RADIAO SOLAR

e
CONVERSO
FOTOVOLTAICA DA
ENERGIA SOLAR
Apostila editada a partir de textos de trabalhos, teses e
dissertaes do Grupo de Energia Solar da UFRGS.
Porto Alegre, 2010.
Organizadores:
Arno Krenzinger
Cesar Wilhelm Massem Prieb
Fabiano Perin Gasparin
Rafael Haag

Com a colaborao do texto de:
Airton Cabral De Andrade. J ean Marc Stephane Lafay
Aryston Luis Perin. Mrio Henrique Macagnan
Daniel Sampaio Figueira. Oscar Daniel Corbella
Felipe Barin Pozzebon. Paulo Otto Beyer
Fernando Luis Treis Roberto Zilles
J ean De Dieu Minsongui Mveh

1.1



1. Radiao Solar

1.1 O Sol

O Sol a principal fonte de energia para o nosso planeta. Quase toda a
energia disponvel na Terra provm do Sol. O Sol basicamente uma enorme esfera de
gs incandescente, em cujo ncleo acontece a gerao de energia atravs de reaes
termonucleares. Sua estrutura, apesar da complexidade, pode ser considerada como
composta pelas principais regies: o ncleo, zona radiativa, zona convectiva, fotosfera,
cromosfera e coroa (ou s vezes chamada de corona), como mostrado na Figura 1.1.







Figura 1.1: Estrutura do Sol.

O ncleo, com temperatura de cerca de 10 milhes de graus kelvin, a regio
mais densa e onde a energia produzida por reaes termonucleares. Logo acima se
1.2

encontra a zona radiativa, onde a energia produzida no ncleo transferida para as
regies superiores atravs da radiao.
A zona convectiva, possui este nome em funo dos processos de conveco que
dominam o transporte de energia das regies mais internas do Sol para a superfcie
solar.
A fotosfera, primeira regio da atmosfera solar, com 330 km de espessura e
temperatura de 800 K, a camada visvel da nossa estrela mais prxima. Esta zona tem
a aparncia da superfcie de um lquido em ebulio, repleta de bolhas, que so
chamadas de grnulos fotosfricos. Estes grnulos tm em torno de 1500 km de
dimetro e duram cerca de 10 minutos cada. Estas zonas granulares representam os
processos convectivos do gs quente, que emerge da camada convectiva para a
fotosfera. As regies mais escuras entre os grnulos so zonas onde o gs mais frio e
mais denso escorre novamente para o interior do Sol. A fotosfera a fonte da maior
parte da radiao visvel que emitida pelo Sol. Um dos fenmenos fotosfrico mais
notvel o das manchas solares, que so regies mais frias que a fotosfera solar,
possuindo uma temperatura de cerca de 3800 K na regio central chamada de umbra e
pouco mais elevada na parte perifrica denominada de penumbra. As manchas solares
so indicadoras da intensa atividade magntica presente no Sol e seguem um ciclo de
onze anos em que o nmero de manchas varia entre mximos e mnimos. Este ciclo
provoca alteraes na radiao emitida pelo Sol e tambm apresenta conseqncias no
nosso planeta, alterando o comportamento da atmosfera terrestre.
A cromosfera do Sol normalmente no visvel, porque sua radiao muito
mais fraca do que a da fotosfera. A temperatura na cromosfera varia de 4300 K na sua
base a mais de 40000 K a 2500 km de altura. Durante um eclipse solar, quando a Lua
esconde o disco da fotosfera, a cromosfera pode ser observada por alguns instantes e
apresenta-se com uma colorao avermelhada. Isto devido ao fato que o espectro da
cromosfera constitudo de linhas de emisso brilhantes, originadas por gases a alta
temperatura que compe a cromosfera. Uma das linhas de emisso mais brilhantes
conhecida como linha de Balmer H, no comprimento de 656,3 nm, que no espectro
solar normal aparece como uma linha de absoro. Na cromosfera se observa tambm
estruturas chamadas de espculas, que so jatos de gs que se elevam at 10 mil km
acima da borda da cromosfera, e duram apenas poucos minutos. Observadas durante um
eclipse, aparecem como pequenas nuvens vermelhas na atmosfera solar.
1.3

A camada mais externa e rarefeita da atmosfera solar chamada de coroa.
Apesar do brilho da coroa solar ser equivalente ao da lua cheia, ela somente
visualizada na ocorrncia de um eclipse em virtude do alto brilho da fotosfera.
O espectro emitido pela coroa solar mostra linhas muito brilhantes, produzidas
por tomos de ferro, nquel, nenio e clcio altamente ionizados. Estes elementos
tornam-se ionizados devido alta temperatura presente nesta regio do Sol, que pode
atingir mais de 1 milho de graus kelvin. Acredita-se que esta elevada temperatura tem
origem no transporte de energia por correntes eltricas induzidas atravs de campos
magnticos variveis. nesta regio que emana o vento solar, um fluxo contnuo de
partculas carregadas que liberado pela atmosfera solar e que durante perodos de
intensa atividade do Sol atinge a alta atmosfera terrestre provocando o surgimento das
auroras polares, fenmenos luminosos e excitao e desexcitao dos tomos de
oxignio.
Em funo dos gradientes de temperatura encontrados na atmosfera solar e a
presena de vrias linhas de emisso e absoro, pode-se apenas aproximar o
comportamento da radiao emitida pelo Sol ao de um corpo negro de temperatura
prxima de 5800 K. A partir da potncia (energia/tempo) recebida no topo da atmosfera
terrestre, que prxima de 1400 W/m
2
, determina-se a luminosidade do Sol por unidade
de rea em 4 x 10
26
watts. Este valor equivalente a mais de 10 milhes de vezes a
produo anual de petrleo da Terra. Anteriormente, acreditava-se que a energia do Sol
era originada na combusto, mas foi apenas em 1937 que o fsico Hans Albrecht Bethe
props a teoria que aceita atualmente. Segundo ela, a energia liberada em reaes
termonucleares, onde quatro prtons so fundidos em um ncleo de hlio, com a
liberao de energia. O Sol tem reserva de hidrognio suficiente para alimentar essas
reaes nucleares por mais 5 bilhes de anos. As principais caractersticas do Sol esto
descritas na Tabela 1.1:

Tabela 1.1: Principais caractersticas do Sol
Massa 1,989 x 10
30
kg
Raio 696.000 km
Densidade mdia 1409 kg m
-3

Densidade central 1,6 10
5
kg m
-3

Distncia 1 UA ou 1,499 10
8
km
Luminosidade 3,83 10
33
ergs/s
1.4

Temperatura efetiva 5785 K
Temperatura central 1 x 10
7
K
Composio qumica principal Hidrognio =92%
Hlio =7,8%
Oxignio =0,061%
Carbono =0,039%
Nitrognio =0,0084%
Perodo rotacional no equador 25 dias
Perodo rotacional na latitude 60 29 dias


1.2 Geometria Sol-Terra

A relao Sol-Terra mostrada esquematicamente na Figura 1.2.


Figura 1.2: Relao entre Sol e Terra.

A Terra gira ao redor do Sol descrevendo uma rbita elptica na qual o Sol ocupa
um dos focos, tal como se v na Figura 1.3. Como a excentricidade da elipse muito
pequena, a posio do Sol praticamente o centro de um crculo e a rbita quase
circular.
1.5

O plano que contm esta rbita chamado eclptica e o tempo que a Terra tarda
em percorr-la um ano. A excentricidade desta rbita tal que a distncia entre o Sol e
a Terra varia 1,7%. Esta excentricidade pode ser calculada da seguinte maneira:

E sen sen
o
= + + + + 100011 0 034221 0 00128 0 000719 2 0 000077 2 , , cos , , cos ,
(1.1)

onde E
o
chamado fator de correo da excentricidade da rbita terrestre. Nesta
equao , em radianos, chamado ngulo do dia e representado por:

= 2 1 365 ( ) / d
n
(1.2)

onde d
n
o nmero do dia do ano no calendrio J uliano, variando de 1 (1 de janeiro)
at 365 (31 de dezembro). Outra equao mais simples dada da seguinte maneira:

( ) [ ] Eo dn = + 1 0033 2 365 , cos / (1.3)

A Equao 1.3, apesar da sua simplicidade, pode ser utilizada na maioria das
aplicaes de engenharia.



Figura 1.3: Movimento da Terra ao redor do Sol.

1.6

A uma distncia de uma unidade astronmica (UA), que a distncia mdia
entre o Sol e a Terra e que equivale a 1 UA=1,49x10
8
km, o Sol subentende um ngulo
de 32'.
A Terra, por sua vez, gira ao redor de um eixo central, chamado eixo polar,
completando uma volta por dia (sucesso dia-noite). Este eixo gira ao redor da normal
ao plano da eclptica com um ngulo constante e igual a 23,45, conforme pode ser
observado na Figura 1.4.

(a)

(b)

Figura 1.4: (a) Rotao da Terra em torno de seu eixo polar. A linha vertical perpendicular ao
plano da eclptica. (b) Considerando a Terra como referncia, observa-se a inclinao entre o
plano da eclptica (caminho do Sol) e o equador como constante.

Desta forma, e de acordo com as Figuras 1.5 e 1.6, o ngulo formado entre o
plano equatorial e a linha que une os centros da Terra e do Sol muda continuamente
(sucesso das estaes do ano). Este ngulo conhecido como declinao solar, , e
pode ser estimado pela seguinte equao, com um erro inferior a 3':

= +
+ +
0 006918 0 399912 0070257 0 006758 2
0 000907 2 0 002697 3 0 00148 3
, , cos . , cos
, , cos ,


sen
sen sen
(1.4)
sendo dado em radianos. Este ngulo vale zero nos equincios de primavera e outono,
23,45 no solstcio de inverno e -23,45 no solstcio de vero.

1.7


Figura 1.5: Posies da Terra em torno do Sol ao longo do ano. Para uma melhor visualizao
as relaes de tamanho entre o Sol e a Terra esto fora de escala.


(a) (b) (c)
Figura 1.6: Movimento da Terra ao redor de seu eixo: (a) J ulho vero no hemisfrio Norte e
inverno no hemisfrio Sul, (b) Maro ou Setembro, (c) Dezembro vero no hemisfro Sul e
inverno no hemisfrio Norte.

Durante um dia (24h) a variao mxima da declinao (que acontece nos
equincios) menor que 0,5 podendo-se considerar, portanto, como constante ao longo
do dia.
Esta expresso, da mesma forma que a Equao 1.1, leva em conta que a
velocidade angular da Terra no seu passo sobre a eclptica , de acordo com a lei de
Kepler, varivel. Isto , os planetas percorrem reas iguais em tempos iguais. Para a
maioria das aplicaes de engenharia, a aproximao de que a Terra gira ao redor do Sol
numa rbita circular e com velocidade constante suficiente. Desta forma, a declinao
1.8

solar pode ser determinada pela seguinte expresso (este mesmo raciocnio produziu a
Equao 1.3):

( ) = +

2345
360
365
284 , sen , d
n
em graus (1.5)

1.2.1 Hora solar

A hora solar o tempo especificado em todas as relaes envolvendo a posio
do Sol em um determinado momento. Est baseado no movimento angular aparente do
Sol atravs do cu, onde o meio dia solar a hora em que o Sol cruza o meridiano do
observador.
A hora solar no coincide com a hora oficial do lugar (hora do relgio). Para
calcul-la necessrio aplicar dois fatores de correo: o primeiro um fator constante
que considera a diferena de longitude entre o meridiano do observador e o meridiano
no qual a hora oficial est baseada e considerando que o Sol leva quatro minutos para
cruzar 1 de longitude. O segundo fator de correo chamado equao do tempo, o
qual considera a perturbao na taxa de rotao da Terra, a qual afeta o tempo que o Sol
cruza o meridiano do observador.
A hora solar (tambm chamada tempo solar verdadeiro) est relacionada com a
hora oficial da seguinte maneira:

( ) TSV TO L L E
st loc t
= + + 4 (1.6)

onde TO a hora oficial, L
st
a longitude padro,

L
loc
a longitude local e E
t
a
equao do tempo. Deve ser notado que a correo de longitude positiva se a
longitude local est leste da longitude padro e negativa se est oeste.
A equao do tempo, E
t
, mostrada na Figura 1.7 e calculada pela seguinte
equao:

E sen
sen
t
= +

( , , cos , , cos
, )( , )
0 000075 0 001868 0 032077 0 014615 2
0 04089 2 22918

(1.7)

1.9

Nesta equao, o termo entre parnteses da esquerda representa a equao do
tempo e o termo multiplicador da direita a converso para minutos.

1.2.2 Posio do Sol em relao a uma superfcie horizontal

Uma forma de representao clssica do cu consiste em imaginar uma esfera
com a Terra fixa no seu centro, tal como se mostrou na Figura 1.4(b).
Esta esfera chamada esfera celeste e cada um de seus pontos representa uma
direo do cu vista desde a Terra. A interseco desta esfera com o plano do equador
terrestre define o equador celeste e os pontos de interseco com os eixos polares
definem os plos celestes.


Figura 1.7: Variao anual do valor da equao do tempo.

O movimento da Terra ao redor do Sol pode ser descrito, desta maneira, como o
movimento do Sol ao redor da Terra seguindo o maior crculo que forma um ngulo de
23,45 com o equador celeste (a eclptica). Desta forma, o Sol descreve diariamente e
ao redor da Terra, um crculo cujo dimetro varia dia a dia, sendo mximo nos
equincios e mnimos nos solstcios, de acordo com a representao da Figura 1.8.
Para calcular a radiao solar que atinge uma superfcie horizontal na Terra,
necessrio estabelecer algumas relaes geomtricas entre a posio do Sol no cu e as
1.10

coordenadas desta superfcie na Terra. Para isto, utilizaremos a Figura 1.8 como
referncia.
A vertical (normal) de um lugar (observador) na Terra intersecta a esfera celeste
em dois pontos, chamados znite e nadir. O ngulo que forma esta reta com o plano do
equador celeste chamado latitude geogrfica, , sendo positiva ao norte e negativa ao
sul deste plano.
O horizonte do observador o crculo mximo na esfera celeste cujo plano passa
atravs do centro da Terra, normal a uma linha unindo o centro da Terra e o znite. O
ngulo de znite, referido como
z
a partir de agora, o ngulo entre o znite local e a
linha que une o observador e o Sol. A altitude solar, , (tambm chamada elevao
solar) a altura angular do Sol acima do horizonte celeste do observador. Este ngulo
nada mais que o complemento do ngulo de znite.
O ngulo de azimute solar,
s
, o ngulo (no znite local) entre o plano do
meridiano do observador e o plano do crculo mximo que passa atravs do znite e o
Sol. Este ngulo positivo oeste e negativo leste (sul igual a zero), variando assim
entre 0 e 180.

1.11

Figura 1.8. Caminho do Sol atravs do cu, visto por um observador no ponto de interseco
dos eixos.





Figura 1.9: Esfera celeste e coordenadas do Sol relativas a um observador na Terra, no ponto O.


O ngulo horrio, , o ngulo (medido no plo celeste) entre o meridiano do
observador e o meridiano do Sol, valendo 0 ao meio-dia (TSV) e desde a, muda 15
por hora.
Para uma dada posio geogrfica e na ausncia de uma atmosfera refrativa, as
relaes geomtricas entre o Sol e uma superfcie horizontal so as seguintes:

sin cos cos cos sin sin cos = + =
z
(1.8)

cos cos
sin sin sin
cos

=
s
(1.9)

1.12

onde
z
o ngulo de znite, em graus; a altitude solar (=90-
z)
; o ngulo
horrio, meio-dia igual a zero e manhs negativo;
s
o ngulo de azimute solar, sul
zero e leste negativo e a declinao solar, positiva ao norte, em graus.
Estes ngulos podem ser visualizados de uma forma mais simples na Figura
1.10.



Figura 1.10: Definio dos ngulos de znite
z
e azimute
s
. DAN o desvio azimutal do
Norte, um ngulo azimutal com referncia no Norte em vez do Sul.


Para encontrar
s
, o ngulo de nascimento do Sol, basta resolver a Equao 1.8
para
z
=0. Desta maneira:

cos cos
sin sin
cos

=
s
(1.10a)

1.13

( )
tan tan cos
1
=

s
(1.10b)

Deve-se notar que o ngulo de nascimento do Sol igual ao ngulo do pr-do-
sol, excetuando-se o sinal. O nmero de horas de sol do dia, N
d
, igual a 2
s
e das
Equaes 1.10a e 1.10b, obtemos:

( ) N
d
=

2
15
1
cos tan tan (1.11)

1.3 A constante solar e a distribuio espectral da radiao
extraterrestre

A intensidade e a variao da energia irradiada pelo Sol produzem efeitos diretos
e indiretos sobre vrios processos atmosfricos e biolgicos no nosso planeta. Em todas
as aplicaes onde est envolvida a energia proveniente do Sol, o conhecimento sobre
as caractersticas espectrais da radiao solar extraterrestre de vital importncia.
Os primeiros detalhes sobre o espectro solar foram descritos por J oseph Von
Fraunhofer em 1814. Fraunhofer identificou 574 linhas de absoro no espectro solar e
considerado o pioneiro na espectrometria estelar. Samuel Pierpot Langley tambm
desempenhou um importante papel na identificao do espectro solar. Durante trs
dcadas Langley dedicou-se ao estudo da radiao solar e no inicio do sculo XX
publicou os primeiros dados precisos sobre a distribuio espectral da radiao solar
entre 300 e 5300 nm, sendo capaz de determinar a posio espectral e a intensidade
relativa de mais de 700 linhas do espectro solar. As medidas realizadas por Langley
eram efetuadas em locais elevados, na tentativa de minimizar os efeitos causados pela
atmosfera terrestre. Somente no incio dos anos setenta foram obtidas as primeiras
medidas com uso de foguetes, permitindo eliminar grande parte da impreciso gerada
pela interferncia atmosfrica. Em anos recentes, satlites equipados com instrumentos
extremamente sensveis e estveis, posicionados em rbitas alm da atmosfera terrestre,
revelaram o comportamento da emisso solar em regies do espectro que at ento no
haviam sido medidas na superfcie do planeta em funo da opacidade da atmosfera.
Tambm foi constatado aps poucas dcadas de constante monitoramento a bordo de
vrios satlites que o termo constante solar, S
C
(W m
-2
), deveria ser revisto, pois a
1.14

emisso solar eletromagntica possua variaes ao longo do tempo. Este termo era
adotado para a denominao da radiao solar incidente em um plano perpendicular ao
feixe solar a uma distncia de uma unidade astronmica (1 UA =149 x 10
6
km) do Sol.
A determinao da constante solar e suas possveis variaes teve um
interesse considervel no inicio do sculo vinte e motivaram o trabalho de pioneiros no
campo da radiao solar como Langley e Abbott. Atualmente o termo constante solar
melhor definido por irradincia solar extraterrestre total (W m
-2
) abreviada na
literatura por TSI (do ingls Total Solar Irradiance). A palavra constante solar deve
referir-se apenas ao valor mdio ao longo de vrios anos da TSI. Na Figura 1.11
observado a variao da TSI durante um perodo de aproximadamente 30 anos medida
atravs de vrios instrumentos a bordo de satlites. Observa-se a correlao entre a
variao do nmero de manchas solares e o valor da TSI.

Figura 1.11: Irradincia solar extraterrestre total (TSI) medida atravs de vrios instrumentos no
espao durante aproximadamente 30 anos (1980-2009). O nmero mdio de manchas solares
mostrado na parte inferior do grfico.

O valor da TSI influenciado diretamente pelo ciclo solar de 11 anos. Quando
um novo ciclo solar iniciado e a atividade solar aumenta, a TSI sofre grandes
1.15

alteraes. Manchas solares tendem a reduzir o valor da TSI, enquanto outros
fenmenos na atmosfera solar como fulguraes e fculas provocam um aumento no seu
valor. A variao da TSI tambm acompanha o perodo de rotao solar mdio de 27
dias. Usando os valores suavisados pelo perodo de 27 dias, obtido um valor mdio
de 1366,1 W m
-2
e uma variao mdia de 1,1 W m
-2
, ou seja, 0,08% em relao ao
valor mdio. Esta intensidade est de acordo com o valor da constante solar que foi
padronizada pela ASTM (American Society for Testing and Materials) igual a 1366,1
W m m
-2
e apenas 0,9 W m
-2
menor que o valor de 1367 W m
-2
recomendado pela
Organizao Meteorolgica Mundial (WMO) em 1981.
Estudos tericos e experimentais revelam que a maior variao da radiao
solar ocorre no segmento extremo do ultravioleta (abaixo de 200 nm). A variabilidade
nesta parte do espectro eletromagntico aumenta consideravelmente com a reduo do
comprimento de onda, ao ponto onde a relao entre o mximo e mnimo da irradincia
solar atinge um fator de 100 em 0,5 nm. Na regio de maior interesse para estudos na
rea de energia que compreende o segmento do ultravioleta at o infravermelho
prximo (300-4000 nm), a variabilidade da irradincia solar total em condies de fraca
atividade solar possui uma amplitude muito pequena (0,1%). Esta variao da ordem
da preciso dos instrumentos utilizados para a sua medida. No entanto, deve ser
salientado que a variabilidade do espectro solar extraterrestre no deve ser desprezada
em certos comprimentos de onda especficos, principalmente no visvel e no
infravermelho prximo. Estes comprimentos de onda correspondem s linhas de
absoro existentes na atmosfera solar, como a linha Ca K em 393,5 nm e a linha He em
1083 nm. Nesta ltima, a amplitude de variao ao longo do ciclo de atividade solar
pode ser maior que 200%.

1.4 Distribuio espectral da irradincia solar extraterrestre

O espectro da radiao solar extraterrestre cobre um intervalo de comprimentos
de onda desde 0,2 at 25m. A intensidade da radiao varia com o comprimento de
onda, conforme foi comentado anteriormente, devido principalmente s diferenas de
temperatura de cada regio do Sol. Esta relao funcional entre intensidade e
comprimento de onda chamada distribuio espectral. O espectro solar extraterrestre
no intervalo de comprimentos de onda de 0,2 a 2,5m mostrado na Figura 1.12.
1.16

Esta distribuio espectral muito similar do espectro de um corpo negro a
5900 K, tambm representado na mesma figura. Na Tabela 1.2 apresentada a
distribuio do espectro solar extraterrestre em diferentes bandas de cores.
Aproximadamente a metade da energia solar se encontra na regio do visvel e quase a
mesma quantidade se encontra no infravermelho.

Figura 1.12: Distribuio espectral da radiao extraterrestre AM0 em vermelho, AM1 em azul
e distribuio espectral de um corpo negro a 5900 K mostrada em verde.

Tabela 1.2 Diviso do espectro solar em bandas de cores e regies de energia.
Cor , m Irradincia, W m
-2
Porcentagem da I
sc

Violeta 0,390 - 0,455 108,85 7,96
Azul 0,455 - 0,492 73,63 5,39
Verde 0,492 - 0,577 160,00 11,70
Amarelo 0,577 - 0,597 35,97 2,63
Laranja 0,597 - 0,622 43,14 3,16
Vermelho 0,622 - 0,770 212,82 15,57

Ultravioleta < 0,4 109,81 8,03
Visvel 0,390 - 0,770 634,40 46,4
Infravermelho > 0,770 634,40 46,4
1.17

Desta forma, aproximadamente 95% da energia do Sol est dentro do intervalo
0,3-2,4 m, 1,2% no intervalo <0,3 m e 3,6% no intervalo >2,4 m.

1.5 Componentes da radiao solar

A atmosfera terrestre formada, basicamente, por uma mistura de gases, gua -
nos trs estados - e por pequenas partculas suspensas, chamadas aerossis. Essa
configurao provoca grandes alteraes na radiao solar. De fato, em certos
comprimentos de onda observam-se fortes atenuaes, relacionadas com a atuao de
um ou mais componentes atmosfricos. Por esta razo, possvel decompor a radiao
incidente na superfcie terrestre, num dado plano, em duas componentes: direta e difusa.
Em termos geomtricos, pode-se dizer que a radiao direta provm unicamente
do disco solar, chegando ao solo sem ter sofrido mudana de direo alm da refrao
atmosfrica. A radiao difusa provm de toda abbada celeste, excluindo o disco solar.
Portanto, a radiao solar recebida numa superfcie horizontal num ngulo slido 2 -
com exceo do ngulo slido subentendido pelo Sol, como pode ser observado na
Figura 1.13. Com a soma dessas duas componentes, obtm-se a radiao total ou global.
Figura 1.13: Radiao direta e radiao difusa.

Em muitas circunstncias, como por exemplo, nas aplicaes fotovoltaicas,
importante conhecer o espectro da radiao solar, ou seja, a distribuio da energia total

1.18

que incide sobre uma unidade de rea em funo do comprimento de onda. Nestes
casos, estuda-se a irradincia espectral solar. A irradincia mede a densidade do fluxo
de radiao que incide sobre uma superfcie, podendo ser definida como a taxa de
energia solar incidente numa superfcie por unidade de tempo e por unidade de rea.
Portanto, tem como unidades W/m
2
. A irradincia depende da orientao da superfcie
sobre a qual a radiao incide. Para uma determinada intensidade de radiao, a
irradincia proporcional ao co-seno do ngulo entre a direo do fluxo e a direo da
normal a superfcie na qual incide o fluxo.

1.6 Massa ptica de ar


O comprimento relativo do caminho percorrido pelo raio solar atravs da
atmosfera chamado massa de ar (m). Usando uma definio mais criteriosa, a massa
de ar definida como a razo entre a massa de uma determinada substncia no caminho
ptico do feixe incidente e a massa da mesma substncia no caminho ptico vertical,
como descrito pela Equao 1.12:

) sec(
0
0
Z
dz
dl
m =

(1.12)

onde m a massa de ar; a densidade do meio, dl o caminho ptico de integrao e
Z o ngulo zenital.
A densidade multiplicada pelo elemento de distncia representa a massa da
substncia em uma coluna de rea unitria, ou seja, a massa ptica. O limite inferior da
integrao corresponde superfcie terrestre e o superior ao topo da atmosfera.
importante observar que a Equao 1.12 aplica-se apenas para um feixe monocromtico
de radiao, pois a refrao depende do comprimento de onda. Quando a trajetria da
radiao vai desde o znite at o nvel do mar, o valor da massa de ar um, ou AM1,
enquanto que fora da atmosfera a massa de ar zero ou AM0. Para ngulos zenitais do
Sol menores que 75 a massa de ar pode ser aproximada pelo valor da secante de Z.
Uma representao para trs valores distintos de massa de ar mostrada na Figura 1.14.

1.19


Figura 1.14. Exemplo de trs valores distintos de massa de ar; AM 1, AM 1,5 e AM 2. Para
cada massa de ar mostrado o respectivo ngulo zenital do Sol (Z).

Muitos modelos simples de transmitncia atmosfrica adotam apenas uma
nica expresso de massa ptica de ar para todos os processos de extino na atmosfera.
A massa ptica absoluta pode ser definida por:

( )

+ =
0
2 / 1
2
0
0
0
0
/ 1
) sin(
1 1 2 1 1 dh
rt h
Z
n m
abs

(1.13)

onde h a altitude local; a densidade do ar na altitude local;
0
a densidade do ar
ao nvel mdio do mar; n
0
o ndice de refrao do ar, no comprimento de onda de 700
nm, ao nvel mdio do mar; Z o ngulo zenital e rt representa o raio mdio da Terra. A
Equao 1.13 pode ser aplicada para qualquer constituinte atmosfrico, desde que o seu
perfil de distribuio vertical seja conhecido com exatido. Uma expresso para
determinao da massa ptica de ar mais compacta definida como:

( ) [ ]
1
3 1
4 2
) cos(

+ =
i i
a
i
a
i i
Z a Z a z m (1.14)

onde z a altitude local, m
i
so as diferentes massas pticas para os processos de
extino que seguem: m
R
(Rayleigh), m
a
(aerossis), m
n
(NO
2)
, m
o
(oznio), m
g
(mistura
uniforme de gases) ou m
w
(vapor de gua), Z o ngulo zenital, e os coeficientes a
ij

1.20

esto mostrados na Tabela 1.3, juntamente com os valores de m
i
para Z=90, que
apresentam uma grande disperso entre 16,6 e 71,4. A Equao 1.14 Deve ser
empregada quando necessrio conhecer a massa de ar com boa preciso para elevados
ngulos zenitais, pois nestes casos, o clculo da massa ptica de ar deve ser associado a
uma correo do ngulo zenital solar aparente, ou seja, o ngulo que originado em
funo da refrao atmosfrica que altera a posio real do disco solar. A Figura 1.15
mostra a variao do valor de massa de ar para diferentes constituintes atmosfricos
quando o ngulo zenital solar maior que 78.

