1

1. BREVE HISTORIA DE LOS DISPOSITIVOS DE VACO

La ciencia de la electrnica puede considerarse como inicio a partir del efecto de
Edison, el fenmeno fue inicialmente reportado en 1873 por Frederick Guthrie en
Bretaa, mientras realizaba experimentos con objetos cargados; el Profesor Bernd
Schuster descubri que calentando al rojo vivo una esfera de hierro con carga negativa
sta perda su carga (desprendiendo iones al vaco). Tambin observ que esto no
ocurra si la esfera estaba cargada positivamente. Otras investigaciones al respecto
incluyeron a Hittorf (1869-1883), Goldstein (1885) y Elster and Geitel (1882-1889).

El efecto fue redescubierto por Thomas Edison Edison, el 13 de febrero de 1880,
mientras trataba de descubrir la razn por la cual se rompan los filamentos y por qu el
ennegrecimiento de la ampolla de vidrio de sus lmparas incandescentes (el cristal se
ahumaba cercano a la regin positiva del filamento, al calentarse este), nicamente se
utilizaba energa elctrica de corriente directa en esa poca ( que impulsaba su empleo
el mismo Edison).

Edison construy muchas bombillas experimentales, algunas con un filamento
adicional y una con una lmina metlica dentro de la lmpara, elctricamente aislada
del filamento. Edison conect el electrodo adicional al filamento de la lmpara a travs
de un galvanmetro y not que cuando ste electrodo era positivo con respecto al
filamento s de flexionaba la aguja del galvanmetro que se encontraba en serie y no
suceda lo mismo cuando era negativo.

Esta forma de fluido elctrico manifestado por el galvanmetro (corriente) en un
solo sentido fue llamada entonces el efecto Edison (aunque el trmino se usa en
ocasiones para referirse a la emisin termoinica especficamente).

En este experimento, Edison descubri tambin que el flujo de la corriente
emitida por el filamento (al calentarse), se incrementaba rpidamente al aumentarle la
tensin y present una aplicacin para un dispositivo regulador de voltaje usando este
efecto el 15 de noviembre de 1883 (Patente U.S. 307,031 - la primera patente de un
dispositivo electrnico), Propuso que a travs del aparato podra pasar corriente
suficiente para operar un telgrafo sonoro.

Fue exhibido en la Exposicin Internacional de Electricidad en Philadelphia en
septiembre de 1884. William Preece, un cientfico britnico se llev con l algunas
de las bombillas de Efecto Edison, y present un estudio sobre ellas en 1885, donde
se refera a la emisin termoinica como el Efecto Edison.

En 1897 Sir Joseph John Thompson estableci la existencia de los
electrones y explic el efecto Edison, prob la carga negativa del electrn y que ste se
desplazaba bajo el efecto del campo elctrico, constituyendo el flujo de corriente
elctrica (conocida como corriente electrnica), tambin estableci la relacin de carga
a masa de un electrn encontrndose que fue constante para todos los electrones.
2
En la figura 1.1, se ilustra el concepto de la corriente elctrica, en el que el flujo
de electrones en el conductor, se desplaza en sentido contrario de la direccin de la
corriente convencional, la cual ha sido adoptada como el flujo de la corriente elctrica.

.
Figura 1.1

En 1910 el Dr. Robert Milikan determin la carga electrosttica del electrn, la
cual result constante para todos los electrones y en combinacin con la relacin de
Thompson se calcul la masa del electrn y se prob que era igual para todos los
electrones.

Carga del electrn = 1.602 x 10
- 19
C.
Masa del electrn = 9.11 x 10
- 31
Kg

Sir John Ambrose Fleming, siguiendo las investigaciones de Edison, descubri
que el Efecto Edison podra ser usado para detectar ondas de radio, el 16 de
noviembre de 1904, patent el primer tubo electrnico, el cual fue llamado vlvula de
Fleming, ste un simple diodo usado como un rectificador.

Probablemente la contribucin ms grande a la Electrnica fue hecha en el ao
de 1906 por el Dr. Lee De Forest, al agregarle un tercer electrodo al diodo de vaco
llamado rejilla, el cual permiti el control del paso de los electrones entre electrodos,
como podr observarse en la figura 1.2, la vlvula de Fleming, ampli el control del
paso de los electrones, es decir su cantidad que depende de la tensin aplicada entre
el nodo y el ctodo, por un control ms fino, a travs de la tensin negativa aplicada a
la rejilla; se est variando as la corriente de placa Esto fue muy importante para que se
fabricaran los primeros amplificadores de sonido, receptores de radio, televisores, etc.

3
Conforme transcurra el tiempo, con el avance tecnolgico, las vlvulas de vaco se
fueron perfeccionando y por lo consiguiente mejorando, apareciendo otros tipos, como
los tetrodos (vlvulas de cuatro electrodos), los pentodos (vlvulas de cinco
electrodos), otras vlvulas con atmsfera de gas para aplicaciones de alta potencia,
etc.
Dentro de los perfeccionamientos de las vlvulas se puede considerar su
reduccin de tamao y el aumento de su eficiencia, que an a la fecha tienen
aplicaciones especiales.


Figura 1.2



2. CAMPOS DE LA ELECTRNICA

La electrnica es la parte de la ciencia y la tcnica, que se ocupa de los
fenmenos de conduccin elctrica en el vaco, en los gases y en los semiconductores;
y que recurre a los dispositivos basados en esos fenmenos.

El estudio de la electricidad bsica se enriquece al considerar ciertos fenmenos
fsicos inherentes con el movimiento de electrones y otro tipo de carga en los
dispositivos electrnicos; enumerndose los siguientes:

a) La extraccin de electrones de un cuerpo slido.
b) La produccin de iones en gases.
c) El movimiento de electrones e iones entre electrodos.
d) El movimiento de portadores de carga elctrica en semiconductores.
e) El control de movimiento de electrones, iones y portadores de carga elctrica; por
medio de campo electrosttico y magntico.
4

LA ELECTRNICA TRATAR EN GENERAL DOS GRANDES RAMAS:

2.1 LA ELECTRNICA FSICA: que estudia los fenmenos fsicos de los
materiales y dispositivos, que transportan portadores de carga elctrica en medios
como: vaco, gases y cuerpos slidos cristalinos (semiconductores).

2.2 LA INGENIERA ELECTRNICA: que determina las propiedades,
caractersticas y parmetros de los dispositivos electrnicos, as como su aplicacin en
los circuitos elctricos.

El moderno desarrollo de la Ingeniera Electrnica comprende los siguientes
campos:

2.2.1 La radio electrnica: la cual abarca todos los tipos de comunicacin, tal
como: radiodifusin, televisin, radiolocalizacin, radar, radionavegacin,
radioastronoma, telefona celular, etc.
2.2.2 La Electrnica Nuclear: que comprende el campo relacionado en el
estudio de los procesos de obtencin, aplicacin de las partculas nucleares y sus
radiaciones; originada por el reordenamiento o la desintegracin del tomo (fusin y
fisin).
2.2.3 La Electrnica Biolgica: que emplea los fenmenos, dispositivos y
aparatos electrnicos; para la investigacin y su desarrollo.
2.2.4 La Electrnica Geolgica: dem anterior.
2.2.5 La Electrnica Qumica: idem anterior.
2.2.6 La Electrnica Industrial: rama general que atiende a la ingeniera en el
campo de la industria.
En el campo industrial, la Electrnica juega un papel muy importante y de
acuerdo con las funciones especficas que desarrolla, la podemos reagrupar en:

2.2.6.1 Electrnica Energtica:
Por el uso de dispositivos y circuitos electrnicos a la conversin de la energa
elctrica, en la aplicacin de los convertidores estticos en potencias considerables
para usos industriales tales como: procesos electrolticos, elevadores de carga,
convertidores estticos (de corriente alterna a corriente continua, de corriente continua
a corriente continua, de corriente continua a corriente alterna y de corriente alterna a
corriente alterna), refinado de metales, galvanoplasta, accionamientos elctricos,
transmisin de energa elctrica en corriente continua, traccin elctrica, etc.

2.2.6.2 Electrnica Informtica:
Se aplica en el uso de los dispositivos electrnicos y sus circuitos, en los
procesos de medicin, control y regulacin; auxiliares imprescindibles de los sistemas
automticos industriales.

2.2.6.3 Tcnica Basada en haz Inico., Oscilaciones Electromagntica y
Sonoras:
5
Acciones que intervienen en el anlisis y fabricacin de productos,
perfeccionando el control en los procesos industriales.



3. CLASIFICACIN DE COMPONENTES ELECTRNICOS.


Los componentes electrnicos, son los elementos constructivos bsicos de los
circuitos; en el que cada componente cumple con una funcin especfica, dependiendo
de su tipo y de la forma como est conectado, con el resto de los elementos que
integran el circuito completo.
Los componentes electrnicos realizan una o ms de las siguientes funciones en
el manejo de la energa elctrica: conducir, controlar, seleccionar, dirigir, interrumpir,
almacenar, y en general manipular la corriente elctrica de muy variadas formas.

Los componentes electrnicos pueden ser activos o pasivos, dependiendo de las
funciones que realizan.

Resistor
Pasivo Condensador
Inductor
De vacio
Activo De gas
Semiconductores




3.1 COMPONENTE PASIVO.

Los dispositivos pasivos o componentes lineales, llamadas as porque se
comportan linealmente con la corriente o tensin, es decir s naumenta o disminuye el
voltaje, la corriente tambin aumenta o disminuye, en la misma proporcin. Quedando
su comportamiento definido por una ecuacin general y en el que sus parmetros se
consideran que permanecen constantes (dentro de ciertos rangos de aplicacin y
lmites prcticos).
En la electricidad se tienen como parmetros principales, a la corriente elctrica y
la tensin, en la que stas podrn ser dependientes del tiempo o no.
En general los parmetros de corriente o de tensin, en un elemento pasivo es
funcin uno del otro, segn se tome la decisin al aplicarlo.


6



En la tabla 3.1, se muestran las relaciones del parmetro de corriente que circula
por los componentes pasivos.

Tabla 3.1


Elemento
Funcin general Funcin senoidal Funcin cosenoidal

Variable

v

t sen V v
max
=

t V v cos
max
=

Resistor (R)

R
v
i
R
=

t sen
R
V
i
R

max
=

t
R
V
i
R
cos
max
=

Inductor (L)

i
L
v dt
L
=

1


i
V
L
t
L
max
=

( cos )

i
V
L
t
L
max
=

sen

Capacitor (C)

dt
dv
C i
C
=

i CV t
C max
= cos

i CV t
C max
= ( sen )


Las grficas de las funciones de las corrientes, derivadas de la tensin aplicada,
se representan en forma temporal (valores instantneos), figura 3.1, teniendo como
parmetro base la tensin de la funcin del tipo senoidal, la cual opera como parmetro
independiente y como parmetro dependiente la corriente.


7


Figura 3.1

La grfica de las funciones de las corrientes, representadas en forma temporal
(se tienen los valores instantneos mostrados durante todo el ciclo), figura 3.2, teniendo
como parmetro independiente la tensin aplicada como una funcin cosenoidal y la
corriente como una funcin dependiente (resultando sta del tipo senoidal).



Figura 3.2


Para la corriente tomada del tipo de funcin senoidal

i I t
max
= sen

8
La cada de tensin en la inductancia, que se genera al circular la corriente es:

v L
di
dt
L
=
= L
d
dt
I t
max
( sen )
= L I t
max
cos

De la identidad trigonomtrica

) 90 ( cos + = x sen x

La cada de tensin en la inductancia ser:


v L I t
L max
= + sen( ) 90
Del resultado anterior, tenemos que la tensin se adelanta 90 sexagecimales
(/2 radianes) a la corriente (comparando ambas funciones senoidales), cuya grfica se
muestra en la figura 3.3.


Figura 3.3

O tambin la corriente se atrasa 90 sexagecimales, con respecto a la cada de
tensin, figura 3.4.


L max
v L I sen t = e
max
i I sen( t 90 ) =

9

Figura 3.4

La diferencia de potencial o cada de tensin en un componente pasivo se exhibe
en la tabla 3.2, para una corriente que lo atraviese los elementos pasivos.

Tabla 3.2

Elemento
Funcin general Funcin senoidal Funcin cosenoidal

Variable

i

t sen I i
max
=

i I t
max
= cos

Resistor (R)

v Ri
R
=

v RI t
R max
= sen

t RI v
R
cos
max
=

Inductor (L)

v L
di
dt
L
=

v LI t
L max
= cos

v LI t
L max
= ( sen )

Capacitor (C)

v
C
i dt
C
=

1


) cos (
max
t
C
I
v
C

=

t sen
C
I
v
C

max
=

En las ecuaciones tendremos que los parmetros quedan definidos por:
La velocidad angular = 2 f (rad), la reactancia inductiva X
L
= L () y la
reactancia capacitiva X
C


=1/ C ().
El tratamiento matemtico para la determinacin de los parmetros tensin o
corriente en los circuitos electrnicos, es comn recurrir a la idealizacin y a la
aproximacin con el fin de simplificar el anlisis, eliminando todo detalle innecesario; el
dispositivo que resulta es ideal o perfecto, dentro de las condiciones operativas del
circuito.
Por ejemplo:
Se tiene un tramo de conductor con las siguientes caractersticas reales: 1 pie (ft)
de longitud de alambre calibre #22 AWG, con una resistencia de 0.016 , con una
inductancia de 0.24 H y una capacitancia de 3.3pF, operando a una frecuencia de 1
MHz., el cual tiene un diagrama equivalente tipo T, Figura 3.5
10

Figura 3.5

Para frecuencias de operacin arriba de los 300 MHz. Se deber tratar a la
inductancia y a la capacitancia como distribuidas, cuyo tratamiento matemtico se
realizar por las ecuaciones de Maxwell. En el anlisis de los circuitos elctricos que
contengan dispositivos activos, se substituir al elemento por un diagrama equivalente
funcional, que corresponda a las condiciones operativas dentro del circuito, para las
cuales sea vlido.

3.1.1 Resistor. El cual se le ha dado el nombre de resistencia por un modismo,
tenindose dos grandes grupos por el tipo de respuesta que presenta a una excitacin:

a) Pasivos: Fijas y variables (por la manipulacin de su valor).
b) Activos: Termistor, stabistor, fotoresistencia y varistor.

La resistencia elctrica o simplemente resistencia, es la accin o efecto de
oposicin que presenta un material a ser atravesado por una corriente elctrica;
definindola a partir de la ley de Joule, en que la energa es la habilidad para hacer
trabajo (W), la unidad de la energa o trabajo es el Joule (J) y la potencia es expresada
en watts.
Energa W = R I
2
t (J) y Potencia P = R I
2
(W)

El valor de la resistencia expresada en ohms (), es dado en el sistema
internacional de unidades (S.I.).
1 ( J ) = 1 ( ) 1 (A
2
) 1 ( s )
Donde:
J (Joule), A (Amper) y s (Segundo).

Designando a P, como la potencia que aparece en la resistencia, se manifiesta
en forma de calor (no almacena energa), expresada en Joule / segundo (watt).

La corriente y la tensin elctricas, estn dadas por las ecuaciones:

Q( C ) W( J )
I ( A) E(V )
t ( s ) Q( C )
= =
Donde: C Unidad de carga en Coulomb.
11


3.1.2 Clculo del valor de resistencias.
En un conductor la resistencia se determina por: R
L
A
=
Donde: L es la longitud del conductor.
A es el rea de la seccin transversal.
es la resistividad.

Tenemos que los materiales se pueden agrupar de acuerdo a su resistividad
(Resistencia especfica volumtrica) en:

a) Conductores ( metales ) 10
- 9
a 10
- 6
- m
2
/ m
b) Semiconductores 10
- 5
a 10
7
- m
2
/ m
c) Aislantes 10
8
a 10
18
- m
2
/ m

La resistividad ( ) es afectada por la temperatura, cuando se toma la
resistividad a 0C, se expresa como (
0
) y a una temperatura en general C (

).

Ecuacin de comportamiento:

0 0
(1+ )

= (3.1)
Donde:

0
= Coeficiente de temperatura de la resistencia a 0 C.
La resistividad:
2 2
-8 8
Cu 20 C Al 20 C
m m
1.724110 2.828 10
m m



= =

- -
y
La densidad:
Cu 20 C Al 20 C 3 3
gr gr
8.89 2.703
cm cm
= =

y

Analizando la ecuacin vemos que el comportamiento de la funcin es lineal, el
cual es tomado para un rango de temperatura (dado de acuerdo con el comportamiento
del material en cuestin).Por lo que la ecuacin 3.1, en trminos de la resistencia ser:

[ ]
0 0
R R 1+ t

= (3.2)
El coeficiente de temperatura de la resistencia (), es definido como una cantidad
de incremento en la resistencia por grado de elevacin de la temperatura, de ah que
ste valor sea suministrado en tablas de valores, a temperaturas tpicas (0 C, 20 C,
25 C, etc.).
Para el conductor de cobre:

0 C 20 C 25 C
1 1 1
0.00425 0.00393 0.00385
C C C
= = =

, y .

En los metales se tiene un coeficiente de temperatura positivo, dado que al
aumentarle la temperatura se incrementa el valor de la resistencia. Algunas substancias
tienen un coeficiente de temperatura negativo, en ellas la resistencia disminuye al
12
incrementarse la temperatura; existen otras con coeficiente de temperatura cero y no
les afecta los cambios de temperatura a la resistencia.
La curva del comportamiento de la resistencia elctrica de un conductor con
respecto a la temperatura, se muestra en la figura 3.6, donde T es la temperatura
inferida al cero absoluto ( en el material de cobre -234.5 C ).


Figura 3.6

En la grfica de la figura nmero 3.6, para la variacin lineal de la resistencia en
funcin de la temperatura tenemos:

1 2
1 2
t t
R R
t
R

Dividiendo entre R
1
.



2 1
1
1 2 1 1
R R R
t R ( t t )R


=

(3.3)

El coeficiente de temperatura a la temperatura base t
1


ser
1
(ecuacin 3.3).

Despejando de la ecuacin 3,3 a la resistencia R
2
, podemos determinar el valor
de la resistencia corrigindola a otra temperatura final, as:

2 1 1 2 1
R R 1+ ( t t ) =

(3.4)

Por otro lado de la misma grfica de la figura 8, podemos prescindir del
coeficiente de temperatura para determinar el valor de la resistencia final as:


2
2
1
1 0
t T
R
t T
R
T
R
+
=
+
=
Despejando a R
2


2
2 1
1
T t
R R
T t
+
=
+
(3.5)

En la ecuacin 3.5, a la temperatura T se toma en valor absoluto (sin el signo
menos).
La especificacin de la variacin de la resistencia por la temperatura, es
expresada en electrnica usualmente como un coeficiente de temperatura de la
resistencia TCR (Temperature Coefficient of Resistance o Tempco), expresada en
13
partes por milln por grado centgrado (ppm/C). sta representa el porcentaje de carga
nominal a 25C, el cual puede ser positivo o negativo.

Ejemplo:
Una resistencia de un coeficiente de 4000 ppm/C tiene un valor de 5k (5000)
a 25C. Cul es la resistencia a 75C?.

La cantidad de 4 000 ppm / C, expresada en fracciones decimales como 4 000
x 10
- 6
= 0.004 decimal/C; correspondiente al valor del coeficiente de temperatura de la
resistencia dada, en ste caso se refiere a los 25 C como temperatura inicial.

De la ecuacin 3.4.

( )
2 1 1 2 1
R R 1 t t

= +


( ) =5000 1+0.004 75 - 25

= 6 000 .
Como el coeficiente de temperatura de la resistencia, es un factor que condiciona
la magnitud de los cambios del valor de la resistencia, el signo positivo (+) indica
aumento con el incremento de la temperatura (se tiene un coeficiente de temperatura
positivo) y el signo negativo (-) indica disminucin con el incremento de la temperatura
(se tiene un coeficiente de temperatura negativo). Un valor anotado en la especificacin
de la resistencia NPD (Negative-Positive-Cero) indica que el valor no cambia por la
variacin de la temperatura.



4. TIPOS DE RESISTENCIA.

De acuerdo con la funcin que desarrollan las resistencias, stas se dividen en
fijas y variables; las resistencias fijas tienen la alternativa de fabricarse con derivaciones
en el tipo de construccin de alambre.
Y en trminos de las tolerancias disponibles en el mercado, los resistores pueden
clasificarse en:

a) Propsitos generales Tolerancia de 5% o mayor.
b) Semiprecisin Tolerancia de 1 % y 5 %
c) Precisin Tolerancia de 0.5 % y 1 %
d) Ultraprecisin Tolerancia menor de 0.1 %

14

4.1 RESISTENCIAS DE VALOR FIJO.


4.1.1 Resistencias de carbn de composicin.
ste tipo de resistencias se construyen en cuerpos cilndricos moldeados, huecos
con relleno de carbn aglomerado, el cual es inyectado a alta presin y elevada
temperatura. Son fabricadas en potencias de 1/4, 1/3, 1/2, 1, 2 watts, con tolerancia de
5 %, 10 % y 20 %. Se tienen valores disponibles de 0.1 a 100 M, el cual se
indica por las bandas de color impresa en el cuerpo de la resistencia. Son de uso
comn, bajo costo, coeficiente trmico pequeo, rango de temperatura medianamente
estable entre 0 C y 60 C.
En su seleccin del valor de potencia, se deber considerar un margen en
demasa de 5 a 10 veces el valor calculado, con el objeto de evitar el calentamiento
excesivo del componente y que afecte su operacin normal (por cambio temporal de su
valor e incluso lo haga en forma permanente).


4.1.2 Resistencia de alambre devanado.
Las resistencias de ste tipo, son construidas de alambre de alta resistividad (nicromel,
manganina, constantn, etc.), con diferentes secciones transversales (en el que
normalmente se emplea de seccin circular). Cuerpos cermicos (normalmente
cilndricos) devanados con alambre y recubiertos con aglomerado cermico con
acabado vidriado (ste con el objeto de protegerla del medio ambiente y de darle rigidez
mecnica).

Se fabrican para tres casos de aplicacin:
a) De gran potencia 5 a 200 W Tol. 5 % a 10 %.
b) Empleo general 0.5 a 3 W Tol. 1 % a 5 %.
c) De gran exactitud menor a 1 W Tol. 0.1 % o menor.


4.1.3 Resistencia de pelcula metlica u xido metlico depositado.
Se recubre un cuerpo cermico cilndrico (normalmente) con una pelcula metlica,
aplicada por evaporacin. ste tipo de construccin evita el efecto de autoinduccin, en
el que se hace notorio su efecto a elevadas frecuencias; limitndose a pequeas
potencias con las caractersticas de las resistencias de alambre devanado. Se logran
valores hasta de 150 M.


4.1.4. Resistencias de carbn depositado.
Similar en su construccin al tipo anterior de resistencia, en el que se aplica una
pelcula de carbn, logrndose grandes valores de resistencia, con potencias de 1/4 a
1/2 W. Cuentan con la ventaja de tener un coeficiente trmico negativo, que las hace
adecuadas para operar como compensador por temperatura en circuitos electrnicos.
15

4.1.5. Comportamiento como elemento de circuito.
Bsicamente se rige por la ley Ohm y Joule.


V 1
R , G S
I R
= = Respectivamente en unidades Ohms y Siemmens.

2
2
V
P RI
R
= = En Watts.
4.1.6. Smbolo Figura 4.1.

Figura 4.1
4.1.7. Nomenclatura.
Normalmente se presenta por bandas de color impresas en el cuerpo de la
resistencia, para las resistencias de carbn y para algunas de pelcula metlica, para
los restantes tipos de resistencias sus caractersticas van impresas en el cuerpo de la
resistencia con abreviaturas tales como:
12R7 = 12.7
3K3 = 3 300
6M8 = 6 800 000

4.1.8. Cdigo de colores para resistencias.
Las resistencias de composicin especifican su valor por medio del cdigo de
colores, que en una forma prctica nos permite identificar o conocer el valor de la
resistencia, su tolerancia, empleando para ello cuatro franjas de color.
En resistencias de pelcula metlica, de pelcula de carbn y alambre devanado,
se emplean cinco franjas de color en el que se especifica su valor, tolerancia y el nivel
de confiabilidad ( tambin llamado ndice de falla), el cual es dado en por ciento (%)
para 1 000 horas de servicio.
En resistencias en las cuales se emplean cinco franjas de color para designar su
especificacin, las tres primeras franjas sern los dgitos significativos del valor, la
cuarta el multiplicador y la quinta la tolerancia (1.5 veces el peso del color en %).

En la figura 4.2, se muestra el cuerpo de la resistencia, la posicin de los dgitos
que especifican el valor de la resistencia, para cuatro y cinco bandas de color.


Figura 4.2
16
TABLA 4.1

Dgitos A y B


C

D

E
Color Peso Multiplicador Tolerancia ()
(%)
ndice de falla
(%)
Negro 0 10
0
--- ---
Caf (marrn) 1 10
1
1 M=1.000
Rojo 2 10
2
2 P=0.100
Naranja 3 10
3
3 R=0.010
Amarillo 4 10
4
4 S=0.001
Verde 5 10
5
--- ---
Azul 6 10
6
--- ---
Violeta 7 --- --- ---
Gris 8 --- --- ---
Blanco 9 --- --- ---
Oro --- 10
-1
5 ---
Plata --- 10
-2
10 ---
Sin color --- --- 20 ---


Se contemplan los siguientes valores tpicos comerciales:
1, 1.2, 1.5, 1.8, 2.2, 2.4, 2.7, 3.3, 3.6, 3.9, 4.2, 4.7, 5.1, 5.6, 6.2, 6.8, 7.5, 8.2, 9.1
por 10
n
.

Para resistencias de baja tolerancia (1, 2, 3 y 4 % de tolerancia), se puede especificar
su nivel de confiabilidad, con la banda de color correspondiente o con letras cuando de
designe su valor con dgitos (columna E de la tabla 4.1).

Con respecto a la potencia, en la tabla 4.2 se muestra el tamao fsico lo define
as:
Tabla 4.2


POTENCIA
Watt
1/4
1/2
1
2
DIMETRO
D
3/32
9/64
7/32
5/16
LONGITUD
L
1/4
3/8
9/16
11/16

4.2 RESISTENCIAS VARIABLES.

Las resistencias variables son elementos pasivos que permiten modificar su
valor, con el objeto de modificar o cambiar las caractersticas o los parmetros de
tensin y/o corriente de un circuito elctrico; los tipos de resistencias variables los
tenemos representados por los: potencimetros, restatos, y preajustables ( Preset ).
17

4.2.1. Smbolos ms usuales (figura 4.3).

Figura 4.3


4.2.3. Nomenclatura.
La descripcin de sus caractersticas por lo general van impresas en el cuerpo
del componente, en el que se da el valor de la resistencia (en ohms) y su potencia (en
watts); en otros casos el fabricante le asigna un nmero de catlogo.


4.2.4 Construccin.
En la fabricacin de resistencias variables, en la tabla 4.3 tienen los siguientes
tipos:
Tabla 4.3

Tipo Rango
De valores
tolerancia

Coef. Term.

