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FUNDAMENTOS DE ELECTRONICA



Alex Fuentes Flores














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Mdulo III / SEMICONDUCTORES

ESTRUCTURA ATMICA

Como sabemos existen materiales capaces de conducir la corriente elctrica mejor que
otros. Generalizando, se dice que los materiales que presentan poca resistencia al paso
de la corriente elctrica son conductores. Analgicamente, los que ofrecen mucha
resistencia al paso de esta, son llamados aislantes. No existe el aislante perfecto y
prcticamente tampoco el conductor perfecto.
Existe un tercer grupo de materiales denominados semiconductores que, como su
nombre lo indica, conducen la corriente bajo ciertas condiciones.
Lo que diferencia a cada grupo es su estructura atmica. Los conductores son,
generalmente, metales esto se debe a que dichos poseen pocos tomos en sus ltimas
rbitas y, por lo tanto, tienen tendencia a perderlos con facilidad. De esta forma, cuando
varios tomos de un metal, se acercan los electrones de su ltima rbita se desprenden
y circulan desordenadamente entre una verdadera red de tomos. Este hecho (libertad
de los electrones) favorece en gran medida el paso de la corriente elctrica.
Los aislantes, en cambio, estn formados por tomos con muchos electrones en sus
ltimas rbitas (cinco a ocho), por lo que, no tienen tendencia a perderlos fcilmente y a
no establecer una corriente de electrones. De ah su alta resistencia.
Tambin existe otro tercer tipo de materiales, que cambia en mayor o menor medida la
caracterstica de los anteriores, los semiconductores. Su caracterstica principal es la de
conducir la corriente slo bajo determinadas circunstancias, y evitar el paso de ella en
otras.
Es, precisamente, en este tipo de materiales en los que la electrnica de estado slida
est basada. La estructura atmica de dichos materiales presenta una caracterstica
comn: est formada por tomos tetravalentes (es decir, con cuatro electrones en su
ltima rbita), por lo que les es fcil ganar cuatro o perder cuatro.

Semiconductores
Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente,
pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al movimiento de
las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen corrientes
producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos). Los
semiconductores son aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la Tabla
Peridica (Silicio, Germanio, etc. Generalmente a estos se le introducen tomos de otros
elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente
a los electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza introducida. Otra
caracterstica que los diferencia se refiere a su resistividad, estando sta comprendida
entre la de los metales y la de los aislantes. Disposicin esquemtica de los tomos de

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un semiconductor de silicio puro, No existen electrones ni huecos libres. La disposicin
esquemtica de los tomos para un semiconductor de silicio podemos observarla en la
figura de arriba, Las regiones sombreadas representan la carga positiva neta de los
ncleos y los puntos negros son los electrones, menos unidos a los mismos.
La fuerza que mantiene unidos a los tomos entre s es el resultado del hecho de que
los electrones de conduccin de cada uno de ellos, son compartidos por los cuatro
tomos vecinos. A temperaturas bajas la estructura normal es la que se muestra en la
figura de arriba en la cual no se observa ningn electrn ni hueco libre y por tanto el
semiconductor se comporta como un aislante.
Estos cuatro electrones se encuentran formando uniones covalentes con otros tomos
vecinos para as formal un cristal, que es la forma que se los encuentra en la naturaleza.
Si esta estructura se encuentra a una temperatura muy baja o en el cero absoluto, el
cristal tendr tan poca energa que no har posible la conduccin elctrica. Al aumentar
la temperatura (a temperatura ambiente por ejemplo) ciertos electrones adquieren
suficiente energa para romper el enlace del que forman parte y "saltar" al siguiente
orbital. Esto provoca la formacin de un espacio vaco, que por carencia de electrones,
posee carga positiva, a este espacio se lo denomina hueco.
El aumento de temperatura rompe algunas uniones entre tomos liberndose un cierto
nmero de electrones.
En cambio, a la temperatura ambiente (20-25 grados C.) algunas de las fuertes uniones
entre los tomos se rompen debido al calentamiento del semiconductor y como
consecuencia de ello algunos de los electrones pasan a ser libres. En la figura siguiente
se representa esta situacin. La ausencia del electrn que perteneca a la unin de dos
tomos de silicio se representa por un crculo. La forma en que los huecos contribuyen a
la corriente, se detalla seguidamente Cuando un electrn puede vencer la fuerza que le
mantiene ligado al ncleo y por tanto abandona su posicin, aparece un hueco, y le
resulta relativamente fcil al electrn del tomo vecino dejar su lugar para llenar este
hueco.
Este electrn que deja su sitio para llenar un hueco, deja a su vez otro hueco en su
posicin inicial, De esta manera el hueco contribuye a la corriente lo mismo que el
electrn, con una trayectoria de sentido opuesto a la de ste.

Niveles De Energa
Un cristal est formado por un conjunto de tomos muy prximos entre s dispuestos
espacialmente de forma ordenada de acuerdo con un determinado patrn geomtrico.
La gran proximidad entre los tomos del cristal hace que los electrones de su ltima
capa sufran la interaccin de los tomos vecinos.
El nivel energtico de cada uno de estos electrones puede estar situado en la "banda de
valencia" o en la "banda de conduccin" del cristal. Un electrn que ocupe un nivel
dentro de la banda de valencia est ligado a un tomo del cristal y no puede moverse
libremente por l mientras que si el nivel ocupado pertenece a la banda de conduccin,

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el electrn puede moverse libremente por todo el cristal, pudiendo formar parte de una
corriente elctrica.
Entre la banda de valencia y la de conduccin existe una "banda prohibida", cuyos
niveles no pueden ser ocupados por ningn electrn del cristal. Segn la magnitud de
esta banda, los cristales pueden clasificarse en aislantes, conductores y
semiconductores.


Aislantes
La magnitud de la banda prohibida es muy grande (6 eV), de forma que todos los
electrones del cristal se encuentran en la banda de valencia incluso a altas temperaturas
por lo que, al no existir portadores de carga libres, la conductividad elctrica del cristal
es nula.
Un ejemplo es el diamante.