Tabela 1.3: Coeficientes para massa ptica de ar aplicados na Equao 1.14
Processo de extino a
i1
a
i2
a
i3
a
i4
m
i
para Z=90
Rayleigh 4,5665 x 10
-1
0,07 96,4836 -1,6970 38,136
Oznio 2,6845 x 10
2
0,5 115,420 -3,2922 16,601
NO
2
6,0230 x 10
2
0,5 117,960 -3,4536 17,331
Mistura uniforme de gases 4,5665 x 10
-1
0,07 96,4836 -1,6970 38,136
Vapor de gua 3,1141 x 10
-2
0,1 92,4710 -1,3814 71,443
Aerossis 3,1141 x 10
-2
0,1 92,4710 -1,3814 71.443


Figura 1.15: Variao do valor de massa de ar para diferentes componentes atmosfricos para
ngulo zenital acima de 78.

1.7 Atenuao atmosfrica da radiao solar

Existem, basicamente, dois processos fsicos envolvidos na atenuao da
radiao solar: absoro e difuso. O espalhamento e a reflexo so casos particulares
do processo de difuso, que devido grande importncia desempenhada na construo
do modelo terico so identificados e estudados separadamente. bvio que todos esses
1.21

processos podem ocorrer simultaneamente, para um determinado componente
atmosfrico ou mesmo para um certo grupo de componentes, por exemplo: as nuvens,
alm de refletir, absorvem e espalham a radiao incidente. De acordo com a
importncia desempenhada e com os objetivos a serem atingidos, o modelo empregado
pode enfatizar apenas o processo mais significativo, desprezando os demais.
A absoro ocorre quando as partculas que compem a atmosfera terrestre
removem uma parte da energia incidente e a convertem em energia interna. Em
conseqncia, ocorre um aumento na movimentao dessas partculas ou de seus
componentes, por exemplo, tomos e eltrons. O processo de absoro molecular
depende do estado de energia da molcula, sendo a radiao absorvida durante a
transio de um estado de energia para outro. Esse processo ocorre somente para
comprimentos de onda discretos. Dessa forma, cada gs atmosfrico absorve radiao
em determinados comprimentos de onda, sendo transparente para os demais. Por isso
so chamados de absorvedores seletivos.
O espalhamento um caso particular de difuso da radiao que,
geralmente, est associado s posies irregulares das partculas num gs. O processo
pode ser pensado como se parte da radiao incidente fosse, momentaneamente,
capturada e, em seguida, emitida em todas as direes, sem alterao do comprimento
de onda. Esse processo se repete, ou seja, a radiao espalhada por uma molcula pode
ser novamente espalhada por outra, dando origem ao que se chama de mltiplos
espalhamentos. Na atmosfera, o espalhamento ocorre quando a radiao incide nos
aglomerados - formados por flutuaes ocasionais da densidade - de molculas de ar.
Como a radiao enviada em todas as direes, resulta que parte da radiao difusa
retorna ao espao, enquanto outra parte, proveniente de todas as regies do cu, atinge o
solo. Muitos fenmenos so observados devido ao espalhamento atmosfrico. Por
exemplo, a claridade do dia se deve a esse tipo de difuso da radiao. Na ausncia de
atmosfera, o cu teria aspecto completamente diverso: seria totalmente negro, exceto
nas posies ocupadas pelos astros. O azul do cu se deve existncia de pequenas
partculas que difundem maiores propores de radiao nesse intervalo de
comprimento de onda.
Quando o cu est nublado, a atmosfera passa a conter uma grande quantidade
de gua e, portanto, uma grande quantidade de partculas difusoras maiores. Essas
partculas se caracterizam por difundir propores aproximadamente iguais para todos
os comprimentos de onda, causando superposio entre as cores. Como conseqncia, a
1.22

abbada celeste torna-se branca; pela mesma razo so brancas as nuvens e a luz que
atravessa um nevoeiro. As mudanas dirias no aspecto de uma mesma paisagem se
devem, em grande parte, ao processo de espalhamento. Alm disso, o espalhamento
atmosfrico que limita o alcance da viso de objetos distantes, observados por meio de
instrumentos pticos como lunetas de grande alcance.
A reflexo difusa observada sempre que a radiao encontra alguma superfcie
irregular e espalhada em determinadas direes, que variam de acordo com as
irregularidades da superfcie e com o ngulo de incidncia da radiao. O solo, embora
no sendo um componente atmosfrico, desempenha um papel relevante na
determinao da radiao difusa. De acordo com o tipo de cobertura caracterstico da
superfcie a ser estudada - neve, areia, floresta, etc. - e mesmo da regio - proximidade
de uma superfcie com gua, um rio, por exemplo - , uma quantidade maior ou menor de
radiao ser refletida. As nuvens so os componentes atmosfricos responsveis por
esse tipo de difuso da radiao solar; sua importncia pode ser melhor percebida nos
dias em que o cu se encontra completamente nublado. Nessas condies, uma grande
quantidade da radiao incidente refletida pelas nuvens, retornando ao espao.
Na Figura 1.16, observada a importncia dos processos de absoro e de
difuso sofridos pela radiao solar, atravs da representao do balano global da
energia solar recebida pelo planeta durante um ano. A radiao solar mdia recebida
anualmente pela Terra representada por 100 unidades. Dos 100% recebidos, 35%
retornam ao espao por algum processo de difuso (7% pelo espalhamento atmosfrico,
24% devido reflexo das nuvens e 4% por reflexo da superfcie) e 65% absorvido
(17,5% pela atmosfera e 47,5% pelo solo).
. Figura 1.16: Balano global da radiao solar.
1.23

1.8 Determinao da irradincia solar na superfcie

A irradincia extraterrestre, I
on
, em uma superfcie normal aos raios do Sol :

& &
I I E
on sc o
= (1.15)

Pela observao da Figura 1.10, a irradincia pode ser determinada da seguinte
relao:

& &
cos I I
o on z
= , Wm
-2
(1.16)

onde
z
o ngulo de znite do Sol.
A irradiao Io durante um perodo de tempo de uma hora centrado no ngulo
horrio
i
dada por :
( ) I I E sin sin
o sc o i
= + cos cos cos (1.17)

com cuidado de expressar aqui I
SC
em unidades de energia, no de potncia.

A irradiao extraterrestre diria em uma superfcie horizontal, H
o
, desde o
nascer do sol, n
s
, at o pr-do-sol, p
s
, calculado da seguinte maneira:

H I dt
o o
n
p
s
s
= (1.18)
que resulta em:
( ) ( )
[ ]
H I E sin sin sin
o sc o s s
= +
24

cos cos (1.19)

com
s,
o ngulo horrio do pr-do-sol, expresso

em radianos. Na Tabela 1.4 se pode
encontrar os valores de H
o
para os doze meses do ano e para algumas latitudes
(hemisfrio sul). Esta tabela foi construda utilizando-se dias mdios de cada ms, de
acordo com a Tabela 1.5. O dia mdio aquele que apresenta valores de H
o
idnticos ao
valor mdio mensal, Ho.

1.24

Tabela 1.4: Variao da irradiao extraterrestre diria em uma superfcie horizontal,
Ho (MJ m
-2
dia
-1
).
Latitude (Sul)
Ms 0 15 30 45 60 90
J an 36,32 40,87 43,04 42,89 41,05 43,32
Fev 37,53 39,83 39,57 36,84 32,07 27,06
Mar 37,90 37,14 33,85 28,28 20,83 5,49
Abr 36,75 32,99 27,08 19,45 10,75 0,00
Mai 34,78 28,92 21,42 12,91 4,47 0,00
J un 33,50 26,76 18,68 10,02 2,15 0,00
J ul 33,89 27,57 19,76 11,19 3,07 0,00
Ago 35,56 30,89 24,29 16,28 7,66 0,00
Set 37,07 35,03 30,62 24,16 16,09 0,69
Out 37,34 38,42 36,95 33,07 27,16 17,86
Nov 36,47 40,28 41,66 40,66 37,83 37,96
Dez 35,74 40,91 43,80 44,44 43,61 47,66
Media 36,07 34,97 31,73 26,68 20,56 15,00


Tabela 1.5: Dias mdios e declinaes caractersticas
(irradiao extraterrestre diria idntica ao valor mdio mensal).
Ms Data , graus Nmero do dia, d
n

J an 17 -20,84 17
Fev 14 -13,32 45
Mar 15 -2,40 74
Abr 15 +9,46 105
Mai 15 +18,78 135
J un 10 +23,04 161
J ul 18 +21,11 199
Ago 18 +13,28 230
Set 18 +1,97 261
Out 19 -9,84 292
Nov 18 -19,02 322
Dez 13 -23,12 347


1.25

1.9 Posio do Sol para superfcies arbitrariamente inclinadas

Na maioria das aplicaes prticas da energia solar necessrio determinar a
posio do Sol com respeito a uma superfcie inclinada. A orientao desta superfcie se
descreve mediante seu ngulo de inclinao, , em relao horizontal e o ngulo de
azimute da superfcie, , que o afastamento, em relao ao meridiano local, da
projeo da normal da superfcie no plano horizontal. O ngulo est representado na
Figura 1.17, sendo que esta figura est contida no plano do ngulo de azimute da
superfcie.


Figura 1.17. Posio do Sol relativa a uma superfcie inclinada.

O ngulo de incidncia,
s
, formado pela normal superfcie e o vetor Sol-
Terra. Este ngulo calculado da seguinte maneira:

1.26

cos sin sin cos sin cos sin cos cos cos cos cos
cos sin sin cos cos cos sin sin sin


s
= +
+ +
(1.20a)

ou

( ) cos cos cos cos
s z z s
sin sin = + (1.20b)

Para uma superfcie orientada ao equador, a equao (1.1a) pode ser simplificada
utilizando-se a representao da Figura 1.18.



Figura 1.18. Demonstrao da equivalncia entre os ngulos
z
e
s
.

Esta figura mostra que uma superfcie localizada em uma latitude e inclinada
graus da horizontal e orientada ao equador paralela a uma superfcie horizontal
localizada em uma latitude (-), isto , o ngulo
s
em uma latitude igual ao ngulo

z
em uma latitude (-). Da Equao 1.17a resulta que:

( ) ( ) cos cos cos cos
s
sin sin = + (1.18)

1.27

Da mesma forma que encontramos o ngulo de nascimento do Sol,
s
, para uma
superfcie horizontal, podemos encontrar
s'
, chamado ngulo de nascimento do sol
para uma superfcie inclinada. Isto obtido da Equao 1.18 fazendo-se
s
=90:

( )
[ ]
s'
cos tan tan =
1
(1.19)

Desta equao se pode considerar trs casos particulares:

i) nos equincios, =0 e da Equao 1.19:


s'
/ = 2 (1.20)

Ou seja, o ngulo de nascimento do sol independente da latitude e da inclinao.

ii) durante o inverno, >0, resultando em
s
>
s'
. Isto significa que o Sol surge antes
para uma superfcie horizontal que para uma superfcie inclinada.

iii) durante o vero, <0, resultando, matematicamente, que o Sol surge para uma
superfcie inclinada antes que para uma horizontal. Como isto no possvel
fisicamente, estabelece-se uma expresso geral para
s'
:

( ) ( )
[ ] { }
s
min
'
cos tan tan ,cos tan tan =
1 1
(1.21)

onde min significa o valor mnimo.

1.10 Relao entre horas de Sol e radiao global diria

O nmero de horas de Sol corresponde ao tempo durante o qual a radiao direta
maior que um certo valor para que seja registrada. Para grandes escalas de tempo e
valores mdios mensais de vrios anos pode-se observar que existe uma correlao entre
o nmero de horas de Sol e a quantidade de radiao global incidente em um ponto.
1.28

Em muitos lugares o nmero de horas de Sol (n), medido com os heligrafos, o
nico dado que se registra, sendo ento necessrio conhecer as correlaes entre este
nmero e a radiao global diria (H), ainda que estes valores somente possam ser
utilizados como valores mdios mensais.
Os pesquisadores Prescott e Col propuseram a utilizao da seguinte equao

H / H
o
=a+b (n/ N
d
) (1.22)

onde H a radiao solar global diria em mdia mensal, Ho a radiao solar
extraterrestre (diria em mdia mensal), n o nmero de horas de brilho solar e Nd o
nmero mximo de horas de sol, ou seja, a durao do dia.
Os valores dos parmetros a e b variam, segundo o lugar e suas caractersticas,
numa faixa entre 0,17 - 0,32 e 0,37 0,69 respectivamente. Utilizando valores de
irradiao global horizontal diria em mdia mensal e insolao medidos em 17
estaes, foram encontrados os seguintes valores para o Estado do Rio Grande do Sul: a
=0,23 e b =0,46.

1.11 Radiao global diria sobre superfcies horizontais

A radiao difusa diria (H
d
) incidente numa superfcie correlaciona-se com a
radiao global (H) que incide na mesma, atravs do ndice ou coeficiente de
transparncia atmosfrico dirio (Kt), que se define como:
Kt = H / H
o
(1.23)

Os pesquisadores Collares-Pereira e Rabl propuseram a seguinte expresso
analtica que correlaciona estes valores conforme o coeficiente de transparncia
atmosfrico:

0,99 para Kt =0,17
1,188 2,272 Kt +9,473 Kt
2


H
d
/H

-21,856 Kt
3
+14,648 Kt
4

(1.24)
-0,54 Kt

+0,632 para 0,75 <Kt

<0,8
0,2 para Kt

0,8
para 0,17 <Kt

<0,75
1.29

A radiao direta diria (H
b
) obtm-se como a diferena entre a radiao global e a
radiao difusa:
H
b
= H H
d
(1.25)


1.12 Radiao global horria sobre superfcies horizontais

Assim como no caso da radiao diria, a radiao difusa horria (Id) incidente em
uma superfcie se relaciona com a radiao global horria (I). Neste caso, utiliza-se o
ndice de transparncia atmosfrico horrio kt, que se entende como o quociente entre a
radiao global horria e radiao extraterrestre horria. A expresso usada divide o cu
em trs tipos, segundo o valor de kt

:


=1,0 0,09 kt


I
d
/ I =0,9511 0,160 kt

+4,388 kt (1.26)
- 16,63 kt+12,336 kt
4

=0,165 kt >0,8

O valor obtido para I
d
no muito exato, j que difcil fazer a previso somente
com o valor da radiao global; o mesmo ocorrer usando qualquer das outras
correlaes.
A radiao direta se obtm com a diferena entre a radiao global e a radiao
difusa:

I
b
= I I
d
(1.27)


1.13 Radiao global sobre superfcies inclinadas

A radiao global diria incidente sobre uma superfcie inclinada pode ser
calculada como a soma das parcelas horrias da radiao global.

H

= I



(1.28)


onde I

pode ser obtida como a soma horria da radiao direta, difusa e refletida
horas
0,22 kt 0,8
0 kt 0,21
1.30

I

= I
b
+ I
d
+ I
r
(1.29)


Conhecendo a radiao direta sobre uma superfcie horizontal pode ser calculada
a radiao direta sobre uma superfcie inclinada atravs da seguinte expresso:

I
b
= I
b
r
b
(1.30)

onder
b
um fator de converso geomtrico dado por:

r
b
= cos
s
/ cos
z
(1.31)

onde
s
e
z
so dados, respectivamente, pela Equaes 1.10a e 1.8.
A radiao refletida pelo solo que incide em uma superfcie pode ser calculada
considerando uma reflexo isotrpica ou anisotrpica. Segundo a primeira, a quantidade
de radiao diria refletida pela terra que incide em uma superfcie inclinada, pode ser
obtida com a expresso:

I
r
= I

(1-cos) / 2 (1.32)

sendo o albedo da superfcie refletora.
Finalmente, a radiao difusa que provm do cu pode ser calculada utilizando
um modelo semi-emprico, o qual se baseia na anlise das trs componentes da radiao
difusa, e assume uma irradincia constante sobre todo o cu exceto em um disco em
torno ao Sol e uma banda no horizonte, onde os valores da irradincia difusa so
incrementados. A magnitude deste incremento considerada como uma funo de trs
parmetros que descrevem a condio do cu em cada instante.
A forma deste modelo dada pela equao:

( )( ) I I F F F
d d
s
z

= + +

051 1
1 1 2
, cos
cos
cos
sen
(1.33)

Os coeficientes F1 e F2 so coeficientes que levam em conta o brilho
circumsolar e horizontal, que so funo de trs parmetros que definem as condies
1.31

do cu, ngulo de znite, a claridade e o brilho, obtidos atravs das equaes
empricas:

( ) ( ) ( )
F F F F
z 1 11 12 13
= + +
(1.34)

( ) ( ) ( )
F F F F
z 2 21 22 23
= + +
(1.35)

on
d
I
ma I
= (1.36)
d
bn d
I
I I +
= (1.37)

ondeI
d
a irradincia difusa inclinada, I
d
a irradincia difusa horizontal, ma a massa
de ar, I
b
a irradincia direta normal e I
o
a irradincia extraterrestre, tambm normal.
Os coeficientes F
11
, F
12
, etc. so funo do , e para diferentes faixas do mesmo
os valores recomendados so os mostrados na Tabela 1.6.

Tabela 1.6: Coeficientes F para determinao da radiao difusa atravs do modelo de
Perez.
Faixa de F11 F12 F13 F21 F22 F23
1 a 1,056 -0,042 0,55 -0,044 -0,12 0,138 -0,034
1,0561 a 1,253 0,261 0,559 -0,243 -0,019 0,083 -0,081
1,253 a 1,586 0,481 0,46 -0,354 0,077 0,006 -0,116
1,5861 a 2,134 0,825 0,187 -0,532 0,172 -0,05 -0,151
2,1341 a 3,23 1,102 -0,299 -0,586 0,35 -0,398 -0,171
3,231 a 5,98 1,226 -0,451 -0,617 0,444 -0,949 -0,073
5,981 a 10,08 1,367 -0,838 -0,655 0,431 -1,75 0,094
10,08 a 0,978 -0,812 -0,393 0,335 -2,160 0,106




2.1



2. Instrumentao para medida da radiao solar

2.1 Sensores de radiao

A medida da radiao solar disponvel na superfcie da Terra essencial para um
grande nmero de aplicaes alm, naturalmente, dos sistemas solares onde
fundamental. Esta informao tambm utilizada para a modelao do rendimento
energtico de edificaes, modelos climticos, agricultura, etc. A medida da radiao
solar em alguns pontos da superfcie terrestre permite o desenvolvimento de modelos
empricos que possibilitam a predio da energia solar disponvel em muitos outros
lugares que no dispem destas medidas.
O principal componente de um radimetro (instrumento destinado medida da
energia radiante do Sol ou outra fonte qualquer) o sensor, tambm denominado de
detector. Os detectores utilizados em radimetros solares so classificados como
calorimtrico, termomecnico, termoeltrico e fotoeltrico.
Os sensores calorimtricos so compostos basicamente por uma superfcie
metlica com excelente condutividade trmica que revestida por uma pintura preta
no-seletiva com alta absoro. Toda a energia radiante incidente na superfcie
praticamente convertida em calor que medido para a determinao da quantidade de
energia incidente.
Os sensores termomecnicos se baseiam na deformao sofrida por uma lmina
metlica quando exposta radiao solar. Geralmente se emprega duas lminas, uma
revestida por uma pintura preta com alta absoro e outra com pintura refletora. A
lmina preta exposta ao Sol enquanto a outra mantida isolada dos raios solares. A
diferena de temperatura e coeficiente de dilatao trmica provoca uma deformao
nas lminas. Esta distoro transmitida pticamente ou mecanicamente para um
indicador calibrado e informa a quantidade de radiao incidente no sensor.
Os sensores termoeltricos so constitudos por um par metlico de materiais
distintos com os seus extremos conectados. Quando h uma diferena de temperatura
entre as duas junes, surge uma fora eletromotriz, que proporcional diferena de
temperatura e depende das caractersticas dos metais utilizados. Instrumentos destinados
2.2

medida da radiao solar que adotam estes tipos de sensores geralmente empregam
uma combinao de cobre-constantan, sendo que apenas uma das junes exposta ao
feixe solar. A tenso presente nos terminais de um sensor termoeltrico muito baixa,
por isso, costuma-se associar vrios sensores em srie para obteno de uma tenso
mais elevada. Este arranjo de vrios sensores termoeltricos denominado de
termopilha.
Os sensores fotovoltaicos esto dentre os sensores fotoeltricos mais
empregados para medida da energia solar. Um dispositivo fotovoltaico composto por
um material semicondutor, geralmente silcio. Um tomo de silcio possui quatro
eltrons de valncia formando uma estrutura cristalina contendo outros quatro tomos
na sua vizinhana. Quando uma impureza adicionada nesta estrutura, como, por
exemplo, um tomo de fsforo, arsnio ou antimnio que possuem cinco eltrons de
valncia, o eltron em excesso pode ser facilmente liberado tornado-se um eltron
condutor. Um semicondutor com excesso de eltrons denominado de semicondutor
tipo N. Quando adicionada estrutura cristalina uma impureza como alumnio, boro
ou ndio, que possui trs eltrons na banda de valncia, cria-se uma lacuna nesta
estrutura. Um semicondutor com estas caractersticas chamado de tipo P. Quando h a
unio destas duas junes formado um semicondutor do tipo P-N. A incidncia de
uma radiao luminosa com energia capaz de remover eltrons de ligao nas
proximidades da juno P-N provoca um contnuo movimento dos eltrons e lacunas
em excesso, ocasionando o surgimento de uma corrente eltrica. A utilizao de
sensores fotovoltaicos apresenta vrias vantagens em relao aos demais tipos de
sensores, entre elas destacam-se o baixo custo, tempo de resposta extremamente rpido
(cerca de 10 s), elevada corrente de sada, proporcionalidade entre a corrente de sada
e a radiao incidente e baixa degradao ao longo do tempo. Apesar destas
caractersticas favorveis, os sensores fotovoltaicos possuem algumas limitaes. A
principal originada na resposta espectral seletiva deste tipo de sensor. Este fator est
relacionado com o tipo de semicondutor utilizado. A Figura 2.1 apresenta a curva de
resposta espectral de um sensor de silcio. Observa-se na Figura 2.1 que a resposta do
sensor fotovoltaico de silcio extremamente pequena para comprimentos de onda
abaixo de 400 nm e maiores que 1100 nm possuindo uma resposta mxima em torno de
950 nm. Esta caracterstica de resposta espectral seria insignificante caso a distribuio
espectral da radiao solar fosse constante. No entanto, conhecido que a distribuio
espectral da radiao solar que atinge a superfcie terrestre varivel e depende da
2.3

elevao solar, turbidez atmosfrica, quantidade de gua precipitvel, entre outros
diversos fatores.


Figura 2.1: Resposta espectral tpica de um fotodiodo de silcio empregado em radimetros
solares.

O erro na determinao da irradincia solar em funo da limitada resposta
espectral do sensor de silcio pode ser da ordem de 5 % para medidas realizadas em
situaes extremas, ou seja, entre o cu limpo e totalmente encoberto por nuvens. Por
outro lado, a medida do albedo atravs de um instrumento com sensor seletivo pode
acarretar um erro elevado. Isto se deve s caractersticas espectrais usualmente presentes
nos diferentes tipos de superfcies.

2.2 Medida da componente direta: pirelimetros

A medida precisa da componente direta da radiao solar teve um considervel
interesse no sculo 19. Esta motivao surge na busca da determinao da constante
solar e sua variao ao longo do tempo. A medida da componente direta da irradincia
solar geralmente obtida atravs de um instrumento denominado pirelimetro. Este
instrumento possui um campo de viso bastante estreito com intuito de receber apenas a
radiao emitida pelo disco solar. O pirelimetro possui um mecanismo para
acompanhamento do Sol que pode ser manual ou automtico. Um grande nmero de
2.4

instrumentos dedicados medida da irradincia solar direta foram desenvolvidos nos
dois ltimos sculos.
Herschel desenvolveu em 1825 o primeiro instrumento usado para medir o
aquecimento causado pela radiao solar. Este instrumento denominado de actingrafo
era composto por um termmetro com um extenso tubo preenchido por um lquido com
colorao azul escuro para uma melhor absoro da radiao solar. Este medidor era
exposto luz solar por 1 minuto, aps este perodo a radiao era bloqueada por um
anteparo pelo mesmo tempo, ao final deste perodo, o anteparo era retirado e o medidor
era novamente iluminado pelo Sol. A leitura obtida pelo termmetro durante estas
etapas era relacionada com a energia recebida pelo Sol. Apesar de extremamente
rudimentar este medidor serviu como base para os instrumentos mais precisos que o
sucederam.
As primeiras medidas absolutas da constante solar foram realizadas na Frana
em 1837, por Pouillet, com auxlio de um pirelimetro por ele desenvolvido. Este
instrumento constitudo por dois discos. Um destes discos contm gua no seu interior
e possui a face superior pintada de preto e pode ser orientado diretamente para o Sol. O
outro disco possui as mesmas dimenses, mas possui uma superfcie prateada e polida,
visando diminuir a absoro da radiao solar. Conhecendo a capacidade calorfica do
disco com gua possvel determinar a quantidade de energia solar absorvida pela face
enegrecida por meio de um termmetro. Desta forma calculada a potncia mdia por
unidade de rea da radiao solar incidente.
No incio do sculo 20, Charles Greeley Abbot construiu um pirelimetro
absoluto que se tornou o primeiro radimetro padro de referncia reconhecido
internacionalmente. Este instrumento construdo por Abbot, utiliza um fluxo de gua
destilada para remover o calor gerado pela absoro de energia solar em um absorvedor
de forma cnica, cujo o seu interior pintado com tinta preta de alta absoro. A
superfcie cnica instalada dentro de um tubo colimador e mantida isolada
trmicamente por meio de um recipiente evacuado. A variao da temperatura da gua
medida atravs de um termmetro diferencial de platina. Dentro da superfcie cnica
absorvedora h uma resistncia que aquecida fazendo passar por esta uma corrente
eltrica. A determinao da intensidade de radiao solar feita produzindo-se o seu
bloqueio na entrada do tubo colimador e medindo-se a potncia eltrica necessria para
provocar a mesma elevao de temperatura da gua. Este pirelimetro denominado de
absoluto, pois determina diretamente a quantidade de energia recebida do Sol.
2.5

Abbot tambm desenvolveu o pirelimetro de disco de prata. Neste instrumento
o sensor composto por um disco de prata onde inserido o bulbo de um termmetro.
Para assegurar um bom contato trmico entre o disco de prata e o termmetro, a regio
de contato entre estas duas superfcies preenchida com mercrio lquido. O disco de
prata pintado com tinta preta altamente absorvedora e alojado dentro de um tubo
colimador com isolao trmica. Aps um determinado intervalo de tempo de
incidncia da radiao solar sobre o disco (cerca de um minuto), a entrada do tubo
colimador bloqueada e realizada a medida da razo de crescimento e decrscimo da
temperatura do disco. A partir de dados sobre o coeficiente trmico especfico do
instrumento empregado, determina-se a intensidade da radiao solar incidente.
Quase na mesma poca em que Abbot desenvolvia seu pirelimetro, Knut
ngstrm
1
, na Sucia, construiu o primeiro medidor verdadeiramente preciso para
medida da radiao direta normal. Este pirelimetro utiliza duas pequenas lminas de
manganin cobertas por uma tinta escura e colocadas lado a lado no fundo de um tubo
colimador.
Um sistema de bloqueio da radiao solar incidente instalado na parte superior
do tubo colimador de tal forma que apenas uma das duas lminas atingida pela
radiao solar, enquanto a outra lmina aquecida atravs da passagem de uma corrente
eltrica contnua. Cada lmina possui termopares que esto fixados na sua parte inferior
e ligados a um galvanmetro. Uma chave permite inverter o papel desempenhado pelas
lminas, deste modo, pode-se determinar com bastante exatido a corrente mdia
necessria para que ambas as lminas estejam em equilbrio trmico. A potncia eltrica
fornecida lmina nesta situao ter o mesmo valor da intensidade da radiao solar
incidente e haver uma indicao nula de corrente no galvanmetro. Este pirelimetro
de compensao eltrica mostrado na Figura 2.2 um instrumento absoluto de medida
da radiao solar, pois no exige outro pirelimetro como referncia para a sua
calibrao.