Disipacin
W (mx.)
Carbn aglomerado 1 a 22 M 5 a 20 % 0.1 %/C 5
Alambre devanado 1 a 100 K desde 5 ppm desde 5 ppm/C 200
Metal depositado 0.1 a 150 M desde 50 ppm desde 1 ppm/C 1
Carbn depositado 10 a 100 M desde 0.5 % -150 a 500
ppm/C
2

Existen varias formas y tipos de resistencias variables, en el que se tendr un
contacto deslizable, tenindose resistencias de una o ms vueltas.
Las resistencias de una vuelta el contacto se deslizar 270 sexagecimales
(geomtricos), que es un desplazamiento normalizado y para ms de una vuelta (2, 5,
10, 15, 20, y ms) se tendrn ciclos completos.
S en la presentacin del mecanismo de la resistencia para modificar su valor
(posicin), cuenta con un vstago, se le ha dado en nombre de potencimetro y si
carece de ste el nombre de preajustable (preset), la resistencia preajustable de ms de
una vuelta se le conoce con el nombre de Helipot.
La potencia especificada en una resistencia variable debe de entenderse que es
para todo el rango de sta, por lo tanto ser recomendable tomar como base a la
corriente que la atraviesa; por otro lado mencionaremos que las resistencias podrn ser
lineales o logartmicas (respectivamente las de material de alambre devanado y de
carbn).


18
4.2.5 Factores a Considerar en la Seleccin de los resistores.

1. Valor de la resistencia y valores lmites.
2. Disipacin.
3. Capacidad de corriente. La mxima corriente.
4. Lmite de voltaje mximo.
5. Tolerancia o precisin.
6. Coeficiente de temperatura y temperatura mxima de Operacin.
7. Coeficiente de voltaje.
8. Ruido.
9. Tamao y requerimientos de voltaje.
10. Efecto de la reactancia parsita (inductancia, capacitancia).
11. Caractersticas de estabilidad con respecto a soldadura, impacto, vibracin, ciclo
trmico, humedad, altitud, aislamiento, esfuerzos mecnicos y durabilidad de las
bandas de color (bandas de asignacin de caractersticas bsicas).
12. Deriva.
13. Efecto de la frecuencia.
14. Temperatura mxima y factor de temperatura fijado.
15. Costo.
19
5. CAPACITORES e INDUCTORES

Un capacitor es formado cuando dos placas conductoras son separadas por un
aislante (dielctrico), s una tensin es aplicada a las placas, se forman lneas de flujo
elctrico en el dielctrico entre placas. La cantidad de flujo elctrico desarrollado es una
medida del capacitor, integrado por las placas y el dielctrico.

La unidad bsica de la capacitancia en el sistema internacional (S.I.) de
unidades, es el Farad (F), sta unidad es de gran magnitud para fines prcticos, y en
electrotecnia se usan unidades ms pequeas como: el microfarad (F = 10
-6
F), el
nanofarad (F = 10
-9
F) y el picofarad (pF = 10
-12
F).

Para una tensin de corriente directa ( V C.D.) o corriente continua (V C.C
.
)
aplicada a las terminales de conexin del capacitor, la carga desarrollada (Q) o cantidad
de electricidad est dada por la ecuacin 5.1.

CV Q = (5.1)

Q Carga en Coulomb (C).
C Capacidad en Farad (F).
V Tensin en Volt (V).

La carga dada en funcin de la corriente continua, ecuacin (5.2).

Q It = (5.2)

I Corriente en Amper (A).
t tiempo en segundos (s).

La cantidad de energa almacenada (W) en el capacitor es:

W CV =
1
2
2
(5.3)

W Energa en Joules (J).

Cuando la tensin aplicada al capacitor es alterna, el capacitor se carga y se
descarga alternativamente a la frecuencia de la fuente de alimentacin. La respuesta
del capacitor a la excitacin, se efecta atravs de su reactancia.


1
2
c
X
fC
= (5.4)

Cuando una tensin de corriente directa (continua) es aplicada atravs de una
resistencia, figura 5.1, el tiempo requerido para la carga del condensador, es
20
determinado por la constante de tiempo = RC ( segundo), R ohm y C Farad)
siguiendo una ley exponencial, as:
v E e
c
t
=

( ) 1

(5.5)

Figura 5.1

En la tabla 5.1, se registran los valores de la grfica de carga del capacitor de la
figura 5.1, en funcin de la tensin aplicada.

TABLA 5.1
t(s) v
C
(V) t(s) v
C
(V)
0 0.000E 0.0 0.000E
1 0.632E 0.7 0.500E
2 0.865E 1.4 0.750E
3 0.951E 2.1 0.875E
4 0.981E 2.8 0.937E
5 0.993E 3.5 0.969

Un valor usual prctico de la constante de tiempo 0.7 RC o 0.7 , por el hecho de
que la cada de tensin en la carga es del 50% de la tensin de la fuente de
alimentacin, por otro lado se observa que la tensin plena en el condensador, se logra
prcticamente para cinco veces la constante de tiempo (5).
La descarga de un capacitor, se rige por la ecuacin 5.6

t
C
v Ee

= (5.6)
La tensin decae exponencialmente, en el que el capacitor cede su energa a la
resistencia que se conecta en paralelo al capacitor, figura 5.2.


Figura 5.2
21
La grfica de decaimiento de la tensin en el capacitor (figura 5.2), con valores
en la tabla 5.2, en la que observamos para que cinco veces la constante de tiempo,
tenemos prcticamente que la tensin en el capacitor es de cero Volt.

TABLA 5.2
t(s) v
C
(V) t(s) v
C
(V)
0 1.000E 0.0 1.000E
1 0.367E 0.07 0.500E
2 0.135E 1.4 0.250E
3 0.049E 2.1 0.125E
4 0.019E 2.8 0.063E
5 0.007E 3.5 0.031E


5.1 TIPOS DE CONDENSADORES (CAPACITORES).

Su nombre de mayor difusin es el de capacitor en el medio y su valor puede ser
fijo o variable, el cual depende de los materiales y su forma de construccin; tambin
puede ser polarizado o no polarizado.

Smbolo.



5.1.1 Breve descripcin de los tipos de construccin.

Condensador de papel.

Se construye con arrollamientos de tiras de hojas de papel delgado y metal, con
un impregnante dielctrico, son baratos y de amplia aplicacin, no muy exactos y factor
de disipacin no estrictos.


Condensador de papel metalizado.

Aqu el papel se ha metalizado, logrndose una mayor exactitud en el valor, a
costa de no soportar sobretensiones.

Ambos condensadores llevan impreso sus caractersticas en el cuerpo del
mismo; su valor de capacidad en microfarad (F) y su tensin en volts (V).
22
Condensador de pelcula de plstico.

En ste tipo de condensador se substituye el dielctrico de papel por poliestireno,
mylar, polietileno, tefln, etc.; son costosos, operan en temperaturas hasta 300 C,
tienen resistencias de fuga elevadas y factores de disipacin bajos, su valor lo lleva
impreso en el cuerpo dado en picofarad (pF) y la tensin en volt (V); se emplea en
circuitos resonantes.

Condensador de mica.

Se aplican capas alternadas de metal y mica, con una cubierta (puede ser de
plstico, vidrio o metal) para proporcionarle al conjunto rigidez mecnica, tiene un
pequeo factor de disipacin y es posible predeterminar su coeficiente trmico (T)
cuando se emplea mica plateada; son de poca capacidad (por su forma de
construccin); ideal para altas frecuencias, usados en sintona, osciladores y filtros de
ondas. Sus caractersticas estn impresas en el cuerpo, dadas en picofarad (pF) y volt
(V).

Condensadores electrolticos.

Arrollamientos de tiras de hojas de papel y de hojas de aluminio, sumergidos en
un electrolito contenidas en un envase de aluminio; la tira de aluminio est oxidada en
una de sus caras, logrndose una alta rigidez dielctrica (10
7
V / m); por lo cual su
capacidad es muy grande en relacin a el volumen del capacitor. Se fabrica con
polaridad marcada, la cual debe respetarse; de no ser as, la corriente de fuga es tan
grande que se calienta y se destruye.
Existe una nueva tcnica de construccin en los condensadores de tantalio los
cuales son ms exactos. Sus magnitudes estn dadas en microfarad (F) y la tensin
en Volt (V).
Cabe mencionar el fenmeno de la absorcin dielctrica en ste tipo de
condensador, el cual consiste en la recuperacin de la carga del mismo despus de
haberlos descargado momentneamente (atravs de un corto circuito en sus
terminales).
Se recomienda descargar el condensador conectando una resistencia en sus
terminales, con el objeto de no someter al dielctrico a esfuerzos innecesarios y
provocndole un envejecimiento prematuro.

Condensadores cermicos.

Su caracterstica est dada por la composicin de la cermica, de poca
capacidad dada en nanofarad (nF) impresa en el cuerpo, junto con su tensin de
operacin en volt (V).
23
Condensador variable en aire.

Constituido por placas metlicas intercaladas y aisladas (aire) que al modificar su
rea superpuesta (al girar sobre un eje comn) modifican el valor de la capacidad. Se
fabrican en valores de 10 pF a 400 pF, su uso normal es en sintona.

Condensador ajustable o trimmer.

Los trimmers son hechos con dielctricos de mica, tefln, cermica, cuarzo,
vidrio, etc.; su valor se ajusta al que va a operar en un ancho de banda dado, es usado
tambin en osciladores. Valores tpicos 7- 45 pF y 15 - 130 pF.

Condensador pasante (by pass).

Este condensador se emplea para derivar a masa (tierra) las seales
indeseables, desde un conductor procedente de una seccin blindada, que opera a alta
frecuencia; se fabrica en valores de 100 - 5000 pF.

En los condensadores la nomenclatura difiere en la presentacin del tipo del
capacitor, el fabricante decide como suministrar sus caractersticas y valores,
tenindose las opciones impresas en los cuerpos, en colores (dos) caractersticos o
regidos por el cdigo de colores (franjeados) como es el caso de los condensadores de
polipropileno, policarbonato, etc.; en diversas presentaciones (gota, oblea o
paralelogramo), en la tabla 5.3 presentan algunas caractersticas importantes de los
capacitores.

TABLA 5.3 PARMETROS TPICOS DE CAPACITORES.

DIELCTRICO FACTOR DE POTENCIA COEFICIENTE DE
TEMPERATURA
Mylar 8 X 10
-4
- 14 X 10
-4
+250 ppm / C, 0 C a 70 C
Poliestireno alta calidad 1 X 10
-4
- 2 X 10
-4
-50 a 100 ppm / C
Mica alta calidad 1X10
-4
- 7 X 10
-4
-60 C a + 60 C
0 a 70 ppm / C
NPO Ceramic 5 X 10
-4
- 20 X 10
-4
0 a 30 ppm / C
Policarbonato 30 X 10
-4
- 50 X 10
-4
1% no monoltico
0 C a 70 C
Tefln 0.5 X 10
-4
- 1.5 X 10
-4
-250 ppm / C
-60 C a 150 C

El efecto del factor de potencia en los capacitores se tomar como una
resistencia en serie (Rs) o paralelo (Rp) con un capacitor ideal y para bajos factores de
potencia Rs << 1 / C. As:
Rs
F P
fC
=
. .
2
; Rp
fC F P
=
1
2 ( . . )
24
5.1.2 El condensador como elemento de circuito.

La corriente.
dt
dv
C i = ; donde C es la capacidad en Farad (F)

El condensador elemental es el plano, mejor conocido como el de placas
paralelas, figura 5.3.

Figura 5.3
En el condensador plano tenemos la capacidad es: C
K A
d
=

0


Donde:
0
Permitividad 8.85 X 10
-12
F / m en el vaco.
K Coeficiente dielctrico del material, (constante dielctrica)

y la constante dielctrica
0

= K

Por otro lado la energa almacenada ser:

( ) E
CV K A
d
V
K
V
d
Ad = = =

2
0
2
0
2
2 2 2

2
0
2 d
V
K

Caractersticas dielctricas.

Ad Volumen del dielctrico del condensador.
25
5.2 INDUCTORES.

Cuando circula una corriente elctrica en un alambre o bobina (conductores), un
campo magntico es desarrollado en derredor del alambre o bobina. Cuando la
corriente se incrementa, el flujo magntico se incrementa. Un incremento en el flujo
magntico, genera una tensin en el alambre o bobina con una polaridad que se opone
al cambio de flujo. La habilidad de la bobina para oponerse a stos cambios es llamada
auto inductancia (self-inductance) o ms comnmente inductancia; las bobinas
elctricas son llamadas inductores, en la figura 5.4, se muestran los tipos de inductores
que se emplean.
Cuando dos o ms bobinas son eslabonadas por un campo magntico comn
(acopladas) la medida del flujo magntico que interacta entre las dos bobinas es
llamada inductancia mutua.
La unidad de la inductancia (L) es llamada Henry (H) y sus submltiplos milihenry
(mH) y microhenry (H).
Cuando se aplica un voltaje de corriente alterna (C.A.) a los inductores, stos
presentan una reactancia (X
L
) de la magnitud siguiente:

2 ( )
L
X fL =
Donde: L = Inductancia (H).
f = Frecuencia (Hz).

Inductores:
Fijas Inductancias puras (bobinas).
Variables Inductanciasmutuas (transformadores).




Smbolo:

Figura 5.4

Nomenclatura. La trae impresa en el cuerpo del dispositivo su capacidad H, mH,
corriente (A); potencia (VA) y tensin (V).

Construccin. La construccin es de alambre devanado sobre ncleos de: aire, acero al
silicio (laminado), aleacin hierro-nquel macizo (50% c/u) y en polvo aglutinado, ferritas
y actualmente plsticas.

Ncleo de aire. Bobina simple arrollada sobre un ncleo no magntico; uso en
bobinas de antenas, filtros y reactancias (shockes), inductancias variables (adicionando
y modificando la posicin del ncleo en el interior de la bobina).
26
Ncleo de acero al silicio. Arrollamiento sobre ncleo laminado (hojas de
espesores de 0.2 mm a 0.5 mm), uso en reactancias, transformadores, motores.
Permeabilidad magntica (
r
) 10
4
[ ]
H m / y densidad de flujo mxima o densidad de
flujo magntico m de 1.6 Wb/m
2
, bajas prdidas por histrisis a frecuencias de 50 y 60
Hz.
Ncleo de aleacin de hierro nquel.- 50% de nquel o ms, permeabilidad
magntica
r
10
5
(H/m) y densidad de flujo mxima m = 1.5 Wb/m
2
es saturable con
menos intensidad de campo magntico o fuerza magnetizante (H) Amp-vuelta/m. Uso
en amplificadores magnticos, reactores saturables y convertidores corriente continua-
corriente continua.
Ncleos de aleaciones de hierro-nquel comprimido en polvo con algn material
aglutinante no magntico.- Permeabilidad magntica
r
- 10 a 100
[ ]
H m / . Densidad
de flujo magntico 0.6 Wb/m
2
- Estable al envejecimiento y a las variaciones de
temperatura, utilizado a frecuencias cientos de MHz., uso en filtros para inductancias
muy precisas.
Ferritas.- Material cermico compuesto de xidos de hierro y otros elementos
magnticos (aglutinados y comprimidos, con formas de diseo tpico), permeabilidad
magntica
r
= 10
3

[ ]
H m / , densidad de flujo mxima m = 0.3 Wb/m
2
, uso filtros,
reactores y transformadores de alta calidad; rango de frecuencia 1 KHz a 10 MHz.

La inductancia como elemento de circuito, figura 5.5.


Figura 5.5

v L
di
dt
= donde: v = Voltaje (V).
L = Inductancia (H).

l
AN
R
N
L
2
2

=
=
= Permeabilidad magntica (H / m).
A = rea del circuito magntico (m
2
).
N = Nmero de espiras (vueltas).
l = Longitud del circuito magntico (m).
W LI =
1
2
2
W = Energa almacenada (J).
I = Intensidad de corriente (A).
27
= H en la parte lineal de la curva de magnetizacin (Wb / m
2
)Tesla.

= Induccin magntica o densidad de flujo (Wb / m
2
).
H = Intensidad de campo magntico (A esp/ m).
Mtodos de medicin. Puente de impedancias .

Transformadores. (Bobinas acopladas).- ocurre cuando hay ms de dos
arrollamientos (bobinas) devanados en un mismo circuito magntico


6. COMPONENTES ACTIVOS

Los elementos activos son dispositivos no lineales, siendo aquellos dotados de
propiedades susceptibles de sufrir variaciones en funcin de: la corriente, la tensin, la
temperatura, la iluminacin, el campo magntico, el campo electrosttico, etc., o de
cualquier combinacin en los mismos. stos componentes no lineales se encuentran
representados por los dispositivos de vaco, gas y semiconductores.

6.1 RESISTENCIAS ACTIVAS.

Estos componentes no lineales se encuentran representados por cuatro
dispositivos.

Termistor: Resistor NTC (Negative Temperature Coefficient) coeficiente de
temperatura negativo, es decir la resistencia decrece rpidamente con el incremento de
la temperatura entre valores de -3% a -6% por C,figura 6.1. Constituidos por materiales
de xidos semiconductores, como por ejemplo: trixido frrico (Fe
2
O
3
), e impurezas de
dixido de titanio (TiO
2
) o dixido de nquel (NiO). Que son aglutinados cermicos con
xidos de: titanio, nquel, manganeso, cobalto, cobre, etc.



Figura 6.1


Stabistor: Resistor PTC (Positive Temperature Coefficient) coeficiente de
Temperatura Positiva, aqu aumenta el valor de la resistencia por incremento de la
temperatura, con rangos de +7% a +60% por C, figura 6.2. Se fabrica con elementos
como: carbonato de bario, carbonato de estroncio, pentxido de niobio y dixido de
titanio. En el proceso de fabricacin estos elementos se calcinan a una temperatura de
1,200 C, se pulverizan, se mezclan y se comprimen para darles una forma particular;
28
posteriormente se reducen en una atmsfera controlada, una vez conformados los
cuerpos del componente.


Figura 6.2

Fotoresistencia: Resistor LDR (Light Depend Resistance) resistencia que
modifica su valor por iluminacin de su superficie, figura 6.3, en el que el valor de la
resistencia depende tanto de la intensidad luminosa como de la longitud de la onda de
la luz. Se fabrica con materiales semiconductores.


Figura 6.3

Varistor: Resistor VDR (Voltage Depend Resistance) resistencia que modifica su
valor para niveles de voltaje prefijados, figura 6.4, fabricados con semiconductores o
con xido de estao granulado; su principal uso es como supresor de transitorios de
tensin de las fuentes de alimentacin, tambin en pequeas potencias se emplea
como regulador de tensin en los circuitos electrnicos.


Figura 6.4.

Con referencia a los dispositivos de proteccin de los circuitos elctricos tenemos
que: un fusible protege a los circuitos elctricos contra sobre corriente y un varistor lo
protege contra sobre tensin, un ejemplo de varistor lo tenemos con el fabricante
General Electric con el nmero de matrcula V120LA20A en el que tenemos la
descripcin siguiente:

V Varistor.
120 Valor de la tensin eficaz.
LA Tipo de montaje (en ste caso tipo oblea con dos terminales de conexin).
20A Energa que es capaz de suprimir, 20 J.

29
6.2 DISPOSITIVOS ACTIVOS.

6.2.1 Dispositivos activos de vaco.

Nombre. Smbolo. Curva caracterstica. Uso.
Diodo.

Rectificador, detector.
Trido.

Amplificador, rel
esttico.
Tetrodo.

Oscilador.
Pentodo.

Amplificador altas
frecuencias.

Tubos de rayos catdicos, klistrn y magnetrn (amplificador, oscilador, pulsos,
etc.), vlvulas multiplicadoras, tubos Geiger Mller y clulas fotoelctricas (fotmetros,
mandos, alarmas, etc.), rayos X, etc.
30
6.2.2. Dispositivos activos gaseosos.

Nombre. Smbolo. Curva
caracterstica.
Uso.
Diodo gaseoso.
(Fanotrn).

Rectificador, regulador
de tensin.
Trodo gaseoso.
(Tiratrn)

Rectificador controlado.
Contactores para C.A.
Tetrodo gaseoso.
(Tiratrn de dos
rejas).

Rectificador controlado.
Contactores para C.A.
Ignitrn. (Emisin
por campo).

Rectificador de potencia
galvanoplasta,
soldadura.
31
6.2.3. Dispositivos activos de semiconductores.

Nombre. Smbolo. Curva
caracterstica.
Uso.
Diodo

Rectificador, recortador,
interruptor de circuitos
lgicos, etc.
Diodo Zener
Unidireccional

Regulador de tensin,
fuentes estabilizadas.
Diodo Zener
Bidireccional

Eliminar transitorios en
voltajes de A.C.
Diodo Tunnel

Osciladores,
multivibradores.
Transistores
PNP



NPN


Amplificador.
Transistor
monounin. (UJT)

Osciladores en circuitos
de disparo.
Diac Trigger

Disparador
bidireccional.
Diodo Tiristor
Bidireccional

Dispositivos de disparo
para control de fase en
triacs.
SUS. (Interruptor
Unilateral de Silicio)
Contadores, timers,
alarmas.


32
Dispositivos activos de semiconductores (continuacin).

Nombre Smbolo Curva
caracterstica
Uso
SBS.(Interruptor
Bilateral de Silicio)

Circuitos de disparo
LAS. (Interruptor
Activado por Luz)
Sensor, interruptor
ptico.
LASCR (Rectificador
controlado por luz)

Sensor para controlar la
rectificacin.
TRIAC (Trodo
tiristor bidireccional)

Control de fase de C.A.
SRC. (Rectificador
Controlado de
Silicio)
Rectificacin controlada,
interruptor de C.C.
SCS. (Interruptor
Controlado Silicn)

Contadores, timers,
alarmas en C.A.
LASCS. (Interruptor
Controlado por Luz)

Contadores, timers,
alarmas en C.A.

33
7. SEMICONDUCTORES

Con el fin de comprender el comportamiento de los semiconductores, es
necesario un recordatorio de la teora atmica y electrnica.
La composicin de la materia por elementos o sus combinaciones (molculas),
en el que la molcula es la parte de la materia que conserva sus propiedades fsicas
como elemento y a su vez la molcula se reduce a su partcula ms pequea,
conservando sus propiedades en el tomo.


Elementos qumicos.

El trmino elemento qumico hace referencia a una clase de tomos, todos ellos
con el mismo nmero de protones en su ncleo.
Es importante diferenciar a un elemento qumico de una substancia simple. El
ozono (O
3
) y el di oxigeno (O
2
) son dos sustancias simples, cada una de ellas con
propiedades diferentes. Y el elemento qumico que forma estas dos sustancias simples
es el oxgeno (O). Otro ejemplo es el del elemento qumico carbono, que se presenta en
la naturaleza como grafito o como diamante (estados alotrpicos).
Se conocen ms de 118 elementos. Algunos se han encontrado en la naturaleza, se
(clasifican en naturales, hasta 92 elementos) formando parte de sustancias simples o de
compuestos qumicos. Otros han sido creados artificialmente en los aceleradores de
partculas en reactores atmicos (despus del elemento 92). Estos ltimos son
inestables y slo existen durante milsimas de segundo.
An cuando los tomos de los diferentes elementos tienen distintas propiedades,
todos estn integrados por las mismas partculas subatmicas, dentro de las cuales las
ms importantes son: el Protn, el Electrn y el Neutrn.

Modelo atmico de Bohr
Este modelo es estrictamente un modelo del tomo de hidrgeno tomando como
punto de partida el modelo de Rutherford, Niels Bohr trata de incorporar los fenmenos
de absorcin y emisin de los gases, as como la nueva teora de la cuantizacin de la
energa desarrollada por Max Planck y el fenmeno del efecto fotoelctrico observado
por Albert Einstein.
El tomo es un pequeo sistema solar con un ncleo en el centro y electrones
movindose alrededor del ncleo en orbitas bien definidas. Las orbitas estn
cuantizadas (los e- pueden estar solo en ciertas orbitas)
Cada orbita tiene una energa asociada. La ms externa es la de mayor energa.
Los electrones no radian energa (luz) mientras permanezcan en orbitas
estables.
34
Los electrones pueden saltar de una a otra orbita. Si lo hace desde una de menor
energa a una de mayor energa absorbe un cuanto de energa (una cantidad)
igual a la diferencia de energa asociada a cada orbita. Si pasa de una de mayor
a una de menor, pierde energa en forma de radiacin (luz).
El mayor xito de Bohr fue dar la explicacin al espectro de emisin del hidrogeno.
Pero solo la luz de este elemento. Proporciona una base para el carcter cuntico de la
luz, el fotn es emitido cuando un electrn cae de una orbita a otra, siendo un pulso de
energa radiada. Bohr no puede explicar la existencia de orbitas estables y para la
condicin de cuantizacin. Bohr encontr que el momento angular del electrn es h/2
por un mtodo que no puede justificar.
El tomo es un elemento dinmico en equilibrio, en el que entran en juego fuerzas
elctricas (electrostticas y magnticas), gravitacionales y dinmicas; en el que la
fuerza centrifuga de los electrones equilibra la atraccin del ncleo.
En cuanto a los elementos, un tomo puede tener hasta siete capas de
electrones o niveles energticos (correspondientes a las capas K, L, M, N, O, P y Q), de
la cual la ltima es la ms significativa.
Capa de valencia.
La capa de electrones exterior de un tomo, recibe el nombre de capa de
valencia (del griego enganche) y los electrones que giran en sta capa reciben el
nombre de electrones de valencia, tenindose la regla importante que la capa no
puede tener ms de ocho electrones. sta capa establece cual de los tomos que
constituyen a los buenos conductores, aislantes y semiconductores.

Nivel energtico.
Los electrones localizados en el tomo, conforme se alejan del ncleo adquieren
un nivel energtico mayor; es decir los cercanos al ncleo tienen menor energa que los
exteriores, s se proporciona energa suficiente a un electrn de valencia, ste se
liberar del tomo y sta energa se distribuye entre los electrones de valencia
restantes.
tomos estables e inestables.
tomos de cinco a siete electrones de valencia son estables, tienden a completar
su capa de valencia a ocho electrones y los constituyen los buenos aislantes.
tomos de uno a tres electrones de valencia son inestables, tienden a estabilizar
su ltima rbita cediendo los electrones de valencia; constituyendo los buenos
conductores.
tomos con ocho electrones en la ltima capa (saturada), son completamente
estables, siendo difcil extraerle electrones, resultando los mejores aislantes,
representados por los gases inertes (Helio, Nen, Argn, Kriptn, radn y Xenn).

tomos con cuatro electrones de valencia estructuran los semiconductores, no
son buenos conductores, ni buenos aislantes.
35
7.1 NIVELES DE ENERGA.

De la concepcin de Bohr en la que el tomo se encuentra formado por su ncleo
y girando los electrones en diferentes rbitas definidas, estas constituyen los diferentes
niveles energticos (niveles permitidos para la estancia de los electrones). En la figura.
7.1 se muestra el diagrama de niveles de energa.


Figura 7.1

7.2 DIAGRAMA DE LAS BANDAS DE ENERGA.

Para facilitar la comprensin de la energa empleada en la liberacin de
electrones, los materiales se representan en niveles energticos por medio de bandas,
dados en unidades de electrn-volt (ev), convenidas en su representacin a
temperatura ambiente. La figura 7.2, se ilustra en forma cualitativa la energa de los
electrones y sus diferentes bandas de materiales aislantes, semiconductores y
conductores.