Conductores
No existe banda prohibida, estando solapadas las bandas de valencia y conduccin.
Esto hace que siempre haya electrones en la banda de conduccin, por lo que su
conductividad es muy elevada. Esta conductividad disminuye lentamente al aumentar la
temperatura, por efecto de las vibraciones de los tomos de la red cristalina.
Un ejemplo son todos los metales.

Semiconductores
La magnitud de la banda prohibida es pequea ( 1 eV ), de forma que a bajas
temperaturas son aislantes, pero conforme aumenta la temperatura algunos electrones
van alcanzando niveles de energa dentro de la banda de conduccin, aumentando la
conductividad. Otra forma de aumentar la conductividad es aadiendo impurezas que
habiliten niveles de energa dentro de la banda prohibida.
El germanio y el silicio son semiconductores.

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Aceptadores Y Donadores

Se denomina semiconductor puro aqul en que los tomos que lo constituyen son todos
del mismo tipo (por ejemplo de germanio), es decir no tiene ninguna clase de impureza.
Si a un semiconductor puro como el silicio o el germanio, se le aade una pequea
cantidad de tomos distintos (por ejemplo arsnico, fsforo, etc). Se transforma en un
semiconductor impuro.
A las impurezas se las clasifica en donadoras y aceptadoras. Si a la estructura del
semiconductor de silicio se le aade alguna impureza, como puede ser el arsnico (As),
que tiene cinco electrones externos ligados al ncleo con carga positiva +5, se obtiene
la forma que se muestra en la figura.
Ahora, bien para aumentar la conduccin de cualquier semiconductor se recurre a un
proceso denominado "dopado" o "envenenamiento". El objeto del mencionado proceso
es el del aumentar la cantidad de portadores libres en el cristal provocando un aumento
en la conductividad del mismo (recordar que la corriente es el flujo de portadores)
El dopado del cristal es realizado con tomos trivalentes (con tres electrones en su
ltima rbita) o pentavalentes (con cinco). Esta eleccin no es resultado de un proceso
azaroso sino que uno u otro tipo de tomo aumentarn a su vez la presencia de uno u
otro tipo de portador. Cmo es esto?: el silicio, como ya se ha dicho, tiene cuatro
electrones en su ltima rbita que se combinan a su vez con otros tomos para formar
un cristal. Al introducir un tomo penta o trivalente en dicho cristal, se provocar un
aumento o un defecto de electrones que har aumentar la cantidad portadores.
Si se introduce un tomo pentavalente (P, Sb, As) en un cristal puro, cuatro de sus
electrones se unirn a cuatro electrones de los tomos de silicio vecinos, pero el quinto
queda libre, sin formar parte de ninguna unin, por lo que est dbilmente ligado al
tomo: Este electrn libre, requerir muy poca energa para "saltar" a la banda de
conduccin. La energa trmica del ambiente basta para provocar este salto. De esta
forma al agregar tomos pentavalentes agregamos electrones en la banda de
conduccin, es decir, agregamos portadores.
Cabe mencionar que los mencionados tomos pentavalentes se ubican en un nivel de
energa mucho ms cercano a la banda de conduccin que la banda de valencia,
denominado "nivel donador este nivel se ubica a una distancia, energticamente
hablando, de 0,05 electron-volt, mientras que la distancia entre las bandas de un
semiconductor es de 0,7 eV.
De la misma forma, podemos dopar al cristal con tomos trivalentes (como el boro, el
Alumnio, el Galio, etc), esto provocar un exceso de electrones en el cristal, ya tres de
los cuatro electrones de la ltima rbita del Silicio se combinan con los tres electrones
del anterior tomo. Esto trae como consecuencia la generacin de un espacio sin
electrones, que tendr carga positiva, es decir, esto generar un hueco.

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De esta forma podemos controlar de manera casi definida, a travs del dopado, la
cantidad de electrones o huecos que existen en un cristal. A este tipo de cristal se le
denomina extrnseco, ya que fue modificado por elementos exteriores

Semiconductores Tipo P Y Tipo N

Cuatro de los cinco electrones del tomo de arsnico se unirn a los correspondientes
electrones de los cuatro tomos de silicio vecinos, y el quinto quedar inicialmente libre,
sin una posible unin, y por tanto se convertir en un portador de corriente. A este tipo
de impurezas que entregan electrones portadores (negativos) se los denomina
donadores o del tipo n.
En un semiconductor con impurezas del tipo n, no slo aumenta el nmero de
electrones sino que tambin la cantidad de huecos disminuye por debajo del que tena
el semiconductor puro. La causa de esta disminucin se debe a que una parte de los
electrones libres llena algunos de los huecos existentes.
Si al semiconductor puro de silicio se le aade algn tipo de impureza que tenga tres
electrones externos, solo podr formar tres uniones completas con los tomos de silicio,
y la unin incompleta dar lugar a un hueco.
Este tipo de impurezas proporcionan entonces portadores positivos, ya que crean
huecos que pueden aceptar electrones; por consiguiente son conocidos con el nombre
de aceptores, o impurezas del tipo p. Al contrario de lo que suceda antes en el tipo n
en un semiconductor con impurezas de tipo p los portadores que disminuyen son los
electrones en comparacin, con los que tena el semiconductor puro.
A los semiconductores que contengan ya sea impurezas donadoras o aceptad se les
llama respectivamente de tipo n o p. En un semiconductor del tipo n, los electrones se
denominan portadores mayoritarios y los huecos portadores minontarios. En un material
de tipo p, los huecos son portadores mayoritarios, y los electrones portadores
minoritarios.
Veamos ahora, qu ocurre si a un cristal extrnseco le conectamos una fuente externa
de tensin. Al existir mayor cantidad de portadores (no importa de qu tipo), circular
por el cristal una corriente mucho mayor que en el no dopado. El valor de esta corriente
depender de que tan contaminado est el material.
Si el cristal es de tipo 'n' la corriente se deber casi en su totalidad a los electrones en la
banda de conduccin, aunque siempre existe una pequea corriente producida por los
huecos generados trmicamente. Anlogamente, si el cristal es del tipo 'p' la corriente
estar regida por huecos mayormente, existiendo, sin embargo, una pequea corriente
de electrones.