1
Knut ngstrm (1857-1910) era filho do famoso astrnomo e fsico sueco Anders
J onas ngstrm (1814-1874) que leva seu nome na unidade usualmente empregada para
medida de comprimento de onda. Anders ngstrm (1888-1981), filho de Knut
ngstrm, desenvolveu as formulaes para o clculo de turbidez atmosfrica e
correlaes de irradincia com dados de insolao solar.
2.6


Figura 2.2: Fotografia do pirelimetro absoluto desenvolvido por Knut ngstrm.

Aps a metade do sculo 20, surgiram os primeiros pirelimetros de cavidade
ativa absolutos. Este tipo de instrumento foi desenvolvido para medidas extremamente
precisas da intensidade da radiao solar no solo e fora da atmosfera terrestre. A
preciso deste tipo de pirelimetro situa-se entre 0,2 e 0,3 %, sendo adotado como
referncia para a calibrao de outros pirelimetros dedicados s medidas sistemticas,
chamados de operacionais. O pirelimetro operacional mais conhecido o Eppley
Normal Incidence Pyrheliometer, abreviado por NIP. A Figura 2.3 apresenta o
pirelimetro Eppley NIP. Este pirelimetro operacional constitudo por um tubo
colimador de bronze pintado internamente de preto. Uma srie de diafragmas alojados
no interior do tubo colimador limitam o campo de viso deste instrumento em cerca de
5. O sensor utilizado composto por uma termopilha com 15 junes de bismuto-prata.
Esta termopilha apresenta um tempo de resposta da ordem de 20 segundos. Um disco
instalado na abertura superior do pirelimetro Eppley pode acomodar at trs filtros,
sendo que os mais utilizados para medida da irradincia solar so os Schott OG1, RG2 e
RG8.
2.7


Figura 2.3: Fotografia do pirelimetro NIP produzido pela empresa Eppley.

2.3 Medida da componente global e difusa: piranmetros

A irradincia solar global medida atravs de radimetros com campo de viso
hemisfrico (dentro de um ngulo slido de 2 sr). Este tipo de instrumento chamado
de piranmetro. . Este instrumento tambm pode ser utilizado em posio inclinada e
neste caso recebe uma parte da radiao refletida pelo solo. Geralmente so empregados
sensores baseados no princpio termoeltrico, termomecnico e fotovoltaico.
Diferentemente dos pirelimetros que utilizam tubos colimadores, os piranmetros
possuem seus sensores instalados de tal modo que estes sejam capazes de receber a
irradincia solar emitida por todo o hemisfrio celeste.
O primeiro piranmetro foi desenvolvido pelo fsico ingls H. S. Callendar, em
1898. O sensor utilizado neste medidor constitudo por quatro redes de fios de platina,
associadas em pares, sendo que duas pintadas de preto para uma melhor absoro da
radiao solar enquanto as outras duas redes de fios apresentam uma superfcie
altamente refletora em virtude das caractersticas dos fios de platina. Estas redes situam-
se no interior de um bulbo de vidro onde feito vcuo para assegurar um bom
isolamento trmico. A diferena de temperatura entre as duas redes de fios gera uma
tenso eltrica que proporcional intensidade da radiao solar incidente. A medida
da irradincia global efetuada por meio de um medidor de corrente, e as quatro redes
de fios so associadas em uma configurao de ponte de Wheatstone.
Atualmente existe uma grande quantidade de modelos de piranmetros. Os mais
conhecidos so produzidos pela empresa Eppley e so divididos em dois tipos; o
modelo Black and White, B&W, e o Precision Spectral Pyranometer, PSP. Estes dois
tipos de piranmetros utilizam sensores termoeltricos. O piranmetro Black and White
da Eppley possui os setores brancos cobertos por sulfato de brio e os escuros por tinta
2.8

preta tipo black velvet da empresa 3M. O hemisfrio feito com vidro especial (Schott
WG295) que apresenta uma transmitncia aproximadamente constante entre 285 e 2800
nm. Este piranmetro possui um circuito de compensao trmica que assegura uma
estabilidade na sensibilidade do instrumento para uma faixa de temperatura ambiente
entre -20 e +40. A Figura 2.4 apresenta alguns modelos de piranmetros.
H tambm um grande nmero de piranmetros que utilizam dispositivos
fotovoltaicos como sensores. Apesar da resposta espectral limitada apresentada por
estes tipos de piranmetros sua utilizao compensada pelo baixo custo, resposta
virtualmente instantnea e alta corrente de sada. Este tipo de sensor exige o uso de um
dispositivo difusor, pois geralmente os detectores empregados (clulas fotovoltaicas,
fotodiodos, etc.) possuem um campo de viso com resposta reduzida em relao s
termopilhas.






Figura 2.4: Alguns exemplos de piranmetros. Em cima um piranmetro Eppley PSP e o
mesmo em plataforma mvel com orientao programvel. Abaixo direita um piranmetro
fotovoltaico e esquerda um piranmetro tipo Black & White com anel de sobra .

2.9

A medida da componente difusa da irradincia solar pode ser efetuada utilizando
dois instrumentos; um piranmetro para determinao da componente global e um
pirelimetro que mede a componente direta. A parcela difusa da irradincia pode ser
encontrada pela relao:

direta global difusa
E E E = (2.1)

Esta tcnica envolve o uso simultneo de dois instrumentos e tambm devido ao
alto custo de um pirelimetro a componente difusa da irradincia solar determinada
atravs de um piranmetro equipado com um sistema capaz de bloquear o feixe
luminoso emitido diretamente pelo disco solar. Normalmente emprega-se um anel de
sobra que est posicionado paralelo ao plano equatorial e possui uma inclinao com
respeito ao znite igual latitude local. Para acompanhar a variao da declinao solar
necessrio um ajuste dirio da posio do anel de sombra. O anel de sombra deve ser
pintado de preto fosco para minimizar os efeitos de reflexes mltiplas. Pelo fato de
bloquear uma parcela da componente difusa presente no campo de viso obscurecido
pelo anel de sombra necessrio aplicar um fator de correo para compensar este
efeito. Devido a anisotropia da irradincia difusa, esta correo torna-se bastante
complexa.
A durao da luz do Sol definida como o intervalo de tempo no qual o disco
solar no obstrudo por nuvens. , talvez, o tipo de medida de radiao mais antiga e
inmeros dispositivos foram desenvolvidos nos ltimos 160 anos para este fim. Estas
medidas so importantes por duas razes: a durao da luz solar, ou percentagem da luz
solar possvel, um dos parmetros primrios para a caracterizao do clima em uma
determinada regio. A segunda que este dado pode ser utilizado para a estimativa do
fluxo total de radiao solar numa superfcie horizontal para locais onde as medidas
piranomtricas no so efetuadas.
A popularidade destes instrumentos reside na sua simplicidade, convenincia e
baixo custo. A quantidade medida por estes registradores o tempo, geralmente
expresso em dcimos de hora (0,1 hora) na qual a intensidade da radiao solar direta
suficiente para ativar o registrador.
Talvez o instrumento mais conhecido seja o registrador Campbell-Stokes, que
consta basicamente de uma esfera de vidro que atua como uma lente esfrica para
2.10

concentrar os raios de sol em uma superfcie cncava, o foco, onde se coloca uma tira
de papel. Quando a intensidade da radiao ultrapassa certo nvel, o papel queima
produzindo uma marca. A Figura 2.5 mostra um registrador Campbell-Stokes.


Figura 2.5: Heligrafo Campbell-Stokes

Estes instrumentos, entretanto, apresentam graves problemas de preciso. Um
deles que no so suficientemente sensveis para responder s baixas intensidades de
radiao, como ocorre nos primeiros minutos do amanhecer e nos ltimos do entardecer.
Outro problema a dificuldade para definir o limite inferior preciso do fluxo de
irradincia direta que marcar legivelmente a tira de papel. Em condies extremas de
cu claro, atmosfera seca e uma tira de papel seca, este nvel estaria em torno de 70
Wm
-2
enquanto numa situao oposta, o nvel aumenta num fator de 4. Um nvel mdio
estaria em torno a 210 Wm
-2
.
Outro tipo de instrumento utilizado o actingrafo que registra de forma
mecnica em um papel de grfico o desenvolvimento da intensidade da radiao solar
ao longo do dia. A Figura 2.6 mostra um actingrafo. A cpula de vidro que recebe a
radiao abriga um par bimetlico que responde variao de temperatura produzida
pelos raios solares. A impreciso grande porque este instrumento necessita freqentes
calibraes e depende das condies locais de temperatura e umidade.

2.11


Figura 2.6: Imagem de um actingrafo.


2.4 Instrumentos para medida espectral da irradincia solar

H inmeras aplicaes nas reas de engenharia, meteorologia, entre outras,
onde o conhecimento sobre a distribuio espectral da irradincia solar requerido. Isto
pode ser alcanado empregando-se espectrorradimetros de elevado custo ou com
auxlio de instrumentos simples e comparativamente baratos dotados de filtros seletivos,
por exemplo, pirelimetros e piranmetros.
Alguns pirelimetros utilizam sensores com estreita resposta espectral que
geralmente coincide com bandas onde h forte absoro por constituintes atmosfricos,
como oznio e vapor de gua. A constante de calibrao destes instrumentos realizada
geralmente empregando-se o mtodo de Langley que consiste em realizar a medida da
irradincia solar direta para diversos valores de massa ptica de ar em perodos onde
no haja turbulncia atmosfrica, ou seja, em dias de grande transparncia do cu. A
Figura 2.7 mostra o radimetro com anel de sombra rotativo desenvolvido no
Laboratrio de Energia Solar da Universidade Federal do Rio Grande do Sul. Este
instrumento possui cinco canais seletivos (375, 525, 625, 820 e 920 nm) com largura de
banda entre 10 e 30 nm. Alm destes sensores seletivos h tambm um sensor de silcio
2.12

com resposta espectral entre 300 1100 nm. O anel de sombra possibilita medir a
radiao global e difusa. A componente direta da radiao encontrada a partir das
componentes obtidas.

Figura 2.7: Fotografia do espectroradimetro com anel de sombra rotativo desenvolvido no
Laboratrio de Energia Solar da UFRGS. Este instrumento possui cinco canais seletivos e um
sensor de silcio de banda larga.

Os espectrorradimetros se destinam medida espectral da irradincia solar em
uma ampla faixa do espectro. Alguns modelos so capazes de mensurar isoladamente as
componentes global, difusa e direta, sobre uma superfcie horizontal ou perpendicular
ao feixe solar, como o modelo RSS produzido pela empresa Yanke Environmental
Systems. Este dispendioso instrumento (preo estimado em US 100.000,00)
apresentado na Figura 2.8.


2.13


Figura 2.8: Espectrorradimetro modelo RSS produzido pela empresa YES. Este
espectrorradimetro possui um anel de sombra rotativo para medida espectral das componentes
global, direta e difusa da irradincia solar.

Os espectrorradimetros so baseados em mdulos monocromadores que
utilizam prismas ou redes de difrao. Espectrorradimetros de grande preciso
tipicamente utilizam um arranjo de prismas e/ou redes de difrao associadas a um
conjunto de lentes, especialmente os destinados medida de irradincia solar em
segmentos onde a emisso solar tnue, como na regio do ultravioleta e infravermelho
distante. Aps o feixe solar ser decomposto espectralmente ele enviado at um
conjunto de sensores que pode ser composto por um elevado nmero de fotodiodos de
silcio. Espectrorradimetros produzidos antes do avano da microeletrnica, utilizavam
vlvulas fotomultiplicadoras como sensor da radiao solar, apesar da vantagem da sua
elevada sensibilidade (cerca de 1000 vezes superior ao fotodiodo) e maior resposta no
segmento ultravioleta, estas vlvulas multiplicadoras apresentavam uma srie de
inconvenientes, como necessidade de fonte de alimentao de alta tenso, instabilidade
2.14

espectral, fragilidade, entre outras. Atualmente, espectrorradimetros empregam um
arranjo com um grande nmero de fotodiodos, montados sobre o mesmo substrato
semicondutor, assegurando uma excelente estabilidade espectral. A Figura 2.9 mostra a
imagem do espectrorradimetro porttil SPEC-PAR/NIR da empresa APOGEE. Este
espectrorradimetro capaz de caracterizar a irradincia solar entre 350 - 1000 nm com
resoluo aproximada de 4 nm usando um arranjo de 2048 pixeis. Observa-se a unidade
detectora com o difusor de teflon que conectada ao instrumento atravs de uma fibra
ptica.



Figura 2.9: Fotografia do espectrorradimetro porttil modelo SPEC-PAR/NIR produzido pela
empresa APOGEE. Este espectrorradimetro realiza medidas radiomtricas entre 350 e 1000
nm.

Devido ao elevado preo e dificuldades apresentadas na sua operao,
principalmente em funo do delicado sistema ptico, algumas tcnicas buscam
caracterizar o espectro solar a partir de dados obtidos por piranmetros que empregam
2.15

um baixo nmero de filtros seletivos. A resoluo espectral neste caso dependente do
nmero de filtros utilizados. A Figura 2.10 mostra um exemplo de medida realizada por
um piranmetro que emprega seis filtros.


Figura 2.10: Distribuio espectral da irradincia solar obtida atravs de um piranmetro que
emprega seis filtros seletivos.


2.5 Medida da radiao atravs de satlites

Satlites geoestacionrios continuamente monitoram a atmosfera e a cobertura
de nuvens sobre o nosso planeta com uma resoluo de aproximadamente 1 km na
regio do visvel. Estas informaes podem ser utilizadas para gerar mapas de alta
resoluo sobre a irradincia na superfcie da Terra. Em comparao com medidas
realizadas no solo, irradincias derivadas de dados de satlite, os resultados obtidos a
partir de dados de satlites mostram-se mais precisos que interpolaes geradas atravs
de dados medidos por estaes distantes alm de 25 km.
Os valores de irradincia solar determinados por medidas efetuadas por satlites
so derivados a partir de modelos que empregam os dados recebidos como cobertura de
nuvens, valor de albedo e intensidade de radiao medida em diferentes canais seletivos
2.16

do prprio satlite. Outras informaes como altitude e turbidez atmosfrica tambm
so empregadas nos modelos.
A preciso e confiabilidade destes modelos esto fortemente associadas
determinao, a partir de imagens de satlite, do ndice de cobertura de nuvens que o
principal fator de modulao da irradiao solar que incide na superfcie do planeta e a
principal fonte de erro nas estimativas obtidas com o uso de modelos de transferncia
radiativa.
O coeficiente de cobertura efetiva de nuvens, abreviado por CCI (do termo em
ingls Cloud cover index) em um determinado pixel da imagem, em um dia e horrio
especficos, determinado a partir do valor de radincia visvel do pixel medido pelo
satlite (L
r
) e dos valores de radincia visvel associados s condies de cu claro (L
clr
)
e cu encoberto (L
cld
) para o mesmo pixel, conforme descrito na Equao 2.2.

clr cld
clr r
L L
L L
CCI

= (2.2)

A determinao dos valores de L
clr
e L
cld
pode ser realizada a partir da anlise
espacial e/ou temporal das imagens obtidas por satlite. As tcnicas desenvolvidas
podem ser separadas em dois grupos: i) tcnicas que estabelecem valores limiares para a
deteco de nuvens e trabalham pixel a pixel da imagem de um ou mais canais
espectrais do satlite e ii) tcnicas que analisam propriedades estatsticas das radincias
visvel e/ou infravermelha em grupos de pxeis ou segmentos de imagens.
Uma tcnica de valores limiares bastante utilizada adota os valores mnimo e
mximo de radincia visvel para determinao de L
clr
e L
cld
, respectivamente. Como o
albedo de superfcie e as propriedades atmosfricas variam no decorrer do ano devido
geometria Sol/Terra e devido a alteraes de propriedades e caractersticas da cobertura
do solo, os valores extremos de radincia medidos por satlite devem ser corrigidos ou
sua aplicao deve ser limitada temporalmente. Quando a determinao dos valores
extremos limitada em um intervalo de tempo especfico, os valores de L
clr
e L
cld
so
vlidos apenas para esse perodo que deve ser definido de forma tal que o albedo de
superfcie no apresente uma variao significativa e as diferenas na geometria do
sistema Sol/Terra/Satlite sejam pequenas a fim de que apresente pouca influncia na
variabilidade da radincia visvel medida pelo satlite.
2.17

A adoo de valores extremos de radincia visvel para a determinao do
coeficiente de cobertura efetiva de nuvens apresenta alguns inconvenientes. A
dificuldade primria deste mtodo reside no fato de que no intervalo de tempo
necessrio para garantir a ocorrncia de pelo menos uma situao sem contaminao de
nuvens no pixel da imagem podem ocorrer muitos fenmenos que geram um valor de
radincia menor do que o valor correspondente condio cu claro. Sombras
produzidas por nuvens (broken clouds), movimentos do pixel causados por incerteza
da navegao, variaes na estrutura da vegetao devido a variaes de umidade so
exemplos de eventos que podem reduzir os valores radincia observados por satlite
para um pixel da imagem. Quanto maior o intervalo de tempo utilizado para a obteno
do valor mnimo de radincia visvel, maior a probabilidade de ocorrncia de um dos
eventos de rudo atmosfrico ou radiomtrico, ou seja, o uso de um intervalo de
tempo grande aumenta a sensibilidade do mtodo a eventos raros e adiciona um erro
sistemtico na determinao da radincia de cu claro.
Outro fator de grande importncia a ocorrncia de nebulosidade por perodos
maiores do que o intervalo de tempo utilizado no mtodo. A ocorrncia de
nebulosidade persistente comum em regies sob o efeito da zona de convergncia
intertropical, por exemplo, nas florestas tropicais como a Floresta Amaznica e na
regio do Atlntico Sul.
De modo similar, a falta de ocorrncia de nuvens durante o intervalo de tempo
adotado para a determinao do valor de L
clr
, tambm, acarretar impreciso na
determinao do ndice de cobertura de nuvens. Na regio semi-rida nordestina
caracterizada pela baixa precipitao anual, a persistncia de cu claro ocorre ao longo
do ano e produz valores irreais de cobertura de nuvens que, quando usados como dado
de entrada em modelos de transferncia radiativa, produzem valores subestimados de
irradiao solar na superfcie.
O projeto SWERA (INPE/CPTEC e LABSOL-UFSC) elaborou em 2006 um
mapa bastante detalhado apresentando caractersticas sobre a distribuio da radiao
solar no territrio brasileiro a partir de dados de satlites. O modelo utilizado para a
elaborao destes mapas baseado no mtodo de Dois-Fluxos e foi denominado de
BRASIL-SR. O modelo assume que fluxo de radiao solar no topo da atmosfera est
linearmente distribudo entre as duas condies atmosfricas extremas cu claro e cu
encoberto. Este modelo tambm assume a existncia de uma relao linear entre a
2.18

irradincia global na superfcie e o fluxo de radiao refletida no topo da atmosfera, de
modo que se pode escrever:

( ) { }
cloud cloud clear g
CCI + = 1 ). (
0
(2.3)

onde
g
fluxo de radiao solar incidente na superfcie,
0
a radiao incidente no
topo da atmosfera,
clear
e
cloud
so as transmitncias atmosfricas. Em resumo, a
radiao solar incidente na superfcie estimada a partir de duas componentes
independentes: a primeira componente corresponde condio de cu claro,
clear
, e a
segunda refere-se condio de cu encoberto,
cloud
. As duas componentes podem ser
estimadas a partir de parametrizao dos processos fsicos bem conhecidos que ocorrem
na atmosfera utilizando dados climatolgicos e a aproximao de Dois-Fluxos para
soluo da equao de transferncia radiativa. A natureza aleatria do fluxo de radiao
solar em qualquer condio de nebulosidade includa no modelo atravs do coeficiente
de cobertura de nuvens (CCI). Um exemplo de resultado obtido por esta metodologia
apresentado na Figura 2.11.

Figura 2.11: Mapa da radiao solar mdia anual para superfcies inclinadas no territrio
brasileiro produzido pelo projeto SWERA.

3.1



3. Softwares para anlise da Radiao Solar

3.1 Introduo

Os pesquisadores do Laboratrio de Energia Solar da UFRGS, tendo em vista a
demanda por mtodos de manipulao de dados de radiao solar, tanto para fazer uma
estimativa da irradiao solar distribuda em base horria para diversas orientaes de
superfcies, quanto para estimar a probabilidade seqencial destes dados e estudar
efeitos espectrais, desenvolveram programas computacionais para facilitar os clculos
necessrios para diversas finalidades. Estes programas podem ser obtidos do site do
Laboratrio de Energia Solar procurando pelo LINK SOFTWARES e depois
selecionando o download desejado. Os programas esto preparados para operar com
sistema operacional Windows XP e podem no funcionar adequadamente com
computadores operados com Windows Vista. Os programas de interesse neste setor so:
RADIASOL (verso anterior)
SEQMETBR
RADIASOL 2
ESPECTRO

3.2 Programa RADIASOL

Para fazer o DOWNLOAD do software (Figura 3.1), procure o endereo
www.solar.ufrgs.br escolhendo os links
SOFTWARES,
logo RADIASOL
e Download do programa RADIASOL
ou ainda diretamente por ftp://ftp.solar.ufrgs.br/progs/radiasol.zip


3.2


Figura3.1: Imagem de abertura do programa RADIASOL

O arquivo ZIP deve ser expandido e o programa SETUP vai instalar o
RADIASOL no seu microcomputador. Este programa foi elaborado utilizando dados
gravados em formato MicroSoftACCESS. Em funo da configurao do Windows de
seu computador poder ocorrer algum efeito com o qual o programa no rode
imediatamente, neste caso entrar em contato pelo e_mail arno.krenzinger@ufrgs.br.
Depois de entrar no programa, procure acionar a AJ UDA pelo menu (?) indicado
na Figura 3.2. Atravs do arquivo de AJ UDA o procedimento de utilizao do programa
fica mais claro.

3.3

Figura 3.2: Interface principal do programa RADIASOL, mostrando um grfico da distribuio
de radiao solar ao longo de um dia tpico de abril para Porto Alegre. Indica-se acesso
AJUDA.

O programa RADIASOL utiliza dados em mdia mensal de diversas estaes
para convert-los em dados horrios provveis e com incidncia sobre uma superfcie
em um plano inclinado de qualquer orientao. O programa permite examinar grficos
de radiao horria incidente e copiar as planilhas para trabalhar posteriormente com
outros programas. A Figura 3.3 mostra um exemplo de resultado em planilha para dias
tpicos de um ano.


Figura 3.3: Dados de irradiao solar horria para dias tpicos de cada ms do ano.

Como exemplo, podemos indagar qual a energia solar que se espera (em
mdia) receber entre 10h e 12h em uma parede de 4 m voltada para Leste, em Rio
Grande, no dia 02 de maro. Para solucionar abre-se o RADIASOL escolhendo a
estao "Rio Grande", ajusta-se o ngulo de inclinao para 90, o Desvio Azimutal do
Norte para 90 (ver que indique Leste) e o ms de MARO e a data para dia 02/03. O
grfico de linhas, representando a irradincia ao longo do dia, aparece na Figura 3.4.
Seleciona-se agora a apresentao de TABELA (cone de planilha) e o resultado o
mostrado na Figura 3.5. Para visualizar toda a planilha utilizado o cone da planilha,
resultando na Figura 3.6. A irradiao indicada no horrio da 10:30 corresponde da hora
3.4

entre 10h e 11h (306Wh) e a irradincia no horrio das 11:30 corresponde hora entre
11h e 12h (258Wh). O total das duas horas ser, portanto: 564Wh/m, que, para 4 m
corresponde a 2256 Wh ou 8121 kJ .

Figura 3.4: Exemplo de utilizao do RADIASOL: cidade-Rio Grande,
parede vertical voltada para Leste, dia 02/03.


Figura 3.5: Idem ao visto na Figura 3.4, mas com opo de tabela.
3.5


Figura 3.6: Tabela destacada do exemplo.

O programa RADIASOL contm um sistema capaz de sintetizar dados de
radiao solar em seqncias. Para produzir estes dados o programa faz uso de
modernas tecnologias de manipulao de dados estocsticos que prope seqncias de
dados muito parecidas com seqncias naturais e esto baseadas apenas em dados
mdios mensais. Na barra de menu do Radiasol aparece a opo ESTOCSTICOS, que
permite gerar e visualizar seqncias dirias e horrias de 10 anos de radiao solar.
Esta opo, no entanto, foi aperfeioada para gerar arquivos para programas de
simulao, e os procedimentos melhorados esto inseridos no programa SEQMETBR e
utilizados no programa RADIASOL 2, assim, para utilizao de sequencias horrias de
dados recomenda-se a utilizao direta do programa RADIASOL 2.

3.3 Programa SEQMETBR

O programa SEQMETBR foi desenvolvido para suprir a necessidade de
pesquisadores que necessitam dados seqenciais. Seu nome derivado de "sintetizador
de SEQencias METeorolgicas para o BRasil". Este programa usa a mesma tcnica do
3.6

programa Radiasol na parte da radiao solar, com exceo de que gera apenas um ano
de dados. Por outro lado, incorpora um sintetizador de dados de temperatura ambiente.
O resultado gravado em um arquivo, que pode ser manipulado de forma externa por
um usurio com experincia com programao, ou simplesmente ser importado por um
programa de apresentao de grficos. A interface do programa vista na Figura 3.7.


Figura 3.7: Interface do programa SEQMETBR

Quando o mouse arrastado sobre o mapa, os grficos vo indicando os valores
de temperatura, umidade e radiao. Para visualizar e trabalhar com mais detalhe, clique
sobre um dos pontos vermelhos no mapa do Brasil, selecionando apenas um Estado. No
exemplo da Figura 3.8, o Estado selecionado o Rio Grande do Sul. Ficam marcados
em amarelo os pontos, correspondentes do Banco de Dados, que contm todos os dados.
Em vermelho aparecem pontos que no esto com todos os dados completos. O usurio
pode ento completar estes dados se ele dispe de uma fonte segura de informao, bem
como inserir novos pontos criando novas estaes com todos os dados.

3.7


Figura 3.8: Selecionado o Estado do Rio Grande do Sul.

Para obter dados para um determinado ponto geogrfico, marcado pela posio
do mouse, o usurio deve optar por utilizar dados originais de MAPAS ou utilizar uma
interpolao com os dados do Banco de Dados, como mostrado na Figura 3.9.


Figura 3.9: Selecionado os mapas no programa.

A sintetizao de dados de radiao e temperatura, por um ano em seqncias
horrias, realizada clicando o boto confirmar. Uma opo de gravar os dados em um
arquivo permanente oferecida, mas no necessrio gravar para prosseguir a
simulao. Tambm pode aparecer uma mensagem informando que no foi gerado o
arquivo de dados e que procure repetir a operao, isto ocorre quando o desvio dos
valores sintetizado com relao aos reais tem um valor maior que o admissvel.
Para inserir uma estao nova no banco de dados do programa SEQMETBR,
primeiro deve-se selecionar o Estado, ento posicionar o mouse sobre a rea de interesse
3.8

e clicar. A seguir deve-se pressionar o boto Entrada Manual de Dados, com o que
aparecer uma tela como na Figura 3.10, onde se digita o nome da nova estao e
verifica-se se os dados realmente correspondem ao que se deseja. Observe que os dados
mudam conforme se clica em "capturar pelos mapas" ou "capturar pela
interpolao". Depois de selecionados os dados, clica-se sobre o boto INSERIR, e
uma nova estao ser inserida no banco de dados, aparecendo um ponto amarelo
correspondente no mapa.

3.3.1 Capturar pelos mapas

O programa incorpora uma matriz (invisvel ao usurio) construda a partir da
extrao das informaes das cores dos Mapas Climticos do INMET. A informao da
radiao solar obtida pela converso dos dados originais de insolao em radiao por
regresso linear.

