Objetivo:

Que el alumno realice un circuito con el cual se pueda analizar y observar los
diversos funcionamientos de la fotorresistencia (LDR) como son la de activacin
por ausencia de luz o la activacin por presencia de luz.

Marco terico:
Fotorresistencia LDR

Una fotorresistencia es un componente electrnico cuya resistencia vara en
funcin de la luz.


El valor de resistencia elctrica de un LDR es
bajo cuando hay luz incidiendo en l (puede
descender hasta 50 ohm) y muy alto cuando
est a oscuras (varios mega ohmios).

Su funcionamiento se basa en el efecto
fotoelctrico. Un foto resistor est hecho de
un semiconductor de alta resistencia como
el sulfuro de cadmio, CdS. Si la luz que incide
en el dispositivo es de alta frecuencia,
los fotones son absorbidos por las elasticidades
del semiconductor dando a los electrones la
suficiente energa para saltar la banda de conduccin. El electrn libre que resulta,
y su hueco asociado, conducen la electricidad, de tal modo que disminuye
la resistencia. Los valores tpicos varan entre 1 M, o ms, en la oscuridad y 100
con luz brillante.
Las clulas de sulfuro del cadmio se basan en la capacidad del cadmio de variar
su resistencia segn la cantidad de luz que incide en la clula. Cuanta ms luz
incide, ms baja es la resistencia. Las clulas son tambin capaces de reaccionar
a una amplia gama de frecuencias, incluyendo infrarrojo(IR), luz visible,
y ultravioleta (UV).

La variacin del valor de la resistencia tiene cierto retardo, diferente si se pasa de
oscuro a iluminado o de iluminado a oscuro. Esto limita a no usar los LDR en
aplicaciones en las que la seal luminosa vara con rapidez. El tiempo de
respuesta tpico de un LDR est en el orden de una dcima de segundo. Esta
lentitud da ventaja en algunas aplicaciones, ya que se filtran variaciones rpidas
de iluminacin que podran hacer inestable un sensor (ej. tubo fluorescente
alimentado por corriente alterna). En otras aplicaciones (saber si es de da o es de
noche) la lentitud de la deteccin no es importante.
Desarrollo y resultados:

ENCENDIDO POR PRESENCIA DE LUZ

Cuando la foto-resistencia recibe luz, disminuye su resistencia (tendr un valor
comprendido entre varios cientos de ohmios y algn KW), por lo que en la R1
habr una cada de tensin suficiente como para hacer que circule corriente por la
base del transistor, que conduzca y se encienda el LED.

Cuando la luz disminuye, la resistencia de la LDR aumenta (puede llegar a valer
varios cientos de KW); en estas condiciones toda la tensin estar prcticamente
en la LDR y casi nada en R1 con lo que no circular suficiente corriente por la
base del transistor y ste permanecer en corte y diodo LED apagado.

ENCENDIDO POR AUSENCIA DE LUZ


Cuando la foto-resistencia recibe luz, disminuye su resistencia (tendr un valor
comprendido entre varios cientos de ohmios y algn KW), por lo que en el divisor
de tensin formado por R1 y LDR, prcticamente toda la tensin de la pila estar
en extremos de R1 y casi nada en extremos de la LDR, en estas condiciones no le
llega corriente a la base, el transistor estar en corte y el diodo no lucir.

Cuando la luz disminuye, la resistencia de la LDR aumenta (puede llegar a valer
varios cientos de KW) por lo que la cada de tensin en la LDR aumenta lo
suficiente para que le llegue corriente a la base del transistor, conduzca y se
encienda el diodo LED.


Conclusiones:
En esta prctica se pudo observar que el LDR es un componente que hace variar
su resistencia dependiendo de la luz visible, ya que este tiene una fotorresistencia
que es sensible a la luz. Como ya sabemos que la resistencia es una propiedad de
los materiales que impide el flujo de la corriente elctrica por l, entre mayor sea la
resistencia, mayor ser la oposicin al flujo elctrico.
Bibliografa:
http://roboticayelectronica.blogspot.mx/2009/01/la-fotoresistencia-ldr.html
http://electronicaradical.blogspot.mx/2011/02/fotoresistencia-ldr.html
http://es.scribd.com/doc/44986755/Fotoresistencia