Actividad 10

Trabajo colaborativo 2















Tutor: Williams Alberto Rairn Rincn

Fsica Electrnica










Universidad Nacional Abierta y a Distancia UNAD
ECBTI
2014














INTRODUCCION

Seguramente dependiendo la carrera que se estudie generara un inters mayor o
menor el desarrollo de la asignatura fsica electrnica paro sin lugar a dudas es
necesario el conocimiento de esta es necesaria para el desarrollo de nuestras
carreras.

El siguiente trabajo colaborativo es de carcter casi practico ya que en este
haremos simulaciones en el programa work bench, el cual nos permitir de manera
didctica explicar el funcionamiento de algunos circuitos, adems de ello se presenta
una investigacin sobre Conductores, Semiconductores y Aislantes, en el cual se
maneja lo que es Teora de Bandas de cada uno de los tres materiales, una lista de
conductores del de mayor calidad al de menor, los tres tipos de semiconductores
existentes que son muy tiles en nuestros tiempos y las diferentes clases de aislantes
que como se ver.
Adicionalmente enluciremos las principales caractersticas y diferencias existentes
entre un material aislante, un conductor y un semiconductor; en donde para un mejor
anlisis y comprensin damos ejemplos claros y en algunos casos conocidos por
todos nosotros.

Para la realizacin del presente trabajo nos basaremos en la segunda unidad del
Mdulo de Fsica Electrnica,




OBJETIVOS

Exponer las caractersticas de los materiales aislantes, semiconductores y
conductores.

Dar a conocer los tipos de diodos, diferentes a los expuestos en el Modulo de
Fsica Electrnica.

Identificar las caractersticas y diferencias de los transistores NPN y PNP

Simular mediante la plataforma de workbench para dar un anlisis a los
comportamientos de los circuitos y sus reacciones






FASE 1
Solucione los siguientes cuestionamientos relacionados con los
Semiconductores. Por favor consulte otras fuentes adicionales al Mdulo del
curso de Fsica Electrnica
Enuncie las principales caractersticas y diferencias existentes entre un material
aislante, un conductor y un semiconductor. De algunos ejemplos de cada grupo
MATERIAL

CARACTERISTICAS DIFERENCIA EJEMPLOS
AISLANTE
No existe aislante absoluto.
Su resistencia al paso de
corriente elctrica hasta 2,5
1024 veces mayor que la de
los buenos conductores
Estos poseen ms de 4
electrones en la capa de
valencia La magnitud de
la banda prohibida es
muy grande ( 6 eV), de
forma que todos los
electrones del cristal se
encuentran en la banda
de valencia incluso a
altas temperaturas por
lo que, al no existir
portadores de carga
libres, la conductividad
elctrica del cristal es
nula.
Ceramica, fibras de vidrio
con un aglutinador
plstico, vidrio, porcelana
CONDUCTOR
Son los metales su estado
slido a temperatura normal,
excepto el mercurio que es
lquido opacidad, excepto en
capas muy finas buenos
conductores elctricos y
trmicos
No existe banda prohibida,
estando solapadas las bandas
de valencia y conduccin. Esto
hace que siempre haya
electrones en la banda de
conduccin, por lo que su
conductividad es muy elevada.
Esta conductividad disminuye
lentamente al aumentar la
temperatura, por efecto de las
vibraciones de los tomos de
la red cristalina. En los
conductores solidos la
corriente elctrica es
transportada por el
movimiento de los electrones;
y en disoluciones y gases, lo
menos de 4 electrones
en la capa de valencia
, todo tomo de metal
tiene nicamente un
nmero limitado de
electrones de valencia
con los que unirse a los
tomos vecinos
Cualquier material que
tenga muy poca
resistencia con la
electricidad y que
permita su paso es un
conductor. Conductores
Slidos:
Metales Caractersticas
Fsicas: buenos
conductores elctricos y
trmicos. Caractersticas
Qumicas: Valencias
positivas, tienden a
formar xidos bsicos.
Conductores Lquidos: El
agua, con sales como
cloruros, sulfuros y
carbonatos que actan
como agentes reductores
(donantes de electrones),
conduce la electricidad
Conductores Gaseosos:
Valencias negativas (se
ioniza negativamente).