Figura 7.2

Los diagramas de bandas de energa muestran los niveles de energa (ev) que
pueden ocupar los electrones y en los que se puede observar que, no incluimos los
niveles cercanos al ncleo del tomo.
La anchura de la banda prohibida determina la cantidad de energa necesaria
para situar el electrn de valencia en la banda de conduccin, el ancho de la banda de
conduccin representa la cantidad de energa necesaria para liberar un electrn de su
capa (es decir del tomo).
36


7.3 TIPO DE UNIN DE LOS TOMOS.

Los tomos se unen completando a ocho electrones su ltima capa (capa de
valencia), comportndose en forma estable cada tomo que participa en la unin,
tenindose:

1. Unin Metlica: se efecta en los buenos conductores, donde todos los tomos
compartan los electrones de valencia, manifestndose por l traslape de la banda de
conduccin y la banda de valencia, slo se considera para tomos del mismo tipo.

2. Unin Electrovalente o Inica: se realiza con tomos de diferentes elementos
aceptando o cediendo uno o varios electrones de valencia; quedando ambos tomos
como iones de diferente signo los cuales se atraen enlazndose para formar su capa
de valencia compartida y logrndose de esta forma su estabilizacin. Ejemplo:
Cloruro de Sodio(NaCl), Oxido de cobre(Cu
2
O), etc., en el que los elementos
cambian sus estados y propiedades naturales (gaseosa a slido y conductor a
aislante, respectivamente para el cloro y el cobre).

3. Unin Coovalente: cuando tomos con cuatro electrones en la ltima capa (capa de
valencia) se unen para compartir un electrn; llamado tambin unin de par
electrnico, como es el caso del germanio y del silicio. En la unin coovalente un
par de electrones es compartido por tomos contiguos, por lo que se estabilizan los
tomos al completar su capa de valencia a ocho electrones. Se muestra como caso
especial el agua (H
2
O), que se realiza en la molcula la unin coovalente, figura
7.3.








Figura 7.3

4. Unin Molecular.

5. Unin Hidrognica.
37
7.4 ESTRUCTURA TOMICA DE LOS SEMICONDUCTORES.

Los tomos del germanio y del silicio, se unen por medio de enlaces coovalentes
y son los materiales que ms se usan en la electrnica de semiconductores; esta unin
la hacen con cuatro tomos adyacentes formando una red cbica con tomos
centrados, llamada red de diamante, figura 7.4, una de las formas alotrpicas del
carbono.









Figura 7.4
sta red cristalina la llevamos a un plano para tener una mayor visin del
comportamiento del cristal figura 7.5.






Figura 7.5


La superficie del cristal no tiene las mismas caractersticas elctricas que en el interior
debido a los enlaces no existentes.
38
7.5 MATERIAL SEMICONDUCTOR INTRNSECO

El germanio y el silicio puros, son llamados semiconductores intrnsecos; lo cual
se logra atravs de un proceso de purificacin como: el de refusin, de mesa,
crecimiento epitexial, etc.; logrndose purezas del material del 99.9%, que permiten ser
utilizados en dispositivos electrnicos.

A temperatura de 0K, (cero absoluto), la retcula cristalina y los niveles
energticos se muestran en la figura 7.6.



Figura 7.6


Se observa que los electrones de valencia ocupan las uniones de par electrnico
en el cristal y en la banda de valencia se localizan los electrones de la ltima capa o
nivel energtico.

A temperatura ambiente, el nivel energtico de algunos electrones de valencia es
lo suficientemente elevado para que abandonen la unin coovalente, dejando un
espacio vaco en el lugar que ocupa el electrn; llamndole hueco con carga positiva
(por el ion o iones del ncleo).

Visto de otra manera, se han roto algunos enlaces coovalentes generndose
electrones libres dentro de la retcula cristalina y desde el punto de vista electrnico, se
tienen cargas disponibles para la conduccin de carcter intrnseco (tanto positivas
como negativas). De ah que el nmero de cargas disponibles para la conduccin de
cargas elctricas positivas (huecos) y negativas (electrones) son igual en nmero,
independientemente de la temperatura del semiconductor.
39
En la figura 7.7, se muestran a temperatura ambiente, el cristal del material
semiconductor de silicio y los niveles energticos dependientes de su nmero atmico.


Ruptura de enlace coovalente Niveles energticos

Figura 7.7

De las figuras 7.6 y 7.7, referente a las bandas de energa, observamos que los
huecos se localizan en la banda de valencia y los electrones en la banda de
conduccin, que son los canales energticos en el que se desplazan los electrones y
los huecos respectivamente.
La ruptura de los enlaces coovalentes es ocasionada por el incremento del nivel
de energa en la estructura del cristal, como podra ser debido al incremento de
temperatura, en el bloque del cristal semiconductor; en el que ocurre el proceso de
generacin de las cargas disponibles para la conduccin y la recombinacin de
cargas.
Estos procesos ocurren en puntos especficos del cristal llamados centros de
recombinacin, que puede ser un campo de accin de una impureza o imperfeccin
natural del cristal. En el silicio y el germanio, se tienen especial eficacia como centros
de recombinacin, los tomos insertados de algunos metales pesados como el oro.
La influencia de la temperatura sobre el semiconductor es determinante, en
relacin con la densidad de los portadores de carga libres para la conduccin, la
podemos relacionar con su incremento a la generacin ( G ) y con su decremento a la
recombinacin ( R ) de las cargas elctricas, en la forma siguiente:

+ > T G R Existe la ruptura de enlaces coovalentes y se tiene un mayor
nmero de cargas disponibles para la conduccin.
T cte G R = = . Se logra el equilibrio de cargas y se tiene el mismo nmero
de cargas positivas y negativas disponibles en la conduccin
< T G R Se tiene la formacin de enlaces coovalentes de las cargas y
por consiguiente hay un nmero menor de cargas disponibles
para la conduccin.

40
7.6 DENSIDAD ATMICA EN EL CRISTAL SEMICONDUCTOR.

Para Germanio:

Concentracin de tomos = nmero Avogadro x 1 mole / peso atmico x densidad


23
3
tomos 1 mole 5.32 g
6.02 10
mole 72.6 g cm
=

22 3
4.41 10 tomos / cm =

Para Silicio:

Concentracin de tomos = nmero de Avogadro x densidad / Peso atmico.


23 6 3
6.02 10 tomo / g tomo 2.33 10 g / m
28.09 g / g tomo

=

28 3
5 10 tomo / m =

22 3
5 10 tomo / cm =

En el clculo anterior mostramos dos formas para la determinacin de la
concentracin de los tomos.

En el material semiconductor intrnseco se tiene que:

n
i


= cargas negativas disponibles para la conduccin.
p
i
= cargas positivas disponibles para la conduccin.

En donde:
i i
p n =
La densidad de cargas de carcter intrnseco para los semiconductores es:

Para el germanio a 25 C 300 K, n
i
= 2.5 x 10
13
cargas / cm
3

Para el Silicio a 25 C 300 K, n
i
= 1.5 x 10
10
cargas / cm
3


Las cargas liberadas en las rupturas de los enlaces coovalentes no estn
presentes en forma indefinida (son temporales) y stos portadores de carga se
recombinan teniendo un tiempo de existencia entre 0.01 s y 10 s. aproximadamente.
Por lo que respecta a la conductividad del semiconductor sta se duplica para
incrementos de la temperatura en el silicio por cada 6 C y en el germanio para cada
10 C; y tambin se hace notar, que los centros de recombinacin no influyen sobre la
conductividad del cristal (germanio o silicio).
41
7.7 CORRIENTE EN UN SEMICONDUCTOR INTRNSECO.

Un trozo de material semiconductor intrnseco a temperatura ambiente, es
sometido a una diferencia de potencial, generndose una corriente elctrica, integrada
por el movimiento de electrones y huecos figura 7.8.



Figura 7.8

A sta temperatura existen cargas negativas (electrones) y positivas (huecos)
disponibles para la conduccin, llamndose conduccin intrnseca.
Los dos tipos de carga positiva y negativa, se mueven en sentidos opuestos
dentro del cristal del semiconductor hacia la polaridad de la fuente con la atraccin de la
carga correspondiente, es decir, el borne positivo de la fuente atrae a los electrones y el
negativo atrae los huecos; por esta condicin decimos que el semiconductor es bipolar.
Las curvas experimentales de la figura 7.9 nos muestran la contribucin de la
corriente por los dos tipos de portadores de carga elctrica y prcticamente las
consideraremos iguales, (
e h
I I ).



Figura 7.9
42
7.8 MATERIAL SEMICONDUCTOR EXTRNSECO.

La corriente elctrica en los semiconductores es debida a los portadores de
carga negativa (electrones) y a los portadores de carga positiva (huecos), se tiene que
en un material semiconductor intrnseco a temperatura ambiente, son iguales las
concentraciones de carga.
n
i
= p
i
, T = cte.
n
i
= p
i
= 0 , T = 0 K.

En un semiconductor, es posible incrementar el nmero de portadores de carga
de un tipo; con el objeto de producir un mayor flujo de corriente elctrica, s al material
semiconductor se le somete a un tratamiento especial llamado impurificado, inyectado,
contaminado, drogado o dopado.
La impurificacin se lleva a cabo con tomos que tienen cinco electrones de
valencia (pentavalentes) o con tomos que tienen tres electrones de valencia
(trivalentes), para producir cargas libres de electrones o huecos, dentro de la retcula
cristalina del semiconductor. Esta impurificacin es controlada para dar diferentes
caractersticas de conduccin al semiconductor, la cual se realiza por diversos mtodos,
siendo el de difusin el ms comn.
La impureza pentavalente es donadora por el hecho de donar ( dar o ceder ) un
electrn libre en el cristal semiconductor. En la figura 7.10 se muestra el semiconductor
tipo N.
La impureza trivalente es aceptadora, en el cristal semiconductor se tienen
tomos con huecos donde se atraen electrones (aceptan). en la figura 7.11 se muestra
el semiconductor tipo P.

Impurezas donadoras (Grupo V): Arsnico, Fsforo, Antimonio y Bismuto.
Impurezas aceptoras (Grupo III): Indio, Boro, Aluminio y Galio.

La cantidad de impureza aplicada al semiconductor puro, es exigua; del orden de
un tomo por cada 10
6
a 10
10
tomos puros; tenindose una concentracin de tomos
de 5 x 10
22
tomos/cm
3
en el silicio y 4.41 x 10
22
tomos/cm
3
en el germanio.


Semiconductor tipo N.
Figura 7.10
43

Semiconductor tipo P.
Figura 7.11

Adems de los semiconductores extrnsecos tipo N y tipo P, de material de silicio
y germanio existen compuestos semiconductores como el: Arseniuro de Galio, Sulfuro
de Zinc, Antimoniuro de Indio, Fsforo de Galio, etc.; que se usan para construir
algunos dispositivos especiales incluyendo algunos tipos de fotoceldas y los diferentes
diodos emisores de luz (led).
La adicin de impurezas de tipo N disminuye el nmero de huecos y similarmente
con la impurificacin tipo P decrece la concentracin de electrones como cargas libres,
ms que en un semiconductor intrnseco. Un anlisis terico nos lleva a ste resultado
bajo condiciones trmicas de equilibrio, y el producto de las concentraciones de cargas
libres positivas y negativas es constante e independiente de la cantidad de impurezas
donadoras o aceptoras. Esa relacin es llamada ley de accin de masas y se
representa por la ecuacin:

n p = n
i
2
, p
i
=n
i


La concentracin de cargas n
i
es funcin de la temperatura (densidad de cargas
intrnsecas o nmeros de cargas por unidad de volumen).
El resultado de la impurificacin del semiconductor puro, es el de incrementar la
conductividad y la de producir un semiconductor en el cual la carga elctrica
predominante es de huecos o de electrones para el tipo P y N respectivamente.
n Nmero de portadores de carga de carcter extrnseco negativa.
p Nmero de portadores de carga de carcter extrnseco positiva.

7.9 SEMICONDUCTOR TIPO P Y TIPO N

Al agregar tomos donadores al semiconductor, los electrones extra aportan un
nmero mayor de cargas a las que se tendran normalmente producidas por agitacin
trmica; la carga es negativa, de ah que reciba el nombre de semiconductor tipo N.
Para las impurezas aceptoras (huecos) adicionales a las producidas por agitacin
trmica, le da un carcter positivo recibiendo el nombre de semiconductor tipo P.
Las bandas de energa quedan modificadas en el compuesto del semiconductor
tipo N y tipo P,. figura 7.12.
44

Figura 7.12

De las bandas de energa se puede concluir que el semiconductor tipo N
conduce ms fcilmente que el semiconductor tipo P, por el ancho de la banda
prohibida que tienen las cargas de impurificacin.

7.10 CORRIENTE DE UN SEMICONDUCTOR EXTRNSECO.

Desde el punto de vista elctrico s a un trozo de material semiconductor
extrnseco lo sometemos a una diferencia de potencial, tendremos una conduccin
extrnseca y s consideramos que sta ocurre a temperatura ambiente, en la figura 7.13,
se muestra la corriente de las cargas elctricas de huecos y de electrones en el
semiconductor.

Semiconductor tipo N.

n portadores de carga mayoritarias. (e)


p
i
portadores de carga minoritarias. (h)

Semiconductor tipo P.

p portadores de carga mayoritarias. (h)


n
i
portadores de carga minoritarias. (e)

Figura 7.13

A pesar de la impurificacin de los cristales del semiconductor, stos
permanecen elctricamente neutros, ya que no se han agregado ni quitado cargas
elctricas al cristal.
45
8. DIODO SEMICONDUCTOR.

Los dispositivos electrnicos como es el caso de los diodos, han tenido un
proceso de desarrollo en los que se encuentran los siguientes tipos: de cristal
(semiconductor), xido de cobre (metlicos), selenio (metlico), germanio (unin P-N),
silicio (unin (P-N), fanotrn (gas ctodo caliente), vapor de mercurio sin/con gas noble
(ctodo caliente), kenotrn (vaco ctodo caliente), ignitrn (cuba de mercurio) y al vaco
(ctodo caliente).

El diodo semiconductor es un dispositivo electrnico, el cual est formado por un
semiconductor tipo N y otro tipo P, los dos combinados en una sola unidad de cristal
semiconductor (un cuerpo de material semiconductor).

8.1 SMBOLO DEL DIODO SEMICONDUCTOR.


Figura 8.1

En el smbolo, figura 8.1, la punta de flecha indica el sentido de flujo de la
corriente convencional (correspondiente al flujo de huecos) y la barra indica el colector
(como analoga a la placa de un diodo de vaco).

8.2 TIPOS DE ENCAPSULADO DE DIODOS.

Figura 8.2.

La potencia que maneja un diodo, figura 8.2, es funcin de la energa que pueda
disipar, en forma de calor; directamente por medio de su superficie lateral en pequeas
potencias o se hace necesario asociarlos a disipadores o radiadores de calor, para
medianas o gran potencia; stos tienen limitaciones en su tamao (por la conduccin
del calor atravs del metal, manifestndose como resistencia trmica).

8.3 CONSTRUCCIN DEL DIODO DE UNIN.

Los diodos se construyen por los mtodos de inmersin, unin de aleacin,
tcnica de campo interno, refusin, de mesa, difusin, etc.
46
Apenas fabricado el diodo P-N, se produce una regin en su unin de
intercambio de portadoras de carga de mayora (es la unin P-N); los electrones de la
regin N pasan a la regin P; y los huecos de la regin P pasan a la regin N (cruzan la
unin), neutralizndose.
Quedando iones positivos en la regin N e iones negativos en la regin P, (los
cuales forman parte de la red cristalina); la concentracin de stos iones crea una d.d.p.
que impiden el cruce indefinido de los portadores de carga mayoritarios; dada una
temperatura estable, se logra un equilibrio de la concentracin de los portadores de
carga elctrica, estado al que se le da el nombre de equilibrio dinmico de la unin.
Al estar en equilibrio la unin solo ser cruzada por los portadores de carga
minoritarios (estos generados trmicamente), con la condicin de que por cada carga
que cruce la unin de un signo dado, lo har otra de signo contrario, as permanecer el
equilibrio en la unin.

8.4 CARACTERSTICAS DE CARGA Y POTENCIAL OCURRIDAS EN
LA UNIN P-N DE UN DIODO SEMICONDUCTOR, CON Y SIN POLARIZACIN.

El flujo de huecos es un flujo de electrones de valencia, ya que el hueco forma
parte del cristal y no se mueve fsicamente, conviniendo que se muevan los huecos; en
la figura 8.3, se muestran los estados de polarizacin del diodo semiconductor.







Considerando ambos
Cristales separados.







A y K analoga con los diodos
de vaco.





La unin
en
equilibrio



Aqu el proceso de difusin
en la unin, los portadores
de carga mayoritarios cruzan
la unin formando la barrera
de potencial, que es
representado por una
batera, con la polaridad
indicada.
47




La unin polarizada
directamente.

Los portadores de carga
mayoritarios se mueven
haca la unin y hay
recombinacin (gran
corriente).
Electrones mayoritarios.
Huecos mayoritarios.
Electrones minoritarios.
Huecos minoritarios.






La unin polarizada
inversamente.

Los portadores de carga
mayoritaria se alejan de la
unin y crece la barrera de
potencial, los portadores de
carga minoritarios se
recombinan en la unin y
constituyen la corriente
inversa.
Figura 8.3

El flujo de huecos es un flujo de electrones de valencia, cargas positivas en la
figura 8.3, ya que el hueco forma parte del cristal y no se mueve fsicamente,
conviniendo que se muevan los huecos.

8.5 CARACTERSTICA DEL DIODO SEMICONDUCTOR.







Figura 8.4
48
Descripcin de las regiones del diodo semiconductor; figura 8.4.

I. Codo Pronunciado. La corriente est integrada por los portadores de carga
mayoritarios ms los portadores de carga minoritarios.
II. Regin Lineal o de Trabajo. La corriente es debida exclusivamente por los portadores
de carga mayoritarios.
III. Regin de Avalancha por Desbordamiento Trmico. La corriente excesiva hace que
aumente la temperatura, provocando la ruptura de enlaces coovalentes,
incrementndose los portadores de carga minoritarios; hasta llegar a la destruccin
del cristal del semiconductor.
IV.Regin Lineal de Polarizacin Inversa. En la prctica se considera una corriente
inversa (I
0
) dada a 0.8 V
B R
(tensin de ruptura inversa), dato que proporciona el
fabricante.
V. Codo Zener. Regin de transicin en la que para pequeos aumentos de tensin
inversa, se tienen aumentos significativos en la corriente, localizada despus de la
tensin de ruptura inversa (V
B R
).
VI.Regin Lineal de Polarizacin Inversa de alta corriente. Para incrementos de tensin
inversa de pequea magnitud se tienen grandes incrementos en la corriente,
caracterstica que es aprovechada para un dispositivo regulador de tensin llamado
diodo zener, el cual en su polarizacin normal opera polarizado inversamente. sta
caracterstica no es til en un diodo rectificador la cual queda limitada a la tensin de
ruptura inversa.
VII.Regin de Avalancha por descarga. La descarga se debe al potencial excesivo
aplicada a la unin en el que se liberan cargas en forma escalonada
incrementndose la ruptura de enlaces coovalentes tenindose la destruccin del
cristal semiconductor.

8.6 INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA EN EL DIODO.
Como se observa en la curva caracterstica, figura 8.5, el aumento de temperatura
hace que para una misma diferencia de potencial se tenga mayor corriente (I
2
> I
1
).















Figura 8.5.
49
Al aumentar la temperatura, se liberan electrones coovalentes aumentando as
su conduccin.
Para cada rango de 6 C se duplica la corriente en un semiconductor de silicio y
para cada rango de 10 C en un semiconductor de germanio.


8.7 COMPARACIN DE LA CURVA CARACTERSTICA DE UN DIODO
DE GERMANIO Y OTRO DE SILICIO.

En la figura 8.6, se exhiben en un mismo sistema de ejes coordenados y se
trazan en forma cualitativa las curvas caractersticas de un diodo de germanio y otro de
silicio; hacindose notar el valor de la tensin de umbral, en el que se manifiesta el
tamao de la tensin de cada tipo de material semiconductor.



Figura 8.6

Como se podr observar las tensiones de 300 mV y 700 mV para los diodos de
germanio y de silicio respectivamente, representan el voltaje de umbral propio del
material semiconductor, con el que modernamente estn fabricados los diodos.


50
9. ANLISIS TERICO DEL DIODO DE UNIN.

Al formarse la unin PN, se estableci la barrera de potencial y el cruce de
portadores de carga por la unin, constituyen una corriente elctrica, la cual es
integrada por cuatro componentes:
1. Corriente de difusin de portadores de carga negativos (I
dn
), por el flujo de
electrones en el material tipo N.
2. Corriente de difusin de portadores de carga positivos (I
dp
), por el flujo de huecos en
el material tipo P.
3. stas dos corrientes (de electrones y huecos), son los portadores de carga
mayoritarios en sus respectivos materiales semiconductores (impurificados) y
forman la barrera de potencial, la cual impide el cruce indefinido de ests. Pero no
evita el cruce de portadores de carga minoritarios (generados trmicamente) que a
su vez forman dos tipos de corrientes.
4. Corriente de electrones en el material tipo P (I
gn
).
5. Corriente de huecos en el material tipo N (I
gp
)
Por cada carga que cruce la unin de tipo minoritario lo har otra de signo
opuesto , restablecindose el equilibrio en la unin (Equilibrio dinmico).

La corriente total de difusin:
I
d
= I
dp
+ I
dn
(9.1)

Corriente total de generacin trmica, que es la corriente de saturacin:
I
s
= I
gn
+ I
gp
(9.2)

En ausencia de la tensin aplicada a la unin PN, estando las terminales de
dispositivo en circuito abierto o a corto circuito, tenemos:
I
d
= I
s
(9.3)

Condicin para tener la unin en equilibrio con la barrera de potencial
establecida.
De la fsica del semiconductor tenemos:


F d
q
( V V )
k t
dp
I pe

= (9.4)


F d
q
( V V )
k t
dn
I ne

= (9.5)

Donde p y n, es la concentracin de portadores de carga de mayora (nmero de
cargas/cm
3
), tenindose como por ejemplo la concentracin siguiente:
Para electrones n = 3.110
14
Q / cm
3
y para huecos p = 210
6
Q / cm
3
, la cual
dependen del grado de impurificacin del semiconductor.
51
Las constantes de las ecuaciones 9.4 y 9.5 son:

q carga de electrn 1.60210
- 19
Coulomb.
K constante de Boltzman, 1.3810
- 23
J/ K.
T temperatura en grados absolutos K, (K = 273+ C).
V
d
= V Potencial de barrera en equilibrio o tensin de umbral, Volt.
V
F
Potencial aplicado en las terminales de conexin de la unin PN, Volt.

A la temperatura ambiente de 20 C (293 K) definimos el parmetro de voltaje
trmico (V
T
) como:

T
KT
V
q
= (9.6)
Substituyendo valores en la ecuacin 9.6, el voltaje trmico a temperatura
ambiente de 20 C, o con su aproximacin.


23
T 19
1.38 10 293 293
V
1.602 10 11600

= =

= 0.02527 V = 25.27 mV

Tensin nodo - ctodo del diodo, ver detalle en la figura 9.1.

V V V
D F d
=

V V
F
= (9.7)

Como la corriente de difusin dada por la ecuacin 9.1, en funcin de las
ecuaciones (9.4 y 9.5):

dn dp d
I I I + =


D
T
V
V
( p n )e = +
cte.
D
T
V
V
Ae A = = (9.8)

La corriente de saturacin ecuacin 9.2.

I
S
= I
gp
+ I
gn


La corriente neta a travs del diodo ser:

I
D
= I
d
- I
s
(9.9)
52
Substituyendo en la ecuacin 9.9 la ecuacin 9.8.

D
T
V
V
D s
I Ae I = (9.10)

Para V
F
= 0 (sin aplicar tensin en las terminales del diodo) tenemos que la
corriente en el diodo es cero (I
D
= 0), por lo que la ecuacin 9.10, toma el valor de :

0 =A e
0
- I
S
, as I
s
= A.

Por lo tanto:

D
T
V
V
D s s
I I e I =


D
T
V
V
s
I ( e 1) = (9.11)

sta es la ecuacin que representa la caracterstica de corriente-tensin del
diodo en polarizacin directa, figura 9.1.
En la ecuacin 9.11, para una tensin V
D
>> V
T
podemos tomar a la corriente en
el diodo en forma prctica como:

D
T
V
V
D s
I I e = (9.12)

Figura 9.1.

Analizando el caso particular para el valor de V
F
de 1.5 V, en un diodo de silicio y
cuya tensin de umbral es V
d
= V

= 0.5 V.

Tenemos la tensin entre A - K , V
D
= V
F
- V
d
= 1.5 - 0.5 = 1.0 V.

Valorizando la exponencial:
D
T
V
1.0
V 17
0.025
e e 2.35 10 = =

Tenemos que la magnitud de la exponencial es tan grande, que restarle la unidad
no es significativo, quedando justificada la ecuacin. 9.12.
53
Por otro lado, para la polarizacin inversa la tensin aplicada es negativa y la
ecuacin 9.12, ya no es valida. Por lo que respecta a la corriente en el diodo es inversa,
debida a los portadores de carga minoritarios, la cual constituye la corriente de
saturacin; tenindose:
0
I I I
s D
=
En ste caso la corriente inversa es aproximadamente constante e independiente
de la tensin aplicada (prcticamente), hasta antes de la tensin del codo Zener
limitada a una tensin inversa de ruptura (V
B R
).

Ejemplo:
Un diodo de germanio con una corriente de saturacin de 10 A ( I
s

), conduce
una corriente de 2 mA operando a una temperatura de 20 C.
Cul es la tensin del diodo en el sentido de la conduccin, entre nodo y ctodo?

De la ecuacin 9.11
D
T
20 C
V
V
D s T
I I ( e 1) V 0.025 V = = (voltaje trmico)

Substituyendo valores:

D
V
3 6 6
0.025
2 10 10 10 e 10 10

=


D
V
5 5 5
0.025
200 10 10 e 10

=


D
V 5
0.025
5
201 10
e
10

=

D
n
V
L 201
0.025
=


D n
V 0.025 L 201 = V 1326 . 0 =

Que corresponde a la tensin en las terminales del diodo, ecuacin 9.7.
Finalmente la corriente del diodo semiconductor polarizado directamente, es
aplicable el modelo matemtico Shokley (en honor a William Brandof Shokley),
expresndolo por la siguiente ecuacin:


D
T
V
nV
D s
I I ( e 1) = (9.13)

Donde:
n Se define como una constante emprica, que depende del material a emplear en
la fabricacin del diodo, con valores aproximados de: 1 para germanio y 2 para silicio.
Valores que estn determinados en la funcin de probabilidad de Fermi-Dirac.
54
10. RESISTENCIA DEL DIODO DE UNIN.

La aplicacin de la tensin de corriente continua a las terminales del diodo,
genera una resistencia en polarizacin directa y otra en polarizacin inversa; la cual
depende de la polaridad de la fuente aplicada a las terminales del diodo.

10.1 Resistencia de polarizacin directa r
D
.

La resistencia del diodo para sta polarizacin, se integra por las resistencias de
los materiales semiconductores tipo N y el tipo P, adicionndole la resistencia de la
unin rectificante; en el que tendremos:

1. Resistencia volumtrica (caraterizndola en la curva de la figura 9.1).

F d D
B
F F
V V V
r
I I

= = (10.1)

En el que V
d
es la tensin del umbral, tomando un valor aproximado de 700 mV
para el silicio y de 300 mV en el germanio.

2. Resistencia de la unin rectificante (unin PN).
De la ecuacin 9.13, que nos da el comportamiento del diodo semiconductor,
operando en el primer cuadrante de la curva caracterstica.


