CURSO: ELECTRONICA

CODIGO: G06113
LABORATORIO N 4
TRANSISTOR BIPOLAR








Alumno(s) :
Apellidos y nombres
nota

Frank Nstor, Mamani Apaza


Ing.
Hernando, Prada
Programa profesional C 2 Grupo F
Fecha de entrega 28 09 2013 Mesa de grupo: 8





LABORATORIO DE ELCTRONICA (TRANSISTOR BIPOLAR)
PFR
Pgina 2/19





Objetivos:
- Obtener las curvas caractersticas de amplificacin de corriente.
- Analizar el modo de operacin del circuito de emisor comn como interruptor.
Materiales:
- Diodo de silicio.
- Diodo de germanio.
- Diodo led.
- Resistencias de: 330 1/2W, 1K 1/2W y 10K 1/2W.
- Fuente de tensin. - Multmetro y ampermetro.

- Jumper. - Resistencias y diodos.

- Mdulo de Lucas Nulle. - Conectores.


Seguridad en la ejecucin del laboratorio.

LABORATORIO DE ELCTRONICA (TRANSISTOR BIPOLAR)
PFR
Pgina 3/19





Fundamento terico
Un transistor bipolar est formado por dos uniones pn en contraposicin. Fsicamente, el transistor est constituido por
tres regiones semiconductoras denominadas emisor, base y colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares, los
denominados NPN y PNP:

Transistores Bipolares npn y pnp.
A partir de este punto nos centramos en el estudio de los transistores bipolares NPN, siendo el comportamiento de los
transistores PNP totalmente anlgolo.
El emisor en un transistor NPN es la zona semiconductora ms fuertemente dopada con donadores de electrones,
siendo su ancho intermedio entre el de la base y el colector. Su funcin es la de emitir electrones a la base. La base es
la zona ms estrecha y se encuentra dbilmente dopada con aceptores de electrones. El colector es la zona ms
ancha, y se encuentra dopado con donadores de electrones en cantidad intermedia entre el emisor y la base.
Curvas caractersticas


LABORATORIO DE ELCTRONICA (TRANSISTOR BIPOLAR)
PFR
Pgina 4/19




Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis parmetros para determinar el
estado elctrico del mismo: tres tensiones y tres corrientes. Aplicando las leyes bsicas de resolucin de
circuitos pueden presentarse dos ecuaciones:

Por ello, los parmetros independientes se reducen a cuatro. En un circuito determinado y bajo la accin
de unas excitaciones concretas, existirn unos valores de estos cuatro parmetros que caracterizan por
completo el estado del transistor. Dicho cuarteto se denomina punto de operacin (Q).
Las curvas caractersticas ms empleadas en la prctica son las que relacionan V
BE
con I
B
y V
CE
con I
C
e I
B
. Con
frecuencia, estas curvas son facilitadas por los fabricantes.
Caractersticas V
BE
-I
B

Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen las variaciones de la tensin de
polarizacin V
BE
sobre la corriente de base I
B
. Estas grficas reciben el nombre de curvas caractersticas de
transferencia. Las curvas que se obtienen son muy similares a la de un diodo cuando se polariza
directamente.
Estas tensiones permanecen prcticamente constantes, por lo que sern de gran ayuda para localizar
averas en circuitos con transistores.

La funcin que liga V
BE
con I
B
es la caracterstica de un diodo, y puede aplicarse dado que la unin base -
emisor, es una pn normal, igual que la de diodo, y al polarizarla, seguir el mismo comportamiento que
aquel.
La curva representada en la figura sigue la expresin:

Caractersticas V
CE
-I
C

Estas caractersticas tambin son conocidas como familia de colector, ya que son las correspondientes a la
tensin e intensidad del colector. En la siguiente figura, se muestran una familia de curvas de colector para
diferentes valores constantes de la corriente base.