Polarizacin Directa E Inversa De La Unin P-N
El diodo de unin P-N es el dispositivo semiconductor ms elemental. Consiste en el
dopado de una barra de cristal semiconductor en una parte con impurezas donadoras
(tipo N) y en la otra con impurezas aceptadoras (tipo P). De esta forma, en la parte P

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existe mucha mayor concentracin de huecos que de electrones libres y en la parte N
ocurre lo contrario. La conductividad del diodo es diferente segn sea el sentido en que
se aplique un campo elctrico externo. Existen dos posibilidades de aplicacin de este
campo: polarizacin inversa y polarizacin directa. Polarizacin inversa. Consiste en
aplicar a la parte N del diodo una tensin ms positiva que a la parte P. De esta forma,
el campo elctrico estar dirigido de la parte N a la parte P y los huecos tendern a
circular en ese sentido
Mientras que los electrones tendern a circular en sentido contrario. Esto significa que
circularan huecos de la parte N (donde son muy minoritarios) a la parte P (donde son
mayoritarios), por lo que esta corriente se ve contrarrestada por una corriente de
difusin que tiende a llevar a los huecos de donde son mayoritarios (parte P) hacia
donde son minoritarios (Parte N). Por consiguiente, la corriente global de huecos es
prcticamente nula. Algo totalmente anlogo ocurre con la corriente de electrones, la
corriente de arrastre va en sentido contrario a la de difusin, contrarrestndose ambas y
produciendo una corriente total Prcticamente nula.
La corriente total es la suma de la de huecos ms la de electrones y se denomina
Corriente inversa de saturacin (Is). En la prctica, el valor de esta corriente es muy
pequeo (del orden de nA en el Silicio) y depende de la temperatura de forma que
aumenta al aumentar esta.

Polarizacin directa.
Consiste en aplicar a la parte P del diodo una tensin ms positiva que a la parte N. De
esta forma, el campo elctrico estar dirigido de la parte P a la parte N. Esto significa
que circularan huecos de la parte P (donde son mayoritarios) a la parte N (donde son
minoritarios) por lo que esta corriente tiene el mismo sentido que la corriente de difusin.
De esta forma, la corriente total de huecos es muy alta. Un proceso anlogo ocurre para
la corriente de electrones. La corriente total es la suma de la de huecos y la de
electrones y toma un valor elevado a partir de un determinado valor de tensin (tensin
umbral, V) que depende del tipo de semiconductor (en el Silicio es aproximadamente de
0,7 V y en el Germanio de 0,2 V). Puede considerarse que el diodo es el dispositivo
binario ms elemental, ya que permite el paso de corriente en un sentido y lo rechaza en
sentido contrario.

TIPOS DE DIODO
Existen varios tipos de diodos, de algunos ya se habl en otra pgina y de los cuales
haremos mencin en esta, con este tipo de componente te vas a encontrar en todos los
aparatos electrnicos, ya que es un componente de importancia. Vamos a resaltar los
que de alguna forma son los ms usados y de importancia, trataremos a cada uno de
estos en resumen.




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DIODOS RECTIFICADORES
Los diodos rectificadores son los que en principio conocemos, estos facilitan el paso de
la corriente continua en un slo sentido (polarizacin directa), en otras palabras, si
hacemos circular corriente alterna a travs de un diodo rectificador esta solo lo har en
la mitad de los semiciclos, aquellos que polaricen directamente el diodo, por lo que a la
salida del mismo obtenemos una seal de tipo pulsatoria pero continua. Se conoce por
seal o tensin continua aquella que no vara su polaridad.



DIODOS DE TRATAMIENTO DE SEAL (RF)
Los diodos de tratamiento de seal necesitan algo ms de calidad de fabricacin que los
rectificadores. Estos diodos estn destinados a formar parte de etapas moduladoras,
demoduladoras, mezcla y limitacin de seales, etc. Uno de los puntos ms crticos en
el diodo, al momento de trabajar con media y alta frecuencia, se encuentra en la
"capacidad de unin", misma que se debe a que en la zona de la Unin PN se forman
dos capas de carga de sentido opuesto que conforman una capacidad real.
En los diodos de RF (radio frecuencia) se intenta que dicha capacidad sea reducida a su
mnima expresin, lo cual ayudar a que el diodo conserve todas sus habilidades
rectificadoras, incluso cuando trabaje en altas frecuencias.
Entre los diodos ms preparados para lidiar con las altas frecuencias destaca el diodo
denominado Schottky. Este diodo fue desarrollado a principio de los sesenta por la
firma Hewletty, deriva de los diodos de punta de contacto y de los de unin PN de los
que han heredado el procedimiento de fabricacin.

DIODOS DE CAPACIDAD VARIABLE (VARICAP)
La capacidad formada en los extremos de la unin PN puede resultar de gran utilidad
cuando, al contrario de lo que ocurre con los diodos de RF, se busca precisamente
utilizar dicha capacidad en provecho del circuito en el cual se est utilizando el diodo. Al
polarizar un diodo de forma directa se observa que, adems de las zonas constitutivas
de la capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una resistencia de muy bajo
valor hmico, lo que conforma un capacitor de elevadas prdidas. Sin embargo, si
polarizamos el mismo en sentido inverso la resistencia en paralelo que aparece es de un
valor muy alto, lo cual hace que el diodo se pueda comportar como un capacitor con
muy bajas prdidas. Si aumentamos la tensin de polarizacin inversa las capas de
carga del diodo se esparcan lo suficiente para que el efecto se asemeje a una
disminucin de la capacidad del hipottico capacitor (el mismo efecto producido al
distanciar las placas del un capacitor estndar).

