ESCUELA SUPERIOR POLITCNICA DE CHIMBORAZO

FACULTAD DE MECANICA

ESCUELA DE INGENIERA AUTOMOTRIZ

ELECTRONICA BASICA

CONSULTA:
DIODO ZENER, LED,FOTODIODO,FOTODIODO AVALANCHA, CELDA
SOLAR
NOMBRE :

FLORENCIO ALVARADO
1151


Diodo Zener

El diodo Zener es un diodo de cromo
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que se ha construido para que funcione en las zonas de
rupturas, recibe ese nombre por su inventor, el Dr.Clarence Melvin Zener. El diodo Zener es la
parte esencial de los reguladores de tensin casi constantes con independencia de que se
presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la resistencia de carga y temperatura.
Son mal llamados a veces diodos de avalancha, pues presentan comportamientos similares a
estos, pero los mecanismos involucrados son diferentes.
Caractersticas
Si a un diodo Zener se le aplica una corriente elctrica del nodo al ctodo (polarizacin directa)
toma las caractersticas de un diodo rectificador bsico, pero si se le suministra corriente
elctrica de ctodo a nodo (polarizacin inversa), el diodo solo dejara pasar un voltaje constante.
En conclusin: el diodo Zener debe ser polarizado al revs para que adopte su caracterstica de
regulador de tensin.
Su smbolo es como el de un diodo normal pero tiene dos terminales a los lados. Este diodo se
comporta como un diodo convencional en condiciones de alta corriente porque cuando recibe
demasiada corriente se quema.
Diodo Zener

Pequeo diodo Zener
Tipo Semiconductor
Smbolo electrnico

Configuracin nodo y Ctodo (se polariza inversamente, con
respecto al diodo convencional)

Led
Los ledes se usan como indicadores en muchos dispositivos y en iluminacin. Los primeros ledes
emitan luz roja de baja intensidad, pero los dispositivos actuales emiten luz de alto brillo en
elespectro infrarrojo, visible y ultravioleta.
Debido a sus altas frecuencias de operacin son tambin tiles en tecnologas avanzadas de
comunicaciones. Los ledes infrarrojos tambin se usan en unidades de control remoto de muchos
productos comerciales incluyendo televisores e infinidad de aplicaciones de hogar y consumo
domstico.
Formas de determinar la polaridad de un LED de insercin [editar]
Existen tres formas principales de conocer la polaridad de un led:
1. La pata ms larga siempre va a ser el nodo
2. En el lado del ctodo, la base del led tiene un borde plano
3. Dentro del led, la plaqueta indica el nodo. Se puede reconocer porque es ms pequea
que el yunque, que indica el ctodo
Funcionamiento [editar]
Cuando un led se encuentra en polarizacin directa, los electrones pueden recombinarse con
los huecos en el dispositivo, liberando energa en forma de fotones. Este efecto es
llamado electroluminiscencia y el color de la luz (correspondiente a la energa del fotn) se
determina a partir de la banda de energa del semiconductor. Por lo general, el rea de un led es
muy pequea (menor a 1 mm
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), y se pueden usar componentes pticos integrados para formar su
patrn de radiacin.

Fotodiodo
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz
visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que
se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su
construccin, los fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz
exterior generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo.
Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.
Principio de operacin
Un fotodiodo es una unin PN o estructura P-I-N. Cuando un haz de luz de suficiente energa
incide en el diodo, excita un electrn dndole movimiento y crea un hueco con carga positiva. Si la
absorcin ocurre en la zona de agotamiento de la unin, o a una distancia de difusin de l, estos
portadores son retirados de la unin por el campo de la zona de agotamiento, produciendo una
fotocorriente.
Los diodos tienen un sentido normal de circulacin de corriente, que se llama polarizacin directa.
En ese sentido el diodo deja pasar la corriente elctrica y prcticamente no lo permite en el
inverso. En el fotodiodo la corriente (que vara con los cambios de la luz) es la que circula en
sentido inverso al permitido por la juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo
es polarizado de manera inversa. Se producir un aumento de la circulacin de corriente cuando el
diodo es excitado por la luz.
Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero trabajan con voltajes inversos
mayores. Esto permite a los portadores de carga fotogenerados ser multiplicados en la zona de
avalancha del diodo, resultando en una ganancia interna, que incrementa la respuesta del
dispositivo.
Composicin
El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para definir sus
propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de
hasta 1m); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 m ); o de cualquier
otro material semiconductor.
Uso
A diferencia del LDR , el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminacin y
viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta
ms pequeo.
Se usa en los lectores de CD, recuperando la informacin grabada en el surco del Cd
transformando la luz del haz lser reflejada en el mismo en impulsos elctricos para ser
procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados.
Usados en fibra ptica




Fotodiodo

Fotodiodos.
Tipo Semiconductor
Principio de
funcionamiento
Efecto fotoelctrico
Smbolo electrnico

