EL DIODO ZENER

INTRODUCCION
El diodo Zener, que recibe este nombre por su inventor, el Dr.Clarence MelvinZener,es
undiododesilicioque se ha construido para que funcione en las zonas derupturas. Llamados a veces
diodos de avalancha o de ruptura, el diodo zener es la parteesencial de losreguladores de tensincasi
constantes con independencia de que sepresenten grandes variaciones de la tensin de red, de
laresistenciade carga ytemperatura.

El diodo zener es un tipo especial dediodo, que siempre
seutiliza polarizado inversamente.Recordar que los
diodos comunes, como el diodo rectificador(en donde se
aprovechan sus caractersticas de polarizacin directa
ypolarizacin inversa).En este caso lacorrientecircula en
contra de la flecha querepresenta el diodo.Si el diodo
zener se polariza en sentido directo se comportacomo un
diodo rectificador comn.
Cuando el diodo zener funciona polarizadoinversamente mantiene entre sus terminales unvoltaje
constante.En el grfico se ve el smbolo de diodo zener (A - nodo, K -ctodo) y el sentido de la
corriente para que funcione en la zonaoperativa.Se analizar el diodo Zener, no como un elemento
ideal, si nocomo un elemento real y se debe tomar en cuenta que cuando stese polariza en modo
inverso si existe una corriente que circula ensentido contrario a la flecha del diodo, pero de muy
poco valor.
EFECTO ZENER
El efecto zener se basa en la aplicacin de tensiones inversas que originan, debido a lacaracterstica
constitucin de los mismos, fuertes campos elctricos que causan la rotura delos enlaces entre los
tomos dejando as electrones libres capaces de establecer laconduccin. Su caracterstica es tal que
una vez alcanzado el valor de su tensin inversanominal y superando la corriente a su travs un
determinado valor mnimo, la tensin enbornes del diodo se mantiene constante e independiente de
la corriente que circula por l.

Pero una vez que se llega a un determinado voltaje, llamadavoltaje o tensin de Zener (Vz), el
aumento del voltaje (siempre negativamente) es muy pequeo, pudiendo considerarse constante.
Para este voltaje, la corriente que atraviesa el diodo zener, puede variar en un gran rango de valores.
A esta regin se le llama la zona operativa. Esta es la caracterstica del diodo zener que se
aprovecha para que funcione como regulador de voltaje, pues el voltaje se mantiene prcticamente
constante para una gran variacin de corriente.
El efecto zener se basa en la aplicacin de tensiones inversas que originan, debido a la caracterstica
constitucin de los mismos, fuertes campos elctricos que causan la rotura de los enlaces entre los
tomos dejando as electrones libres capaces de establecer la conduccin. Su caracterstica es tal
que una vez alcanzado el valor de su tensin inversa nominal y superando la corriente a su travs un
determinado valor mnimo, la tensin en bornas del diodo se mantiene constante e independiente de
la corriente que circula por l.

SIMBOLO DEL DIODO ZENER

DESCRIPCIN DEL DIODO ZENER
Un diodo zener es bsicamente un diodo de unin, pero construido especialmentepara trabajar en la
zona de ruptura de la tensin de polarizacin inversa; por eso algunasveces se le conoce con el
nombre de diodo de avalancha.El diodo zner tiene la propiedadde mantener constante la tensin
aplicada, auncuando la corriente sufra cambios. Para que el diodo zener pueda realizar esta funcin,
debepolarizarse de manera inversa. Generalmente, la tensin de polarizacin del diodo es mayorque
la tensin de ruptura, Esta tensin de ruptura depende de las caractersticas deconstruccin del
diodo, se fabrican desde 2 a 200 voltios; adems, se coloca una resistencialimitadora en serie con l;
de no ser as, conducira de manera descontrolada hasta llegar alpunto de su destruccin. En muchas
aplicaciones de regulacin de tensin, el diodo zner no es el dispositivo que controla de manera
directa la tensin de salida de un circuito; slosirve de referencia para un circuito ms complejo; es
decir, el zner mantiene un valor detensin constante en sus terminales. Esta tensin se compara
mediante un circuitoamplificador a transistores o con circuito integrados con una tensin de salida.
El resultadode la comparacin permite definir la accin a efectuar: aumentar o disminuir la
corriente desalida, a fin de mantener constante la tensin de salida. Es importante hacer notar que
losdiodos zner se construyen especialmente para que controlen slo un valor de tensin desalida;
por eso es que se compran en trminos de latensin de regulacin (zner de 12V x1ampere, por
ejemplo).


CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO ZENER
Analizando la curva del diodo zener se veque conforme se va aumentando negativamente elvoltaje
aplicado al diodo, la corriente que pasa porel aumenta muy poco.Pero una vez que se llega a un
determinadovoltaje, llamada voltaje o tensin de Zener (Vz), elaumento del voltaje (siempre
negativamente) esmuy pequeo, pudiendo considerarse constante.Para este voltaje, la corriente que
atraviesa el diodo zener, puede variar en un granrango de valores. A esta regin se le llama la zona
operativa.Esta es la caracterstica del diodo zener que se aprovecha para que funcione
comoregulador de voltaje, pues el voltaje se mantiene prcticamente constante para una
granvariacin de corriente. Ver el grfico.
Analizando la curva del diodo zener se ve que conforme se va aumentando negativamente el voltaje
aplicado al diodo, la corriente que pasa por el aumenta muy poco.
Pero una vez que se llega a un determinado voltaje, llamada voltaje o tensin de Zener (Vz), el
aumento del voltaje (siempre negativamente) es muy pequeo, pudiendo considerarse constante.
Para este voltaje, la corriente que atraviesa el diodo zener, puede variar en un gran rango de valores.
A esta regin se le llama la zona operativa. Esta es la caracterstica del diodo zener que se
aprovecha para que funcione como regulador de voltaje, pues el voltaje se mantiene prcticamente
constante para una gran variacin de corriente



OTROS PUNTOS
Tensiones de polarizacin inversa, conocida como tensin zener.- Es la tensin queel zener
va a mantener constante.
Coriente mnima de funcionamiento.- Si la corriente a travs del zener es menor,no hay
seguridad en que el Zener mantenga constante la tensin en sus borna
Potencia mxima de disipacin. Puesto que la tensin es constante, nos indica elmximo
valor de la corriente que puede soportar el Zener.
APLICACIN
Su principal aplicacin es como regulador de tensin; es decir, como circuito quemantiene la
tensin de salida casi constante, independientemente de las variaciones que sepresenten en la lnea
de entrada o del consumo de corriente de las cargas conectadas en lasalida del circuito.
Diferenciacin Entre Diodos Zener
Tres son las caractersticas que diferencian a los diversosdiodos Zener entre si:
a)
Tensiones de polarizacin inversa, conocida como tensin zener.-Es la tensin que el zener va a
mantener constante.
b)
Corriente mnima de funcionamiento.- Si la corriente a travs delzener es menor, no hay seguridad
en que el Zener mantengaconstante la tensin en sus bornas
c)
Potencia mxima de disipacin. Puesto que la tensin es constante, nos indica el mximo valor de la
corriente que puede soportar el Zener.
Qu hace un Regulador con Zener?
Un regulador con diodo zener ideal mantiene un voltaje predeterminado fijo a su salida, sin
importar las variaciones de voltaje en la fuente de alimentacin y/o las variaciones de corriente en la
carga.
Nota:
En las fuentes de voltaje ideales (algunas utilizan, entre otroselementos el diodo zener), el voltaje de
salida no vara conformevara la carga.Pero las fuentes no son ideales y lo normal es que el voltaje
desalida disminuya conforme la carga va aumentado, o sea conforme lademanda de corriente de la
carga aumente.En otras palabras, eldiodo zenerse puede utilizar para regularunafuente de
voltaje.Este semiconductor se fabrica en una amplia variedad devoltajesypotencias. Estos van desde
menos de 2 voltios hasta varioscientos de voltios, y la potencia que pueden disipar va desde
0.25watts hasta 50 watts o ms.La potencia que disipa un diodo zener es simplemente
lamultiplicacin del voltaje para el que fue fabricado por lacorriente que circula por l. Pz = Vz x
Iz.Esto significa que la mxima corriente que puede atravesar undiodo zener es:Iz = Pz/Vz.Donde:-
Iz = Corriente que pasa por el diodo Zener.- Pz = Potencia del diodo zener (dato del fabricante).- Vz
= Voltaje del diodo zener (dato del fabricante).

