Comparação CMOS TTL Pag 2 A 6 Portugal 2006

Microelectrnica 10.
1
Aula 10
Licenciatura em Engenharia Biomdica
- RAMO II: Electrnica Mdica
-
Paulo Mendes
http://dei-s1.dei.uminho.pt/pessoas/pmendes
2005/2006
Microelectrnica
Microelectrnica 10. 2
Sumrio
Microelectrnica
A tecnologia Bipolar e o modelo de layout fsico do transstor
bipolar.
As vantagens e desvantagens da tecnologia CMOS em
relao tecnologia Bipolar.
A tecnologia BiCMOS.
Micromaquinagem
A tecnologia da micromaquinagem no silcio para criar
estruturas a 3 dimenses (micro-sensores e
microactuadores).
Os processos de fabrico:
micromaquinagem volmica (bulk-micromachining),
micromaquinagem superficial (surface-micromachining),
o processo LIGA.
Aplicaes em rdio-frequncia e sensor de presso.
Tecnologia Bipolar
Transstores Bipolares
Estrutura npn ou pnp em
silcio
Uma pequena corrente
numa camada muito fina da
base controla uma corrente
entre o emissor e o colector
Corrente de base limita a
densidade de integrao
CMOS
nMOS e PMOS
Tenso aplicada a uma gate
isolada controla a corrente
entre a source e o drain
Baixa potncia permite um
elevado nvel de integrao
Famlias lgicas digitais
RTL: Resistor-Transistor Logic
DTL: Diode-Transistor Logic
TTL: Transistor-Transistor Logic
ECL: Emitter-coupled Logic
MOS: Metal-Oxide Semiconductor
CMOS: Complementary MOS
Baixa dissipao, actualmente a dominante
BiCMOS: Bipolar CMOS
CMOS e TTL para corrente/velocidade adicionais
GaAs: Gallium-Arsenide
No incio,
obsoleta
Operao rpida
Amplamente utilizada
compacta
Muito alta velocidade de operao
Caractersticas da Tecnologia CMOS
Menor consumo de potncia esttica
Maiores margens de rudo
Maior densidade de encapsulamento menor custo por disposistivo
Maior colheita com funes complexas integradas
Impedncia de entrada elevada (baixa corrente de controlo)
Tenso de limiar Scaleable
Atraso com elevada sensibilidade carga (limitaes de fan-out)
Corrente de sada pequena (problema quando controla cargas capacitivas)
Baixa transcondutncia, onde transcondutncia g
m
V
in
Capacidade bidireccional (permutao entre drain e source)
Prximo de um interruptor ideal
Vantagens do CMOS sobre bipolar
Outras vantagens do CMOS
Caractersticas da Tecnologia bipolar
Maior velocidade de comutao
Maior controlo de corrente por unidade de rea, maior ganho
Normalmente melhor performance de rudo e melhor caracterstica de frequncia
Melhor capacidade analgica
Melhor velocidade I/O (particularmente significativo devido ao aumento da
importncia do limite do encapsulamento em sistemas de alta velocidade)
Elevada dissipao de potncia
Menor impedncia de entrada (corrente de comando elevada)
Baixo swing lgico
Baixa densidade de encapsulamento
Atraso com pouca sensibilidade carga
Elevado g
m
(g
m
Vin)
Produto ganho-largura de banda (f
t
) elevado a baixas correntes
Essencialmente unidireccional
Vantagens do bipolar sobre CMOS
Outras caractesticas do
Bipolar
Tecnologia BiCMOS
Combina as duas tecnologias (Bipolar e CMOS)
tirando partido do ganho dos transstores bipolares e
do baixo consumo da tecnologia CMOS.
Espao fsico para layout optimizado comparado com
a tecnologia Bipolar.
I
B
, I
offset
e V
offset
optimizados
Processo de fabrico muito caro quando comparado
com a tecnologia Bipolar e CMOS.
Utilizando as vantagens do bipolar e do CMOS,
BiCMOS permite o desenvolvimento de circuitos VLSI
com uma elevada densidade velocidade-potncia, no
conseguida pelas tecnologias individualmente
Combinar de vantagens na tecnologia BiCMOS
O desenho utiliza portas CMOS combinadas com um andar
totem-pole quando se pretende controlar cargas com
capacidade elevada
Resultado dos benefcio da tecnologia BiCMOS sobre s
CMOS ou s Bipolar:
Aumento da velocidade relativamente tecnologia CMOS pura
Menor dissipao de potncia relativamente tecnologia bipolar pura
(facilitando os requisitos de encapsulamento e de board)
I/O flexvel (i.e, TTL, CMOS ou ECL) a tecnologia BiCMOS
apropriada para aplicaes intensas de I/O. possvel obter facilmente
nveis de entrada e sada ECL, TTL e CMOS sem problemas de velocidade
ou de interligao.
