Diodos

Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de

la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa para
referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de
cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que
actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con
dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo.
De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por
debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y
por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea.
Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos
capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir
una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los
experimentos de Lee De Forest.
Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor como el silicio con
impurezas en l para crear una regin que contiene portadores de carga negativa (electrones),
llamado semiconductor de tipo n, y una regin en el otro lado que contiene portadores de
carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a
cada regin. El lmite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN, es donde
la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado
n (llamado ctodo), pero no en la direccin opuesta; es decir, cuando una corriente
convencional fluye del nodo al ctodo (opuesto al flujo de los electrones).
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (J
e
). Al
establecerse una corriente de difusin, aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la
unin, zona que recibe el nombre de regin de agotamiento.
A medida que progresa el proceso de difusin, la regin de agotamiento va incrementando su
anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la
acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo
elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza
de desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las
zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V
D
) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V para los
cristales de germanio.
La anchura de la regin de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de
0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de
carga espacial es mucho mayor.
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo est
polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.
Curva caracterstica del diodo[editar]

Curva caracterstica del diodo.
Tensin umbral, de codo o de partida (V

).
La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide
en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar
directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la
corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin
externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para
pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de
corriente.
Corriente mxima (I
max
).
Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por
el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo,
depende sobre todo del diseo del mismo.
Corriente inversa de saturacin (I
s
).
Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la
formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica
por cada incremento de 10 C en la temperatura.
Corriente superficial de fugas.
Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa),
esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin,
aumenta la corriente superficial de fugas.
Tensin de ruptura (V
r
).
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto
avalancha.
Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de
saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodonormal o
de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos,
como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:
Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares
electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es
elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al
chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin.
Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con
ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es unaavalancha de
electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de
la tensin superiores a 6 V.
Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es la
anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como
cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por tanto
d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 310
5
V/cm. En estas
condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia
incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener,
se puede producir por ambos efectos.

La recta de carga es una herramienta que se emplea para hallar el valor de la
corriente y la tensin del diodo. Las rectas de carga son especialmente tiles para
los transistores, por lo que ms adelante se dar una explicacin ms detallada
acerca de ellas.
Estas son las distintas formas de analizar los circuitos con diodos:
EXACTA POR TANTEO: Ecuacin del diodo exponencial y ecuacin
de la malla.
MODELOS EQUIVALENTES APROXIMADOS: 1 aproximacin, 2
aproximacin y 3 aproximacin.
DE FORMA GRFICA: Recta de carga.
Hasta ahora hemos visto las 2 primeras, la tercera forma de analizarlos es de
forma grfica, esto es calculando su recta de carga.

Si de la ecuacin de la malla, despejamos la intensidad tenemos la ecuacin de
una recta, que en forma de grfica sera:


A esa recta se le llama "recta de carga" y tiene una pendiente negativa.
El punto de corte de la recta de carga con la exponencial es la solucin, el punto
Q, tambin llamado "punto de trabajo" o "punto de funcionamiento". Este punto
Q se controla variando V
S
y R
S
.
Al punto de corte con el eje X se le llama "Corte" y al punto de corte con el eje Y
se le llama "Saturacin".
El punto de operacin CC de un circuito se refiere al punto de funcionamiento de
un circuito en estado slido tal como un circuito de diodo. El punto de operacin de
un circuito de diodo se define como la corriente que fluye a travs del diodo y la
tensin entre los terminales cuando slo se aplican tensiones de CC al circuito de
estado slido a travs de una resistencia o una red de resistor. Determinar el punto
de funcionamiento CCe un diodo se hace generalmente grficamente usando las
caractersticas del voltaje de la corriente de diodo.