DIODO TUNEL
INTRODUCCIN
En 1958, el fsico japons Esaki, descubri que los diodos semiconductores obtenidos con un grado
de contaminacin del material bsico mucho mas elevado que lo habitual exhiben una caracterstica
tensin-corriente muy particular. La corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a
la tensin aplicada hasta alcanzar un valor mximo, denominado corriente de cresta. A partir de este
punto, si se sigue aumentando la tensin aplicada, la corriente comienza a disminuir y lo siga
haciendo hasta alcanzar un mnimo, llamado corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta. El
nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego se hace cada vez mas rpido hasta
llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera. Este comportamiento particular de los
diodos muy contaminados se debe a lo que los fsicos denominan efecto tnel, del que nonos
ocuparemos aqu debido a su complejidad. Para las aplicaciones prcticas del diodo tnel, la parte
mas interesante de su curva caracterstica es la comprendida entre la cresta y el valle. En esta parte
de la curva a un aumento de la tensin aplicada corresponde una disminucin de la corriente; en
otros trminos, la relacin entre un incremento de la tensin y el incremento resultante de la
corriente es negativa y se dice entonces que esta parte de la
curva representa una resistencia incremental negativa. Una resistencia negativa puede
compensar total o parcialmente una resistencia positiva. As, por ejemplo, las prdidas que se
producen en un circuito resonante a causa de la presencia siempre inevitable de cierta resistencia en
el, se compensa asociando al circuito una resistencia negativa de valor numrico conveniente y
realizada por ejemplo, mediante un diodo tnel. En tal caso el circuito oscilante se transforma en un
oscilador.
1 GENERALIDADES
En 1958, el fsico japons Esaki, descubri que los diodos semiconductores obtenidos con un grado
de contaminacin del material bsico mucho ms elevado que lo habitual exhiben una caracterstica
tensin-corriente muy particular. La corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a
la tensin aplicada hasta alcanzar un valor mximo, denominado corriente de cresta. A partir de este
punto, si se sigue aumentando la tensin aplicada, la corriente comienza a disminuir y lo siga
haciendo hasta alcanzar un mnimo, llamado corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta.
El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego se hace cada vez mas rpido
hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera. Este comportamiento particular
de los diodos muy contaminados se debe a lo que los fsicos denominan efecto tnel, del que no nos
ocuparemos aqu debido a su complejidad. Para las aplicaciones prcticas del diodo tnel, la parte
mas interesante de su curva caracterstica es la comprendida entre la cresta y el valle.
En esta parte de la curva a un aumento de la tensin aplicada corresponde una disminucin de la
corriente; en otros trminos, la relacin entre un incremento de la tensin y el incremento resultante
de la corriente es negativa y se dice entonces que esta parte de la curva representa una resistencia
incremental negativa. Una resistencia negativa puede compensar total o parcialmente una
resistencia positiva. As, por ejemplo, las prdidas que se producen en un circuito resonante a causa
de la presencia siempre inevitable de cierta resistencia en el, se compensa asociando al circuito una
resistencia negativa de valor numrico conveniente y realizada por ejemplo, mediante un diodo
tnel.
En tal caso el circuito oscilante se transforma en un oscilador. Los ejemplo de circuito que se
describen a continuacin muestra como puede aprovecharse este fenmeno en la prctica.
El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto
tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la
caracterstica corriente-tensin.
sus caractersticas, que se muestran en la figura 4.1, son diferentes a las de cualquier otro diodo
analizado hasta ahora en el sentido de que cuenta con una regin de resistencia negativa, en la cual,
el incremento en el voltaje terminal ocasiona una reduccin en la corriente del diodo.
El diodo tnel se fabrica mediante el dopaje de los materiales semiconductores que darn forma a la
unin p-n a un nivel de cientos o varios miles de veces el nivel de dopaje de un diodo
semiconductor tpico. Esto ocasiona una regin de agotamiento muy reducida, del orden de
magnitud de 10^(-6) cm, tpicamente cercana a 1/100 del anchi de esta regin para un diodo
semiconductor tpico. En esta delgada regin de agotamiento, los portadores pueden atravesarlas
como un tnel en lugar de intentar superarla, a bajos potenciales de polarizacin directa que son
responsables del pico en la curva de la figura 4.1. Para propsito de comparacin, se sobrepuso una
caracterstica atpica de un diodo semiconductor sobre la caracterstica del diodo tnel de la figura
4.1.
Esta reducida regin de agotamiento da por resultado portadores que atraviesan perforando a
velocidades que exceden por mucho la de los diodos convencionales. El diodo tnel puede, por
tanto, utilizarse en aplicaciones de alta velocidad como en computadoras, donde se buscan tiempos
de conmutacin en el orden de los nanosegundos o picosegundos.
Recuerde que un incremento en el nivel de dopaje har caer el potencial Zener. Observe el efecto de
un nivel de dopaje muy alto sobre esta regin en la figura 4.1. Los materiales semiconductores que
se utilizan con mayor frecuencia en la fabricacin de los diodos tnel son el germanio y el arseniuro
de galio. La relacin I_pI_v es muy importante para aplicaciones de cmputo. Para el caso del
germanio esta relacin es por lo general de 10:1; mientras que para el arseniuro de galio es cercana
a 20:1.
El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto
tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la
caracterstica corriente-tensin.
La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo
(amplificador/oscilador).
Tambin se conocen como diodos Esaki, en honor del hombre que descubri que una fuerte
contaminacin con impurezas poda causar un efecto de tunelizacin de los portadores de carga a lo
largo de la zona de agotamiento en la unin. Una caracterstica importante del diodo tnel es su
resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarizacin directa. Cuando la
resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo
tnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este
diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que estn
relativamente libres de los efectos de la radiacin.
EFECTO TUNEL
El efecto tnel es un fenmeno nanoscpico por el que una partcula viola los principios de la
mecnica clsica penetrando una barrera potencial o impedancia mayor quela energa cintica de la
propia partcula. Una barrera, en trminos cunticos aplicados al efecto tnel, se trata de una
cualidad del estado energtico de la materia anlogo a una "colina" o pendiente clsica, compuesta
por crestas y flancos alternos, que sugiere que el camino ms corto de un mvil entre dos o ms
flancos debe atravesar su correspondiente cresta intermedia si dicho objeto no dispone de energa
mecnica suficiente como para imponerse con la salvedad de atravesarlo. A escala cuntica, los
objetos exhiben un comportamiento ondular; en la teora cuntica, un cuanto movindose en
direccin a una "colina" potencialmente energtica puede ser descrito por su funcin de onda, que
representa la amplitud probable que tiene la partcula de ser encontrada en la posicin allende la
estructura de la curva. Si esta funcin describe la posicin de la partcula perteneciente al flanco
adyacente al que supuso su punto de partida, existe cierta probabilidad de que se haya desplazado "a
travs" de la estructura, en vez de superarla por la ruta convencional que atraviesa la cima
energtica relativa. A esto se conoce como efecto tnel.

SMBOLO DEL DIODO TUNEL


DESCRIPCIN DEL DIODO TUNEL
El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto
tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la
caracterstica corriente-tensin. La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin
como componente activo(amplificador /oscilador). Una caracterstica importante del diodo tneles
su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarizacin directa. Cuando la
resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo
tnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este
diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que estn
relativamente libres de los efectos de la radiacin.
Si durante su construccin a un diodo invertido se le aumenta el nivel de dopado, sepuede lograr
que su punto de ruptura ocurra muy cerca de los 0V. Los diodos construidos de esta manera, se
conocen como diodos tunel. Estos dispositivos presentan una caracterstica de resistencia negativa;
esto es, si aumenta la tensin aplicada en los terminales del dispositivo, se produce una disminucin
de la corriente (por lo menos en una buena parte de la curva caracterstica del diodo). Este
fenmeno de resistencia negativa es til para aplicaciones en circuitos de alta frecuencia como los
osciladores, los cuales pueden generar una seal senoidal a partir de la energa que entrega la fuente
de alimentacin. Estos diodos tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy
rpidamente, cambiando de estado de conduccin al de no conduccin incluso ms rpido que los
diodos Schottky. El diodo Tunnel se comporta de una manera muy interesante conforme se le va
aumentando una tensin aplicada en sentido directo.
CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO TUNEL
Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo tunel empieza a conducir (la corriente empieza a
fluir).
Si se sigue aumentando esta tensin la corriente aumentar hasta llegar un punto despus del cual la
corriente disminuye.
La corriente continuar disminuyendo hasta llegar al punto mnimo de un "valle" y despus volver
a incrementarse. En esta ocasin la corriente continuar aumentando conforme aumenta la tensin.
Este comportamiento de la corriente en funcin de la tensin en el diodo tunnel se puede ver en el
siguiente grfico.. Vp: Tensin pico- Vv: Tensin de valle- Ip: Corriente pico- Iv: Corriente de valle
La regin en el grfico en que la corriente disminuye cuando la tensin aumenta (entre Vp y Vv) se
llama "zona de resistencia negativa "Los diodos tunel tienen la cualidad de pasar entre los niveles
de corriente Ip e Iv muy rpidamente, cambiando de estado de conduccin al de no conduccin
incluso ms rpido que los diodos Schottky.
OTROS PUNTOS
Presenta una zona de resistencia negativa.
No hay procesos de alimentacin, por lo tanto es til en aplicaciones de alta velocidad.
Diodo Unitnel o Backward: cada de tensin en el diodo muy baja.
APLICACIONES
Desgraciadamente, este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una
corriente de fuga muy grande cuando estn polarizados en reversa. As estos diodos slo encuentran
aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores de alta frecuencia.
DIODOS DE EFECTO TUNEL
DIODO TNEL



En 1958, el fsico japons Esaki, descubri que los diodos semiconductores obtenidos con un grado
de contaminacin del material bsico mucho ms elevado que lo habitual exhiben una caracterstica
tensin-corriente muy particular.

Introduccin y Esquema De Bandas
El diodo tnel es dispositivo diseado de manera que, para un determinado rango de tensiones de
polarizacin, la caracterstica I(V) est determinada por el efecto tnel a travs de la barrera de la
zona de carga de espacio, lo que da lugar a una zona de resistencia diferencial negativa.
El diodo tnel es una unin p-n en la que ambas partes de la unin son degeneradas, es decir, en la
que a ambos lados de la unin el nivel de Fermi est dentro de las bandas.
En equilibrio trmico, existir una barrera cuya altura es del orden del gap del semiconductor, tal
como muestra la figura. Los parmetros a tener en cuenta en el estudio del diodo tnel son, por una
parte, la anchura de la zona de carga de espacio, que determinar la transmitancia cuntica de la
barrera y, por otra parte, el nivel de degeneracin de ambas bandas.
El efecto tnel se produce entre los estados ocupados de una banda a un lado de la barrera y los
estados vacos del otro lado de la barrera, situados a la misma energa. As, por ejemplo, los
electrones de la vabda de conduccin de la zona n podran pasar por efecto tnel a los estados
vacos de la banda de valencia de la zona P.
El modelo ms sencillo para calcular la transmitancia de la barrera consiste en suponer que el
campo elctrico en la barrera es homogneo y que, por tanto, la barrera que han de superar los
electrones es triangular.