Melhor performance analgico
Imunidade ao latch-up
O inversor BiCMOS simplificado
Dois transstores bipolar (T3 and T4), um nMOS e um pMOS (ambos de, OFF-V
in
=0V)
Os interruptores MOS efectuam a funo lgica e os bipolares controlam a carga
V
out
V
dd
V
in
T
2
T
4
T
1
T
3
C
L
Vin = 0 :
T1 OFF -> Consequentemente T3 no conduz
T2 - ON -> fornece corrente base de T4
Tenso na base de T4 com o valor V
dd
.
T4 actua como fonte de corrente que carrega C
L
para V
dd
.
V
out
sobe para V
dd
- V
be (de T4)
Nota : V
be (de T4)
a tenso base-emissor de
T4.
(transstor bipolar de pullup desliga quando a
sada 5V - V
be (de T4)
)
Vin = V
dd
:
T2 OFF -> Consequentemente T4 no conduz.
T1 ON -> fornece corrente base de T3
T3 conduz e funciona com sorvedouro de corrente para
descarregar C
L
para 0V.
V
out
cai para 0V+ V
CEsat (de T3)
Nota : V
CEsat (de T3)
a tenso de saturao de T3
O inversor BiCMOS simplificado
T3 & T4 apresentam baixa impedncia quando so colocados na saturao e a carga
C
L
carregada e descarregada rapidamente
Os nveis lgicos de sada sero bons e prximo de rail-to-rail dado V
CEsat
que muito
pequeno e V
BE
0.7V. Desta forma, o inversor apresenta elevada margem para rudo
O inversor tem elevada impedncia de entrada, i.e., da gate MOS
O inversor tem baixa impedncia de sada
O inversor tem uma elevada capacidade de corrente e ocupa uma rea relativamente
pequena
Contudo, esta no uma boa topologia para implementar dado que no existe nenhum
caminho para a corrente da base dos dois transstores bipolares quando estes esto a
desligar, i.e.,
quando V
in
=V
dd
, T2 OFF e no
existe caminho para a base de T4
quando V
in
=0, T1 OFF e no
existe caminho para a base de T3
Isto reduz a velocidade de funcionamento do circuito
V
out
V
dd
V
in
T
2
T
4
T
1
T
3
C
L
O inversor BiCMOS convencional
Mais uma vez esta porta no permite funcionamento rail-to-rail. Assim, existe alguma
dissipao de potncia quando alimenta outro andar CMOS ou BiCMOS. A componente
de fuga pode ser reduzida atravs do controlo dos parmetros de dispositivo BiCMOS.
V
out
V
dd
V
in
T
2
T
4
T
1
T
3
C
L
T
6
T
5
Estruturas BiCMOS mais avanadas
Existem vrias estruturas de portas BiCMOS para ultrapassar as desvantagens da
porta BiCMOS convencional
Existem portas BiCMOS disponveis que permitem funcionamento rail-to-rail
Existem uma estrutura comum em todas as portas BiCMOS:
Todas elas se baseiam numa estrutura com MOSFET que controlam
transstores bipolares
A tecnologia BiCMOS tem a capacidade de fornecer potncia e densidade a
velocidades que antes ram do domnio do bipolar.