LABORATORIO DE ELCTRONICA (TRANSISTOR BIPOLAR)
PFR
Pgina 5/19





Idealmente, en la Regin Activa, la corriente de colector depende exclusivamente de la de base, a travs de
la relacin I
C
=+I
B
. Por lo tanto, en el plano V
CE
-I
C
la representacin estar formada por rectas horizontales
(independientes de V
CE
) para los diversos valores de I
B
(en este caso se ha representado el ejemplo para
=100).
Evidentemente, no se dibujan ms que unos valores de I
B
para no emborronar el grfico. Para I
B
=0, la
corriente de colector tambin debe ser nula. La regin de corte est representada por el eje de abscisas.
Por contra, para V
CE
=0 el transistor entra en saturacin, luego esta regin queda representada por el eje de
ordenadas.
Hasta aqu se presenta la caracterstica ideal, pero como era de esperar, la realidad es un poco ms
compleja, y las curvas quedarn como representa la siguiente figura:
Las diferencias son claras:

En la Regin Activa la corriente del colector no es totalmente independiente de la tensincolector-
emisor. Para valores altos de la corriente cobra importancia la resistencia interna del transistor.
La regin de saturacin no aparece bruscamente para V
CE
=0, sino que hay una transicin gradual.
Tpicamente se suele considerar una tensin de saturacin comprendida entre 0.1V y 0.3V.
Estas curvas representan, en cierto modo, la forma de funcionamiento del transistor. Se puede comprobar
que, para una tensin constante de colector-emisor, si se producen pequeas variaciones de la corriente
de base (del orden de A) esto origina unas variaciones en la corriente de colector mucho ms elevadas
(del orden de mA), de lo cual se deduce la capacidad del transistor para amplificar corrientes.

LABORATORIO DE ELCTRONICA (TRANSISTOR BIPOLAR)
PFR
Pgina 6/19




Observa que, en la mayor parte de las curvas, la tensin V
CE
afecta muy poco a la corriente de colector I
C
. Si
se aumenta V
CE
demasiado (por encima de V
CEO
), la unin del colector entra en la regin de ruptura y ste
puede llegar a destruirse. Sin embargo, si la tensin V
CE
es muy pequea (por debajo de los 0.7V), la
corriente de colector ser muy dbil, obtenindose una ganancia de corriente muy baja. En conclusin,
para conseguir que el transistor trabaje como amplificador de corriente, la tensin de polarizacin inversa
V
CE
debe mantenerse por encima de 0.7V y por debajo de la tensin de ruptura.

Recta de carga del transistor
Hemos de conocer el comportamiento del transistor trabajando con una determinada resistencia de carga
y averiguar el punto de funcionamiento del mismo. Para ello, trazamos la recta de carga del transistor en
las curvas de colector para poder determinar los puntos de funcionamiento.
Para determinar la corriente que circula por el colector (emisor comn), podemos aplicar la ley de Ohm
entre los extremos de la resistencia de carga R
L
. La tensin aplicada a esta resistencia se corresponder con
la tensin total aplicada por la fuente V
CC
menos la cada de tensin que se produce entre el colector y el
emisor V
CE
. De esta forma obtendremos la siguiente expresin, que se corresponder con la ecuacin de la
recta de carga:

Para dibujar esta recta sobre la cruva caracterstica, lo primero que hay que hacer es encontrar sus
extremos (I
C
=0 y V
CE
=0).
Para V
CE
=0

Para I
C
=0

Llevando estos valores a la curva caracterstica de colector, obtendremos la recta de carga para una
determinada resistencia de carga R
L
y una fuente V
CC
.
A lo larga de esta recta se pueden distinguir tres partes fundamentales: puntos de corte, punto de
saturacin, punto de trabajo.

LABORATORIO DE ELCTRONICA (TRANSISTOR BIPOLAR)
PFR
Pgina 7/19





El punto de corte es donde la lnea de carga corta a la curva correspon-
diente a la corriente de base igual a cero (I
B
=0). Dada la escasa polarizacin directa a que queda sometido
el diodo de emisor-base, la corriente que aparece por el colector es prcti-
camente nula (slo circula una pequesima corriente de fuga I
CEO
). Haciendo una aproximacin, se puede
decir, sin equivocarse mucho, que el punto de corte se da en la interseccin de la recta de carga con el eje
horizontal, es decir cuando V
Cecorte
=V
CC
.
El punto de saturacin aparece donde la lnea de carga corta a la intensidad de base de saturacin. En este
punto, la corriente de colector es la mxima que se puede dar para la operacin de transistor, dentro de
los lmites de la recta de carga. Haciendo una aproximacin, se puede decir que el punto de saturacin
aparece en la interseccin de la recta de carga con el eje vertical, es decir, cuando:

Para corrientes de base superiores a la de saturacin se produce tambin el efecto de saturacin en el
transistor.

