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Simbologia Dodos
Dodo
Rectificador
Diodo Zener
Diodo varicap Diodo tnel
Diodo Schottky
Diodo com caracterstica dependente da
temperatura
Fotododo Diodo emissor de luz (LED
Diodos !unn Diodo "#$
Diodo Varicap
Smbolo Dodo Varicap
%s diodos de &un'(o t)m uma re*i(o de deple'(o entre as camadas " e $+
,m diodo varicap - um diodo .ue tem uma capacidade vari/vel em fun'(o da tens(o
aplicada+ S(o 0asicamente diodos construdos especificamente para funcionarem como
condensadores(capacitores vari/veis cu&a capacit1ncia varia de acordo com a tens(o
aplicada+
,m diodo inversamente polarizado pode funcionar como um capacitor(condensador2
cu&a capacit1ncia varia de acordo com a tens(o aplicada+
Fotododo
Smbolo Fotodiodo
,ma &un'(o "$ pode emitir luz so0 a'(o de uma corrente el-trica (dodo LED+ E o
processo inverso tam0-m - possvel2 ou se&a2 a luz pode *erar uma corrente el-trica em
uma &un'(o "$+
Se'(o transversal de um fotodiodo comum de silcio+
3 0asicamente um diodo de &un'(o com caractersticas construtivas para direcionar a
incid)ncia de luz para a camada "+ Esta2 por sua vez2 - 0astante fina e sua espessura tem
rela'(o com o comprimento de onda da luz a detectar+
,m fotodiodo pode operar no modo fotovoltaico2 isto -2 sem nenhuma polariza'(o+
,ma vez .ue a tens(o *erada - muito 0ai4a2 - comum o uso de um amplificador
operacional+ $este circuito2 os pulsos de sada s(o invertidos em rela'(o aos pulsos de
luz na entrada+
$o modo fotocondutor2 o fotodiodo - polarizado por um potencial de uma fonte
e4terna+
%s dois circuitos (sem invers(o e com invers(o de pulso mostram a utiliza'(o com
amplificadores operacionais+
fotodiodo deve trabalhar com polarizao inversa+
Diodos schottky
Smbolo Dodo Schottky
$os dodos schottky utiliza5se em vez de material semicondutor tipo " um metal2 n(o
haver/ lacunas .ue possam armadilhar el-tr6es vindos dos outros materiais durante a
corrente direta+
Diodos de &un'(o met/lica e semicondutor n(o s(o recentes+ %s primitivos r/dios de
*alena2 do incio do s-culo 772 usavam um fio met/lico e um cristal de *alena (sulfeto
de chum0o para formar um diodo detector de radiofre.u)ncia+
Diodos de metal8semicondutor (diodos schottky2 s(o o0tidos pela deposi'(o2 por
evapora'(o ou por meios .umicos2 de uma camada met/lica so0re a superfcie de um
semicondutor+ $ormalmente h/ uma camada de 94ido na 0orda para evitar efeitos
indese&/veis do campo el-trico mais intenso nessa zona+
% principal desta.ue do diodo schottky - o menor tempo de recupera'(o2 pois n(o h/
recom0ina'(o de car*as do diodo de &un'(o+
%utra vanta*em - a maior densidade de corrente2 o .ue si*nifica uma .ueda de tens(o
direta menor .ue a do diodo comum de &un'(o+ : contrapartida - uma corrente inversa
maior2 o .ue pode impedir o uso em al*uns circuitos+
S(o usados principalmente em circuitos de alta fre.u)ncia2 de alta velocidade de
comuta'(o+
Dodos Tnel
Smbolo Diodo Tnel
S(o diodos de &un'(o "$ com elevadas concentra'6es de impurezas (dopa*em em
am0as as camadas+ $esta situa'(o2 a re*i(o de deple'(o - muito estreita2 na fai4a de
;al*umas dezenas de /tomos; de espessura+
: pro4imidade das partes ativas das camadas permite o efeito tnel+
% resultado - o comportamento de resist!ncia negativa2 isto -2 a corrente diminui com
o aumento da tens(o2 em uma parte da curva de polariza'(o direta+
: caracterstica de resist)ncia ne*ativa permite a constru'(o de osciladores simples
como o circuito da fi*ura+ : elevada dopa*em faz com .ue a maior parte dos portadores
se&am 0uracos e el-tr6es2 .ue t)m a'(o 0astante r/pida+ :ssim2 pode operar em
fre.u)ncias elevadas+
%s diodos tnel s(o pouco usados atualmente+ :s principais desvanta*ens s(o a 0ai4a
pot)ncia e o custo2 fatores com vanta*em em outras tecnolo*ias+
Diodo "unn
Smbolo Dodo "unn
% diodo !,$$ - usado como oscilador local co0rindo as fre.u)ncias de microondas de
<!hz a mais de <==!hz+
% diodo !unn tem uma caracterstica 0astante particular> - construdo apenas com
semicondutor tipo $2 ao contr/rio do par "$+ $a realidade2 - um oscilador de
microondas+
Denominado5se Diodo "unn em homena*em a ? !unn .ue2 em <@AB2 desco0riu o
efeito de produ'(o de microondas por semicondutores $+
S(o construdos com tr)s camadas+ : camada central tem um nvel de dopa*em menor+
% dispositivo e4i0e caracterstica de resist)ncia ne*ativa+ % material semicondutor pode
ser arsenieto de */lio (!a:s ou nitreto de */lio (!a$2 este ltimo para fre.u)ncias
mais elevadas+
Diodo #$%
Smbolo Dodo #$%
% nome - deve5se C e4ist)ncia de uma camada # (;intrnseca; 5 silcio sem dopa*em
entre as camadas " e $+
Duando diretamente polarizado2 0uracos e el-tr6es s(o in&etados na camada intrnseca #
e as car*as n(o se anulam de imediato2 ficam ativas por um determinado perodo+ %
efeito resulta numa car*a m-dia na camada .ue possi0ilita a condu'(o+ $a polariza'(o
nula ou inversa2 n(o h/ car*a armazenada e o diodo comporta5se como um
condensador(capacitor em paralelo com a resist)ncia pr9pria do con&unto+
Eom tens(o contnua ou de 0ai4a fre.u)ncia2 o diodo "#$ tem um comportamento
pr94imo do diodo de &un'(o "$+ Em fre.u)ncias mais altas2 de perodos inferiores ao
tempo de dura'(o das car*as2 a resist)ncia apresenta uma varia'(o caracterstica com a
corrente+ #sso d/ ao componente aplica'6es variadas em altas fre.u)ncias (atenuadores2
filtros2 limitadores+