TeoradeBandas:Conductores,aisladoresysemiconductores

ConductoresyAisladores
Losmetalessecaracterizanporsualtaconductividadelctrica.Considrese,porejemplo,elmagnesiometlico.Laconfiguracin
electrnicadelMges[Ne]3s
2
,demodoquecadatomotienedoselectronesdevalenciaenelorbital3s.Enunmetallostomos
seencuentranempacadosmuycercaunosdeotrosdetalformaquelosnivelesenergticosdecadatomodemagnesioseven
afectadosporlosdelostomosvecinos,locualdalugaratraslapedeorbitales.Lainteraccinentredosorbitalesatmicos
conducealaformacindeunorbitalmoleculardeenlaceyotrodeantienlace.Comoelnmerodetomosexistenteinclusoenun
pequeotrozodesodiometlicoesdemasiadogrande,elcorrespondientenmerodeorbitalesmolecularesqueseformanes
tambinmuygrande.Estosorbitalesmolecularestienenenergastanparecidasquesedescribenenformamsadecuadacomouna
"banda".Esteconjuntodenivelestancercanosenenergaseconocecomobandadevalencia,comosemuestraenlafigura1.La
partesuperiordelosnivelesenergticoscorrespondealosorbitalesmolecularesdeslocalizadosvacos,queseformanporel
traslapedelosorbitales3p.Esteconjuntodenivelesvacoscercanosenergticamentesellamabandadeconduccin.

Figura1
Sepuedeimaginaralmagnesiometlicocomounconjuntodeionespositivosinmersoenunmardeelectronesdevalencia
deslocalizados.Lagranfuerzadecohesinresultantedeladeslocalizacinesenparteresponsabledelafortalezaevidenteenla
mayoradelosmetales.Envirtuddequelasbandasdevalenciaydeconduccinsonadyacentes,serequiereslounacantidad
despreciabledeenergaparapromoverunelectrndevalenciaalabandadeconduccin,dondeadquierelibertadparamoversea
travsdetodoelmetal,dadoquelabandadeconduccincarecedeelectrones.Estalibertaddemovimientoexplicaelhechode
quelosmetalesseancapacesdeconducirlacorrienteelctrica,estoes,queseanbuenosconductores.
Porqulassustanciascomolamaderaoelvidrionoconducenlaelectricidad?Lafigura1daunarespuestaaestapregunta.
Bsicamente,laconductividadelctricadeunslidodependedelespaciamientoyelestadodeocupacindelasbandasdeenerga.
Otrosmetalesseparecenalmagnesioenelhechodequesusbandasdevalenciasonadyacentesalasdeconducciny,porlo
tanto,estosmetalesactanfcilmentecomoconductores.Enunaislantelabrechaentrelasbandasdeconduccinydevalenciaes
considerablementemayorqueenunmetal:enconsecuencia,serequieremuchomayorenergaparaexcitarunelectrnalabanda
deconduccin.Lacarenciadeestaenergaimpidelalibremovilidaddeloselectrones.Elvidrio,lamaderayelhulesonaislantes
comunes.

Semiconductores
Numerososelementos,enespecialelSiyelGedelgrupo4A,ogrupo14,tienenpropiedadesintermediasentrelasdelosmetales
ylasdelosnometalesy,porellosedenominanelementossemiconductores.Labrechaenergticaentrelasbandasllenasylas
vacasenestosslidosesmuchomenorqueenelcasodelosaislantes(vaselafigura1),sisesuministralaenerganecesariapara
excitarelectronesdelabandadevalenciaaladeconduccin,elslidoseconvierteenunconductor.Ntesequeeste
comportamientoesopuestoaldelosmetales.Lacapacidaddeunmetalparaconducirlaelectricidaddisminuyealaumentarla
temperatura,yaqueseacentalavibracindelostomosamayorestemperaturasyestotiendearomperelflujodeelectrones.

Dentrodelosslidossemiconductoresestnelgermanioyelsilicio.Tantounocomoelotrotienencuatroelectronesenlarbita
externa,laqueporsudistanciaalncleocorresponderaquetuvieseochoelectronesparalograrunaconfiguracinestable.
Admitiremoscomoprincipioqueentrevariosestadosposibleslossistemasdelanaturalezatiendenatomareldemayor
estabilidad,esporestoquetantoelGecomoelSicuandosesolidificantomanunaestructuracristalinatalquecadatomotienea
otroscuatroasualrededorcompartiendoconellosunelectrnencoparticipacinignorandolaestabilidaddeochoelectronesque
necesitaensultimacapa.
Enconsecuenciacercadelceroabsolutoelgermaniotienetodossuselectronesconbajaenergadentrodelasbandasdevalenciay
setransformaenunaisladorabsoluto.Encambioatemperaturaambientealgunodeloselectronestomalaenerganecesariapara
pasaralabandadeconduccinyelgermaniosecomportacomounsemiconductor(Verfigura2.).Elelectrnqueseindependiza
delaatraccindelncleoseconvierteenelectrnlibreyoriginaenlacovalenciaquesedestruye,laausenciadeunacarga
negativaopozopositivo,quesedenomina,lagunaoagujero.Seadmitequeestalagunaoagujerosevacorriendosucesivamentea
travsdelslido,puespuedeserllenadaporelectronesdecovalenciasvecinasoriginandoenellaselnuevohueco(verfigura3).

