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Memorias Programables
1. Introduccin.
2. Memorias programables.
3. Resumen.
4. Bibliografa
1.- I!R"#$%%I&
Las computadoras y otros tipos de sistemas requieren el almacenamiento permanente o
semipermanente de un gran nmero de datos binarios. Los sistemas basados en
microprocesadores necesitan de la memoria para almacenar los programas y datos
generados durante el procesamiento y disponer de ellos cuando sea necesario.
Las modernas tcnicas de circuitos integrados permiten combinar miles e incluso millones de
puertas dentro de un solo encapsulado. Esto ha llevado a la fabricacin de diseos ms
compleos como los dispositivos lgicos programables! memorias y microprocesadores! que
proporcionan dentro de un solo chip circuitos que requieren gran cantidad de componentes
discretos.
Las memorias son dispositivos de almacenamiento de datos binarios de largo o corto pla"o
.La memoria es un componente fundamental de las computadoras digitales y est presente
en gran parte de los sistemas digitales. La memoria de acceso aleatorio #$%&! random
access memory' almacena datos temporalmente! la memoria de slo lectura #$(&! $ead
only memory' los guarda de manera permanente. La $(& forma parte del grupo de
componentes llamados dispositivos lgicos programables #)L*! programmable logic devices'!
que emplean la informacin almacenada para definir circuitos lgicos.
*ispositivos que son capaces de proveer el medio f+sico para almacenar esta informacin. ,
aunque esta es su tarea fundamental #ms del -. / de las memorias se dedican a este fin'
tambin se pueden utili"ar para la implementacin de circuitos combinacionales y pueden
sustituir la mayor parte de la lgica de un sistema.
Los chips L01 pueden programarse para reali"ar funciones espec+ficas. 2n dispositivo lgico
programable #)L*' es un chip L01 que contiene una estructura de circuito 3regular4! pero que
permite al diseador adecuarlo para una aplicacin espec+fica. 5uando un )L* t+pico dea la
fbrica de 15! an no est listo para una funcin espec+fica! sino que debe ser programado
por el usuario para que realice la funcin requerida en una aplicacin particular. Los chips con
la mayor funcionalidad por unidad de rea han sido los chips de memoria! que contienen
arreglos rectangulares de celdas de memoria. 2no de los )L* es el chip 3de memoria de slo
lectura4.
En una primera clasificacin! se puede distinguir entre memorias de almacenamiento masivo!
caracteri"adas por ser memorias baratas y lentas! y memorias semiconductoras o memorias
de estado slido! ms caras y rpidas. En las primeras! la prioridad es disponer de una gran
capacidad de almacenamiento! como ocurre en los discos duros! en tanto que en las
segundas! la prioridad es disponer de velocidades de acceso rpidas compatibles con la
mayor capacidad de almacenamiento posible 6ue son las habitualmente utili"adas como
memorias de almacenamiento de programa y de datos en la mayor+a de las aplicaciones. 6ue
ofrece cada tipo de memoria as+ como las tecnolog+as de fabricacin! que han permitido un
espectacular avance en las velocidades y escalas de integracin en los ltimos aos.
)odemos considerar una memoria como un conunto de & registros de 7 bits cada uno de
ellos. Estos registros ocupan las posiciones desde el valor . hasta &89. )ara acceder a cada
registro es necesaria una lgica de seleccin. En general! para cada registro se pueden
reali"ar procesos de lectura y de escritura. )ara reali"ar todas estas operaciones son
necesarios los siguientes terminales :;<erminales de datos #de entrada y de salida'. En
nuestro caso son necesarios 7 terminales=
:;<erminales de direcciones! son necesarios m! de tal forma de >m?&
:;<erminales de control. 0on los que permiten especificar si se desa reali"ar una operacin
de escritura o de lectura! seleccionar el dispositivo.
:;@50 #5hip select'= Es el terminal de seleccin de chip #habitualmente es activo con nivel
bao.
9 Las primeras son las relacionadas con nuestros conocidos discos de ordenador! y las
ltimas estn abriendo en la actualidad un atractivo abanico de posibilidades= desde los
discos magnetopticos hasta las memorias hologrficas.
:;$@A #$ead@Arite'= 0elecciona el modo de operacin #lectura o escritura' sobre la
memoria. habitualmente con valor bao es activo el modo de escritura.
:;(E #(utput Enable'. 5ontrola el estado de alta impedancia de los terminales de salida del
dispositivo.
2.- M'M"RI() PR"*R(M(B+')
2.1.- M'M"RI( R"M ,R'(# "+- M'M"R-.
Es una memoria de slo lectura que se programan mediante mscaras. Es decir! el
contenido de las celdas de memoria se almacena durante el proceso de fabricacin para
mantenerse despus de forma irrevocable. *esde el instante en que el fabricante grabo
las instrucciones en el 5hip! por lo tanto la escritura de este tipo de memorias ocurre una
sola ve" y queda grabado su contenido aunque se le retire la energ+a.
0e usa para almacenar informacin vital para el funcionamiento del sistema= en l a gestin
del proceso de arranque! el chequeo inicial del sistema! carga del sistema operativo y
diversas rutinas de control de dispositivos de entrada@salida suelen ser las tareas
encargadas a los programas grabados en $(&. Estos programas forman la llamada
B1(0 #Basic 1nput (utput 0ystem'. Cunto a la B1(0 se encuentra el chip de 5&(0 donde
se almacenan los valores que determinan la configuracin hardware del sistema! como
tipos de unidades! parmetros de los discos duros! fecha y hora del sistema... esta
informacin no se pierde al apagar la computadora. Estos valores se pueden modificar
por medio del 0E<2).
La memoria $(& constituye lo que se ha venido llamando Dirmware! es decir! el software
metido f+sicamente en hardware. *e cara a los fines del usuario es una memoria que no
sirve para la operacin de su programa! slo le aporta mayores funcionalidades
#informacin' del equipo.
0i tenemos idea de cmo se fabrican los circuitos integrados! sabremos de donde viene
el nombre. Estos se fabrican en obleas #placas de silicio' que contienen varias decenas
de chips. Estas obleas se fabrican a partir de procesos fotoqu+micos! donde se impregnan
capas de silicio y oEido de silicio! y segn convenga! se erosionan al eEponerlos a la lu".