D
T
V
nV
D s
I I ( e 1) =

para: V
D
>> V
T


D
T
V
nV
D s
I I e = (10.2)
derivando:

D
T
V
n V D
s
T
dI 1
( I e )
dV nV
=


D
T
I
nV
1
=
Tenindose que la inversa de la derivada es la resistencia:


D
T
j j
D
I
nV
r r
dI
dV
= =
Y generalizando para uniones rectificantes:


F
T
j
I
nV
r = (10.3)
55
Que corresponde a la resistencia incremental a favor en la unin PN (es decir en
polarizacin directa), de ah que se tome sta resistencia en la operacin en corriente
alterna.
De acuerdo con la teora de conduccin en metales, el valor se encuentra entre
los siguientes rangos:

25 50 mV
I
r
mV
I
F
j
F
(10.4)

La resistencia total del diodo ser:

r
D
= r
B
+ r
j
(10.5)

Ejemplo:
En la manufactura de un diodo de germanio se tienen las especificaciones
siguientes: conduce 50 mA a 1 V (polarizacin directa).
Determine:
1.- La resistencia volumtrica
[ ]
r
B
.
2.- La resistencia de la unin PN
[ ]
r
j
.
3.- La resistencia en el sentido de conduccin
[ ]
r
D
.
Para 1, 50 y 100 mA de I
F
, tome V
T
= 25 mV.

Solucin:
1.- =

=

14
10 50
3 . 0 0 . 1
I
V V
r
3
F
d F
B


2.- r
nV
I
j
T
F
= donde para el semiconductor de germanio n = 1

Para 1 mA,
3
j
3
25 10
r 25
1 10

= =

50 mA,
3
j
3
25 10
r 0.5
50 10

= =

100 mA,
3
j
3
25 10
r 0.25
100 10

= =

3.- r
D
= r
j
+ r
B


Para 1 mA, r
D
= 25 + 14 = 39 .
50 mA, r
D
= 0.5 + 14 = 14.5
100 mA, r
D
= 0.25 + 14 = 14.25


56
10.2 RESISTENCIA DE POLARIZACIN INVERSA.

Para el diodo rectificador en polarizacin inversa, la tensin mxima aplicada
ser la tensin de ruptura V
BR
, cuyo valor es dado a una temperatura de 25

C la cual
ser respetada para que el dispositivo no se dae. Una medida del efecto de la
corriente inversa de fuga, es el valor de la resistencia inversa r
R ,
el cual es definido por:
r
V
I
R
BR

0
(10.6)

10.3 CORRIENTE DEL DIODO, POLARIZADO INVERSAMENTE.

El campo electrosttico que se produce en la unin por la fuente de tensin
externa, tiene la misma direccin que el potencial de barrera (en la capa de
agotamiento), sta capa se ensancha al aplicarle una mayor tensin y su crecimiento se
detiene cuando la diferencia de potencial en ella es igual a la tensin inversa aplicada,
en la figura 10.1, se presentan las componentes de la corriente total de diodo con
polarizacin inversa.
La corriente inversa tiene tres componentes que son:
1. Corriente Transitoria. Es la corriente que circula por el ajuste del ensanchamiento de
la capa de agotamiento, tiene una duracin de unos pocos nanosegundos.
2. Corriente de Saturacin. Es la corriente debida a los portadores de carga
minoritarios, creados dentro de la capa de agotamiento. La corriente de saturacin
generada trmicamente (I
S
), es independiente de la tensin inversa aplicada y se
duplica para rangos de aumento de temperatura cada 6

C para silicio y cada 10 C
para el germanio.
3. Corriente de Fuga Superficial. Se considera que es debida por los enlaces de los
tomos no efectuados en la superficie del cristal semiconductor, sta corriente de
superficie se incrementa por aumentos de la tensin aplicada.



Corriente de saturacin I
s
.

Corriente de fuga superficial I
L
.

Corriente de fuga total I
LT
.

I
LT
= I
s
+ I
L
(10.7)
Figura 10.1

La corriente de fuga total est dada por la ecuacin 10.7, para los subndices LT
(Loss Total ).
57
Problemas:

1. Despreciando la corriente transitoria para un diodo de silicio, ste operando a
una tensin inversa de 10 V, tiene una corriente inversa de 50 A; a otra tensin inversa
de 40 V la corriente inversa es de 80 A.
Determine la resistencia de fuga r
L
y la corriente de saturacin I
s
.

De la ecuacin 10.5 tenemos:
I
LT
= I
s
+ I
L


constante es
L
L
R
s
r
r
V
I + = e I
r
V
L
L
=
1

Ecuacin tpica de una recta que pasa por el origen y = mx y como se indic en
su oportunidad la corriente de saturacin es constante y se tendr as:
50
10
A I
r
s
L
= + (a)

80
40
A I
r
s
L
= + (b)
Resolviendo el sistema de ecuaciones, restando de la ecuacin b la a:

6
30 30
30 1
30 10
L
L
A r M
r

= = =

Substituyendo en a.

6 6
6
10
50 10 10 10
1 10
s s
I I

= + = +

6 6
(50 10) 10 40 10 40
s
I A A

= = =

2. Se tiene el siguiente arreglo de diodos de silicio figura 10.2, de las mismas
caractersticas elctricas.
Determine la tensin en cada diodo a temperatura ambiente.


Figura 10.2.

Partimos de la ecuacin 9.13:
D
T
V
nV
D s
I I ( e 1) =

Para el silicio n = 2, V
T
= 0.025 V a 20 C (temperatura ambiente).
58

Para el arreglo del circuito de la figura 10.2.


D1
D1
V
V
2 0.025
0.05
D1 S1 S1 S 2
I I ( e 1) I ( e 1) I

= = =

Por la serie de los diodos I
D1
= I
S2
= I
S
y V
D1
=V
D

As:
D
V
0.05
D1 S1 S 2
I I ( e 1) I = = Desarrollando:
D
V
0.05
S S
I e 2 I =

Por logaritmo natural:
D
D
V
Ln 2 V 0.05Ln 2 0.05 0.693 0.0346 V
0.05
= = = =
Para la tensin aplicada a las terminales del diodo: V
F
=V
D
+V
d
=0.0346+0.7=0.7346 V,
que es la tensin del diodo D
1
. V
1
=V
F



Para el circuito aplicando la ley de tensin de Kirchhoff (KVL). 5
1 2
V V V = +


2
V 5 0.7346 4.265V = =

Del resultado tenemos que prcticamente aparece toda la tensin aplicada de la
fuente, en el diodo polarizado inversamente.

3. De la curva caracterstica del diodo de la figura 10.3, trace la curva idealizada
por tramos de recta y a partir de sta, obtener un modelo equivalente funcional.


Figura 10.3.

De la figura 10.3 se pueden leer los valores de las tensiones V
d
de umbral y V
BR.

de ruptura inversa.
59
Por ser un diodo de germanio, la tensin de umbral es V
d
= 0.3 V y la tensin de
ruptura inversa es V
BR
= -50.0 V.
Resistencia de polarizacin directa.
r r
V
I
F D
F
F
= =

3
0.1
1.25
80 10

= =

Resistencia inversa:
r
V
I
R
R
R
=

3
50
100 K
0.5 10

= =

Resistencia de la regin de ruptura r
Z


r
V
I
Z
Z
Z
=

3
1
133
7.5 10

= =

Modelo obtenido del diodo rectificador para baja frecuencia, figura 10.4.


Figura 10.4.
60
10.4 CARACTERSTICAS IDEALES DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES.

En la figura 10.5 se muestran las curvas idealizadas de los diodos rectificadores,
que permiten ser empleados para anlisis de circuitos, dependiendo de los diferentes
niveles de tensin a los que son sometidos.




Alta tensin Mediana tensin Baja tensin

Figura 10.5.


10.5 ESPECIFICACIONES CARACTERSTICAS DE LOS DIODOS
SEMICONDUCTORES, DATOS MNIMOS SUMINISTRADO POR EL FABRICANTE


1N270 1N1095 1N1190
Ge Si Si
V
BR-Pico
100 V 500 V 600 V
I
F
200 mA 750 mA 35 A
V
F
1.0 V 1.2 V 1.7 V
I
0
100 A @ 50 V 5 A @ 500 V 10 mA @ 600V

61
11. RECTIFICACIN MONOFSICA

Los convertidores estticos, modernamente son circuitos basndose en
dispositivos electrnicos, que tienen la propiedad de transformar la energa elctrica en
sus diferentes modalidades como son: Corriente Alterna a Corriente Directa, Corriente
Directa a Corriente Directa, Corriente Directa a Corriente Alterna y Corriente Alterna a
Corriente Alterna. Tenemos que la rectificacin es el proceso de conversin de
energa elctrica de Corriente Alterna en Corriente Directa; por medio de circuitos
electrnicos, tenindose dos tipos: los monofsicos y los polifsicos.


11.1 CIRCUITO RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA.

Consideramos el circuito monofsico de rectificacin de media onda. figura 11.1,
en el que tenemos un transformador ideal y carga resistiva pura, alimentado por una
fuente de corriente alterna.

Figura 11.1.

La seal temporal que se aplica al rectificador es del tipo senoidal.

v
i
= V
m
sen t ; V
m
= V max = V
p
(Tensin pico o mxima).

En el circuito rectificador (figura 11.1), V
m
> V
d
(La tensin mxima mayor
que la tensin de umbral), para que entre en conduccin el diodo que acta como
rectificador, aplicando la segunda Ley de Kirchhoff (LVK).

v
i
- v
D
-ir
D
- i R
L
= 0 ;


Despejando:
i D D L
v v i( r R ) = +

i D
D L
v v
i
r R

=
+


Para v
D
= 0 despreciando la tensin del diodo y expresando la funcin temporal
en la variable del seno, la corriente en cualquier momento que suministra el rectificador,
podr ser expresada en funcin del seno.

As:
m
D L
V
i sen t
r R
=
+

m
m
D L
V
I
r R
=
+
(11.1)
62
La corriente de salida es una seal temporal (la cual circula por la carga), tendr
como validez con los lmites siguientes:

i = I
m
sen t para 0 t Polarizacin directa del
diodo.

i = 0 para t 2 Polarizacin inversa del diodo.

En la figura 11.2, se presentan los perfiles de las ondas de entrada y salida del
rectificador monofsico de media onda, con carga resistiva.


Figura 11.2



11.1.1 Valor medio de la corriente en la carga.

La corriente que se obtiene en el rectificador es pulsante y en el que su valor til,
es dado en valores medios.

I
med
= I
C C
para el rango de 0 a , en el periodo T = 2 .
63
Determinando por integracin el valor medio de la corriente tenemos:

T
CC
0
1
I i ( t ) d t
T
=



m
0
1
( I sen t ) d t
2

=


[ ]
m
0
1
I cos t
2

=

[ ]
m
I
cos cos0
2

= +
[ ]
m
I
( 1) ( 1)
2
= +

m
I

= (11.2)
Hacindolo extensivo para la tensin de salida, que se tendr en vaco.

O
m
CC
V
V

= (11.3)

11.1.2 Valor eficaz de la corriente en la carga.
Corriente eficaz. I
ef
= I (RMS) de 0 - , para el periodo T=2

1
2 T
2
ef
0
1
I i ( t )d t
T


=

1
2
2 2
m
0
1
I sen ( t )d t
2

2
1 1
sen x cos 2x
2 2
=

1
2
2
m
0
I 1 1
( cos 2 t ) d t
2 2 2

=





1
2
2
m
0 0
I 1 1
d t cos( 2 t )2d t
2 2 4

( ) ( )


=




1
2
2
m
0 0
I 1 1
t sen( 2 t )
2 2 4

{ }
1
2
2
m
I
0 0 0
4

= +
/

/



m
I
2
= (11.4)
64
Anlogamente para la tensin en la carga, el valor eficaz ser:

m
ef
V
V
2
= (11.5)

11.1.3 Tensin en las terminales del diodo.

En la figura 11.3, tenemos al perfil de la onda temporal aplicada a las terminales
del diodo.



Figura 11.3.

Validez de las funciones.

D D
v i r 0 t =

=
D i
v v t 2


Desarrollando para la tensin en las terminales del diodo:

{ }
D
2
CC D i
0
1
V r i ( t )d t v ( t )d t
2

= +




{ }
2
D m m
0
1
r I sen( t )d t V sen( t )d t
2

= +



[ ] [ ]
{ }
2
D m m
0
1
r I cos t V cos t
2

= +


[ ] [ ] { }
D m m
1
r I cos0 cos V cos cos 2
2

= +

[ ] [ ] { }
D m m
1
r I 1 ( 1) V 1 1
2
= +

{ }
D m m
1
2r I 2V
2
/ / =
/

{ }
D m m
1
r I V

= V
m
= I
m
( r
D
+ R
L
)
{ }
D m m D L
1
r I I ( r R )

= + { }
D m m D m L
1
r I I r I R

=
{ }
m L
m L
I R 1
I R

= =
m
cc
I
I

=
65
Tensin directa en el diodo (valor medio).


D
CC cc L
V I R = (11.6)
Tensin inversa de pico (VIP).
En la grfica de la figura 11.3, podemos observar que la tensin mxima negativa
(tensin pico), es el valor de tensin que debe soportar el diodo en forma recurrente,
conocindose como Tensin Inversa de Pico en forma abreviada VIP.
VIP = V
m
(11.6a)

11.1.4 Potencia en corriente alterna.
La potencia suministrada por el transformador en su devanado secundario, es la
potencia en corriente alterna.


T
CA i
0
1
P v ( t )i( t ) d t
T
=



como
i D L
v i( t )( r R ) = + para 0 t

2
CA D L
0
1
P ( r R ) i ( t )d t
2

= +

2 2
D L m
0
1
( r R ) I sen t d t
2

= +




2
D L ef
( r R )I = +
2
m
D L
I
( r R )
4
= + (11.7)

11.1.5 Potencia en corriente directa.
Es la potencia desarrollada en la carga.


2
CD cc L
P I R =


2
m
L
2
I
R

= (11.8)
Tambin:

CD cc cc
P V I =
m m
V I

=


m m
2
V I

= (11.8a)
66
11.1.6 Eficiencia.


CD
CA
P
100( % )
P



2
m L
2 2
m D L
I R 4( 100 )
(%)
I ( r R )
/
/
/
/
/
=
/ +



D
L
40.53
( % )
r
1
R
=

+


(11.9)

S R
L
>> r
D
= 40.53 % que ser la mxima eficacia que se obtiene por el
rectificador.


11.1.7 Regulacin.

(sin carg a ) ( plena carg a )
( plena carg a )
V V
Re g 100( % )
V



Tensin en terminales de la carga.

m
CC (sin carg a ) sc
V
V V

= = ,
CCpc ( con carg a ) CC L
V V I R = =


m
CC L
CC m
CC
CC L D L D L
V
I R
V V 1
Re g 100 I
I R r R ( r R )

= = =
+ +



m m
L
D L
m
L
D L
V V 1
R
( r R )
100
V 1
R
( r R )

+
=
+



L
D L
L
D L
R
1
( r R )
100
R
( r R )

+
=
+
D L L
D L
L
D L
( r R ) R
( r R )
100
R
( r R )
+
+
=
+


D
L
r
100 (%)
R
= (11.10)
67
11.1.8 Factor de forma en la carga.


ef
med
V
F 100 ( % )
V


m
m
V
2
100 (%) 100 (%) 1.57 100 (%)
V
2

= = =
157% = (11.11)


11.1.9 ndice de ondulacin o factor de rizo.
100 (%)
Valor eficaz de los componentes armnicos
Valor medio


ef
med
V'
100 (%)
V
= = 121 % (11.12)
El ndice de la ondulacin es una medida de las componentes alternas en la
onda rectificada.


11.1.10 Frmula que relaciona al ndice de ondulacin con el factor de
forma.

2
F 1 = (11.13)
Las variables son expresadas en decimal en la ecuacin.

11.1.11 La forma de onda de salida del rectificador de media onda (rectificador
monofsico), desarrollando por series de Fourier queda integrada por una componente
de corriente continua (=0) y un conjunto de componentes armnicos ( 0 ), ecuacin
11.14.

n 2,4,6...
A A 2A cos n t
f ( t ) sen t
2 ( n 1)( n 1)

=
= +
+

A A 2A cos 2 t cos 4 t
sen t ...
2 1 3 3 5

= + + +



(11.14)


11.1.12 Especificaciones mnimas de la fuente de alimentacin de corriente
directa.
1. Tensin continua de salida.
2. Regulacin.
3. Corriente media y de pico en cada diodo.
4. Tensin inversa de pico en cada diodo.
5. Factor de rizo o ndice de ondulacin.
68
11.2 CIRCUITO RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA TOMA MEDIA O
CON TRANSFORMADOR DE TOMA CENTRAL.

Al efectuar el anlisis del circuito de la figura 11.4, se considera al transformador
ideal (sin resistencia en sus devanados), con sus devanados secundarios balanceados
(de igual magnitud) y con una carga resistiva pura.

Figura 11.4

La seal temporal que se aplica al rectificado monofsico de toma media, es la
mitad de la tensin del devanado secundario y es del tipo senoidal ver figura 11.5.

Figura 11.5

La seal temporal aplicada al rectificador, es expresada por la funcin
matemtica.
v
i
= V
max
sen t ; V
m
= V
max
= V
p
(Tensin pico , cresta o mxima).

Que corresponde al comportamiento ideal de la tensin entregada por el
prestador de servicio del suministro de energa elctrica, entendindose con esto que
est libre de deformaciones en su perfil de onda.
69
Las corrientes que circulan en el circuito, las podemos observar en la figura 11.6.


i
1
Corriente temporal que
circula por el diodo 1, vlida
para un ngulo de 0 a rad.

i
1
= I
m
sen ( t)

i
2
Corriente temporal que
circula por el diodo 2, vlida
para un ngulo de a 2
rad.

i
2
= I
m
sen ( t - )

i Corriente temporal que
circula por la resistencia de
carga, en un ngulo de 0 a
2 rad.

i = i
1


+ i
2


Figura 11.6.


11.2.1 Valor medio de la corriente en la carga.

La corriente que se obtiene en el rectificador es pulsante y como se mostr
anteriormente, es la suma de las dos corrientes temporales aportadas por cada diodo
rectificador, el valor medio ser:

( )
T
CC
0
1
I i t d t
T
=


t d ) t ( i
T
1
t d ) t ( i
T
1
2
2
1
0
+ =

2
m m
0
1 1
I sen( t ) d t I sen( t ) d t
2 2
= +

=
m
I 2
(11.15)
70
Hacindolo extensivo para la tensin que entrega el rectificador en vaco, cuando
la resistencia de carga tiende a infinito (R
L
).

=
m
CCO
V 2
V (11.16)

11.2.2 Valor eficaz de la corriente en la carga.

2
1
T
0
2
) t ( ef
t d i
T
1
I

=



En el circuito de la figura 11.4, la corriente que circula por la carga es la suma de
las corrientes que circulan por cada diodo, as:

2 1
i i i + = y su cuadrado
2
2 2 1
2
1
2
2 1
2
i i i 2 i ) i i ( i + + = + =

Que al substituirla en la integral para el valor eficaz, la solucin de sta se hace
ms compleja; pero observando la figura 11.6 la cual corresponde al grfico de la
funcin temporal de la corriente en la carga, observamos que sta ha cambiado la
forma de la senoide por las conmutaciones y su periodo que la contiene; tenindose
que el nuevo periodo es T= y la funcin i I t
m
= sen es vlida para este nuevo
periodo, resultando del doble de la frecuencia de la seal original a rectificar.
Por lo que tendremos:

1
2
2 2
ef m
0
1
I ( I sen t )d t

Aplicando la identidad trigonomtrica a la integral.

A 2 cos
2
1
2
1
A sen
2
=


2
1
0
2
m ef
t d ) t 2 cos
2
1
2
1
( I
1
I

2
1
0 0
2
m
t d t 2 cos t d (
2
I

=




1
2 2
m
0 0
I 1
t sen 2 t
2 2

=





1
2 2
m
I
( 0 0 0 )
2

=


2
I
m
= (11.17)

71
Hacindolo extensivo para la tensin:

m
ef
V
V
2
= (11.18)

11.2.3. Tensin entre las terminales de los diodos.

Analizando los valores de las tensiones mximas del circuito de la figura 11.7, del
rectificador de onda completa con toma central.

Figura 11.7
Y siguiendo las trayectorias de la corriente por malla, podemos establecer las
condiciones de operacin para el semiciclo positivo de la fuente del rectificador,
tomando a los valores mximos de tensin (V
m
) tenemos:
En la malla de la tensin secundaria del devanado secundario 2, despreciando la
cada de tensin en el diodo D
1;
0 v
1 D
= ;
m1 RL
v v = ; 0 i
2 D
=
La d.d.p. en el diodo D
2,
2 m 1 m AK 2 D
V V v v + = = ;
m 2 m 1 m
V V V = =

m AK
V 2 v =

Que ser el voltaje inverso de pico.

m
V 2 VIP = (11.19)
De sta forma se puede graficar en valores instantneos, la funcin temporal de
tensin que aparece en las terminales del diodo, mostrada en la figura 11.8.
Figura 11.8

Funcin temporal del diodo en
conduccin.
( )
1 D m 1 D
r t sen I v =

Funcin temporal del diodo bloqueado.
i m
2v vip 2 V sen( t ) = =
72
De lo anterior podemos observar que, en ste circuito el diodo est sometido a
una tensin mxima del total del devanado secundario del transformador.
La tensin media que se tiene entre las terminales de cualquiera de los diodos
(V
CC
D
), se tendr:
Se considera del mismo valor la resistencia de cada diodo, r
D1
= r
D2
= r
D


{ }
D
2
CC D m m
0
1
V r I sen( t )d t 2 V sen( t )d t
2

= +



[ ] [ ]
{ }
2
D m m
0
1
r I cos t 2V cos t
2

= +

( ) ( ) { }
D m m
1
r I cos cos0 2V cos 2 cos
2

= +



( ) ( ) { }
D m m
1
r I 1 1 2V 1 1
2
= + +


[ ] [ ] { }
D m m
1
r I 2 2V 2
2
= +

{ }
D m m
1
2r I 4V
2
=


m m
D
2I 2V 1
r
2
=
O
m m
CC CC
2 I 2V
I , V

= =

Substituyendo:


D O
CC CC D CC
1
V I r V
2
= (11.19a)


11.2.4 Potencia en corriente alterna, la que suministra el transformador ideal.


L
2
ef ef D
2
ef D
2
ef CA
R ) I I ( r I r I P
2 1 2 2 1 1
+ + + =

D D D
r r r
2 1
= =
;
2
I
I I I
m
ef ef ef
2 1
= = + ;
2
I
I I
m
ef ef
2 1
= =


73

L
2
m
D
2
m
D
2
m
CA
R
2
I
r
2
I
r
2
I
P

=

L
2
m
2
m
D
R
2
I
2
I
r 2

=
( )
L D
2
m
L
2
m D
2
m
R r
2
I
R
2
I
2
r I
+ = + =

( )
L D
2
ef
R r I + = (11.20)


11.2.5 Potencia en corriente directa desarrollada en la carga.


CC CC L
2
CC CD
V I R I P = = (11.21)

( )
L
m m
L
2
m
R
I 2 I 2
R
I 2

=


2
L
2
m
R I 4

= (11.21a)

11.2.6 Eficiencia ().

(%) 100
P
P
CA
CD
=

( )
100
R r I
2
R I 4
L D
2
m
2
L
2
m
+
=
Reordenando

L
D
2
R
r
1
100 8
+

=
( )
D
L
81.06
%
r
1
R
=
+
(11.22)
74

S R
L
>>r
D
la eficiencia aumenta y tendremos la mxima eficiencia lograda por
el rectificador de 81.06% para una resistencia infinita (en circuito abierto).

11.2.7 Regulacin (Reg.).

) % ( 100
V
V V
g Re
) a arg c plena (
) a arg c plena ( ) a arg c sin (



Tensin en las terminales de la carga.

=
m
V 2
SC
V
(tensin en las terminales sin carga o en vaco).

D CC
m
D CC
m
PC
r I
V 2
r 2 I
2
1
V 2
V

= (tensin a plena carga).

Substituyendo parmetros:


D CC
m
D CC
D CC
m
D CC
m m
r I
V 2
r I
r I
V 2
r I
V 2 V 2
g Re

=
Como:
L D
m
CC
R r
V 2
I
+

=


L D
D L D
L D
D
D
L D
m m
D
L D
m
R r
r R r
R r
r
r
R r
1
V 2 V 2
r
R r
1
V 2
+
+
+
=

+
= Reg
( )
D
L
r
R
= Decimal (11.23)

y en por ciento:
(%) 100
R
r
g Re %
L
D
= (11.23a)
75
11.2.8 Factor de Forma (F).


( )
2
2 2 2
ef
m
cc m
I
I
F 1.11
I I

= = = Decimal (11.24)

% 111 = (11.24a)


11.2.9 Factor de rizo o ndice de ondulacin

( ) ( ) Decimal
2
2
= F - 1 = 1.11 - 1 =0.482 (11.25)

% 2 . 48 =
(11.25a)

11.2.10 Determinacin de la frmula que relaciona al ndice de Ondulacin
con el Factor de Forma.

Tenemos que la Corriente temporal de salida de un rectificador ( i ) est
integrada por un valor medio de corriente continua y un valor de componentes alternas;
del desarrollo de las series de Fourier. Los componentes alternos son funciones
armnicas, que a su vez estn constituidas por sinusoides de diferentes frecuencias
mltiplos de la fundamental.
As que:
'
CC
i I i = + , aqu podemos decir en general que: el valor eficaz de las
componentes armnicas ( I
ef

), se determinan restando los valores continuos de la

funcin bsica; as:

'
CC
i i I = para la funcin temporal.

Y el valor eficaz de esta funcin temporal ser I
ef


( )
2
1
2
0
2
CC
'
ef
d I i
2
1
I

=



( )
2
1
2
0
2
CC CC
2
d I iI 2 i
2
1

=




2
1
2
0
2
0
2
CC CC
2
0
2
d I
2
1
I 2 d i
2
1
d i
2
1

=



76
En sta ecuacin se observa a los valores eficaz y medios de la funcin, en el
primer y segundo trmino respectivamente

2
1
2
0
2
CC CC CC
2
ef
'
ef
d I
2
1
I 2 I I I

+ =



[ ]
2
1
2
CC
2
CC
2
ef
I I 2 I + =
[ ]
2
1
2
CC
2
ef
I I =

Substituyendo el resultado del valor eficaz en la ecuacin de la definicin del
ndice de ondulacin.

CC
'
ef
I
I
=
Tendremos:


2
CC
2
CC
2
ef
I
I I
=
1
I
I
2
CC
ef

=
CC
ef
I
I
F
1 F
2
= (11.13)

Determinndose la frmula que relaciona los factores de rizo e ndice de
ondulacin, cabe aclarar que los valores de los factores debern operarse en decimal.
77
11.3 CIRCUITO RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA TIPO PUENTE
(Llamado puente de Graetz).


Tenemos el circuito rectificador monofsico, mostrado en la figura 11.9, con
transformador ideal y carga resistiva pura.


Figura 11.9


Formas de onda en el rectificador.

La seal temporal que se aplica al rectificado monofsico de onda completa, es
la salida de la tensin del devanado secundario y en la figura 11.10,se observa que es
del tipo senoidal.


Figura 11.10


La seal temporal aplicada al rectificador, es sinusoidal la cual es expresada por
la funcin matemtica seno.

v
i
= V
max
sen t ; V
m
= V
max
= V
p
(Tensin pico o mxima).