hace por los iones. En los
conductores hay un fenmeno
llamado superconductividad
se produce cuando al enfriar
ciertas sustancias a una
temperatura cercana al cero
absoluto su conductividad se
vuelve prcticamente infinita.
Tienden a adquirir
electrones. Tienden a
formar xidos cidos.
ejemplo: oro, la plata, el
aluminio, cobre, hierro,
magnecio
SEMI
CONDUCTOR
Un semiconductor es una
sustancia Este se comporta
como conductor o como
aislante dependiendo del
campo elctrico en el que se
encuentre, capaz de conducir
la electricidad mejor que un
aislante, pero peor que un
metal
Material slido o lquido capaz
de conducir la electricidad
mejor que un aislante, pero
peor que un metal.
incremento de la
conductividad provocado por
los cambios de temperatura,
la luz o las impurezas
A temperaturas muy bajas, los
semiconductores puros se
comportan como aislantes
posee 4 electrones en la
capa de valencia La
magnitud de la banda
prohibida es pequea (
1 eV), de forma que a
bajas temperaturas son
aislantes, pero
conforme aumenta la
temperatura algunos
electrones van
alcanzando niveles de
energa dentro de la
banda de conduccin,
aumentando la
conductividad. Otra
forma de aumentar la
conductividad es
aadiendo impurezas
que habiliten niveles de
energa dentro de la
banda prohibida.
El elemento
semiconductor ms
usado es el silicio. De un
tiempo a esta parte se ha
comenzado a emplear
tambin el azufre. La
caracterstica comn a
todos ellos es que son
tetravalentes, teniendo el
silicio una configuracin
electrnica sp
Tambin es usado el
germanio, el selenio, el
arseniuro de galio, el
seleniuro de cinc

1. Cmo se obtiene un semiconductor tipo N y uno tipo P? Qu cualidades o
caractersticas adquiere este material con respecto al semiconductor puro?
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado
aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadoras de carga libres (en este caso, negativas).
Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms dbilmente
vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin
conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores
en el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese
el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro,
por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio
adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo
VA de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora



a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr
cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra est
dbilmente vinculado al tomo y puede ser excitado fcilmente hasta la banda de
conduccin

Semiconductor Tipo P: Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un
proceso de dopado. Este agente dopante es tambin conocido como material
aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos
como huecos. El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos.
Cuando al dopar introducimos tomos con tres electrones de valencia en un
elemento de tomos con cuatro estamos formando un semiconductor tipo P,
viniendo su nombre del exceso de carga aparentemente positiva (porque los tomos
siguen siendo neutros, debido a que tienen igual nmero de electrones que de
protones) que tienen estos elementos. Estos tomos "extraos" que hemos aadido
se recombinan con el resto pero nos queda un hueco libre que produce atraccin
sobre los electrones que circulan por nuestro elemento. Tambin se produce una
circulacin de estos huecos colaborando en la corriente

El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del
silicio, un tomo trivalente (tpicamente del grupo IIIA de la tabla peridica, tales
como el boro (B), el aluminio (Al), el Galio (Ga) o el Indio (In)) es sustituido dentro de
la red cristalina. El resultado es la falta de uno de los cuatro electrones del enlace
covalente de la red cristalina del silicio. De esta manera, el tomo dopante puede
aceptar un electrn que proviene de los enlaces covalentes de los tomos vecinos,
completando as sus cuatro enlaces. As los dopantes crean los "huecos". Cada
hueco est asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el
semiconductor se mantiene elctricamente neutro en general. No obstante, cuando
cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin
del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado por un electrn. Por esta
razn un hueco se comporta como una cierta carga positiva. Cuando un nmero
suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin
trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras
que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los
diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de
un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.

3. Consulte sobre otros tipos de diodos, diferentes al rectificador, el LED, el
zner y el fotodiodo.



Diodo Shockley: es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables:
OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el
diodo de barrera Schottky.
Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas
alternadamente. Es un tipo de tiristor.
La caracterstica V-I se muestra en la figura. La regin I es la regin de alta
impedancia (OFF) y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado OFF
al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar Vs, tensin de conmutacin.
La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que
lo atraviese se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo
equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado OFF, se disminuye la
corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su
impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en
sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la
regin I
En estas condiciones nicamente circula una corriente muy baja (despreciable) y el
dispositivo se encuentra cortado. Aumentando esta tensin positiva se llega a una
tensin VBO de ruptura o avalancha donde la corriente crece de forma abrupta y la
cada de tensin decrece de la misma manera. En este momento, el diodo ha
conmutado desde el estado de bloqueo a conduccin.
Smbolo Modelo de conduccin


El diodo Tnel se comporta de una manera muy interesante conforme se le va
aumentando una tensin aplicada en sentido directo.
- Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo tnel empieza a conducir (la
corriente empieza a fluir).
- Si se sigue aumentando esta tensin la corriente aumentar hasta llegar un punto
despus del cual la corriente disminuye.
- La corriente continuar disminuyendo hasta llegar al punto mnimo de un "valle"



- Despus volver a incrementarse. En esta ocasin la corriente continuar
aumentando conforme aumenta la tensin.