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Por esta razn podemos terminar diciendo que los diodos de capacidad variable, ms
conocidos como varicap's, varan su capacidad interna al ser alterado el valor de la
tensin que los polariza de forma inversa.
La utilizacin ms solicitada para este tipo de diodos suele ser la de sustituir a
complejos sistemas mecnicos de capacitor variable en etapas de sintona en todo tipo
de equipos de emisin y recepcin, ejemplo, cuando cambiamos la sintona de un
receptor antiguo, se vara mecnicamente el eje de un capacitor variable en la etapa de
sintona; pero si por el contrario, pulsamos un botn de sintona de un receptor de
televisin moderno, lo que hacemos es variar la tensin de polarizacin de un diodo
varicap que se encuentra en el mdulo sintonizador del TV.



DIODO ZENER
Cuando se estudian los diodos se recalca sobre la diferencia que existe en la grfica
con respecto a la corriente directa e inversa. Si polarizamos inversamente un diodo
estndar y aumentamos la tensin llega un momento en que se origina un fuerte paso
de corriente que lleva al diodo a su destruccin. Este punto se da por la tensin de
ruptura del diodo. Se puede conseguir controlar este fenmeno y aprovecharlo, de tal
manera que no se origine la destruccin del diodo. Lo que tenemos que hacer el que
este fenmeno se d dentro de mrgenes que se puedan controlar. El diodo zener es
capaz de trabajar en la regin en la que se da el efecto del mismo nombre cuando las
condiciones de polarizacin as lo determinen y volver a comportarse como un diodo
estndar toda vez que la polarizacin retorne a su zona de trabajo normal. En resumen,
el diodo zener se comporta como un diodo normal, a no ser que alcance la tensin
zener para la que ha sido fabricado, momento en que dejar pasar a travs de l una
cantidad determinada de corriente. Este efecto se produce en todo tipo de circuitos
reguladores, limitadores y recortadores de tensin.


FOTODIODOS
Algo que se ha utilizado en favor de la tcnica electrnica moderna es la influencia de la
energa luminosa en la ruptura de los enlaces de electrones situados en el seno

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constitutivo de un diodo. Los fotodiodos no son diodos en los cuales se ha optimizado el
proceso de componentes y forma de fabricacin de modo que la influencia luminosa
sobre su conduccin sea la mxima posible. Esto se obtiene, por ejemplo, con
fotodiodos de silicio en el mbito de la luz incandescente y con fotodiodos
de germanio en zonas de influencia de luz infrarroja.



DIODOS LED (LUMINISCENTES)
Este tipo de diodos es muy popular, sino, veamos cualquier equipo electrnico y
veremos por lo menos 1 ms diodos led. Podemos encontrarlos en diferentes formas,
tamaos y colores diferentes. La forma de operar de un led se basa en la recombinacin
de portadores mayoritarios en la capa de barrera cuando se polariza una unin Pn en
sentido directo. En cada recombinacin de un electrn con un hueco se libera cierta
energa. Esta energa, en el caso de determinados semiconductores, se irradia en forma
de luz, en otros se hace de forma trmica.
Dichas radiaciones son bsicamente monocromticas (sin color). Por un mtodo de
"dopado" del material semiconductor se puede afectar la energa de radiacin del diodo.
El nombre de LED se debe a su abreviatura en ingles (Light Emmiting Diode). Adems
de los diodos led existen otros diodos con diferente emisin, como la infrarroja, y que
responden a la denominacin IRED (Diodo emisor de infra-rojos).


Rectificador de media onda
Todo circuito requiere para su funcionamiento de una FUENTE DE ALIMENTACIN
elctrica, este dispositivo se compone a base de varias etapas.
En este tema analizaremos la segunda etapa que compone nuestra fuente de
alimentacin, iniciando los rectificadores de media onda. Un circuito rectificador de
forma sencilla se muestra en la figura.

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Donde la carga del rectificador es una resistencia donde el secundario del transformador
tiene un rectificador que alimenta a la resistencia que acta como carga. El voltaje del
secundario del transformador es una seal sinusoidal de amplitud Vmax, entonces la
seal en funcin del tiempo ser E(t)= Vmax sen (t).
Si observamos la forma de onda de la corriente vemos que es peridica, Se puede
observar que las amplitudes de las armnicas se dan en forma decreciente de manera
tal que podemos decir que slo la primera armnica tiene un peso considerable,
tomando una aproximacin de la corriente con dos componentes.

Ahora bien, si colocamos el mismo circuito de la siguiente manera se aumenta la
corriente, para que soporte la corriente, (la corriente se divide, por el doble diodo).
Podemos as calcular los voltajes de salida de este por las siguientes formulas:
a. Vdc = (0.45) (voltajes eficaces del secundario)
b. Vdc = (0.318) (voltaje pico rectificado)


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Este tipo de rectificador, tiene la particularidad de que el valor de la FRECUENCIA de
salida, es igual al de la seal de entrada.
El factor de rizo, es igual a 1.21 y el porcentaje es de 121%, es demasiado elevado por
lo que tiene que emplearse eficaces circuitos de filtro (tercera etapa de la fuente).
Si colocamos un capacitor en paralelo con la resistencia tendremos un filtrado
rudimentario de la tensin suministrada a la carga. Si consideramos rgimen
permanente podemos analizar cmo se establece en el tiempo la tensin sobre la carga
y corriente sobre la resistencia y el capacitor para lo cual analicemos las formas de onda
de los mismos.
La tensin que entrega el generador de funciones es sinusoidal que en primera instancia
ir cargando al capacitor hasta el mximo nivel, luego la tensin en el generador
empieza a decrecer pero el capacitor sigue aumentando el nivel de tensin porque la
corriente lo sigue alimentando, cuando la tensin en el capacitor es superior en 0,7 Volt
decimos que el diodo se polariza en inversa, porque se invierten las polaridades el
ctodo se hace positivo respecto del nodo, interrumpindose la corriente sobre el
diodo, que se dar en el instante t1, luego el capacitor se comportar como fuente de
tensin descargndose exponencialmente sobre la resistencia, hasta que la tensin
sobre el diodo vuelva a ser positivo el nodo respecto del ctodo.