Recordemos que la anchura de la barrera viene dada por:

Para que la transmitancia cuntica de una barrera se significativa es necesario que su anchura de la
barrera sea del orden de unos 10 nm, lo que se alcanza con concentraciones de impurezas entre
1019 y 1020 cm-3.
En cuanto al nivel de degeneracin de las zonas p y n, que determinar la concentracin de
electrones disponibles para el efecto tnel, podemos definir dos parmetros:

Estos parmetros se relacionan con los niveles de dopado a travs de las relaciones:

Transmitancia de una Unin Tnel
El efecto tnel se produce entre los estados ocupados de una banda a un lado de la barrera y los
estados vacos del otro lado de la barrera, situados a la misma energa. As, por ejemplo, los
electrones de la vabda de conduccin de la zona n podran pasar por efecto tnel a los estados
vacos de la banda de valencia de la zona P.
El modelo ms sencillo para calcular la transmitancia de la barrera consiste en suponer que el
campo elctrico en la barrera es homogneo y que, por tanto, la barrera que han de superar los
electrones es triangular.
De acuerdo con el modelo WKB (Wentzel-Kramers-Brillouin), la transmitancia cuntica de una
barrera viene dada por









Esta expresin proviene de calcular la relacin entre las amplitudes de la funcin de ondas en
ambos lmites de la barrera. Al ser la energa de los electrones menor que la altura de la barrera, el
vector de ondas es imaginario puro y la funcin de ondas es una onda evanescente que decrece
exponencialmente:

Calculemos la integral que aparece en la transmitancia:

de manera que la transmitancia ser:

Para el silicio (m*~0.23 m0, Eg=1 eV) el valor de la raz que aparece en el exponente es del orden
de 3.1 107 cm-1. Con una barrera de 3 nm de anchura (3 10-7 cm), la transmitancia de la barrera
sera del orden de 6 10-6. Con valores tan bajos de la transmitancia, se entiende por qu se necesita
una unin degenerada para que la corriente tnel sea significativa:
- Por otra parte, para alcanzar esos valores de la anchura hacen falta niveles de dopado muy altos
(entre 1019 y 1020 cm-3). Con valores del orden de 1017 cm-3 la transmitancia caera a 10-53.
- Por otra parte, solo con concentraciones de portadores muy altas pueden conseguirse corrientes
significativas.
Caracterstica I(V)
De manera general, la corriente tnel tendr dos contribuciones: La corriente de electrones de la
parte n a la parte p:

y la corriente de electrones de la parte p a la parte n:

- Polarizacin inversa
Si aplicamos una tensin de polarizacin inversa V (tensin negativa en N), la barrera de potencial
aumenta (la diferencia entre los cuasiniveles de Fermi a ambos lados de la unin pasa a ser eV).
Los estados ocupados de la banda de valencia de la zona P situados entre EFP y EFP-eV se
encuentran enfrentados a estados vacos de la banda de conduccin de la zona N (situados entre
EFN y EFN+eV).
En esa situacin la corriente tnel ser despreciable frente a , que aumentar rpidamente con la
tensin de polarizacin debido al aumento de la banda de energa en la que es posible el efecto tnel
y debido al aumento de la densidad de estados al profundizar en ambas bandas.
Caracterstica I(V)
De manera general, la corriente tnel tendr dos contribuciones: La corriente de electrones de la
parte n a la parte p:

y la corriente de electrones de la parte p a la parte n:

- Polarizacin inversa

Si aplicamos una tensin de polarizacin inversa V (tensin negativa en P), la barrera de potencial
aumenta (la diferencia entre los cuasiniveles de Fermi a ambos lados de la unin pasa a ser eV).
Los estados ocupados de la banda de valencia de la zona P situados entre EFP y EFP-eV se
encuentran enfrentados a estados vacos de la banda de conduccin de la zona N (situados entre
EFN y EFN+eV).
En esa situacin la corriente tnel ser despreciable frente a , que aumentar rpidamente con la
tensin de polarizacin debido al aumento de la banda de energa en la que es posible el efecto tnel
y debido al aumento de la densidad de estados al profundizar en ambas bandas.
Polarizacin directa
Si aplicamos una tensin de polarizacin directa V (tensin positiva en P), la barrera de potencial
disminuye (la diferencia entre los cuasiniveles de Fermi a ambos lados de la unin sigue siendo
eV). En esa situacin la corriente tnel ser predominante
Si la tensin de polarizacin es pequea, cada vez ms estados ocupados de la banda de conduccin
de la zona N se encuentran enfrentados a estados vacos de la banda de valencia de la zona P. Por
tanto, la corriente tnel aumentar con la tensin de polarizacin directa para valores pequeos de
dicha tensin de polarizacin.
La corriente alcanzar un mximo cuando el intervalo de mayor densidad de estados ocupados en
la banda de conduccin de la zona N se enfrente al intervalo de mayor densidad de estados vacos
en la banda de valencia de la zona P, a partir de ah ir disminuyendo y tender a cero.
En efecto, si la tensin de polarizacin es mayor que VN+VP, el mnimo de la banda de conduccin
de la zona N sobrepasar el mximo de la banda de valencia de la zona P y todos los estados
ocupados de la banda de conduccin de la zona N estarn enfrentados a la banda prohibida de la
zona P. Para esa situacin la corriente tnel es nula.
La siguiente figura muestra la caracterstica I(V) de un diodo tnel, para las tensiones en las que
predomina la corriente tnel:



Punto 1: situacin de polarizacin inversa en la que la corriente aumenta indefinidamente con la
tensin de polarizacin.
Punto 2: situacin de polarizacin directa para valores pequeos de V. La corriente tnel aumenta
al aumentar V.
Punto 3: valor mximo de la corriente tnel en polarizacin directa.
Punto 4: la tensin de polarizacin alcanza el valor V=VN+VP, valor a partir del cual se anula la
corriente tnel.
Por tanto, la corriente tnel aumentar con la tensin de polarizacin directa para valores pequeos
de dicha tensin de polarizacin.
Entre los puntos 3 y 4 el diodo tnel tiene resistencia diferencial negativa. Situado en una cavidad
resonante, y polarizado en esa zona, la resistencia diferencial negativa da lugar a una inestabilidad
lo que convierte el dispositivo en un generador de microondas.
Modelo Para la Caracterstica I(V) en Polarizacin Directa
Con alguna aproximaciones es posible obtener una expresin analtica de la caracterstica I(V) de
un diodo tnel en polarizacin directa. Tal como hemos indicado anteriormente, la caracterstica
I(V) viene dada por:

En la ltima expresin hemos considerado que la transmitancia tnel de la barrera es independiente
de la energa de los electrones.
Para las probabilidades de ocupacin, y dado que se trata de valores de la energa prximos al
nivel de Fermi, podemos utilizar un desarrollo lineal, de manera que:


por tanto

Por otra parte, consideraremos densidades de estados de bandas parablicas, de manera que:

Como las posiciones relativas de EC y EV cambian en funcin de la tensin de polarizacin, el
valor de la integral cambia en funcin de V. Para calcular la integrar hacemos :

donde Vdd=Vn+Vp. Si hacemos el cambio de variable u=E-EC, y definimos a=e(Vdd -V), la
integral queda:

Con un nuevo cambio de variable: ,

Con este resultado, la caracterstica I(V) del diodo tnel en polarizacin directa (para V<Vdd)
queda:

Esta ecuacin describe correctamente el comportamiento del diodo tnel: la corriente se anula para
V=0 y V=Vdd y tiene un mximo. Podemos calcular la conductancia diferencial del diodo tnel:


El mximo de corriente se produce para V=Vdd/3 y la conductancia diferencial es negativa para
Vdd/3 <V< Vdd.
Las expresiones deducidas en el tratamiento anterior solo se refieren a la corriente tnel. Se ha
despreciado la corriente de difusin. Obviamente, para tensiones de polarizacin positivas
mayores que Vdd empezar a ser significativo el trmino de difusin.

Tratamiento De Diodo Tnel

La corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a la tensin aplicada hasta alcanzar
un valor mximo, denominado corriente de cresta. A partir de este punto, si se sigue aumentando la
tensin aplicada, la corriente comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mnimo,
llamado corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta.
El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego se hace cada vez mas rpido
hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera. Este comportamiento particular
de los diodos muy contaminados se debe a lo que los fsicos denominan efecto tnel, del que no nos
ocuparemos aqu debido a su complejidad.
Para las aplicaciones prcticas del diodo tnel, la parte mas interesante de su curva caracterstica es
la comprendida entre la cresta y el valle. En esta parte de la curva a un aumento de la tensin
aplicada corresponde una disminucin de la corriente; en otros trminos, la relacin entre un
incremento de la tensin y el incremento resultante de la corriente es negativa y se dice entonces
que esta parte de la curva representa una "resistencia incremental negativa".
Una resistencia negativa puede compensar total o parcialmente una resistencia positiva. As, por
ejemplo, las prdidas que se producen en un circuito resonante a causa de la presencia siempre
inevitable de cierta resistencia en el, se compensa asociando al circuito una resistencia negativa de
valor numrico conveniente y realizada por ejemplo, mediante un diodo tnel. En tal caso el
circuito oscilante se transforma en un oscilador.
El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto
tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la
caracterstica corriente-tensin.
La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo
(amplificador/oscilador).
Una caracterstica importante del diodo tnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo
de voltajes de polarizacin directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al
aumentar el voltaje.
En consecuencia, el diodo tnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como
biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que
involucran microondas y que estn relativamente libres de los efectos de la radiacin.
Los diodos zenner aprovechan el efecto tnel con polarizacin inversa, los diodos tnel se basan en
el mismo efecto, pero trabajando con polarizacin directa.
Sin embargo, para que se manifieste el efecto tnel se fabrican de forma que los bloques N y P estn
mucho ms dopados que en los diodos ordinarios.
El resultado es un comportamiento muy diferente al de los diodos ordinarios (Figura siguiente). Lo
ms curioso es la zona de resistencia incremental negativa, es decir una regin en la que un
incremento positivo de la tensin V se traduce en un incremento negativo de la intensidad I.
Las aplicaciones de los diodos tnel aprovechan precisamente esta zona.

Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto rpidamente al observar su
curva caracterstica, la cual se ve en el grfico.
En lo que respecta a la corriente en sentido de bloqueo se comporta como un diodo corriente, pero
en el sentido de paso ofrece unas variantes segn la tensin que se le somete.
En consecuencia, el diodo tnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como
biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que
involucran microondas y que estn relativamente libres de los efectos de la radiacin.

Los diodos zenner aprovechan el efecto tnel con polarizacin inversa, los diodos tnel se basan en
el mismo efecto, pero trabajando con polarizacin directa. Sin embargo, para que se manifieste el
efecto tnel se fabrican de forma que los bloques N y P estn mucho ms dopados que en los diodos
ordinarios.



Una resistencia negativa puede compensar total o parcialmente una resistencia positiva. As, por
ejemplo, las prdidas que se producen en un circuito resonante a causa de la presencia siempre
inevitable de cierta resistencia en el, se compensa asociando al circuito una resistencia negativa de
valor numrico conveniente y realizada por ejemplo, mediante un diodo tnel. En tal caso el
circuito oscilante se transforma en un oscilador.
La intensidad de la corriente crece con rapidez al principio con muy poco valor de tensin hasta
llegar a la cresta (C) desde donde, al recibir mayor tensin, se produce una prdida de intensidad
hasta D que vuelve a elevarse cuado se sobrepasa toda esta zona del valor de la tensin.

Principio de funcionamiento

El diodo tnel en si funciona mediante como el principio de un pulsador que enciende la luz
mientras esta pulsado y la apaga cuando est suelto.
Al principio se empieza ha hacer presin en el pulsador y este se va desplazando lentamente, sin
que se encienda la luz, hasta que llega un momento en que su mecanismo se dispara, y avanza
repentinamente sin esfuerzo (zona de resistencia negativa del diodo tnel) y la luz se enciende. Si
soltamos lentamente, al principio la luz sigue encendida hasta que llega un momento en que cambia
de estado y se apaga.
La gracia del diodo tnel es que esa conmutacin entre los dos estados se produce rapidsimamente
y por eso una onda senoidal se convierte en una onda cuadrada muy abrupta. Un diodo tnel
corriente conmuta en 600ps mientras que un tnel rpido lo hace en menos de 20 ps.
La corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a la tensin aplicada hasta alcanzar
un valor mximo, denominado corriente de cresta. A partir de este punto, si se sigue aumentando la
tensin aplicada, la corriente comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mnimo,
llamado corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta.
El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego se hace cada vez mas rpido
hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera. Este comportamiento particular
de los diodos muy contaminados se debe a lo que los fsicos denominan efecto tnel, del que no nos
ocuparemos aqu debido a su complejidad.
Para las aplicaciones prcticas del diodo tnel, la parte mas interesante de su curva caracterstica es
la comprendida entre la cresta y el valle. En esta parte de la curva a un aumento de la tensin
aplicada corresponde una disminucin de la corriente; en otros trminos, la relacin entre un
incremento de la tensin y el incremento resultante de la corriente es negativa y se dice entonces
que esta parte de la curva representa una "resistencia incremental negativa".

Diodo tnel resonante

Actualmente se est desarrollando una nueva generacin de dispositivos basados en efectos
cunticos, donde los electrones pueden atravesar barreras de potencial an cuando clsicamente no
podran hacerlo.
Estos dispositivos de efecto cuntico son ms rpidos y consumen menos potencia que los
convencionales.
En este sentido, los dispositivos basados en el efecto tnel resonante en heteroestructuras
semiconductoras han sido muy estudiados debido a su posible aplicacin en diseos electrnicos
ultrarrpidos.
Consisten en una lmina delgada de GaAs (10-50) colocada entre dos lminas de Al1-xGaxAs,
donde x se suele escoger entre 0.3 y 0.5. El conjunto se encuentra en contacto con GaAs altamente
dopado, como indica la Figura 1.


Figura 1: Dispositivo cuntico para estudiar el efecto tnel resonante.
Dado que la estructura de bandas en ambos semiconductores es diferente, se produce un desajuste
entre los bordes de las bandas de conduccin -y tambin de las de valencia-, de forma que los
electrones que intentan pasar de uno a otro semiconductor se encuentran con una barrera de
potencial, como aparece en la Figura 2(a).
El ancho de la barrera se elige de manera que los electrones en el GaAs no puedan atravesarla
fcilmente por efecto tnel, a menos que su energa E coincida con E0, que es la energa de los
electrones confinados en la lmina intermedia de GaAs (efecto tnel resonante).
Habitualmente la energa E es una cantidad fija en cada dispositivo y coincide con la energa de
Fermi, EF. Para producir el efecto tnel resonante entonces hay que variar el nivel E0, y esto se
puede lograr aplicando una diferencia de potencial en el dispositivo, como aparece indicado en la
Figura 2(b).
De esta manera, al ir variando la diferencia de potencial V, deberemos observar un mximo muy
acentuado de la corriente que atraviesa el dispositivo cuando estemos en condiciones de resonancia.
Para explicar cuantitativamente este comportamiento debemos evaluar el coeficiente de transmisin
para los electrones, ya que la corriente tnel a nivel de Fermi es proporcional a dicho coeficiente
cuando la temperatura es muy baja y no existen otros mecanismos de dispersin, como los fonones
o los defectos de la heteroestructura.
Una forma de evaluar el coeficiente de transmisin es resolver la ecuacin de Schrdinger para el
potencial de la Figura 2, utilizando la aproximacin de masa efectiva.
Encontrar la solucin exacta cuando se aplica un campo elctrico constante, no obstante, es una
tarea laboriosa ya que aparecen las funciones de Airy.
Por ello algunos autores utilizan la aproximacin WKB, pero sta slo es vlida si el potencial vara
lentamente en distancias del orden de la longitud de onda del electrn.
El ancho de la barrera se elige de manera que los electrones en el GaAs no puedan atravesarla
fcilmente por efecto tnel, a menos que su energa E coincida con E0, que es la energa de los
electrones confinados en la lmina intermedia de GaAs
La forma entonces de obtener unos resultados fiables de manera sencilla es recurrir al clculo
numrico.


Figura 2: Perfil del borde de la banda de conduccin en el dispositivo de efecto cuntico (a) sin
voltaje y (b) con voltaje aplicado. E denota la energa del electrn incidente y E0 la energa del
nivel del pozo.
Consideremos la ecuacin de Schrdinger con el potencial de la Figura 2, y supondremos que existe
un campo elctrico uniforme aplicado al dispositivo y que el momento transversal del electrn es
nulo,


(1)
donde m* es la masa efectiva del electrn -admitiremos que la masa efectiva es la misma en las
distintas regiones del dispositivo- y L es la anchura total de las dos barreras y el pozo de potencial
(llamado pozo cuntico).
La diferencia de energa potencial entre ambos contactos es V. Las energas y los potenciales estn
referidos al borde de la banda de conduccin al lado izquierdo de las barreras. V(z)es el potencial en
el dispositivo sin polarizar, que es nulo en GaAs y vale V0= 0.25eV en el Al1-xGaxAs, para una
concentracin de Al del 30%.
Para resolver numricamente esta ecuacin dividimos el intervalo [0,L] en N segmentos iguales de
longitud s=L/N, y definimos zn=ns, donde n es un nmero entero. La versin discretizada de la
ecuacin (1) resulta ser


(2)
Esta ecuacin puede ser resuelta recursivamente empleando la matriz de transferencia, y obtener as
el coeficiente de transmisin en funcin de la energa para cada potencial aplicado, T(E,V). Una vez
calculado dicho coeficiente, se puede determinar la corriente mediante la expresin



donde la integral se calcula numricamente mediante la regla del trapecio.

El ancho de la barrera se elige de manera que los electrones en el GaAs no puedan atravesarla
fcilmente por efecto tnel, a menos que su energa E coincida con E0, que es la energa de los
electrones confinados en la lmina intermedia de GaAs (efecto tnel resonante).
Habitualmente la energa E es una cantidad fija en cada dispositivo y coincide con la energa de
Fermi, EF. Para producir el efecto tnel resonante entonces hay que variar el nivel E0, y esto se
puede lograr aplicando una diferencia de potencial en el dispositivo, como aparece indicado en la
Figura 2(b).
De esta manera, al ir variando la diferencia de potencial V, deberemos observar un mximo muy
acentuado de la corriente que atraviesa el dispositivo cuando estemos en condiciones de resonancia.

Desarrollo del ejercicio


El sistema elegido para hacer el estudio del transporte de electrones es una doble barrera de GaAs-
Al1-xGaxAs, donde la fraccin del Al vara entre 0 y 0.45. Pulsando sobre el botn se accede a un
programa que permite calcular tanto el coeficiente de transmisin en funcin de la energa para un
cierto voltaje aplicado (grfica de la izquierda) como la corriente en funcin del voltaje aplicado a
la heteroestructura polarizada (grfica de la derecha).