Que corresponde al comportamiento ideal de la tensin entregada por el
prestador de servicio del suministro de energa elctrica, entendindose con esto que
est libre de deformaciones en su perfil de onda.
78
La corriente que circula por el circuito, est dada por las formas de onda que se
muestran en la figura 11.11.


i
1
Corriente temporal que
circula por el diodo 1 y 4,
vlida para un tiempo 0 a
rad.

i
1
= I
m
sen ( t)

i
2
Corriente temporal que
circula por el diodo 2 y 3,
vlida para un tiempo a 2
rad.

i
2
= I
m
sen ( t - )

i Corriente temporal que
circula por la resistencia de
carga, vlida para un tiempo
0 a 2 rad.

i = i
1


+ i
2

Figura 11.11



11.3.1 Corriente media en la carga ( I
CC
).

La corriente que se obtiene en el rectificador es pulsante y como se mostr
anteriormente, es la suma de las dos corrientes temporales aportadas por cada par de
diodos del puente rectificador, el valor medio ser:
I
T
i t d t
CC
T
=

1
0
( )
t d ) t ( i
T
1
t d ) t ( i
T
1
2
2
1
0
+ =

= +

1
2
1
2
0 0

I t d t I t d t
m m
sen( ) sen( )

m
I 2
= (11.15)
79
Hacindolo extensivo para la tensin en las terminales de conexin de la carga
en vaco.

V
V
CCO
m
=
2

(11.16)

Que es el mismo valor determinado en el tipo de rectificador monofsico de onda
completa con transformador toma media.


11.3.2 Valor eficaz de la corriente en la carga.

1
2
2
( )
0
1
T
ef t
I i d t
T



=

En el circuito de la figura 11.9, la corriente que circula por la carga es la suma de
las corrientes que circulan para cada par de diodos, tenindose una corriente pulsante
continua para un periodo T= , para una funcin i = sen t as:


1
2
2 2
0
1
( sen )
m
Ief I t d t

=
I
m
2
(11.17)

Hacindolo extensivo para la tensin:

V
V
ef
m
=
2
(11.18)

Se tiene el mismo resultado que el encontrado en el rectificador con
transformador de toma central.
80
11.3.3 Tensin entre las terminales de los diodos.

Analizando los valores de las tensiones instantneas del circuito de la figura 11.9,
tomando la trayectoria de la corriente I
1
que cruza los diodos D
1
y D
4
para un periodo,
tendremos:


i D1 D4 RL D1 D4 D
v v v v ; v v v = + + = = .

D RL
2v v = +

La grfica que nos exhibe los valores temporales de la tensin, se muestra en la
figura 11.12, en la que podemos observar el valor del Voltaje inverso de pico.

Figura 11.12

v I t r
D m D
= sen

vip V t
max
= sen

VIP V V
m pico
= = (11.26)

Tensin media en las terminales del diodo (V
CC
D
).

De la figura 11.12, determinaremos el valor medio de la tensin en las terminales
del diodo, teniendo como base los valores temporales de sus forma de onda.

V v d t v d t
CC D i
D
= +

1
2
2
0
2

= +

1
2
2
0
2

I r t d t V t d t
m D m
sen sen
= I r
V
CC D
m

(11.27)

11.3.4 Potencia en corriente alterna, la que suministra el transformador ideal.

P I r I r I I R
CA ef D ef D ef ef L
= + + +
1 1 2 2 1 2
2 2 2
2 2 ( )

I I
I
ef ef
m
1 2
2
= = I I I
I
ef ef ef
m
1 2
2
+ = = ; r r r
D D D
1 2
= =

81
Por lo que la potencia en C.A.
P
I
r
I
r
I
R
CA
m
D
m
D
m
L
=

2
2
2
2
2
2 2 2



( ) = +
I
r R
m
D L
2
2
2

( ) = + I r R
ef D L
2
2 (11.28)

11.3.5 Potencia en corriente directa desarrollada en la carga.

P I R I V
CD CC L CC CC
= =
2
(11.21)

( )
=

2 2 2
2
I
R
I I
R
m
L
m m
L


=
4
2
2
I R
m L

(11.21a)

11.3.6 Eficiencia ().

=
P
P
CD
CA
100 (%)

( )
=
+
4 2
2
100
2
2 2
I R
I r R
m L
m D L

Reordenando
=
+
8 100
1
2
2

r
R
D
L

( )
81.06
%
2
1
D
L
r
R
=
+
(11.29)

11.2.7 Regulacin (Reg.)

Re ( %)
( arg ) ( arg )
( arg )
g
V V
V
sin c a plena c a
plena c a

100
82
Tensin en las terminales de la carga.


V
SC
=
2V
m

(tensin en las terminales sin carga o en vaco).

V
V
I r
PC
m
CC D
=

2 1
2
2 2

(tensin a plena carga).

=
2
2
V
I r
m
CC D

=
+
I
V
r R
CC
m
D L
2
2


=
+

2
1
2
2
V r
r R
m D
D L

Substituyendo parmetros:

Re g
V V r
r R
V r
r R
m m D
D L
m D
D L
=

+

2 2
1
2
2
2
1
2
2

( )
D
L
2r
R
= Decimal (11.30)
( ) =
2
100
r
R
D
L
% (11.30a)


11.2.8 Factor de Forma (F).

( )
2
111
2
2 2
ef
m
cc m
I
I
F .
I I

= = = Decimal (11.24)
% 111 = (11.24a)


11.2.9 Factor de rizo o ndice de ondulacin

( ) ( )
2
2
1 111 1 0482 F . . = = = Decimal (11.25)

% 2 . 48 = (11.25a)
83
12. FILTROS

Como se ha visto la tensin resultante del proceso de rectificado, en nuestro
caso de rectificacin monofsica tratados en el captulo 11 precedente (media onda y
onda completa), nos suministra una tensin pulsante (Corriente Directa), cuyo valor
instantneo es de cero volts en cada semiperiodo, es utilizada en muchas aplicaciones
en forma satisfactoria. Pero en la mayora de las aplicaciones, se hace necesario que la
onda sea plana o lo ms plana posible. SE emplea el factor denominado ndice de
ondulacin () o tambin llamado factor de rizo, para valorar la calidad de rectificador.
Para mejorar el factor de rizo, es decir, lograr valores del orden de 1% o menores
en la calidad de la fuente de corriente continua, se emplean diferentes tipos de filtros;
tenindose los siguientes:

Filtros pasivos.
a) Filtros simples basndose en capacitores o inductores.

b) Filtros compuestos: tipo L, T y con resistores y capacitores, o tambin,
inductores y capacitores.

Filtros activos.
Los que se realizan con circuitos electrnicos, ya sea con circuitos
discretos o con circuitos integrados. Estos para pequeas potencias y que
se usan con regularidad para seleccionar el paso de ondas a
determinadas frecuencias; pasa bajos, pasa banda, pasa altos y rechaza
banda.

Los filtros empleados en rectificacin basado en capacitores e inductores,
seleccionndose en funcin de la cantidad de energa a manejar, se muestran en la
figura 12.1, que son los filtros usados en los rectificadores monofsicos.



Tipo C

Tipo L
Tipo L-C

Tipo T Tipo

Figura 12.1
84

Ahora bien, en que se basan estos tipos de filtros para efectuar la funcin de
aplanamiento de la forma de onda.

El filtro capacitivo: se basa en el hecho de almacenar energa elctrica en forma
de campo elctrico, su empleo es para pequeas corrientes de carga (grandes R
L
) y se
conecta en paralelo con la carga.
Su reactancia es funcin del valor de la capacitancia y frecuencia.


C
1
X
C
= Donde:
L
1
C
R
<<

El filtro inductivo: se basa en la propiedad fundamental de una inductancia, de
oponerse a cualquier variacin de la corriente que circula por ella; almacenando su
energa en forma de campo magntico, la inductancia se conecta en serie con la carga
(R
L
).
Su reactancia es funcin del valor de la inductancia del inductor.

X L
L
= Donde:
L
L R >>

Normalmente se utiliza para grandes corrientes que demande la carga.

12.1 FILTRO CAPACITIVO.

Iniciamos el anlisis con el filtrado de media onda y capacitor.

En la figura 12.2, se muestra la forma de onda filtrada, forma de onda sin filtrar y
un pulso de corriente de carga del capacitor.


Figura 12.2

En la grfica se muestra un tiempo de descarga del capacitor ( t
1
) y un tiempo de
carga del capacitor (t
2
); se ha idealizado la curva del tiempo de descarga del capacitor
como una recta y cabe aclarar que en el tiempo de carga del capacitor, se suministra
energa a su vez a la carga.
85

Observamos en la figura que la tensin de rizo ( V
r
) ser de pico a pico, siendo
la diferencia de la tensin mxima y la tensin mnima:
V V V
r max min
=
Con el objeto de determinar las frmulas generales aplicadas a un rectificador
monofsico con filtro capacitivo, lo aplicaremos a un ejemplo especfico:

Para un rectificador de media onda, tenemos los siguientes valores: V
med
=20 V,
V
r
=10 % V
med
, f =60 Hz y R
L
= 500 ; Refirindonos a la figura nmero 12.2.

Se desea conocer el valor de la capacidad del condensador para estos valores:

r
max med
med med
med
V
V V
2
V 5%V
V 0.05 20 20 1 21V
= +
= +
= + = + =


r
min med
med med
med
V
V V
2
V 5%V
V 0.05 20 20 1 19V
=
=
= = =


Del diagrama fasorial correspondiente a la tensin de la fuente de alimentacin,
referido a la funcin temporal de la figura 12.2 y representado en la figura 12.3,
tenemos:



Figura 12.3

1
1
=

sen
V
V
min
max

=

sen
1
19
21

= =

sen .
1
0 905 65

Para la frecuencia de 60 Hz el periodo ser:
T
f
s ms = = = =
1 1
60
0 0166 16 6 . .
Ahora:
T = 360 16.60 ms

T/2=180 8.33 ms

T/4= 90 4.16 ms
=65 3.00 ms
Por lo que t
1
= 8.33 + 4.16 + 3.00 15.5 ms.
86
De las ecuaciones generales de carga, que tome un capacitor en funcin de la
corriente y la tensin tendremos:

Q I t = ; Q CV =

Igualando trminos y despejando a la capacitancia tenemos:
CV I t =
I t
C
V
=
Los valores a substituir en la ecuacin sern:


3 CC
CC
L
V 20
I I 40 10 A 40
R 500

= = = = = mA

3
1
t t 15.5 10

= = s

r
V V 2 = = V

3 3
4
40 10 155 10
31 10 310
2
CC
r
I t .
C . F
V

= = = = F

Hemos tratado aqu al voltaje de rizo como una magnitud media, sabiendo que es
una magnitud pico a pico, cuyo valor es temporal y slo la podemos medir con un
osciloscopio, el valor prctico deseado ser el eficaz, que contiene la definicin del
ndice de ondulacin o factor de rizo ( ).

Idealizando como una onda triangular alterna, a la forma de onda del rizo, cuyo
valor eficaz es:

3 2
V
V
r
'
ef
= Para el ejemplo.
'
ef
2
V 0.577
2 3
= = V

El factor de rizo o ndice de ondulacin.


'
ef
CC
V
V
=
( )
0577
002885
20
.
. = = Decimal
2.9 =
0
0


Que ser para el correspondiente valor de la tensin de rizo (V
r
) del 10 % de la
tensin media.
87
Del desarrollo anterior, podemos concretar las frmulas para el clculo del valor
del capacitor en funcin de la tensin eficaz de rizo.

CC
r
I
C
fV
=

CC
'
ef
I
2 3 f V
= (F) (12.1)
Y el ndice de ondulacin.

'
ef
CC
V
V
=

CC
CC
CC CC
I
I 2 3 f C
V 2 3 fCV
= =
CC
L CC
1 I
R V
=
( )
1
2 3
L
fCR
= Decimal (12.2)

Podemos determinar el valor del capacitor en funcin del ndice de ondulacin.

L
1
C
2 3 f R
= (F) (12.3)
Donde los parmetros para la aplicacin de las ecuaciones son:

I
CC
Corriente media en la carga (A).
V
CC
Tensin media en la carga (V).
f Frecuencia de la fuente de corriente alterna (Hz).
V
ef
Tensin eficaz de los componentes armnicos (V).
R
L
Resistencia de la carga ().

En el clculo de la capacitancia, el valor se ha determinado en forma aproximada
con respecto al tiempo, dado que el tiempo de descarga del capacitor se tomo como el
del periodo (T), introduciendo un pequeo error adicional a las consideraciones ya
establecidas; el cual para el ejemplo, aplicando la ecuacin 12.3 corroboraremos cual
es la magnitud, para el rectificador de media onda.

CC
'
ef
I
C
2 3 fV
=
( )
3
6
40 10
333 10
2 3 60 0.577

= =

F
333 F =

Vemos que este valor es muy prximo al determinado de 310 F, por lo que
podemos tomarlo como bueno.
88
Para el filtrado del rectificador de onda completa, podemos tomar las mismas
consideraciones anteriores, aproximando el tiempo de descarga del capacitor a los 180
sexagecimales, para un nuevo periodo, el cual se traduce en una duplicacin de la
frecuencia, quedando las siguientes ecuaciones aplicables al rectificador.

Determinacin del valor del capacitor:

CC
'
ef
I
C
4 3 f V
= (F) (12.4)
Para el ndice de ondulacin.
( )
1
4 3
L
f C R
= Decimal (12.5)
Determinacin del valor del capacitor en funcin del ndice de ondulacin.

L
1
C
4 3 f R
= (F) (12.6)


Ejemplo:

Cierta carga tiene que ser alimentada con 200 V a 50 mA y se requiere un ndice
de ondulacin menor al 2 %, considere que se tiene un rectificador monofsico de
media onda, el cual opera a una frecuencia de 60 Hz. Determine el valor del capacitor
para cumplir con los requerimientos solicitados.

Determinamos inicialmente el valor de los componentes armnicos.

'
ef '
ef CC
CC
V
V V
V
= =
0.02 200 4 = = V

Substituyendo valores en la ecuacin 12.1.

CC
'
ef
I
C
2 3 f V
=
F
3
6
50 10
60.1 10
2 3 60 4

= =


F = 1 . 60

La razn de considerar los valores eficaces de los componentes armnicos, se
desprende de las mediciones que se efectan en la carga, con el objeto de determinar
las caractersticas de los rectificadores, por el conocimiento de los valores del factor de
forma e ndice de ondulacin.
89
En la figura 12.4, se indican como se efectan las mediciones en las terminales
de la carga.

Figura 12.4

Para el ndice de ondulacin.
( )
'
ef
CC
V
V
= Decimal
El factor de forma.
( )
ef
CC
V
F
V
= Decimal
La relacin del ndice de ondulacin y del factor de forma.

( )
2
1 F = Decimal

Valores de los parmetros del rectificador que permiten evaluarse por medios
experimentales, aplicado en forma general a cualquier fuente, con el objeto de
determinar la calidad de sta; por medio de sencillas mediciones de tensin media,
eficaz y temporal.
SE ha encontrado que la aplicacin del filtro tipo T con los componentes CRC,
proporcionan un nivel inferior de tensin mxima, al proporcionado con el filtro simple
con capacitor.

90
12.2 DETERMINACIN DE LA RESISTENCIA EFECTIVA DE LA FUENTE DE
ALIMENTACIN.

Tomando como referencia el perfil de la forma de onda rectificada y filtrada,
mostrada en la figura 12.2, substituyendo al valor eficaz de los componentes armnicos
por el valor pico, tenemos:


r CC
V V V
2
1
max
+ = = V V
r ef
2 3
'

= + V V
CC ef
3
'


Y sustituyendo el valor eficaz de los componentes armnicos por el valor
derivado de la definicin del ndice de ondulacin;
'
ef CC
V V =


max CC CC
V V 3 V = + = V I R
CC CC L


CC CC L
V 3 I R = +

( )
CC L CC
V 3 R I = +

Resultando un parmetro correspondiente al valor de resistencia, tal que:


L O
R 3 R = (12.7)

La cual representa la resistencia efectiva de la fuente, a decir del circuito
rectificador en funcin del ndice de ondulacin y que podr generalizarse para los
circuitos de rectificacin que contengan filtros pasivos.

Para el circuito rectificador de media onda con filtro capacitivo, para su ndice de
ondulacin.
R R
f CR
O L
L
= 3
1
2 3

( )
1
2 f C
= (12.8)

Para el circuito rectificador de onda completa con filtro capacitivo, con su ndice
de ondulacin.
R R
f CR
O L
L
= 3
1
4 3

( )
1
4 f C
= (12.9)
91
12.3 FILTRO INDUCTIVO.

Una inductancia ofrece relativamente una alta impedancia al paso de los
componentes armnicos de la onda rectificada (perfil de onda pulsante),mientras que
deja pasar los componentes de corriente directa (no existe oposicin), pero los tamaos
de los inductores para lograr las ondas planas son relativamente voluminosos y por
ende costosos; por lo general para una aplicacin especfica se disea el inductor
requerido. Un anlisis de la tensin en la carga, en el que se ha empleado a un inductor
como filtro de rectificacin, demuestra una disminucin del valor pico de la tensin
rectificada, lo cual resulta poco ventajoso y por consiguiente poco empleada.
La combinacin de elementos simples como el de resistencias, inductores y
capacitores, proporciona mejores resultados en el proceso de filtrado.

Filtro tipo L, aplicado al rectificador de onda completa.

El ndice de ondulacin dado en decimal.
( )
2
1
2
= Decimal
C L

(12.10)

Valores de los parmetros en las siguientes unidades:

C Capacidad (F).
L Inductancia (H).
Frecuencia angular (rad).

En ste tipo de filtro para que la corriente se mantenga fluyendo continuamente
(no pulsante) y la tensin de salida cambie ligeramente con las variaciones de la carga,
se tendr el valor de la inductancia mayor a cierto valor crtico, dado por la ecuacin
12.11.
( )
L
C
R
L
6 f L
= H
( )
L
R
1000 L
H en una frecuencia de 60 Hz. (12.11)

Filtro tipo doble L-C aplicado en el rectificador de onda completa.

ndice de ondulacin.
( )
( )
2
2
047
4
.
LC

= Decimal (12.12)
Filtro tipo aplicado al rectificador de onda completa.
ndice de ondulacin. ( )
1 2
3300
L
C R C L
= Decimal (12.13)
92

13. FUENTES REGULADAS CON DIODO ZENER

En los diodos rectificadores de propsito general (de material semiconductor de
Silicio), la impurificacin de ambas capas N y P, estn ligeramente impurificados
(contaminados) de tal manera que la tensin de ruptura de polarizacin inversa (BV
R
),
tiene un valor grande; ste valor de tensin es limitado a la regin del codo zener que
presenta la curva caracterstica (en el tercer cuadrante de la curva caracterstica del
dispositivo).

La corriente de fuga es funcin de la resistencia inversa (r
R
) definida para sta
regin de operacin del dispositivo, tal que:


R
R
R
I
V
r

La cual se determinar de los valores especficos de diodos, dados por los
fabricantes como:


0
(ohm)
R
R
BV
r
I


La curva caracterstica del diodo en su zona de polarizacin inversa y despus
del codo zener, tiene un comportamiento lineal; en el que para incrementos de tensin
relativamente pequeos ) V V (
Z R
= existen incrementos significativos de corriente
inversa ) I I (
Z R
= ; presentndose caractersticas de tensin regulada. Las
propiedades que presenta sta tensin regulada, se aprovechan para crear un nuevo
dispositivo electrnico llamado diodo zener.

En el diodo zener las capas de la unin PN estn altamente impurificados,
obtenindose as valores pequeos para el voltaje de ruptura (BV
R
). El valor exacto del
voltaje inverso de ruptura, se puede controlar en una forma muy precisa durante el
proceso de fabricacin, a ste valor de voltaje de ruptura inversa (BV
R
) se le llama
Voltaje Zener (V
Z
) y por ende a la corriente inversa en sta zona de operacin se le
llama Corriente Zener (I
Z
). Las tensiones zener que pueden lograr los fabricantes van
desde 2 hasta 200 volts, corrientes relativamente pequeas hasta algunos amperes.

Smbolo del diodo Zener.

En la figura 13.1, se muestran los smbolos del diodo zener ms empleados.

Figura 13.1
93
En la figura 13.2, se caracteriza la curva del diodo zener, El cual opera como
regulador de tensin en el tercer cuadrante, que es su operacin normal estando
polarizado inversamente.

Figura 13.2


En la zona de ruptura el zener tiene un codo bastante agudo, seguido de un
aumento de corriente inversa casi vertical y el voltaje es casi constante; las hojas de
informacin tcnica normalmente especifican el valor de V
Z
a una corriente particular de
prueba I
ZT
.

2
Z max
ZT
I
I =
La informacin tcnica especifica la corriente mxima del zener ( I
Z max
) en
funcin de la potencia ( P
ZN
) y la tensin nominal ( V
Z
).

ZN
Z max
Z
P
I
V
=

Tambin en las hojas de informacin tcnica especifican la resistencia o
impedancia zener ( Z
Z


), determinada a la misma corriente de prueba ( I
ZT
).
Como por ejemplo, para el diodo 1N3020:

V
Z
=10 V, I
ZT
=25 mA y Z
Z
= 7


La aplicacin principal del diodo zener es como un regulador de tensin, en un
regulador de tensin el objetivo es que en la carga, se tenga una tensin constante
independientemente de las condiciones de operacin de la fuente de alimentacin o de
las fluctuaciones de corriente que demanda carga, cuya operacin podr representarse
satisfactoriamente mediante una curva caracterstica idealizada, figura 13.3.
94

Figura 13.3

En la figura 13.3, se observa que el voltaje zener es constante, an cuando la
corriente de zener va en aumento, esto equivale a considerar que el valor de la
resistencia zener ( r
Z
), tiene un valor de cero ohms.
En la operacin del diodo zener, se presentan dos casos: uno en el que se tienen
variaciones de la fuente de alimentacin y otro en el cambio de la demanda de corriente
de la carga.

Con el diagrama del circuito con el diodo zener de la figura 13.4, se pueden
plantear las ecuaciones del comportamiento bsico de la siguiente forma:


Z 1 1 L Z 1
V R I V ; I I I + = + =


Figura 13.4

Primer caso. La tensin de entrada es constante y la corriente en la carga
vara (sin cambiar nivel de tensin en la carga), lo cual implica que la cada de tensin
en la resistencia limitadora R (V
R
) sea constante para una corriente I
1
(tambin
constante). Esto es posible siempre y cuando la corriente en la carga vare en un rango
de I
Z mxima
a I
Z mnima
, que permita que el zener regule la tensin de salida.


Zmax L Zmin
I I I

Segundo caso. La corriente en la carga ( I
L
) es constante, para variaciones
de la tensin de entrada ( V
1
). En este caso las variaciones de la corriente I
1
por ser
funcin de V
1
, tendrn que ser absorbidas por el diodo zener.

Tenindose que la corriente en el diodo zener decrece o aumenta, en la misma
cantidad de la corriente de entrada ( I
1
); mantenindose constante la corriente en la
carga ( I
L
).

95
13.1 ANLISIS DE LAS FUENTES REGULADAS CON DIODO ZENER

En el anlisis de las fuentes de tensin constante de poca potencia, en las que
son de aplicacin los diodos zener, por su simplicidad y bajo costo, se contemplan las
condiciones de la tensin de la fuente de alimentacin siguiente:


13.1.1 ECUACIONES APLICABLES PARA V
1
CONSTANTE Y CORRIENTE EN
LA CARGA VARIABLE (VALOR DE LA RESISTENCIA DE CARGA VARIABLE).

Determinacin de la corriente de entrada, ver figura 13.4.

1 Z
1 1 Z 1
V V
V I R V I
R

= + = (13.1)
La corriente mxima permisible en el diodo Zener es:

ZN
Z max
Z
P
I
V
= (13.2)
La corriente en la carga tendr una variacin de:

Zmax 1 Lmin
I I I = (13.3)

Zmin 1 Lmax
I I I = (13.4)


13.1.2 Ecuaciones aplicables para la tensin de fuente variable.

La corriente en la carga es constante y tensin de entrada variable.

ZN
Z max
Z
P
I
V
=

La corriente mxima de lnea permitida es:

Zmax L max 1
I I I + = (13.5)

La corriente mnima de lnea permitida es:

Zmin L min 1
I I I + = (13.6)

El valor mximo de V
1
que permite la regulacin es:

Z max 1 max 1
V R I V + = (13.7)

El valor mnimo de V
1
que permite la regulacin es:

Z min 1 min 1
V R I V + = (13.8)
96
13.4 MODELO EQUIVALENTE DEL DIODO ZENER

Del anlisis terico del diodo semiconductor y haciendo referencia a la curva
caracterstica del diodo zener, ste se puede idealizar por tramos de segmentos de
recta y obtener un modelo equivalente funcional; en la figura 13.5 se muestra la grfica
correspondiente.


Figura 13.5
Parmetros del diodo Zener.

F
D
F
V
r
I

R
R
R
V
r
I

Z
Z
Z
V
r
I

De las condiciones encontradas de polarizacin podemos establecer el diagrama
equivalente funcional de la figura 13.6, que nos muestra los parmetros de su
comportamiento, en un diagrama elctrico; que sera el diagrama equivalente funcional
correspondiente a los niveles de tensin aplicada.


Figura 13.6

14.4.1 Ecuaciones aplicables a partir de la curva caracterstica idealizada
del zener.
De la figura 13.5, podemos considerar los incrementos de las variables para el
tercer cuadrante, relacionndolo con el circuito bsico del zener operando como
regulador de tensin, el cual se muestra en la figura 13.7.
97
V
Zmin
V
Zmax
V
Z
V
Z
I
Z
I
ZT
I
Zmax
I
Zmin

Figura 13.7


El mximo voltaje en la carga, se presenta cuando la corriente a travs del diodo
zener est en su valor mximo.


Lmax Z max Z Z
V V V V = = +


Z ZT Z
V I r = + (13.9)

La tensin mnima en la carga, la tenemos cuando la corriente en el zener es
mnima.

Lmin Z min Z Z
V V V V = =

Z ZT Z
V I r = (13.10)

Cuando tenemos el voltaje mximo en la carga (V
Lmax
=V
Zmax
), la corriente en la
entrada (I
1
) est en su valor mximo.


1max Lmax Z max
I I I = + (13.11)

Y la tensin de la fuente ( V
1 )
es mxima.


Zmax max 1 max 1
V R I V + = (13.12)

La corriente mnima en la fuente ( I
1min
), ser cuando la corriente del tener sea
mnima, para el caso I
Zmin
=0.

1min Lmin
I I = (13.13)
98

Y el voltaje de entrada (V
1
) es mnimo.


1min 1min Z min
V I R V = + (13.14)

Tenindose un cambio de la tensin en la carga de:

Lmin Lmax L
V V V = (13.15)

Correspondiendo a un cambio de la tensin de entrada de:

min 1 max 1 1
V V V = (13.16)

Se hace notar que no se permitirn tensiones de entrada (V
1
) mayores que el
valor mayor determinado (V
1max
), ya que de ser as la corriente del zener ser excesiva y
se sobrecalentar (se destruye normalmente el dispositivo). Por otra parte para valores
de tensin de entrada menores (V
1
) a los calculados (V
1min
), ya no se tendr tensin
regulada del zener; decaer la tensin en la carga en el mismo rango de variacin de la
tensin de entrada, dado que no se ha llegado al valor de la tensin del zener.