Rectificador de onda completa
Tenemos dos tipos de configuraciones distintas que pueden ser Tipo puente o
transformador con punto medio (TAP central) tal como se observan en la figura
siguiente:

Veremos el funcionamiento del circuito rectificador de onda completa con transformador
con PUNTO MEDIO.

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Como se puede apreciar en la figura, se puede considerar a este circuito como dos
rectificadores de media onda, donde la alimentacin a la carga esta en contratase es
decir que las tensiones sobre el secundario del transformador estn desfasadas 180
entre si, es decir durante el semiciclo positivo de VAC, se enciende el diodo D1, donde
la corriente se cerrar a travs de la carga y en semiciclo negativo se pone en inversa
D1 pero se pone en directa D2 manteniendo la corriente sobre la carga, tal como lo
podemos ver en la figura Otro detalle interesante es estudiar cual es la tensin que debe
soportar los diodos cuando no estn conduciendo, por ejemplo cuando conduce D1 se
puede ver que la tensin del punto A menos 0,7 Volt aparece sobre el ctodo del diodo
D2, debiendo soportar el mximo de la tensin VAB-0.7 en inversa.
Otra desventaja que presenta este tipo de rectificacin es que por el secundario del
transformador circula corriente en un solo sentido y durante un semiciclo que deriva en
la generacin de corriente continua que puede llevar a la saturacin del ncleo pudiendo
deformar la onda de tensin.
Podemos calcular el voltaje directo con las siguientes formulas:
VCD = (0.9) (1/2 DEL VOLTAJE EFICAZ SECUNDARIO)
VCD = (0.636) (VOLTAJE PICO RECTIFICADO)
El factor de rizo es 0.482 es decir, 48.2% en este tipo de dispositivo, la frecuencia del
rizo de salida es el doble de la seal de entrada.
Analicemos ahora el rectificador de onda completa tipo PUENTE.

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Vemos que cuando la tensin VAB es positiva quedan polarizados en directa los diodos
y D2 circulando la corriente desde D1 pasando por la resistencia de carga y cerrndose
por D2, en el prximo semiciclo se cortan los diodos D1 y D2 pero se ponen en directa
los diodos D3 y D4 establecindose una corriente que sale de D3 pasa por la resistencia
y se cierra a travs de D4 circulando por la resistencia la corriente en una sola direccin.
Si se coloca un capacitor en paralelo con la carga tendremos como resultado algo
similar al rectificador de media onda, con la salvedad que ahora la frecuencia de las
ondas ser el doble y una forma de aproximacin para la determinacin del riple es
tomando la relacin entre el V y el valor Vdc de tensin continua para este circuito
tenemos las siguientes formulas:
Vcd = (0.9) ( V. Eficaz del secundario)
Vcd = (0.636) (voltaje pico rectificado)


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Rectificador de media onda con filtro capacitivo
En la figura 6 se ilustra el circuito de un rectificador de media onda con filtro capacitivo.

Figura 6. Un rectificador de media onda con filtro capacitivo.

El capacitor y la resistencia configuran un filtro pasabajos. Sin embargo, debe tenerse
en cuenta que debido a la no linealidad del circuito que lo precede, el filtro no se limita a
mantener el valor de continua (valor medio) de la onda rectificada y rechazar los
armnicos.
Con referencia a la figura 7, supongamos que inicialmente el capacitor est descargado.
Mientras Vs crece hacia valores positivos, el diodo se polarizar en forma directa y por
lo tanto conducir. Dado que la resistencia de la fuente y la resistencia dinmica del
diodo se han considerado idealmente nulas, la tensin de salida (igual a la cada en el
paralelo RL//C) seguir a la de la entrada. Este proceso continuar hasta el momento t1
en que la tensin de entrada disminuya ms rpidamente que la descarga de C a travs
de RL, ya que en ese caso el diodo pasar a estar polarizado inversamente y dejar de
conducir. A partir de ese momento la tensin de salida se desvincula de la de la entrada,
siguiendo la evolucin exponencial de la descarga del capacitor a travs de la
resistencia de carga. Mientras tanto, la entrada continuar con su variacin sinusoidal,
se har negativa y luego volver a ser positiva. En un instante t2 la cada exponencial
de la salida se cruzar con el ascenso sinusoidal de la entrada, y a partir de entonces el
diodo volver a conducir, repitindose el proceso anterior. Obsrvese que el diodo
conduce slo durante una fraccin del perodo, por lo cual tanto su corriente de pico Ip
como su corriente eficaz Irms pueden llegar a ser varias veces superiores a la corriente
media, Imed lo cual en general implica sobredimensionar los diodos.




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Figura 7. Entrada y salida del rectificador de media onda con filtro de la figura 6.

Puede sorprender el hecho de que la corriente eficaz por el diodo sea mayor que la
corriente eficaz por la carga (que para un rectificador con bajo ripple es
aproximadamente igual a la corriente media). Esto se debe a que la fuente no est
cargada siempre con la misma resistencia, a diferencia del rectificador completo incluido
el capacitor, que est cargado con RL. Por eso, a pesar de que la fuente entrega a
travs del diodo la misma potencia media que termina recibiendo la resistencia de carga,
su corriente eficaz es mayor.
En el anlisis del funcionamiento de este rectificador con filtro no nos detuvimos en la
influencia de la constante de tiempo = RLC, cuestin que trataremos ahora.
Evidentemente, cuanto mayor sea , ms lenta ser la cada durante el intervalo de
corte del diodo, lo cual significa que el valor alcanzado en el instante t2 ser ms alto,
aproximndose, para >> T, al valor de pico Vp. Esta situacin se ilustra en la figura 8.