LABORATORIO DE ELCTRONICA (TRANSISTOR BIPOLAR)
PFR
Pgina 8/19





El punto de trabajo es aqul donde el transistor trabaja de una forma normal y que, normalmente, se
encuentra entre la zona de corte de saturacin. Para determinar el punto de trabajo (Q) de transistor para
una determinada corriente de base (I
B
), se busca el punto de interseccin de la recta de carga con la curva
correspondiente a dicha corriente de base.
Por ltimo, hay que indicar que, cuando se disea un circuito para un transistor, se tiene que procurar que
el transistor nunca opere por encima de la curva de potencia mxima. Esto se consigue eligiendo valores
adecuados de la tensin de fuente V
CC
y de la resistencia de carga R
L
, de tal forma que la recta de carga
trazada con dichos valores, est siempre por debajo de la curva de potencia mxima. En la figura siguiente,
es esquematiza esta situacin:
Procedimiento.
5.1 Verificacin del dispositivo
Compruebe que el transistor se encuentra en buen estado identificando las
terminales (base, emisor y colector) usando el ohmmetro, reporte las mediciones
entre terminales (polarizando directa e inversamente).

Terminales Zpol. directa() Zpol. inversa()
Base-Emisor 5.73 M 0L
Base-Colector 5.60 M 0L
Colector-Emisor 0L 0L

5.2 Obtencin esttica de la curva caracterstica base emisor
Arme el circuito; coloque Vbb a cero y ajuste Vcc hasta tener un voltaje Vce=1V,
mida Vbe e Ib (aplique ley de ohm midiendo el voltaje en la resistencia de base);
para cada nuevo valor de Vbb reajuste Vcc para mantener Vce=1 V y complete la
tabla.


LABORATORIO DE ELCTRONICA (TRANSISTOR BIPOLAR)
PFR
Pgina 9/19

















Vbb (Volts) Vbe (Volts) Ib (A)
0 -0.005 0.2
0.5 0.443 0.4
1.0 0.550 2.8
1.5 0.570 4.9
2.0 0.581 7.0
2.5 0.589 9.3
3.0 0.595 11.4
3.5 0.599 13.4
4.0 0.603 15.5
4.5 0.607 17.5
5.0 0.611 19.9
V
ce
=1V

LABORATORIO DE ELCTRONICA (TRANSISTOR BIPOLAR)
PFR
Pgina 10/19







Vce = 1V

Grafique Vbe vs Ib






5.3 Curva caracterstica Colector-Emisor

Arme el circuito; coloque Vcc a + 12 Volts y ajuste Vbb hasta tener una corriente de base Ib
= 12A (aplique ley de Ohm midiendo el voltaje en la resistencia de base); ajuste Vcc a
cero y complete la tabla.






















LABORATORIO DE ELCTRONICA (TRANSISTOR BIPOLAR)
PFR
Pgina 11/19




V
cc
(Volts) V
ce
(Volts) I
c
(mA)
0 0 -0.01
1 0.294 0.38
2 0.495 0.78
3 0.717 1.17
4 1.696 1.19
5 2.619 1.21
6 3.554 1.24
7 4.577 1.22
8 5.588 1.24
9 6.534 1.24
10 7.55 1.24
11 8.44 1.28
12 9.46 1.29
Ib = 12 A




= - = -0.83mA

LABORATORIO DE ELCTRONICA (TRANSISTOR BIPOLAR)
PFR
Pgina 12/19












Grafique Vce vs Ic




5.4 Polarizacin del transistor

La polarizacin de un transistor determina el punto de trabajo en el que se encuentra.
Arme el circuito; determine tericamente el punto de trabajo del transistor. Si R1=10K,
R2=2.2K, Rc=4.7K, Re=1K, Vcc=9V








































Complete la tabla:

LABORATORIO DE ELCTRONICA (TRANSISTOR BIPOLAR)
PFR
Pgina 13/19





MEDIDAS VB VE VC VBE VCE VR2 VR1 VRC IB IC
TEORICA 1.62V 0.92V 4.67V 0.7V 3.75V 1.62V 7.38V 4.58V 8.94A 0.92mA
PRACTICA 1.62V 0.93V 8.98V 0.7V 3.44V 1.62V 7.38V 4.58V 3.56A 0.97mA


REALICE AQU TODOS LOS CLCULOS NECESARIOS:
VBB= *9 = 1.62V
VE=1.62-0.7 =0.92V


IE= =0.92mA = Ic
Vc=9V-0.92mA*4.7K
Vc=4.67V
VcE=4.67-0.92

VcE=3.75V






Grafique recta de carga y ubique el punto de operacin:




6. Aplicaciones de Transistor

6.1 El Transistor como interruptor

Implemente el circuito de medicin segn este esquema y aplique la tensin de operacin
UB=+6V


LABORATORIO DE ELCTRONICA (TRANSISTOR BIPOLAR)
PFR
Pgina 14/19






Posicin S1
Parmetro Terico practico
I
C
63.4 mA 57.20 mA
I
B
5.6 mA 10.24 mA
V
BE
0.7 V 0.755 V
V
CE
1.90 V 0.040 V
V
RB
5.3 V 11.28 V

Posicin S2
Parmetro Terico practico
I
C
0 mA 0 mA
I
B
0 mA 0 mA
V
BE
0 mA 0 mA
V
CE
12 V 12.04V
V
RB
0 V 0V

Observaciones.

Se observ que al momento que el ingeniero nos dio los materiales tenamos que
identificar si estaban bien o mal los equipos para no tener inconvenientes al utilizarlo, ms
que todo el transistor.
Se observ de al realizar la experiencia de Obtencin esttica de la curva caracterstica
base emisor, tuvimos la dificultad al momento de hacer las mediciones, ya que nos
daban datos que no eran los apropiados, con la ayuda del ingeniero pudimos
obtener los datos deseados.
Se observ de que al finalizar el laboratorio se hizo una limpieza, de modo que tenamos
que limpiar donde aviamos trabajado.



LABORATORIO DE ELCTRONICA (TRANSISTOR BIPOLAR)
PFR
Pgina 15/19




Conclusiones.
- Obtener las curvas caractersticas de amplificacin de corriente.
- Analizar el modo de operacin del circuito de emisor comn como interruptor.
En conclusin se obtuvo las curvas caractersticas del transistor, en la tabla 2 se muestra las
mediciones del voltaje de base-emisor y la corriente de base que se izo experimentalmente.




Bibliografa
(28 de septiembre de 2013). Obtenido de
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/curvascaracteristicas.html
(28 de septiembre de 2013). Obtenido de http://juliodelgado.galeon.com/
(28 de septiembre de 2013). Obtenido de imagenes propias
tecsup. (28 de sptiembre de 2013). Obtenido de separatadeelctronica


LABORATORIO DE ELCTRONICA (TRANSISTOR BIPOLAR)
PFR
Pgina 16/19





Posicin S2

PARAMETRO

TEORICO

PRACTICO

I

0

0

IB

0

0

VBE

0

0

VCE

3.6V

3.6V

VRB

0

0


























Realizar las mediciones y anotarla en la tabla adjunta





Posicin S1

PARAMETRO

TEORICO

PRACTICO

Ic

64.8mA

65.8mA

IB

5.3mA

5.55mA

VBE

0.7V

0.703V

VCE

1.90V

1.833V

VRB

5.3V

5.6V


Para cada caso graficar la recta de carga






Explique el funcionamiento de este circuito, indicado que ocurre con las corrientes en la
base y en el colector para cada posicin de la llave (S1 y S2).
En el circuito mostrado vemos que la corriente busca tierra por lo tanto cuando
est en circuito cerrado la lmpara no prendera



En la posicin S2 que representa la corriente Ic

Representa la corriente del colector hacia la lmpara esta corriente colecta
electrones de la base inyectadas por el emisor en esa zona se forma una malla.