Podemos aplicar frmulas que nos faciliten el empleo de los diodos zener, como es el
caso de poder elegir el valor de la resistencia limitadora, en la aplicacin de un diodo
zener; para cunado se tienen variaciones de la tensin de alimentacin (V
1
) y se
determina un rango del valor de la resistencia de carga. Una alternativa para elegir la
resistencia limitadora adecuada (R), se efectuar con las frmulas 13.17 y 13.18, que
calculan la resistencia limitadora para los valores mnimos y mximos respectivamente.
Esto nos permitir elegir un valor comercial de la resistencia limitadora, en relacin a los
valores calculados, logrndose una cierta optimizacin de la seleccin de la misma.


1max Z
min
Lmax Z max
V V
R
I I

(13.17)
1min Z
max
Lmax Z min
V V
R
I I

(13.18)

Una expresin que nos permite determinar en forma muy prctica el valor de la
resistencia limitadora, se muestra en la ecuacin 13.19.

1min Z
Lmax
V V
R
1.1 I

= (13.19)

El la aplicacin de de sta formula, se tiene un aseguramiento de que el valor de
la resistencia calculada tendr un margen, para la corriente de carga mxima.
99
EJEMPLOS.

1. Determinar s el zener del circuito de la figura 13.7, regula la tensin en la
resistencia R
2
y cul es el valor de la corriente en el zener?.



Figura 13.8
Para comprobar s es posible la regulacin del zener, se tendr que verificar que
la cada de tensin en la resistencia R
2
, es mayor a la tensin del zener, para lo cual se
tiene que considerar al diodo zener desconectado del circuito as:
E
R R
R
V
ZO
2 1
2
+
=

1100 1100
= 20 = 20 =11
900+1100 2000
V
La tensin en la resistencia es mayor que la tensin en el diodo zener, luego
entonces, se tiene regulacin.
V V
R Z
2

La corriente en la resistencia R
2
ser:

3 Z
2
2
V 10
I 9 10 A 9
R 1100

= = = = mA
La cada de tensin en la resistencia R
1


1
20 10 10
R Z
V E V = = = V
La corriente en la resistencia R
1


1
1
1
10
0011 11
900
= = = = A mA
R
V
I .
R

La corriente en la resistencia R
2


2
2
1
10
0090 9
1100
= = = = A mA
R
V
I .
R

Por lo tanto la corriente en el zener.

1 2
11 9 2
Z
I I I = = = mA
Y tambin se cumple con la corriente mxima del diodo zener.

Z Z max
I I < dado que 2 8 < mA
100
2. Para el circuito de la figura 13.9, determine los valores de la resistencia
limitadora (R
1
) y los valores de la resistencia de carga (R
L
), para que el diodo zener
opere en sus lmites de corriente.
Dato. Corriente mxima en el zener 200 mA y corriente mnima en el zener 5 mA.



Figura 13.9

Tomando la condicin para la carga abierta.

'
Z
Z max
1 1 1
V V 30 20 10
I
R R R

= = =
As despejando el valor de la resistencia:

1
Z max
10 10
R 50
I 0.2
= = =
Para la corriente de la fuente.
I I I I
Z min L max Z max 1
= + =
El valor de la corriente mxima en la carga.
I I I mA
L max Z min
= = =
1
200 5 195
Y en funcin de la corriente mxima en la carga, se determina la resistencia de
carga mnima.

Z
L min 3
L max
V 20
R 102.6
I 195 10

= = =

Como se podr ver en la grfica de la figura 13.10, la resistencia de carga vara
de circuito abierto hasta el valor de 102.6 y la corriente en la carga de 0 mA hasta
195 mA , que constituye el rango de regulacin del diodo zener.

Figura 13.10
101
3. Graficar el comportamiento de la carga, en el circuito de la figura 13.11.
Figura 13.11
Para corriente mxima en la carga (R
L
.), con regulacin V
RL
=V
Z
=10 V, se trata
como un divisor de voltaje.

+

=
+
=
1000
50
10 ;
min
min
min
min
L
L
i
S L
L
RL
R
V R
V V
R R
R
V
Despejando a R
Lmin
y determinando la corriente mxima.
10000 10 50 + = R R
Lmin Lmin
; 40 10000 R
Lmin
=
R
Lmin
= =
10000
40
250 ; I
V
R
A mA
Lmax
Z
Lmin
= = = =
10
250
0 04 40 .
Determinar la cada de tensin y la corriente en la resistencia limitadora.
V 40 10 50 V V V
Z i R
S
= = = ; I
V
R
A mA
S
S
S
= = = =
40
1000
0 04 40 .
Para la corriente mnima en la carga.
I I I
L S Z
= cuando I I
Z Z max
=
I I I
Lmin S Z max
= mA 5 35 40 = =

Z
Lmax
Lmin
V 10
R 2 K
I 5
= = =
Resultando el grfico de la figura 13.12

Figura 13.12

El valor de resistencia de carga mnima se tendr para el valor de la corriente
0 I
Z
= , tenindose un valor mximo de resistencia de carga para la corriente mxima
del diodo zener.

102
14. TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR


El transistor un elemento esencial en el desarrollo de la electrnica y que en el
tipo de presentacin construido por los procesos de difusin, ha permitido el desarrollo
de elementos ms complejos, representados en la electrnica digital por los circuitos de
muy alta integracin; por los circuitos analgicos por los amplificadores operacionales y
otros de propsito especfico.

14.1 CONSTRUCCIN DEL TRANSISTOR.

Cuando se tienen tres capas de material semiconductor con una impurificacin
alternada, una tipo P entre dos tipos N o una tipo N entre dos tipo P, se forman dos
uniones PN encontradas, obtenindose de esta forma la estructura de un transistor
bipolar BJT (acrnimo de Bipolar Juntion Transistor). El transistor consiste en un solo
cristal de material semiconductor, en el que se emplea en la electrnica el Silicio o el
Germanio.


Representacin analgica.




Smbolo esquemtico.

Figura 14.1

El transistor tiene normalmente tres terminales de conexin, como se puede ver
en ambas representaciones; denominadas emisor (E), base (B) y colector (C).

En el smbolo esquemtico la flecha seala el sentido de la corriente
convencional (flujo de huecos) y a su vez indica que es el emisor. Por lo cual en un
diagrama es redundante denotar las terminales con las letras E, B, y C.
Los conceptos de operacin del transistor pueden entenderse mejor
considerando uno de los primeros mtodos de fabricacin de transistores. El cristal se
hace en forma de emparedado: una seccin delgada de material tipo P entre dos
secciones gruesas de material N (llamado NPN), o una seccin delgada de material N
entre dos secciones gruesas de material P (llamado PNP).
103
El emparedado resultante se corta en pequeas piezas de cerca de 0.01 por 0.01
por 0.01 pulgadas, para formar los transistores. Este transistor se muestra en la Figura
14.2.



Figura 14.2 El transistor de unin.

Se le aaden contactos de soporte y puntas de conexin. Un extremo recibe el
nombre de emisor. El otro extremo se llama colector. La seccin central delgada es la
base. En un transistor NPN, el emisor y el colector son de materiales tipo N y la base
est hecha de material tipo P. En un transistor PNP, el emisor y el colector son de
material tipo P y la base es de material tipo N. Tanto la estructura del NPN como la del
PNP estn hechas de un cristal continuo nico al igual que el diodo PN. Regularmente
se le denomina al transistor como transistor bipolar de unin, BJT.

Dentro de las funciones que desarrollan cada una de las capas del transistor es
la siguiente:
Capa de emisor. sta capa suministra los portadores de carga mayoritarios para
la conduccin y constituye la corriente del emisor.
Capa de colector. La capa del colector capta la mayor parte de los portadores de
carga mayoritarios procedentes del emisor, constituyendo la corriente de colector.
Capa de base. sta capa asegura la interaccin entre la capa de emisor y el
colector.

Dentro de las caractersticas generales de fabricacin de este tipo de transistor,
tenemos que:
Capa de emisor. sta capa es altamente impurificada, para proporcionar una
gran cantidad de portadores de carga mayoritarios; de espesor mayor que la capa de la
base y menor que la capa del colector.
Capa de base. La capa es muy delgada entre las uniones, poco impurificada;
solo contiene unos pocos portadores de carga mayoritarios y minoritarios.
Capa de colector. Constituye la capa de mayor espesor de los tres y es
medianamente impurificada.

Las caractersticas de construccin de las capas del transistor, son implcitas
para que opere satisfactoriamente, por lo cual se tienen definidas las terminales de
conexin en cada una de las capas.
Al construir las uniones del transistor, se efecta el proceso de difusin en las
uniones del transistor, se efecta por el movimiento de portadores de carga mayoritarios
104
que atraviesan la unin, creando las zonas de agotamiento; en donde no existen cargas
libres para la conduccin, en la figura 14.3, se muestra la evolucin que sufren las
uniones del transistor, as como el estado que guardan los niveles energticos de las
capas del transistor, en este caso el tipo NPN.


Figura 14.3

En el proceso de difusin del transistor, sus capas sufren cambios en la
distribucin de cargas y stas a su vez generan diferencias de potencial; en la figura
14.4, mostramos las condiciones resultantes de las capas del transistor.



V
OE
Barrera de potencial de emisor.
V
OC
Barrera de potencial de colector.

Figura 14.4
105

14.2 TENSIONES Y CORRIENTES EN EL TRANSISTOR.

La aplicacin de diferencias de potencial a las uniones del transistor, por medio
de fuentes de corriente continua, esto hace que circulen corrientes atravs de estas;
recordando que en una unin PN, cuando le aplicamos una tensin con polaridad de la
fuente positiva al lado P y la polaridad de la fuente negativa al lado N, tenemos una
circulacin de corriente grande por la polarizacin directa de la unin; y cuando le
aplicamos a la capa N la polaridad de la fuente positiva y al lado P la polaridad de la
fuente negativa, decimos que la unin se encuentra en polarizacin inversa, circulando
un corriente de una magnitud pequea.
En la figura 14.5, se tiene que se han aplicado dos fuentes de polarizacin
simultnea a las uniones del transistor en corriente continua, en el que se denotan
todos los parmetros de tensin y de corriente con maysculas, as como los
subndices que los acompaan; que se conviene que nos indican valores en corriente
directa; adems de indicar los elementos del transistor que intervienen. Las fuentes se
denotan con doble subndice con el objeto de diferenciarlas de las tensiones referidas a
un punto de medicin especfico, evitando de esta forma confusiones.
S ambas polarizaciones las aplicamos simultneamente a las dos uniones de
emisor y colector respectivamente (J
E
y J
C
) y teniendo en cuenta que la capa de base
es muy delgada; en la figura tendremos:


a) b)
Figura 14.5

Refirindonos a la figura 14.5 a), en la polarizacin directa de la unin de emisor
(J
E
), los electrones que son los portadores de carga mayoritarios cruzan de la capa N a
la capa P y estos electrones en la capa de base tipo P pasan a ser los portadores de
carga minoritarios y como la unin de colector (J
C
) est polarizada inversamente los
electrones cruzan la unin de colector.
A ste proceso le llamas efecto transistor, en el que algunos electrones se
recombinan con huecos en la base, esta existencia de portadores mayoritarios es del
orden del 2% al 5% del flujo total de cargas, tambin vemos que la unin de emisor
presenta poca resistencia a la fuente V
EE
y la unin del colector presenta alta resistencia
a la fuente V
CC
y refiriendo estos dos efectos resistivos como entrada y salida
106
respectivamente. Podemos decir, que existe una transferencia de resistencia de un lado
a otro del transistor, de ah el nombre del transistor del idioma ingls Transfer Resistor.
Por lo que respecta a las corrientes tomando como nodo al transistor tendremos:


E C B
I I I = + (14.1
Ecuacin vlida en cualquier configuracin, ya sea para el transistor del tipo NPN
o PNP.


14.3 BETA Y ALFA DE C.D. DE UN TRANSISTOR (
cd
y
cd
).

La beta
1
de C.D. de un transistor (
cd)
, se define como la relacin de la corriente
del colector y la corriente de base, en un punto de operacin dado.


C
cd
B
I
I
(14.2
El subndice cd en significa que la razn se define para los valores de C.D. de
I
C
e I
B
.
Dado que una cantidad pequea de corriente en la base puede controlar una
gran cantidad de corriente en el colector,
cd
es un nmero mucho mayor que la unidad
(1). Despejando de la ecuacin 14.2 =
C C
cd
I I

; por sta razn un transistor es un

dispositivo controlado por corriente. Los valores de La
cd
para transistores tpicos
pueden variar entre 20 y 30 para transistores de beta baja, hasta 200 a 300 para
transistores de beta alta.
El alfa
2
de cd de un transistor,
cd
, se define como la razn entre I
C
e I
E
, en un
punto de operacin dado.

C
cd
E
I
I
(14.3
El subndice cd en significa que esta razn se define para valores de C.D. de I
C
e I
E
.

El valor de
cd
es cercano a 1, pero ligeramente menor; por ejemplo, 0.96, 0.97,
0.995 o 0.997 son valores tpicos de
cd
.
La tensin de polarizacin del circuito de entrada emisor-base, por lo general es
menor a la tensin de polarizacin del circuito de salida colector-base (V
EE
<< V
CC
); para
ambas corrientes son aproximadamente iguales (
E C
I I ) y como
E C B
I I I = , tenemos
que la corriente de base (
B
I ) es
B E
I I .
Por otro lado cualquier cambio en la I
E
se reflejar en un cambio de I
C
; tambin
EB CB
V V variaciones de tensin pequeas de
EB
V habr variaciones grandes de la
tensin
CB
V ; esta propiedad es aprovechada para emplearse como amplificador de
tensin;

1
Algunos fabricantes usan el smbolo h
FE
para
cd

2
Algunos fabricantes usan el smbolo -h
FB
para
cd

107
14.4 BANDAS DE ENERGA DEL TRANSISTOR POLARIZADO.

En la polarizacin directa de la unin de emisor y la polarizacin inversa de la
unin de colector del transistor, modifican las bandas de energa en la forma mostrada
en la figura 4.6.

Figura 14.6

14.5 TIPOS DE ENCAPSULADOS.

Los encapsulados de los dispositivos electrnicos tienen la funcin de proteger al
cristal semiconductor de los rayos luminosos y la de soportar las terminales de
conexin, para los dispositivos de poca potencia el envase es plstico y es capaz de
soportar temperaturas de soldadura de estao; para los dispositivos de mediana y de
gran potencia, los encapsulados son metlicos, se encuentra asociados a disipadores
de calor que les permite conducir una gran cantidad de energa, en la figura 14.7, se
muestran los tipos de envases de mayor empleo en la fabricacin de transistores.



Figura 14.7
108
14.6 CONTRIBUCIN DE LOS PORTADORES DE CARGA EN LA
CORRIENTE DE EMISOR.

Componentes de corrientes internas en el transistor con polarizacin como
amplificador, se muestra en la figura 14.8, conocida como FR (abreviando el acrnimo
de Forward Reverse).
Se entiende por polarizacin del transistor a la aplicacin de fuentes de corriente
continua, al circuito electrnico y que en este caso contiene al transistor; las uniones del
transistor se someten a diferencias de potencial que condicionan la operacin del
mismo; el cual puede operar como amplificador o como conmutador, dependiendo de
los signos de las fuentes aplicadas a las uniones. Del conocimiento que se tiene de la
unin PN en el circuito podemos decir que: la unin de emisor esta polarizada
directamente (Forward), correspondiente al emisor-base y que la unin de colector, esta
polarizada inversamente (reverse), correspondiente a colector-base, de ah la
costumbre de representarlo simplemente como FR.













Figura 14.8
Constitucin de las corrientes.

I
E
= I
pE
+I
nE
I
pE
corriente de huecos (portadores mayoritarios) E B
I
nE
corriente de electrones (portadores mayoritarios) B E

I
pE/
I
nE
Esta relacin es proporcional a la conductividad del material tipo P a
la del tipo N.

I
nE
sta corriente no es recogida por el colector.

I
pC
La corriente de huecos que cruza la unin de colector (J
C
)
procedente del emisor.

I
pE
- I
pC
Es la corriente de huecos que se recombinan en la capa de la base
con electrones de sta. Estos electrones son suministrados por la
terminal de la base ya que sta capa tiene escasos los electrones.
I
nC
Corriente de electrones del colector que cruza la unin de colector-
base.
109
S el circuito de emisor est abierto, la corriente de emisor es nula I
E
=0,
tambin la corriente de huecos que cruza la unin de colector I
pC
=0; la unin de colector
(J
C
) de las capas de base y colector, se comporta como un diodo polarizado
inversamente y la corriente de colector ser I
CBO
=I
CO,
siendo la corriente de saturacin
de la unin.
Por consiguiente, s la corriente de emisor o I
E
, se tiene que la corriente de
colector est integrada por la corriente procedente del emisor ms la corriente de
saturacin I
C
= I
pC
+ I
CO.


14.7 POLARIZACIN DE UNA SOLA UNIN DEL TRANSISTOR.


En la figura 14.9, se muestra la polarizacin para un transistor del tipo NPN, con
polarizacin nica de las uniones emisor J
E
y del colector J
C.








Para polarizacin directa de la unin de
emisor habr cruce de portadores de carga
mayoritarios (Forward) I
F
=I
E
=I
B
.



Para polarizacin inversa de la unin de
colector, habr cruce de portadores de
carga minoritarios, corriente de saturacin
(Reverse) I
R
=I
CBO
=I
CO .


Figura 14.9

110
14.8 RELACIN ENTRE LAS CORRIENTES DEL TRANSISTOR BIPOLAR EN
FUNCIN DE LAS GANANCIAS (en corriente directa).


Relacin de parmetros del transistor:

Corrientes.
E C B
I I I = + (14.1
Ganancias.
C
B
I
I
= (14.2
C
E
I
I
= (14.3

De la ecuacin 14.1 despejando a corriente I
B
.


B E C
I I I =

Substituyendo en la ecuacin 14.2.


C
E C
I
I I
=

Dividiendo el segundo miembro entre I
E
, al numerador y al denominador.


( )
C
E
E C
E
I
I
I I
1
I

= =

(14.4

Despejando a de la ecuacin 14.4.

( ) 1 =
= , ( ) 1 = + = +
1

=
+
(14.5

Relacin de las corrientes.
,
C B B C
1
I I I I

= =
,
C E E C
1
I I I I

= =
,
C E E C
1
I I I I
1


+
= =
+


E B B B B C B E
I
1
1
I , I ) 1 ( I I I I I
+
= + = + = + =
111

Tabla de conversin de corrientes.
a
De
B
I
C
I
E
I
B
I 1 1 +
C
I 1

1 1 1

+
o
E
I 1
1 +

1

+
o
1

Para la configuracin de conexin del transistor en emisor comn, mostrado en la
figura 14.7.

C pC
I I Inc = +

E CBO
I I = + (14.6
Tambin:

E C B
I I I = + (14.1

Substituyendo la ecuacin 14.1 en la ecuacin 14.6.

( )
C C B CBO
I I I I = + +

Despejando a I
C
.


C C B CBO
I I I I = +
( )
C B CBO
I 1 I I = +

Dividiendo entre ( ) 1 .

1
1 1
C B CBO
I I I

= +



B CBO
1
I I
1
1

= +

+



( )
B CBO
I 1 I = + + (14.7

La expresin de la ecuacin 14.7 corresponde a la configuracin de conexin de
emisor comn Teniendo como corriente de entrada a I
B
y como corriente de salida I
C
y
para I
B
=0, la corriente de colector ser I
CEO
es decir la corriente de colector con la base
abierta, que nos relaciona ambas corrientes inversas.

112
( )
CBO CEO
I 1 I + = (14.8

Ejemplo de corrientes de fuga.

Un transistor tiene una corriente de colector base estando el emisor abierto (I
CBO
)
de 50 A, para la conexin de base comn, el transistor tiene una ganancia en corriente
de 100 (); determinar la corriente colector emisor con la base abierta (I
CEO
) de la
configuracin emisor comn, Aplicando la ecuacin1 4.8.


Solucin: ( ) 1
CEO CBO
I I = + ( )
6
1 100 50 10

= +
.
6
5050 10 A 5 05 mA

= =

Del resultado vemos que la corriente inversa es muy elevada y esta cruza la
resistencia de la unin de valor grande, por efecto Joule se tendr un calentamiento
excesivo de la unin polarizada inversamente provocando la destruccin del transistor.
Se recomienda que en la configuracin de base comn no se abra la base
estando energizado el circuito del transistor. Por lo que respecta al material empleado
en la construccin de transistores el silicio y el germanio, se tiene que las corrientes
inversas son despreciables en el silicio y se deben considerar para el germanio;
corroborndolo con las hojas de datos de los fabricantes de dispositivos electrnicos.



14.9 FORMAS DE OPERACIN DEL TRANSISTOR.

El transistor de unin opera como amplificador o como conmutador, dependiendo
del tipo de polarizacin de las uniones de emisor y de colector.
El siguiente juego de ejes coordenados sintetiza la operacin del transistor
bipolar, correspondiendo la parte positiva de los ejes a la polarizacin directa de las
uniones y la parte negativa a la polarizacin inversa.


Figura 14.10
113
14.10 CONFIGURACIN DE CONEXIN DE TRANSISTORES
BIPOLARES.

Los circuitos de la figura 14.11, presentan las alternativas de conexin de un
transistor como amplificador, empleando un transistor del tipo NPN y las grficas de
comportamiento en la entrada y la salida del circuito.

Configuracin Base Comn.



Configuracin Emisor Comn.



Configuracin Colector Comn.

Figura 14.11

Cabe aclarar que la operacin del transistor como amplificador es independiente
de la configuracin adoptada dentro del circuito, es decir para las configuraciones del
tipo de emisor comn, base comn y de colector comn.
114
14.11 DETERMINACIN DEL TIPO Y ESTADO DEL TRANSISTOR.

1. Determinacin del tipo de transistor por medio de un ohmetro del tipo
analgico.

Para la prueba se cuenta con un hmetro, en el cual se sabr de antemano la
polaridad como fuente de tensin (de lo contrario determinarla) y que bsicamente es
un galvanmetro con escala graduada en ohm en serie con una batera; el
galvanmetro nos registrar valores en escalas, que podrn seleccionarse en
parmetros de ohm (), kilohm (K) o megaohm (M).


Procedimiento.
1 En la escala de ohm x1 (Rx1) se efectuar la medicin entre las terminales del
transistor (tres) en forma alternativa. Encontrndose que una de ellas registra lectura de
baja resistencia (10 - 20 ) con las otras dos terminales; s la terminal comn es
positiva (+), tendremos que sta es la base y por la polarizacin directa de las uniones
de emisor y colector, el transistor es NPN (ver figura 14.12). Para el transistor PNP la
terminal comn ser negativa (ver figura 14.11).




Figura 14.12

2 En la escala de megaohm (M) efectuar la medicin de las dos terminales
restantes (que correspondern a las terminales del emisor y el colector) y nos dar una
lectura y otra ligeramente menor a est, considerndola baja.
Para el transistor NPN en la lectura baja la terminal positiva ser el emisor y para el
transistor PNP ser la terminal negativa la que corresponda al emisor.
sta ocurre por ser mayor la corriente de saturacin de la unin EB (JE), derivada
de la fabricacin de las capas del transistor (sta unin es la ms impurificada).
115
2. Determinacin del tipo de transistor por el mtodo de tensin aplicada a las
uniones del transistor.

Cuando no es posible determinar el emisor del transistor bipolar por medicin de
resistencia, nos valemos del circuito elemental, de la figura 14.13; aplicndolo para un
transistor bipolar del tipo NPN.


Figura 14.13

S el transistor se encuentra en polarizacin FR, circula corriente de colector (I
C
)
de un valor apreciable y podremos determinar a la vez la
cd
del transistor para estos
valores elegidos.

Valores propuestos para la medicin:
R
B
= 100 K, R
C
= 1K, V
CC
= 1.5 V, Silicio

Ejemplo de la determinacin del tipo de transistor, concerniente al emisor:

Lectura de corriente de colector I
C
= 0.8 mA.

Determinacin de la corriente de base.
0
CC B B BE
V I R V =

3 CC BE
B 3
B
V V 1.5 0.7
I 8 10 A 0.008mA 8 A
R 100 10

= = = = =

Determinacin de la beta del transistor.


6
C
6
B
I 800 10
100
I 8 10

= = =

Como se puede apreciar de los clculos, las mediciones nos corroboran la
polarizacin correcta del transistor, por el hecho de existir un valor de corriente del
colector y de otra forma, su ausencia de corriente denota que la polarizacin es
incorrecta, esto por la posicin equivocada del emisor.
116

14.12 EL CIRCUITO DE EMISOR COMN

Un transistor NPN es conectado en un circuito con configuracin de emisor-
comn a una fuente variable de tensin en su base y a una fuente variable de tensin
en su colector, como se puede ver en la figura 15.5. Se conectan miliamprmetros y
vltmetros en las terminales de base y de colector. En el circuito de base, los medidores
dan una lectura de I
B
y la tensin base a emisor. En el circuito de colector la lectura de
los medidores es I
C
y la tensin base a colector V
CE
.
Figura 14.14

La fuente de tensin de la base V
BB
, en la figura 14.14 se ajusta para poner a la
corriente I
B
a un valor fijo. Luego, la tensin colector a emisor V
CE
, se aumenta. La
corriente del colector aumenta muy rpidamente a un valor particular, que no cambia ya
con mayores incrementos en tensin V
CE
. En la figura 14.15 se presenta una familia de
curvas donde se utilizan los valores discretos de corriente I
B
como la variable
independiente, para mostrar la caracterstica del colector en una configuracin en
emisor-comn la corriente I
C
es la variable dependiente y la tensin V
CE
es la variable
independiente.
Para un valor particular de corriente I
C
, al valor mnimo posible de tensin V
CE

capaz de mantener esa corriente especfica, se le llama el voltaje de saturacin V
CE,sat
.
Estos valores de tensin V
CE,sat
son del orden de una fraccin de 1 volt. En la figura
14.15 se indica un voltaje V
CE,sat
particular.

Para simplificar los clculos, se usan las curvas ideales, como las mostradas en
la figura 14.15.

I
C
mA I
B
= 100 A
5
V
CE, sat
I
B
= 80 A
4 A
I
B
= 60 A
3 C
I
B
= 40 A
2 B
I
B
= 20 A
1
I
B
= 0
0
5 10 15 20 25 V
CE
, volts
Figura 14.15
VBB
VCC
V
mA
IC
VCE
mA
V
IB
VBE
117
Las caractersticas reales del colector de un transistor, muestran un ligero
aumento en la corriente de colector cuando se incrementa V
CE
.

Un trazador de curvas de transistores es una especie de osciloscopio que
presenta las curvas caractersticas del transistor en una pantalla calibrada. Las fuentes
de potencia que proporcionan la polarizacin de los transistores estn contenidas en el
mismo trazador y se pueden probar ambos tipos de transistores NPN y PNP. El
desplegado de la figura 14.15 requerira de seis pasos de corriente de base en
intervalos de 20A desde 0 hasta 100A, un control establece los pasos de la corriente
de base.
Por lo que respecta al circuito de emisor, los valores numricos de corriente de
tres puntos especficos de la caracterstica de colector de la figura 14.15 son:


Punto A I
B
= 80 A I
C
= 4 mA
Punto B I
B
= 40 A I
C
= 2 mA
Punto C I
B
= 60 A I
C
= 3 mA
Dado que la corriente del emisor es la suma de la corriente de base y la corriente
de colector, en cada uno de estos puntos la corriente de emisor es:

Punto A I
E
=I
B
+I
C
= 80 A + 4 mA = 4.08 mA = 4080 A
Punto B I
E
=I
B
+I
C
= 40 A + 2 mA = 2.04 mA = 2040 A
Punto C I
E
=I
B
+I
C
= 60 A + 3 mA = 3.06 mA = 3060 A


Por lo que respecta alas ganancias de corriente del transistor Beta y Alfa de cd
(
cd
y
cd
), en la configuracin de conexin del circuito de emisor comn.