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Figura 8. Forma de onda en la carga para tres valores de la constante de tiempo =
RLC. Conforme va aumentando, la tensin media en la carga se aproxima a Vp, el
ripple disminuye y el intervalo de conduccin del diodo se reduce.

TRANSISTORES
Simbologa. Convenio de tensiones y corrientes
El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -emisor, colector y base-, que,
atendiendo a su fabricacin, puede ser de dos tipos: NPN y PNP. En la figura 1 se
encuentran los smbolos de circuito y nomenclatura de sus terminales. La forma de
distinguir un transistor de tipo NPN de un PNP es observando la flecha del terminal de
emisor. En un NPN esta flecha apunta hacia fuera del transistor; en un PNP la flecha
apunta hacia dentro. Adems, en funcionamiento normal, dicha flecha indica el sentido
de la corriente que circula por el emisor del transistor.

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En general se definen una serie de tensiones y corrientes en el transistor, como las que
aparecen en las figuras 2 y 3. Esta definicin es la que se usar a lo largo del presente
cuadernillo y sigue una representacin fsica de las mismas (pues en funcionamiento
normal todas las corrientes y tensiones definidas son positivas). Existen otras formas de
indicar dichas tensiones y corrientes, aunque no se tratarn aqu.

Estructura fsica
El transistor bipolar es un dispositivo formado por tres regiones semiconductoras, entre
las cuales se forman unas uniones (uniones PN). En la figura 4 observamos el aspecto
til para anlisis de un transistor bipolar. Siempre se ha de cumplir que el dopaje de las
regiones sea alterno, es decir, si el emisor es tipo P, entonces la base ser tipo N y el
colector tipo P. Esta estructura da lugar a un transistor bipolar tipo PNP. Si el emisor es
tipo N, entonces la base ser P y el colector N, dando lugar a un transistor bipolar tipo
NPN.

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El transistor se fabrica sobre un substrato de silicio, en el cual se difunden impurezas1,
de forma que se obtengan las tres regiones antes mencionadas. En la figura 5 vemos el
aspecto tpico de un transistor bipolar real, de los que se encuentran en cualquier
circuito integrado. Sobre una base n (substrato que acta como colector), se difunden
regiones p y n+, en las que se ponen los contactos de emisor y base.


Es de sealar que las dimensiones reales del dispositivo son muy importantes para el
correcto funcionamiento del mismo. Obsrvese la figura 6, en ella se pretende dar una
idea de las relaciones de tamao que deben existir entre las tres regiones para que el
dispositivo cumpla su misin.
El emisor ha de ser una regin muy dopada (de ah la indicacin p+). Cuanto
ms dopaje tenga el emisor, mayor cantidad de portadores podr aportar a la
corriente.
La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca
recombinacin en la misma, y prcticamente toda la corriente que proviene de

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emisor pase a colector, como veremos ms adelante. Adems, si la base no es
estrecha, el dispositivo puede no comportarse como un transistor, y trabajar como
si de dos diodos en oposicin se tratase.
El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las caractersticas
de esta regin tienen que ver con la recombinacin de los portadores que
provienen del emisor. En posteriores apartados se tratar el tema.

Por ltimo, en la figura 7 vemos el resto de componentes de un transistor bipolar, que
son los contactos metlicos y los terminales (recordemos que el transistor es un
dispositivo de 3 terminales)


FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR
El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales gracias al cual es posible
controlar un gran potencia a partir de una pequea. En la figura se puede ver un ejemplo
cualitativo del funcionamiento del mismo. Entre los terminales de colector (C) y emisor
(E) se aplica la potencia a regular, y en el terminal de base (B) se aplica la seal de
control gracias a la que controlamos la potencia. Con pequeas variaciones de corriente
a travs del terminal de base, se consiguen grandes variaciones a travs de los
terminales de colector y emisor. Si se coloca una resistencia se puede convertir esta
variacin de corriente en variaciones de tensin segn sea necesario.

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Fundamentos fsicos del efecto transistor
El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula entre
el emisor y el colector del mismo, mediante la corriente de base. En esencia un
transistor se puede considerar como un diodo en directa (unin emisor-base) por el que
circula una corriente elevada, y un diodo en inversa (unin base-colector), por el que, en
principio, no debera circular corriente, pero que acta como una estructura que recoge
gran parte de la corriente que circula por emisor-base. En la figura 9 se puede ver lo que
sucede. Se dispone de dos diodos, uno polarizado en directa (diodo A) y otro en inversa
(diodo B). Mientras que la corriente por A es elevada (IA), la corriente por B es muy
pequea (IB). Si se unen ambos diodos, y se consigue que la zona de unin (lo que
llamaremos base del transistor) sea muy estrecha, entonces toda esa corriente que
circulaba por A (IA), va a quedar absorbida por el campo existente en el diodo B. De
esta forma entre el emisor y el colector circula una gran corriente, mientras que por la
base una corriente muy pequea. El control se produce mediante este terminal de base
porque, si se corta la corriente por la base ya no existe polarizacin de un diodo en
inversa y otro en directa, y por tanto no circula corriente.

Corrientes y tensiones
Para el anlisis de las distintas corrientes que aparecen en un transistor vamos a
considerar un transistor de tipo PNP, que polarizamos tal y como aparece en la figura
10. Este tipo de polarizacin ser el usado cuando el transistor trabaje en regin activa,
como se ver en los siguientes apartados. La unin emisor-base queda polarizada como
una unin en directa, y la unin colector-base como una unin en inversa.