BiCMOS posiciona-se no mercado entre:
Muito alta velocidade, mas famintos por potncia, como o bipolar ECL
(Emitter Coupled Logic)
Muito alta densidade, CMOS velocidade mdia
Quando no h limite de potncia, a tecnologia bipolar optimizada para velocidade
ser sempre mais rpida do que a BiCMOS e deve ser utilizada
Contudo, quando existe limite de potncia, a habilidade de colocar a potncia onde
necessria, normalmente permite tecnologia BiCMOS uma velocidade superior
bipolar
A tecnologia BiCMOS torna o conceito SoC uma realidade
A maioria das gates em ROMs, ALUs, registos, no tm que controlar grandes
capacidades. Assim o uso de BiCMOS no daria vantagem de velocidade
Para tirar o mximo partido das tecnologias disponveis no silcio, poder ser
necessrio utilizar um mix de:
CMOS para lgica
BiCMOS para I/O e circuitos de drive
ECL para zonas crticas de alta velocidade
Estruturas BiCMOS mais avanadas
Comparao de famlias lgicas
e.g., 74BCT tem velocidade semelhante ao 74F mas com menor consume de potncia
Vantagens adicionais da tecnologia BiCMOS
Projecto de amplificadores analgicos mais fcil e melhorado
Os transstores CMOS de elevada impedncia de entrada podem ser utilizados nos
andares de entrada e os bipolares nos andares de sada
Geralmente, os dispositivos BiCMOS permitem uma elevada capacidade de corrente,
quando comparados com o CMOS convencional
A velocidade do MOS depende de parmetros tais como corrente de saturao e
capacidade, que por sua vez dependem da espessura do xido, dopagem do substrato e
largura do canal
Comparado com o CMOS, a velocidade do BiCMOS depende menos da carga
capacitiva, o que permite uma variedade de circuitos de I/O
[A velocidade de pico menos dependente da capacidade do circuito. Os parmetros que
determinam a velocidade do circuito bipolar so f
t
, Jk e Rb, que tambm dependem de
parmetros do processo como a largura da base, largura do emissor, epitaxial layer profile, ...]
Existem desvantagens na tecnologia BiCMOS?
Desvantagem principal : grande complexidade do processo, quando comparada com
CMOS
Resulta num aumento entre 1.25-1.4 no preo do die relativamente ao CMOS. Tendo
em considerao os custos de encapsulamento, o custo total de fabrico de um chip
CMOS anda por 1.1-1.3 vezes o do CMOS.
Contudo, como a complexidade CMOS aumentou, a diferena do custo entre as
mscaras CMOS e BiCMOS diminuiu. Consequentemente, tal como a dissipao de
potncia ditou a mudana de nMOS para CMOS no fim dos 70s, os requisitos de
velocidade ditaram uma mudana para BiCMOS em dispositivos VLSI que necessitam
de velocidade elevada
Os custos de investir em tecnologias CMOS cada vez menores (< 1 um) aumentam
exponencialmente, enquanto que a necessidade de low-power para sub-0.5 um CMOS
resulta na degradao de performance. Dado que o BiCMOS no precisa de ser
reduzido to agressivamente como o CMOS, podem-se utilizar as fabs existentes com
um custo reduzido. OS custos extra so absorvidos pela utilizao do equipamento e
salas limpas durante mais uma gerao tecnolgica.
Fabrico BiCMOS
Teoricamente existe pouca dificuldade em estender um processo CMOS para incluir
tambm transstores bipolares
De facto, um dos problemas do processamento com p-well e n-well o aparecimento
de transstores bipolares parasitas que se formam inadvertidamente no fabrico
A produo de transstores bipolares npn com boa performance pode ser conseguido
com a extenso do CMOS n-well standard para incluir mscaras adicionais para duas
novas camadas: n+ sub-colector e p+base
Transstor npn BiCMOS (orbit 2um CMOS)
Micromaquinagem do silcio
Tcnicas para:
moldar e/ou criar padres nos filmes finos que foram
depositados sobre um wafer de silcio
mudar a forma do wafer,
criar microestruturas 3D bsicas.
Tcnicas associadas com a micromaquinagem do
silcio:
deposio de filmes finos,
remoo de materiais e filmes finos recorrendo corroso
qumica,
remoo de materiais e filmes finos por corroso a seco (e.g,
corroso por plasma)
introduo de impurezas no silcio, modificando as suas
propriedades (i.e, doping).
Micromaquinagem
Um grande nmero de fenmenos fsicos tm
um especial significado escala do
micrmetro comparado com o dispositivo
macroscpico.