Figura 3.10. Tela para realizar a entrada manual de dados meteorolgicos.

H uma verso modificada do programa SEQMETBR embutida no software
RADIASOL2. Os mapas com base em dados de insolao foram substitudos pelos
dados correspondentes aos mapas gerados pelo projeto SWERA (Solar and Wind
3.9

Energy Resource Assessment), que proporcionam valores de irradiao solar global
horizontal em mdia mensal, calculados a partir de imagens obtidas por satlites.

3.3.2 Capturar pela interpolao

Com a interpolao selecionada, o clculo dos valores dos dados climticos feito
pela mdia ponderada dos valores que existem nas localidades pertencentes ao banco de
dados. Esta mdia feita utilizando apenas as trs localidades mais prximas ao ponto
representado pelo mouse e de forma que o peso seja inversamente proporcional
distncia. Cada varivel tratada de forma separada. Assim, os dados de uma varivel
climtica podem ser o resultado de um conjunto de 3 cidades que no necessariamente
sejam as mesmas consideradas para outro dado. Quando uma nova estao inserida no
banco de dados, ela passa a integrar o banco com a mesma hierarquia dos dados
existentes anteriormente e, portanto, a ser considerada na interpolao de outros pontos.
Deve-se ainda selecionar o valor do albedo, o ngulo do desvio azimutal e a
inclinao do mdulo, para somente depois prosseguir com o clculo da seqncia
meteorolgica. As interfaces da Figura 3.11 mostram aspectos destes ajustes.


Figura 3.11: Ajustes para Desvio Azimutal do Norte, Inclinao e Albedo do Solo.

Finalmente, clicando no boto CONFIRMAR, o processo de clculo e gravao
de dados inicia. Terminado o processo, a janela ao lado aparece, possibilitando fazer
uma cpia do arquivo. Cada vez que gerado um arquivo, os resultados so gravados
com o nome DadosClima.met , gravando encima dos dados anteriores, no sub-diretrio
DADOS. Por isto importante produzir uma cpia do arquivo para futura utilizao,
como mostrado na Figura 3.12.

3.10






Figura 3.12: Caixa para confirmar a gravao do arquivo climtico.

O arquivo em formato texto tem um cabealho de duas linhas e uma seqncia
de dados conforme mostra a Figura 3.13. Os dados so separados por vrgulas, sendo os
3 primeiros o ms, o dia e hora, seguidos da Irradiao Horizontal em Wh, da Irradiao
Inclinada em Wh, do fator modificador devido ao ngulo, do co-seno do ngulo de
incidncia da radiao direta, da velocidade de vento em m/s, da temperatura ambiente
em C e da temperatura do ambiente onde pode estar o reservatrio de gua.







Figura 3.13: Dados gravados no arquivo DadosClima.met

O fator modificador devido ao ngulo um fator de degradao de eficincia
decorrente da perda de eficincia de um coletor solar com o aumento de reflexo dos
vidros com o ngulo de incidncia. No caso foi calculado pela relao entre a
transmitncia de um vidro com incidncia inclinada e com incidncia perpendicular. A
velocidade do vento gerada de forma aleatria, no tem valor tcnico ou cientfico.
Est no programa apenas como reserva tcnica para futuros aperfeioamentos do
mesmo. A temperatura do ambiente onde pode estar o reservatrio da gua calculada,
a cada hora, como a mdia aritmtica entre a temperatura ambiente daquela hora e a
temperatura mdia do dia. um valor mais "amortecido" do que a temperatura
ambiente.
"nome =Porto Alegre Azimute =0 Inclinao =45 Latitude =-30,02 Longitude =5122,"
"mes","dia","hora","Rad_Horiz","Rad_Inclin","Modific","Cos(Inc)","Vel_Vento","TempAmb","TempTank"
1,1,0,0,0,0,0,3.2383,20.9316714211246,22.1141110859285
1,1,1,0,0,0,0,4.009146,20.6270008219376,21.961775786335
1,1,2,0,0,0,0,2.070387,20.122150842947,21.7093507968397
1,1,3,0,0,0,0,1.515326,20.8457167018191,22.0711337262758
1,1,4,0,0,0,0,2.044522,20.5476900231307,21.9221203869316
1,1,5,44.77374,35.29185,.5634902,.211162,.6148942,19.9075128489098,21.6020317998211
.........................
3.11

Como exemplo de resultados obtidos, o grfico da Figura 3.14 mostra a
irradiao solar horria e a temperatura ambiente reproduzida por um programa grfico,
entre os pontos 4000 e 4200 de uma seqncia de um ano (8760 pontos).


4000 4040 4080 4120 4160 4200
0
200
400
600
800
1000
I
R
R
A
D
I

N
C
I
A

(
W
/
m

)
0
10
20
30
40
50
p
(
)

Figura 3.14: Exemplo de resultado do programa SEQMETBR, 200 pontos em seqncia de
um total de 8760 pontos gerados.


3.4. Programa RADIASOL 2

Atendendo demanda por um programa que utilizasse uma interface de mapa
para chegar ao local de onde se necessitasse estudar a radiao solar, foi preparado um
programa misturando um pouco do SEQMETBR com o programa RADIASOL. O
programa chamado RADIASOL2 pretende substituir o programa RADIASOL
realizando tarefas similares, mas a partir dos dados sintetizados pelo mecanismo do
SEQMETBR.
O programa RADIASOL2 permite ao usurio selecionar o local e o mtodo de
obteno dos dados climticos mdios. H trs opes: digitar dados obtidos de uma
fonte confivel, obter dados por interpolao dos dados do banco de dados embutido no
programa e obter dados a partir dos mapas disponibilizados pelo projeto SWERA.
3.12

Como explicado no texto de ajuda do software, o RADIASOL 2 (assim como
o Radiasol e o SEQMETBR) no um programa fonte de dados meteorolgicos ou
climticos, apenas ajuda a lidar com dados que o prprio usurio deve inserir no
programa. Apenas para facilitar a utilizao enquanto o usurio ainda no dispe dos
dados mais especficos, o programa disponibiliza dados em mdia mensal para permitir
a sintetizao das sequncias.
Para mostrar os dados de irradiao em mdia mensal sobre um plano inclinado,
diferentemente do programa Radiasol (verso anterior), o RADIASOL 2 faz a mdia
dos dados estocsticos obtidos de forma horria, mantendo coerncia entre os dados
seqenciais e os dados mdios, mas permitindo certas assimetrias na distribuio
horria mdia ao longo do dia.
Os dados horrios so sintetizados ao longo de um ano, tentando fazendo com
que a mdia de irradiao para cada ms seja parecida com a mdia mensal utilizada
para alimentar o programa. Desta forma os dados devem ser encarados como dados
tpicos, e no extremos. Isto porque os dados mdios inseridos para dar incio
sintetizao em geral correspondem uma mdia de vrios anos e no uma mdia
mensal referida a apenas um ano.
A Figura 3.15 mostra a interface da seleo do estado do Brasil para inicial o
programa RADIASOL 2. Arrastando o mouse pelo mapa do Brasil possvel ver uma
estimativa das diferenas climticas. Clicando em um crculo vermelho se seleciona um
estado.
A Figura 3.16 mostra a interface com o estado da Bahia selecionado.
Exatamente como no programa SEQMETBR, os pontos representam localidades que
constam do Banco de Dados, podendo-se inserir novas localidades, ou editar os dados a
qualquer momento. Selecionando a cidade de Salvador e clicando em CONFIRMAR,
so gerados os dados seqenciais e apresentados em grfico em funo do tempo,
conforme exibe a Figura 3.17. Este grfico pode ser examinado com facilidades de
diversas modalidades de ZOOM e deslocamento vertical e horizontal. Tambm
possvel alternar entre dados de radiao solar e temperatura ambiente.
Na parte inferior da imagem apresentada na Figura 3.17 aparecem opes de
continuidade do programa. Uma delas a opo de grficos de barras, que permite realizar
mdias mensais dirias e horrias. Ao selecionar esta opo, uma janela como a que aparece na
Figura 3.18 exibida.
3.13


Figura 3.15 Interface da seleo do estado do Brasil no programa RADIASOL 2.

Figura 3.16 Interface de seleo da localidade e orientao.
3.14

No caso da Figura 3. 18 so apresentados dados dirios em mdia mensal para cada ms
do ano, mas selecionando um determinado ms se visualizam os dados de cada componente
organizados (Figura 3.19) como mdia horria ao longo de um dia.

Figura 3. 17 Grfico seqencial de dados de irradiao horria.

Figura 3.18 Grfico da irradiao diria em mdia mensal.
3.15


Figura 3.19 Grfico da irradiao horria em mdia mensal.

Os dados exportados podem ser utilizados pelo usurio em outros programas ou planilhas de
clculo comerciais, j que so gravados em formato acessvel como dados separados por
vrgula.

3.5. Programa ESPECTRO

O programa ESPECTRO - Espectro Solar foi concebido como parte do pacote
SOLARCAD, um software onde so gerados os espectros solares da radiao direta e
difusa sobre um plano horizontal, a partir de dados atmosfricos informados pelo
usurio. Informando dados como temperatura, umidade relativa, bem como a
localizao a data e o horrio, obtm-se o espectro solar incidente, o programa tambm
calcula a integral sobre esta curva, informando a radiao total incidente em W/m
2
. O
usurio pode entrar com uma funo de transmitncia ou refletncia via tabela ou
mouse, jogar o espectro solar contra elas e obter o espectro refletido ou transmitido,
assim como a radiao total transmitida ou refletida. J unto com o software so
3.16

instaladas algumas informaes com as tabelas de transmitncia e refletncia de alguns
materiais.
O programa ESPECTRO foi elaborado no Laboratrio de Energia Solar da
UFRGS- Universidade Federal do Rio Grande do Sul .
A Tabela 3.1 mostra a lista de parmetros solicitados pelo programa, sendo que
os ngulos Azimutal e Zenital so calculados pelo programa a partir dos dados de tempo
(data e hora) e da latitude. Como alguns destes parmetros podem ser de difcil
obteno, o programa sugere valores tpicos para comear a trabalhar. A Figura 3.20
mostra a interface grfica onde os parmetros so ajustados e o grfico do espectro solar
apresentado.
Tabela 3.1 Parmetros necessrios para o programa Espectro Solar
Altura da camada de oznio Albedo de Superfcie
Coeficiente de Aerossis Albedo de Espalhamento
Temperatura Ambienete ngulo Azimutal
Umidade Relativa ngulo Zenital
Hemisfrio (Norte ou Sul) Ms
Visibilidade Dia
Altitude Local Hora
Latitude Minuto


Figura 3.20 Janela principal do programa Espectro Solar.

3.17

O programa ESPECTRO funciona da seguinte maneira: dados determinados parmetros
atmosfricos, possvel estimar o grau de absoro da atmosfera para determinados
comprimentos de onda. O programa parte de um espectro tpico da radiao solar direta fora da
atmosfera e calcula a absoro e a disperso da luz, gerando espectros resultantes separados em
radiao difusa e radiao direta. A integral destes espectros produz um valor estimativo de
radiao difusa e direta que, somados, do a radiao global. O programa apresenta de forma
grfica os espectros das componentes difusa e direta e sua soma no grfico da distribuio
espectral de radiao global. Mostra tambm a distribuio espectral da radiao extraterrestre
normal e horizontal. A interface de opes de qual grfico ser representado aparece na Figura
3.21, sendo (a) para seleo com check list e (b) para opo na barra de ferramentas.


(a)


(b)
Figura 3.21 Opes de escolha do espectro a ser representado.

Para facilitar a utilizao destes dados em interao com diferentes materiais, o
programa permite que se entre com dados de refletividade ou transmissividade espectral
de qualquer material e produz, numericamente, um espectro da radiao solar refletida
ou transmitida por estes materiais, bem como sua integral. Assim possvel estudar os
efeitos que determinados materiais podem produzir em componentes de sistemas de
converso da energia solar. Operaes entre as funes geradas permitem ampliar os
resultados possveis (ver Figura 3.22)
3.18


Figura 3.22 Operaes entre funes permitem calcular efeito de mais de um material refletindo
ou transmitindo a radiao solar.

4.1


4. CLULAS FOTOVOLTAICAS

4.1 EFEITO FOTOVOLTAICO

Efeito fotovoltaico o nome dado a transformao direta da luz em energia eltrica. O
dispositivo utilizando para este fim so as clulas fotovoltaicas ou tambm chamadas clulas
solares. Neste processo, so utilizados materiais semicondutores como o silcio, o arseneto de
glio, telureto de cdmio, disseleneto de cobre e ndio entre outros.
No nosso objetivo aqui estudar com profundidade os fenmenos fsicos que regem o
funcionamento das clulas solares, matria que exigiria uma certa familiaridade com a fsica do
estado slido e de componentes eletrnicos. Uma explicao simplificada e qualitativa ,
entretanto, fundamental para a aceitao do fenmeno e compreenso dos efeitos provocados por
modificaes externas. A seguir ser apresentada uma tentativa de expor o efeito fotovoltaico
que ocorre nas clulas da forma mais simples possvel, limitando os exemplos ao silcio
monocristalino (por ser o material mais usado para fabricao de clulas), mas lembrando que
com outros semicondutores ocorrem situaes semelhantes.
O silcio (Si) um material com uma densidade atmica de 5 x 10
28
tomos por metro
cbico. Cada tomo de Si possui quatro eltrons na camada eletrnica mais externa (material
tetravalente, portanto). Na forma cristalina, o Si preenche at o nmero "ideal" de oito eltrons
nesta camada, compartilhando cada um de seus quatro eltrons de valncia com outros quatro
tomos de Si, como pode ser observado na Figura 4.1.


Figura 4.1 Representao esquemtica das ligaes covalentes em um cristal de silcio.
4.2


Cada um destes tomos, por sua vez, compartilha um de seus eltrons com o primeiro
tomo, formando assim uma rede tridimensional de tomos onde todos os eltrons esto ligados.
Isto indica que uma rede ideal deste material seria um isolante eltrico, dada a ausncia de
eltrons livres para a conduo eltrica. O silcio, no entanto, classificado como um
semicondutor porque, temperatura ambiente, uma pequena frao de seus eltrons escapa das
ligaes interatmicas e passa a integrar um grupo de eltrons com energia maior que os eltrons
de ligao e que se distribuem pelo cristal com movimentos aleatrios em todas as direes, os
eltrons livres. A cada eltron que se libera de suas funes de ligao, corresponde uma ligao
incompleta, uma regio em que um tomo se v cercado por apenas sete eltrons, havendo assim
uma "lacuna" ou posio de ligao no preenchida por um eltron.
A frao de eltrons livres no silcio temperatura ambiente de 7 x 10
-14
. Havendo
5x10
28
tomos por metro cbico e quatro eltrons de valncia por tomo, haver 1,4x10
16

eltrons livres e igual nmero de lacunas por metro cbico. Quando um campo eltrico
aplicado ao cristal, circular neste uma corrente causada parcialmente pela acelerao dos
eltrons livres na direo do campo e parcialmente pelo deslocamento dos eltrons de ligao,
que saem dos tomos com a camada de valncia completa para as lacunas existentes, deixando
assim novas lacunas para que um processo sucessivo de transferncias eletrnicas se desenvolva.
O deslocamento de eltrons de ligao entre tomos vizinhos pode ser descrito, da mesma forma,
por um "movimento" das lacunas no sentido contrrio. Diz-se assim que o processo de conduo
eltrica em um semicondutor se d por uma corrente de eltrons e uma "corrente de lacunas",
atribuindo-se uma carga positiva s lacunas que se deslocam no sentido contrrio aos eltrons.
Se uma pequena frao, por exemplo, uma parte por milho, de tomos com cinco
eltrons de valncia (pentavalentes) for introduzida na rede cristalina do Si, substituindo tomos
deste na mesma proporo, ento haver, depois de estabelecidas as ligaes com seus quatro
vizinhos, um quinto eltron no ligado. Este eltron tenderia a orbitar em torno da regio do
tomo pentavalente, porm estaria to fracamente ligado nesta rbita que a prpria energia
trmica temperatura ambiente lhe daria condies de se libertar desta ligao e integrar o grupo
dos eltrons livres. Se for considerada uma dopagem de 5x10
22
tomos de fsforo (P) por metro
cbico num cristal de Si, uma densidade igual de eltrons passaria a integrar o grupo dos eltrons
livres. Note-se que uma dopagem em uma frao da ordem de um milionsimo de tomos
pentavalentes implica em um aumento do nmero de eltrons livres na ordem de um milho de
vezes, com a conseqente alterao drstica na condutividade do semicondutor.
4.3

Se, por outro lado, uma frao similar de tomos trivalentes como os de Boro (B) for
introduzida num cristal de silcio, haver um aumento da ordem de um milho de vezes na
densidade de lacunas do cristal, sendo ento a condutividade por lacunas predominante.
Os cristais dopados com tomos pentavalentes (tambm chamados de doadores de
eltrons) so chamados de semicondutores do tipo N e os dopados com tomos trivalentes
(tambm chamados aceitadores de eltrons) so denominados semicondutores do tipo P.
O efeito de profundas modificaes no comportamento eletrnico dos cristais com
pequenas dopagens de impurezas demonstra que nos processos de fabricao de dispositivos
eletrnicos necessrio utilizar semicondutores previamente purificados a um alto grau.


Figura 4.2 Diagrama esquemtico de uma estrutura cristalina de silcio dopado a fim de
produzir semicondutores do tipo N e do tipo P.

Um mesmo cristal pode abrigar uma regio dopada do tipo P em contato com uma
regio dopada do tipo N. Na interface das duas regies haveria uma difuso de eltrons da regio
N para a regio P e uma difuso de lacunas da regio P para a regio N, devido aos fortes
gradientes de concentrao. Em conseqncia desta difuso, a regio N prxima interface
ficaria com deficincia de eltrons, isto , ficaria com cargas positivas, e a regio P prxima
interface ficaria com cargas negativas. Esta polarizao de cargas eltricas gera um campo
eltrico interno no material, o qual origina uma fora eltrica que se ope fora de difuso
original. No equilbrio, a corrente devida ao campo formado compensa a corrente devida
difuso que flui no sentido oposto, tornando nula a corrente atravs da interface. O campo
eltrico formado existe apenas na regio das junes e seu alcance define a "zona de depleo",
cuja largura depende das dopagens do lado N e do lado P.

4.4


Figura 4.3 Representao esquemtica de um juno PN

O dispositivo eletrnico de junes mais simples e mais conhecido o diodo retificador.
Ele opera deixando fluir a corrente em um sentido e impedindo-a no sentido inverso. Quando
uma fonte externa ligada com seu terminal positivo no lado P e seu terminal negativo no lado
N, o campo eltrico externo diminui o efeito do campo eltrico local da juno, retirando a
mesma do equilbrio, pois as foras de difuso ultrapassam as foras do campo local, e os
eltrons fluem com facilidade da regio N para a regio P. Se os terminais da fonte externa
forem ligados da forma contrria, o campo eltrico externo contribui com o campo da juno
tendendo a impulsionar eltrons da regio P para a regio N. Os eltrons da regio P, entretanto,
so escassos e geram apenas uma corrente mnima conhecida como "corrente de saturao
reversa". A caracterstica tenso x corrente descrita pela equao:

I =I
o
[ exp { eV /(mkT)}-1 ] (4.1)

cuja demonstrao pode ser obtida em qualquer livro sobre dispositivos eletrnicos. I
o
a
corrente de saturao reversa, V a tenso aplicada, k a constante de Stefan-Boltzmann, T a
temperatura do cristal e m um fator com valor entre 1 e 2 (2 para tenses muito baixas e
tendendo a 1 para tenses acima do "joelho" da curva). A Figura 0.4 representa a Equao 1 e
chamada "caracterstica no escuro" de um diodo semicondutor.
4.5


Figura 0.4 Curva caracterstica de um diodo.


Observa-se que quando uma juno P-N iluminada, a curva caracterstica se desloca
como indicado na Figura 4.5.

Figura 4.5 Curva caracterstica I-V de um fotodiodo de Si sob iluminao

O fato de aparecer uma tenso nos terminais do diodo iluminado foi denominado efeito
fotovoltaico, e a explicao do fenmeno possvel com consideraes da mecnica quntica. A
luz constituda de ftons, que podem ser absorvidos por eltrons que estejam participando das
ligaes (eltrons de valncia) entre os tomos de silcio. Quando um eltron absorve um fton,
passa a um estado de energia igual que tinha anteriormente mais a energia do fton, o que
4.6

implica na sua liberao, criando assim um eltron livre e uma lacuna onde havia antes uma
simples ligao entre tomos. Denomina-se este fato de gerao de um par eltron-lacuna a partir
de um fton. Os eltrons gerados na regio P sero acelerados pelo campo eltrico localizado na
regio da juno para o lado N. As lacunas geradas na regio N tendem a cruzar a juno para o
lado P, como pode ser observado na Figura 4.6.

Figura 4.6 - Gerao de fotocorrente


Ocorre assim um desequilbrio nas correntes da juno que transferem uma diferena de
potencial para os terminais do dispositivo. Se o circuito externo fechado por um fio, uma
fotocorrente passa a circular e se mantm enquanto incidir luz sobre a juno. Quando a
polarizao do diodo reversa (positivo do lado N), fcil entender a corrente que circula no
sentido reverso se for lembrado que, no escuro, esta corrente pequena por escassez de eltrons
no lado P e que, em condies de iluminao, os eltrons no lado P so gerados por ftons
incidentes.
Tambm fcil prever uma proporcionalidade entre a corrente reversa e a intensidade de
luz, j que a ltima determina o nmero de ftons incidentes e o nmero de pares eltrons-lacuna
gerados (e, portanto, a corrente) depende deste fato.

4.2 CLULAS FOTOVOLTAICAS

As clulas fotovoltaicas so os dispositivos conversores de energia radiante em energia
eltrica que funcionam segundo o efeito fotovoltaico. Na sua grande maioria, as clulas usadas
em aplicaes comerciais podem ser encaradas como diodos de juno PN de grande rea. As
clulas fotovoltaicas podem ser divididas quanto estrutura de ligao dos tomos dos quais so
4.7

constitudas. Desta forma a estrutura atmica pode ser do tipo cristalina ou do tipo amorfa. A
estrutura cristalina pode ser ainda monocristalina ou multicristalina.
Quanto ao material utilizado para a fabricao das clulas, este pode ser composto por
ligas, como sulfeto de cdmio e arsenieto de glio entre outros ou por apenas um elemento como
o silcio, germnio ou selnio. Na parte frontal das clulas acrescentada uma camada de um
material, geralmente TiO
2
ou SiO
2
, a fim de minimizar as perdas por reflexo. A Fig. 4.7
apresenta uma representao de uma clula de silcio tpica. Normalmente a camada de Silcio
tipo N tem uma espessura compreendida entre valores da ordem de 0,3 m at 1 m enquanto a
camada de silcio tipo P apresenta uma espessura de aproximadamente 300 m.

Figura 4.7 - Representao de uma clula fotovoltaica de silcio
(adapatado de CRESESB, 2006).

A eficincia da converso da energia solar em energia eltrica atravs do efeito
fotovoltaico em uma clula est limitada por uma srie de fatores e este limite da ordem de
25% para clulas de Si sem concentrao da radiao solar (com concentrao pode atingir
32%). Os principais fatores que geram esta limitao so os seguintes:
1. Perdas por reflexo na superfcie (que podem ser reduzidas pelo uso de
camadas anti-reflexivas);
2. Perdas por seletividade - apenas parte dos ftons disponveis pode ser
aproveitada;
4.8

3. Perdas pela utilizao parcial da energia dos ftons na criao dos pares
eltron-lacuna;
4. Perdas pelo no aproveitamento de todos os pares eltron-lacuna e pela
recuperao somente parcial da energia destes portadores;
5. Perdas pelos efeitos de resistncia srie e paralela, contatos, etc.
O segundo fator, as perdas por seletividade, tem origem em dois efeitos: os ftons com
energia menor que a necessria para liberar eltrons de valncia da sua ligao entre tomos de
silcio no so aproveitados e os ftons com energia maior que a necessria so absorvidos ao
longo da profundidade do cristal e podem atravess-lo sem ser absorvidos. Como conseqncia
destes efeitos e outros fatores de funcionamento, as clulas de Si so insensveis luz fora da
banda visvel e infravermelho prximo.
A resposta espectral de uma clula convencional de Si pode ser vista na Erro! Fonte de
referncia no encontrada.4.8 A no coincidncia dos mximos das duas curvas infelizmente
reduz a quantidade de energia aproveitvel. Existe a alternativa de outros materiais que podem
alcanar eficincias mais altas, porm sua tecnologia no tem ainda a estabilidade obtida pelas
clulas de silcio.

4.9

0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
Comprimento de Onda (m)
0
200
400
600
800
1000
1200
I
r
r
a
d
i

n
c
i
a

E
s
p
e
c
t
r
a
l

S
o
l
a
r

G
l
o
b
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l

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W

.

m

-
2

.

m
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
R
e
s
p
o
s
t
a

R
e
l
a
t
i
v
a
Curva 1 - Resposta espectral da clula
Curva 2 - Espectro solar (AM 1,5 G)

Figura 4.8 Resposta espectral de uma clula de silcio
A radiao solar provoca a separao dos portadores de carga, como descrito
anteriormente, e o surgimento de uma corrente caso exista um aparelho de consumo ligado. As
perdas ocasionadas pela recombinao, pela reflexo e pelo sombreamento entre os contatos
frontais, ocorrem na clula solar. Alm disso, uma grande proporo da energia de radiaes de
onda longa e curta no pode ser aproveitada. Uma outra parte da energia no aproveitada
absorvida e transformada em calor. As perdas individuais de uma clula solar de silcio
cristalino, so dadas no seguinte balano energtico:
100% energia solar irradiada
- 3,0% reflexo e sombreamento dos contactos frontais
- 23,0% relativo a insuficiente energia do fton na radiao de onda longa
- 32,0% relativo ao excedente de energia do fton na radiao de onda curta
- 8,5% devido a recombinao
- 20,0% gradiente eltrico numa clula, especialmente na regio da barreira de
potencial
- 0,5% resistncia em srie (perdas trmicas da conduo eltrica)
=13,0% energia eltrica utilizvel
4.10


O material mais utilizado para a fabricao de clulas fotovoltaicas o silcio. Ele no
encontrado na natureza como um elemento qumico puro, mas um composto qumica em forma
de dixido de silcio. Para a obteno do silcio, em primeiro lugar necessrio separar o
oxignio no desejado do dixido de silcio. Para conseguir isto, a areia de slica aquecida e
fundida num cadinho, junto com p de carvo. Durante este processo criado o silcio
metalrgico, com uma pureza de 98 %.
No entanto, 2 % de impurezas no silcio demasiado para aplicaes eletrnicas.
apenas admissvel um bilionsimo por cento. Por este motivo, o silcio em estado bruto ainda
purificado atravs de um processo qumico. cuidadosamente depositado num forno com cido
clordrico. Como resultado, so produzidos as substncias hidrognio e triclorosilano. Este
ltimo destilado em vrias e sucessivas etapas, durante as quais reduzida a percentagem de
impurezas em cada estgio da destilao. Quando se consegue a percentagem de pureza
necessria, o triclorosilano reduzido a silcio com a ajuda do hidrognio a 1.000 C. Este silcio
de elevada qualidade pode agora ser processado de diferentes modos, como por exemplo para
produzir clulas monocristalinas ou clulas policristalinas.


4.2.1Clulasdesilciomonocristalino
O processo de Czochralski (processo de extrao de cadinho), foi estabelecido para
produzir silcio monocristalino para aplicaes terrestres. Durante este processo, o ncleo do
cristal, que uma semente de silcio cristalino com uma orientao definida, imerso num
banho de silcio fundido (ponto de fuso de 1.420C) e retirado do banho enquanto roda
lentamente. Deste modo, podem ser produzidos cristais nicos redondos com um dimetro de
trinta centmetros e vrios metros de comprimento. Os monocristais cilindricos podem ser
estriados em barras semiquadradas e depois cortados em lminas de 0,3 mm (wafer). Durante o
processo de estriagem dos monocristais e de corte das pastilhas, perde-se uma grande parte do
silcio em forma de p de serragem. A partir das pastilhas j com impurezas positivas, a fina
camada com impurezas negativas produzida com difuso de fsforo, a temperaturas de 800-
1.200 C. Depois de unir a camada de contato posterior, as pastilhas so equipadas com contatos
eltricos e com uma camada de anti-reflexo na parte frontal.
4.11

O processo de zona flutuante consiste noutro processo de produo de silcio
monocristalino, sendo utilizado para a produo de clulas solares de maior pureza e de maior
eficincia.