Se pueden seleccionar los parmetros ms relevantes, como las anchuras de pozos y barreras,
fraccin de Al, y valor del voltaje aplicado para calcular el coeficiente de transmisin, adems de la
energa de Fermi y temperatura para calcular la caracterstica I-V.
Algunos de los dispositivos estudiados en temas anteriores pueden funcionar en la regin de las
microondas (0,1-3000 GHz). Sin embargo, esos dispositivos de dos terminales producen los ms
altos niveles de consumo de potencia por unidad de rea de dispositivo, especialmente a altas
frecuencias.
Adems, dichos dispositivos en rgimen de trabajo pulsado sobrepasan los limites trmicos y
producen un aumento del nivel de potencia del pico de radio frecuencia (rf) en varios rdenes de
magnitud.
En este tema se estudian las bases de la tecnologa de microondas y se analizan algunos casos
especiales de dispositivos de microondas de dos terminales: diodo tnel, diodo IMPATT,
dispositivo de transferencia de carga y diodo tnel resonante.
En las dos ltimas dcadas, se han hecho considerables esfuerzos para desarrollar dispositivos con
estructuras basadas en efectos cunticos y fenmenos asociados con los electrones calientes para
mejorar las prestaciones de los circuitos de microondas. La alta velocidad es la propiedad
primordial que deben cumplir los dispositivos de efecto cuntico (QED) y de electrones calientes
(HED).
El efecto tnel, en el que se basan la mayora de los dispositivos QED, es un proceso
intrnsecamente rpido. En los dispositivos HED, los portadores estn en condiciones de
transporte balstico, pudindose mover a velocidades muy superiores a su velocidad mxima de
equilibrio. Sin embargo, la mayor ventaja de los dispositivos QED y HED es su alta funcionalidad.



Estos dispositivos pueden realizar funciones de circuitos complejos con un reducido nmero de
transistores y componentes pasivos. Las estructuras bsicas y principios de funcionamiento de los
dispositivos QED y HED se estudian en este tema.






En el diodo tnel (arriba) los electrones, en exceso en la porcin de semiconductor drogado n
(negativo), tienden a migrar hacia el semiconductor drogado p (positivo), atrados por la falta de
electrones. Este traslado de cargas negativas de n a p corresponde, en un circuito, al paso de
corriente en el sentido inverso, del polo positivo al negativo. El mismo smbolo del diodo (abajo)
indica claramente la direccin de flujo de la corriente.
El diodo tnel es una juntura PN en la cual ambos tipos de semiconductor se encuentran
fuertemente dopados, de modo que el nivel de Fermi EF se encuentra fuera de la banda prohibida
(EG). La Figura 4 muestra el diagrama de bandas de energa a circuito abierto y en equilibrio
trmico.

Caracterstica I-V
En el diodo tnel (arriba) los electrones, en exceso en la porcin de semiconductor drogado n
(negativo), tienden a migrar hacia el semiconductor drogado p (positivo), atrados por la falta de
electrones. Este traslado de cargas negativas de n a p corresponde, en un circuito, al paso de
corriente en el sentido inverso, del polo positivo al negativo. El mismo smbolo del diodo (abajo)
indica claramente la direccin de flujo de la corriente.
El diodo tnel es una juntura PN en la cual ambos tipos de semiconductor se encuentran
fuertemente dopados, de modo que el nivel de Fermi EF se encuentra fuera de la banda prohibida
(EG). La Figura 4 muestra el diagrama de bandas de energa a circuito abierto y en equilibrio
trmico.
Para una pequea polarizacin directa, los niveles de energa del lado N se mueven hacia arriba con
respecto al lado P, Figura 5 a). Estados ocupados en la banda de conduccin (BC) del lado N
quedan frente a estados vacos de la misma energa en la banda de valencia (BV) del lado P y los
electrones pueden pasar del lado N al P por efecto tnel.

En el diodo tnel (arriba) los electrones, en exceso en la porcin de semiconductor drogado n
(negativo), tienden a migrar hacia el semiconductor drogado p (positivo), atrados por la falta de
electrones. Este traslado de cargas negativas de n a p corresponde, en un circuito, al paso de
corriente en el sentido inverso, del polo positivo al negativo. El mismo smbolo del diodo (abajo)
indica claramente la direccin de flujo de la corriente.
El diodo tnel es una juntura PN en la cual ambos tipos de semiconductor se encuentran
fuertemente dopados, de modo que el nivel de Fermi EF se encuentra fuera de la banda prohibida
(EG). La Figura 4 muestra el diagrama de bandas de energa a circuito abierto y en equilibrio
trmico.
La figura 5 b) muestra las condiciones de polarizacin nula, punto 1 de la caracterstica I-V, y una
pequea polarizacin directa, punto 2.




Aumentando el valor de la polarizacin directa aplicada, el nmero mximo de electrones que
pueden pasar al lado P atravesando la barrera es igual al mximo de estados vacos, Figura 6 a),
circulando la corriente pico Ip, punto 3, Figura 6 b).







Al aumentar an ms la polarizacin directa aplicada, el nmero de electrones enfrentados a estados
vacos de la banda de valencia se hace menor, Figura 7 a), y la corriente por efecto tnel disminuye,
punto 4, Figura 7 b).
Los diodos tnel generan las caractersticas activas por medio de un mecanismo de
retroalimentacin interna que involucra el entunelamiento de electrones entre bandas de energa en
semicundcutores altamente dopados. Este entunelamineto provoca que cuando se tienen la
polarizacin adecuada, se tengan caractersticas de resistencia negativa similares a las del diodo
Gunn



Finalmente, aumentando ms la polarizacin directa ya no hay estados permitidos vacos frente a
estados llenos del otro lado, Figura 8 a) y la corriente por efecto tnel cae a cero, punto 5, Figura 8
b).
La porcin de la caracterstica I-V en la cual la corriente decrece presenta una resistencia diferencial
negativa, aunque esa regin suele ser muy pequea, entre los puntos 3 a 5 de la Figura 8 b).


Adems de la corriente por efecto tnel existe una corriente propia de la juntura PN que predomina
para valores mayores de la polarizacin directa. La caracterstica I-V total se obtiene sumando las
dos corrientes, Figura 9.

La caracterstica I-V total se muestra en la Figura 10.




La figura 11 a) muestra el smbolo esquemtico y la Figura 11 b) el circuito equivalente del diodo
tnel.

donde:




dV/dI: inversa de la pendiente de la caracterstica I-V
Rs: resistencia serie del diodo
Cj: capacidad de la juntura
Ls: inductancia serie, depende de los terminales y de la geometra del dispositivo
Se puede encontrar una relacin emprica que represente la caracterstica I-V:

En el primer trmino Ip y Vp son la corriente y la tensin en el punto de pico, y el segundo trmino
representa la caracterstica de una juntura PN normal. La resistencia diferencial negativa puede
obtenerse derivando el primer trmino de la ecuacin anterior:

Los diodos tnel generan las caractersticas activas por medio de un mecanismo de
retroalimentacin interna que involucra el entunelamiento de electrones entre bandas de energa en
semicundcutores altamente dopados. Este entunelamineto provoca que cuando se tienen la
polarizacin adecuada, se tengan caractersticas de resistencia negativa similares a las del diodo
Gunn.

A los diodos tnel y Gunn se les conoce como dispositivos tipo TED (dispositivos de transferencia
de electrones). Estos dispositivos tienen la caracterstica de que a ciertos niveles de voltaje
(determinado campo elctrico), sus caractersticas de velocidad de carga de electrones es
esencialmente dependiente de la resistencia y por lo tanto pueden operar a altas frecuencias.

Aplicaciones

Al ser un elemento en el cual no hay un proceso de almacenamiento se lo puede ocupar en
aplicaciones de alta velocidad como puede ser: La transmisin de datos, etc.

Oscilador con diodo tnel.- En la figura siguiente se muestra un intervalador para
limpiaparabrisas puede ser usado en vehculos de 6 o 12V, depende del rel MC2RC1 para 6V y
MC2RC2 para 12V. El ajuste del tiempo se hace en P1 y la conexin de los contactos del rel se
hace en paralelo con el interruptor del panel. El fusible F1 protege el sistema.

Los diodos de efecto tnel. Son dispositivos muy verstiles que pueden operar como detectores,
amplificadores y osciladores. Poseen una regin de juntura extremadamente delgada que permite a
los portadores cruzar con muy bajos voltajes de polarizacin directa y tienen una resistencia
negativa, esto es, la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado.











Representacin grfica de un diodo TUNEL y su correspondiente grfica


El diodo tnel se llama tambin diodo Esaki en honor a su inventor japons Leo Esaki.
El personal de Sony se alivi considerablemente por los resultados positivos de los experimentos
de Tsukamoto, y fueron inmediatamente los preparativos realizados para la produccin en masa de
los transistores 2T7. Poco hizo el personal de darse cuenta de que un importante escollo a la espera
desde el principio.



El problema se produjo durante la unin del cable conductor a la base del transistor. Los transistores
mostraron caractersticas satisfactorias con fuertes dopajes de fsforo despus del corte, pero de
repente dej de funcionar el momento en que el cable conductor se una a la base. El rendimiento en
porcentaje era inferior al 10%. El equipo de produccin se puso ms y ms ansioso que no cumplen
los programas de produccin de radio.

Para los das, todos los ingenieros de Sony se movilizaron de emergencia "tormenta de ideas"
perodos de sesiones, pero la produccin se mantuvo en un punto muerto. Finalmente se decidi a
recurrir de nuevo a los transistores 2T5, a pesar de sus pobres caractersticas y el rendimiento
porcentual. Un equipo especial fue creado para continuar sondeando la causa del defecto en el 2T7.