5omo no todos los puntos han de ser erosionados! se sita entre la lu" y la oblea una
mascara con agueros! de manera que donde deba incidir la lu"! esta pasar. 5on varios
procesos similares pero ms complicados se consigue fabricar los transistores y diodos
micromtricos que componen un chip. El elevado coste del diseo de la mscara slo
hace aconseable el empleo de los microcontroladores con este tipo de memoria cuando
se precisan cantidades superiores a varios miles de unidades.
Los )5s vienen con una cantidad de $(&! donde se encuentras los programas de B1(0
#Basic 1nput (utput 0ystem'! que contienen los programas y los datos necesarios para
activar y hacer funcionar el computador y sus perifricos.
La ventaa de tener los programas fundamentales del computador almacenados en la
$(& es que estn all+ implementados en el interior del computador y no hay necesidad
de cargarlos en la memoria desde el disco de la misma forma en que se carga el *(0.
*ebido a que estn siempre residentes! los programas en $(& son muy a menudo los
cimientos sobre los que se construye el resto de los programas #incluyendo el *(0'.
Estas memorias! cuyo nombre procede de las iniciales de $ead (nly &emory son solo
de lectura. *entro de un proceso de elaboracin de datos de una computadora! no es
posible grabar ningn dato en las memorias $(&. 0on memorias perfectas para guardar
microprogramas! sistemas operativos! tablas de conversin! generacin de caracteres
etc.
Las caracter+sticas fundamentales de las memorias $(& son=
9. Alta densidad= la estructura de la celda bsica es muy sencilla y permite altas
integraciones.
>. No voltiles= el contenido de la memoria permanece si se quita la alimentacin.
F. Coste= dado que la programacin se reali"a a nivel de mscaras durante el proceso de
fabricacin! resultan baratas en grandes tiradas! de modo que el coste de fabricacin se
reparte en muchas unidades y el coste unitario es baa.
G. Slo lectura= nicamente son programables a nivel de mscara durante su fabricacin.
0u contenido! una ve" fabricada! no se puede modificar.
Hay muchos tipos de $(&=
2na $(& puede estar fabricada tanto en tecnolog+a bipolar como &(0.
La figura muestra celdas $(& bipolar. La presencia de una unin desde una l+nea de fila
a la base de un transistor representa un I9J en esa posicin. En las uniones
fila@columna en las que no eEiste coneEin de base! las l+neas de la columna
permanecern a nivel bao #I.J' cuando se direccione la fila.
La figura K.9K muestra celdas $(& con transistores &(0. Bsicamente son iguales que
las anteriores! eEcepto que estn fabricadas con &(0DE<s.
2.2.- M'M"RI( PR"M ,PR"*R(MM(B+' R'(# "+- M'M"RI').
2na alternativa para proyectos pequeos es el uso de una de las memorias de slo
lectura programables o PR"M #programmable read only memories'! memoria basada en
semiconductores que contiene instrucciones o datos. Lstas eEisten en muchas variantes!
pero todas permiten que el usuario programe el dispositivo por si mismo! ahorrndose el
alto costo de la produccin de la mscara. En la )$(& #programable $(&'! o memoria
programable de slo lectura los contenidos pueden ser le+dos pero no modificados por un
programa de usuario. 0us contenidos no se construyen! como la $(&! directamente en
el procesador cuando ste se fabrica! sino que se crean por medio de un tipo especial
3programacin4! ya sea por el fabricante! o por especialistas tcnicos de programacin del
usuario. El proceso de programacin es destructivo= una ve" grabada! es como si fuese
una $(& normal.
Las operaciones muy importantes o largas que se hab+an estado eecutando mediante
programas! se pueden convertir en microprogramas y grabarse permanentemente en una
pastilla de memoria programable slo de lectura. 2na ve" que estn en forma de circuitos
electrnicos! estas tareas se pueden reali"ar casi siempre en una fraccin del tiempo que
requer+an antes. La fleEibilidad adicional que se obtiene con la )$(& puede convertirse
en una desventaa si en la unidad )$(& se programa un error que no se puede corregir.
)ara superar esta desventaa! se desarroll la E)$(&! o memoria de solo lectura
reprogrmale.
Las prestaciones de las memorias )$(& son similares a las anteriores! con la nica
salvedad del proceso de programacin. La escritura de la memoria )$(& tiene lugar
fundiendo los fusibles necesarios por lo que la memoria )$(& solo puede ser
programada una ve". %hora la hace el usuario usando un equipo programador y! adems!
se rompe con la dependencia de la fbrica y los enormes costes de las mscaras.
M/!"#" #' PR"*R(M(%I& #' +( M'M"RI( PR"M
)ara conseguir que la informacin que se desea grabar sea inalterable! se utili"an dos
tcnicas= por destruccin de fusible o por destruccin de unin.
La idea es bsicamente la misma que las ideas $(& convencionales! pero en este caso
todas las celdas tienen diodos! por lo cual la memoria viene programada de fbrica con
todos 9. 5ada diodo tiene conectado un fusible! cuya funcionalidad es similar a la que
podemos ver en fuentes de alimentacin o estabili"adores de tensin= cuando se produce
una sobretensin! el fusible se quema y! por lo tanto! el circuito se abre. *e esta manera!
el diodo pierde contacto con el mundo eEterior y el lector de memoria nunca sabe de su
eEistencia! as+ que a esa celda la interpreta como un cero. )or lo tanto para programar un
chip de memoria )$(&M con un dispositivo llamado programador #por cierto! un nombre
muy original E*'! se les aplica a las celdas correspondientes una tensin superior a la
que son capaces de soportar los fusibles! y as+ quedan definidos todos los bits de la
memoria en cuestin. 5omo podemos ver! este tipo de memorias tiene una falencia= no
pueden ser reprogramadas.
La pastilla es insertada en un dispositivo que genera en las salidas de la $(& #usadas como
entradas' los valores lgicos de cada palabra. )ara cada posicin! se genera un pulso de
hasta F.N por la entrada Npp?Ncc! que produce una circulacin de corrientes que funden
delgadas coneEiones fusibles en serie con diodos o transistores que se quiere desconectar.
%s+ se obtienen los ceros que deben resultar en las salidas! dado que el chip 3virgen4 viene
con todos los diodos conectados. Este proceso dura pocos minutos.
El proceso de programacin de una PROM generalmente se reali"a con un equipo especial
llamado quemador. Este equipo emplea un mecanismo de interruptores electrnicos
controlados por software que permiten cargar las direcciones! los datos y genera los pulsos
para fundir los fusibles del arreglo interno de la memoria. En la figura se indica de forma
esquemtica la funcin del programador.