Configuracin nodo y Ctodo



Fotodiodo de avalancha
Los fotodiodos de avalancha (APDs) son fotodetectores que se pueden considerar como el
equivalente semiconductor de los fotomultiplicadores. Aplicando un alto voltaje en inversa (tpicamente
100-200 V en silicio), los APD muestran un efecto interno de ganancia de corriente (aproximadamente
100) debido a la ionizacin de impacto (Efecto avalancha). Sin embargo, algunos APD de silicio
emplean un dopaje alternativo y otras tcnicas que permiten aplicar un voltaje mayor (> 1500 V) antes
de alcanzar el efecto de avalancha y, por tanto, una ganancia mayor (> 1000). En general, cuanto mayor
es el voltaje en inversa, mayor es la ganancia. Entre las distintas expresiones para el factor de
multiplicacin de los APD (M), una expresin instructiva viene dada por la frmula

donde L es el lmite del espacio de carga para los electrones y es el coeficiente de multiplicacin
de los electrones (y agujeros). Este coeficiente tiene una fuerte dependencia de la intensidad del
campo elctrico aplicado, de la temperatura, y del perfil de dopaje. Puesto que la ganancia de los
APD vara fuertemente con la tensin en inversa aplicada y con la temperatura, es necesario
controlar esta tensin en inversa para obtener un valor estable de ganancia. Los fotodiodos de
avalancha son, por lo tanto, ms sensibles que otros fotodiodos semiconductores.
Si se requiere una ganancia muy alta (de 10
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a 10
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), algunos APDs pueden operar con una tensin
en inversa por encima de la tensin de ruptura. En este caso, el APD necesita tener la corriente
limitada y disminuida rpidamente. Se han utilizado tcnicas activas y pasivas de control de
intensidad con este propsito. Los APD que operan en este rgimen de ganancia estn en modo
Geiger. Este modo es particularmente til para la deteccin de fotones aislados suponiendo que la
corriente de oscuridad sea lo suficientemente baja. Formando una matriz con centenares o miles de
APDs se construye un fotomultiplicador de silicio.
Una aplicacin tpica de los APD es el telmetro laser y la telecomunicacin de larga distancia
por fibra ptica. Nuevas aplicaciones incluyen la tomografa por emisin de positrones, la fsica de
partculas [1] y la fsica de astropartculas. Los arrays de APD estn empezando a estar disponibles
comercialmente.
La utilidad y aplicabilidad de los APD depende de muchos parmetros. Algunos de los ms
importantes son: eficiencia cuntica, que es un indicador de cunto son absorbidos los fotones
incidentes y usados para generar portadoras de carga primarias, la corriente total de fugas, que es
la suma de la corriente de oscuridad, fotocorriente y ruido de oscuridad. Las componentes del ruido
de oscuridad electrnico estn en serie y en paralelo. El ruido en serie, que es el efecto del ruido de
disparo, es proporcional a la capacitancia del APD, mientras que el ruido en paralelo se asocia con
las fluctuaciones de la corriente de superficie. Otra fuente de ruido es el exceso del factor de
ruido (F). Describe el ruido estadsticamente inherente al proceso de multiplicacin estocstico del
APD.
Materiales [editar]
En principio cualquier material semiconductor se puede usar como regin de multiplicacin:
El silicio detecta espectro visible e infrarrojo cercano, con un ruido de multiplicacin bajo.
El germanio (Ge) detecta infrarrojo hasta una longitud de onda de 1.7 m, pero tiene un ruido
de multiplicacin alto.
InGaAs detecta hasta 1.6 m, y tiene un ruido de multiplicacin menor que el germanio. Se usa
normalmente como regin multiplicadora de un diodo de heterounin. Este material conductor
es compatible con telecomunicaciones por fibra ptica de larga distancia. Existen aparatos
comerciales con velocidades de 10 Gbit/s.
Los diodos basados en nitrito de galio se han usado para operar con luz ultravioleta.
Los diodos basados en HgCdTe operan en el infrarrojo, tpicamente hasta una longitud de
onda mxima de 14 m, pero necesitan refrigeracin para reducir la corriente de oscuridad.
Con este material se puede conseguir un ruido muy bajo.
Ruido de multiplicacin [editar]
Como se ha comentado arriba, existe un ruido debido al proceso de multiplicacin con una
ganancia , y se denota por . Puede expresarse como:

donde es la relacin entre la velocidad de ionizacin por impacto de los agujeros respecto a
la de los electrones. Es deseable tener una gran asimetra estos dos factores, con el propsito
de minimizar , ya que es uno de los factores principales que limita la
resolucin de energa que puede obtenerse.

Celda Solar Graetzel

La celda solar Graetzel tambin conocida como clula solar sensibilizada por
colorante produce electricidad mediante un principio foto-electro-qumico, cambiando la energa
luminosa en energa elctrica. Se trata de una aplicacin de la Binica, cuya funcin tambin se
denominacelda electroqumica de color.
Construccin
La celda fue inventada por Michael Grtzel en 1991 (EPFL, Lausana, Suiza), pudiendo ser construida
con materiales de bajo costo y con un proceso de fabricacin extremadamente simple. La estructura de
la celda consiste de dos electrodos planos (electrodo compuesto y simple) y un tinte que genera
electrones al contacto con la luz. El electrodo simple es bsicamente un vidrio elctricamente conductor.
El electrodo compuesto est construido de nanocristales de dixido de titanio (nc-TiO2) depositado en
vidrio conductor. El valor tpico de la distancia entre los electrones es de 20 - 40 m. Ambos electrodos
constan de una superficie interna elctricamente conductora (ej. FTO - Fluorine doped
TinOxide;F:SnO2), cuyo espesor tpico es de 0,5 m.
Principio
La luz solar pasa a travs del electrodo simple, y el tinte impregnado en el electrodo compuesto absorbe
la luz. Cuando una molcula del tinte absorbe la luz, un electrn pasa a tener un estado excitado y
puede saltar desde el tinte a la banda de conduccin del TiO2. En el electrodo compuesto, el electrn se
difunde desde el TiO2 hacia el vidrio conductor. Desde all, el electrn es llevado mediante un cable
conductor hacia el electrodo simple.
Despus de haber perdido un electrn la molcula del tinte se encuentra oxidada, es decir, tiene un
electrn menos que antes. La molcula del tinte recupera su estado inicial cuando el electrn es
reinyectado a travs del electrodo simple. De esta manera el proceso se transforma en un ciclo que
genera una corriente elctrica.