Usando la definicin de beta, dada en la ecuacin 14.2, tenemos:

Punto A
cd
= I
C
/ I
B
= 4000 A / 80 A = 50
Punto B
cd
= I
C
/ I
B
= 2000 A / 40 A = 50
Punto C
cd
= I
C
/ I
B
= 3000 A / 60 A = 50

Y tambin empleando la definicin de alfa, dada en la ecuacin 14.3, tenemos:

Punto A
cd
= I
C
/ I
E
= 4 mA / 4.08 mA = 0.98
Punto B
cd
= I
C
/ I
E
= 2 mA / 2.04 mA = 0.98
Punto C
cd
= I
C
/ I
E
= 3 mA / 3.06 mA = 0.98


Estos clculos muestran que los valores de
cd
y
cd
son valores constantes en la
regin de la caracterstica del colector, donde las curvas de corriente del colector son
horizontalmente idealmente.

118

14.13 BETA Y ALFA EN CORRIENTE ALTERNA (
ca
y
ca
) DE UN
TRANSISTOR.

La beta
3
de C.A.,
ca
, se define como la razn del cambio en la corriente del
colector I
C
, al cambio correspondiente en la corriente de la base I
B
, en un punto de
operacin dado, para un valor constante de V
CE
.

.
C
ca CE
B
I
V
I

= =

Cte (14.9

Note que el cambio en la corriente total, es igual a la corriente alterna.

Similarmente, la alfa
4
de ca
ca
, se define como la razn del cambio en la
corriente del colector I
C
, al cambio correspondiente en la corriente del emisor I
E
, en
un punto de operacin dado, para un valor constante de V
CE
.

C
ca CE
E
I
V
I

= =

Cte. (14.10
Continuando con el anlisis del circuito de emisor comn y siguiendo
con la curva caracterstica de la figura 14.15, ahora, consideremos que el cambio es del
punto B al punto C en las caractersticas del colector, utilizando los valores numricos
tenemos:

I
C
= 3.0 -2.0 = 1.0 mA = 1000 A
I
B
= 60 - 40 = 20 A
I
E
= I
C
+I
B
= 1.0 mA + 20 A
= 1.020 mA = 1020 A

Para obtener
ca
, con los valores numricos, tenemos:


ca
= I
C
/ I
B
= 1000 A / 20 A = 50

Sustituyendo los valores numricos para calcular
ca
, se tiene:

ca
= I
C
/ I
E
= 1000 A / 1020 A = 0.98

3
Algunos fabricantes usan el smbolo h
je
para
ca

4
Algunos fabricantes usan el smbolo -h
jb
para
ca

119

15. CIRCUITOS DE POLARIZACION DE TRANSISTORES
BIPOLARES

Para emplear a un transistor en funciones de amplificacin, debe utilizarse una
red de resistencias junto con fuentes de tensin de Corriente Directa adecuadas. Las
fuentes de voltaje y las resistencias establecen un conjunto de voltajes y corrientes en
cada electrodo del transistor, llamados valores estticos, que determinan el punto de
operacin o punto Q del transistor. En la mayora de los casos los valores estticos no
son cambiados al aplicar una seal de Corriente Alterna a la entrada del circuito.
Mostraremos en los captulos posteriores como los valores del punto de operacin
determinan las caractersticas de ganancia del amplificador.
Antes de analizar un circuito real, debemos establecer los procedimientos
generales y conceptos que se aplican a todos los circuitos de polarizacin.
El procedimiento general para determinar los valores del punto de operacin es
el siguiente:
1. Se Plantean las ecuaciones para el circuito a tratar, basadas en la ley de voltajes
de Kirchhoff (KVL).
2. Se plantean las ecuaciones para el circuito en cuestin, basadas en la ley de
corrientes de kirchhoff (KCL).
3. Se sustituyen en las ecuaciones los valores numricos conocidos.
4. Se resuelven las ecuaciones para los valores numricos faltantes.

S tenemos una ecuacin que contiene a IB , IC e IE como incgnitas, podemos
reducir el nmero de incgnitas a una sola utilizando los factores de conversin de los
parmetros del transistor, relativo a las ganancias. Estos factores de conversin fueron
derivados para ley de corriente de Kirchhoff ( IB = IC + IE ) y de las definiciones de y
. Siempre que usamos una de las conversiones, realmente estamos usando la ley de
corrientes de Kirchhoff, la cual es implcita.
En la mayora de los circuitos con semiconductores de baja a media potencia
utilizan resistencias cuyos valores son expresados en forma conveniente en Kilohms
(K). Los semiconductores tienen corrientes de pequea magnitud, las cuales son
medidas en miliampers (mA). Los clculos numricos se simplifican grandemente s la
ley de Ohm se aplica en el siguiente sentido:
Volts = miliamperes kilohms

Volts = mA k (15.1

Utilizaremos la ecuacin15.1 para todos los clculos numricos.

Ejemplo 1:
V = I R = 0.02 A 10,000 = 20 V
o
V = 2 mA 10 k = 20 V

120
Ejemplo 2:
R = V / I = 15 V / 0.003 A = 5000
o
R = 15 V / 3 mA = 5 k



15.1 POLARIZACIN DE LOS CIRCUITOS DE AMPLIFICACIN.


Amplificador en configuracin de EMISOR-COMN.

En la figura 15.1, se muestra el circuito amplificador de emisor-comn,
generalmente para sta configuracin V
BB
y V
CC
se obtienen de la misma fuente de
voltaje, de manera que nicamente se requiere una fuente de tensin para el circuito.
La ecuacin de voltajes de malla de Kirchhoff para el circuito de onda es:

V
BB
= R
B
I
B
+ V
BE
(15.2

Donde V
BE
es el voltaje medido de la base al emisor.
La ecuacin de voltajes de malla de Kirchhoff para el circuito de salida es:

V
CC
= R
C
I
C
+ V
CE
(15.3

Donde V
CE
es el voltaje medido del colector al emisor.
Utilizando la conversin de los parmetros, podemos escribir:

I
C
= I
B
o I
B
= I
C
/ (15.4





Figura 15.1
121
Ejemplo 3:

Para el circuito de la figura 15.1, suponga que tenemos los siguientes valores
numricos para un transistor de silicio.

V
BB
=+10 V V
CC
=+10 V R
C
=4 k

V
BE
=0.7 V y =50

Determinar el valor de R
B
requerido para poner el V
CE
igual a +5 V.

Solucin:

Sustituyendo los valores numricos en las ecuaciones de malla del circuito,

V
BB
= R
B
I
B
+ V
BE

10 = R
B
I
B
+ 0.7 (1

V
CC
= R
C
I
C
+ V
CE
10 V = 4 k x I
C
+ 5 V (2

I
B
= Ic / = Ic / 50 (3

La ecuacin 2 puede resolverse para Ic

10 V = 4 k x Ic + 5 V

Ic = 5 V / 4 k = 1.25 mA

Y sustituyendo en la ecuacin 3,

I
B
= Ic / 50 = 1.25 mA / 50 = 0.025 mA = 25 A

Sustituyendo este valor en la ecuacin 1 tenemos:

10 V = R
B
I
B
+ 0.7 V
10 V = R
B
0.025 mA + 0.7 V

R
B
=9.3 V / 0.025 mA = 372 k

122
Amplificador en configuracin COLECTOR COMN.

El circuito amplificador de colector-comn se muestra en la figura 15.2. Por
lo general V
BB
y V
CC
son la misma fuente de voltaje, as que slo se requiere una sola
fuente de voltaje para el circuito. La ecuacin de voltajes de malla atravs de la base
para el circuito de entrada es:

V
BB
= R
B
I
B
+ V
BE
+ R
E
I
E
(4

Y la ecuacin de voltajes de malla de Kirchhoff atravs del colector para el
circuito de salida es:

V
CC
= V
CE
+ R
E
I
E
(5

De la tabla de conversiones, usamos los factores para escribir:

I
E
= (1+)I
B
o I
B
= I
E
/ (1+) (6



Figura 15.2

123
Ejemplo 4:

Suponga que para el circuito de la figura 15.2, tenemos los siguientes valores
numricos para un transistor de silicio.

V
BB
= +10 V V
CC
= + 10 V R
E
= 4 k
V
BE
= 0.7 V y = 50

Encuentre el valor de R
B
requerido para poner V
CE
igual a 5 V.


Solucin:

Poniendo estos valores en las ecuaciones 4, 5 y 6, tenemos:

V
BB
= R
B
I
B
+ V
BE
+ R
E
I
E
10 V = R
B
I
B
+ 0.7 + 4 K I
E
(4


V
CC
= V
CE
+ R
E
I
E
10 V = 5 V + 4 K I
E
(5


I
B
= I
E
/ (1+) = I
E
/ 51 (6

Resolviendo la ecuacin 5 para I
E
tenemos:

4 K I
E
= 5 V

I
E
= 5 V / 4 K = 1.25 mA

Y sustituyendo en la ecuacin 3, tenemos:

I
B
= 1.25 mA / 51 =0.0245 mA=24.5 A

Usando estos valores en la ecuacin 1, encontramos que:

10 V = R
B
I
B
+ 0.7V + 4 K I
E

10 V = 0.0245 mA R
B
+ 0.7 +4 K 1.25 mA
10 V = 0.0245 mA R
B
+ 0.7 + 5 V
R
B
= 4.3 / 0.0245 mA = 175.5 K
124
Amplificador en configuracin BASE COMN.

En la figura 15.3, se muestra el circuito del amplificador de base-comn. En
este circuito debemos tener dos fuentes diferentes de potencial, porque se requieren
dos polaridades diferentes de las fuentes de voltaje en la referencia del circuito.



Figura 15.3

La ecuacin de circuito de Kirchhoff atravs del emisor, para el circuito de
entrada es:

V
EE
=R
E
I
E
+V
EB
(7

Y la ecuacin de voltajes de malla de Kirchhoff atravs del colector para el
circuito de salida es:

V
CC
=R
C
I
C
+V
CB
(8

Usando los factores de conversin podemos escribir:

I
C
= I
E
= (/1+) I
E
(9

125
Ejemplo 5.

Determine I
C
, I
E
y R
E
en el circuito de la figura 15.3 s V
CB
es 5V y los valores del
circuito son:

V
BE
=-10 V V
CC
=+10 V R
C
=4 K
V
EB
=0.7 V y =0.98

Solucin:
Poniendo estos valores en las ecuaciones 6, 7 y 8, tenemos:

V
EE
=R
E
I
E
+V
EB

10 V= R
E
I
E
+0.7 V (1

V
CC
=R
C
I
C
+V
CB

10 V=4 K I
C
+5 V (2

I
C
=I
E
=0.98I
E
(3

La ecuacin 2 puede resolverse para I
C
.

10 V=4 K I
C
+5 V

I
C
=(10-5) V / 4K=1.25 mA

S usamos la ecuacin 3.

I
E
= I
C
/ 0.98 = 1.25 mA / 0.98 = 1.2755 mA

Y substituyendo en la ecuacin 1.


10 V= R
E
I
E
+0.7 V

R
E
= (10 - 0.7) V / 1.2755 mA = 9.3 V / 1.2755 mA = 7.29 K

126
15.2 CIRCUITOS COMPLEJOS DE POLARIZACIN

El circuito amplificador de emisor-comn con retroalimentacin de emisor se
muestra en la fig. 15.4. En los circuitos previos, de la seccin 15.1, utilizamos los
smbolos completos para representar las bateras de CD, que polarizan el circuito; a
partir de ste punto, indicaremos una sola terminal sobreentendindose est referida al
punto comn. La terminal de cada fuente de potencial est conectada al punto comn
del circuito, en este caso, indicado por el smbolo de tierra.




Figura 15.4

Generalmente V
BB
y V
CC
son la misma fuente de voltaje de tal manera que
solamente se requiere una sola fuente para el circuito. Entonces usaremos V
CC
por V
BB

en todas las ecuaciones.

La ecuacin de voltaje de malla de Kirchhoff para el circuito de entrada a travs
de la base es:

BB B B BE E E
V R I V R I = + + (10

La ecuacin de voltajes de malla de Kirchhoff para el circuito de salida atravs
del colector es:
CC C C CE E E
V R I V R I = + + (11

Usando las conversiones de los parmetros del transistor, tenemos:

( )
E C
I 1 / I = + (12

B C
I I / = (13

127
Ejemplo 6

Suponga que, para la figura 15.4, tenemos los siguientes valores numricos para
un transistor de germanio.

V
BB
=+15 V V
CC
=+15 V V
BE
= 0.3 V
R
C
= 4k R
E
= 600 = 60

Encuentre el valor de R
B
para fijar V
CE
a 8 V.

Solucin.
Substituyendo stos valores en las ecuaciones 10, 11 y 12 tenemos:

BB B B BE E E
V R I V R I = + + (10

B B E
15 V R I 0.3 V 0.6 K I = + + (1

CC C C CE E E
V R I V R I = + + (11

C E
15 V 4 K I 8 V 0.6 K I = + + (2

( )
E C
I 1 / I = + (12
C C
B
I I
I
60
= = (3

La ecuacin 1 tiene tres incgnitas. La ecuacin 2 tiene dos incgnitas. Podemos
reducir a una el nmero de incgnitas en la ecuacin 2 usando la ecuacin 12

C E
15 V 4 K I 8 V 0.6 K I = + +


C C
4 K I 8 V 0.6 K 61 I 60 = + +

C
4.61 K I 7V =

C
I 1.518 mA =

Usando este valor para I
C
en la ecuacin 3 tenemos:

B C
I I 60 1.518 mA 60 0.025 mA 25 A = = = =

Recordando que:
E B C
I I I = +
Luego
E
I 0.025 1.518 1.543 mA = + =
128
Ahora podemos sustituir estos nmeros en la ecuacin 1

B B E
15 V R I 0.3 V 0.6 K I = + +

B
R 0.025 mA 0.3 V 0.6 K 1.543 mA = + +
B
0.025 mA R 13.77 V =

B
R 13.77 V 0.025 mA 551 K = =

En la figura 15.5 se muestra un arreglo diferente para el circuito amplificador de
emisor-comn. Cuando se forma la ecuacin de voltajes de malla a travs del colector,
el voltaje total en el circuito es la diferencia de potencial entre los dos extremos del
circuito.
( )
CC EE CC EE
V V V V = +

Cuando se forma la malla de voltaje a travs de la base, hay solo una fuente V
EE
,
que se considera para este circuito. Luego, las dos ecuaciones de voltaje de malla son:

CC EE C C CE E E
V V R I V R I + = + + (14


EE B B BE E E
V R I V R I = + + (15
Y

De la tabla de conversiones las ecuaciones de corriente son:

( )
E C
I 1 I = + (16
B C
I I = (17



Figura 15-5

El mtodo de la solucin numrica de las Ecuaciones 14, 15, 16 y 17, no
introducen nuevos conceptos.
129

El circuito mostrado en la Figura 15.6, usa ambas retroalimentaciones la
retroalimentacin del emisor a travs de R
E
y la retroalimentacin del colector a la base
a travs de R
B
. Aqu, R
B
se conecta al colector en vez de estarlo a una fuente de voltaje
de base. Es importante darse cuenta que la corriente en R
C
es I
E
y no I
C
.

La ecuacin de voltajes de malla es:

V R I V R I
CC C C CE E E
= + + (18

La ecuacin de voltajes de malla a travs de la base es:

E E BE B B E C CC
I R V I R I R V + + + = (19

La ecuacin de corriente de la tabla de conversiones que relaciona I
B
e I
E
se
tiene:

( )
B E E B
I I o I I + = + = 1 1 (20




Figura 15.6

El circuito de la fig. 15.7a, se emplea un divisor de voltaje ( R
1
y R
2
) para proveer
la polarizacin de la base. Esta distribucin es comnmente usada para transistores
incorporados en un circuito integrado (CI). El procedimiento que deber seguirse para
determinar las corrientes en el circuito requiere de la aplicacin del problema de
Thvenin . La terminal de la base se ha abierto en el punto A en la figura 15.7a el
divisor formado por R
1
y R
2
se reemplaza por una fuente en serie con una resistencia (
figura 15.7b ). La fuente en el circuito equivalente , por medio del teorema de Thvenin
es el voltaje del circuito abierto V
BB
medido en el punto A.
130

(a (b
Figura 15.7

Donde :
1 2
B
1 2
R R
R'
R R
=
+
,
2
BB CC
1 2
R
V' V
R R
=
+



( )
BB 2 1 2 CC
V R R R V = + (21

La resistencia del circuito equivalente es como especifica el teorema de Thvenin
, la que se ve hacia atrs en el circuito en el punto A con la fuente de voltaje ( V
CC
)
en corto circuito . Por lo que la resistencia equivalente del circuito R
B
es R
1
en paralelo
con R
2
.
B 1 2 1 2
R R R R R = + (22



Figura 15.8
131
Ejemplo 7

Encuentre el valor de V
CE
para el circuito mostrado en la fig. 15-8a . El transistor
es de germanio con una de 50 y un valor V
BE
de 0.3 V .

Solucin:
El primer paso es reducir el divisor de voltaje por medio del teorema de Thvenin
2
BB CC
1 2
R 20 K
V' V 10 1.43 V
R R 20K 120K

= = =
+ +
(21
1 2
B
1 2
R R 20 K 120K
R' 17.1 K
R R 20 K 120K

= = =
+ +
(22

Estos valores se muestran en la figura 15-8b
Las ecuaciones de voltaje de malla para el circuito equivalente son:
CC C C CE E E
V R I V R I = + + (10)
BB B B BE E E
V' R' I V R I = + + (11

Sustituyendo los valores numricos encontramos que:
C CE E
10 V 4 K I V 1K I = + + (1
B E
1.43V 17.1 K I 0.3V 1 K I = + + (2

Usando la conversin de parmetros del transistor para las relaciones de
corriente encontramos que:
E B B
I ( 1 )I 51I = + = (3
B B C
I I I 50 = = (4

Sustituyendo la ecuacin. 3 en la ecuacin. 2 encontramos que:
B B
1.43V 17.1K I 0.3V 1K 51I = + +
B
68.1K I 1.13V =
B
I 0.0166mA 16.6 A = =

Evaluando la ecuacin 3 y la ecuacin 4 tenemos:
C B
I 50I 50 0.0166mA 0.830mA = = =
E B
I 51 I 51 0.0166mA 0.846mA = = =

Sustituyendo estos valores en la ecuacin. 1 tenemos:

CE
10V 4K 0.830mA V 0.846V = + +

CE
V 10V 0.846V 4K 830mA 5.83V = =
132
Ejemplo 8

Obtenga el valor requerido de R
2
para que el V
CE
sea igual a 10 V en el circuito de
la fig. 15.9a.

Solucin:

La ecuacin de voltaje de malla de Kirchhoff a travs del colector es:
CC C C CE E E
V R I V R I = + +

Usando los valores numricos tenemos:
C E
20V 6K I 10V 2K I = + + (1

Por la tabla de conversin de corrientes:
C B B
I I 60I = = (2
( )
E B B
I 1 I 61I = + = (3

Sustituyendo en la ecuacin 1 encontramos que:
B B
20V 6 K 60I mA 10 V 2 K 61I mA = + +
B
482 K I 10V =
B
I 0.0207 mA 20.7 A = =

(a (b

Figura 15.9

Tenemos que:
2 1
2 1
'
R R
R R
R
B
+
= ;
2 1
1
'
R R
R
V
B
+
=
133
El valor de la corriente del emisor es:

( ) ( ) ( )
E B
I 1 I 1 60 0.0207 1.263mA = + = + =

El circuito divisor de voltaje en la base es convertido en el circuito dado en la
figura 15.9b por medio del teorema de Thvenin. La ecuacin de voltaje de malla de
Kirchhoff atravs de la base es:

1 1 2
CC B BE E E
1 2 1 2
R R R
V I V I R
R R R R
= + +
+ +


Sustituyendo los valores numricos, encontramos que:

2
2 2
10K 10K R
20V 0.0207 V 0.7V 1.23mA 2K
10K R 10K R

= + +
+ +


2
2 2
200 0.207 R
3.226 V
10K R 10K R

= +
+ +


Multiplicando por el denominador:

( )
2 2
200 0.207R 3.226 10 R = + +

2 2
200 0.207R 32.26 3.226R = + +
2 2
3.433R 167.74 R 48.9 K = =

S se hubiera dado el valor de R
2
, tendramos que seguir el mismo procedimiento
para obtener el valor numrico de R
1
.

Hay una gran variedad en los medios utilizados para los valores de operacin de
un transistor. El procedimiento general en el anlisis es reducir el circuito en una de las
formas que hemos considerado en este captulo.
134
Ejemplo 9

Encuentre el valor de R
B
en el circuito de la fig. 15.10a que fija el V
CE
a 5 V.

Solucin:

El circuito divisor de voltaje aislado se muestra en la figura 15.10b. El voltaje en
una terminal del divisor del voltaje (punto C) es +10 V, el voltaje en el otro extremo del
divisor (A) es - 30 V. Por lo tanto, la diferencia de potencial o voltaje atravs del divisor
(R
E
+R
E
) es:
( ) ( )
EE EE
V' V 10 30 40V = =

Figura 15.10

Luego el voltaje del punto A al punto B, V
AB
por medio de la regla del divisor de
voltaje es:
AB
4K
V 40V 16V
4K 6K

= =
+


Y el potencial del punto B con respecto a tierra es V
EE.


EE
V" ( 30 ) ( 16 ) 14V = + + =

La resistencia R del circuito equivalente del divisor de voltaje del emisor se
encuentra utilizando el teorema de Thvenin, como:

E
4K 6K
R" 2.4K
4K 6K

= =
+

135
Estos valores son colocados en el circuito equivalente, Figura 15.10c. La
ecuacin de voltajes de malla atravs del colector es:

EE E E CE
V" R" I V = +

Utilizando los valores numricos tenemos:

E
E
E
14V 2.4K I 5V
2.4K I 9V
I 3.75mA
= +
=
=


Y la corriente de base es:

E
B
I 3.75mA
I 0.046mA 46 A
1 1 80

= = = =
+ +


La ecuacin de voltajes de malla atravs de la base es:

EE E E BE B B
B
B
B
V" R" I V R I
14V 2.4K 3.75mA 0.3V R 0.046mA
0.046mA R 4.7V
4.7V
R 102K
0.046mA
= + +
= + +
=
= =

136
16. LNEAS DE CARGA DEL TRANSISTOR


En un circuito con transistor se requiere que la operacin se realice en Corriente
Directa y en Corriente alterna, cuyo comportamiento difiere de sus lneas de carga; la
operacin en Corriente Directa, fija los parmetros de tensin y corriente, sobre los que
se efectuarn las variaciones de los de Corriente alterna. Con el fin de comprender el
concepto de lnea de carga se tratarn los temas de: El concepto de lnea de carga, La
lnea de carga de corriente continua para el transistor y la lnea de carga de corriente
alterna para el transistor.


16.1 EL CONCEPTO DE LNEAS DE CARGA.

Lnea de carga es el trmino utilizado para describir en forma grfica la relacin
entre los valores de corriente y voltaje que son posibles para una componente o un
circuito particular.
La ley de Ohm fue determinada originalmente de un concepto grfico, mostrando
que la lnea de carga para una resistencia tena un comportamiento de una lnea recta.
Considere el circuito serie de dos resistencias, R1 y R2, conectadas a una fuente
de alimentacin de voltaje constante V, figura 16.1a. La grfica en la cual se muestran
las lneas de carga para las resistencias se muestran en la figura 16.1b. El ancho total
de la grfica es V volts, es el valor de voltaje de alimentacin. La lnea de carga para R2
se dibuja de A a E. Es una lnea recta porque R2 es una resistencia fija. Cuando se
aplica el voltaje total V atravs de R2, el valor de corriente es V/R2 y as, se localiza el
punto E, sobre el eje de las ordenadas; sta lnea tiene una pendiente positiva de un
valor de +I/R2.

Figura 16.1


La lnea de carga para R1 se dibuja considerando el punto B como cero y el punto
A como V volts; esto es, la escala de Voltaje se lee de B a A en vez de A a B. Cuando se
aplica el voltaje completo V atravs de R1 , el valor de la corriente es V/R1, localizando el
V
V2
V1
R2
R1
V/E2
(a (b
V
E
V/E1
D
Q
A B
C
F
G H
J
I
137
punto D. En trminos de los ejes coordenadas que tienen el cero en el punto A, sta
lnea tiene una pendiente negativa de valor -I/R1. La pendiente negativa no implica una
resistencia negativa, debido a que es una representacin geomtrica al considerar los
parmetros, no relacionados con la ley de Ohm.

La lnea de A a E representa todos los valores que toma la corriente al cruzar a
R2 cuando el voltaje atravs de R2 se varia de 0 a V. De manera similar, la lnea de B a
D representa todos los valores de corriente que cruza a R1 cuando el voltaje atravs de
R1 al variar de 0 a V.

Considere otra vez el circuito original, ste es un circuito serie y el requerimiento
de un circuito serie es que la corriente en todas sus partes del mismo sea del mismo
valor, por la trayectoria nica de la corriente. La lnea horizontal FJ representa una
corriente de magnitud F que es comn a ambas resistencias. La cada de voltaje a
travs de R2 para sta corriente es del valor FG y atravs de R1 es JH. Se puede
observar que la suma de las magnitudes FG y JH no es igual a la magnitud de AB de un
valor de V, as que este valor de corriente F no puede ser la solucin grfica, para la
serie de las dos resistencias.

El nico valor de corriente que es la solucin para la red es el valor IQ dado por la
interseccin de las dos lneas de carga en el punto Q; este punto se llama punto Q
punto esttico o punto de operacin. En Q, el voltaje atravs de R2 es AC y el voltaje a
travs de R1 es BC. Estas dos magnitudes suman justamente el voltaje de alimentacin
V.
Al emplear este mtodo grfico, notamos que la pendiente y la direccin de
lneas de carga para R2 no cambia s la fuente de voltaje V cambia. Por otra parte, s la
fuente de voltaje cambia, la localizacin de B cambia y el valor de V/R1 cambia. La
pendiente de esta lnea de carga no cambia; es decir, permanece en el valor -I/R1. La
conclusin importante que observamos es que cualquier lnea de carga paralela a B-H-
Q-D tiene la pendiente -I/R1 y tiene el valor de resistencia R1.

La figura 16.2a muestra un diodo en serie con una resistencia de carga R1 y una fuente
de voltaje V. La caracterstica de polarizacin directa del diodo es no lineal, como se
muestra en la figura 16.2b.
Se dibuja una lnea de carga para RL en esta curva caracterstica; la intercepcin
de la lnea con eje X correspondiente a la tensin V y la intercepcion con eje Y de
corriente es VA/RL.

La intercepcin de la curva caracterstica del diodo con la lnea de carga es el
punto Q o punto de operacin del circuito.