Micro-mecnica
partes mveis e engrenagens
Microfluidos
microcanais, microvlvulas
Micro-ptica
h partes mveis e engrenagens
Micromaquinagem
Micromaquinagem volmica - Bulk micromachining
Micromaquinagem superficial - Surface micromachining
Deep reactive ion etching (DRIE)
Outros materiais/processos
Volmica, Superficial, DRIE
Micromaquinagem volmica envolve a remoo de
material do prprio wafer de silcio
Tipicamente corroso a frio
Tradicionalmente na indstria MEMS
Desenhos artsticos, equipamento barato
Problemas com compatibilidade com IC
Micromaquinagem superficial deixa o wafer intacto
mas adiciona/remove camadas adicionais sobre a
superfcie do wafer
Tipicamente corroso com plasma
Filosofia de desenho semelhante do IC, equipamento
relativamente barato
Tambm se colocam questes com compatibilidade com IC
DRIE (Deep Reactive Ion Etch) remove substrato
mas assemelha-se micromaquinagem superficial
Micromaquinagem volmica
Muitos dos corrosivos lquidos apresentam
uma taxa de corroso diferente para
direces diferentes
<111> etch rate a mais lenta, <100> e <110>
mais rpida
Rpida:lenta pode ser mais de 400:1
KOH, EDP, TMAH so os corrosivos anisotrpicos
mais comuns para o silcio
Corrosivos isotrpicos do silcio
HNA (Hydrofluoric acid + Nitric acid + Acetic acid)
HF, cidos ntricos e actico
Duro de utilizar
XeF
2
, BrF
3
Corroso anisotrpica do silcio
A corroso anisotrpica tem taxas de corroso dependentes das
direces do cristal
Tipicamente, as taxas de corroso so mais lentas para direces
perpendiculares ao plano cristalinos com a maior densidade
Os corrosivos anisotrpicos tipicamente utilizados para o silcio
incluem o Hidrxido de potssio (KOH), o Tetramethyl Ammonium
Hydroxide (TMAH), e o Ethylene Diamine Pyrochatecol (EDP)
<111>
<100>
Substrato de silcio
54.7
Fotolitografia na micromaquinagem
Tcnica usada para definir a forma das
estruturas a micromaquinar
Uso da mesma tcnica que na indstria da
microelectrnica
Em alguns casos usa-se como mscara o
SiO
2
ou Si
3
N
4
em vez de photoresist
Fotolitografia na micromaquinagem
O photoresist removido deixando a camada de
xido com o padro pretendido
Filme finos (e.g, SiO
2
) depositados sobre um
substrato (e.g, wafer de Si)
O wafer revestido por um polmero que sensvel
luz ultravioleta, chamado photoresist
A luz ultravioleta passa atravs da mscara e corri o
photoresist
O padro da mscara transferido para a
camada do photoresist
luz ultravioleta
desgasta o
polmero
A luz ultravioleta compacta o polmero
O xido no protegido (pelo photoresist)
removido por um qumico
Corroso qumica
Quando o photoresist no suficientemente
resistente para suportar a corroso qumica
Um filme fino de material mais resistente (e.g,
xido ou nitreto) depositado e padronizado
usando fotolitografia.
O xido/nitreto ento actua como mscara quando
se d a corroso do material pretendido
Quando a corroso do material est completa o xido/nitreto que
serviu de mscara removido.
Corroso qumica em soluo aquosa
Remoo de materiais em soluo aquosa
qumica recorrendo a uma base ou cido forte.
Corroso isotrpica
a corroso processa-se em todas as direces
e mesma taxa
Corroso anisotrpica
A corroso processa-se a diferentes taxas de
corroso em diferentes direces. Permite a
obteno e controlo de vrias formas.
Alguns compostos qumicos corroem o silcio a
taxas diferentes, que dependem da
concentrao das impurezas no silcio.
Qumicos corrosivos
isotrpicos
Disponveis para xido,
nitreto, alumnio,
polisilcio, ouro, e silcio.
Ataca os materiais
mesma taxa em
todas as direces,
corroem debaixo da
mscara mesma
taxa que corroem ao
longo do material.
Na figura o photoresist preto, e o
substrato est representado a
amarelo.
Qumicos corrosivos
anisotrpicos
H vrios compostos
qumicos no mercado
disponveis para corroer os
diferentes planos do silcio a
diferentes taxas de corroso.
Hidrxido de potssio (KOH)
O mais popular e barato
Condies de segurana
mdias
Aberturas em V no silcio, inclinaes
segundo ngulos dependentes da
orientao cristalina do silcio.
Wafer com orientao cristalina [100]
d origem a inclinaes de 54,7
O uso de wafers com orientaes
cristalinas diferentes [110] produz
aberturas em V e inclinaes a 90 -
paredes verticais.
Corroso com KOH
Corri PR e alumnio instantaneamente
Mscaras:
SiO2
compressivo
SixNy
tenso
Parylene!
Au?
