il parametro

(*)

determinante per

lo studio dei fenomeni di non-equilibrio. opportuno cercare di vedere quali parametri


determinano a loro volta , ossia studiare il fenomeno della ricombinazione delle cariche
minoritarie. Per trattare questo processo ci riferiamo ad un semiconduttore di tipo p, in cui le
cariche minoritarie sono elettroni; ci al solo scopo di evitare di dover considerare una carica
positiva fittizia, e ragionare sullelettrone che unentit pi facilmente visualizzabile.
Ci si chiede: se in qualche modo viene a crearsi un eccesso di elettroni rispetto alla
condizione di equilibrio, dopo quanto tempo essi si saranno ricombinati? Il meccanismo pi
semplice per il ritorno allequilibrio consiste nella ricombinazione diretta: un elettrone pu
incontrare una lacuna e ricadere direttamente nella banda di valenza cedendo lenergia
(EC - EV) sotto forma termica o di radiazione. Questo fenomeno per estremamente poco
probabile per motivi che hanno a che fare con
la struttura dettagliata delle bande di energia,

nel germanio e nel silicio.


La

causa

principale

della

ricombinazione, in questi materiali, la

EC

presenza di livelli intermedi nella banda


proibita, chiamati centri di ricombinazione o

ET

trappole. Questi livelli localizzati di energia ET

EF
EV

(fig. 22) sono creati da imperfezioni nel


reticolo cristallino, o da impurit. Un elettrone
che passi in vicinanza di una trappola verr
catturato

successivamente

scender

ancora dal livello ET della trappola nella banda

x
Fig. 22

di valenza.
E questo il processo che limita la vita delle cariche minoritarie; chiaro che essa
risulter tanto minore quanto maggiore sar la concentrazione dei centri di ricombinazione
NT [cm-3]. Il fenomeno si pu schematizzare considerando gli elettroni come puntiformi e che
si muovono liberamente con una velocit vth (dovuta all'agitazione termica) finch non
incontrano un centro di ricombinazione. Per semplificare le cose al massimo, supponiamo

(*)

Nel testo si fatto riferimento alle lacune, ma identiche considerazioni valgono per un
semiconduttore di tipo p, in cui il parametro essenziale n , tempo di vita media degli
elettroni (cariche minoritarie).

I . 42

che gli (np - npo) elettroni in eccesso contenuti


in un cm

vth

si muovano tutti insieme con

velocit vth (fig. 23).


Nell'attraversare

uno

spessore

infinitesimo x, si ricombineranno gli elettroni


che colpiscono i centri di ricombinazione. Sia

np - npo

np il numero di questi elettroni. Considerando


i centri di ricombinazione come dei bersagli di
area trasversale

(*)

, la probabilit che un

elettrone venga catturato entro lo spessore x

data dal rapporto tra le aree occupate dai


bersagli e la superficie totale. Cio si ha:
Fig. 23
area occupata dai centri N T
superficie totale

N T x S
S

dove S la superficie (perpendicolare a vth) dellelemento di volume considerato. Avremo


quindi:
n p
n p n po

= N T x

Questi np elettroni si sono ricombinati nellintervallo tempo t = x / vth ; quindi nellunit di


tempo si avr:
np
t

np
x

v th = n p n po v th N T

Per definizione, np / t la velocit di ricombinazione U; ricordando la posizione


fatta riguardo ad U a proposito della (29), per confronto si ottiene per il tempo di vita media

n l espressione:
n = (vth NT )-1

(*)

rappresenta larea formata dalla proiezione del contorno dellostacolo (centro di


ricombinazione) su un piano perpendicolare alla direzione del moto dell'elettrone
incidente.

I . 43

In realt avremmo dovuto considerare solo quei centri di ricombinazione che non
erano gi occupati da elettroni, cio NT [1 - F(ET)]. Risulta per che i centri di ricombinazione
pi efficaci sono quelli per i quali ET prossimo al centro della banda proibita,
ET = (EC + EV)/2 ; in un semiconduttore di tipo p a temperatura ambiente (vedi fig. 22), F(ET)
trascurabile. Inoltre, lo stesso risultato si sarebbe ottenuto considerando i centri come
puntiformi e gli elettroni dotati di sezione trasversa n.
Concludendo, poich identica trattazione si potrebbe fare per il caso delle lacune in
un semiconduttore di tipo n, i tempi di vita media delle cariche minoritarie nei due casi sono
date da:
per il semiconduttore di tipo n

p = (vth NT p)-1

per il semiconduttore di tipo p

n = (vth NT n)-1

La velocit vth dellordine di

3 kT / m = 10 cm/sec a temperatura ambiente. Le

sezioni durto (in inglese "cross sections) p e n sono dell'ordine di 10-15 cm2.
Esercizio:

-6
Per un semiconduttore di tipo n in cui p = 10 sec, si calcoli la concentrazione

dei centri di ricombinazione. Si assuma p = 5 x 10-15 cm2.

1.12 Caratterizzazione dei materiali semiconduttori.


Con il termine caratterizzazione si intende quellinsieme di misure che servono per
identificare un dato materiale e conoscerne le caratteristiche. Nel caso dei semiconduttori
abbiamo gi trovato delle relazioni (espressione della conducibilit, grafico della dipendenza
della mobilit in funzione della concentrazione totale delle impurit) che ci aiutano in questo
processo di identificazione; pu rimanere per qualche ambiguit per quanto riguarda il tipo
di portatore libero che maggiormente presente nel semiconduttore. Non infatti possibile,
con i mezzi sinora a nostra disposizione, conoscere a priori se il semiconduttore sia di tipo
p o sia di tipo n, dato che l'espressione della conducibilit nei due casi p = q p p e

n = q n n e numericamente queste due espressioni possono dar luogo allo stesso risultato.