)rogramacin de un )$(&
(R0$I!'%!$R( #' +( PR"M
Estructura bsica de un )L*
2n dispositivo programable por el usuario es aquel que contiene una arquitectura general pre8
definida en la que el usuario puede programar el diseo final del dispositivo empleando un
conunto de herramientas de desarrollo. Las arquitecturas generales pueden variar pero
normalmente consisten en una o ms matrices de puertas %7* y ($ para implementar
funciones lgicas. &uchos dispositivos tambin contienen combinaciones de flip8flops y
latches que pueden usarse como elementos de almacenae para entrada y salida de un
dispositivo. Los dispositivos ms compleos contienen macroclulas. Las macroclulas
permiten al usuario configurar el tipo de entradas y salidas necesarias en el diseo
Las )$(& son memorias programables de slo lectura. %unque el nombre no implica la
lgica programable! las )$(&! son de hecho lgicas. La arquitectura de la mayor+a de
las )$(& consiste generalmente en un nmero fio de trminos %7* que alimenta una
matri" programable ($. 0e usan principalmente para decodificar las combinaciones de
entrada en funciones de salida.
a' Las %plicaciones ms importantes=
b' &icroprogramacin
c' Librer+a de subrutinas
d' )rogramas de sistema
e' <ablas de funcin
2.3.- M'M"RI( 'PR"M
Las E)$(&! o &emorias slo de Lectura $eprogramables! se programan mediante
impulsos elctricos y su contenido se borra eEponindolas a la lu" ultravioleta #de ah+ la
ventanita que suelen incorporar este tipo de circuitos'! de manera tal que estos rayos
atraen los elementos fotosensibles! modificando su estado.
- Vista de la Ventanita de una EPROM -
PR"*R(M(%I& #' $( M'M"RI( 'PR"M
Las E)$(& se programan insertando el chip en un programador de E)$(&. y aplicando
en un pin especial de la memoria una tensin entre 9. y >K Noltios durante
aproEimadamente 50 ms segn el dispositivo! al mismo tiempo se direcciona la posicin
de memoria y se pone la informacin a las entradas de datos. Este proceso puede tardar
varios minutos dependiendo de la capacidad de memoria.
La memoria !PROM! se compone de un arreglo de transistores MOS"!# de 5anal N de
compuerta aislada. En la figura se observa el transistor funcionando como celda de
memoria en una !PROM.
5elda de memoria de una E)$(&
5ada transistor tiene una compuerta flotante de 0i(> #sin coneEin elctrica' que en
estado normal se encuentra apagado y almacena un $ lgico. *urante la programacin!
al aplicar una tensin #9. a >KN' la regin de la compuerta queda cargada
elctricamente! haciendo que el transistor se encienda! almacenando de esta forma un 0
lgico. Este dato queda almacenado de forma permanente! sin necesidad de mantener la
tensin en la compuerta ya que la carga elctrica en la compuerta puede permanecer por
un per+odo aproEimado de 9. aos.
Las E)$(&s tambin emplean transistores de puerta dual o D%&(0 #Dloating Oate
%valanche81nection &etal8(Eide 0emiconductor' de cargas almacenadas.
Estos transistores son similares a los transistores de efecto de campo #DE<s' canal8)!
pero tienen dos compuertas. La compuerta interior o flotante esta completamente
rodeada por una capa aislante de diEido de silicioM la compuerta superior o compuerta de
control es la efectivamente conectada a la circuiter+a eEterna.
1nicialmente! la puerta flotante esta descargada! y el transistor se comporta como un
transistor &(0 normal. 7o obstante! mediante un equipo programador! se puede
acumular carga en la puerta flotante aplicando una sobre tensin a la puerta y al drenador
del transistor. Esta acumulacin de electrones en la segunda puerta tiene el efecto de
aumentar la umbral del transistor a un valor tal que no conduce aunque se direccione la
celda. %s+ pues la cantidad de carga elctrica almacenada sobre la compuerta flotante
determina que el bit de la celda contenga un 1 o un 1M
las celdas cargadas son le+das como un 1! mientras que las que no lo estn son le+das
como un 1. <al como las E)$(&s salen de la fbrica! todas las celdas se encuentran
descargadas! por lo cual el bit asociado es un 1M de ah+ que una E)$(& virgen presente
el valor heEadecimal DD en todas sus direcciones.
5uando un dado bit de una celda debe ser cambiado o programado de un 9 a un .! se
hace pasar una corriente a travs del canal de transistor desde la fuente hacia la
compuerta #obviamente! los electrones siguen el camino inverso'. %l mismo tiempo se
aplica una relativamente alta tensin sobre la compuerta superior o de control del
transistor! crendose de esta manera un campo elctrico fuerte dentro de las capas del
material semiconductor.
%nte la presencia de este campo elctrico fuerte! algunos de los electrones que pasan el
canal fuente8compuerta ganan suficiente energ+a como para formar un tnel y atravesar
la capa aislante que normalmente a+sla la compuerta flotante. En la medida que estos
electrones se acumulan en la compuerta flotante! dicha compuerta toma carga negativa!
lo que finalmente produce que la celda tenga un 1.
2uncionamiento de una 'PR"M
$ecordemos que son memorias de acceso aleatorio! generalmente le+das y
eventualmente borradas y reescritas.
2na ve" grabada una E)$(& con la informacin pertinente! por medio de un dispositivo
especial que se eEplicar luego! la misma es instalada en el sistema correspondiente
donde efectivamente ser utili"ada como dispositivo de lectura solamente.
Eventualmente! ante la necesidad de reali"ar alguna modificacin en la informacin
contenida o bien para ser utili"ada en otra aplicacin! la E)$(& es retirada del sistema!
borrada mediante la eEposicin a lu" ultravioleta con una longitud de onda de >KFP
%ngstroms #unidad de longitud por la cual 9 % ? 9.
89.
m'! programada con los nuevos
datos! y vuelta a instalar para volver a comportarse como una memoria de lectura
solamente. )or esa eEposicin para su borrado es que es encapsulada con una ventana
transparente de cuar"o sobre la pastilla o QdieQ de la E)$(&.