Eficincia: 15 18 % (silcio de Czochralski)
Forma: So produzidas clulas redondas, semi-quadradas ou quadradas, dependendo da
quantidade que estriada do cristal nico. As clulas redondas so mais baratas do que as semi-
quadradas ou as quadradas, uma vez que se perde menos material durante a sua produo. No
entanto, raramente so utilizadas em mdulos padro devido ao menor aproveitamente do espao
no mdulo fotovoltaico. Para mdulos especiais, utilizados em sistemas de integrao em
edifcios, para os quais desejvel algum grau de transparncia, ou para sistemas solares
domsticos, as clulas redondas podero constituir uma boa alternativa.

Tamanho: Majoritariamente 10x10 cm ou 12,5x12,5 cm, dimetro 10, 12,5 ou 15 cm.
Espessura: 0,3 mm.
Estrutura: Homognea.
Cor: Gama de azul-escuro para preto (com Anti-reflexo), cinza (sem Anti-Reflexo).
Fabricantes de Clulas: Astro Power, BP Solar, CellSiCo, Eurosolare, GPV, Helios, Isofoton,
RWE Solar, Sharp, Shell Solar, Solartec, Telekom-STV.




Figura 4.9 - Clula quadrada, semi-quadrada e redonda de silcio monocristalino

4.2.2Cluladesilciopolicristalino

O processo de produo mais comum para o silcio policristalino o de fundio de
lingotes. O silcio em estado bruto aquecido no vcuo at uma temperatura de 1.500 C e
depois arrefecido na direo da base do cadinho, a uma temperatura aproximada de 800 C. So
4.12

assim criados os blocos de silcio de 40x40 cm com uma altura de 30 cm. Os blocos so primeiro
serrados em barras e depois em pastilhas com uma espessura de 0,3 mm. Durante o corte,
perdem-se partes do silcio na forma de p de serragem. Depois da introduo de impurezas de
fsforo, a camada posterior de contato unida pastilha. Por ltimo, os contactos eltricos so
fixados no lado frontal juntamente com uma camada de anti-reflexo (AR)

Eficincia: 13-15 % (com AR).
Forma: Quadrada.
Tamanho: 10x10 cm, 12,5x12,5 cm e 15x15 cm.
Espessura: 0,3 mm.
Estrutura: Durante a fundio do bloco, formam-se cristais com vrias orientaes. Os cristais
individuais podem ser facilmente vistos na superfcie (padro estrutural semelhante a cristais de
gelo), devido ao efeito criado pela diferente reflexo da luz.
Cor: azul (com AR), cinza prateada (sem AR).

Fabricantes de clulas: BP Solar, Eurosolare, ErSol, GPV, Kyocera, Photowatt, Q-Cells, RWE
Solar,Sharp, Shell Solar, Sunways.

(a)

(b)

(c)
Figura 4.10 - Clulas de Silcio policristalino- (a) sem camada AR.
(b) com camada AR. (c) com AR e contatos eltricos

4.2.3Clulasdefilmesfinos

Clulas de filmes finos so resultado das investigaes feitas para possibilitar a produo
de clulas confiveis utilizando pouco material semicondutor, e que seja plausvel a produo em
grande escala, com custos mais baixos de produo e, em conseqncia, da energia gerada.
4.13

Os dispositivos de filme fino produzem tenso mais elevada que os monocristalinos e
policristalinos, e os mdulos podem ser feitos com menos de 28 clulas; alm de apresentarem
tamanhos e formas livres, podendo adaptar-se a superfcies como telhas, janelas, etc.
Entre os materiais trabalhados figuram diferentes semicondutores, e o tratamento consiste na sua
deposio em camadas finas na superfcie, da ordem de poucos micrometros. Na Figura 4.11 se
mostra uma clula flexvel desenvolvida na University of Linz (Austria).
O silcio amorfo um destes materiais e caracteriza-se por ter maior desenvolvimento na
rea, ainda que no apresente o mesmo nvel de confiana nem de estabilidade que as clulas
cristalinas; mas junto aos outros materiais, tem o futuro assegurado, por permitir a fabricao de
produtos de baixo custo em grande escala e permitir sua deposio sobre diferentes superfcies.
Neste tipo de tecnologia tambm se encontram os filmes finos de telureto de cdmio (CdTe),
disseleneto de cobre e ndio, e disseleneto de cobre, glio e ndio (CIS e CIGS) (Rther, 2004).


Figura 4.11 Clula flexvel de silcio amorfo.

TABELA 4.1 Eficiencias depois da estabilizao de mdulos de silcio amorfo.
Company Stabilised efficiency (%)
/ (aperture area)
Device configuration

BP Solar

8.1%/(0.36 m 2) a-Si/a-SiGe tandem on glass

BP Solar

7.6%/(0.74 m 2) a-Si/a-SiGe tandem on glass

Fuji Electric

9.0%/(0.32 m 2) a-Si/a-SiGe tandem on plastic

Intersolar

,-~4.5-5.0%/(0.m302 ) Single junction on glass
Iowa Thin
Films

~4.5-5.5%/(0.45 m 2) Same gap tandem on plastic

Kaneka

8.1%/(0.41 m 2) Single junction on glass

Kaneka

~10%/(0.3 7 m 2) a-Si//zc-Si tandem on glass
Phototronics

,-~6.0-6.5%/(0.5m52 ) Same gap tandem on glass
Sanyo

9.3%/(0.51 m 2) a-Si/a-SiGe tandem on glass

United S o l a r

10.1%/(0.09 m 2) Triple junction on steel foil

United Solar

7.9%/(0.45 m 2) Triple junction on steel foil



4.14


Figura 4.12 Clula de mltiplas camandas de a-Si.

A clula de separao espectral mostrada na figura 4. 12 construda por diversas clulas de
silicio amorfo (p-i-n) separadas cada uma com uma diferente caracteristica de resposta spectral.
Assim a clula multicamadas United Solar pode aproveitar melhor a energia incidente e atingir o
record de eficiencia medido no National Renewable Energy Laboratory (NREL) para clulas de
a-Si de pequena area -- 13 percent.


4.2.4Clulasorgnicasedecorantes.
Tambm conhecidas pela sigla DSC (Dye-Sensitized Solar Cells - clulas solares
sensibilizadas por corantes) essas clulas solares foram inventadas pela equipe do professor
Michael Gratzel, na Sua, nos anos 1990 - por isso, tambm so conhecidas como clulas
solares Gratzel. Uma clula solar Gratzel composta por uma camada porosa de nanopartculas
de um pigmento branco, o dixido de titnio, coberta por um corante molecular que absorve a
luz solar, como a clorofila nas folhas verdes.
O dixido de titnio revestido com pigmento imerso em uma soluo eletroltica, e
um catalisador base de platina completa a estrutura. Como em uma clula eletroqumica
convencional - uma pilha alcalina, por exemplo - dois eletrodos (o anodo de dixido de titnio
e o catodo de platina na clula Gratzel) so colocados em cada um dos lados de um condutor
lquido (o eletrlito).
A luz solar passa atravs do catodo e do eletrlito e, em seguida, retira eltrons do
anodo de dixido de titnio, que um semicondutor e fica na parte inferior da clula. Esses
eltrons viajam ao longo de um fio a partir do anodo at o catodo, criando a corrente eltrica.
4.15

Desta forma, a radiao solar convertida em eletricidade. A maioria dos materiais usados
para construir esta clula solar so de baixo custo, de fcil fabricao, e so flexveis,
permitindo a integrao dos painis solares em uma grande variedade de objetos e materiais.
As clulas de corante ainda no atingiram um nvel comercial devido sua baixa
eficincia e pouca durabilidade (eficincia pode chegar a 6 ou 7%, mas duram muito menos
que uma clula de silcio amorfo).

Fig. 4.13 Clulas sensibilizadas por corantes.

De forma similar, as clulas orgnicas so geralmente constitudas por um polmero
condutor e um material receptor de eltrons, como o fulereno (C60). A eficincia desses
dispositivos ainda bem mais limitada do as clulas de corante, principalmente devido baixa
absoro de luz pela camada ativa e a baixa mobilidade dos transportadores de cargas.



4.3 CIRCUITO EQUIVALENTE DA CLULA FOTOVOLTAICA

Como existe, para alguns profissionais da rea de eletrnica, facilidade de
raciocinar sobre circuitos equivalentes e muito maior familiaridade com as curvas de
diodos no escuro, de interesse representar a clula como um circuito equivalente. A
Figura 4.3.1 mostra o circuito equivalente simplificado de uma clula fotovoltaica. A fonte de
corrente representa a corrente fotogerada I
L
, enquanto que I
D
a corrente que circula atravs do
diodo.
4.16

I
I
D
I
L
V
+

Figura 4.3.14- Circuito equivalente simplificado de uma clula fotovoltaica.

Do circuito da Figura 4.3.14 tem-se que:

D L
I I I =
(4.3.2
)

A corrente que flui atravs de um diodo, em funo da tenso, pode ser descrita pela
equao (4.3.3), a qual pode ser encontrada em diversas bibliografias de fsica do estado slido.

= 1 exp
0
cel
D
T k m
V e
I I
(4.3.3
)

onde I
0
a corrente de saturao reversa do diodo no escuro, V a tenso aplicada aos terminais
do diodo, e a carga do eltron, m o fator de idealidade do diodo (entre 1 e 2 para o silcio
monocristalino), k a constante de Boltzmann e T
cel
a temperatura absoluta da clula
fotovoltaica.
Assim tem-se que a corrente da clula fotovoltaica, em funo da tenso, pode ser
expressa por:

= 1 exp
0
cel
L
T k m
V e
I I I
(4.3.4
)

A partir da equao (4.3.4), verifica-se que na condio de curto-circuito (V =0) a
corrente do dispositivo a prpria corrente fotogerada e que, se a clula for colocada em circuito
aberto (I =0), ela se autopolarizar com uma tenso tal que a corrente de polarizao equilibre a
fotocorrente. Esta a chamada tenso de circuito aberto.
Em uma clula real existem outros efeitos que resultam na alterao do circuito
equivalente da figura anterior para o circuito da Figura 4.15, onde includa uma resistncia
4.17

srie R
S
, representando a resistncia efetiva da clula, e uma resistncia paralela R
P
, associada s
correntes de fuga. Este circuito equivalente tambm vlido para mdulos fotovoltaicos, como
ser visto posteriormente.
I
R
S
R
P
I
D
I
P
I
L
V
+


Figura 4.3.15- Circuito equivalente uma clula fotovoltaica

Deste modo tem-se a seguinte equao:

O termo I
P
representa as correntes de fuga, principalmente pelas bordas da clula e
decorrentes de microfissuras e imperfeies do material.
Assim, a equao Erro! Fonte de referncia no encontrada., depois de efetuadas
as devidas substituies, pode ser escrita como:
onde R
S
a resistncia srie e R
P
a resistncia paralela.

A resistncia srie R
S
devida prpria resistncia do semicondutor dopado, resistncia
da grade metalizada da face frontal e resistncia dos contatos, necessrios para circular a
corrente da clula. A resistncia paralela R
p
tem sua origem nas imperfeies da unio P-N ou no
material que constitui a clula, ou ainda nas bordas da mesma, e responsvel pela existncia de
fuga de corrente. Nesta equao existem cinco parmetros (R
S
, R
p
, I
0
, I
L
e m) a serem
determinados para uma clula, a partir dos quais se obtm a curva I-V completa.

No caso de um mdulo fotovoltaico com apenas clulas conectadas em srie,
equao (4.3.6) acrescentado um termo que representa o nmero de clulas conectadas em
P D L
I I I I =
(4.3.5
)
( )
P
S
cel
S
L
R
R I V
T k m
R I V e
I I I
+

+
= 1 exp
0

(4.3.6
)
4.18

srie, resultando na equao Erro! Fonte de referncia no encontrada.. Aqui R
S
e R
P

representam as resistncias srie e paralela totais do mdulo.

onde N
S
o nmero de clulas associadas em srie.
Para a resoluo da equao Erro! Fonte de referncia no encontrada. deve-se
determinar os valores de I
L
, I
0
, R
s
, R
p
e m a partir de valores de fcil quantificao, como os
dados especificados nos catlogos fornecidos pelos fabricantes de mdulos, os que geralmente
so : tenso de circuito aberto (V
oc
), corrente de curto

circuito (I
sc
), tenso no ponto de mxima
potncia (V
mp
), corrente no ponto de mxima potncia (I
mp
). Estes dados podem ser dados para
condies padro de operao, definindo-se estas para irradincia e temperatura os valores de
1000 W/m e 25 C respectivamente e uma massa de ar 1.5 (NBR12137/MB3478), ou para
temperatura das clulas em condies de operao nominal (NOCT) correspondentes a
irradincia de 800 W/m, temperatura ambiente de 20 C e velocidade do vento de 1 m/s.
Na condio de curto circuito, a tenso nos terminais do mdulo nula, e considerando que
I
L
>>I
0.

1 exp
t
S
V
IR

e que a relao

p
S
R
R
muito pequena, pode-se demonstrar a que a
equao (4.3.7) ficar:

onde I
SC
a corrente de curto-circuito do mdulo. Esta aproximao aceita pela maioria dos
autores e foi demonstrada sua validade (Rauschenbach, 1980).
No caso em que o mdulo fotovoltaico no est conectado a carga alguma, a corrente nos
seus terminais nula. Se o mdulo permanece em circuito aberto, este se polariza em uma tenso
chamada de tenso de circuito aberto (V
OC
), na qual a corrente fotogerada compensada quase
em sua totalidade pela corrente de polarizao do diodo. Assim, levando em conta que

p
R
Voc

muito menor que I
L
, e I
0
exp

t
OC
V
V
, a equao para a tenso de circuito aberto ter a forma:
( )
P
S
cel S
S
L
R
R I V
T k m N
R I V e
I I I
+

+
= 1 exp
0

(4.3.7
)
I
SC
= I
L

(4.3.8
)

+ = 1 ln
0
I
I
Vt Voc
L

(4.3.9
)
4.19



Os mdulos fotovoltaicos podem estar polarizados entre o ponto de curto-circuito e circuito
aberto, em um ponto que vai depender do valor da carga eltrica conectada nos seus terminais.
Se para essa carga, o mdulo est fornecendo a sua mxima potncia, se diz que est operando
no seu ponto de mxima potncia, obtendo-se assim valores de tenso e correntes tais que seu
produto seja mximo. Estes valores so denominados respectivamente, tenso de mxima
potncia (V
mp
) e corrente de mxima potncia (I
mp
). Neste ponto, demonstra-se que (Krenzinger,
1993):

A equao Erro! Fonte de referncia no encontrada. fornece o valor de R
p
em funo
de R
s
, e pode ser substituda na equao Erro! Fonte de referncia no encontrada.,
considerando os valores de tenso e corrente como se fossem os do ponto de mxima potncia.
Assim ser possvel isolar R
s
, resultando que:


Esta equao pode ser resolvida pelo mtodo de Newton-Raphson e, transladando o
resultado formula de R
p
, obtm-se este valor no ponto de mxima potncia. Os valores de R
s
e
R
p
so ento considerados como constantes para qualquer ponto da curva caracterstica I-V e
para qualquer valor de irradincia e temperatura.
At aqui foi visto como determinar os valores de I
L
, I
0
, R
s
eR
p
a partir dos valores de I
SC
,
I
mp
, V
OC
eV
mp
em condies standard de medida. Falta determinar o valor do fator de idealidade
do diodo (m), que, pela teoria dos semicondutores cristalinos, tem valores entre 1 e 2.
( )
mp
t
s mp mp
mp s mp
S mp mp
P
I
V
R I V
V R I
Vt
I
R I V
R
+

=
exp
0

(4.3.10
)
( )
0
0
exp
exp 1
mp
S
mp
S
mp mp S
mp S mp
t t
mp mp S mp
L mp
t mp
V
R
I
R
V I R
I
I R I
V V
V I R V
I I I
V I

= +

+

(4.3.1
)
4.20

Para escolher o parmetro m poderia ser utilizada uma expresso emprica que relaciona m
com o fator de forma da curva I-V.

Para condies diferentes da standard, calcula-se I
sc
e V
oc
, mantendo constante m, R
s
e R
p
,
segundo:


onde o coeficiente de variao relativa de I
sc
com a temperatura e o coeficiente de
variao de V
oc
com a temperatura para uma clula.
Os coeficientes de temperatura dependem principalmente do material e no tanto do
mtodo de fabricao, resultando em pequena variao entre distintos mdulos.

oc sc
mp mp
V I
V I
m 3 . 2 8 . 2 =
(4.3.12
)
( ) [ ] K T
m W
G
I I
c
s
sc SC
298 1
1000
2
+ =


(4.3.13
)
( )

+ + + =
2
1000
ln 298
m W
G
V K T N V V
t c s
s
oc oc

(4.3.14
)
5.1

5. MDULOS FOTOVOLTAICOS


5.1 ASSOCIAO DE CLULAS FOTOVOLTAICAS

Clulas fotovoltaicas podem ser associadas em srie, em paralelo ou simultaneamente em
srie e paralelo. Em todos estes tipos de associaes, problemas oriundos da no identicidade das
clulas e do seu funcionamento em situaes no desejadas, aparecem e podem ocasionar srios
danos aos componentes da associao. Para minimizar e at mesmo evitar estes danos, em
associaes que envolvam um grande nmero de clulas, faz-se necessrio o uso de dispositivos
de proteo tais como diodos bypass e de bloqueio, conectados em pontos estratgicos.
A seguir, so apresentadas as principais caractersticas das diferentes associaes de
clulas fotovoltaicas e procedimentos utilizados para a sua proteo.
O mtodo utilizado para a associao de clulas pode ser estendido para associaes de
mdulos fotovoltaicos.
5.1.1 Associao srie de clulas fotovoltaicas

Atualmente, a grande maioria dos mdulos fotovoltaicos so montados para operarem
com tenso nominal de 12 V. Dependendo do tipo de clulas que os constituem, apresentam mais
ou menos clulas associadas em srie. Entre os tipos de clulas mais utilizados esto a de silcio
monocristalino (mdulos com 30 a 36 clulas), silcio policristalino (geralmente mdulos com
36 clulas) e silcio amorfo (mdulos de 27 ou 28 clulas).
Em sistemas fotovoltaicos freqente utilizar-se componentes eltricos de consumo que
apresentam tenses nominais de 12, 24 ou 48 V. As tenses de 24 V e 48 V so obtidas
associando-se em srie um maior nmero de clulas fotovoltaicas.
A Figura 5.1 apresenta o circuito eltrico de N clulas associadas em srie.

5.2

R

Figura 5.1- Associao de clulas em srie

Como principais caractersticas de uma associao srie, tem-se que a corrente que
circula por uma clula a mesma que circula pelas demais clulas associadas e a tenso, nos
extremos da associao, dada pela soma das tenses de cada clula.

5.1.2 Associao srie de clulas fotovoltaicas idnticas
Sempre que se deseja associar clulas fotovoltaicas em srie, conveniente que as
mesmas apresentem curvas caractersticas I-V o mais semelhantes possvel. Processos de seleo
de clulas permitem que se tenha lotes com clulas muito parecidas, as quais podem ser
consideradas como idnticas.
Supondo que as N clulas mostradas na Figura 5.1sejam idnticas, tem-se que a tenso de
circuito aberto da associao V
OCA
igual a N vezes a tenso de circuito aberto V
OCCN
de uma
clula qualquer, visto que todas elas apresentam uma mesma tenso de circuito aberto. Logo,

OCCN OCC2 OCC1 OCA
V ..... V V V + + + =
onde V
OCA
a tenso de circuito aberto da associao e V
OCCN
a tenso de circuito aberto da
clula N e sendo
V V ...... V
OCC1 OCC2 OCCN
= = =
tem-se que

OCCN OCC2 S OCC1 S OCA
V N ...... V N V N V
S
= = = =
onde N
s
o nmero de clulas fotovoltaicas associadas em srie.
Quando os extremos da associao so conectados entre si, atravs de um condutor com
resistncia eltrica nula, tem-se uma situao de curto-circuito, no qual a tenso da associao
nula e a corrente que circula pelas clulas denominada de corrente de curto-circuito da
associao I
SCA
.
Como as clulas so idnticas, apresentam mesma corrente de curto-circuito e, portanto,
pode-se dizer que
5.3

I I I ...... I
SCA SCC1 SCC2 SCCN
= = = =
onde I
SCA
a corrente de curto-circuito da associao e I
SCCN
a corrente de curto-circuito da
clula N.
Para qualquer outro ponto de operao da associao, diferente dos pontos de circuito
aberto e curto-circuito, a tenso da associao, para um determinado valor de corrente, dada
como sendo a soma das tenses de cada clula. Para esta corrente da associao I
A
, tem-se que
V V V ......V
A C1 C2 CN
= + +
onde V
A
a tenso da associao e V
CN
a tenso da clula N.
Na Figura 5.2 so mostradas as curvas caractersticas I-V de uma das clulas
fotovoltaicas associadas e a curva da associao das N clulas idnticas.


Figura 5.2 - Curva caracterstica I-V de N clulas fotovoltaicas idnticas associadas em srie.

Observa-se que, para qualquer carga que seja conectada nos extremos da associao,
todas as clulas comportam-se como geradores de energia eltrica.
O ponto P
2
indica o ponto de mxima potncia da associao no qual se tem que

mpCN mpC2 mpC1 mpA
V ...... V V V + + + =
onde V
mpA
a tenso do ponto de mxima potncia da associao e V
mpCN
a tenso do ponto de
mxima potncia da clula N
5.4

e sendo

mpCN mpC2 mpC1
V ...... V V = = =
tem-se portanto que

mpCN S mpC2 S mpC1 S mpCA
V N ...... V N V N V = = = =
e

mpCN mpC2 mpC1 mpA
I ...... I I I = = = =
onde I
mpA
a corrente do ponto de mxima potncia da associao e I
mpCN
a corrente do ponto
de mxima potncia da clula N.

5.1.3 Associao srie de clulas fotovoltaicas no idnticas


Clulas fotovoltaicas que apresentam curvas caractersticas I-V no idnticas, quando
associadas em srie, podem funcionar em pontos de operao que prejudicam o desempenho de
toda a associao. Situaes no desejadas, como a de sombreamento de clulas e curto-circuito
da associao podem danificar clulas e, em determinadas situaes, at tirar de funcionamento
o sistema de gerao de energia eltrica.
Considerem-se, para efeito de anlise do comportamento de clulas fotovoltaicas no
idnticas associadas em srie, duas clulas idnticas e uma terceira com menor eficincia.
Na Figura 5.3 so mostradas as curvas caractersticas I-V da clula menos eficiente (1),
da curva resultante da associao das duas clulas idnticas (2) e da associao (3).
Observa-se que no ponto P
1
, a associao encontra-se em circuito aberto (I
A
=0) com
uma tenso V
OCA
igual a soma das tenses de circuito aberto de cada clula, de tal modo que

OCC3 OCC2 OCC1 OCA
V V V V + + =
medida que a carga ligada nos extremos da associao aumenta (R tendendo a zero), o
seu ponto de operao comea a deslocar-se em direo ao ponto P
4
.
Enquanto a corrente da associao menor que a corrente de curto-circuito de cada
clula associada (regio entre os pontos P
1
e P
3
), todas as clulas comportam-se como geradores
de energia eltrica.
5.5


Figura 5.3 Curva Caracterstica I-V de clulas fotovoltaicas no idnticas associadas em srie


No ponto P
3
, a clula de menor eficincia encontra-se em curto-circuito, apresentando
tenso nula nos seus terminais e, portanto, no funcionando nem como gerador, nem como carga.
Neste ponto, a tenso da associao dada apenas pela soma das tenses das clulas idnticas e
mais eficientes, que continuam comportando-se como geradores.
Quando pela associao circula uma corrente maior que a corrente de curto-circuito da
clula menos eficiente (regio entre os pontos P
3
e P
4
), esta comporta-se como uma carga para as
demais clulas que ainda apresentam corrente de curto-circuito maior que a corrente da
associao.
Finalmente, quando a associao opera em curto-circuito (ponto P
4
), sua tenso nula e a
soma das tenses das duas clulas mais eficientes igual, em mdulo, a tenso sobre a clula
menos eficiente.
Para V
A
=0
V 0 V V V
A C1 C2 C3
= = + +
tem-se que
V V V
C2 C3 C1
+ =
Isto equivale a dizer que toda a potncia gerada pelas clulas mais eficientes dissipada
na clula menos eficiente.
Caso tenha-se uma associao com N clulas conectadas em srie, a potncia gerada por
(N-1) clulas pode estar sendo dissipada em uma nica clula menos eficiente, sombreada ou
danificada, a qual se encontra reversamente polarizada. Tal situao faz com que estas clulas
5.6

operem em pontos de temperaturas mais elevadas que as demais clulas, podendo ocorrer danos
parciais ou at mesmo irreversveis clula e, conseqentemente, associao.

5.1.4 Associao paralelo de clulas fotovoltaicas

Sistemas fotovoltaicos so projetados para atender s necessidades de tenso e corrente
eltricas de uma determinada carga. medida que esta carga vai aumentando, exigida do
sistema uma corrente eltrica de maior intensidade.
Para suprir esta necessidade de corrente, muitas vezes torna-se necessrio associarem-se
mdulos fotovoltaicos em paralelo, visto que a corrente que cada mdulo individualmente pode
fornecer ao sistema da ordem de poucos Ampres.
A Figura 5.4 apresenta o circuito eltrico de N clulas fotovoltaicas, associadas em
paralelo, fornecendo energia eltrica para um resistor de resistncia eltrica varivel.


Figura 5.4 - Associao em paralelo de N clulas fotovoltaicas

Entre as principais caractersticas de uma associao em paralelo de clulas fotovoltaicas,
tem-se que a corrente da associao igual soma das correntes que circulam por cada uma das
clulas associadas e a tenso a mesma sobre todas as clulas.

5.1.5 Associao paralelo de clulas fotovoltaicas idnticas

Suponha-se que as clulas fotovoltaicas, apresentadas no circuito da Figura 5.4, tenham
sido escolhidas dentro de um grande lote de clulas e que apresentem curvas caractersticas I-V
muito semelhantes, podendo serem consideradas idnticas.
5.7

Neste tipo de associao, a corrente de curto-circuito da associao I
SCA
igual a N vezes
a corrente de curto-circuito de uma qualquer das clulas, visto que todas clulas apresentam uma
mesma corrente de curto-circuito. Logo,
I I I ...... I
SCA SCC1 SCC2 SCCN
= + + +
e sendo
I I ...... I
SCC1 SCC2 SCCN
= = =
tem-se que

SCCN P SCC2 P SCC1 P SCA
I N ...... I N I N I = = = =
onde N
P
o nmero de clulas fotovoltaicas associadas em paralelo.
Quando nos extremos da associao no ligada nenhuma carga (R tendendo ao infinito),
situao de circuito aberto, a corrente da associao nula e a tenso igual tenso de circuito
aberto de uma clula qualquer.
Portanto, para I
A
=0 e, sendo
V V ...... V
OCC1 OCC2 OCCN
= = =
tem-se que

OCCN OCC2 OCC1 OCA
V ..... V V V = = = =
Para qualquer outro ponto de operao da associao, diferente dos pontos das situaes
de circuito aberto e curto-circuito, a corrente fornecida pela associao a uma carga qualquer,
submetida a uma tenso V
A
, dada como sendo a soma das correntes de cada clula.
Para V
A
, tem-se que
I I I ...... I
A C1 C2 CN
= + + +
onde I
A
a corrente eltrica da associao e I
CN
a corrente eltrica da clula N.

Na Figura 5.5 so mostradas as curvas caractersticas de uma das clulas fotovoltaicas
associadas e a curva da associao das N clulas idnticas.