El equipo de Tsukamoto empez a buscar la causa de los defectos en la unin del emisor. Pronto se
comprob que el dopaje con la base excesivamente altas concentraciones de fsforo al parecer
destruy la PN durante el proceso de unin. Las mediciones en los diferentes niveles de
concentracin se realizaron para determinar el mximo aceptable de concentracin de fsforo.
Leona Esaki fue llamado desde el Departamento de Investigacin para prestar asistencia, mientras
que Yuriko Kurose y Takashi Suzuki, un estudiante universitario y aprendiz de Sony,
respectivamente, con la asistencia en la toma de las mediciones.

Aproximadamente un mes despus de empezar a tomar medidas, Suzuki not un fenmeno extrao
en la alta concentracin de fsforo cristales. En general, cuando se aplica voltaje a un cruce de
diodo PN, la corriente tiende a fluir hacia adelante, prcticamente sin flujo en la direccin opuesta.
Tras estos resultados trazados en un grfico, sin embargo, Suzuki encontr que la polarizacin
muestra ms amplio de corrientes y una curva con un inusual pico apareci en la parcialidad hacia
adelante. Escptico, Suzuki rehzo las pruebas varias veces, pero los resultados siguieron siendo los
mismos. Inform de esto a Esaki.

Primeramente Esaki, tambin, pens que era algn error. Suzuki insisti en que esto podra ser
demostrado visualmente, sin embargo, y bajo la direccin de Esaki, produjo la figura en un tubo de
rayos catdicos. Despus de ejecutar varias pruebas y de doble control, la medicin de circuitos,
que finalmente se dieron cuenta de que este no fue error. Con este conocimiento, Esaki estaba en el
umbral de descubrir el diodo Esaki.

Despus de descubrir que el 2T7 defectuoso podra ser corregido por la reduccin de la
concentracin de fsforo por debajo de ciertos niveles, Sony era capaz de producir un transistor de
alta calidad. La prxima tarea de Esaki consiste en determinar la causa de la resistencia negativa
que estuvo representado por el pico en el grfico. Esaki especulaba que este fenmeno pudiera ser
el "El efecto tnel en polarizacin directa". Segn la mecnica cuntica, toda la materia puede ser
tratada como ondas. Como tal, la energa se concentra en el pico de estas ondas. El "efecto tnel" se
refiere a las partculas que a travs de tnel de estas ondas de energa. Hasta entonces, los
cientficos se haban preocupado por el fenmeno tnel en polarizacin inversa. Esaki fue el
primero en darse cuenta de la importancia de la polarizacin directa en el efecto tnel.

Despus de realizar numerosos experimentos y la acumulacin constante de datos, el equipo de
Esaki fue finalmente capaz de producir un nuevo tipo de diodo con la resistencia en negativo que
las actuales disminuido como el aumento de la tensin. (Resistencia de los resultados
proporcionados aumento de la tensin actual. Negativas de la resistencia se produce cuando las
instrucciones de aumentar la tensin y aumentar la actual son lo contrario.)

En el otoo de 1957, Esaki y su personal inform de este descubrimiento en la Sociedad de Fsica.
El ao prximo estos hallazgos se publicaron en una revista fsica de Amrica y anunci en la
Conferencia Internacional sobre Fsica del Estado Slido, celebrada en Bruselas. Aunque este
descubrimiento fue ampliamente aclamado en todo el mundo, la respuesta inicial por el cientfico
japons y los crculos industriales se enfre - que prcticamente caso omiso de que en el momento.


En 1958, el fsico japons Esaki, descubri que los diodos semiconductores obtenidos con un grado
de contaminacin del material bsico mucho ms elevado que lo habitual exhiben una caracterstica
tensin-corriente muy particular. La corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a
la tensin aplicada hasta alcanzar un valor mximo, denominado corriente de cresta.




A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensin aplicada, la corriente comienza a disminuir
y lo siga haciendo hasta alcanzar un mnimo, llamado corriente de valle, desde el cual de nuevo
aumenta. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego se hace cada vez ms
rpido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera. Este comportamiento
particular de los diodos muy contaminados se debe a lo que los fsicos denominan efecto tnel, del
que no nos ocuparemos aqu debido a su complejidad. Para las aplicaciones prcticas del diodo
tnel, la parte mas interesante de su curva caracterstica es la comprendida entre la cresta y el valle.
En esta parte de la curva a un aumento de la tensin aplicada corresponde una disminucin de la
corriente; en otros trminos, la relacin entre un incremento de la tensin y el incremento resultante
de la corriente es negativa y se dice entonces que esta parte de la curva representa una "resistencia
incremental negativa". Una resistencia negativa puede compensar total o parcialmente una
resistencia positiva. As, por ejemplo, las prdidas que se producen en un circuito resonante a causa
de la presencia siempre inevitable de cierta resistencia en el, se compensa asociando al circuito una
resistencia negativa de valor numrico conveniente y realizada por ejemplo, mediante un diodo
tnel. En tal caso el circuito oscilante se transforma en un oscilador.
Los diodos tnel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy rpidamente,
cambiando de estado de conduccin al de no conduccin incluso ms rpido que los diodos
Schottky.
Desgraciadamente, este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una
corriente de fuga muy grande cuando estn polarizados en reversa.As estos diodos slo encuentran
aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores de alta frecuencia.
EFECTO TNEL
El efecto tnel es un efecto mecano cuntico que consiste en que una partcula pueda atravesar una
barrera de potencial sin tener energa suficiente para rebasarla por encima (en el sentido clsico),
debido a que la probabilidad de que la partcula se encuentre al otro lado de la barrera es no nula.


Imaginemos que se dispone de un can confinado entre unas paredes muy gruesas y elevadas.
Desde el punto de vista clsico los proyectiles que se disparasen con el can slo podran atravesar
la barrera de una manera, disparando por elevacin, esto es, de tal manera que los proyectiles
pasaran por encima de sta, puesto que la energa cintica comunicada al proyectil, en el disparo, no
sera suficiente para atravesar la pared. Consideremos que este can se cargase con unos
proyectiles un tanto especiales.

Podra decirse que "trucados" y de tal manera que, a pesar de que los proyectiles no tuviesen la
energa suficiente para sobrepasar la barrera por altura, s podran hacerlo atravesando la pared de
una manera no clsica, transformndose en el momento del impacto en un sistema inmaterial. Una
especie de onda penetrante que horadase el compacto material de la barrera como si este estuviese
hueco.
Es un fenmeno que no presenta analoga fuera de la mecnica cuntica, (parte de la mecnica que
se encarga del estudio y teorizacin del comportamiento de partculas y sistemas microscpicos). La
nica manera de explicar este efecto es apoyndose en la naturaleza dual que parece presentar la
materia, a este tamao. Las partculas parecen comportarse, indistintamente, como ondas o como
partculas (dualidad onda-corpsculo) frente a determinadas condiciones de contorno, (restricciones
que se imponen a un sistema en un determinado experimento). Esta naturaleza tan extraa para
nosotros, puesto que en nuestro mundo macroscpico no observamos nada similar, es la que, por
ejemplo, impide establecer con exactitud la posicin y el momento de una partcula al mismo
tiempo (principio de incertidumbre de Heisenberg).
Aprovechando este efecto, se han diseado el microscopio de efecto tnel de barrido y el
microscopio de fuerza atmica, que logran la determinacin de las posiciones atmicas en una
superficie, el primero, y el segundo, el desplazamiento de tomos individuales sobre superficies
homogneas.
El efecto tnel no slo tiene aplicaciones en el campo de la tecnologa, es adems, esencial para
explicar el hecho de que en las estrellas se produzca la fusin de los ncleos de hidrgeno a
temperaturas, en teora, demasiado bajas.
Es interesante aadir que en el efecto tnel, debido al carcter "no localizable" de las partculas, se
produce, segn la interpretacin ortodoxa de la mecnica cuntica, una rotura del principio de
causalidad. Esto se debe a que la partcula puede que salga del pozo an antes de llegar a la barrera
de potencial.
EFECTO TNEL EN SEMICONDUCTORES
Transmisin a travs de una barrera

El mtodo WKB (Wentzel, Kramers y Brilloin) es aplicado al clculo del coeficiente de transmisin
para una barrera, en la cual partculas incidentes de la izquierda con energa insuficiente
clsicamente pueden pasar al otro lado de la barrera. Si la aproximacin WKB se mantiene en las
tres regiones de acuerdo a la figura mostrada en la grfica, la solucin de la ecuacin de
Schrdinger debe ser escrita como:



El mtodo WKB (Wentzel, Kramers y Brilloin) es aplicado al clculo del coeficiente de transmisin
para una barrera, en la cual partculas incidentes de la izquierda con energa insuficiente
clsicamente pueden pasar al otro lado de la barrera. Si la aproximacin WKB se mantiene en las
tres regiones de acuerdo a la figura mostrada en la grfica, la solucin de la ecuacin de
Schrdinger debe ser escrita como:

(x)={(A/(K(x)) e^(i_a^xKdx)+B/(K(x)) e^(-i_a^xKdx),x<a@C/(X(x))
e^(i_a^xKdx)+D/(X(x)) e^(-i_a^xKdx),a<x<b@F/(K(x)) e^(i_b^xKdx)+G/(K(x)) e^(-
i_b^xKdx),b<x)


Mediante un enlace de frmulas podemos establecer una relacin lineal entre los coeficientes. El
resultado es muy simple y se puede expresar en notacin matricial as:
((A@B))=1/2 ((2+1/2&-i(2-1/2)@-i(2-1/2)&(2+1/2) ))((F@G))


Donde el parmetro
=e^_a^xX(x)dx



Mide la altura y el grosor de la barrera como una funcin de la energa. El coeficiente de
transmisin se define como:
T=(|_trans |^2 V_trans)/(|_inc |^2 V_inc )

Asumiendo que no hay ondas incidiendo por la derecha, entonces G = 0, obtenemos:

Para una barrera alta y ancha F>1, entonces

Por lo tanto, F es una medida de capacidad de la barrera. La unin X(x) vara de acuerdo a las dos
ecuaciones a continuacin:

X(x)={2/h^2 [E-V(x)]}^(1/2) si E>V(x)
X(x)=-i{-2/h^2 [E-V(x)]}^(1/2) si E<V(x)


Coeficiente de transmisin a travs de una barrera triangular bajo la accin de un campo elctrico

Las barreras de potencial con perfil triangular, como en la figura 2, se dan a menudo en la superficie
de metales, en los contactos hmicos y en efecto tnel Zener en semiconductores.