Todos los diodos cuando estn polarizados en sentido opuesto tienen una
capacitancia que aparece entre sus terminales.
Los diodos varactores o varicap han sido diseados de manera que su
funcionamiento sea similar al de un capacitor y tengan una caracterstica
capacitancia-tensin dentro de lmites razonables.

En el grfico inferior se muestran las similitudes entre un diodo y un
capacitor.Debido a la recombinacin de los portadores en el diodo, una zona de
agotamiento se forma en la juntura.
Esta zona de agotamiento acta como un dielctrico (aislante), ya que no hay
ninguna carga y flujo de corriente

Las reas exteriores a la zona de agotamiento si tienen portadores de carga (rea
semiconductor). Se puede visualizar sin dificultad la formacin de un capacitor en el
diodo (dos materiales semiconductores deparados por un aislante).
La amplitud de la zona de agotamiento se puede ampliar incrementando la tensin
inversa aplicada al diodo con una fuente externa. Esto causa que se aumente la



separacin (aislante) y separa ms las reas semiconductoras. Este ltimo
disminuye la capacitancia.
Entonces la capacitancia es funcin de la tensin aplicada al diodo, es inversamente
proporcional a estas

El efecto fue descubierto por John B. Gunn en 1963.
El efecto Gunn es un instrumento eficaz para la generacin de oscilaciones en el
rango de las microondas en los materiales semiconductores.
Gunn observ esta caracterstica en el Arseniuro de Galio (GaAs) y el Fsforo de
Indio (InP)
El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los semiconductores y no depende
de la unin misma, ni de los contactos, tampoco depende de los valores de voltaje y
corriente y no es afectado por campos magnticos.
Cuando se aplica un pequeo voltaje continuo a travs de una plaquita delgada de
Arseniuro de Galio (GaAs), sta presenta caractersticas de resistencia negativa.
Todo esto bajo la condicin de que el voltaje en la plaquita sea mayor a los 3.3
voltios / cm.
Construccin de un diodo Gunn - Electrnica Unicrom
Ahora, si esta plaquita es conectada a un circuito sintonizado (generalmente una
cavidad resonante), se producirn oscilaciones y todo el conjunto se puede utilizar
como oscilador.
Este efecto Gunn slo se da en materiales tipo N (material con exceso de
electrones) y las oscilaciones se dan slo cuando existe un campo elctrico.


Estas oscilaciones corresponden aproximadamente al tiempo que los electrones
necesitan para atravesar una plaquita de material tipo N cuando se aplica el voltaje
en continua.
Resistencia negativa en el diodo Gunn
El Arseniuro de Galio (GaAs) es uno de los pocos materiales semiconductores que
en una muestra con dopado tipo N, tiene una banda de energa vaca ms alta que
la ms elevada de las que se encuentran ocupadas parcial o totalmente.

Funcionamiento de resistencia positiva:




Cuando se aplica un voltaje a la plaquita (tipo N) de Arseniuro de Galio (GaAs), los
electrones, que el material tiene en exceso, circulan y producen una corriente al
terminal positivo.

Si se aumenta la tensin, la velocidad de la corriente aumenta. Comportamiento
tpico y el grfico tensin-corriente es similar al que dicta la ley de Ohm.
Funcionamiento de resistencia negativa:
Si a plaquita anterior se le sigue aumentando el voltaje, se les comunica a los
electrones una mayor energa, pero en lugar de moverse ms rpido, los electrones
saltan a una banda de energa ms elevada, que normalmente est vaca,
disminuyen su velocidad y por ende la corriente.

De esta manera una elevacin del voltaje en este elemento causa una disminucin
de la corriente.

Eventualmente, el voltaje en la plaquita se hace suficiente para extraer electrones de
la banda de mayor energa y menor movilidad, por lo que la corriente aumentar de
nuevo con el voltaje.