Los puntos extremos de la lnea de carga son equivalentes a:

1. El voltaje que existe a travs de las terminales del base, s ste se comporta a
circuito abierto (equivale a desconectar una de sus terminales).
2. La corriente en el circuito s se colocamos un puente atravs de las terminales del
diodo.
138



Figura 16.2
De la ecuacin de malla del circuito del diodo, corroboremos las condiciones
descritas 1 y 2, para la corriente y tensin.

A D A L D A A L
A D A
A
D A
L
V V I R 0 V V I R
I 0 ; V V
V
V 0 ; I
R
= =
= =
= =


Ejemplo.1

Utilizando el circuito y la curva caracterstica del diodo de la figura 16.2,
determine la corriente y el voltaje del mismo para:
Caso I
A
V 4V =
Caso II
A
V 3V =
Caso III
A
V 2V =

Solucin.
Caso I Los puntos extremos de la lnea de carga son.
A
A A
L
V 4V
V 4V I 2 A
R 2
= = = =

y

Estos puntos se localizan en A y B en la Fig. 16.2b. La lnea de carga se dibuja
entre A y B. La interseccin de la lnea de carga con la caracterstica del diodo (punto
Q) da.
y
QF FQ
I 1.5 A V 1.0V = =

VA
VD
2
RL
(a (b
VF, volts
I
F
,

a
m
p
e
r
s
0
1
2
1.5
0.5
0
1 2 3 4
IFQ
VFQ VRL= IFQ RL
1 V 3 V
Lnea de carga para 4 V
de alimentacin
A
L
V 4V
I 2 A
R 2
= = =

Q2
Q1
Q
A
B
C
D
E
F
139
La cada de voltaje a travs de RL es:

L
A
R A FQ A
L
V 4V
V V V 4.o 1.0 3V I 2 A
R 2
= = = = = =

y

Caso II. Los puntos extremos de la lnea de carga son

y
A
A A
L
V 3V
V 3V I 1.5 A
R 2
= = = =

La interseccin de la lnea de carga con la caracterstica del diodo (punto Q1) da

y
1 1
FQ FQ
I 1.05 A V 0.90V = =

L 1
R A FQ
V V V 3.o 0.90 2.1V = = =

Caso III. Los puntos extremos de la lnea de carga son

y
A
A A
L
V 2V
V 2V I 1 A
R 2
= = = =

La interseccin de la lnea de carga con la caracterstica del diodo (punto Q2) da

y
2 2
FQ FQ
I 0.6 A V 0.80V = = V
L 1
R A FQ
V V V 2.o 0.80 1.2V = = =

En la grfica deber notarse que, cuando el voltaje de la fuente se incrementa de
2V a 3V y a 4V, el cambio en VFQ no es proporcional; se debe a la exponencial que
representa la curva caracterstica del diodo.

Aunque el cambio en I
FQ
es ms lineal en sta zona de la curva, tenindose los
valores aproximados de la corriente de nodo de 0.6 A a 1.05 A y a 1.5 A.


140
Problemas tema 16.1.

1. Se conectan en serie una resistencia de 30 y una de 40 con una fuente de
120 V. Empleando un mtodo grfico, determine la corriente en el circuito y la cada de
voltaje a travs de cada resistencia.


2. Se conectan en serie una resistencia de 10 y una de 3 con una fuente de
15 V. Empleando un mtodo grfico, determine la corriente en el circuito y la cada de
voltaje atravs de cada resistencia.
3. S R es de 200 , Cual es el cambio en VF y en IF s V incrementa de 8 V a 12
V?
4. S R es de 50 y V de 5 V, cual es la potencia Que se disipada en forma de
calor en el diodo?.

Datos y circuito, a emplear en los problemas 3 y 4.

Diodo: V
F
(volts) 0 0.4 0.6 0.8 1.0
I
F
(mA) 0 10 20 60 150

Circuito, figura 16.3.

Figura 16.3
VF
R
V
141
16.2 LA LNEA DE CARGA DE CC PARA EL TRANSISTOR.

La ecuacin de voltajes de malla de Kirchhoff atravs del colector para el circuito
amplificador de emisor-comn mostrado en la Figura. 16.4 es :

Vcc = IcRc +V
CE

Figura 16.4

Para un circuito particular, Vcc y Rc son cantidades fijas e Ic y V
CE
son variables
que dependen del valor de R
B
. S esta ecuacin se resuelve para Ic, tenemos

IcRc = - V
CE
+ Vcc

Dividiendo entre R
C
tenemos:

I
C
= -(1/R
C
)V
CE
+ Vcc/R
C
(16.1

Esta ecuacin tiene forma.

y = mx + b

La cual es una de las formas estndar de la ecuacin de la lnea recta. En esta
forma, b es la intercepcin con el eje Y y m es la pendiente de la lnea de carga. La
intercepcin del eje Y con la lnea de carga es Vcc/Rc y la pendiente de la lnea de
carga es (-1/R
C
). As, mostramos que la lnea de carga para un transistor es una recta
cuando se dibuja en la caracterstica del colector (Figura 16.4b).
Cuando

es cero en la ecuacin 6.1, tenemos:

0 = (-1/R
C
)V
CE
+ Vcc/R
C


Luego

V
CE
/R
C
= Vcc/R
C


o

V
CE
= Vcc (16.2
RC
+ VCC
Rb
IC
IB= 0
VCC
VCC /RC
0
(a (b
142
La ecuacin 16.2 establece que un extremo de la lnea de carga tiene las
coordenadas.

I
C
= 0 y V
CE
= Vcc

La interseccin de la lnea de carga con el eje X es Vcc.

Cuando V
CE
es cero en la ecuacin 6.1 tenemos:

I
C
= V
CC
/R
C
y V
CE
= 0 (16.3

La interseccin de la lnea de carga con el eje Y es V
CC
/R
C.


Supongamos que el transistor mostrado en el circuito de la Figura 16.4a se
puede quitar de su base. La intercepcin con el eje X es el voltaje que medimos atravs
de las terminales de la base del transistor (terminal C a terminal E). La intercepcin con
el eje Y es la corriente de cortocircuito medida en un conductor que establece un
puente de conexin de la terminal C a la terminal E.
Una fuente de seal E
S
, que tiene una resistencia R
S
, se conecta al amplificador de
emisor comn(Figura 16.5). Cuando E
S
, aumenta a partir de cero, se produce una
corriente de seal de CA en la base. En consecuencia, sta corriente en la base
produce una corriente de seal de CA en el colector. La corriente de seal de CA en R
C

produce una cada de voltaje de seal de CA que nosotros observamos en R
C
como la
seal de salida V
sal
.


Figura . 16.5

Ajustemos R
B
en el circuito de la Figura 16.5 a un valor de I
B
que localice el punto
de operacin del transistor en el punto Q en la lnea de carga, figura 16.6. La pequea
corriente de seal senoidal alimentada en la base varia la corriente de la base
senoidalmente de Q a B a Q a A y a Q. sta variacin senoidal de la corriente de la
corriente de la base se muestra en la figura.16.6 en forma diagonal, donde se grafcan
dos ciclos contra el tiempo. La variacin senoidal de la corriente de base ocasiona que
la corriente del colector vari en sentido senoidal. Se dibujan dos ciclos de la corriente
de colector correspondiente se dibuja en direccin vertical y se representan dos ciclos.

RC
- VCC
Rb
Rs
Es
C1
Vsal
C2
Tr
143

Figura 16.6.

Considere el circuito de la Figura 16.5 donde R
B
se ajusta para obtener
sucesivamente tres puntos de operacin diferentes: Q
1
, Q
2
y Q
3
. Estos puntos de
operacin se muestran en las lneas de carga de las figuras 16.6a, 16.6b y 16.6c. En
cada caso, la fuente de seal E
S
, se aumenta a partir de cero hasta que uno o ambos
lados de la seal de salida empieza a recortarse o a aplanarse. S el punto de
operacin es Q
1
(figura 16.7a) la seal de salida empieza a recortarse primero en A. A
esta condicin de recortamiento se le llama corte, puesto que la corriente del colector
en este punto es cero, su valor mnimo.

Figura 16.7
VCC /RC
IC
0
0
0
0
I
B
Q

T
i
e
m
p
o
ICQ Tiempo
ICQ
Tiempo
VCQ
Voltaje de
colector
B
Q
A
VCE VCC
0
A
B
VCE
Q1
IC
0
A
B
VCE
Q2
IC
(a (b
0
VCE
IC
Q3
A
B
(c
144
Ahora considere que el punto de operacin est localizado haca el otro extremo
de la lnea de carga, punto Q
2
en la Fig. 16.7b. Cuando E
S
, se aumenta a partir de cero,
la forma de onda de salida ahora empieza a recortarse primero en B. Este recortamiento
es causado por la saturacin. Saturacin es la condicin en la cual la corriente del
colector est en su valor mximo posible, la intercepcin del eje Y con la lnea de carga.
En la Fig. 16.7c el punto de operacin Q
3
se localiza en el centro de la lnea de
carga. Cuando E
S
aumenta a partir de cero, el recortamiento ocurre de manera
simultnea en A y en B. Ahora tenemos la condicin de la cual podemos obtener la
seal de salida mxima posible. Este punto de operacin se llama punto Q ptimo.
En la Fig. 16-8 la distancia del punto Q al origen medido a lo largo del eje X es A;
la distancia del punto Q a V
CC
medida a lo largo del eje X es B. En ste diagrama.

A < B

Por lo que, la seal de salida mxima posible es de 2A volts de pico a pico.
S el punto de operacin se localiza de tal manera que

A > B

La seal de salida mxima posible es de 2B volts de pico a pico.


Figura 16.8

Cuando el punto Q se localiza exactamente en el centro de la lnea de carga

A = B

Y la seal de salida mxima posible de pico a pico es

2A = 2B = V
CC
volts

V
sal
= V
CC
volts, de pico a pico, mxima (16.4


Este punto Q proporciona el punto de polarizacin ptimo para el circuito, puesto que el
voltaje de salida de pico a pico es el de mayor valor posible.
A B
VCe
Q IC
145
Mostramos el punto de operacin ptimo en el detalle en la Fig. 16.9, en el que
el punto Q est en el centro de la lnea de carga. Evidentemente, el valor de I
CQ
est a
la mitad entre el origen y la intercepcin de la lnea de carga y el eje I
C
.

CC CC
CQ
C C
1 V V
I
2 R 2R
= =

Para tener una sola ecuacin que cubra todos los casos posibles para una lnea
de carga, esta ecuacin se ordena para conformar una ecuacin general, la cual se
desarrolla en el tema 16.-3.

CC
CQ
C C
V
I
R R
=
+
(16.5

Figura 16.9

Ejemplo 2

El transistor utilizado en el circuito de la Fig. 16.5 tiene una de 50 y un valor de
0.7 V para V
BE
, R
C
es de 5.6 k y V
CC
es de -15 V. Determine el valor de R
B
requerido
para ajustar el circuito al punto de operacin ptimo.

Solucin
La corriente del colector I
CQ
es

mA
CC
CQ
C C
V 15
I 1.34
R R 5.6 5.6
= = =
+ +
I
La corriente de la bese es:

mA A
CQ
BQ
I
1.34
I 0.0268 26.8
50

= = = =
0
1
2
VCE
Q
IC
2 1
3
3 4
4
IC Q
VCC
VCC/RC
Tiempo
Tiempo
VCQ
146
La ecuacin de voltajes de malla de Kirchhoff atravs de la base es:

V
CC
= I
B
R
B
+ V
BE

V mA K V
B
15 0.0268 R 0.7 = +
R
B
= 534 K

El amplificador de emisor-comn mostrado en la Fig. 16.10a usa dos fuentes de
voltaje, una de 6 V para V
CC
y otra de +4 V para V
EE
. La resistencia de polarizacin se
varia sobre un amplio margen de valores y se miden los voltajes del colector a tierra y
del emisor a tierra. Los valores medidos estn representados en forma grfica en la
curva mostrada en la Figura 61.10b.
Cuando se satura el transistor, ste ya no puede proporcionar una salida de
seal til. La condicin de saturacin se localiza en el punto A.
Cuando se incrementa R
B
de tal manera que el punto Q est en el punto B, el
intervalo de voltaje de salida mximo posible a travs del transistor es la distancia B-B
1

y el intervalo de voltajes de seal posible a travs de R
C
es la distancia B-B
2
. Puesto que
B-B
1
es menor que B-B
2
, la seal de salida mxima de pico a pico sin distorsin es 2(B-
B
1
) volts.
Cuando se incrementa R
B
para fijar el punto Q en el punto C, las distancias C-C
1
y
C-C
2
son iguales. Ahora tenemos la condicin ptima cuando la seal de salida tiene el
valor mximo de pico a pico.

2(C-C
1
) = 2(C-C
2
) volts

Cuando R
B
se incrementa para fijar el punto Q en el punto D, la seal de salida
mxima de pico a pico se reduce a 2(D-D
2
) volts.
Los valores del voltaje de salida mximo de pico a pico sin distorsin se muestran en
forma grfica en funcin de R
B
en la Fig. 16.10c.



Figura 16.10a
3.9
-6 V
Rb
Es
C1
Vsal
C2
Tr
Vent
+4 V
1.0
10
147


Figura 16-10
148


Problemas tema 16.2

Circuito para los problemas del tema 16.2

Todos los transistores son de silicio y tienen una de 50. Dibuje la lnea de carga
para cada problema y marque el punto Q en dicha lnea.

1 Los valores para el circuito son: V
CC
es + 20V, R
C
es de 2k, y R
B
de 300.
Encuentre el punto de operacin y el valor mximo de V
sal
.
2 S el valor de R
B
en el problema 1 se cambia a 120 k. Encuentre el punto de
operacin y el mximo valor de V
sal
.
3 Cul es el valor de R
B
que ajusta el circulo al punto de operacin
ptimo?Cul es V
sal
?
4 S V
CC
es + 12 V y R
C
es de 500. Y el mximo valor requerido para V
sal
es de 5
V de pico-a-pico.Cul es el lmite superior y cul el inferior para los valores de R
B
que
se pueden utilizar?
RC
VCC
Rb
Rs
Es
C1
Vsal
C2
Tr
149
16.3 LA LNEA DE CARGA EN CA DEL TRANSISTOR


En el circuito mostrado en la Figura 6-10, hay una segunda resistencia R
L
en el
circuito del colector que esta acoplada al mismo por medio del capacitor C
2
. La
reactancia del capacitor es pequea de tal manera que su efecto puede despreciarse
an a la frecuencia menor que ser procesada por el circuito. Esta condicin se cumple
cuando

X
C2
1/10 R
L

Luego, en cuanto a la seal de CA concierne, la carga de CA R
CA
en el colector
es R
C
en paralelo con R
L
:

C L
ca
C L
R R
R
R R
=
+
(16.6

Figura 16.11

Podemos dibujar una lnea de carga de CA para R
CA
en la caracterstica del
colector, utilizando un mtodo de corriente supuesta. Por ejemplo, suponga que R
CA
es
de 5k. Escogemos cualquier valor conveniente de corriente, siempre y cuando est
dentro de la escala de corriente de la caracterstica del colector. Supongamos 2mA.
Este valor de corriente se muestra en la caracterstica del colector en el punto B, de la
Figura 16.12, ahora, s tomamos el productor de IR
CA
empleando el valor numrico de
corriente que hemos supuesto, tenemos 2ma x 5 k 10 V. El valor de voltaje as
obtenido, se muestra en la caracterstica del colector como el punto A de la Fig. 16.12.
Se dibuja una lnea entre los puntos A y B. Esta lnea tiene una pendiente de (- 1/R
CA
).
Cualquier lnea paralela a la lnea entre A y B tiene la pendiente (-1/R
CA
). Por lo que
todas las lneas paralelas son lneas de carga que representan el valor particular de R
CA
.
RC
- VCC
Es
C1
Vsal
C2
Tr
RL
RS
RB
150


Figura 16-12

Ahora suponemos la lnea de carga de CD en la caracterstica del colector que
muestra todas las lneas de carga de CA (Figura 16.13). Los extremos de la lnea de CD
son V
CC
y V
CC
/R
C
. Puede haber tan slo un punto de operacin para un circuito que tiene
un valor especfico de polarizacin. Ese punto de operacin es el punto de interseccin
de la lnea de carga de CA con la lnea de carga de CC. En la Figura 16.13 mostramos
puntos Q tpicos como son Q
1
,Q
2
, Q
3
, Q
4
, Q
5
, Q
6
, Q
7
y Q
8
. El punto de operacin particular
es establecido por el valor de R
B
. Cuando R
B
se incrementa, corremos el punto de
operacin de saturacin en Q
1
a corte en Q
8
. Cualquier punto de operacin intermedio
entre Q
1
y Q
8
puede servir como el punto de operacin para un amplificador.
Figura 16.13

Sin embargo, hay un solo punto de operacin que proporciona la polarizacin
ptima. Cuando un circuito se opera con polarizacin ptima, obtenemos el mayor valor
de pico a pico sin distorsin en el voltaje de salida V
sal
del amplificador. Ahora podemos
tomar el intervalo de valores de voltaje de seal a lo largo de la lnea de carga de CA.
Por lo que la polarizacin ptima se presenta cuando en el punto Q bisecta la
lnea de carga de CA. Una inspeccin de la Figura 16-13, nos muestra que la
polarizacin ptima se presenta aproximadamente entre el punto Q
4
y Q
5
.
En la Figura 16.14, mostramos las lneas de carga de CC y de CA que
proporcionan la condicin de polarizacin ptima, la intercepcin de la lnea de carga de
CA con el eje Y debe ser 2I
CQ
puesto que el punto de operacin Q est en el centro de
la lnea de carga de CA. La mayor seal de salida sin distorsin que puede obtenerse
del circuito es el valor de pico a pico.
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
Q8
VCC
VCC
RC
IC
0
VCE
Lneas de carga de CA
Lneas de carga de CD
10 V
IC
0
VCE
2 mA
A
B
Pendiente = - 1/Rca
151
V
sal
= 2 A = 2 V
CEQ
Volts, de pico a pico, mximo


Figura 16.14

Para plantear una ecuacin para polarizacin ptima, podemos escribir

V
CC
= A + B

Aplicando la ley de Ohm al tringulo sombreado (1) de la Fig. 16.14 tenemos:

A = (2I
CQ
I
CQ
)R
ca
= I
CQ
R
ca


Y aplicando la ley de Ohm al tringulo sombreado (2), tenemos

B = I
CQ
R
C


Luego
V
CC
= A + B = I
CQ
R
ca
+ I
CQ
R
C


Resolviendo para I
CQ
, encontramos

cd
CQ
C ca
V
I
R R
=
+
(16.7
Podemos generalizar esta ecuacin utilizando la forma

cd
CQ
cd ca
V
I
R R
=
+
(16.8
Donde:
V
CD
es el voltaje total de CD aplicado al circuito del colector.
R
CD
es la resistencia total en la cual fluye la corriente de CC del circuito del
colector.
R
CA
es la resistencia de carga de CA en el circuito del colector.
VCC /RC
0
ICQ
VCEQ
A
Q
A
VCC
(1)
(2)
B
VCE
Pendiente
1
R
ca
=
Pendiente
1
R
C
=
152

Una inspeccin del circuito de la Figura 16.11 muestra que

V
cd
= V
CC

R
dc
= R
C

C L
ca
C L
R R
R
R R
=
+
(16.6

La Fig. 16-14 muestra que el voltaje de salida mximo de pico-a-pico es de 2A.
Pero la distancia A en el tringulo (1) es I
CQ
R
CA
. Por lo que el voltaje de salida mximo
posible es
V
sal
= 2V
CEQ
=

2 I
CQ
R
ca
Volts, de pico a pico, mximo (16.9

Ejemplo 3

En el circuito del ejemplo 3, considere que la resistencia de carga R
L
no est
conectada. Determine el punto de operacin y el voltaje de salida de pico a pico mximo
posible.
Circuito para los ejercicios 3 y 4


Solucin

Una anlisis del circuito nos muestra que el valor de V
cd
es

V
cd
= |V
CC
| + |V
EE
| = |-6| + |+4| = 10 V

Y el valor de R
cd
es:
R
cd
= R
C
+ R
E
= 3.9 + 1.0 = 4.9

Y el valor de R
CA
es:
R
CA
= R
C
= 3.9

3.9
-6 V
RB Es
C1
Vsal
C2
Tr
+4 V
1.0
10
RC
C3
RL
153

Aqu no se toma en cuenta el parmetro R
E
, debido a que el capacitor C
3
deriva
la corriente de CA, de la ecuacin 16.8.

I
CQ
= V
cd
/(R
cd
+ R
ca
) = 10 V/ (4.9 k + 3.9 k) = 1.14 mA

V
CQ
= I
CQ
R
ca
= 1.4 mA x 3.9 k = 4.4 V

El voltaje de salida mximo de pico a pico de la ecuacin 6.9.

V
sal,max,p-p
= 2V
CEQ
= 2I
CQ
R
ca
= 2 x 4.4 V = 8.8 V

Ejemplo 4

En el circuito, R
L
es de 5.1 k. Determine el punto de operacin y el voltaje de
salida de pico a pico mximo posible.

Solucin
Un inspeccin del circuito nos muestra que los valores V
cd
(10 V) y de R
cd
(3.9
K) permanecen sin cambio con respecto al ejemplo 3. El valor de R
ca
, la carga de CA,
es el paralelo de la resistencia de 3.9 k y la resistencia adicional de R
L
de un valor de
5.1 k, de la ecuacin 16.6.

ca
3.9 5.1
R 2.21K
3.9 5.1

= =
+


Luego de la ecuacin 16.8.

cd
CQ
cd ca
V 10
I 1.41mA
R R 4.9 2.21
= = =
+ +


Ahora
CE CQ CA
V I R 1.41 2.21 3.1V = = =

De la ecuacin 16.9, la seal de salida mxima posible sin distorsin se reduce
por la adicin de la resistencia de 5.1 k a

V
sal,max,p-p
= 2V
CE
= 2 x 3.1 V = 6.2 V

S I
CQ
es mayor que el valor del punto de operacin mximo (Figura 16-15a) el
tringulo sombreado (1) es menor que el tringulo sombreado (2). Como consecuencia,
cuando la seal de salida V
sal
se incrementa a partir de cero, vemos que la saturacin
limitar el voltaje de salida sin distorsin a

V
sal
= 2V
CEQ
Volts, de pico a pico mximo (16.10
154

(a

Figura 16.15

Por otra parte, se I
CQ
es menor que el valor del punto de operacin ptimo, figura
16.15a, s el tringulo sombreado (2) es menor que el tringulo sombreado (1).
Por lo que, cuando la seal de salida V
sal
se incrementa a partir de cero, vemos
que la corriente limitar el voltaje de salida sin distorsin a

V
sal
= 2I
CQ
R
ca
Volts, de pico a pico mximo (16.11
155
Ejemplo 5

Determine el voltaje de salida de pico a pico mximo sin distorsin, que se puede
obtener en el circuito siguiente.


Circuito para el ejemplo 5.

Solucin

Para hacer uso de la ecuacin 16.8, requerimos valores numricos para V
cd
, R
cd
y
R
ca
.

V
cd
= |+V
CC
| + |-V
EE
| = |+16| + |-6| = 16+6 = 22 V
R
cd
= R
C
+ R
E
= 6.8 + 1.5 = 8.3 k
R
ca
= R
C
+ R
E
= 6.8 + 1.5 = 8.3 k

Luego sustituyendo en la ecuacin 16.8, tenemos:

cd
CQ
cd ca
V 22
I 1.33 mA
R R 8.3 8.3
= = =
+ +


La ecuacin de voltaje de malla a Kirchhoff a travs del colector es.

|+V
CC
| + |-V
EE
| = I
C
R
C
+ V
CE
+ I
E
R
E


Suponiendo que I
C
e I
E
son iguales y sustituyendo los valores numricos,
tenemos

22 V = 1.33 mA 6.8 k + V
CE
+ 1.33 mA 1.5 k

CE
V 11 V =
RC
6.8 K
vent
C1
Vsal
C2
Tr
RB
RB
VCC
16 V
-VEE
-6 V
RE
1.5 K
156
Note que la suma de las cadas de voltaje a travs de R
C
y R
E
es el mismo valor, quela
tensin V
CE
.

I
CQ
(R
C
+ R
E
) = I
CQ
R
cd
= 1.33 mA (6.8 k + 1.5 k) = 11 V

As el voltaje mximo de pico a pico de CA a travs de ambas resistencias R
C
y
R
E
es:

2V
CE
= 2I
CQ
(R
C
+ R
E
) = 2I
CQ
R
ca
= 22 V

Sin embargo, el voltaje de salida se toma en R
C
solamente. Por lo que el voltaje
de pico a pico sin distorsin es.

V
sal
= 2I
CQ
R
C
= 2 1.33 mA 6.9 k = 18 V de pico a pico mximo

Este resultado puede determinarse utilizando la regla del divisor de voltaje. Los 22 volts
completos aparecen a travs de R
ca
(R
C
+ R
E
), pero el voltaje de salida es slo la
fraccin que aparece atravs de la carga R
C
. As que:

V
sal
= [6.8 k/(6.8 k + 1.5 k)]22 V = 18 V de pico-a-pico mximo

S este circuito no est polarizado en el punto Q ptimo, podemos modificar los
resultados finales utilizando el mtodo tomado para la Figura. 16.15,ecuacin 16.10 o
ecuacin.16.11.


Ejemplo 6

Determine el voltaje de salida de pico a pico mximo sin distorsin que se puede
obtener para el circuito.


Circuito para el ejemplo 6

RC
6.8 K
vent
C1
Vsal
C2
Tr
RB
RB
VCC
16 V
-VEE
-6 V
RE
1.5 K
R
6.8 K
157
Solucin

Los valores para V
cd
y para R
cd
son los mismos que para el ejemplo 5

V
cd
= 22 V y R
cd
= 8.3 k

La resistencia de carga de CA en el colector, R
L
es la combinacin en paralelo de
R
C
y R.

R
L
= (R
C
R
0
)/(R
C
+ R
0
) = (6.8 k 6.8 k)/(6.8 k + 6.8 k) = 3.4 k

La resistencia total de CA R
ca
es la suma de R
L
y R
E
.

R
ca
= 3.4 + 1.5 = 4.9 k

Sustituyendo en la ecuacin 16.8, tenemos:

I
CQ
= V
cd
/(R
cd
+ R
ca
) = 22 V/ (8.3 k + 4.9 k) = 1.67 mA

Y el voltaje mximo de pico a pico sin distorsin atravs de la carga es.

V
sal
= 2I
CQ
R
L
= 2 1.67 mA 3.4 k = 11.33 V de pico a pico mximo.

Podemos emplear un mtodo alternativo para obtener la solucin. La ecuacin
de voltaje de malla de Kirchhoff atravs de la resistencia de CA R
ca
es

|+V
CC
| + |-V
EE
| = I
CQ
R
C
+ V
CE
+ I
CQ
R
E

22 = 1.67 mA 6.8 K + V
CE
+ 1.67 mA 1.5 k
V
CE
= 8.17 V

As que el voltaje de CA mximo de pico a pico atravs de toda la resistencia de
CA R
ca
es

2V
CE
= 16.34 V
o
2I
CQ
R
ca
= 16.34 V .
Considerando el divisor de voltaje formado por R
L
y R
E


V
sal
= [R
L
/ (R
L
+ R
E
)]16.34 = (R
L
/R
ca
) = (3.4 k/4.9 k) 16.34 =11.33 V pico a pico mximo