5.8


Figura 5.5 Curva caracterstica I-V de N clulas fotovoltaicas idnticas associadas em paralelo.

Observando a Figura 5.5, verifica-se que, para qualquer carga que seja conectada nos terminais
da associao, todas as clulas comportam-se como geradores de energia eltrica.
O ponto P
2
da Figura 5.5 indica o ponto de mxima potncia da associao no qual tem-
se que

mpCN mpC2 mpC1 mpA
I ...... I I I + + + =
e sendo

mpCN mpC2 mpC1
I ...... I I = = =
tem-se portanto que

mpCN P mpC2 P mpC1 P mpA
I N ...... I N I N I = = = =
e

mpCN mpC2 mpC1 mpA
V ...... V V V = = = =

5.1.6 Associao paralelo de clulas fotovoltaicas no idnticas

Clulas fotovoltaicas no idnticas, associadas em paralelo, prejudicam a eficincia do
sistema fotovoltaico, principalmente quando o mesmo funciona em situaes tais como a de
circuito aberto ou sombreamento de clulas.
5.9

Considere-se, para efeito de anlise do comportamento de clulas fotovoltaicas no
idnticas associadas em paralelo, duas clulas idnticas e uma terceira com menor eficincia
associadas.
Na Figura 5.6 so mostradas as curvas caractersticas I-V da clula menos eficiente (1),
da curva da associao paralelo das duas clulas idnticas (2) e a da associao paralela de todas
as clulas (3).
P1 ( 3 )
( 2 )
( 1 )
P2
P3
P4
I
V
R

Figura 5.6 - Curva caracterstica I-V de clulas fotovoltaicas no idnticas associadas em paralelo

Observa-se que no ponto P
1
, a associao e as clulas encontram-se em curto-circuito
(V
A
=0). A corrente de curto-circuito da associao igual soma das correntes de curto-circuito
de cada clula, de tal modo que
I I I I
SCA SCC1 SCC2 SCC3
= + +
medida que a carga ligada nos extremos da associao vai diminuindo (R tendendo a
infinito), o seu ponto de operao comea a deslocar-se em direo ao ponto P
4
.
Enquanto a tenso da associao menor que a tenso de circuito aberto de cada clula
associada (regio entre os pontos P
1
e P
3
), todas as clulas comportam-se como geradores de
energia eltrica.
No ponto P
3
, a clula de menor eficincia encontra-se em circuito aberto, no circulando
por ela nenhuma corrente e, portanto, no funcionando nem como gerador, nem como carga.
Neste ponto, a corrente da associao dada apenas pela soma das correntes das clulas
idnticas e mais eficientes, que continuam comportando-se como geradores.
Quando a tenso da associao for maior que a tenso de circuito aberto da clula menos
eficiente (regio entre os pontos P
3
e P
4
), esta comporta-se como carga para as demais clulas
que ainda possuem tenso de circuito aberto maior que a tenso da associao. Finalmente,
quando a associao opera em circuito aberto (ponto P
4
), sua corrente nula e a soma das
5.10

correntes das duas clulas mais eficientes igual, em mdulo, corrente que circula pela clula
menos eficiente. Logo, para I
A
=0, tem-se que
I 0 I I I
A C1 C2 C3
= = + +
Portanto
I I I
C2 C3 C1
+ =
Isto equivale a dizer que toda a potncia gerada pelas clulas mais eficientes dissipada
na clula menos eficiente. Os mesmos problemas de aquecimento e, conseqentes danos as
clulas, observados em associaes srie, acontecem tambm em associaes paralelo de clulas
fotovoltaicas.
Caso tenha-se uma associao com N clulas conectadas em paralelo, a potncia gerada
por (N-1) clulas pode ser dissipada em uma nica clula menos eficiente, sombreada ou
danificada.

5.2 CONSTRUO DOS MDULOS FOTOVOLTAICOS (Si)

Em um sistema fotovoltaico os mdulos so os elementos responsveis pela converso da
radiao solar em eletricidade. A ABNT (NBR10899/TB-328) define o mdulo fotovoltaico
como sendo o menor conjunto ambientalmente protegido de clulas solares interligadas, com o
objetivo de gerar energia eltrica em corrente contnua. O conjunto de clulas conectadas
encapsulado, de modo a oferecer proteo contra a intemprie (principalmente umidade) ao
mesmo tempo em que possibilita um caminho tico para a luz que chega at as mesmas. A
maioria dos mdulos conta ainda com uma moldura metlica que proporciona a necessria
rigidez mecnica ao conjunto e facilita a fixao do mdulo. Mdulos com tenso nominal de
12 V
DC
so constitudos por 30 a 36 clulas em srie. Tambm so encontrados mdulos com
tenses nominais de 6, 24 e 48 V
DC
e outras maiores.
Na Figura 5.7 apresentado o corte de um mdulo fotovoltaico convencional, mostrando
seus principais componentes:
Cobertura frontal: usualmente um vidro de com baixo teor de ferro, para reduzir as
perdas por absoro. Um acabamento texturado opcional contribui para minimizar as perdas por
reflexo.
Encapsulante: polmero termoplstico transparente, eletricamente isolante e resistente
umidade, fadiga mecnica e ao da radiao solar (principalmente raios ultravioleta). O
material mais utilizado o EVA (etil vinil acetato).
5.11

Clulas fotovoltaicas, interconexes eltricas e caixa de bornes: conjunto eltrico do
mdulo.
Cobertura posterior: o material mais comumente empregado o PVF (fluoreto de
polivinil), comercialmente conhecido por Tedlar, embora existam mdulos que utilizem um
segundo vidro.
Moldura metlica: usualmente de alumnio anodizado, confere rigidez mecnica ao
mdulo e facilita sua fixao.


Figura 5.7- Corte de um mdulo fotovoltaico

O espao entre a moldura e o conjunto laminado preenchido por um perfil de borracha
de silicone, a qual tambm empregada na fixao da caixa de bornes cobertura posterior. O
tempo previsto de vida til dos mdulos fotovoltaicos de silcio monocristalino de pelo menos
20 anos.

5.3 CURVA CARACTERSTICA I-V

A ABNT (NBR10899/TB-328) define a curva caracterstica tenso versus corrente
como a representao dos valores da corrente de sada de um conversor fotovoltaico, em funo
da tenso, para condies preestabelecidas de temperatura e radiao.
A anlise da curva I-V de fundamental importncia na caracterizao de um
gerador fotovoltaico, pois a partir dela possvel obter os principais parmetros que determinam
sua qualidade e desempenho.
5.12

A curva I-V de uma clula solar a resultante da superposio da corrente fotogerada
com a curva do diodo no escuro. A luz tem o efeito de deslocar a curva I-V para o quarto
quadrante (quadrante de gerao). A Figura 5.8 representa as curvas de uma clula fotovoltaica
sob diversas condies de iluminao, sendo que a curva (d) mostra a curva I-V sob a forma mais
comumente encontrada, rebatida sobre o eixo das tenses. Uma boa clula de silcio cristalino
apresenta, partindo do curto-circuito, uma corrente quase constante, decrescendo levemente com
o aumento da tenso at chegar a um joelho, a partir do qual assume um comportamento de
rpida diminuio, at cortar quase verticalmente o eixo das tenses. A potncia fotogerada,
obtida multiplicando-se a corrente pela tenso ponto a ponto, apresenta um mximo nitidamente
localizado prximo ao joelho da curva I-V.


Figura 0.8 - Uma clula fotovoltaica sob diversas condies de iluminao: (a) no escuro a clula tem as
mesmas caractersticas eltricas de um diodo. (b) quando a clula iluminada, sua curva I-V se desloca
para o 4 quadrante. (c) quanto maior a intensidade da radiao, maior o deslocamento da curva. (d) a
curva , por conveno rebatida sobre o eixo das tenses, tornando o 1 quadrante o quadrante de gerao


A Figura 5.9 apresenta a curva de uma clula fotovoltaica, identificando trs pontos
notveis:
5.13

Corrente de curto-circuito I
SC
: corrente que circula por uma clula iluminada quando a
tenso em seus terminais nula.
Tenso de circuito aberto V
OC
: tenso entre os terminais uma clula iluminada quando a
corrente que circula por ela nula.
Ponto de mxima potncia P
M
: ponto da curva I-V para o qual o produto tenso x corrente
mximo.
A tenso de circuito aberto V
OC
e a corrente de curto-circuito I
SC
so,
respectivamente, as mximas tenso e corrente possveis de serem obtidas de uma clula
fotovoltaica. Entretanto, em ambos os pontos, a potncia de sada zero. O fator de forma (em
ingls fill factor= fator de preenchimento) um parmetro que, juntamente com V
OC
e I
SC
,
determina a mxima potncia do mdulo fotovoltaico. Matematicamente definido como a razo
entre a potncia mxima e o produto da corrente de curto-circuito e a tenso de circuito aberto.
Graficamente, o fator de forma pode ser definido pela relao entre as reas A e B da Figura 5.9.

5.3.1 Efeito da intensidade da radiao solar incidente

A Figura 5.10 representa as curvas caractersticas de uma clula mantida a temperatura
constante sob diferentes condies de iluminao. O que se observa um aumento na corrente de
curto-circuito proporcional intensidade de radiao solar incidente. A tenso de circuito aberto
varia pouco exceto quando os valores da irradincia so muito pequenos, e V
OC
decresce
rapidamente at zero nas condies de escurido.

Figura 0.9 - Curvas da corrente (em vermelho) e potncia (em azul) de uma clula fotovoltaica em
funo da tenso. Na figura tambm so destacados os pontos de corrente de curto-circuito ISC, tenso
de circuito aberto VOC e mxima potncia PM (VMP, IMP) (adaptado de Honsberg e Bowden, 1999).
5.14


Figura 0.10 - Curva caracterstica da clula sob diferentes intensidades de radiao

5.3.2 Influncia da Temperatura na Curva I-V

A temperatura um fator de importante influncia na curva caracterstica de um
dispositivo fotovoltaico. A corrente eltrica de curto-circuito aumenta ligeiramente com a
temperatura, para mdulos de silcio cristalino, segundo um coeficiente () que apresenta
valores tpicos para o silcio de 0,06%C
-1
ou 0,03 mAC
-1
cm
-2
. O coeficiente da variao da
corrente de curto-circuito com a temperatura definido pela Equao (0.1). Este aumento de
corrente devido a uma diminuio da energia do gap do material, expressa pela Equao (0.2):



onde E
g
(T) a energia do gap do material a uma dada temperatura, E
g
(0) uma energia de
referncia e a e b so constantes do material. A Tabela 0.1 apresenta os valores das constantes a
e b e as energias o gap para dois materiais, silcio e arsenieto de glio.
Tabela 0.1- Energia do gap para Si e GaAs com os valores das constantes a e b da Equao (0.2)
(Lasnier, 1990).
Material E
g
(0)(eV) a (10
-4
eV K
-1
) b (K)
T
I
SC

=
(0.1)
( ) ( )
b T
aT
E T E
g g
+
=
2
0
(0.2)
5.15

Si
1,16 7 1100
GaAs
1,52 5,8 300

A tenso, por sua vez, apresenta uma variao linear com a temperatura. Tipicamente,
para mdulos de silcio monocristalino, a tenso decai de acordo com um coeficiente () que
apresenta valores da ordem de -2,3 mV/ C por clula. O coeficiente da variao da tenso de
circuito aberto com a temperatura pode ser definido pela Equao (0.3).

Esta diminuio da tenso devida principalmente ao incremento exponencial da
corrente de saturao reversa. Essa corrente fruto dos portadores de carga minoritrios criados
por excitao trmica. A Figura 5.11 apresenta curvas I-V relativas mesma irradincia, mas em
diferentes temperaturas

.
Figura 0.11 - Curvas caractersticas de uma clula para diversas temperaturas

T
V
OC

=
(0.3)
5.16


Figura 0.12 - Variao de I
SC
e de V
OC
com a temperatura



5.3.3 Efeitos da resistncia srie e paralela

Como foi visto na representao da clula por seu circuito equivalente, devem ser
includos elementos resistivos em srie e em paralelo. A resistncia em paralelo originada por
fugas na superfcie das bordas da clula, microdefeitos do cristal que possam ocasionar curto-
circuitos, etc.
O ideal seria que R
P
tivesse um valor muito elevado, tendendo a infinito. As boas clulas
de Si monocristalino permitem, com a atual tecnologia de fabricao, que se possa desprezar este
efeito. A resistncia em srie devida resistncia do prprio semicondutor dopado, mais a
resistncia da grade metalizada e dos contatos necessrios para que a corrente flua. O ideal seria
que R
S
fosse igual a zero, porm o aumento da rea de metalizao na superfcie frontal de uma
clula reduziria na mesma proporo a penetrao de luz, sendo necessrio um estudo de
otimizao no projeto destas grades. A Figura 5.13 exemplifica os efeitos que diferentes valores
de R
S
e R
P
causam sobre as curvas de uma clula.

5.17

(a)
(b)
Figura 0.13 - Efeito de Rs (a) e Rp (b) sobre a curva caracterstica

5.3.4 Condies padro para ensaios de mdulos fotovoltaicos

A norma ASTM E-1036 Standard Methods of Testing Electrical Performance of
Nonconcentrator Terrestrial Photovoltaic Modules and Arrays Using Reference Cells define
como condies padro de teste, para de irradincia e temperatura das clulas do mdulo
respectivamente, os valores de 1000 W/m
2
e 25 C. Quanto distribuio espectral as normas
ASTM E-891 e E-892 apresentam espectros de referncia da irradincia solar terrestre direta
normal e global, com massa de ar 1,5 para uma superfcie com inclinao de 37 . A massa de ar
pode ser definida como a relao entre o comprimento da trajetria efetivamente percorrida
pelos raios solares (radiao direta) na atmosfera at o observador e o comprimento da trajetria
que estes percorreriam se o Sol estivesse no znite, com o observador ao nvel do mar. Uma
aproximao para o valor da massa de ar, vlida somente para ngulos menores que 70 , pode
ser dada pela secante do ngulo de znite, ngulo compreendido entre as direes do znite e dos
raios solares.
A norma IEC 1215 Crystalline Silicon Terrestrial Photovoltaic Modules - Design
Qualification and Type Approval tambm considera os valores de 1000 W/m
2
e 25 C. Normas
brasileiras, como NBR11876/EB2176 Mdulos Fotovoltaicos e a NBR12137/MB3478 Mdulos
fotovoltaicos - Ensaios mecnicos e ambientais, adotam os mesmos valores.


6.1



6. ACUMULADORES E CONTROLADORES


6.1 BATERIAS

A funo destes elementos nos sistemas fotovoltaicos armazenar a energia produzida pelo
gerador fotovoltaico e entreg-la carga quando a gerao seja nula como noite, ou
insuficiente como em perodos de baixa irradincia. As baterias podem estar formadas por uma
nica clula ou vaso, ou por um grupo delas, conectados em srie ou em paralelo, constituindo
assim um sistema de armazenamento eletroqumico completo.
Segundo o tipo de clula que compe uma bateria, esta pode ser classificada como
recarregvel ou no recarregvel.
As baterias no-recarregveis podem ser usadas uma nica vez. Esto compostas de clulas
denominadas primrias que uma vez descarregadas ficam inutilizadas. Usam-se comumente
como fontes de energia de baixa potncia, para relgios, calculadoras, etc.
As baterias recarregveis, compostas por clulas conhecidas como secundrias, podem ser
carregadas e reutilizadas vrias vezes, e servem para aplicaes de longos perodos de tempo.
Nos sistemas fotovoltaicos, as baterias de acumulao funcionam continuamente em ciclos de
carga e descarga como resultado da superposio do efeito produzido pela energia diria
fornecida pelo gerador fotovoltaico e a requerida pelo consumo.
Segundo sua aplicao, estas baterias podem classificar se como:
Automotivas ou de partida: so baterias desenhadas para descargas velozes, com
altas taxas de correntes e baixas profundidades de descarga, condies comuns para
partida de motores de automveis.
Trao: indicadas para o funcionamento de aparelhos mveis eltricos, so projetadas
para operar em regime de ciclos dirios profundos com taxa de descarga moderada.
Estacionrias: projetadas para ocasies em que se trabalha com ciclos lentos de carga
/ descarga. Por exemplo, sistemas de backup.
6.2

Fotovoltaicas: so aquelas pensadas para ciclos dirios com taxas de descarga
reduzidas e que devem suportar descargas profundas espordicas devido a uma possvel
falta de gerao (condies climticas).
Segundo sua forma de confinamento do eletrlito, podem ser:
Abertas, precisam de uma verificao peridica do nvel do eletrlito. O eletrlito
liquido e no est encerrado no separador, motivo pelo qual devem ficar em posio
vertical.
Seladas, nas quais o eletrlito est confinado no separador ou tem consistncia de gel.
Chamam-se tambm de sem manuteno, porque no precisam da adio de gua.
As formas de avaliao das baterias recarregveis so: densidade de energia, volumtrica
ou por peso; eficincia, vida cclica, taxa de autodescarga, reciclabilidade dos materiais e custo,
termos que sero tratados adiante. A seguir, dado um enfoque especfico aos acumuladores
eletroqumicos de chumbo-cido (Pb-cido), por serem estes os mais usualmente utilizados em
sistemas fotovoltaicos autnomos devido a seu baixo custo e disponibilidade no mercado.

6.2 PROCESSOS ELETROQUMICOS NOS ACUMULADORES
Os acumuladores so compostos por um ou mais elementos denominados clulas
eletroqumicas. A clula ou vaso a unidade bsica de uma bateria (Figura 6.1), a qual
formada por um recipiente onde se encontram dois eletrodos imersos numa soluo eletroltica,
conhecidos como materiais ativos, os que se encarregam da transformao da energia qumica
em eltrica ou ao inverso segundo estejam em estado de carga ou descarga, produzindo-se
reaes qumicas reversveis.
Um dos eletrodos o plo positivo (nodo) que formado de dixido de chumbo e o outro
de chumbo poroso puro sendo o plo negativo (ctodo). Ambos esto imersos numa soluo de
cido sulfrico dissolvido em gua a 37% (eletrlito), a qual permite a conduo dos eltrons.
No processo de descarga, as reaes qumicas entre o material dos eletrodos e do eletrlito
geram eletricidade, enquanto que no processo de carga, a reao se d consumindo energia. As
reaes qumicas que ocorrem no interior deste tipo de acumuladores so as seguintes:
no nodo


no ctodo
6.3



resultando como reao global


Durante o processo de carga, uma corrente eltrica entra na bateria pelo nodo, formando
xido de chumbo (PbO
2
) no nodo e chumbo puro (Pb) no ctodo. Neste processo, cido
sulfrico (H
2
SO
4
) liberado na soluo aquosa (eletrlito), aumentando sua densidade. J na
descarga, a corrente eltrica sai pelo nodo, formando sulfato de chumbo (PbSO
4
) nos dois
eletrodos absorvendo o cido sulfrico do eletrlito, com uma correspondente diminuio da
densidade deste ltimo. Assim, possvel determinar o estado da carga de uma bateria de forma
bastante simples, medindo a densidade do eletrlito, ou a tenso em seus plos.
Na prtica, para as baterias carregadas, a densidade do eletrlito varia entre 1,20 e 1,28
g/cm
3
, os quais correspondem respectivamente a valores, em estado de repouso, entre 2,04 e 2,12
V por clula.

Figura 6.1 - Corte de uma bateria automotiva


6.3 CARACTERSTICAS DOS ACUMULADORES
Com respeito s baterias em geral, existe uma srie de termos a conhecer que fornecem a
informao de suas principais caractersticas.
Autodescarga: define o processo no qual as baterias descarregam gradual e
espontaneamente, quando no esto em uso. As baterias de chumbo-cido tm uma alta taxa de
Recipiente
6.4

autodescarga mensal, de 5 a 30% de sua capacidade, dependendo da temperatura e composio
da clula, e assim deve-se evitar que as baterias fiquem em repouso por tempos prolongados.

Figura 6.2 - Autodescarga das baterias (Pb-cido) em funo do tempo inoperante.

A palavra capacidade define a quantidade de energia que a bateria pode entregar durante
uma descarga completa, em Ampres-hora. A capacidade influenciada pela velocidade de
carga e descarga e pela temperatura de operao da bateria. Quanto maior a intensidade de
corrente de descarga, menor o valor da capacidade da bateria e com menores intensidades de
descarga aumenta a capacidade. Temperaturas baixas reduzem a capacidade e o aumento da
temperatura traz um incremento da capacidade, mas com este incremento de temperatura vem
associada uma perda de gua e diminuio da vida til.


Figura 6.3 - Variao da capacidade da bateria com a corrente de descarga , e com variao de
temperatura.

A capacidade Nominal o valor da capacidade em Ah, dado pelo fabricante em condies
de operao especificadas.
O Estado de Carga (EC) definido como a capacidade disponvel de carga na bateria,
sendo apresentado como uma porcentagem da capacidade nominal.
6.5

O regime de carga / descarga (C
n
) representa a corrente fornecida bateria para
restabelecer a capacidade mxima em um determinado tempo, ou extrada da mesma a partir da
plena carga para esgotar a capacidade em um determinado tempo. um valor normalizado para a
capacidade da bateria, e sua expresso dada pela relao entre a Capacidade Nominal e o
Tempo de Descarga. Este regime poderia ser expresso em ampres, mas o mais normal
expressar o regime em forma normalizada com a capacidade, ou seja, para n horas de descarga se
representara como C
n
. Por exemplo, se uma descarga completa de uma bateria de 100 Ah, com
uma corrente de 20 A, dura 5 horas, ento indica um regime de C
5.
Descarga o processo de extrair a corrente de uma bateria atravs da converso de energia
eletroqumica em energia eltrica.
O processo de descarga a corrente constante pode dividir-se em 3 zonas das curvas da
Erro! Fonte de referncia no encontrada., uma queda brusca da tenso inicialmente, logo se
estabilizando e diminuindo quase linearmente com o tempo e finalmente uma fase em que a
tenso cai rapidamente at um valor que indique que a descarga finalmente chegou ao fim.
Para sistemas fotovoltaicos, geralmente trabalha-se com regimes baixos de corrente, que
correspondem a descargas por mais de 100 horas (C
100
).


Figura 6.4 - Curvas de descarga e carga para uma bateria de 12 Volts a 25C.

A taxa de descarga/carga o valor de corrente durante o processo de descarga/carga da
bateria.
6.6

Por Carga entende-se a converso de energia eltrica em potencial eletroqumico na clula.
Os mtodos de carga para aplicaes fotovoltaicas so de difcil controle devido variao de
irradincia solar, mas geralmente os mtodos utilizados em laboratrio so a corrente constante ,
variando o valor da tenso, ou a tenso constante, variando a corrente.
No processo de carga a corrente constante pode ser dividida em 3 partes fcies de perceber
nas curvas da Figura 6.4 um aumento brusco da tenso inicialmente, logo se estabilizado e
aumentando quase linearmente com o tempo e por ltimo uma fase em que a tenso aumenta
rapidamente at um valor constante. Esta ltima fase se conhece com o nome de sobrecarga
aonde se produz una gaseificao devido a que parte da corrente empregada para a
decomposio e liberao de gases (Oxigeno e Hidrognio) e, por conseguinte, ocorre perda de
gua e elevao de temperatura.
A Profundidade de descarga indica a porcentagem da capacidade nominal da bateria que
foi retirada a partir do estado de plena carga. o valor que complementa o estado de carga.
A Tenso de corte corresponde ao valor de tenso no qual a descarga da bateria
interrompida. Pode ser funo do regime de operao, ou pode ter um valor determinado pelos
fabricantes como tenso de final de descarga, que indica o momento em que danos irreversveis
podem ser causados bateria.
Na Figura 6.4 se verifica que o critrio de escolha da tenso de corte corresponde ao
joelho da curva tenso-tempo e quanto mais rpida a descarga, menor a tenso de corte. Para
sistemas fotovoltaicos dotados de acumuladores de Pb-cido, costuma-se utilizar para a tenso
de corte o valor de 1,9 Volts/elemento.
Chama-se Ciclo seqncia de carga-descarga de uma bateria at uma determinada
profundidade.

Figura 6.5. Nmeros de ciclos de uma bateria para diferentes profundidades de
6.7



A Vida til o perodo de tempo no qual uma bateria opera normalmente sob
determinadas condies, mantendo a capacidade e o rendimento. Nas baterias de chumbo-cido,
costuma-se assumir o fim da vida como o momento em que, estando totalmente carregada, pode
fornecer somente 80% de sua capacidade nominal. A perda da capacidade tem a ver com a idade
(o envelhecimento se relaciona com a temperatura de operao e com a temperatura e a forma de
armazenamento) e com a ciclagem da bateria.
A Eficincia pode ser expressa de duas maneiras diferentes, a eficincia faradaica ou
eficincia energtica. A primeira a relao entre a quantidade de Ah retirada de uma bateria
durante a descarga e quantidade necessria de Ah para restaurar o estado de carga inicial.
Calcula-se como a razo entre a integral da corrente ao longo do tempo de descarga e carga. O
valor da ordem de 90 95 %. Por eficincia energtica entende-se a relao entre a energia
retirada da bateria durante o processo de descarga e a energia necessria para restaurar o estado
de carga inicial. O valor da ordem de 75 80 % .

6.4 MODELAGEM DAS BATERIAS

A modelagem das baterias envolve diferentes parmetros como a capacidade, evoluo de
estado de carga e tenso nos terminais em funo do regime de corrente e temperatura, etc. O
texto abordado a seguir se refere exclusivamente a baterias de chumbo-cido.
Encontram-se modelos matemticos baseados no comportamento interno das baterias,
estudando a composio dos materiais ativos e sua microestrutura, os quais resultam em modelos
muito complexos. Outros tipos de modelos podem ser chamados de "externos" ou "de
simulao" que alm de serem mais simples, seus mtodos so de fcil implementao em
computadores. Tais modelos apresentam parmetros gerais comuns a diferentes baterias,
particularizando-se o comportamento de uma determinada bateria a partir do valor da capacidade
nominal.
O modelo eltrico da bateria utilizado nesta dissertao est composto por uma fonte de
tenso ideal (Vi) e uma resistncia interna. A resistncia interna (Ri) que possui a bateria tem um
comportamento dinmico ao longo dos processos de carga e descarga, assim a tenso de trabalho
medida nos bornes da bateria tem um comportamento influenciado pelo sentido da corrente da
bateria.
6.8


Figura 6.6. Circuito eltrico equivalente de uma bateria

Quando a bateria se encontra em repouso, isto , em circuito aberto, ela tem uma tenso
diferente de carga ou de descarga. Vrios autores fizeram diferentes ensaios mostrando que,
durante interrupes da carga e da descarga a tenso do circuito aberto (V
CA
) tem uma variao
linear com o estado de carga, sendo que se pode relacionar o valor do estado de carga com a
tenso de repouso como se mostra na Figura 6.7.
11.00
11.25
11.50
11.75
12.00
12.25
12.50
12.75
13.00
13.25
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Estado de Carga (%)
T
e
n
s

o

d
e

C
i
r
c
u
i
t
o

A
b
e
r
t
o

(
V
)


Figura 6.7. Relao entre o valor do estado de carga e a tenso de circuito
aberto para uma bateria de 12 volts.

