Hace aos los circuitos se construan a base de vlvulas de vaco tambin conocidos como bulbos,

en la actualidad estos han sido sustituidos por circuitos semiconductores que son ms eficientes y
de menor tamao, por lo que adems de trabajar ms rpido nos permiten el ahorro de espacio
en nuestros circuitos. En la naturaleza existen dos tipos de materiales que son los conductores y
aislantes, por lo que la diferencia principal es la capacidad de conducir la corriente elctrica, sin
embargo; los semiconductores pueden comportarse de ambas formas dependiendo de su
conexin como lo analizamos anteriormente con los diodos los cuales tienen una estructura PN
que permiten o no el flujo de electrones.
Para este caso nos enfocaremos en los transistores, para lo cual es muy importante poder conocer
su estructura interior para as poder entender el funcionamiento de este tipo de semiconductor
que es el que nos interesa. Los mas comunes al igual que en los diodos son de silicio, (NPN).
Un transistor por dentro es una configuracin de materiales semiconductores (un material P
rodeado por dos materiales N) para un tipo de caso porque as mismo existen transistores con otra
configuracin que es inversa (un material N rodeado por dos materiales P), por lo que
prcticamente existen dos tipos de transistores que son NPN y PNP, conformados por su colector,
una base y el emisor, tal y como se muestra en la figura 1.

De igual manera, la representacin simblica que se tiene para cada caso en los transistores es
muy parecida, nicamente vara la direccin de la flecha en una de sus terminales hacia afuera en
la configuracin NPN y hacia afuera en la configuracin PNP tal y como se muestra en la figura 2.


Por lo que se refiere a su forma fsica, los transistores pueden tener encapsulados muy variados
dependiendo de la aplicacin especfica que se le de ya que existen con diferentes valores en
potencia.
El funcionamiento de este tipo de semiconductor se desarrolla en sus tres capas como se muestra
en la figura 1, que son el colector, la base y el emisor. Al momento en que el transistor es
polarizado con un voltaje positivo en el colector, un voltaje menor en la base y un voltaje negativo
en el emisor, en ese momento se crea una pequea corriente que circula desde el emisor hacia la
base, sin embargo esta corriente crea un efecto de avalancha que hace que la corriente de la base
se multiplique varias veces establecindose una corriente muy grande entre el emisor y el
colector, de forma que la corriente del colector ser igual a beta veces la corriente de la base
(Ic=(B)Ib), o de igual forma la corriente de colector ser igual a la corriente de base multiplicada
por un factor hFE (Ic=(hFE)(Ib)), por lo que se puede determinar que un transistor se comporta
bsicamente como un dispositivo que amplifica la corriente de su base por un factor de B o Hfe en
su colector.
Cuando se tiene a la corriente de la base con respecto a la corriente del colector, la ecuacin
anterior nos menciona que en un periodo determinado la corriente de la base va a amentando
respecto a la corriente del colector a lo que se le conoce como zona de amplificacin, por lo que
llegar un momento en que la corriente de la base seguir aumentando y la corriente del colector
permanecer constante, y es cuando a este suceso se le conoce como zona de saturacin, por lo
que cada zona se emplea para objetivos distintos. Para ello la zona de amplificacin sirve para
manejar seales lineales y la zona de saturacin nos permite utilizar al transistor como un
interruptor; es decir, cuando no pasa corriente por la base, no puede pasar tampoco por sus otros
terminales; se dice entonces que el transistor est en corte, es como si se tratara de un interruptor
abierto. El transistor est en saturacin cuando la corriente en la base es muy alta; en ese caso se
permite la circulacin de corriente entre el colector y el emisor y el transistor se comporta como si
fuera un interruptor cerrado.
Al desarrollar un circuito, podemos encontrar diferentes maneras de conectar un transistor, la
forma mas comn es conectada tipo emisor comn en la que como se mencion se tiene una
seal pequea alimentndose en la base y una seal bastante amplificada saliendo por el colector
a lo que se le llama amplificador inversor porque tambin invierte la seal, sin embargo no es la
nica forma de conectarlo, ya que la salida del colector sirve para amplificar, y para el otro caso si
se conectara la salida del emisor no existir amplificacin, sino todo lo contrario, existe una ligera
atenuacin y la seal ya no cambia de polaridad por lo que mantiene su misa fase, por lo que a
este tipo de conexin donde se tiene una entrada en la base y una salida en el emisor se le llama
un bfer o seguidor.
Otra caracterstica muy importante de los transistores es la que se refiere al voltaje casi constante
que existe entre su base y el emisor, esto depender del material y el modelo del transistor que
por lo general oscila entre 0.7 volts y se mantiene prcticamente sin variacin, lo que nos puede
servir para poder utilizar a los transistores como un reguladores de voltaje.
Por otra parte tambin existen otro tipos de transistores comunes que son de tipo FET o de efecto
de efecto de campo, muy similar a los transistores antes mencionados, solo que con una forma
mas cuadrada, y que de igual manera pueden ser de tipo NPN o PNP, pero su principio de
operacin es muy distinto, ya que por ejemplo el de tipo PNP, se tiene el material tipo N
conectado a dos de sus terminales y dos placas de material tipo P conectadas a otra terminal, una
terminal fuente(S), un drenaje (D) y una compuerta (G) tal y como se muestra en la figura 3, por lo
que ya no se maneja ni colector, base y emisor.


La forma en como opera este tipo de transistor consiste en que al momento en que en las
terminales P aparece un voltaje, comienza a aparecer una zona de deplecin, si no existe ningn
voltaje, entonces existe conexin directa entre el drenaje y la fuente, sin embargo al ir
incrementando el voltaje de la compuerta aparecen zonas en las cuales la conduccin de la
corriente se vuelve ms difcil, incrementando la resistencia y reduciendo el flujo de corriente de la
otras las otras dos terminales, al incrementar el voltaje de compuerta el canal de conduccin se
estrecha an ms, limitando bastante el flujo de corriente, y si aumentamos an mas el voltaje de
compuerta llega un punto en el cual se forma una capa completamente no conductora y ya no
existe ninguna circulacin de corriente entre el drenaje y la fuente, es as como a este tipo de
transistores FET tambin se les conoce como transistores de deplecin.
As mismo dentro de la categora FET tambin existen los de transistores de enriquecimiento que
trabaja con principios totalmente opuestos al anterior, es decir en este tipo de transistores la
condicin normal de 0 volts en la compuerta es no conduccin entre el drenaje y la fuente, y
conforme se va aumentando el voltaje en la compuerta, esa zona de conduccin se va
empequeeciendo, permitiendo en un momento dado el flujo de electrones entre la fuente y el
drenaje, y al crecer an mas el voltaje de compuerta, el canal se hace cada vez mas grande
permitiendo el paso de mas electrones, y llega un punto en el cual el voltaje de compuerta es lo
suficientemente alto como para que exista conexin directa entre el drenaje y la fuente. Para este
tipo de transistores al igual que los comunes, tambin existe un punto de saturacin y su regin de
amplificacin en el voltaje de compuerta respecto a la corriente de drenaje.
Finalmente se puede determinar, que a travs del tiempo se han ido desarrollando nuevos
elementos tecnolgicos que nos permiten la facilidad de desarrollar diferentes circuitos que nos
permitan desarrollar diferentes funciones en el campo de aplicacin, tal como es el caso de lo
transistores los cuales existen de diferentes tipos que son los comunes , as como los de tipo FET y
MOSFET, que en base al diseo que desarrollemos podramos hacer muchas cosas de acuerdo a la
configuracin que se les d, lo que nos permite trabajar de diferentes maneras con los
semiconductores.