CercadelOK,-TemperaturaAmbiente
Figura2.

Figura3.
Lamovilidaddelagujeropuedesersimuladaporestudiantes.Cincoestudiantessonelectronesyunasillavacaesunagujero.Por
cadamovimientodelosestudiantesunasillahacialaderecha(flechasoscuras)produceunresultadoqueesequivalenteaunasilla
vacaquemuevealaizquierda(flechasblancas).(Veranalogaenfigura4.)

Figura4.
Laconductividadquepresentaunsemiconductoratemperaturaambientesedenominaconductividadintrnsecaymejoraconla
temperatura.SiauntrozodeGeseleaplicaunadiferenciadepotencialstalograrorientarloselectronesdemaneratalque
recorranelcircuitodirigindosehaciaelpolopositivomientrasquelaslagunasseorientanrecorriendoelcircuitohaciaelpolo
negativo.
Porsupuestoqueunelectrnquesedirigealpolopositivosaliendodelsemiconductorycreandounanuevalagunaser
compensadoporotroelectrnqueentraporelpolonegativollenandootralagunaymanteniendodeestamaneraelnmerode
electronesylagunasoriginales.

Laslagunasyloselectronesenestadolibreenunsemiconductorsonlosllamadosportadoresdecorrientes.Convieneaqucitar
lasexperienciasdeRoulandquiendemostrqueselograbanlosmismosefectoselectromagnticoshaciendogiraragranvelocidad
cargaselctricaspositivasonegativasensentidocontrario.Enotraspalabraspodramosdecirquelacorrienteelctricaeslaaccin
conjuntadeldesplazamientodeelectronesenunsentidoydelagunasensentidocontrario.

Semiconductoresimpurificados

Semiconductoresdeltipo"n":
Laimpurificacinconsisteenagregaralsemiconductortomosdeotroselementos,hablamosdeunacontaminacindeuntomo
contaminanteporcada10
8
tomosdelared.
UnadelasimpurezasusadaseselArsnicoquetiene5electronesenlaltimacapa,necesitando3paralograrlaconfiguracin
establede8electrones.
PoniendoencondicionesadecuadasdepresinytemperaturacristalesdeGeenpresenciadeAs,elmismodesplazaalostomos
deGeycon4desuselectronesforma4covalenciascompartiendoelectronesconotroscuatrotomosdeGelogrando8enla
ltimacapaaexpensasdeliberarelquintoalared.Elelectrnlibrequeseincorporaalslidomejoralaconductividaddelmismo
porqueseaumentadentrodelslidoelnmerodeportadoresdecorriente.
Elionarsnico(+)queseformaconstituyeunalagunafijayaqueloselectronesdelarbitaexternaestnformandouna
configuracinestablesinnecesidadqueintervengaotroelectrn.
Elnuevosemiconductorformadoporlacontaminacinsellamasemiconductordetipo"n".Laimpurezaqueloorigin,eneste
casoelarsnico,sellamaimpurezadonadoraporquedonaunelectrnalared.Comoloquesehaaumentadoeselnmerode
electroneslibresenlossemiconductoresdeltipo"n",aloselectronesselosllamaportadoreshereditarios,yaqueestospredominan
respectodelaslagunas.
Semiconductoresdeltipo"p"
ElGesepuedecontaminartambinconotrasimpurezascomoelBorooelIndio.Tantounocomoelotrotienen3electronesde
valenciaenlaltimacapaytambinencondicionesadecuadasdepresinytemperaturaestospuedensustituirauntomodeGe
delared,peroalhacerestoenlascovalenciasvecinasfaltaraunelectrngenerandounhuecopositivollamadolaguna.sta
generaestabilidadesytiendeaserllenadaconelectronesdecovalenciasvecinaspasandoelhuecoolalaguna(+)alternativamente
entrelostomosdelared,esdecircontrariamentealoquehacaelArsnico,elBorodejalagunaslibresforzandoaloselectrones
aocuparlasyhaciendoqueestosquedenenminoraresultandocomoportadorasmayoritariaslaslagunas.Estenuevo
semiconductorsedenominadeltipo"p"yalaimpureza,"aceptora".

Cuandolaconduccinesdominadaporimpurezasdeaceptorodonadorelmaterialsedenominasemiconductorextrnseco.