KOH em RF-chips e wafers [110]
xido e nitreto so pouco
corrodos em solues
aquosas de KOH.
xido pode ser usado para
mscara durante um curto
perodo de tempo (i.e, para
aberturas superficiais no
silcio)
Para longos perodos de
tempo, o nitreto a melhor
mscara porque corri
mais devagar em solues
aquosas de KOH.
Corroso dependente da
concentrao de
impurezas
Elevados nveis de boro
no silcio reduz
drasticamente a taxa de
corroso.
Elevada concentrao de
boro a dopar o silcio
provoca a paragem da
corroso.
Corroso qumica volmica em soluo
aquosa (Bulk silicon micromachining)
Bulk-silicon micromachining
KOH pode ser usado para obter estruturas com a forma de mesa (a).
Os cantos das estruturas em forma de mesa podem ser corrodos mais do
que o pretendido (b) obtendo-se cantos imperfeitos.
Este problema pode ser resolvido com estruturas de compensao. Tipicamente
a mscara de corroso desenhada de maneira a incluir estas estruturas nos
cantos. Estas estruturas de compensao so desenhadas de maneira a que a
mesa formada obtendo-se cantos a 90.
Diafragmas em silcio
com a espessura de 50
m podem ser obtidos
em wafers de Si com a
corroso por KOH.
A espessura
controlada pelo tempo
que demora a corroso,
portanto tem um
intervalo de incerteza
associado
Diafragmas mais finos, at 20 m de
espessura, podem ser produzidos usando a
dopagem por Boro para fazer parar a
corroso por KOH
A espessura do diafragma dependente da
profundidade qual o Boro difundido
dentro do silcio, neste processo o controlo
mais preciso que o simples controlo da
corroso por tempo.
O diafragma de silcio a estrutura bsica
dos sensores de presso.
Este micro-sensor de presso pode ser
adaptado com uma mesa sobre o diafragma
para servir de acelermetro.
Micro-espectrmetro Bulk-micromachined
sintonizvel para a luz visvel
Micromaquinagem de Ink Jet Nozzles
Microtechnology group, TU Berlin
Cavidades-micromaquinagem volmica
Corroso anisotrpica com KOH
Corroso com plasma isotrpico
Corroso isotrpica com BrF3 com
xido compressivo ainda visvel
Micromaquinagem volmica Sensor de presso
Corroso anisotrpica permite
maquinar o silcio com
elevada preciso
Silcio apresenta um elevado
efeito piezoresistivo
Estas propriedades,
combinadas com as
propriedades mecnicas
excepcionais e com um bom
desenvolvimento do processo
de fabrico, torna o silcio o
material ideal para sensores
de preciso
Sensores de presso e
acelermetros foram os
primeiros a serem
desenvolvidos
Chip do sensor de presso
Sensor de presso encapsulado
Micromaquinagem superficial
(surface micromachining)
As tcnicas de micromaquinagem superficial
constrem a estrutura em camadas de filmes finos
sobre o substrato de silcio ou outro substrato a servir
de base.
Tipicamente so empregues filmes de dois materiais
diferentes
O material da estrutura (quase sempre polisilcio)
O material de sacrifcio (xido).
Ambos os materiais so depositados e formatados.
No final o material de sacrifcio removido por corroso
qumica por soluo aquosa de maneira a obter-se a
estrutura pretendida.
Quanto maior o nmero de camadas, mais complexa a
estrutura e mais difcil se torna o seu fabrico.
Surface micromachining
Construo de uma prancha simples:
Uma camada de xido depositada na superfcie do wafer.
Uma camada de polisilcio depois depositada e padronizada
utilizando tcnicas de RIE.
O wafer atacado com um composto que corri a camada de
xido debaixo do polisilcio, libertando-o (b).
Porque o xido no foi todo removido, o polisilcio fica
ancorado ao wafer por uma pequena regio de xido.
Uma grande variedade de estruturas fechadas (quartos) podem ser
fabricadas na superfcie do wafer de silcio utilizando as tcnicas de
surface micromachining.
o volume do quarto definido pelo volume da camada de xido que
serve de camada sacrificial (a).
Uma camada de polisilcio ento depositada sobre a superfcie do
wafer. (b).
Uma janela aberta no polisilcio por RIE, e o wafer ento submerso
numa soluo aquosa de HF que remove todo o xido (c).