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En la figura 11 se muestran las principales corrientes (de electrones y huecos) que
aparecen en el transistor tras aplicar la polarizacin indicada en la figura 10. Se puede
observar lo siguiente:


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Entre el emisor y la base aparece una corriente (IEp + IEn) debido a que la unin
est en directa
El efecto transistor provoca que la mayor parte de la corriente anterior NO circule
por la base, sino que siga hacia el emisor (ICp).
Entre el colector y la base circula una corriente mnima por estar polarizada en
inversa (ICn ms una parte nfima de ICp).
Por la base realmente circula una pequea corriente del emisor, ms otra de
colector, ms la corriente de recombinacin de base (IEn+ICn+IBr).
Entre el emisor y la base aparece una corriente (IEp + IEn) debido a que la unin
est en directa.
El efecto transistor provoca que la mayor parte de la corriente anterior NO circule
por la base, sino que siga hacia el emisor (ICp).
Entre el colector y la base circula una corriente mnima por estar polarizada en
inversa (ICn ms una parte nfima de ICp).
Por la base realmente circula una pequea corriente del emisor, ms otra de
colector, ms la corriente de recombinacin de base (IEn+ICn+IBr).

A partir de lo anterior podemos obtener algunas ecuaciones bsicas como son las
siguientes:
I
E
+ I
B
+

I
C
= 0
Esta ecuacin viene impuesta por la propia estructura del circuito, es decir, el transistor
es un nodo con tres entradas o salidas, por tanto la suma de las corrientes que entran o
salen al mismo ha de ser cero. Cada una de las corrientes del transistor se puede poner
en funcin de sus componentes de la siguiente forma:

Funcionamiento cualitativo del transistor
En funcin de las tensiones que se apliquen a cada uno de los tres terminales del
transistor bipolar podemos conseguir que ste entre en una regin u otra de
funcionamiento. Por regiones de funcionamiento entendemos valores de corrientes y
tensiones en el transistor, que cumplen unas relaciones determinadas dependiendo de
la regin en la que se encuentre.

Regiones de funcionamiento

Corte
Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales.
Concretamente, y a efectos de clculo, decimos que el transistor se encuentra en corte

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cuando se cumple la condicin: IE = 0 IE < 0 (Esta ltima condicin indica que la
corriente por el emisor lleva sentido contrario al que llevara en funcionamiento normal).
Para polarizar el transistor en corte basta con no polarizar en directa la unin base-
emisor del mismo, es decir, basta con que VBE=0.

Activa
La regin activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes en
todos sus terminales y se cumple que la unin base-emisor se encuentra polarizada en
directa y la colector-base en inversa.

En general, y a efectos de clculo, se considera que se verifica lo siguiente:

Donde V es la tensin de conduccin de la unin base-emisor (en general 0,6 voltios).

Saturacin
En la regin de saturacin se verifica que tanto la unin base-emisor como la base-
colector se encuentran en directa. Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y se
verifica slo lo siguiente:

Donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturacin suelen tener valores
determinados (0,8 y 0,2 voltios habitualmente).
Es de sealar especialmente que cuando el transistor se encuentra en saturacin circula
tambin corriente por sus tres terminales, pero ya no se cumple la relacin: IC =
x
IB

Consideraciones sobre potencia
Otro motivo por el que se puede destruir un transistor bipolar es la potencia mxima que
es capaz de disipar. En general se puede hablar de potencia en rgimen continuo y
potencia en rgimen alterno. En este cuaderno slo se considerar el rgimen continuo,
o de polarizacin del transistor bipolar.
La potencia disipada por cualquier componente viene dada por la ecuacin:


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En el caso particular de un transistor bipolar, consideramos que la potencia que disipa
viene dada por la corriente de colector multiplicada por la tensin que colector-emisor,
es decir:

El producto de la corriente de colector por la tensin colector-emisor indica la potencia
disipada por el dispositivo.
En funcin del tipo de transistor (de su fabricacin, caractersticas y encapsulado), de
las condiciones ambientales y del uso de disipadores, la potencia que puede soportar un
transistor vara.
La potencia mxima que puede disipar un transistor se puede representar en unos ejes
de coordenadas, obteniendo la hiprbola de mxima disipacin del dispositivo. En el
apartado de curvas caractersticas se muestra un ejemplo.

CURVAS CARACTERSTICAS
Entendemos por curvas caractersticas de un transistor la representacin grfica de las
relaciones entre sus corrientes y tensiones. Esta informacin es muy til para el
diseador a la hora de elegir uno u otro transistor para un circuito, pues permite tanto
observar todas las caractersticas del mismo, como realizar el diseo en s.
Las curvas caractersticas son representaciones grficas de 3 variables. En los ejes X e
Y se colocan dos de las variables, y se dibuja una curva para cada uno de los valores de
la tercera variable. En el siguiente apartado se expondr un ejemplo.
En funcin de qu tres variables se elijan para representar una curva caracterstica, y si
se consideran curvas de entrada o salida, se pueden definir los siguientes tipos de
grficas en los transistores bipolares:






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Curvas caractersticas en emisor comn

Como ejemplo se describen aqu las curvas caractersticas de salida en la configuracin
de emisor comn por ser la ms utilizada en la prctica.
Como se coment en el apartado anterior, las curvas caractersticas son la
representacin de diversas variables (tensiones o corrientes) de un transistor bipolar en
coordenadas cartesianas. En el caso concreto de curvas de salida en emisor comn, las
variables a representar son (vase tabla 1): IC, VCE e IB
En la figura 14 vemos las curvas caractersticas indicadas. Se representa en el eje Y la
corriente de colector (IC), en el eje X la tensin colector-emisor (VCE), y se dibuja una
curva para cada uno de los valores de la corriente de base (IB) que se consideren, por
ejemplo en la figura se toma el intervalo de 10 a 70 A.
A partir de estas curvas es posible determinar el punto de trabajo del transistor, es decir,
las tensiones y corrientes del mismo, una vez polarizado.

Identificacin de las regiones de funcionamiento en las curvas caractersticas
Es posible identificar las distintas regiones de funcionamiento de un transistor bipolar en
sus curvas caractersticas. En la figura 15 se muestran las curvas caractersticas en
emisor comn con la indicacin de cada una de las regiones de funcionamiento.
Atendiendo a la definicin dada de regiones de funcionamiento se identifican de la
siguiente forma:
Regin de corte. Cuando no circula corriente por el emisor del transistor, lo cual
se puede aproximar como la no circulacin de corriente por el colector y la base,
luego la zona corresponde a corriente IB=IE=IC=01.
Regin de saturacin. En esta regin se verifica que la tensin colector-emisor es
muy pequea (VCE 0,2V, zona prxima al eje de coordenadas).

