Resumo Capitulo 6.

1- Introduo
FET (Field Effect Transistor) o Transistor de Efeito de Campo, que, como o prprio
nome diz, funciona atravs do efeito de um campo eltrico na juno. Este tipo de transistor
tem muitas aplicaes na rea de amplificadores (operando na rea linear), em chaves
(operando fora da rea linear) ou em controle de corrente sobre uma carga. Os FETs tm como
principal caracterstica uma elevada impedncia de entrada o que permite seu uso como
adaptador de impedncias podendo substituir transformadores em determinadas situaes,
alm disso so usados para amplificar frequncias altas com ganho superior ao
dos transistores bipolares. Eles podem ser compostos por germnio ou silcio combinados
pequenas quantidades de fsforo e boro, que so substncias dopantes`` (isto , que alteram
as caractersticas eltricas). Os transistores de silcio so os mais utilizados atualmente, sendo
que transistores de germnio so usados somente para o controle de grandes potncias.
Para o transistor de efeito de campo, a relao entre os parmetros de entrada e sada
no-linear devido ao termo quadrtico na equao de Shockley. A relao no-linear
entre ID e VGs pode complicar o raciocnio matemtico necessrio anlise cc de configuraes
com FET. Um mtodo grfico pode limitar bastante a preciso, mas o mtodo mais rpido
para a maioria dos amplificadores a FET.

As relaes gerais que podem ser aplicadas anlise cc dos amplificadores a FET so:
e
Para o JFET e o MOSFET tipo depleo, a equao de Shockley relaciona as variveis de entrada
e sada:

Para os MOSFET tipo intensificao, a seguinte equao aplicvel:

2- Configurao com polarizao fixa
O mais simples dos arranjos de polarizao para FET definido pela sua configurao de
polarizao fixa, porem o menos, eficiente devido o fato de que o ponto quiescente (ponto
de operao) variar em funo de IDss e Vp , que por sua vez variam com temperatura.











3- Configurao com autopolinizao.
Eliminar a necessidade de uma fonte dedicada a polarizao do gate, sendo sua
polarizao atravs da teno sobre o resistor R
S
, assim V
GS
se torna uma funo da corrente
de sada ID e da resistncia RS.
.
Podemos eliminar os capacitores para determina a polarizao, sendo que por analise de
malha as equaes ficam:
; ; ; ;
;
Resoluo pelo mtodo grfico.
Consisti em tranar a curva de VGS sobre a curva de transferncia do JFET.




4- Polarizao por divisor de teno.
caracterizada por fixa a polarizao do gate sem a necessidade de uma fonte dedicada e de
forma mais independente dos parmetros de sada do JFET, com esta operao e possvel
ajustar o ponto de operao do JFET sem variar a resistncia RS , como ocorrer na auto
polarizao

Eliminando os capacitores para a analise de polarizao pode se determina que VG e
diretamente atravs do divisor de teno formado por R1 e R2 .


Assim podemos obter as outras formulas:
;
Para se determina o seu ponto de operao e muito semelhante ao de autopolarizao com a
diferena que neste caso a reta de polarizao no partira mais da origem e sim do ponto ID=0
; VGs=VG , outro ponto notaviu e que a corrente do dreno pode ser alimentanda ou reduzida
conforme se aumenta ou diminuir os valores de RS.

5- Mosfet tipo depleo.
O controle de corrente em MOSFETs depleo, da mesma forma em que nos
dispositivos JFET, feito pelo controle da largura do canal, atravs do potencial aplicado
porta do dispositivo. Ser analisado inicialmente para o caso de um dispositivo com canal p.




6- Mosfet tipo Intensificao.
Neste tipo de MOSFET, quando no h tenso entre a porta e a fonte (VGS=0), no existe o
canal. O canal ser formado pela polarizao direta da porta, via intensificao de portadores
majoritrios de carga, que determinam tambm sua dimenso. O canal intensificado com o
aumento de VGS (em mdulo). A partir de um valor de tenso determinado, a tenso de limiar
VT (treshold), a corrente de dreno comea a aumentar, dada por:
;
Configurao com polarizao realimentada:
Netes caso oferece um alto valor de VGS pois IG=0, VRG=0v e VD=VG.

quando fazemos o analise do circuito em cc. Obtemos que:
; ; .
Sendo seu grfico definido como :

Configurao de polarizao com divisor de tenso:
Com o IG=0 da o resultado que a equao GS e nada mais que a regra do divisor de tenso
assim aplicando as leis de kirchhoff ao logo da malha nas tenes obtemos:
; para esta configurao e de extrema
importncia para obter o resultado de todos parmetros obtermos primeiramente IDq e
VGSQ.