A tenso de trabalho da bateria tem um comportamento diferente, dependendo se ela est
em regime de carga ou de descarga e da taxa de corrente.
Durante a carga tem-se:
a c i CA med
I R V V
arg
+ = (6.1)

Vi
6.9

sendo a corrente de carga da bateria
cons gerada a c
I I I =
arg
(6.2)

Para a descarga
a desc i CA med
I R V V
arg
= (6.3)

sendo a corrente de descarga da bateria
gerada cons a desc
I I I =
arg
(6.4)

Analisando as equaes anteriores pode-se obter uma equao para o processo de carga e
descarga, onde a tenso segue a seguinte expresso:
( )
med CA i gerada cons
V V R I I = + (6.5)

Dado que Ri no concentrada nem constante ao longo do tempo, a equao (6.5) no
representativa do que em realidade acontece em uma bateria e, sendo assim, tem apenas um valor
didtico. Para a obteno da tenso de trabalho das baterias aplicou-se o modelo proposto por
Macomber (conforme citado em Wagner, 1991, mestrado www.solar.ufrgs.br) que desenvolveu
duas expresses que consideram a variao da resistncia interna de um elemento de bateria com
o estado de carga.
Nos processos de descarga a expresso proposta :

+ =
i V
a desc
CA med
R
EC
N
C
I
V V
%
9 , 18
arg

(6.6)

A constante 18,9 considera o aumento da resistncia interna devido formao de sulfato
de chumbo em ambas as placas. C a capacidade total da bateria e %EC (varia entre 0 e 100)
representa o estado de carga. Ri a resistncia interna dada por:
( ) ) 25 ( 02 , 0 1 15 , 0 = T N R
V i

(6.7)

sendo T a temperatura do lugar onde se encontra a bateria, e N
V
o nmero de vasos da bateria.
Durante a carga a expresso proposta a seguinte:

+ =
i V
a c
CA med
R
EC
N
C
I
V V
% 2 . 114
9 , 18
arg

(6.8)
6.10


Macomber prope um valor constante de V
CA
, mas e mais conveniente fazer este valor
variar em funo do estado de carga, como se apresentou na Figura 6.7. Para baterias de
diferentes tenses o valor de V
CA
se pode tomar como base os valores da Figura 6.7 para 6 vasos,
e fazer a relao para um nmero de vasos diferentes.
Substituindo os valores de I
descarga
e I
carga
das equaes (6.2) e (6.4) nas equaes (6.6) e
(6.8), obtem-se que para carga:

+ =
i V
consumida gerada
CA med
R
EC
N
C
I I
V V
% 2 . 114
9 , 18

(6.9)

e para descarga

=
i V
gerada consumida
CA med
R
EC
N
C
I I
V V
%
9 , 18

(6.10)

Para o caso em que a bateria no esteja alimentando nenhuma carga, ou seja que esteja em
circuito aberto, a tenso de trabalho ser igual a de repouso.
CA med
V V =
(6.11)

Este modelo linear e assim no reflete o que acontece no comeo da carga ou descarga
da bateria, o que para um modelo em base horria no tem um efeito considervel, tendo em
vista que a variao acentuada, nestes eventos, acontece em tempos bem menores que uma hora.
Tambm no se leva em conta o estado de sobrecarga.
Dados obtidos da aplicao deste modelo, para uma simulao anual que no apresenta falhas,
so apresentados na Figura 6.8, com as correspondentes energias consumidas , geradas e cortes
pelo uso de controlador de carga.

6.11

10
10.5
11
11.5
12
12.5
13
13.5
14
14.5
15
1 48 95 142 189 236 283 330 377 424 471 518 565 612 659 706
Horas
T
e
n
s

o

(
V
)
-10
10
30
50
70
90
110
130
150
170
190
210
230
250
P
o
t
e
n
c
i
a

(
W

e

W
/
m

)
Tenso da bateria
Consumo
Energia dos panis

Figura 6.8. Tenso obtida pelo modelo de Macomber nos terminais da bateria para o ms de junho na
cidade de Porto Alegre, para uma carga diria constante de 775 Wh/dia.

Este modelo possui sua fcil implementao computacional e bom comportamento no
acompanhamento da curva de carga e descarga da bateria. Outro modelo utilizado para simular o
comportamento das baterias de chumbo-cido o modelo apresentado por Copetti et ali (1993),
que rene simplicidade e exatido suficientes para representar o comportamento de baterias
estacionrias com carga e descarga em regimes constantes. Moura (1996), tomando como base o
trabalho de Copetti, desenvolveu um modelo com novos parmetros para baterias automotivas,
mas ainda comprovado apenas em regimes de carga e descarga constantes. Uma comparao do
comportamento destes modelos mostrada na Figura 6.9.


Figura 6.9 Curvas de descarga (a) e carga (b) com ajuste de modelos para
carga normalizada a 25C. (Moura, 1996-mestrado www.solar.ufrgs.br)

importante ter em conta a correo (FC) da capacidade em funo da taxa de descarga e
temperatura. Na legislao brasileira para baterias automotivas, a Associao Brasileira de
6.12

Normas Tcnicas (ABNT, NBR 5376) estipula como capacidade real a capacidade em um
regime de descarga de 20 horas (C
20
)
Tendo em conta a o tempo de descarga e a capacidade da bateria dada pelo fabricante para
condies diferentes s estipuladas pela norma, pode-se determinar a taxa de descarga (I
i
).

) (
) (
h rga desca de Tempo
Ah Capacidade
I
i
=
(6.12)

( )
( ) T
I I
FC
i
+
+
= 07 . 0 1
/ 22 , 0 1
25 , 1
9 , 0

(6.13)

onde a frao I / I
i
faz referncia corrente de descarga relativa ao regime de descarga dado
pelo fabricante e a taxa de descarga real, e T o desvio da temperatura nominal de 25C. A
equao (6.13) a sugerida por Moura e modificada para taxas de descarga diferente da
condio padro. Para levar em conta estas variaes com a temperatura se aceita a hiptese de
que a bateria esteja temperatura ambiente.
A capacidade corrigida (C) fica:
C =C.

FC
(6.14)




6.5 REGULADORES OU CONTROLADORES DE CARGA

A energia eltrica proveniente do gerador fotovoltaico alimenta o consumo e o excesso de
energia carrega o acumulador. Os reguladores so elementos essenciais nesta operao, pois
possibilitam a correta administrao do fluxo de energia dentro do sistema, protegendo o
acumulador das situaes extremas de funcionamento, independentemente do tamanho ou
configurao do sistema e das possveis mudanas sazonais no perfil de consumo e na
temperatura, contribuindo para aumentar a vida til das baterias. So conhecidos tambm como
Reguladores de Carga ou Reguladores de Tenso.
Alguns controladores monitoram o funcionamento do sistema fotovoltaico e acionam
alarmes se ocorrer algum problema. possvel tambm acoplar ao controlador um sensor de
temperatura para compensar a variao do valor dos parmetros com a temperatura.
6.13

O controlador de carga deve permitir o ajuste dos seus parmetros e a escolha do mtodo
de controle para adapt-los aos diferentes tipos de baterias.
No momento de especificar um controlador de carga, devem conhecer-se as caractersticas
da bateria e o regime operativo do sistema; depois, determinam-se a tenso e corrente de
funcionamento do sistema.
Os reguladores trabalham tomando como base os valores de tenso instantneos nos
terminais da bateria. Os fabricantes fornecem geralmente os limites de aplicao do controlador,
como correntes de carga, temperaturas de operao, perdas, etc.
A tenso da bateria varia lentamente em funo do estado de carga e com isto, se a
descarga da bateria deve ser limitada em uma determinada porcentagem, resultar difcil
determinar um nico valor de tenso que represente este estado de carga. O fato ser ainda mais
difcil se forem considerados os efeitos de envelhecimento, temperatura, etc. Variaes bruscas
de corrente tambm produzem modificaes na tenso da bateria, difceis de prever.
Outro problema consiste em determinar o ajuste ideal do set point indicativo da tenso de
desconexo (LVD, low voltage disconection). Se o valor fixado em uma pequena profundidade
de descarga, provavelmente a vida til da bateria se prolongar, mas freqentemente o
controlador poder interromper a energia que alimenta a carga sem que seja realmente
necessrio. No caso contrrio, se aumentar a profundidade de descarga, poder haver diminuio
da vida til da bateria.
Os controladores de carga classificam-se em dois tipos fundamentais, em paralelo ou srie.
6.5.1 Reguladores tipo paralelo
Os reguladores tipo paralelo (Figura 6.10) mantm constante a tenso da bateria no estado
final da carga. So conhecidos tambm como reguladores tipo shunt, e consistem em
dispositivos eletrnicos ou rels eletromecnicos que desligam ou reduzem o fluxo de corrente
para a bateria quando est totalmente carregada, com o qual uma frao da corrente gerada pelo
arranjo desviada atravs de um dispositivo conectado em paralelo com a bateria, e assim s
uma pequena parte desta corrente continua carregando a bateria. Alguns tambm possuem um
interruptor que controla a descarga da bateria.

Interruptor para sub-descarga
6.14

Figura 6.10. Diagrama esquemtico de um regulador tipo paralelo.

A quantidade de corrente a desviar depende do limite de tenso da bateria. O regulador
shunt se comporta como uma carga varivel que faz manter constante o valor limite da tenso na
sada do arranjo. Os controladores shunt so geralmente projetados para aplicaes com
correntes menores que 20 ampres.

6.5.2 Reguladores tipo srie
Os reguladores tipo srie (Figura 6.11) funcionam como um elemento de controle que
desconecta o arranjo fotovoltaico quando a bateria est completamente carregada (interruptor
srie). Quando o estado de carga da bateria diminui, o regulador detecta e volta ao seu estado
ativo.


Figura 6.11. Diagrama esquemtico de um regulador tipo srie.

Um bom regulador em srie torna desnecessria a instalao de diodos de bloqueio, j que
o interruptor srie pode ser deixado aberto durante a noite, evitando as perdas da bateria durante
a noite. Este tipo de controladores produz uma queda de tenso da ordem de 0,3 volts.

6.5.3 Autorregulao
Como forma opcional de regulao, os prprios mdulos podem ser utilizados como
dispositivo regulador, prescindindo de um dispositivo especial, o que simplificaria o desenho do
sistema. Os mdulos, assim chamados mdulos autorregulveis, devem ser dimensionados com
um determinado nmero de clulas, por exemplo 30, de tal modo que a regio sensitiva de tenso
dos mdulos coincida com a regio crtica das baterias, quando esto praticamente carregadas.
Em mdulos com menor nmero de clulas, quando as baterias alcanam o estado de carga entre
90 e 100%, o ponto de trabalho do gerador se translada para alm do joelho da sua curva
caracterstica I-V e, em consequncia, gerada uma corrente cada vez menor, desta forma sendo
Interruptor para sub-descarga
Interruptor serie
6.15

possvel conseguir manter a carga idnea sem produzir evaporao. Este efeito pode ser mais
acentuado quando aumenta a temperatura, a qual diminui o valor da tenso de circuito aberto do
gerador. Na prtica, seu funcionamento influenciado pelas condies de temperatura, tamanho
da instalao, capacidade do acumulador, etc., que faz com que muitas vezes no funcione como
seria esperado.
O sistema de autorregulao pode ser o meio menos efetivo para extrair energia do
gerador fotovoltaico, j que as exigncias de tenso das baterias foram a operao do gerador a
maior porte do tempo longe do ponto de mxima potncia.

6.5.4 Modelagem do controlador de carga

No programa de simulao, o regulador est dividido em dois elementos, ainda que na
realidade ambos estejam na mesma caixa: o regulador de carga e o regulador de descarga.
O regulador de carga est definido por duas tenses: V
Mc
que desliga as baterias do painel
se a tenso delas resulta maior que este valor e V
mc
que volta a lig-las quando a tenso da
bateria menor que este valor

(Figura 6.12 (a)). Estas tenses podem ser fixas ou dependentes da
temperatura, sendo definida por:

V
Mc
=P
1
+ P
2
(T-25) e V
mc
=P
3
+ P
4
(T-25)


Tens o da bat eri a (V)
D
e
s
c
o
n
e
c
t
a
d
o
C
o
n
e
c
t
a
d
o
E
s
t
a
d
o

d
o

a
c
i
o
n
a
d
o
r
Carregando
VM c Vm c

Tens o da bater ia (V)
D
e
s
c
o
n
e
c
t
a
d
o
C
o
n
e
c
t
a
d
o
E
s
t
a
d
o

d
o

a
c
i
o
n
a
d
o
r
Descarregando
Vm d VM d

(a) (b)
Figura 6.12. Representao das tenses de corte dos controladores de carga.
a) para carga b) para descarga.

onde os parmetros P
1
, P
2
, P
3
, e P
4
provm dos bancos de dados ou so introduzidos pelo
usurio.
6.16

O regulador de descarga est tambm definido por V
md
que desliga as baterias do consumo
se a tenso delas menor que este valor, e V
Md
que volta a lig-la quando a tenso da bateria
menor que este valor (Figura 6.12 (b)). Tambm as tenses podero ser fixas ou dependentes da
temperatura, sendo definidas no programa de igual maneira que as equaes do regulador de
carga.
Resulta conveniente a diviso do regulador de carga em dois componentes porque existem
reguladores que no proporcionam a proteo descarga e o regulador de carga poderia ser
definido em um sistema como um elemento de proteo do inversor ou outro elemento do
sistema.

6.6 CONVERSORES CC/CC

No mundo das mquinas de corrente alternadas, os transformadores so os dispositivos
mais simples, robustos e confiveis que existem. So empregados quando necessrio converter
os valores de tenso e corrente, associados a uma determinada potncia, em outros de valor
distinto. A converso efetuada com rendimento muito elevado de forma que, desconsiderando-
se as perdas, se a tenso aumentada, a corrente diminui na mesma proporo e vice-versa.
De certo modo, pode-se dizer que o conversor CC/CC o equivalente em corrente
contnua aos transformadores. Entretanto, contrastando com a simplicidade destes, os
conversores CC/CC so equipamentos complexos, que funcionam convertendo a tenso contnua
em alternada e transformando-a novamente em contnua. Em sistemas fotovoltaicos so
empregados em algumas situaes especiais, tais como seguidores do ponto de mxima potncia,
ou quando a tenso de alimentao de um determinado equipamento diferente da tenso do
sistema.
O conversor CC/CC pode ser redutor ou elevador de tenso dependendo se a tenso de
sada menor ou maior que a de entrada.

Figura 6.13 Diagrama de blocos de um conversor CC/CC

6.17

6.6.1 Seguidores do ponto de mxima potncia

Em sistemas em que o gerador fotovoltaico conectado diretamente carga, por exemplo
os sistemas de bombeamento de gua, o ponto de trabalho (interseco das caracterstica I-V do
gerador e da carga) dificilmente coincidir com o ponto de mxima potncia dos painis, o que
implica em sub-utilizao dos painis fotovoltaicos. Para evitar estas perdas, podem ser
utilizados conversores CC/CC entre o gerador e a carga, os quais convertem a potncia de
entrada (Pe=Ve.Ie) a uma potncia de sada (Ps=Vs.Is) num nvel de tenso adequado. Estes
conversores so conhecidos como seguidores do ponto de mxima potncia (MPPT).

Figura 6.14 Conversor CC/CC como seguidor do ponto de mxima potncia (MPPT)

Como se observa na Figura 6.14, a tenso na entrada Ve ou na sada Vs medida pelo
sistema de controle. Se esta tenso se desvia do valor timo, o fator de transformao k do
conversor CC/CC ser ajustado pelo sistema de controle. Para um conversor ideal:
Vs/Ve =k
Is/Ie =1/k
O princpio de funcionamento do conversor ideal mostrado na Figura 6.15.
Considerando uma carga resistiva, a figura mostra os diferentes pontos de trabalho que operam
no ponto de trabalho T1. Como se pode observar, a potncia correspondente P1 notavelmente
inferior mxima que pode proporcionar o gerador (ponto T2) o qual, portanto, estaria
subutilizado. Com o conversor, o ponto de operao da carga desloca-se para T3, situado sobre a
curva isopotncia P2, a qual intercepta o ponto de potncia mxima (Pmax) do gerador.
6.18


Figura 6.15 Princpio de funcionamento de um seguidor do ponto de mxima potncia: pontos de
trabalho sem (T1) e com conversor (T2). As hiprboles (linhas tracejadas) so o lugar geomtrico dos
pontos P=VI =constante
6.19

Como a curva I-V do gerador varivel em funo da radiao e da temperatura dos
painis, o fator k das equaes deve ser continuamente adaptado.
A convenincia na utilizao de seguidores do ponto de mxima potncia limita-se aos
casos em que o ganho de energia na carga permita o retorno econmico do investimento. H
algum tempo, em sistemas com baterias isto s era possvel para aqueles com capacidade de
gerao superiores a 10 ou 20 kWp e em sistemas para acionamento direto de motores, este
limiar situava-se em torno de 1 kWp, mas com novos sistema eletrnicos mais baratos estes
limites esto diminuindo.

6.6.2 Conversores CC/CC para cargas de diferentes tenses de funcionamento

Existem algumas aplicaes nas quais preciso alimentar vrias cargas e ocorra a no
coincidncia das tenses de funcionamento do equipamento e do sistema. Nestes casos o uso de
um conversor CC/CC pode ser indicado. Tomar tenses parciais do grupo de baterias no seria
conveniente, pois a circulao de corrente entre seus elementos encurtaria a vida til das
mesmas. O conversor CC/CC transformaria a tenso contnua em tenso alternada, mediante um
inversor, e logo a tenso seria elevada ou reduzida atravs de um transformador at o valor
adequado, para ento ser convertida em contnua. Na Figura 6.16 pode-se observar um sistema
fotovoltaico a 24 V com uma sada de 12 V.
O uso de conversores CC/CC permite que a descarga das baterias se realize por igual e
tambm que se consiga uma tenso totalmente estvel no equipamento a ser alimentado.

Figura 6.16 Conversor CC/CC no circuito fotovoltaico




7. INVERSORES OU CONVERSORES CC/CA



Eventualmente as cargas de uma instalao fotovoltaica trabalham em corrente alternada, e
por isso deve-se incluir um dispositivo que converta a corrente contnua (CC) que sai do painel
ou bateria em corrente alternada (CA), tarefa realizada por um inversor.
Os inversores operam comumente com tenses de entrada de 12, 24, 48 e 120 volts em CC
entregando na sada tenses da ordem de 120 ou 240 volts em CA.
Existem comumente dois tipos de inversores: os estticos (estado slido) e os
eletromecnicos (rotativos). Os conversores rotativos, para a mesma potncia de sada, no so
to eficientes como os inversores eletrnicos, e as partes mveis necessitam de manuteno
peridica; atualmente rara sua utilizao em sistemas fotovoltaicos.
O inversor esttico utiliza dispositivos semicondutores que comutam a entrada CC,
produzindo uma sada CA de freqncia determinada.
Para aplicaes de baixa potncia (at 5 kW) geralmente usam-se inversores monofsicos e
para potncias maiores recomendam-se inversores trifsicos. A escolha de um inversor uma
questo importante, pois tem relao com o desempenho, confiabilidade e custo do sistema
fotovoltaico. Deve-se ter em conta que os inversores acrescentam complexidade ao sistema, mas
podem facilitar a instalao eltrica e permitem o funcionamento de aparelhos eltricos
convencionais: televisores, geladeiras, vdeos, eletrodomsticos, etc.
Nos sistemas de maior potncia, maior ser a vantagem de usar inversores, pelo fato de que
esta opo diminui a seo dos cabos para a ligao de cargas a distncias longas. Isto acontece
uma vez que nos circuitos de CA as tenses de operao so mais elevadas e conseqentemente
com correntes menores.
7.1 CARACTERSTICAS DOS INVERSORES
Critrios de Qualidade para um Inversor

Os inversores devem ser robustos e confiveis. Isto no apenas aplica-se ao inversor,
extensivo para os dispositivos eltricos que atuam como cargas. Considerando isto, inversores
com onda de tipo senoidal pura com a baixa distoro harmnica total , geralmente, a melhor
opo, garantindo um bom funcionamento com segurana e eficincia, evitando uma possvel
reduo na vida til das cargas.
Embora inversores com onda de tipo retangular, quadrada, ou onda senoidal modificada
raramente so utilizados em SFA, alguns fabricantes ainda oferecem estes dispositivos
procurando os clientes que buscam uma soluo mais barata, e onde no seja realmente
necessria uma onda tipo senoidal (cargas resistivas). Para construir inversores com onda
senoidal comum utilizar a tecnologia PWM, que utiliza dispositivos eletrnicos que trabalham
modulando a largura de pulsos de uma onda quadrada obtendo assim uma seqncia que
reproduz o perfil de tenses de uma onda senoidal com pequena distoro (Figura 7.1(b)). A
forma da onda geralmente uma indicao da qualidade e custo do inversor. Ela depende do
mtodo de converso e filtragem utilizado para eliminar os harmnicos indesejveis resultantes
da converso.
Outro aspecto importante que determina a qualidade dos inversores a eficincia de
converso. Nos inversores a eficincia no constante e seu valor depende da potncia extrada
pelos artefatos de consumo (carga). Muitos fabricantes confundem seus clientes anunciando a
eficincia na carga nominal ou na mxima eficincia, mas esconde o fato que sob cargas de baixa
potncia seus dispositivos apresentam eficincias baixas. Inversores para SFA devem possuir
uma eficincia de pelo menos de 95 % quando submetido a uma demanda igual a sua potncia
nominal, como tambm para demandas de potncia baixas. Para os usurios de sistemas com
necessidades variveis de potncia, altas eficincias em baixas potncias so importantes.

0 4 8 12 16 20
Tempo (ms)
-200
-100
0
100
200
T
e
n
s

o

(
V
)
Onda Senoidal
Onda Quadrada
Onda Retangular

0 4 8 12 16 20
Tempo (ms)
-200
-100
0
100
200
T
e
n
s

o

(
V
)
Onda Senoidal
PWM

(a) (b)
Figura 7.1. Tipos de onda de sada de conversores CC/CA. (a) Onda quadrada, retangular e
senoidal, (b) Onda senoidal e ajuste atravs de PWM.

Outro parmetro importante a ser considerado a potncia que o dispositivo demanda em
condies de standby. A economia de energia em standby pode, no momento de dimensionar o
projeto, reduzir a capacidade de gerao do arranjo fotovoltaico, com a conseqente reduo de
custo de vida do sistema. Alguns inversores tambm integram um controlador de carga que
protege a bateria das prejudiciais sobrecargas o sobredescargas.
Todo inversor deve tolerar quedas de tenso provisrias abaixo das tenses mnimas.
Estas condies ocorrem quando correntes de alta intensidade so demandadas
instantaneamente, como quando aparelhos com motores eltricos exigem uma corrente elevada
em curtos perodos de tempo antes de entrar em regime nominal de trabalho. Alguns dos
modelos podem tolerar correntes instantneas at 3,5 vezes mais altas que a nominal. A
tendncia do mercado que inversores com potncias nominais acima de 1500 W so projetados
para trabalhar em SFA possuam iguais caractersticas que os inversores para SFCR, incluindo a
monitorao do sistema, datalogger, MPPT e gerenciamento inteligente da demanda. Os
inversores menores ainda so relativamente simples. A razo que o mercado de pequeno-porte
o segmento com a maior quantidade de concorrentes. Desta forma, o preo a arma principal
das companhias que lutam por clientes. A maioria dos inversores no mercado, por razes de
segurana, possuem uma isolao galvnica entre a bateria e a sada em CA. Sem isolao
galvnica, nos plos da bateria poderia ter-se o mesmo potencial que na sada do inversor. Esta
isolao realizada atravs de um transformador, que em alguns casos utiliza uma baixa
freqncia (BF) de transformao ou uma alta freqncia (AF). Inversores que funcionam
utilizando BF custam geralmente mais porque precisam mais ferro no ncleo do transformador e
mais cobre nos enrolamentos, mas geram um sinal de sada mais estvel e uniforme, melhorando
a reproduo da onda senoidal.
A tenso de entrada de inversores varia desde 12 V at 360 V e suas tenses de sadas
podem ser 120V, 240V ou 380 V, tanto em uma como em trs fases. Em alguns casos estes
dispositivos possuem tambm a opo de trabalhar como controlador de carga e MPPT.
Para especificar um inversor, preciso considerar a tenso de entrada CC e a tenso de
sada CA; tambm se deve ter em conta as exigncias da carga ao inversor, em funo da
potncia, variao de tenso, freqncia e forma de onda. Outras caractersticas a considerar-se
nas especificaes de um inversor so as seguintes:
Forma de onda, geralmente indica o tipo de inversor segundo as caractersticas da tenso
CA produzida. As formas de onda mais comuns so a quadrada, a quadrada modificada ou
retangular e a senoidal.

Eficincia na converso de potncia, entendendo-se eficincia como a relao entre a
potncia de sada e a potncia de entrada do inversor. A eficincia de inversores varia com o tipo
de carga. Em cada caso, deve-se verificar se o equipamento utilizado para a medio o
adequado, j que a forma da onda pode gerar erros nas medies. A eficincia dos inversores
varia geralmente de 50 a 95 %, tendendo a diminuir quando esto funcionando abaixo da sua
potncia nominal.
Potncia nominal de sada: indica a potncia que o inversor pode prover carga. Um
inversor deve ser especificado para fornecer uma potncia superior s necessidades mximas das
cargas, a fim de ter em conta um aumento da potncia solicitada. Porm, para otimizar a
eficincia de operao recomendvel escolher uma potncia nominal que seja prxima
potncia total necessria para alimentar as cargas, mas segundo os inversores testados por Couto,
2000, e apresentados na Figura 7.2, a maioria deles apresentam caractersticas inferiores s que o
fabricante anuncia.

Tabel 7.1. Caractersticas dos inversores apresentados na Figura 7.2

Cdigo do Inversor e
Forma de Onda
Pot. Nominal
(W)
AC-200 (Retangular) 200
MS-300 (Quadrada) 300
MT-1200 (Quadrada) 1200 (VA)
SM-500 (Quadrada) 500
SE-600 (Senoidal) 600


0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Pot. de Sa da / Pot. Mx. (%)
R
e
n
d
i
m
e
n
t
t
o

(
%
)
MT-300
AC-200
SM-500
MT-1200
SE-600

Figura 7.2. Curvas de eficincia para inversores de diferentes tipos de onda
com carga resistiva (Couto, 2000- mestrado www.solar.ufrgs.br).

Taxa de utilizao: o nmero de horas que o inversor poder fornecer energia operando
com potncia mxima; s vezes, se o inversor exceder este valor, produzir-se-o falhas no
sistema.

Tenso de entrada: funo da potncia nominal fornecida pelo inversor s cargas CA.
Geralmente, a tenso nominal de entrada do inversor aumenta com o aumento da demanda de
carga. A tenso de entrada CC pode ser abastecida por baterias, que devero ser compatveis
com os requisitos de entrada do inversor. Se a bateria se descarrega e a tenso diminui abaixo do
valor mnimo especificado, alguns inversores desligam-se automaticamente.

Tenso de sada regulada na maioria dos inversores, e sua escolha depende da tenso de
funcionamento das cargas.

Regulao de tenso indica a variao de amplitude permitida na tenso de sada. Os
melhores inversores tero uma tenso de sada praticamente constante para uma ampla faixa de
cargas.

Freqncia do sinal de sada: os aparelhos so fabricados para operar em uma
determinada freqncia, que geralmente 60 ou 50 Hz.

Os SFA com inversores so certamente mais caros, mas tornam possvel a utilizao
de uma variedade maior de dispositivos eltricos. Em pases desenvolvidos, como os EUA,
Europa, ou Austrlia, sistemas com alimentao em CA tm-se tornado h muito tempo o tipo de
instalao padro para aplicaes autnomas. Atualmente os pases em desenvolvimento esto
seguindo o mesmo caminho para a consolidao de projetos de eletrificao rural. No Brasil, o
governo impulsionou um ambicioso programa de eletrificao, Luz para Todos (2007) que tem
como objetivo instalar aproximadamente 120.000 SFA na Regio Amaznica e todos os sistemas
sero equipados com inversores.
Os SFA, que antigamente s forneciam energia para pequenos consumidores, esto
transformando seu perfil e fornecendo energia para instalaes que demandam consumos
maiores, como em hospitais em locais remotos, para o funcionamento de mquinas de pequeno
porte, assim como para sua instalao em mini-redes, sendo necessrio inversores que forneam
potncias elevadas.

Modelo matemtico do Inversor

Os modelos de inversores procuram representar atravs de uma equao matemtica
a potncia de sada em funo da potncia de entrada, para poder prever o rendimento do
inversor em funo da carga. Em geral, trata-se de modelos matemticos que procuram associar
seus parmetros com as diferentes perdas de potncia que ocorrem no inversor.
O inversor tem influncia notvel no rendimento e confiabilidade do sistema
fotovoltaico, alm de aumentar seu preo. Pode gerar interferncias eletromagnticas e distoro
harmnica no sinal alternado. Entre os fatores que podem afetar o rendimento do inversor em
instalaes fotovoltaicas se destacam o tipo de consumo, o perfil das cargas e a temperatura de
trabalho.
Nos sistemas fotovoltaicos autnomos as cargas geralmente so variveis
apresentando potncias instantneas de valores longe da potncia nominal do inversor. Alm
disso, algumas cargas podem ter baixos valores do fator de potncia (com elevado componente
reativo), o que diminui notavelmente o rendimento do inversor.
Outro fator importante a variao da tenso de entrada do inversor. Em instalaes
fotovoltaicas autnomas, os inversores esto alimentados por baterias cuja tenso varia segundo
o estado de carga, a temperatura e o regime de corrente de descarga, que pode ser
significativamente diferente e agravar tambm o rendimento do inversor.

