1 Universidad Nacional de Ingeniera Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica
LABORATORIO DE CIRCUITOS ANALOGICOS IT144M
Informe Previo EXPERIENCIA N4
AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR FET
OBJETIVO: Analizar la polarizacin de transistores unipolares y familiarizarse con los cuidados al utilizar estos dispositivos, trazar las rectas de carga, curva de transferencia y verificar la ganancia de tensin.
PROFESOR: ING. ALBURQUEQUE GUERRERO
ALUMNOS: MARCELINO ALARCON, JULIO GARY 20102041B RAMIREZ LUDEA, MIGUEL 20102106G ALANYA HUAMAN, ERIK 20112569J
AO 2014 UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA FIEE-UNI | Laboratorio de Circuitos Analgicos
2 1. Obtenga de los manuales, informacin sobre los dispositivos a utilizar y presente los datos ms importantes.
TRANSISTOR JFET 2N5485 Y 2N5486
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3 2. Resuelva tericamente el circuito propuesto, obteniendo la ganancia en pequea seal, usando los parmetros respectivos. TRANSISTOR FET Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo. 2) Explicacin de la combinacin de portadores. Puesto que hay una tensin positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones fluirn desde el surtidor al drenador, aunque hay que notar que tambin fluye una corriente despreciable entre el surtidor y la puerta, ya que el diodo formado por la unin canal puerta, esta polarizado inversamente. En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batera y los electrones del material N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma. Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se aumenta VDS aumenta una regin con empobrecimiento de cargas libres
Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as como el esquema de identificacin de los terminales. Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parmetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalacin de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos dispositivos. UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA FIEE-UNI | Laboratorio de Circuitos Analgicos
4 3) Explicacin de sus elementos o terminales. Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar.
La figura muestra el croquis de un FET con canal N
Smbolos grficos para un FET de canal N
Smbolos grficos para un FET de canal P
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5 Fundamento de transistores de efecto de campo: Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con purezas donadoras o aceptadoras de electrones. Modelo de transistor FET canal n
Modelo de transistor FET canal p
Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta estn polarizadas en inversa de tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturacin de la unin PN. La zona n (en el FET canal n) es pequea y la amplitud de la zona de deplexin afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexin y depende de la tensin inversa (tensin de puerta).
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6 Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET): ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parmetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS. ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).
A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la caracterstica V-I (se trata de un dispositivo simtrico).
La operacin de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de CANAL N, lo que significa que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario.
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7 Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar: APLICACIN PRINCIPAL VENTAJA USOS Aislador o separador (buffer) Impedancia de entrada alta y de salida baja Uso general, equipo de medida, receptores Amplificador de RF Bajo ruido Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones Mezclador Baja distorsin de intermodulacin Receptores de FM y TV,equipos para comunicaciones Amplificador con CAG Facilidad para controlar ganancia Receptores, generadores de seales Amplificador cascodo Baja capacidad de entrada Instrumentos de medicin, equipos de prueba Troceador Ausencia de deriva Amplificadores de cc, sistemas de control de direccin Resistor variable por voltaje Se controla por voltaje Amplificadores operacionales, rganos electrnicos, controlas de tono Amplificador de baja frecuencia Capacidad pequea de acoplamiento Audfonos para sordera, transductores inductivos Oscilador Mnima variacin de frecuencia Generadores de frecuencia patrn, receptores Circuito MOS digital Pequeo tamao Integracin en gran escala, computadores, memorias Siempre nos va a interesar estar en la regin de saturacin, para que la nica variable que me controle la cantidad de corriente que pase por el drenador sea la tensin de puerta.
Ecuacin de Shockley:
ID=IDSS(1-VGS/Vp)2
Dnde: Vp es la tensin de puerta que produce el corte en el transistor FET. IDSS es la corriente mxima del drenador que circula por el transistor, al aumentar VDS, cuando la polarizacin de la puerta es VSG= 0 vol.
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8 PARAMETROS DEL FET La corriente de sumidero Id es funcin tanto de la tensin de sumidero Vds como de la puerta Vgs. Como la unin est polarizada inversamente, suponemos que la corriente de puerta es nula, con lo que podemos escribir: Ig = 0 e Id = (Vds, Vgs) En la zona de estriccin (saturacin) en que las caractersticas son casi rectas (en el grfico, son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos escribir la respuesta del transistor para pequeos incrementos de Vds y Vgs en esta forma
El parmetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la inversa de la pendiente de la curva. Que como en el grfico, dicha pendiente es cero (en la realidad, como he dicho antes existe algo de pendiente), entonces la red es infinita (muy grande). El parmetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es igual a la separacin vertical entre las caractersticas que corresponden a diferencias de valor de Vgs de 1 voltio.
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9 3. Resuelva tericamente el circuito propuesto, obteniendo la ganancia en pequea seal, usando los parmetros respectivos y simule cada uno de los circuitos. Teniendo en cuenta la conexin del JFET, mida el punto de operacin, tomando las tensiones de los terminales del transistor, respecto a tierra, y las corrientes tomadas en forma indirecta (V/I). No tome entre terminales del dispositivo, ni mida las resistencias internas con el multmetro, pues se pueden exceder las corrientes permitidas en directa, conociendo que el Gate trabaja en polarizada inversa.
Cto Original Rs=1k Rs=5.6k Rs=3.3K y Rd=5.6K Vd 5V 1.19V 6.8V 7.2k Vg 6.6uV 2uV 8uV 8.8uV Vs 1.6V 0.88V 1.7V 1.6V
Con el circuito original, aplique una seal sinusoidal de 20mV pico a una frecuencia de 1KHz y determine la Ganancia de tensin midiendo la salida. Vo=220mV UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA FIEE-UNI | Laboratorio de Circuitos Analgicos
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Aumente el nivel de Vi hasta observar una distorsin en la seal de salida Vo. La deformacin no debe llegar a recortes de la seal, sino hasta que aprecie una alinealidad, deformando las ondulaciones positivas y negativas en distinta proporcin.
Vomax =4Vg
Manteniendo Vi constante, vare la frecuencia del generador llenando la tabla adjunta. f(Hz) 50 100 200 500 1k 2k 5k 10k 20k 50k 100k 200k 2M Vo(mV) 231 240 225 220 220 220 220 220 220 220 220 220 220
Retire el condensador Cs=22uF y determine la ganancia de tensin.
El Transistor Es Un Componente Electrónico Capaz de Actuar Como Un Interruptor y Además Como Un Amplificador Todo Mediante Una Pequeña Señal Eléctrica y Sin Partes Móviles