Es atinente aclarar que una E)$(& no puede ser borrada parcial o selectivamenteM de
ah+ que por ms pequea que fuese la eventual modificacin a reali"ar en su contenido!
inevitablemente se deber borrar y reprogramar en su totalidad.
Los tiempos medios de borrado de una E)$(&! por eEposicin a la lu" ultravioleta!
oscilan entre 9. y F. minutos.
5on el advenimiento de las nuevas tecnolog+as para la fabricacin de circuitos
integrados! se pueden emplear mtodos elctricos de borrado. Estas $(& pueden ser
borradas sin necesidad de eEtraerlas de la tareta del circuito. %dems de E%)$(&
suelen ser denominadas $&& #$ead &ostly &emories'! memorias de casi8siempre
lectura! ya que no suelen modificarse casi nunca! pues los tiempos de escritura son
significativamente mayores que los de lectura.
Las memorias de slo lectura presentan un esquema de direccionamiento similar al de
las memorias $%&. El microprocesador no puede cambiar el contenido de la memoria
$(&.
Entre las aplicaciones generales que involucran a las E)$(& debemos destacar las de
maneo de sistemas microcontrolados. <odo sistema microcontrolado y@o microprocesado
#se trate de una computadora personal o de una mquina eEpendedora de boletos para el
autotransporte...' nos encontraremos con cierta cantidad de memoria programable por el
usuario #la $%&'! usualmente en la forma de dispositivos semiconductores contenidos en
un circuito integrado #no olvidemos que un relay biestable o un flip8flop tambin son
medios de almacenamiento de informacin'.
Estos dispositivos semiconductores integrados estn generalmente construidos en
tecnolog+a &(0 #&etal8(Eide 0emiconductor! 0emiconductor de (Eido &etlico' o 8ms
recientemente8 5&(0 #5omplementary &etal8(Eide 0emiconducto o 0emiconductor de
(Eido &etlico 5omplementario'. Lamentablemente! estos dispositivos $%& adolecen de
un ligero inconveniente! que es! como ya se ha comentado! su volatibilidad.
*ado que cualquier sistema microprocesado requiere de al menos un m+nimo de
memoria no voltil donde almacenar ya sea un sistema operativo! un programa de
aplicacin! un lenguae intrprete! o una simple rutina de QuploadQ! es necesario utili"ar un
dispositivo que preserve su informacin de manera al menos semi8permanente. , aqu+ es
donde comien"an a brillar las E)$(&s.

<al como mencionramos anteriormente! el proceso de borrado de los datos contenidos
en una E)$(& es llevado a cabo eEponiendo la misma a lu" ultravioleta. El punto reside
en que la misma contiene fotones #5uantos de energ+a electromagntica' de energ+a
relativamente alta.
+a familia 2311
Los dispositivos E)$(& de la familia >P.. contienen celdas de almacenamiento de bits
configuradas como bytes direccionables individualmente. Habitualmente esta
organi"acin interna suele denominarse como 24 5 6 para el caso de una >P9R! 67 5 6
para una >PRG! etc.
)or ra"ones de compatibilidad #tanto con dispositivos anteriores como con dispositivos
futuros'! la gran mayor+a de las E)$(&s se austan a distribuciones de terminales o Qpin8
outsQ estndar. )ara el caso mas usual! que es el encapsulado *1) #*ual 1n8Line
)acSage' de >T pines! el estndar utili"ado es el CE*E58>T.
En cuanto a la programacin de estos dispositivos #si bien conceptualmente obedece
siempre a la metodolog+a descripta anteriormente' en realidad eEiste una relativamente
alta variedad de implementaciones prcticas.
0i bien en la actualidad parece haberse uniformado ra"onablemente! las tensiones de
programacin var+an en funcin tanto del dispositivo! como del fabricanteM as+ nos
encontramos con tensiones de programacin #Npp' de 9>!KN! 9FN! >9N y >KN.
Lo mismo sucede con otros parmetros importantes que intervienen en el proceso de
grabacin de un E)$(&! como es el caso de la duracin de dicho pulso de
programacin y los niveles lgicos que determinan distintos modos de operacin.
PR"*R(M(#"R8 'M$+(#"R #' 2+()9 'PR"M
La manera ms cmoda! aunque tambin la ms costosa de desarrollar circuitos
microcontroladores consiste en simular la parte principal del controlador con la ayuda de
un emulador. 2na de opciones ms baratas consiste en emplear un programa monitor
unto con un emulador de memorias E)$(&. *esafortunadamente! la mayor+a de los
programas monitores consumen algunos de los recursos del controlador. Esta seria
desventaa se resuelve utili"ando el emulador de memorias E)$(&! que se comporta
bsicamente igual que una memoria $%& de un doble puerto= a un lado se encuentra la
interfase! como una memoria E)$(&! mientras que al otro lado proporciona las seales
necesarias para introducir el fluo de datos a la memoria $%&.
5uando compa+as como %&* desarrollaron las memorias E)$(& QDlashQ con una
tensin de programacin de KN y un ciclo de vida que permit+a programar la memoria
hasta 9...... veces! se abrieron las puertas a un nuevo modelo de emulador de
memorias E)$(&. El diseo que se presenta no solo acta como un emulador con una
enorme capacidad de almacenamiento! sino que tambin funciona como un programador
de memorias E)$(& QDlashQ! ahorrndose comprar un sistema eEclusivamente dedicado
a programar.
5uando se termine de trabaar con el emulador durante la fase del diseo! se dispondr
en la memoria E)$(& QDlashQ del cdigo definitivo! que se sacar del emulador y se
introducir en el circuito que se vaya a utili"ar en la aplicacin. 5omo los precios de las
memorias E)$(& QDlashQ no son mucho mayores que los de las memorias E)$(&
convencionales! la ventaa adicional que se ha descrito es sin costo.
':emplo de Borrador de una 'PR"M
2otografas de algunos borradores de eproms


2.4.- M'M"RI( ''PR"M , '+'%!RI%(+ 'R()(B+' PR"*R(MM(B+' R'(# "+-
M'M"R- .
La memoria !!PROM es programable y borrable elctricamente y su nombre proviene de
la sigla en ingls !lectrical !rasable Programmable Read Only Memory. %ctualmente
estas memorias se construyen con transistores de tecnolog+a MOS #Metal O%ide Silice' y
MNOS #Metal Nitride&O%ide Silicon'.
Las celdas de memoria en las !!PROM son similares a las celdas !PROM y la
diferencia bsica se encuentra en la capa aislante alrededor de cada compuesta flotante!
la cual es ms delgada y no es fotosensible.