Modelos Polinomiais

Os primeiros modelos matemticos para inversores eram modelos polinomiais,
representados por equaes do 2 ou 3 graus, para a potncia de sada (P
sada
) do inversor em
funo da potncia de entrada (P
entr
).

P
saida
C
0
+ C
1
P
entr.
+ C
2
P
entr.
2
(7.1)

O modelo da Eq. (7.1) representa o comportamento do inversor, bastando ajustar os
parmetros C
0
, C
1
e C
2
para cada inversor, sem considerar os processos que ocorrem.
O modelo proposto por J antsch (1992) para calcular a eficincia foi adotado neste
trabalho, e tambm uma equao de segundo grau, mas est escrita de maneira normalizada
com relao potncia nominal do inversor.

2
2 1 0
' '
'
sada sada
sada
inv
P K P K K
P
+ +
=
(7.2)

nom
sada
sada
P
P
P = '
(7.3)

ondeP
nom
a potncia nominal do inversor, o termo K
0
representa o autoconsumo, as quedas de
tenso esto representadas por K
1
e as quedas hmicas esto representadas por K
2.
Com a
variao dos parmetros K se obtm o perfil que apresentam deferentes tipos de inversores. Na
Figura 7.3 apresenta-se o formato da curva de eficincia de um inversor com as respectivas
variaes em seu perfil, em funo dos valores de K
i
adotados.
Os valores de K esto vinculados com a eficincia do inversor para 10, 50 e 100% da
capacidade nominal, com os valores de eficincia para estes pontos se consegue um ajuste dos
valores de K
i
. K
0
faz variar o formato da curva na zona do joelho, K
1
faz variar o formato da
curva em sua altura e K
2
faz variar o formato da curva na zona final da curva.

Existem outros modelos, como o apresentado por Keating (1991), que prope obter a
eficincia do inversor atravs da interpolao de dados experimentais em uma ampla faixa de
potncias. Chivelet (1994) prope um modelo de inversor baseado em um circuito equivalente.
Este modelo considera tambm o efeito que as cargas reativas produzem sobre a curva de
eficincia (Figura 7.4).


-
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
P'saida/Pnom
E
f
i
c
i
e
n
c
i
a
%
Figura 7.3. Curva de eficincia do inversor.

Figura 7.4. Curva de rendimento em funo da potncia alternada na sada para
diferentes fatores de potncia

A Figura 7.47.4 foi obtida medindo um inversor fotovoltaico autnomo modelo S-
1200 fabricado por SOLENERSA com cargas reativas para diferentes fatores de potncia, pode-
se observar a queda de eficincia pelos equipamentos de baixo fator de potncia.

O efeito apresentado nos inversores, devido a cargas reativas, pode ser considerado
dentro do modelo polinomial afetando o valor de K
2
por um coeficiente que diminua seu valor
em funo da relao entre a componente ativa e reativa.

K
0
K
1

K
2

8.1

8. ARRANJOS E SISTEMAS FOTOVOLTAICOS
8.1 PROTEO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS COM DIODOS

Quando se trabalha com sistemas fotovoltaicos de potncias elevadas, faz-se necessrio
associar mdulos em srie e em paralelo a fim de se conseguir valores de tenso e corrente
apropriados para a aplicao que se deseja. As diferenas entre as caractersticas eltricas e
possveis sombreamentos de mdulos podem ocasionar danos ao sistema devido ao aquecimento
indevido de clulas. Para evitar os problemas advindos destas situaes indesejadas mas que
ocorrem ao longo da vida til do sistema, deve-se acrescentar ao sistema dispositivos de
proteo, geralmente diodos, que so colocados em pontos estratgicos com o objetivo de evitar
o aparecimento de pontos quentes nos mdulos com conseqente perdas de potncia.
Diodos de bloqueio so utilizados para este fim podendo, em determinados casos, serem
substitudos por fusveis, conforme sugerido por Wiles e King, 1997.

8.1.1 Diodo de bypass

Em associaes srie de clulas fotovoltaicas (mdulos), as mesmas esto sujeitas a
funcionarem como carga para as demais clulas. Neste caso, corre-se o risco de se ter uma tenso
negativa aplicada nos seus extremos que seja maior que a sua tenso de ruptura (breakdown),
ocasionando uma dissipao de potncia exagerada sobre ela e, por conseqncia, provocando
um aquecimento que pode causar danos clula. Esta situao ocorre devido no identicidade
ou por sombreamento de clulas.
Conectando-se em anti-paralelo com os extremos das clulas um diodo conhecido como
diodo de bypass, nestas situaes, o mesmo encontra-se diretamente polarizado e, portanto,
permitindo que por ele circule corrente. Assim sendo, a clula em questo no gera energia
eltrica, mas tambm no se comporta como carga para as demais clulas. Se a clula for
idntica s demais e no estiver sombreada, o diodo bypass encontra-se reversamente polarizado,
no permitindo que por ele circule corrente. Este diodo bypass deve ser capaz de conduzir toda a
corrente gerada pela associao srie e sua tenso limiar de conduo deve ser a menor possvel.
Na prtica, no se colocam diodos bypass em paralelo com cada clula associada, mas
sim com grupos delas. A Figura 8.1 mostra como so ligados os diodos bypass em mdulos
fotovoltaicos (associaes de N clulas em srie) disponveis no mercado.
8.2


Figura 8.1- Ligaes de diodos bypass em mdulos fotovoltaicos

Em mdulos fotovoltaicos com diodos bypass ligados de forma entrelaada, se tem
disponvel apenas um valor de tenso nominal para o mdulo, por exemplo 12 V, e nos outros
mdulos dois valores de tenso (6 V e 12 V).

8.1.2 Diodo de bloqueio

Sistemas fotovoltaicos constitudos por vrios ramos em paralelo, ramos estes
constitudos por N mdulos associados em srie, podem ser protegidos contra correntes reversas
dos outros ramos atravs de diodos de bloqueio conectados em srie em cada um dos ramos.
Essa corrente reversa causada pela diferena de tenso dos ramos devido s situaes
indesejadas j citadas anteriormente.
O ramo que apresenta uma menor tenso fica sujeito a funcionar como carga para os
demais ramos. Desta forma, parte ou toda a corrente gerada pelos ramos que apresentam maior
tenso fluir pelo ramo de menor tenso, ocasionando um aquecimento neste ltimo ramo e
perda de potncia do sistema. O uso de diodos de bloqueio ligados em srie com os mdulos de
cada ramo, conforme mostrado na Erro! Fonte de referncia no encontrada., evita o
aparecimento de correntes reversas.

8.3


Figura 8.2 - Associao em paralelo de mdulos fotovoltaicos com diodos de bloqueio

Os diodos de bloqueio ocasionam uma queda de tenso menor que 1 V (valor este que
depende do tipo de diodo utilizado), o que pode ser importante em sistemas de menor porte. Para
reduzir significativamente esta queda de tenso, pode-se substituir o diodo de bloqueio por
fusveis. Com o fusvel, as clulas do mdulo do ramo de menor tenso no correm o risco de
serem danificadas mas no se evita a perda de potncia do sistema visto que por este ramo
circular uma corrente reversa.
Quando a energia eltrica do sistema fotovoltaico armazenada em baterias, pode-se
utilizar um diodo de bloqueio com o seu ctodo ligado no terminal positivo do banco de baterias,
com o objetivo de no permitir a sua descarga em perodos de escurido ou de baixa radiao
solar (clulas fotovoltaicas comportando-se como diodos polarizados diretamente). O
inconveniente desta soluo que se tem, nos perodos em que o sistema est gerando energia
eltrica, uma perda de potncia que dissipada no prprio diodo de bloqueio. Alm disto, a
aplicao do diodo tambm questionada, pois a queda de tenso que ele provoca durante o dia
proporciona uma perda de energia que pode ser, em determinados casos, maior que a perda de
energia durante a noite sem a sua presena.
Com o objetivo de minimizar estas perdas, podem-se utilizar diodos do tipo Schottky, os
quais apresentam uma queda de tenso, quando polarizados diretamente, na ordem de 0,2 V. Em
sistemas que operam com tenses superiores a 24 V, torna-se necessrio utilizar diodos de
juno P-N que suportam tenses reversas maiores, embora provoquem uma perda de potncia
maior, pois a queda de tenso quando em polarizao direta na ordem de 0,7 V (diodos de
silcio).

8.1.3 Ligao de diodos de proteo em sistemas fotovoltaicos

8.4

A proteo de mdulos fotovoltaicos que compem um sistema faz-se preferencialmente
com o uso de diodos de bypass e de bloqueio, evitando assim o aparecimento de pontos
excessivamente quentes nos mdulos, o que poderia vir a prejudicar o funcionamento do sistema.
Quando se tem mdulos associados em srie, a proteo feita colocando-se em anti-
paralelo com cada mdulo um diodo de bypass. Para mdulos (ou fileiras de mdulos)
associados em paralelo, liga-se em srie com cada mdulo (ou fileira) um diodo de bloqueio.
Em sistemas que utilizam um nmero maior de mdulos, tendo-se associaes em srie e
em paralelo, a proteo dos mdulos conseguida utilizando-se, simultaneamente, os diodos de
bypass e de bloqueio.
A Figura 8.3 mostra como devem ser ligados os diodos de proteo em um sistema
composto por mdulos ligados em srie-paralelo.

Figura 8.3 Associao em srie-paralelo de mdulos fotovoltaicos com diodos de proteo


8.2 SISTEMAS FOTOVOLTAICOS AUTNOMOS
Os Sistemas fotovoltaicos autnomos (SFA) so aqueles no conectados rede eltrica
de distribuio de energia. Eles so geralmente menores que os sistemas conectados rede
eltrica (SFCR), e assim so comuns em reas rurais. Os mdulos fotovoltaicos so
frequentemente montados no solo uma vez que espao no representa um empecilho. Pode-se
classific-los em trs tipos principais:
Sistemas em corrente contnua somente (Figura 8.4)
Sistemas fornecendo corrente alternada por meio de um inversor (Figura 8.5)
Sistemas hbridos: diesel, elico ou hidreltrico (Figura 8.6)
As principais aplicaes so:
Eletrificao rural em pases em desenvolvimento;
Pequenos sistemas de iluminao at sistemas de alimentao para hospitais e escolas;
8.5

Sistemas de telecomunicao isolados;
Sinais de trnsito e iluminao, onde a extenso da rede teria custos maiores;
Sistema de alimentao sobressalente;
Alimentao de habitaes e construes em locais remotos;
Sistemas de bombeamento de gua.


Figura 8.4 Sistema fotovoltaico autnomo apenas em corrente contnua


Figura 8.5 Sistema fotovoltaico autnomo com inversor

8.6

Nos sistemas fotovoltaicos autnomos (SFA) a energia flui desde a fonte (gerador FV)
at um conjunto de cargas (demanda) atravs da bateria (dispositivo de armazenamento). No
caso em que a fonte de energia no consiga suprir a carga demandada, a bateria quem se
encarrega disto. A falta de simultaneidade entre demanda e gerao implica a necessidade de
avaliar a melhor estratgia entre fornecimento e demanda de energia. Estes clculos podem ser
realizados, estimativamente, atravs de mtodos simples, ou existem programas computacionais
que apresentam estratgias para atingir este objetivo mediante diferentes metodologias. Para o
dimensionamento e a anlise de sistemas fotovoltaicos, atualmente existe uma grande variedade
de softwares, que vo desde pacotes com clculos simples at programas sofisticados de
simulao.

Figura 8.6 Sistema hbrido fotovoltaico-elico.
Notas: Dependendo da localizao geogrfica do sistema e do clima da regio, as duas fontes podem ser
complementares, por exemplo, a energia pode ser fornecida em maior parte pela turbina elica durante o
inverno, e pelos mdulos fotovoltaicos no vero.

No momento de dimensionar um sistema fotovoltaico os principais parmetros a serem
considerados so: o recurso energtico disponvel na regio em questo e a demanda de energia
que deve ser alimentada com o sistema. Sendo assim, no apenas devem-se considerar os
8.7

componentes do sistema, mas tambm a radiao solar, a tenso da instalao e quantidade de
energia demandada ao longo do ano. Os sistemas fotovoltaicos autnomos so normalmente
compostos por trs partes bsicas: o gerador fotovoltaico, os elementos de condicionamento de
potncia e proteo, e as baterias que armazenam a energia.
O sistema de gerao formado por mdulos fotovoltaicos responsveis pela converso
de energia solar em energia eltrica. O subsistema de condicionamento e controle de potncia
pode ser formado pelo controlador de carga, o inversor, e o seguidor do ponto de mxima
potncia (MPPT), estes elementos so encarregados de controlar a energia enviada s cargas e ao
sistema de armazenamento. Este ltimo geralmente composto por baterias de chumbo cido. A
existncia ou no de algum destes elementos depende do tipo de sistema.

Os mdulos em arranjos fotovoltaicos de sistemas autnomos so geralmente
configurados para fornecer tenso em corrente contnua de 12 V, 24 V e em sistemas maiores
48 V. Isto significa que os mdulos so conectados em srie para obter a tenso desejada.

13.2 Inversores para sistemas autnomos
Em sistemas fotovoltaicos autnomos, o armazenamento da energia feito por meio de
baterias, e possvel utilizar esta energia em corrente contnua. A fim de ser capaz de utilizar a
tenso convencional em corrente alternada 127 / 220 V AC, utiliza-se um inversor que em alguns
casos pode possuir controlador de carga integrado. O objetivo dos inversores possibilitar a
opero de um grande nmero de dispositivos, de ferramentas eltricas aparelhos domsticos e
eletrnicos.
Os seguintes requisistos so importantes em um inversor:
- Sada com tenso alternada senoidal constante e frequncia estvel;
- Elevada eficincia de converso, mesmo em situao de demanda parcial
- Alta capacidade de resistir a sobrecargas na energizao e partida de cargas
- Tolerncia contra flutuao da tenso das baterias
- Modo de stand by econmico com deteco automtica de carga
- Proteo contra curtos circuitos na sada
- Alta compatibilidade eletromagntica (boa supresso de interferncia eletromagntica EMI)
- Baixo contedo de harmnicos
- Proteo contra sobretenses
- Operao bidirecional, isto , converso de AC para DC possvel, permitindo a carga de
baterias a partir de geradores AC, se necessrio.
8.8

Trs tipos diferentes de inversores dominam o mercado:
1. Onda senoidal
Os requisitos para um bom inversor so melhores contemplados por este tipo. Estes
dispositivos trabalham com o princpio de modulao da largura de pulso (PWM) e so
adequados mesmo para equipamentos eletrnicos sensveis. Comparados com inversores
de onda quadrada, possuem custo mais elevado como resultado da maior complexidade
dos circuitos.
2. Onda senoidal modificada
Atende uma grande parte dos requisitos necessrios, mas no todos. Como a tecnologia
dos inversores de onda senoidal evolui muito, os principais fabricantes esto
descontinuando sua fabricao. Antes de utiliz-los, conveniente verificar a
compatibilidade com as cargas utilizadas.
3. Inversor de onda quadrada
Os inversores de onda quadrada so muito comuns e baratos. A corrente alternada
chaveada em 50 ou 60 Hz, com caractersticas de onda quadrada e elevada utilizando um
transformados para a tenso desejada, 127 ou 220 V. Normalmente so muito
ineficientes, inadequados para algumas cargas (motores por exemplo) e podem danificar
equipamentos sensveis.

8.3 SISTEMAS FOTOVOLTAICOS CONECTADOS REDE ELTRICA

8.3.1 Introduo
Os sistemas fotovoltaicos conectados rede (SFCR) no utilizam armazenamento de
energia, pois toda a gerao entregue diretamente na rede. Este sistema representa uma fonte
complementar ao sistema eltrico de grande porte ao qual est conectado. Todo o arranjo
conectado em inversores onde a sada diretamente conectada na rede. Estes inversores devem
satisfazer as exigncias de qualidade e segurana para que a rede no seja afetada.
Os SFCR podem ser montados em basicamente duas maneiras: instalados diretamente no
ponto de consumo do usurio final, tais como os instalados em telhados, ou como uma grande
central fotovoltaica. Os SFCR superaram os sistemas fotovoltaicos autnomos (SFA) como
maior setor no mercado global de energia fotovoltaica em 2000 (Solarbuzz, 2004a; IEA-PVPS,
2004a)
Uma tpica instalao de SFCR est ilustrada de forma esquemtica na Figura 8.7, para
ilustrao dos componentes deste sistema. Esta figura no deve ser utilizada para o projeto de
8.9

uma instalao especfica, os aspectos de dimensionamento so particulares para cada sistema,
mas d um exemplo do diagrama de um sistema.
Os sistemas fotovoltaicos podem ser utilizados de diversas maneiras em uma construo:
1. Arquitetonicamente pode ser instalado para simultaneamente gerar eletricidade e servir
de telhado, janelas, paredes, etc
2. Gerenciamento da demanda em horrios de pico durante o dia
3. Sistema suplementar para alimentar ventiladores, bombas e outros equipamentos
utilizados durante o dia como condicionadores de ar.



Figura 8.7 Exemplo de um SFCR



8.3.2 Opes de Instalao de Arranjos Fotovoltaicos

H diversas maneiras de instalar um arranjo fotovoltaico em uma residncia. A maioria
dos sistemas fotovoltaicos (SF) possui potncia nas condies de teste padro (Irradincia 1000
W/m
2
, Temperatura 25 C e AM 1,5) entre 50 e 100 W para cada m
2
de rea de painel,

variando
em funo das tecnologias existentes e da eficincia dos diversos mdulos fotovoltaicos
disponveis no mercado. Para uma tpica instalao de 2 kW ser necessria uma rea estimada
8.10

entre 20 e 40 m
2
. A Figura 8.8 fornece uma estimativa da rea para a instalao de 1 kWp
levando em considerao diversos tipos de clulas. Deve-se levar em considerao uma rea
extra para instalao e futura manuteno, o que pode aumentar em at 20% a rea ocupada pela
instalao.



Material da clula rea estimada para 1 kW
p

Silcio monocristalino
7 - 9 m
2

Silcio multicristalino
8 - 11 m
2


CIS (cobre ndio selnio)
11 - 13 m
2


TeCd Telureto de Cdmio
14 -18 m
2


Silcio Amorfo
16 - 20 m
2


Figura 8.8 reas estimadas para a instalao de 1 kW
p
para clulas
fotovoltaicas de diferentes materiais

Os mdulos podem ser instalados no solo, em postes, diretamente nas paredes da
edificao e em telhados. As diversas opes possuem caractersticas prprias que devem ser
consideradas no projeto.



8.3.2.1. Montagem no solo

Este tipo de montagem ilustrada na Figura 8.9 a forma mais utilizada em grandes
instalaes ocupando uma grande rea livre. Possui uma estrutura mais robusta, facilidade de
acesso manuteno e mnima influncia do vento. Em reas urbanas este tipo de instalao tem

8.11

como desvantagem a ocupao de reas de solo, alm de problemas com sombreamento devido a
elementos adjacentes do meio urbano tais como rvores e edificaes.

Figura 8.9 Instalao de sistema fotovoltaico no solo

8.3.2.2 Montagem em postes
Este tipo de montagem muito utilizado para instalaes pequenas, normalmente
autnomas, de at 1 ou 2 m
2
, pois a montagem pode tornar-se fcil e simples. Estruturas mais
robustas permitem a instalao de sistemas como ilustrado na Figura 8.10. O vento pode afetar a
estrutura que deve suportar os mdulos e fator importante a ser considerado no projeto.

Figura 8.10 Sistema montado em poste com seguidor

8.3.2.3 Montagem no telhado da edificao
No meio urbano, este normalmente o local mais conveniente e apropriado para a
instalao de arranjos fotovoltaicos. O arranjo deve ser instalado no telhado respeitando uma
8.12

distncia de alguns centmetros entre o telhado e os mdulos para permitir o resfriamento. Um
exemplo tpico deste tipo de instalao est ilustrado na Figura 8.11.
Dependendo da inclinao do telhado a estrutura de suporte projetada deve ser construda
para adaptar o ngulo de inclinao dos painis. Caso a estrutura do telhado no tenha condies
de suportar a carga extra, a adaptao pode ser trabalhosa e inviabilizar a instalao.
Consideraes quanto vedao do telhado nos pontos de apoio da estrutura so importantes
para no gerar infiltraes.


Figura 8.11 Residncia com instalao FV no telhado

8.3.2.4 Montagem em coberturas diversas
O arranjo fotovoltaico tambm pode ser instalado em telhados de estacionamentos, reas
externas ou quiosques como ilustrado na Figura 8.12. Um fator importante que deve ser levado
em considerao a estrutura da cobertura que ir suportar os mdulos, pois tipicamente os
arranjos fotovoltaicos de silcio cristalino possuem entre 10 e 20 kg por m
2
, considerando o peso
dos mdulos e os suportes necessrios. Os catlogos dos fabricantes possuem os dados
dimensionais para utilizar no projeto da estrutura.
Este tipo de instalao tem a vantagem da facilidade do acesso para manuteno quando
comparado instalao em alturas maiores. Questes estticas devem ser consideradas no
projeto para a fiao eltrica que est na parte inferior dos mdulos.

8.13


Figura 8.12 Cobertura com arranjo FV instalado

8.3.2.5 Instalaes integradas na edificao
Outro tipo de sistema que est em crescente aplicao, a integrao de sistemas
fotovoltaicos na edificao, sistema conhecido como BIPV (building integrated photovoltaics).
Os mdulos podem ser integrados diretamente nas paredes, nas janelas ou no telhado da
edificao como pode ser observado na figura 8.13. Nos mercados onde a energia fotovoltaica
est mais difundida, j est disponvel no mercado telhas e outros componentes para edificaes
com mdulos fotovoltaicos incorporados. H tambm a opo da instalao de mantas flexveis
com mdulos de silcio amorfo para serem incorporadas nos telhados.



8.3.3 Conceitos referentes a topologias de Sistemas Fotovoltaicos Conectadas Rede
Atualmente existem essencialmente quatro topologias de inversores e configuraes de
instalaes, as quais oferecem boas solues tcnicas, levando em conta as condies locais
individuais [SMA Technologie AG, 2005].
Figura 8.13 Edificaes com instalao FV integrada no telhado
8.14

O inversor central, ilustrado na Figura 8.14, evidencia um tipo de planta onde um nico
inversor instalado com vrios painis de mdulos ou strings associados em paralelo e
conectados em sua entrada de corrente contnua, formando um gerador de alta potncia (>10
kW). Os inversores centrais oferecem uma alta eficincia e tambm reduo de gastos
especficos. A desvantagem est na adaptao de mdulos com caractersticas diferentes ou com
defeitos, o que reduz o aproveitamento timo de cada painel, diminuindo a eficincia energtica
do gerador. A confiabilidade est limitada pela dependncia de um nico inversor, onde em caso
de falhas do mesmo toda instalao fica comprometida [SMA Technologie AG, 2005].


Figura 8.14 Inversor Central


O inversor string, ilustrado na Erro! Fonte de referncia no encontrada.8.15
similar, em termos de campo fotovoltaico, ao inversor central, onde os strings se subdividem. No
entanto, cada string est ligado a um nico inversor, e desta forma o mesmo opera em seu ponto
de mxima potncia. Esta tcnica reduz os acoplamentos defeituosos, diminui as perdas
ocasionadas por sombreamentos e evita as perdas nos diodos de bloqueio. Estas qualidades
tcnicas conduzem a uma soluo de custo reduzido e aumento de eficincia energtica da
instalao, assim como da confiabilidade da mesma [SMA Technologie AG, 2005].

Figura 8.15 Inversor string

8.15

O inversor multi-string, ilustrado na Erro! Fonte de referncia no encontrada.8.16,
permite a conexo de vrios strings ou painis, os quais funcionam no ponto de mxima potncia
por meio de um conversor CC/CC em um elemento inversor de corrente contnua em corrente
alternada conectado rede eltrica. Est tcnica utiliza todas as vantagens das demais e pode
funcionar com timo rendimento energtico. instalaes deste tipo esto na faixa de potncia
mdia de 3 at 10 kW [SMA Technologie AG, 2005].
O inversor com mdulo integrado, visto na Erro! Fonte de referncia no
encontrada.8.17, recebe em sua entrada um nico mdulo. Esta configurao no produz
nenhum tipo de perda por adaptao e empregada em baixas potncias, de 50 at 400 W. No
entanto, a eficincia deste inversor menor do que a eficincia do inversor string. Tambm esta
topologia necessita de cabos maiores na conexo com a rede eltrica, uma vez que os mesmos
so ligados diretamente a ela [SMA Technologie AG, 2005].


Figura 8.16 Inversor multistring

8.16

Figura 8.17 Mdulos com inversores integrados ou mdulos CA

8.3.4 Segurana em SFCR
Diversas questes de segurana so comuns quando se refere aos SFCR, sejam sistemas
integrados edificao (BIPV), sistemas instalados na edificao ou centrais fotovoltaicas
conectadas rede.
Os aspectos de segurana que devem ser considerados incluem resistncia a incndio,
correto dimensionamento da fiao, aterramento e segurana contra condies climticas,
particularmente o vento. A simples desconexo de arranjos com elevadas tenses DC
(tipicamente acima de 200 V) das cargas ou inversores no as torna seguras, uma vez que
permanecem energizadas sempre que estiverem iluminadas. A proteo do lado DC um assunto
ainda controverso e as normas variam entre os pases. Arranjos e inversores sem aterramento
(flutuantes) so comumente utilizados na Europa, porm o aterramento mandatrio nos Estados
Unidos.

8.3.4.1 Islanding
Os SFCR poderiam operar continuamente quando a rede desligada, e este fenmeno
conhecido como islanding. Enquanto este fenmeno pode parecer uma vantagem em reas onde
a confiabilidade da rede eltrica baixa, ele gera um problema srio para as equipes de
manuteno de linhas de transmisso, que podem ser surpreendidas com uma linha energizada
durante o trabalho. Alm disto, se a rede reconectada durante o fenmeno, isto , quando o
SFCR estava funcionando, sobrecorrentes transientes podem ocorrer afetando o inversor.
H duas maneiras bsicas para controlar o fenmeno de islanding, via inversor ou via
rede de distribuio. A tcnica que utiliza o inversor envolve a deteco de variao da tenso e
frequncia da rede ou aumento de componentes harmnicos ou ainda monitorando a impedncia
da rede. O cdigo da Alemanha para sistemas monofsicos menores que 5 kW recomenda dois
mecanismos independentes, um deles com uma chave mecnica, como um rel, empenhado em
monitorar a impedncia da rede e a frequncia.
Enquanto a capacidade instalada de SFCR for pequena, o problema melhor gerenciado,
porm com uma alta participao de SFCR no futuro, um mtodo de proteo ativo poder ser
necessrio, uma vez que mtodos passivos no so efetivos para manter condies da rede
perfeitamente balanceadas. Problemas podem potencialmente surgir se um grande nmero de
inversores em uma seo da rede interferirem-se mutuamente no momento de medir as condies
8.17

da rede. A legislao anti-islanding de cada pas especificamente devem ser consultadas na hora
de projetar sistemas.
A proteo pode ser feita com um dispositivo de chaveamento eletromecnico, ou com
uma isolao galvnica (um transformador, por exemplo) caso o inversor tenha um sistema que
no possa fornecer energia a uma rede no energizada. Chaves semicondutoras podem ser
aceitveis em casos onde haja isolao galvnica. Proteo anti-islandind passiva e ativa so
necessrias para prevenir a situao onde o fenmeno pode ocorrer devido a diversos inversores
fornecendo tenso um para o outro. A desconexo deve ocorrer em at 2 s (dependendo da
legislao) a partir do incio da condio de islanding.