Surface micromachining permite o fabrico de estruturas complexas;
como micro-pinas e engrenagens
Micromaquinagem superficial
Deposio da camada de sacrifcio
Obteno de contactos
Deposio da camada estrutural Corroso da camada de sacrifcio
Materiais para micromaquinagem superficial
Estrutura/ sacrifcio/ corrosivo
Polisilcio/ Dixido de Silcio / HF
Dixido de Silcio / Polisilcio / XeF2
Alumnio/ photoresist/ plasma
Photoresist/ Alumnio / corroso de Al
Alumnio / SCS EDP, TMAH, XeF2
Poly-SiGe poly-SiGe gua DI
Gradientes de stress residual
Mais tenso no topo
Mais compressivo no topo
Medida certa!
Aps recozedura ~1000C durante
~60.
Gradientes de stress residual
Um mau dia!
Dobradias
Deposio da camada de sacrifcio
Deposio e padronizao da poly
Remover a camada de sacrifcio
Padronizar contactos
Depositar e padronizar 2 poly
Depositar e padronizar a 2
camada de sacrifcio
Corroso electroqumica do silcio
Tcnica electroqumica de passivao
Um wafer do tipo p dopado com impurezas do tipo
n usado
A dopagem realizada de forma a que se obtenha
uma juno pn
A juno vai determinar a estrutura pretendida.
Um potencial elctrico aplicado juno durante
o tempo que o wafer submerso na soluo
aquosa de KOH para se iniciar a corroso qumica.
Quando a corroso chega juno uma fina
camada de xido forma-se a qual protege esta
regio da corroso qumica.
Corroso electroqumica do silcio
muito similar dopagem com Boro para
parar a corroso qumica (corroso
dependente da concentrao de impurezas).
As estruturas produzidas so muito parecidas com
aquelas produzidas pela tcnica de paragem por
dopagem elevada com Boro.
A vantagem deste mtodo necessitar de baixas
concentraes de impurezas.
Este mtodo mais compatvel com o fabrico de
microelectrnica.
Corroso a seco
Reactive Ion Etching (RIE)
Os ies so acelerados contra um material, corroendo-o.
Aberturas profundas com diferentes formas e com
paredes verticais podem ser obtidas com esta tcnica
numa grande variedade de materiais incluindo o
silcio, xido e nitrato.
Ao contrrio da corroso qumica aquosa
anisotrpica, RIE no afectado pela orientao
cristalina do silcio.
DRIE
Geometrias sem restrio
Paredes a 90
Elevada relao de aspecto 1:30
Mscara fcil (PR, SiO2)
Receita do processo depende
da geometria
Estruturas DRIE
Actuador electroesttico 2DoF
Actuador trmico
Actuador em Comb-drive
LIGA
LIGA um acrnimo do nome em alemo para o
processo (Lithographie - litografia, Galvanoformung -
electroformao, Abformung-moldagem).
LIGA usa litografia, cromagem, e moldagem para
fabricar as micro-estruturas.
capaz de criar com elevada resoluo, estruturas muito
finas com alturas de 1 mm ou mais (pilares ou colunas).
Processo LIGA
Usando raios-X (litografia de
raios-X) produzem-se padres em
filmes de photoresist muito
espessos:
Os raios-X (precisa-se de uma fonte
de raios-X suave, synchrotron)
passam atravs de uma mscara
especial e de uma camada espessa
de photoresist que cobre o substrato.
Este photoresist ento revelado (b).
Processo LIGA
O padro formado
ento metalizado. (c).
Esta estrutura em metal
costuma ser o produto
final, contudo comum
produzir um molde de
metal (d).
Este molde pode ento
ser enchido com outro
material como por ex:
plstico (e) para produzir
o produto final neste
material (f).
O uso do synchrotron torna o processo LIGA
muito caro
Alternativas tm sido desenvolvidas
Um feixe de electres colimado pode ser usado
para fabricar estruturas na ordem dos 100 m
de altura.
Laser capaz de definir estruturas at vrias
centenas de micrmetros de altura.
LIGA
Tcnicas de wafer bonding
Usam-se tcnicas de colagem e adeso para wafers
e/ou dies:
entre wafers micromaquinados e pequenos dies,
entre dies e substratos,
para formar dispositivos complexos com maior quantidade
de elementos.
muito usado em Multi-Chip-Module, combinando circuitos,
sensores e actuadores num mesmo substrato ou die.

Comparação CMOS TTL Pag 2 A 6 Portugal 2006

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