UNION P-N

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redacta en un documento en MS Word explicando lo que muestra cada applet,
dos pginas por cada uno. Utiliza imgenes en tu explicacin.
ttp!""webpersonal.uma.es"#$%&SI'&(I")ocencia"&pplets"*.Union+,
-+en+equilibrio+y+polarizada"&pplet*.tml
ttp!""webpersonal.uma.es"#$%&SI'&(I")ocencia"&pplets"..'a+ley+
de+Soc/ley"&pplet..tml
ttp!""webpersonal.uma.es"#$%&SI'&(I")ocencia"&pplets"&pplet*")i
odo%onmuta&pplet.tml
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LA UNION P-N
'os dispositi2os semiconductores ms comunes dependen de las propiedades de
la unin entre materiales de tipo p y de tipo n. $sta unin p4n se produce de 3orma
Los applets son animaciones interactivas, para que puedas
visualiar estas aplicaciones es necesario tener actualiada
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ms abitual por di3usin en estado slido de un tipo de impureza de tipo p sobre
un material de tipo n. &unque tambi5n se puede obtener un diodo de unin p4n por
crecimiento de un mono cristal de silicio intr0nseco y dopndolo primero con un
material de tipo n y despu5s con uno p. $ste diodo p4n se puede encontrar de tres
maneras distintas, seg6n como se aplique el 2olta1e!
$n el equilibrio! &ntes de la unin, ambos tipos de semiconductores son neutros7
en los p los uecos son los portadores mayoritarios y en los n son los electrones.
)espu5s de la unin, los portadores de esta se di3unden a tra25s de ella. )espu5s
de algunas recombinaciones, el proceso se interrumpe, ya que los electrones que
2an al material tipo p, son repelidos por los iones negati2os7 y los uecos son
repelidos por los iones positi2os del material tipo n. 'os iones inm2iles de la unin
3orman una zona agotada de los portadores mayoritarios, llamada zona de
deplecin. )e esta 3orma no ay 3lu1o neto de corriente en condiciones de circuito
abierto.
APLI%A%ION&' PA(A )IO)O' )& UNION P-N.
)iodos recti3icadores! Uno de los usos ms importantes de estos diodos de unin
p4n es con2ertir corriente alterna en corriente continua, lo que se conoce como
recti3icacin. &l aplicar una se8al de corriente alterna a un diodo de unin p4n, este
conducir slo cuando la regin p tenga aplicado un 2olta1e positi2o con respecto a
la regin n, por lo que se produce una recti3icacin de media onda. $sta se8al se
sua2iza con otros dispositi2os y circuitos electrnicos, para dar una corriente
continua estable.
*(AN'I'*O( )& UNION +IPOLA(.
Un transistor de unin bipolar es un apilamiento de materiales semiconductores en
secuencia n4p4n4p4n4p. $n el transistor se pueden distinguir tres zonas!
&misor: emite portadores de carga, como es de tipo n, emite electrones.
+ase: controla el 3lu1o de los portadores de carga, es de tipo p. $sta se ace muy
delgada 9del orden de :;
4*
cm de espesor< y se dopa, de 3orma que solo una
peque8a 3raccin de los portadores que 2iene del emisor se combinar con los
portadores mayoritarios de la base con carga opuesta.
%olector: recoge los portadores de carga pro2enientes del emisor7 la zona del
colector es del tipo n, recoge electrones.
)IO)O )& UNI,N PN POLA(I-A)O
'a unin p4n est polarizada directamente cuando a la regin p se le aplica un
potencial mayor que a la regin n. ,ara ello, tal y como se 2e, se debe
conectar el polo positi2o de la bater0a al nodo del diodo 9zona p< y el polo
negati2o al ctodo 9zona n<.
$n estas condiciones podemos obser2ar los siguientes e3ectos!
'os uecos de la regin p y los electrones de la regin n son empu1ados
acia la unin por el campo el5ctrico $pol a que da lugar la polarizacin.
,or lo tanto, se reduce la ancura de la zona de transicin.
$l campo el5ctrico de la polarizacin $pol se opone al de la unin $u. &s0,
se reduce el campo el5ctrico de la unin y, consecuentemente, la barrera
de potencial. (ecordar que, como 2imos en el =ema ., la barrera de
potencial sin polarizacin es >?@>o. %on la polarizacin directa de la unin
p4n se reduce en la 3orma >?@>o4>, siendo > la tensin directa aplicada a
dica unin.
La le. de 'hoc/le.
Un diodo Soc/ley es un dispositi2o de dos terminales que tiene dos estados
estables! ABB o de alta impedancia y A- o ba1a impedancia. -o se debe
con3undir con el diodo de barrera Scott/y.
$st 3ormado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas
alternadamente. $s un tipo de tiristor.
'a caracter0stica >4I se muestra en la 3igura. 'a regin I es la regin de alta
impedancia 9ABB< y la III, la regin de ba1a impedancia. ,ara pasar del estado
ABB al A-, se aumenta la tensin en el diodo asta alcanzar >s, tensin de
conmutacin. 'a impedancia del diodo desciende bruscamente, aciendo que
la corriente que lo atra2iese se incremente y disminuya la tensin, asta
alcanzar un nue2o equilibrio en la regin III 9,unto C<. ,ara 2ol2er al estado
ABB, se disminuye la corriente asta I, corriente de mantenimiento. &ora el
diodo aumenta su impedancia, reduciendo, toda20a ms la corriente, mientras
aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II, asta que alcanza
el nue2o equilibrio en la regin I 9,unto &<.
%onmutaci0n del diodo
$n este applet se simula la conmutacin de un diodo, pudiendo cambiar
la tensin aplicada en sus bornas de positi2a a negati2a y 2ice2ersa.
,ara ello se dispone del esquema de un circuito con dos 3uentes de
tensin 9una positi2a y otra negati2a< y un conmutador, un circuito de
polarizacin 9que incluye una resistencia< y un diodo de unin.
$ste esquema se sit6a en la parte superior dereca del applet y se
puede conmutar entre tensiones aciendo Dclic/D con el ratn en la zona
entre las dos 3uentes de tensin. &l iniciar la aplicacin aparecer un
mensa1e y una 3leca que se8ala la mencionada zona sensible.