Universidade Federal do Cear

Departamento de Engenharia de Teleinformtica DETI

Dispositivos e Sistemas de Microondas







TC 04 Microondas
Divisor de Potncia de Wilkinson
Professor Elvio Cesar Giraudo
Evandir Dos Santos Moreira - 0322944












Fortaleza, 05 de maio de 2014
Projeto: Simulao Computacional do Divisor de Potncia de Wilkinson para Kit de Treinamento MW -
2000
Objetivo:
Projetar um Divisor de Potncia de Wilkinson
Plotando os grficos que representam o comportamento da perda de insero, da perda de
retorno e do isolamento.
1) Especificaes de Projeto divisor de Potncia
Faixa de Frequncia: 2,2 a 2,7 GHz
Tipo: Wilkinson
Tecnologia: Linha de microfita
Estrutura: 2 vias de igual potncia
Perda de Insero: - 3,5 dB
Perda de Retorno: - 18 dB
Isolamento: - 18 dB

2) Parmetros do substrato RO4003C
Dieltrico
i. H: 20 mil
ii. Er: 3,38
iii. TAND: 0,0021 (2,4 GHz)
Metalizao
i. Material: cobre
ii. Resistividade: 1,72414
iii. Espessura: 0,669
iv. Unidade mil

3) Procedimento de Simulao
Usar o software ANSOFT Designer VS 2.2





Etapa 01:
Caso o software no esteja aberto, inici-lo.











Etapa 02:
Criar um novo projeto.









Etapa 03:
Salvar o projeto com o nome e na pasta adequada.








Etapa 04:
Clique em Project e escolha Insert Circuit Design.



















Selecione a tecnologia a ser utilizada.

MS FR4 (ER =4.4)
0.06 inch,
0.5 oz copper

E selecione Open.











O ambiente na rea de trabalho do Ansoft ficar como mostrado na figura abaixo.





































Etapa 05:

Modificar as caractersticas do substrato.

Faa a expanso de Circuit depois de Data e d um duplo click em FR4













Aps o aparecimento da nova janela selecione Edit correspondente ao dieltrico.






























Na janela de alerta click Sim.


Faa as modificaes nas caractersticas do dieltrico.



Agora click em Edit referente a metalizao.

Na janela de alerta click Sim.



Agora selecione o material que inicialmente se encontra na tabela de metalizao.



























Selecione o material (copper) depois click em OK).



Insira o valor da espessura e a unidade.




Aps as modificaes, click OK.

Etapa 06:

Inserir todos os componentes (3 portas de interface de microwave, 9 linhas MSTRL P, 3 MSTEEC, 1
CHIPRES, e 8 MSBENDR) e montar o circuito.

03 Portas de Interfaces





D um duplo click em cada porta e as modifique para microwave e selecione OK.






Aps a alterao.



3 MSTEEC

Selecione Components.

















Expanda Microstrip
























Expanda General Components e selecione MSTEEC.
























Configurao parcial.





























8 MSBENDR

Expanda Microstrip, depois Bends e Selecione MSBENDR.






















Configurao parcial






























11 MSTRL

Expanda Microstrip, depois Transmission Lines e selecione MSTRL: MS Trans. Line, Physical Length




























01 MSSTEP

Expanda Microstrip, depois General Components e selecione MSSTEP.






















01 CHIPRES

Expanda Lumped, depois Resistores e selecione CHIPRES: Chip Resistor.






















Configurao final.



Etapa 07:

Configurar os valores das microstrips internas e externas.
Para as microstrip externas inserimos os valores de Z = 50 , E = 90
o
( /4) e a frequncia central F =
2.45 GHz.

Duplo click em cada uma delas, na janela que aparece devemos selecionar TRL e na seguinte fazer as
alteraes.




Click Synthesis e selecione OK duas vezes.

Para as microstrip internas inserimos os valores de Z = 50 2 = 70.7 , E = 90
o
( /4) e a frequncia
central F = 2.45 GHz.





Conforme obtivemos os valores de W e P de cada microstrip, configuramos os W dos MSTRLs para que
casem os valores de W com os microstrips.


















Da mesma forma, modificaremos o valor W dos MSBENDRs para que casem com os microstrips a que
esto ligados.



















E no podemos esquecer de ajustar os valores de W para o MSSTEP.
Duplo click no componente e em seguida fazer as alteraes e clicar em OK.



Devemos modificar o valor do resistor para 2Z0 = 100.
Duplo click sobre o resistor e na janela que aparece modificar o seu valor. Ao final selecione OK.














Aps todos os ajustes



Etapa 08:
Analisamos o projeto e configuramos os grficos

Clicar em Analyze Setup.




















Na janela que aparece selecione Next



Selecione o primeiro F que aparece e clica em Edit.






Na prxima janela definimos o intervalo de freqncia desejado como sendo entre 2.2 e 2.7 GHz, com um
passo razovel de 0.001GHz.



Selecione Add e depois Ok.











Finalmente selecionar Concluir.


Etapa 09:
Agora que criamos o intervalo de analise, clicamos em Analyze.



Agora podemos criar um Report (grfico) que iremos visualizar o resultado. O grfico utilizado do tipo
cartesiano.

Clicamos em Criate Report.



Na janela que aparece celecione Rectangular Plot



Ao inserir o report, selecionamos: S11 que representa o Return Loss, o S21 que representa o Coupling da
porta 2 e o S13 que representa o Coupling da porta 3.

Selesionar Category: S Parameter, Quantity: S11, Function: dB e click em Add Trace.
Fazer o mesmo para S21 e S31.





















Depois de tudo selecionado, click Done, o que far aparecer os grficos desejados.



Observe que S21 e S31 esto sobrepostos.
























Faamos o mesmo para S23 e S32 que representam a Isolation da porta 2 em relao porta 3 e a
Isolation da porta 3 em relao porta 2, respectivamente.




























Como o grfico ficou extranho resolvi coloc-los tudo junto para ver o que acontece.




A simulao ir inicialmente apresentar um grfico errneo, e devemos corrigir esse erro
modificando o valor do raio dos MSBENDRs, que representam um circulo ( cada MSBENDR tem 90
graus de curvatura). Ao variar o valor dos raios igualmente, conseguimos observar que os valores das
freqncias vo se aproximando das especificaes iniciais, com o return loss prximo de -3dB, e o
acoplamento juntamente com o isolamento das portas de sada decaindo rapidamente na freqncia
central.