Las memorias EE)$(& #!lectrically !rasable Programmable Read&Only Memory' son
memorias no voltiles y elctricamente borrables a nivel de bytes. La posibilidad de
programar y borrar las memorias a nivel de bytes supone una gran fleEibilidad! pero
tambin una celda de memoria ms complea. %dems del transistor de puerta flotante
anterior! es preciso un segundo transistor de seleccin. El tener > transistores por celda
hace que las memorias EE)$(& sean de baa densidad y mayor coste. La programacin
requiere de tiempos que oscilan entre 9KP

s y R>K

s?byte. Drente a las memorias

E)$(&! presenta la ventaa de permitir su borrado y programacin en placa! aunque
tienen mayor coste debido a sus dos transistores por celda.
Estas memorias se presentan! en cuanto a la organi"acin y asignacin de patillas! como
la 2N)$(& cuando estn organi"adas en palabras de T bits. 0e programan de forma
casi idntica pero tienen la posibilidad de ser borradas elctricamente. Esta caracter+stica
permite que puedan ser programadas y borradas 3en el circuito4.
*ebido a que la clda elemental de este tipo de memorias es ms complicada que sus
equivalentes en E)$(& o )$(& #y por ello bastante ms cara'! este tipo de memoria no
dispone en el mercado de una variedad tan amplia! y es habitual tener que acudir a
fabricantes especiali"ados en las mismas #eemplo= Uicor'.
>GL5>KR
En cuanto a la forma de referenciar los circuitos! estas memorias suelen comen"ar con el
prefio >T! de forma que la >TRG indica una memoria EE)$(& de RGVbytes! equivalente
en cuanto a patillae y modo de operacin de lectura a la 2N)$(& >PRG.
2na ventaa adicional de este tipo de memorias radica en que no necesitan de una alta
tensin de grabado! sirven los K voltios de la tensin de alimentacin habitual.
5E ? 5H1) E7%BLE= )ermite %ctivar el 5ircuito 1ntegrado
(E ? (2<)2< E7%BLE= )ermite %ctivar La 0alida *el Bus *e *atos
CE OE WE
LE5<2$%

. . 9
E05$1<2$% . 9 .
;enta:as de la ''PR"M<
La programacin y el borrado pueden reali"arse sin la necesidad de una fuente de lu" 2N y
unidad programadora de )$(&! adems de poder hacerse en el mismo circuito gracias a que
el mecanismo de transporte de cargas mencionado en el prrafo anterior requiere corrientes
muy baas.
Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma individual.
)ara borra la informacin no se requiere lu" ultravioleta.
Las memorias !!PROM no requieren programador.
*e manera individual puedes borrar y reprogramar elctricamente grupos de caracteres o
palabras en el arreglo de la memoria.
MEMORIA
EEPROM
OE CE
WE
BUS DE
DATOS
BUS DE
DIRECCIONES
El tiempo de borrado total se reduce a 9.ms en circuito donde su antepasado inmediato
requer+a media hora bao lu" ultravioleta eEterna.
El tiempo de programacin depende de un pulso por cada palabra de datos de 9. ms! versus
los K. ms empleados por una $(& programable y borrable.
0e pueden reescribir aproEimadamente unas 9... veces sin que se observen problemas para
almacenar la informacin.
)ara reescribir no se necesita hacer un borrado previo.
(plicaciones de las Memorias ''PR"M
Encontramos este tipo de memorias en aquellas aplicaciones en las que el usuario
necesita almacenar de forma permanente algn tipo de informacinM por eemplo en los
receptores de <N o magnetoscopios para memori"ar los austes o los canales de recepcin.
'='MP+" #' M'M"RI( ''PR"M - 26%>4(
Esta memoria tiene una capacidad de '( ) ' #RG VB'.
Caractersticas
Tcnicas
Referencia
>T5RG%
!ipo
EE)$(&
5&(0
%apacidad
,bits.
T9-> U T
!ipo de salida
KN
!iempos de
(cceso
9>.@9K.@>.. ns
'ncapsulado
*1L8>T y )L558
F>
EE)$(& >T5RG%
En la figura se indica la disposicin de los pines de esta memoria la cual se encuentra
disponible en dos tipos de encapsulados #*1L y )L55'.
2.?.- M'M"RI( 2+()9
La memoria "*AS+ es similar a la !!PROM! es decir que se puede programar y borrar
elctricamente! son de alta densidad #gran capacidad de almacenamiento de bits'. %lta
densidad significa que se puede empaquetar en una pequea superficie del chip! gran
cantidad de celdas! lo que implica que cuanto mayor sea la densidad! ms bits se pueden
almacenar en un chip de tamao determinado. 0in embargo esta rene algunas de las
propiedades de las memorias anteriormente vistas! y se caracteri"a por tener alta
capacidad para almacenar informacin y es de fabricacin sencilla! lo que permite
fabricar modelos de capacidad equivalente a las !PROM a menor costo que las
!!PROM,
')!R$%!$R( #' +( M'M"RI( 2+()9
%ntes de anali"ar la memoria Dlash a nivel de celda veamos como es su estructura a
nivel de bloques. La figura nos muestra la arquitectura en sectores de una memoria
Dlash de K9>VET. 5ada uno de los sectores se borra independientemente de los otros!
siendo necesario el borrado antes de la programacin.
Los datos se almacenan como una carga en la puerta flotante. 1nicialmente! toda la
memoria se encuentra a nivel alto. )rogramar la memoria es el proceso de cambiar un
Q9Q lgico por un Q.Q lgico. Borrar un sector cambia todos los Q.Q lgicos de ese sector
por Q9Q lgicos.
7o es posible reprogramar una determinada direccin= es necesario borrar previamente
todo el sector antes de volver a programar esa direccin.
Las celdas de memoria se encuentran constituidas por un transistor &(0 de puerta
apilada! el cual se forma con una puerta de control y una puerta aislada! tal como se
indica en la figura La compuerta aislada almacena carga elctrica cuando se aplica una
tensin lo suficientemente alta en la puerta de control. *e la misma manera que la
memoria !PROM! cuando hay carga elctrica en la compuerta aislada! se almacena un
0! de lo contrario se almacena un $,
5elda de memoria de una DL%0H
Las operaciones bsicas de una memoria "las- son la programacin! la lectura y borrado.