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Regin activa. El resto del primer cuadrante corresponde a la regin activa.


En la figura 16 se muestran las curvas caractersticas de una configuracin en emisor
comn marcando todas las regiones a considerar en el funcionamiento del transistor:
Regiones activa, corte y saturacin
Regin de avalancha o ruptura
Hiprbola de mxima disipacin

POLARIZACIN DEL TRANSISTOR
Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las corrientes y tensiones continuas
que aparecen en el mismo queden fijadas a unos valores previamente decididos. Es

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posible polarizar el transistor en zona activa, en saturacin o en corte, cambiando las
tensiones y componentes del circuito en el que se engloba.
El transistor bipolar se emplea en numerosas aplicaciones, y en infinidad de circuitos
diferentes.
Cada uno de ellos lo polariza de forma determinada. En este apartado se abordar la
polarizacin del transistor mediante una red de resistencias.
Supongamos que se quiere polarizar un transistor bipolar en zona activa. Se ha de
conseguir que sus tensiones y corrientes cumplan las condiciones de estar en activa:
V
BE
= 0,7V, V
CE
> 0,2V. Una primera opcin sera usar un circuito como el de la figura
17. Podemos ver cmo conseguimos polarizar la unin base-emisor mediante una
resistencia (R) conectada a alimentacin. Por la base del transistor circular una
corriente igual a (V
CC
-V
BE
)/R, y en colector-emisor tendremos V
CE
= V
CC
> V
CEsat
.

Este primer circuito tiene como inconveniente por un lado que el transistor nunca se
podra polarizar en saturacin, pues no se puede conseguir que V
CE
= 0,2V siendo
V
BE
=0,7V; y por otro lado la excesiva disipacin. Un circuito un poco ms complejo, y
con el que se puede conseguir polarizar al transistor en las tres regiones de
funcionamiento es el de la figura 18. Vemos que en este caso la tensin colector-emisor
depende directamente de la corriente de base (V
CE
=V
CC
-I
B
R
C
), y dicha corriente se fija
actuando sobre la resistencia de base (I
B
=(V
CC
-V
BE
)/R
B
). Para polarizar el transistor en
cada una de las regiones se pueden emplear las dos ecuaciones mencionadas y aplicar
las restricciones de cada regin.

Cuando se pretende que la polarizacin sea estable (es decir, que no vare con factores
externos1), se usan redes de polarizacin ms complejas, que fijan la tensin en base,

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como por ejemplo la que aparece en la figura 19. En apartados posteriores se resuelve
un ejercicio con un transistor polarizado tal y como aparece en la figura 19.


EJEMPLO DE RESOLUCIN DE EJERCICIO DE POLARIZACIN

Siempre, a la hora de resolver un ejercicio de polarizacin con transistores bipolares, el
primer paso es realizar una suposicin sobre el estado en el que se encuentra el
transistor (o los transistores si hay varios). Los estados posibles son activa, corte o
saturacin. En general, a no ser que la experiencia nos indique lo contrario,
supondremos que el transistor est en activa, y a partir de ah comenzar la resolucin
del ejercicio.
Una vez decidido que suponemos activa, resolvemos el circuito y se pueden presentar
dos casos:
Que se compruebe que el transistor est en activa, con lo que habremos
terminado.
Que las corrientes y tensiones resultantes sean imposibles; en este caso la
suposicin de activa ser incorrecta, elegiremos otro estado (corte o saturacin),
y volveremos a resolver.



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En nuestro caso, una vez supuesto activa, el siguiente paso es analizar:
De qu datos se dispone, y
Qu podemos averiguar a partir de dichos datos.

Primera aproximacin a la resolucin
Observemos la figura. En ella se encuentran marcadas las diferentes tensiones y
corrientes presentes en el circuito. De estas tensiones y corrientes slo conocemos 2,
que vienen dadas por los datos (recordemos la suposicin de activa):

V
BE
= 0,6V y V
CC
= 12V

Adems, sabemos que, por estar el transistor en activa, se cumplen las siguientes
relaciones:
I
C
=
x
I
B
I
E
= ( + 1)
x
I
B

A partir de los datos anteriores hemos de plantear las ecuaciones que nos lleven a la
resolucin del ejercicio. Por ejemplo, podemos plantear las siguientes ecuaciones:

Este sistema de ecuaciones tiene 5 incgnitas (IB, IE, VB, IB1 e IB2). Despejando se
resuelve el sistema y todo el circuito. Sin embargo este tipo de aproximacin no resulta
prctica, pues nos obliga a desarrollar bastante clculo matemtico que puede conducir
a errores.
Segunda aproximacin a la resolucin
Vamos ahora a intentar resolver el circuito de una forma ms sencilla. Empezamos en el
punto en el que se inici la primera aproximacin, es decir, supuesto activa, y conocidas

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algunas tensiones y relaciones en el circuito, pero en este caso el estudiante con cierta
prctica puede abordar el problema aplicando Thevenin al circuito de la base del
transistor, y obteniendo la figura siguiente.
En esta figura la tensin y resistencia de Thevenin se obtienen:

Y a partir de estos valores podemos plantear directamente una ecuacin que resuelva la
corriente de base, de la siguiente forma (teniendo en cuenta la relacin que existe entre
corriente de emisor y de base):



Una vez conocida la corriente de base, el resto de corriente y tensiones se obtienen
inmediatamente:

Y a partir de estos valores se obtienen el resto de tensiones del circuito, es decir:



Comprobaciones finales
Una vez resuelto hemos de comprobar que la suposicin hecha al principio era correcta,
es decir, que el transistor efectivamente se encontraba en activa. Para realizar esta
comprobacin basta con observar que todas las corrientes y tensiones obtenidas son
coherentes, y adems que se verifica que VCE > VCEsat.