El coeficiente T de transmisin es:
T=exp(-2/h _0^x((2(|E|-V(x)) )^(1/2) dx)

Donde V(x)=Dx y D, y es el campo elctrico aplicado, los puntos X, marcan el limite de la regin
de la partcula.



De acuerdo con la mecnica clsica no puede alcanzar. Evaluando la integral del exponente
encontramos que


Estimando los lmites de aplicabilidad de este resultado, observamos que la aproximacin cuasi
clsica no es vlida en la vecindad de los puntos de cruce clsicos Xo dentro de la regin


La ecuacin (6) puede ser usada si esta regin es ms pequea que la anchura de la barrera.

X_0=|E|/D;(h^2/2D)|E|/D (2)^(1/2)/hD-|E|^(3/2)1

Este requisito es, por lo tanto, equivalente al requisito de que el coeficiente de transmisin sea
pequeo T 1. Si el coeficiente de transmisin es igual a la unidad, entonces, de acuerdo con la
mecnica clsica, el electrn puede escapar del metal, en un semiconductor los electrones pueden
pasar a travs de la barrera sin sentir su presencia.

CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO TNEL

Esta regin de agotamiento reducida da como resultado portadores que "atraviesan perforando" a
velocidades que exceden en mucho a las disponibles con medios convencionales. El diodo tnel
puede, por canto, usarse en aplicaciones de alta velocidad, como computadoras, en las cuales se
desean tiempos de conmutacin del orden de nanosegundos o picosegundos.
Los materiales semiconductores utilizados con mayor frecuencia en la fabricacin de diodos tnel
son el germanio y e arseniuro de galio. La relacin Ip/Iv es muy importante para las aplicaciones
de computadora. Por lo general, para el germanio es 10:1, y para el arseniuro de galio es cercana a
20:1.

La corriente pico, Ip, de un diodo tnel puede variar desde unos cuantos microamperios a varios
cientos de amperes. Sin embargo, el voltaje pico est limitado a cerca de 600 mV. Por esta razn, un
simple VOM con un potencial de balera de interno de 1.5 V puede daar severamente un diodo
tnel si se aplica en forma inadecuada.
Los diodos de efecto tnel. Son dispositivos muy verstiles que pueden operar como detectores,
amplificadores y osciladores. Poseen una regin de juntura extremadamente delgada que permite a
los portadores cruzar con muy bajos voltajes de polarizacin directa y tienen una resistencia
negativa, esto es, la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado.

La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo
(amplificador/oscilador).
El diodo tnel est ms contaminado que el diodo zener, provocando que la zona desrtica sea ms
pequea. Esto aumenta la velocidad de operacin, por lo que el diodo tnel es til en aplicaciones
de alta velocidad. Conforme aumenta la polarizacin directo, la corriente aumenta con mucha
rapidez hasta que se produce la ruptura.
Entonces la corriente cae rpidamente. El diodo tnel es til debido a esta cesin de resistencia
negativa. La regin de resistencia negativa de un diodo tnel se desarrolla de manera caracterstica
en el intervalo de 50 mV a 250 mV.
- Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo empieza a conducir (la corriente empieza a fluir).
- Si se sigue aumentando esta tensin la corriente aumentar hasta llegar un punto despus del cual
la corriente disminuye.
- La corriente continuar disminuyendo hasta llegar al punto mnimo de un "valle".
- Despus volver a incrementarse. En esta ocasin la corriente continuar aumentando conforme
aumenta la tensin.
Este comportamiento de la corriente en funcin de la tensin en el diodo tunnel se puede ver en el
siguiente grfico.
- Vp: Tensin pico
- Vv: Tensin de valle
- Ip: Corriente pico
- Iv: Corriente de valle
La regin en el grfico en que la corriente disminuye cuando la tensin aumenta (entre Vp y Vv) se
llama "zona de resistencia negativa"
Los diodos tnel se llaman tambin diodos Esaki en honor a su inventor japons Leo Esaki.
Los diodos tnel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy rpidamente,
cambiando de estado de conduccin al de no conduccin incluso ms rpido que los diodos
Schottky.
Desgraciadamente, este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una
corriente de fuga muy grande cuando estn polarizados en reversa.
As estos diodos slo encuentran aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores de alta
frecuencia.
Cuando se coloca una pila en inversa, el negativo atrae a los huecos y los saca de la unin con el in
(lo mismo con el positivo y los electrones). Pero se llega a un equilibrio, un equilibrio con una W
(anchura de z.c.e.) concreta.
Y no tenemos ni huecos ni electrones en la z.c.e. (W) y esa unin me la pueden pasar los portadores
(h y e) (solo quedan los iones en la W).

Hay una pequea generacin trmica y los pares h-e que se crean se recombinan antes de llegar a
W... No sirve para nada, se recombinan pero los que se generan cerca de la unin pueden cruzar y
los minoritarios sirven para cruzar y tenemos e hacia la izquierda y h hacia la derecha.
Tenemos as una corriente inversa de saturacin que es muy pequea. Otra corriente que tenemos es
la If que es tambin pequea.

Dadas las especiales condiciones de drogado, las dos porciones permiten el paso de electrones
slo de la zona n a la p, pero no a la inversa.
Visto que, por convencin, el flujo de corriente elctrica se define como contrario al flujo efectivo
de electrones, se puede afirmar que un diodo tnel permite el paso de corriente slo de la zona p a
la n.
Se suele coger la corriente de p hacia n, en la realidad es al revs, por eso I = -IS - If, es negativa.
En un fotodiodo adems de la generacin trmica se le suma la "Generacin por energa luminosa",
que la crean los fotones que atacan cerca de la unin formando ms pares h-e y por lo tanto ms
corriente. Entonces tenemos:
Y la corriente es mayor:

Aumenta en valor absoluto. Es para convertir energa luminosa en energa elctrica.
Por otra parte, se han fabricado fotodiodos metal-semiconductor-metal (MSM) consistentes en dos
contactos Schottky interdigitados sobre capas semi-aislantes de AlxGa1-xN.
Estos dispositivos presentan muy bajas corrientes en oscuridad, se comportan linealmente con la
potencia ptica y su contraste UV/visible supera 104.
Su estructura planar permite conseguir un gran ancho de banda (en el rango de los GHz), que, con
sus bajos niveles de ruido, hace que estos detectores sean los mejores candidatos para la fabricacin
receptores en comunicaciones pticas en el rango UV.
Desde el punto de vista de esta aplicacin, resulta de especial inters el rango de longitudes de onda
>280 nm, para comunicaciones entre satlites, que no podran interferirse desde la Tierra gracias a
la presencia del ozono estratosfrico.
Para trabajar en este rango son necesarios contenidos de Al superiores al 30%, donde es muy difcil
depositar contactos hmicos de calidad razonable.
Los fotodiodos MSM, que no precisan de contactos hmicos, constituyen una prometedora
alternativa tecnolgica. Adems, una ventaja aadida de estos dispositivos es su facilidad de
integracin con transistores de efecto campo.
Los fotodiodos de unin p-n y p-i-n basados en AlxGa1-xN son lineales con la potencia ptica y
presentan un contraste UV/visible de 104.
Sin embargo, su tiempo de respuesta suele estar limitado por el comportamiento de los centros
relacionados con el dopante tipo p (Mg), que tambin pueden deteriorar la respuesta espectral.
Por otra parte, la longitud de onda de corte mnima que puede alcanzarse con estos dispositivos est
limitada por la dificultad de conseguir conduccin tipo p en AlxGa1-xN con contenidos de Al
superiores al 15%. Aunque los resultados son prometedores, resulta todava necesario un esfuerzo
investigador en el dopaje tipo p del AlxGa1-xN para mejorar las prestaciones de estos detectores.
Los fotodiodos de avalancha son detectores de silicio, sensibles a la radiacin visible, ultravioleta y
parte del infrarrojo. La caracterstica ms importante, es que mediante la aplicacin de un potencial
externo, se obtiene amplificacin de la seal de hasta 400 veces.
Desarrollos recientes del Laboratorio incluyen fotodiodos de avalancha de tamao grande (1 x 1
cm2) y redes de detectores de avalancha ( 3 x 3 elementos), del tipo difusin profunda. Nuestro
inters es desarrollar detectores con eficiencia cuntica alta en la regin del ultravioleta, redes con
gran nmero de elementos, (10 - 100), alta ganancia y bajo ruido.
Tambin estamos interesados en las aplicaciones de estos detectores para equipos de Tomografa
Computarizada de Positrones y sistemas Lidar. Algunas publicaciones recientes del laboratorio se
dan a continuacin.
El efecto fotoelctrico es parte de el principio de funcionamiento de este tipo de diodos, en la
formacin y liberacin de partculas elctricamente cargadas que se produce en la materia cuando es
irradiada con luz u otra radiacin electromagntica.
El trmino efecto fotoelctrico designa varios tipos de interacciones similares. En el efecto
fotoelctrico externo se liberan electrones en la superficie de un conductor metlico al absorber
energa de la luz que incide sobre dicha superficie. Este efecto se emplea en la clula fotoelctrica,
donde los electrones liberados por un polo de la clula, el fotoctodo, se mueven hacia el otro polo,
el nodo, bajo la influencia de un campo elctrico.
El estudio del efecto fotoelctrico externo desempe un papel importante en el desarrollo de la
fsica moderna. Una serie de experimentos iniciados en 1887 demostr que el efecto fotoelctrico
externo tena determinadas caractersticas que no podan explicarse por las teoras de aquella poca,
que consideraban que la luz y todas las dems clases de radiacin electromagntica se comportaban
como ondas.
Por ejemplo, a medida que la luz que incide sobre un metal se hace ms intensa, la teora
ondulatoria de la luz sugiere que en el metal se liberarn electrones con una energa cada vez
mayor.
Sin embargo, los experimentos mostraron que la mxima energa posible de los electrones emitidos
slo depende de la frecuencia de la luz incidente, y no de su intensidad.
En 1905, para tratar de explicar el mecanismo del efecto fotoelctrico externo, Albert Einstein
sugiri que podra considerarse que la luz se comporta en determinados casos como una partcula, y
que la energa de cada partcula luminosa, o fotn, slo depende de la frecuencia de la luz. Para
explicar el efecto fotoelctrico externo, Einstein consider la luz como un conjunto de "proyectiles"
que chocan contra el metal.
Cuando un electrn libre del metal es golpeado por un fotn, absorbe la energa del mismo. Si el
fotn tiene la suficiente energa, el electrn es expulsado del metal. La teora de Einstein explicaba
muchas caractersticas del efecto fotoelctrico externo, como por ejemplo el hecho de que la energa
mxima de los electrones expulsados sea independiente de la intensidad de la luz.
Segn la teora de Einstein, esta energa mxima slo depende de la energa del fotn que lo
expulsa, que a su vez slo depende de la frecuencia de la luz. La teora de Einstein se verific por
experimentos posteriores.
Su explicacin del efecto fotoelctrico, con la demostracin de que la radiacin electromagntica
puede comportarse en algunos casos como un conjunto de partculas, contribuy al desarrollo de la
teora cuntica.
El trmino efecto fotoelctrico tambin puede referirse a otros tres procesos: la fotoionizacin, la
fotoconduccin y el efecto fotovoltaico. La fotoionizacin es la ionizacin de un gas por la luz u
otra radiacin electromagntica.
Para ello, los fotones tienen que poseer la suficiente energa para separar uno o ms electrones
externos de los tomos de gas. En la fotoconduccin, los electrones de materiales cristalinos
absorben energa de los fotones y llegan as a la gama de niveles de energa en la que pueden
desplazarse libremente y conducir electricidad.
En el efecto fotovoltaico, los fotones crean pares electrn-hueco en materiales semiconductores. En
un transistor, este efecto provoca la creacin de un potencial elctrico en la unin entre dos
semiconductores diferentes.
Por otra parte, se han fabricado fotodiodos metal-semiconductor-metal (MSM) consistentes en dos
contactos Schottky interdigitados sobre capas semi-aislantes de AlxGa1-xN. Estos dispositivos
presentan muy bajas corrientes en oscuridad, se comportan linealmente con la potencia ptica y su
contraste UV/visible supera 104.
Su estructura planar permite conseguir un gran ancho de banda (en el rango de los GHz), que, con
sus bajos niveles de ruido, hace que estos detectores sean los mejores candidatos para la fabricacin
receptores en comunicaciones pticas en el rango UV.
Desde el punto de vista de esta aplicacin, resulta de especial inters el rango de longitudes de onda
>280 nm, para comunicaciones entre satlites, que no podran interferirse desde la Tierra gracias a
la presencia del ozono estratosfrico. Para trabajar en este rango son necesarios contenidos de Al
superiores al 30%, donde es muy difcil depositar contactos hmicos de calidad razonable.
Los fotodiodos MSM, que no precisan de contactos hmicos, constituyen una prometedora
alternativa tecnolgica. Adems, una ventaja aadida de estos dispositivos es su facilidad de
integracin con transistores de efecto campo.
Los fotodiodos de unin p-n y p-i-n basados en AlxGa1-xN son lineales con la potencia ptica y
presentan un contraste UV/visible de 104. Sin embargo, su tiempo de respuesta suele estar limitado
por el comportamiento de los centros relacionados con el dopante tipo p (Mg), que tambin pueden
deteriorar la respuesta espectral.
Por otra parte, la longitud de onda de corte mnima que puede alcanzarse con estos dispositivos est
limitada por la dificultad de conseguir conduccin tipo p en AlxGa1-xN con contenidos de Al
superiores al 15%.
Aunque los resultados son prometedores, resulta todava necesario un esfuerzo investigador en el
dopaje tipo p del AlxGa1-xN para mejorar las prestaciones de estos detectores.
Algo que se ha utilizado en favor de la tcnica electrnica moderna es la influencia de la energa
luminosa en la ruptura de los enlaces de electrones situados en el seno constitutivo de un diodo.
Los fotodiodos no son diodos en los cuales se ha optimizado el proceso de componentes y forma de
fabricacin de modo que la influencia luminosa sobre su conduccin sea la mxima posible. Esto se
obtiene, por ejemplo, con fotodiodos de silicio en el mbito de la luz incandescente y con
fotodiodos de germanio en zonas de influencia de luz infrarroja.
Los fotodiodos de avalancha son detectores de silicio, sensibles a la radiacin visible, ultravioleta y
parte del infrarrojo. La caracterstica ms importante, es que mediante la aplicacin de un potencial
externo, se obtiene amplificacin de la seal de hasta 400 veces.
Desarrollos recientes del Laboratorio incluyen fotodiodos de avalancha de tamao grande (1 x 1
cm2) y redes de detectores de avalancha ( 3 x 3 elementos), del tipo difusin profunda.
Nuestro inters es desarrollar detectores con eficiencia cuntica alta en la regin del ultravioleta,
redes con gran nmero de elementos, (10 - 100), alta ganancia y bajo ruido. Tambin estamos
interesados en las aplicaciones de estos detectores para equipos de Tomografa Computarizada de
Positrones y sistemas Lidar.
Es posible incorporar un tipo de sistema amplificador de empleo comn formando parte del propio
fotodiodo. El fotodiodo de avalancha utiliza la multiplicacin por avalancha para conseguir
amplificar la fotocorriente creada por los pares hueco-electrn.
Esto proporciona una elevada sensibilidad y gran rapidez.
Sin embargo, el equilibrio entre ruido y ganancia es difcil de conseguir y como consecuencia, el
costo es alto. Asimismo la estabilidad de temperatura es deficiente y se requiere una tensin de
alimentacin de valor elevado (100-300V), estrechamente controlada. Por estas razones, el
fotodiodo de avalancha tiene
Adems se los aplica para
Fotmeros
Comunicaciones
Control de iluminacin y brillo
Control remoto por infrarrojos
Monitorizacin de llamas de gas y de petrleo (radiacin ultravioleta centrada en la banda
de 310nm)
Enfoque automtico y control de exposicin en cmaras
Cuando son combinados con alguna fuente de luz:
Medidas de distancia
Codificadores de posicin
Medidas de espesor
Transparencia
Detectores de proximidad y de presencia
Sensado de color para inspeccin y control de calidad
Cuando se hace un "array" o arreglo de sensores:
Reconocimiento de formas
Lectores de tarjetas codificadas


DIODO VARICAP
INTRODUCCIN
El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa su funcionamiento
en el fenmeno que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unin PNvare en funcin
de la tensin inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de
esa barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador
variable controlado por tensin. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500pF.La tensin
inversa mnima tiene que ser de 1 V.

SMBOLO DEL DIODO VARICAP

DESCRIPCIN
Es un dispositivo semiconductor que puede controlar su valor de capacidad en trminos de la
tensin aplicada en polarizacin inversa. Esto es, cuando el diodo se polariza inversamente no
circula corriente elctrica a travs de la unin; la zona de deflexin acta como el dielctrico de un
capacitor y las secciones de semiconductor P y N del diodo hacen las veces de las placas de un
capacitor. La capacidad que alcanza el capacitor que se forma, es del orden de los picos o el
nanofaradios. Cuando vara la tensin de polarizacin inversa.
aplicada al diodo, aumenta o disminuye de igual forma la zona sea digital o analgica. Las
aplicaciones de los varicap son la mayora de las veces en circuitos de deflexin. En un diodo, esto
equivale a acercar o alejar las placas de un capacitor
Debido a la recombinacin de los portadores en el diodo, una zona de agotamiento se forma en la
juntura.

Esta zona de agotamiento acta como un dielctrico (aislante), ya que no hay ninguna carga y flujo
de corriente.
Las reas exteriores a la zona de agotamiento si tienen portadores de carga (rea semiconductor).Se
puede visualizar sin dificultad la formacin de un capacitor en el diodo (dos materiales
semiconductores deparados por un aislante).
La amplitud de la zona de agotamiento se puede ampliar incrementando la tensin inversa aplicada
al diodo con una fuente externa.
Esto causa que se aumente la separacin (aislante) y separa ms las reas semiconductoras. Este
ltimo disminuye la capacitancia.
OTROS PUNTOS
La capacitancia es funcin de la tensin aplicada al diodo.
Si la tensin aplicada al diodo aumenta la capacitancia disminuye
Si la tensin disminuye la capacitancia aumenta
APLICACIONES
La aplicacin de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintona de TV, modulacin de
frecuencia en transmisiones de FM y radio y en los osciladores controlados por voltaje(oscilador
controlado por tensin).En tecnologa de microondas se pueden utilizar como limitadores: al
aumentar la tensin en el diodo, su capacidad vara, modificando la impedancia que presenta y
desadaptando el circuito, de modo que refleja la potencia incidente.