5omo ya se mencion! la programacin se efecta con la aplicacin de una tensin #generalmente
de 9>N o 9>.PK N' a cada una de las compuertas de control! correspondiente a las celdas en las
que se desean almacenar 0.s, )ara almacenar $.s no es necesario aplicar tensin a las compuertas
debido a que el estado por defecto de las celdas de memoria es $.
La lectura se efecta aplicando una tensin positiva a la compuerta de control de la celda de
memoria! en cuyo caso el estado lgico almacenado se deduce con base en el cambio de estado
del transistor=
0i hay un $ almacenado! la tensin aplicada ser lo suficiente para encender el transistor y hacer
circular corriente del drenador hacia la fuente.
0i hay un 0 almacenado! la tensin aplicada no encender el transistor debido a que la carga
elctrica almacenada en la compuerta aislada.
)ara determinar si el dato almacenado en la celda es un $ un 0! se detecta la corriente circulando
por el transistor en el momento que se aplica la tensin en la compuerta de control.
El borrado consiste en la liberacin de las cargas elctricas almacenadas en las compuertas
aisladas de los transistores. Este proceso consiste en la aplicacin de una tensin lo
suficientemente negativa que despla"a las cargas como se indica en la figura.
Proceso de descarga de una celda de memoria 2+()9
%parte de que las memorias E)$(& QDlashQ tienen una entrada de escritura! mientras
estn funcionando se comportan como las E)$(& normales. La nica diferencia se
encuentra en como se cargan y se borran los datos en la memoria. &ientras que durante
el proceso de programacin de las memorias E)$(& convencionales se necesita una
tensin bien definida durante cierto intervalo de tiempo! y para borrar el componente hay
que eEponerlo a lu" ultravioleta! en las E.Dlash ambos procesos estn controlados y se
llevan a cabo internamente. )ara tal efecto la memoria recibe una secuencia de
comandos predefinida #borrar! programar' que incluye algunas precauciones especiales
#determinadas por el fabricante' destinadas a evitar que se borre cualquier dato por error.
El comando se transfiere a la memoria E)$(& QDlashQ mediante una serie de
operaciones de escritura. Los dos primeros comandos QLectura@$esetQ preparan la
memoria para operaciones de lectura. El comando Q%utoseleccinQ permite leer el cdigo
del fabricante y el tipo de dispositivo. El comando QByteQ carga el programa dentro de la
memoria E)$(&! mientras que QBorrar 5hipQ acta durante el proceso de borrado! que
no dura ms de un minuto. *esde el punto de vista lgico podemos afirmar que la
memoria E)$(& QDlashQ est dividida en sectores que se pueden borrar individualmente
con la ayuda del comando QBorrar 0ectorQ.
Las memorias E)$(& QDlashQ disponen de otro mecanismo! basado en la divisin en
sectores! que las protege de acciones de escritura o lectura no deseadas. 5uando un
sector est protegido de esta forma no se puede reali"ar una operacin de lectura o
sobre escritura con una tensin de KN. Este hecho es muy importante y se debe tener
siempre presente cuando se utilicen estos dispositivos. 0olamente se puede eliminar esta
proteccin con la ayuda de un programador especial.
*urante el proceso de programacin o borrado se puede leer! mediante un comando de
acceso en QlecturaQ! el estado de la memoria E)$(& QDlashQ en la misma posicin que el
byte de programado o borrado. &ientras se borra un sector se puede leer cualquier
direccin que pertene"ca al sector.
(P+I%(%I"') #' +( M'M"RI( 2+()9
La &emoria Dlash es ideal para docenas de aplicaciones porttiles. <omemos como
eemplo las cmaras digitales. 1nsertando una tareta de &emoria Dlash de alta capacidad
directamente en la cmara! usted puede almacenar cientos de imgenes de alta
resolucin. 5uando este listo para baarlas! simplemente retire la tareta y transfirala a
su computadora de escritorio o porttil para su procesamiento. Las taretas de &emoria
Dlash se austan a entradas <ipo 11 #con o sin adaptador! dependiendo del tipo de tareta
Dlash'. %hora esta usted listo para cargar en segundos todas las imgenes capturadas
para observarlas! manipularlas! enviarlas por correo electrnico o imprimirlas. ,a nunca
necesitara comprar rollos para fotograf+a. 0ea cual sea su aplicacin o equipo porttil.
%ctualmente! los usos de &emoria Dlash se estn incrementando rpidamente. ,a sean
cmaras digitales! %sistentes *igitales )orttiles! reproductores de msica digital o
telfonos celulares! todos necesitan una forma fcil y confiable de almacenar y
transportar informacin vital.
0e utili"an en la fabricacin de B1(0 para computadoras. ! generalmente conocidos
como DL%0H8B1(0. La ventaa de esta tecnolog+a es que permite
actuali"ar el bios con un software proporcionado por el fabricante! sin necesidad de
desmontar el chip del circuito final! ni usar aparatos especiales.
)or esto la &emoria Dlash se ha convertido en poco tiempo en una de las ms populares
tecnolog+as de almacenamiento de datos. Es ms fleEible que un disSette y puede
almacenar hasta 9R.&B de informacin. Es ms y mucho mas rpida que un disco duro!
y a diferencia de la memoria $%&! la &emoria Dlash puede retener datos aun cuando el
equipo se ha apagado.
La &emoria Dlash es ideal para docenas de aplicaciones porttiles. <omemos como
eemplo las cmaras digitales. 1nsertando una tareta de &emoria Dlash de alta capacidad
directamente en la cmara! usted puede almacenar cientos de imgenes de alta
resolucin. 5uando este listo para baarlas! simplemente retire la tareta y transfirala a
su computadora de escritorio o porttil para su procesamiento. Las taretas de &emoria
Dlash se austan a entradas <ipo 11 #con o sin adaptador! dependiendo del tipo de tareta
Dlash'. %hora esta usted listo para cargar en segundos todas las imgenes capturadas
para observarlas! manipularlas! enviarlas por correo electrnico o imprimirlas. ,a nunca
necesitara comprar rollos para fotograf+a.
'='MP+" #' M'M"RI( 2+()9 - 2322?>
La capacidad de esta memoria es de F>V U T y como memoria "las- tiene la caracter+stica
particular de ser borrada en un tiempo muy corto #9 seg.'. El tiempo de programacin por byte
es de 9.. ms y el tiempo de retencin de la informacin es de aproEimadamente 9. aos.
