ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

DEPARTAMENTO DE AUTOMATIZACIN Y CONTROL INDUSTRIAL

TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA (TBJ)
1. OBJETIVO
1.1. Disear el circuito de control para un transistor bipolar de juntura de potencia.
1.2. Conocer las caractersticas de conmutacin del transistor bipolar de juntura.
2. MARCO TERICO
El transistor bipolar de juntura TBJ es un elemento de tres terminales (Figura 4.1(a)), cada uno de ellos
accede a una de las tres capas de semiconductor que forman el elemento.
El TBJ tiene dos junturas tal como se indica en la Figura 4.1(b), la juntura colector-base J
CB
y la juntura
base-emisor J
BE
.
(a) (b)
Figura 4.1
Las regiones de operacin del transistor son: regin de corte, regin activa y regin de saturacin.
Regin de corte: el transistor esta desactivado o la corriente de base es insuficiente para activarlo por la tanto
ambas junturas J
CB
y J
BE
estn polarizadas inversamente.
Regin activa: el transistor acta como un amplificador de corriente y el voltaje colector-emisor V
CE
disminuye con el incremento de la corriente de base como se muestra en la Figura 5.2. La juntura J
CB
est en
polarizacin inversa y la juntura J
BE
en polarizacin directa.
Regin de saturacin: la corriente de base es lo suficientemente alta para que el voltaje colector-emisor sea
bajo y ambas junturas tienen polarizacin directa. Un incremento en la corriente de base no produce cambios
considerables en la corriente de colector. El transistor acta como interruptor.
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Figura 4.2
Entonces si un transistor trabaja entre las regiones de corte y saturacin puede ser usado como un s itch o en
r gimen de conmutacin, siendo la configuracin de emisor comn la ms utilizada en estas aplicaciones.
Como se puede observar en la Figura 4.2, para entrar a la regin de saturacin la juntura J
CB
debe estar en
polarizacin directa, caso contrario si est en polarizacin inversa, est en la regin activa o en la regin de
corte por lo que el lmite para entrar a la regin de saturacin es cuando V
CB
0 es decir V
BE
V
CE
por lo
que la corriente mnima requerida en la base para entrar en saturacin estar dada por:
donde I
C(sat)
es la corriente de colector cuando V
CE
V
CE(sat)
Es recomendable disear el circuito para una corriente mayor que I
B(sat)min
para garantizar que el TBJ est
trabajando en la regin de saturacin, caso contrario una corriente de base insuficiente puede ocasionar que el
TBJ trabaje en la regin activa lo que implica funcionamiento como amplificador ocasionando un e cesivo
calentamiento del elemento. La relacin entre I
B
e I
B(sat)min
se conoce como el factor de sobree citacin
ODF:
Y la relacin entre I
C(sat)
e I
B
se conoce como la ganancia forzada :
CONSIDERACIONES DE DISEO PARA EL CIRCUITO DE ACTIVACIN DEL TBJ
Como se puede observar el diseo del circuito de control para transistores de potencia tiene un cierto grado de
complejidad por las siguientes razones:
anancia de corriente a a: los transistores de potencia al ser un elemento controlado por corriente y con
una baja ganancia (en saturacin la ganancia disminuye) por lo que se requiere una corriente considerable
aplicada a la base en ocasiones en las decenas de los amperios por lo que un circuito lgico es incapaz de
manejar un transistor directamente lo que hace necesaria una etapa intermedia de acoplamiento en base a un
transistor de mediana potencia que ser quien suministre la cantidad de corriente requerida en la base del
transistor de potencia, como consecuencia la capacidad de corriente requerida desde el circuito de control se
vuelve considerable.
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Una posible solucin para evitar la necesidad de una considerable corriente en el circuito de control es usar la
configuracin Darlington donde el transistor de mediana potencia
2
se coloca de la manera indicada en la
Figura 4.3, en esta configuracin la corriente de base del transistor de potencia se toma de la fuente de
potencia lo que disminuye los requerimientos de corriente del control, pero se debe tener en cuenta que la
presencia del transistor de mediana potencia entre el colector y la base del transistor de potencia
1
provocan
que la juntura J
CB
este polarizada inversamente, por ello en esta configuracin el TBJ trabaja en cuasi-
saturacin incrementando la disipacin de potencia.