Uninpn
Unauninpnseobtieneporlaunindeunsemiconductortipo"p"yuno"n".Eneltipo"p"losportadoresmayoritariosson
lagunasytratarndedifundirsehaciael"n"porlocontrariolosportadoresmayoritariosdel"n"quesonloselectronestratarnde
difundirseocupandopartede"p".
Perotantounocomootrosemiconductorsonneutros,cadaelectrnquedejael"n"ypasaal"p"carganegativamenteal"p"y
positivamenteal"n"ycadalagunaquepasedel"p"al"n"aumentatambinlapositividadde"n"ylanegatividadde"p".
Alprincipiolosprimeroselectronesylagunasquedifundencercadelajunturanoencuentranresistenciadeningncampo
elctricoperoamedidaquevancruzandolauninvandejandounazonasinportadoresycreandounpotencialelctricointenso
queactaencontradelmovimientodeotrosportadoresquequierenintentarelmismocamino.
Llegaunmomentoquelosportadoresquenohancruzadolaunin,siquierenhacerlonecesitanenergaextraparavencerel
potencialypasarlazonadeprimidaqueesdelordendeunmicrn.
Elanchodelazonadeprimidadependedelaconcentracindelosportadoresmayoritarios.
Eldispositivoquevenimosanalizandoconstituyeloquesellamaundiodosemiconductordeestadoslido.
Cuandoaldiodoseleaplicaexternamenteunadiferenciadepotencialcomosiestuvieraenparaleloconunapilaimaginariaque
formelpotencialdelaunin,loselectronesdelladonnopuedenpasaralladopporquelapilaconsuladopositivorefuerzala
barreradepotencial.
Porlamismaraznlaslagunastampocopuedenpasaralladonporqueelpotencialnegativodelapilarefuerzalabarrerade
potencialdelaunin.
Tambinpodemosdecirquenocircularningunacorrienteporquelapilaexteriorensanchamucholazonadeprimida.Enrealidad
siemprecirculaunacorrientepequeadebidaalosportadoresminoritarios.Lapolarizacindeldiodorealizadadeestaformase
llamapolarizacininversa,esdecirsieldiodosepolarizainversamentenoconducecorriente.Siinvertimoslapolarizacindelos
portadoresmayoritariostomanlaenerganecesariaparaatravesarlauninvenciendolabarreradepotencialyastasela
denominapolarizacindirecta.
Enformanomuyrigurosapodemosdecirqueundiodopolarizadodirectamentesecomportacomouninterruptorcerradomientras
queinversamentepolarizadocomounoabierto.Elsignoqueseutilizaparaindividualizaraundiodoenuncircuitoeselsiguiente:
Aveceselctodovienemarcadoconunpuntorojosobrelacpsuladeldiodoyotrasconunabandanegraprximaalextremoque
hacealctodo.
Larelacinqueexisteentrelatensinaplicadaaundiodoylacorrientenosiguelaleydeohm,sinoquetieneunadependenciano
linealcomomuestralasiguientegrfica.

Latensindepolarizacindirectaquevencelabarreradepotencialnaturaldeldiodosedenominatensindeumbralyesmenoren
losdiodosdegermanioqueenlosdesilicio.Pasadaestatensinsepuedenlogrargrandescantidadesdecorrientecomomuypocas
cadasdepotencialdebidoalaresistenciainternadeldiodo(aprox.1V).
Diodosluminiscentes(LEDS)
Losdiodosluminiscentessondiodossemiconductoresquealseratravesadosporunacorrienteelctricaemitenradiaciones
electromagnticasenunaestrechabandadelongitudesdeonda(565nma950nm),dependiendodelsemiconductorenqueestn
construidos.
Algunasdesusventajasson:
Bajastemperaturasdefuncionamiento.
Granestabilidadmecnica:insensibilidadfrenteasacudidasovibraciones.
Facilidadparamodularsuemisin.
CompatibilidadTTL.
Pequeasdimensiones.
Inmunidadcontracamposmagnticosyelctricos,importanteparalatransmisindefibraptica.
Dependiendodelaradiacinemitidasesubdividenen:
DiodosInfrarrojos(IRED).
DiodosEmisoresdeLuzVisible(LED).
DiodosLser.
Algunasaplicacionesson:
Lmparasindicadorasopilotos.
Visualizadoresnumricosdesietesegmentosoalfanumricos.
Enaparatosdemedida.
Eninstalacionestelefnicas,dedatosydesealizacin.
Aparatosdeelectrnicamoderna.

Industriadelossemiconductores
Elcrecimientodelaindustriadelossemiconductoresdesdelosiniciosdeladcadade1960hasidoverdaderamentenotable.Hoy
endalossemiconductoressoncomponentesesencialesdecasicualquierequipoelectrnico,desdelaradioyeltelevisorhastalas
calculadorasdebolsilloylascomputadoras.Unadelasprincipalesventajasdelosdispositivosdeestadoslidosobrelosbulbos
electrnicosesquelosprimerossepuedenconstruirenunsolocircuitointegrado(chip)desilicionomayorquelaseccin
transversaldeunagomadelpizdeestaformasepuedealmacenarmuchomsequipoenunespaciopequeounaspectode
particularimportanciaenlosviajesespacialesyenlasminicalculadorasymicroprocesadores(computersonachip).

BibliografaUtilizada:
RaymondChangQuimicaGeneral
WhittenK.W.GaleyK.D.yDavidR.E.QuimicaGeneral
SerwayFisicaII
TiplerFisicaII
Newdeck,GeroldEldiododeunionPN
MortimerQuimica.
AliciaJubert,EdgardoDonatiQuimicaGeneralparaIngenieria.