La caracterstica voltaje contra corriente se parece mucho a la del diodo Tunnel.
La aplicacin ms comn es la del oscilador Gunn

4. Cules son las principales caractersticas y diferencias existentes entre un
transistor NPN y uno PNP.
.TRANSISTOR
CARACTERISTICAS DIFERENCIAS
NPN
El transistor NPN es uno de los
dos tipos de transistores
bipolares, en los cuales las letras
"N" y "P" se refieren a los
portadores de carga mayoritarios
dentro de las diferentes regiones
del transistor. La mayora de los
transistores bipolares usados hoy
en da son NPN, debido a que la
movilidad del electrn es mayor
que la movilidad de los "huecos"
en los semiconductores,
permitiendo mayores corrientes y
velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten
en una capa de material
semiconductor dopado P (la
"base") entre dos capas de
material dopado N. Una pequea
corriente ingresando a la base en
configuracin emisor-comn es
amplificada en la salida del
colector.
La flecha en el smbolo del
Utilizan "partculas" subatmicas de signo
Negativo para transportar la corriente.
Generalmente
Ms usados hoy en da(mejor desempeo)
El transistor 2n2222 permiten el paso de
corriente desde colector hacia el emisor,
cuando reciben un voltaje (mayor a 0,7V)
en su base


La flecha que indica el sentido de la
corriente sale hacia fuera (la corriente
ir de colector a emisor)




transistor NPN est en la terminal
del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente
convencional circula cuando el
dispositivo est en
funcionamiento activo.
PNP
Los transistores PNP consisten
en una capa de material
semiconductor dopado N entre
dos capas de material dopado P.
Los transistores PNP son
comnmente operados con el
colector a masa y el emisor
conectado al terminal positivo de
la fuente de alimentacin a travs
de una carga elctrica externa.
Una pequea corriente circulando
desde la base permite que una
corriente mucho mayor circule
desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP
est en el terminal del emisor y
apunta en la direccin en que la
corriente convencional circula
cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo (esto en
cuanto a su simbologa).
Utilizan "partculas" subatmicas de signo
Positivo para transportar la corriente.
Generalmente se construyen con
Germanio construidos con Silicio.
Poco usados hoy en da
El transistor 2n3906, permiten el paso de
corriente desde emisor hacia colector (que es
en el sentido contrario de los NPN),
cuando reciben un voltaje (menor a VCC-0,7)
en su base

La flecha entra (la corriente ir de
emisor a colector).



1. Cul es la importancia de los elementos semiconductores en el actual
desarrollo tecnolgico

El acelerado desarrollo tecnolgico que vivimos en las ltimas dcadas, nos ha
llevado a adaptarnos rpidamente a nuevos conceptos e innovaciones. Dentro de
un mundo necesitado de crecimiento y conocimiento, ha sido posible evolucionar
desde gigantescas y costosas mquinas de cmputo a sper computadoras
porttiles, telfonos mviles, revolucionarios sistemas mdicos y una amplia gama
de herramientas electrnicas fcilmente adquiribles, producto del desarrollo de
dispositivos semiconductores cada vez ms rpidos y con mayor capacidad de
almacenamiento como las memorias digitales porttiles con capacidades cada vez
ms grandes.

La evolucin de la tecnologa de los circuitos integrados que permite desarrollar
sistemas cada vez ms complejos est recogida en la denominada ley de Moore (1),
pronosticada por Gordon Moore en y que puede ser enunciada de la siguiente
manera: La capacidad de las memorias digitales de estado slido aumenta a un
ritmo de un factor de 2 cada 1.5 aos (2). Lo anterior nos da una idea del mximo
nmero de transistores por unidad de superficie que se puede integrar en un circuito;
Siguiendo la ley de Moore, los circuitos integrados (CI) llegarn a tener densidades



de 1012 bits / cm2 en aproximadamente 12 o 15 aos. Comparando con el cerebro
humano que contiene aproximadamente 1012 sinapsis / cm3 y haciendo la analoga
entre una sinapsis y un bit, el sistema biolgico y los circuitos integrados llegarn a
tener densidades iguales dentro de 15 aos.

Sin embargo, el aumento de la velocidad de respuesta y el nmero de transistores
por chip han generado nuevos problemas para los diseadores, quienes se han
empeado durante las ltimas dcadas en buscar soluciones que corrijan los efectos
colaterales no deseados que surgen con la miniaturizacin (3).

Los retos de la tecnologa actual

Actualmente los fabricantes, producen los chips de una "oblea" de silicio cortada de
un lingote de cristal. La fabricacin de estructuras muy complejas se basa en
procesos de mltiple deposicin, modelado y grabado, similares a esculpir sobre
mrmol, sin embargo, cuanto ms pequea es la estructura (nano dimensiones), los
fabricantes deben pagar costos muy altos debidos a que el proceso requiere alta
fidelidad. Una mquina de modelado de precisin cuesta alrededor de 15 millones
de dlares y la evolucin en los procesos de miniaturizacin sugieren que este tipo
de herramientas ser cada vez ms costoso, sin contar con que una fbrica puede
necesitar 50 de estas mquinas (4).