Caracterstica
s Tcnicas
Referencia
>TD>KR
!ipo
DL%0H
EE)$(&
%apacidad
,bits.
F>PRT U T
!ipo de salida
#KN'
#Np?9>.KN'
!iempos de
(cceso
-.@9..@9>.@9K.
ns
'ncapsulado
*1L8>T
Memoria 2las@ 2322?>
En la figura se indica la disposicin de los pines de esta memoria con sus caracter+sticas
tcnicas bsicas.
#I2'R'%I( '!R' M'M"RI() ''PR"M - 'PR"M 2+()9
La diferencia de las memorias flash con las EE)$(& reside en su velocidad= 0on ms
rpidas en trminos de programacin y borrado! aunque tambin necesitan de una
tensin de grabado del orden de 9> voltios.
(tra diferencia la encontramos en que en las EE)$(& se puede borrar de forma
selectiva cualquier byte! mientras que en las memorias DL%0H slo admite el borrado
total de la misma.
)or otra parte esta memorias son bastante ms baratas que las EE)$(&! debido a que
utili"an una tecnolog+a ms sencilla y se fabrican con grandes capacidades de
almacenamiento. 2n dato puede ser significativo= el tiempo de borrado de un byte es del
orden de 9..

seg.
!(B+( %"MP(R(!I;( '!R' M'M"RI()
3.- R')$M'
M'M"RI() PR"*R(M(B+')
M'M"RI( R"M ,R'(# "+- M'M"R-.
Es una memoria de slo lectura que se programan mediante mscaras. Es decir! el
contenido de las celdas de memoria se almacena durante el proceso de fabricacin para
mantenerse despus de forma irrevocable. *esde el instante en que el fabricante grabo
las instrucciones en el 5hip! por lo tanto la escritura de este tipo de memorias ocurre una
sola ve" y queda grabado su contenido aunque se le retire la energ+a.
0e usa para almacenar informacin vital para el funcionamiento del sistema= en l a gestin
del proceso de arranque! el chequeo inicial del sistema! carga del sistema operativo y
diversas rutinas de control de dispositivos de entrada@salida suelen ser las tareas
encargadas a los programas grabados en $(&. Estos programas forman la llamada
B1(0 #Basic 1nput (utput 0ystem'. Cunto a la B1(0 se encuentra el chip de 5&(0 donde
se almacenan los valores que determinan la configuracin hardware del sistema! como
tipos de unidades! parmetros de los discos duros! fecha y hora del sistema... esta
informacin no se pierde al apagar la computadora. Estos valores se pueden modificar
por medio del 0E<2).
La ventaa de tener los programas fundamentales del computador almacenados en la
$(& es que estn all+ implementados en el interior del computador y no hay necesidad
de cargarlos en la memoria desde el disco de la misma forma en que se carga el *(0.
*ebido a que estn siempre residentes! los programas en $(& son muy a menudo los
cimientos sobre los que se construye el resto de los programas #incluyendo el *(0'.
2na $(& puede estar fabricada tanto en tecnolog+a bipolar como &(0.
M'M"RI( PR"M ,PR"*R(MM(B+' R'(# "+- M'M"RI').
En la )$(& #programable $(&'! o memoria programable de slo lectura los contenidos
pueden ser le+dos pero no modificados por un programa de usuario. 0us contenidos no
se construyen! como la $(&! directamente en el procesador cuando ste se fabrica! sino
que se crean por medio de un tipo especial 3programacin4! ya sea por el fabricante! o
por especialistas tcnicos de programacin del usuario. El proceso de programacin es
destructivo= una ve" grabada! es como si fuese una $(& normal.
Las operaciones muy importantes o largas que se hab+an estado eecutando mediante
programas! se pueden convertir en microprogramas y grabarse permanentemente en una
pastilla de memoria programable slo de lectura. 2na ve" que estn en forma de circuitos
electrnicos! estas tareas se pueden reali"ar casi siempre en una fraccin del tiempo que
requer+an antes. La fleEibilidad adicional que se obtiene con la )$(& puede convertirse
en una desventaa si en la unidad )$(& se programa un error que no se puede corregir.
)ara superar esta desventaa! se desarroll la E)$(&! o memoria de solo lectura
reprogrmale.
)ara conseguir que la informacin que se desea grabar sea inalterable! se utili"an dos
tcnicas= por destruccin de fusible o por destruccin de unin.
El proceso de programacin de una PROM generalmente se reali"a con un equipo
especial llamado quemador. Este equipo emplea un mecanismo de interruptores
electrnicos controlados por software que permiten cargar las direcciones! los datos y
genera los pulsos para fundir los fusibles del arreglo interno de la memoria. En la figura
se indica de forma esquemtica la funcin del programador.
a' Las %plicaciones ms importantes=
b' &icroprogramacin
c' Librer+a de subrutinas
d' )rogramas de sistema
e' <ablas de funcin
M'M"RI( 'PR"M
Las E)$(&! o &emorias slo de Lectura $eprogramables! se programan mediante
impulsos elctricos y su contenido se borra eEponindolas a la lu" ultravioleta #de ah+ la
ventanita que suelen incorporar este tipo de circuitos'! de manera tal que estos rayos
atraen los elementos fotosensibles! modificando su estado.
Las E)$(& se programan insertando el chip en un programador de E)$(&. y aplicando
en un pin especial de la memoria una tensin entre 9. y >K Noltios durante
aproEimadamente 50 ms segn el dispositivo! al mismo tiempo se direcciona la posicin
de memoria y se pone la informacin a las entradas de datos. Este proceso puede tardar
varios minutos dependiendo de la capacidad de memoria.
5uando un dado bit de una celda debe ser cambiado o programado de un 9 a un .! se hace
pasar una corriente a travs del canal de transistor desde la fuente hacia la compuerta
#obviamente! los electrones siguen el camino inverso'. %l mismo tiempo se aplica una
relativamente alta tensin sobre la compuerta superior o de control del transistor! crendose
de esta manera un campo elctrico fuerte dentro de las capas del material semiconductor.
%nte la presencia de este campo elctrico fuerte! algunos de los electrones que pasan el
canal fuente8compuerta ganan suficiente energ+a como para formar un tnel y atravesar la
capa aislante que normalmente a+sla la compuerta flotante. En la medida que estos
electrones se acumulan en la compuerta flotante! dicha compuerta toma carga negativa! lo
que finalmente produce que la celda tenga un 1.