Figura 4.3 (Darlington)
Corriente negativa de a agado: A veces es necesario aplicar una corriente negativa temporal durante el
apagado para reducir el tiempo de apagado evitando as una mayor disipacin de potencia durante la
conmutacin. Para esto se debe disear un circuito especial que durante un intervalo de tiempo corto, en el
orden de toff polarice inversamente con unos pocos voltios la juntura base - emisor.
. E UIPOS MATERIALES
.1. E ui o (Dis oni e en e a oratorio)
Osciloscopio
Fuentes variables
Foco de 100 120V
Inductancia
.2. Materia es ( ro orcionados or os estudiantes)
Transistor de potencia
Transistor de mediana potencia
Diodo de rpida recuperacin
Diodo rectificador normal
LM555
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Resistencia de un valor menor o igual a 1 Ohm
Resistencias varias
. PREPARATORIO
.1 Disear y construir un control P M en base a un LM555 de 1 z con una fuente de 12 V. La relacin
de trabajo debe poder variarse de 0,3 a 0, apro imadamente.
.2 Disear el circuito de la Figura 4.3 (solo usar darlington si es necesario) si la fuente a usarse es de
apro imadamente 40 V (lo que se obtenga al poner en serie las dos salidas de las fuentes de laboratorio) y la
resistencia de carga es un foco de 100 , (disear correctamente el circuito que maneja la base). Tomar en
cuenta que la resistencia en fro del filamento del foco es mucho menor y aumenta cuando se calienta a
temperatura nominal.
. Repetir lo anterior si se coloca en serie con el foco una inductancia (se proporcionar en el laboratorio) de
manera de convertir la carga en altamente inductiva. En este caso es indispensable usar un diodo rpido en
anti paralelo con la carga (usar un FAST RECOVERY DIODE) que debe ser trado por los estudiantes.
. Para los dos numerales anteriores dimensionar adecuadamente el transistor de potencia, adicionalmente
colocar una resistencia de un valor inferior a 1 Ohm en el colector con la finalidad de poder observar
simultneamente el voltaje y la corriente del transistor para visualizar las conmutaciones.
. Traer armado los circuitos diseados.
. PROCEDIMIENTO
.1 El instructor usando el mdulo trazador de curvas disponible en el laboratorio mostrar las curvas
caractersticas de un transistor.
.2 Para el circuito diseado en el punto 4.2 observar formas de onda y comprobar que el elemento est
trabajando en las regines de corte y saturacin (J
CB
polarizada directamente), caso contrario corregir.
Usar dos puntas de prueba en el osciloscopio, colocar la referencia de las dos puntas de prueba en el
colector del transistor, el canal A en el emisor (invertir este canal), y el canal B al otro e tremo de la
resistencia de 1 Ohm, a una relacin de trabajo apro imada de 0.5 tomar formas de ondas de corriente de
colector (sobre la resistencia de menos de 1 Ohm) y voltaje colector emisor en funcin del tiempo y adems
tomar tiempos de conmutacin con carga resistiva. Tomar tambi n el tiempo que permanece saturado y en
corte el transistor para calcular luego la potencia.
Con el mdulo matemtico del osciloscopio, multiplicar las ondas de voltaje y corriente para observar la
curva de potencia disipada en el dispositivo (no todos los osciloscopios tienen esta facilidad).
Poner el osciloscopio en formato Y ( voltaje colector-emisor Y corriente de colector tomada sobre
la resistencia colocada en el colector) y tomar la forma de las trayectorias de las conmutaciones.
. Repetir lo anterior para carga inductiva con diodo de conmutacin (FAST RECOVERY) como se
menciona en numeral 4.3 . Verificar las diferencias con los datos obtenidos en el literal 5.2. . Verificar
tambi n los cambios cuando se usa un diodo comn en lugar del diodo rpido, Verificar de manera especial el
efecto de la corriente de recuperacin reversa (Irr)
. IN ORME
Calcular la potencia de disipacin del transistor de potencia para los dos circuitos diseados con los datos
tomados en el laboratorio
. RE ERENCIAS BIBLIO R ICAS
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1 MO AN, Ned, Po er Electronics: Converters, Applications and Design, John iley Sons,1 .
2 RAS ID Muhammad ., Electrnica de Potencia, Circuitos, Dispositivos y Aplicaciones. Segunda
Edicin, 1 5.
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