Segn los expertos, las fbricas no podrn soportar los elevados costos que el
avance tecnolgico requiere, adems de enfrentar las limitaciones propias de la
tecnologa del silicio (a escalas tan pequeas, los dispositivos empiezan mostrar
comportamientos diferentes)

Ante esta perspectiva, muchos cientficos han apostado por las nuevas tendencias
nano tecnolgicas como la litografa basada en el ribosoma y el denominado Self-
assembly (auto ensamble), en el cual los dispositivos se construyen as mismos, con
alta densidad y perfecta funcionalidad que los hace competitivos en la prctica.

FASE 2
Simulacin de Circuitos Electrnicos: realice la simulacin de los siguientes
circuitos y analice los resultados obtenidos.
1. Polarizacin del Diodo Comn. Construya los siguientes circuitos y realice su
simulacin por medio del software Workbench. Explique lo sucedido




Despus de construido ambos circuitos se puede observar en la simulacin de la
parte derecha el indicador no enciende debido a que el diodo esta polarizado en
inversamente con relacin a la fuente de voltaje lo cual impide que la corriente
pase a travs del circuito.
En la simulacin de la parte izquierda el indicador enciende ya que el diodo se
polariza en directamente debido a esto permite que la corriente circule por el
circuito y el indicador se encienda (color rojo).



2. Aplicacin del Diodo como Rectificador. Construya los siguientes circuitos y
realice su simulacin por medio del software Workbench. Anexe al informe las
grficas obtenidas en el osciloscopio. Compare la seal de entrada con la seal de
salida. Explique lo sucedido.
a) Rectificador de Media Onda







En el circuito podemos ver al diodo polarizado de manera directa esto deja que la
corriente circule, hallamos otra reaccin y esta es que la corriente hace un semi
ciclo como el de un restato, es decir podramos con este circuito hacer una
especie de luces estroboscpicas.
b) Rectificador de Onda Completa con Puente de Greatz




Semiciclo positivo Los diodos D1 y D3 conducen dando lugar a un semiciclo positivo
en la resistencia de carga
semiciclo negativo los diodos D2 y D4 conducen dando lugar a otro semiciclo
positivo en la resistencia de carga.
Cuando usamos los diodos D1,D2,D3,D4 son usados para rectificar la seal
alterna el resultado sera siempre un semiciclo positivo en la resistencia de carga
pues cuando no conduce por un lado, conduce por el otro, es lo que llamamos
comnmente corriente continua.

3. Aplicacin del Transistor como Amplificador. Construya el siguiente circuito y
realice su simulacin por medio del software Workbench. Anexe al informe las
grficas obtenidas en el osciloscopio. Compare la seal de entrada con la seal de
salida. Explique lo sucedido





Viendo la estructura del circuito, este es muy parecido a un amplificador de sonido
pero esta no est amplificando ninguna seal, la mantiene pues se puede ver la
seal de entrada que tiene una amplitud de 2 mv, y en el osciloscopio se ve la
misma amplitud, sin que en esta se efectuara ningn cambio, podra decir que es un
circuito de acople de seal, o acople de impedancias, tal vez por el voltaje tan
reducido, el objetivo de estos circuitos parece ser el de mantener la seal















CONCLUSIONES


Con este trabajo se pudo ampliar los conocimientos adquiridos con el apoyo
de otras ayudas acadmicas, al investigar un tema extenso y claro como lo
es Semiconductores describiendo algunas de sus principales caractersticas y
diferencias.
Teniendo en cuenta la practicidad de la realizacin del trabajo se pudo
conocer ms acerca del funcionamiento y aplicaciones de los componentes
que se investigaron
Se conocieron otros tipos de semiconductores diferentes a los
expuestos en el modulo























Bibliografa

Tllez Acua Freddy Reynaldo, 2008, mdulo de fsica electrnica (UNAD)
http://www.geocities.ws/pnavar2/semicon/tipos.html
http://datateca.unad.edu.co/contenidos/201419/contLinea/leccin_26_diodos_de_cuat
ro_capas.html
http://transistores--pnp-npn.wikispaces.com/
http://recursostic.educacion.es/secundaria/edad/4esotecnologia/quincena4/4q2_cont
enidos_5a.htm
http://platea.pntic.mec.es/~jalons3/SEMICON/htm/npnpnp.htm
http://www.electronica2000.com