Los tiempos medios de borrado de una E)$(&! por eEposicin a la lu" ultravioleta! oscilan
entre 9. y F. minutos.
<al como mencionramos anteriormente! el proceso de borrado de los datos contenidos en
una E)$(& es llevado a cabo eEponiendo la misma a lu" ultravioleta. El punto reside en que
la misma contiene fotones #5uantos de energ+a electromagntica' de energ+a relativamente
alta.
M'M"RI( ''PR"M , '+'%!RI%(+ 'R()(B+' PR"*R(MM(B+' R'(# "+- M'M"R- .
La memoria !!PROM es programable y borrable elctricamente y su nombre proviene de
la sigla en ingls !lectrical !rasable Programmable Read Only Memory. %ctualmente
estas memorias se construyen con transistores de tecnolog+a MOS #Metal O%ide Silice' y
MNOS #Metal Nitride&O%ide Silicon'.
Las celdas de memoria en las !!PROM son similares a las celdas !PROM y la
diferencia bsica se encuentra en la capa aislante alrededor de cada compuesta flotante!
la cual es ms delgada y no es fotosensible.
Las memorias EE)$(& #!lectrically !rasable Programmable Read&Only Memory' son
memorias no voltiles y elctricamente borrables a nivel de bytes. La posibilidad de
programar y borrar las memorias a nivel de bytes supone una gran fleEibilidad! pero
tambin una celda de memoria ms complea. %dems del transistor de puerta flotante
anterior! es preciso un segundo transistor de seleccin. El tener > transistores por celda
hace que las memorias EE)$(& sean de baa densidad y mayor coste. La programacin
requiere de tiempos que oscilan entre 9KP

s y R>K

s?byte. Drente a las memorias

E)$(&! presenta la ventaa de permitir su borrado y programacin en placa! aunque
tienen mayor coste debido a sus dos transistores por celda.
2na ventaa adicional de este tipo de memorias radica en que no necesitan de una alta
tensin de grabado! sirven los K voltios de la tensin de alimentacin habitual.
CE OE WE
LE5<2$%

. . 9
E05$1<2$% . 9 .
;enta:as de la ''PR"M<
Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma individual.
)ara borra la informacin no se requiere lu" ultravioleta.
Las memorias !!PROM no requieren programador.
*e manera individual puedes borrar y reprogramar elctricamente grupos de caracteres o
palabras en el arreglo de la memoria.
)ara reescribir no se necesita hacer un borrado previo.
M'M"RI( 2+()9
La memoria "*AS+ es similar a la !!PROM! es decir que se puede programar y borrar
elctricamente! son de alta densidad #gran capacidad de almacenamiento de bits'. %lta
densidad significa que se puede empaquetar en una pequea superficie del chip! gran
cantidad de celdas! lo que implica que cuanto mayor sea la densidad! ms bits se pueden
almacenar en un chip de tamao determinado. 0in embargo esta rene algunas de las
propiedades de las memorias anteriormente vistas! y se caracteri"a por tener alta capacidad
para almacenar informacin y es de fabricacin sencilla! lo que permite fabricar modelos de
capacidad equivalente a las !PROM a menor costo que las !!PROM,
%parte de que las memorias E)$(& QDlashQ tienen una entrada de escritura! mientras estn
funcionando se comportan como las E)$(& normales. La nica diferencia se encuentra en
como se cargan y se borran los datos en la memoria. &ientras que durante el proceso de
programacin de las memorias E)$(& convencionales se necesita una tensin bien definida
durante cierto intervalo de tiempo! y para borrar el componente hay que eEponerlo a lu"
ultravioleta! en las E.Dlash ambos procesos estn controlados y se llevan a cabo
internamente. )ara tal efecto la memoria recibe una secuencia de comandos predefinida
#borrar! programar' que incluye algunas precauciones especiales #determinadas por el
fabricante' destinadas a evitar que se borre cualquier dato por error.
*urante el proceso de programacin o borrado se puede leer! mediante un comando de
acceso en QlecturaQ! el estado de la memoria E)$(& QDlashQ en la misma posicin que el
byte de programado o borrado. &ientras se borra un sector se puede leer cualquier direccin
que pertene"ca al sector.
(P+I%(%I"') #' +( M'M"RI( 2+()9
La &emoria Dlash es ideal para docenas de aplicaciones porttiles. <omemos como eemplo
las cmaras digitales. 1nsertando una tareta de &emoria Dlash de alta capacidad
directamente en la cmara! usted puede almacenar cientos de imgenes de alta resolucin.
5uando este listo para baarlas! simplemente retire la tareta y transfirala a su computadora
de escritorio o porttil para su procesamiento. Las taretas de &emoria Dlash se austan a
entradas <ipo 11 #con o sin adaptador! dependiendo del tipo de tareta Dlash'. %hora esta usted
listo para cargar en segundos todas las imgenes capturadas para observarlas! manipularlas!
enviarlas por correo electrnico o imprimirlas. ,a nunca necesitara comprar rollos para
fotograf+a. 0ea cual sea su aplicacin o equipo porttil.
%ctualmente! los usos de &emoria Dlash se estn incrementando rpidamente. ,a sean
cmaras digitales! %sistentes *igitales )orttiles! reproductores de msica digital o telfonos
celulares! todos necesitan una forma fcil y confiable de almacenar y transportar informacin
vital.
!(B+( %"MP(R(!I;( '!R' M'M"RI()
4.- BIB+I"*R(2A(
http=@@www.virtual.unal.edu.co@cursos@ingenieria@>...GPP@lecciones@9..F.9.htm
http=@@www.virtual.unal.edu.co@cursos@ingenieria@>...GPP@lecciones@9..K.9.htm
http=@@www.monografias.com@trabaos9>@mosscur@mosscur.shtml
http=@@www."ona8ware".com@tutoriales8ingenieriaWelectrica.html
http=@@webdiee.cem.itesm.mE@web@servicios@archivo@manuales@microT.K9.pdf
http=@@cactus.fi.uba.ar@crypto@tps@tare.pdf
http=@@electronred.iespana.es@electronred@5ircuitosintegra.htm

%Bsar (rroCo %abrera
Estudiante de 1nformtica de la 2niversidad 7acional de <ruillo en )er
arroyocesar-FXhotmail.com