I . 44

1.12 a Leffetto Hall


Allo scopo di identificare il tipo di semiconduttore, si utilizza il metodo basato
sullimpiego delleffetto Hall, che fornisce direttamente attraverso una misura sperimentale
sia il tipo di portatore sia la concentrazione netta dei portatori della corrente.
Supponiamo inizialmente di disporre di una barretta di semiconduttore in cui sia
2

presente un solo tipo di portatore (n o p), immersa in un campo di induzione B (Wb/cm )


con i versi delle coordinate spaziali (x, y e z) indicati nella fig. 24.

VA
vn

vp

V
Fig. 24
Supponiamo inoltre che in conseguenza della tensione applicata dallesterno V scorra
nella barretta una corrente I. La forza di Lorentz che agisce sui portatori della corrente, siano
essi elettroni o lacune, diretta verso il semiasse negativo delle y e vale :
Fy = q vp B
ovvero
Fy = - q vn B
a seconda che i portatori della corrente siano lacune o elettroni.
E facile osservare che, sia che si tratti di elettroni, sia che si tratti di lacune, i portatori
mobili vengono sempre deflessi verso il basso in quanto cambiano di segno sia la carica sia
la direzione della velocit.

I . 45

Allorquando le cariche libere vengono deflesse verso il basso, la superficie superiore


della barretta si carica positivamente (nel caso di drogaggio ND) o negativamente (nel caso
di drogaggio NA) per effetto degli ioni fissi non pi compensati da una eguale densit di
cariche mobili presenti. Si forma cos un doppio strato di cariche, che d origine ad un
campo elettrico ortogonale alla faccia superiore della barretta; a regime, la forza dovuta a
questo campo elettrico e la forza di Lorentz, entrambi agenti sulle cariche mobili, si devono
bilanciare.
A questo campo elettrico corrisponde una differenza di potenziale VH, detta tensione
di Hall, misurabile tra le due facce della barretta con il voltmetro VA

Con il riferimento

indicato nella fig. 24, il valore positivo o negativo da esso indicato fornisce linformazione
desiderata, nel senso che se la barretta di tipo p, VH sar positiva, se di tipo n, VH
sar negativa.
Se tra le dimensioni della barretta verificata la disuguaglianza W << a , il campo
elettrico di Hall, EH , potr considerarsi uniforme e diretto lungo y, di modulo pari a:

EH

VH
W

Se i portatori sono elettroni, l'equilibrio tra le due forze fornisce:


VH q
W

=qvnB

e da questa si ha:
vn =

VH
W B

Daltronde, utilizzando lespressione della densit di corrente trasportata per scorrimento


dagli elettroni, si ha:
Jn =q nvn =

I
aW

Sostituendo in questultima lespressione della vn ricavata dalla precedente, si ottiene:


q n VH
W B

I
aW

I . 46

da cui la concentrazione di elettroni liberi risulta


n=

IB
q a VH

Da misure di resistenza elettrica offerta dalla barretta:


R=

L
V
L
=
=
I
aW aW

e conoscendo le dimensioni geometriche della barretta, si risale alla conducibilit e da


questa alla mobilit data da

n =

qn

A formule analoghe si perviene se la barretta avesse avuto, come portatori, soltanto


lacune. Viene definito anche coefficiente di Hall o fattore di Hall la quantit
RH =

1
qn

ovvero

RH =

1
qp

rispettivamente nei due casi.


La determinazione della tensione di Hall nel caso del semiconduttore intrinseco pi
complessa e per la sua analisi si rimanda alla letteratura specializzata. Possiamo solo
prevedere che in questo caso, dato che la tensione di Hall proporzionale alla differenza
delle mobilit dei due tipi di portatori, il segno di VH eguale a quello della barretta di tipo "n"
per la maggiore mobilit degli elettroni rispetto a quella delle lacune.

1.12 b Il metodo delle 4 punte.


I materiali semiconduttori sui quali serve effettuare le misure di resistivit si presentano
normalmente sotto forma di fette, ottenute per taglio di lingotti di vari pollici di diametro (oggi
siamo arrivati a circa 12 pollici) e successiva lucidatura delle facce. Per misurare la
resistivit delle fette di semiconduttore si utilizza il metodo delle 4 punte (vedi fig. 25).

I . 47

I
Tale metodo consiste nel creare un
campo di corrente allinterno della fetta
facendo circolare una corrente I costante e

nota attraverso le due punte esterne e

misurando la differenza di potenziale V che si


localizza fra le due punte interne.

La distanza s tra le punte deve essere

eguale; in tale ipotesi si possono verificare 3


casi:

Fig. 25

1) Se W < s (semiconduttore sottile) la resistivit vale:

VW
I

ln 2 4 , 532

VW
I

2) Se W > s (semiconduttore spesso), si ha

2sV
I

3) Nel caso che W sia paragonabile ad s, si ha:

= 4 , 532

VW F
I

avendo definito con F una funzione correttiva che ha landamento indicato in fig. 26 al
variare del rapporto W/s.

F
1
0,9
0,8
0,7
0,6
1

2
Fig. 26

W/s