El transistor de Unijuntura (UJT)

Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de disparo

para SCR y TR!Cs"
El UJT es un componente #ue posee tres terminales$ dos %ases y un emisor, tal como
se muestra en la siguiente figura$
Transistor de unijuntura (UJT)
En la figura se puede apreciar la constituci&n de un UJT, #ue en realidad est'
compuesto solamente por dos cristales" !l cristal ( se le contamina con una gran
cantidad de impurezas, presentando en su estructura un n)mero elevado de *uecos"
Sin em%argo, al cristal + se le dopa con muy pocas impurezas, por lo #ue e,isten muy
pocos electrones li%res en su estructura" Esto *ace #ue la resistencia entre las dos
%ases R-- sea muy alta cuando el diodo del emisor no conduce" (ara entender mejor
c&mo funciona este dispositivo, vamos a valernos del circuito e#uivalente de la figura
siguiente$
Circuito e#uivalente del UJT
R. y R/ e#uivalen a la resistencia de los tramos de cristal + comprendidos entre los
terminales de las %ases" El diodo 0 e#uivale a la uni&n formada por los cristales (1+
entre el terminal del emisor y el cristal +"
2ientras el diodo del emisor no entre en conducci&n, la resistencia entre %ases es igual
a$
Ecuaci&n R%%
Si en estas condiciones aplicamos una tensi&n de alimentaci&n 3-- entre las dos
%ases, la tensi&n #ue aparece entre el emisor y la %ase ser' la #ue corresponda en el
circuito e#uivalente a R.4 es decir, en el divisor de tensi&n se cumplir' #ue$
Ecuaci&n 3.
Si llamamos 56R.7R--, la ecuaci&n #ueda$ 3. 6 5 3--"
El t8rmino 5 representa la relaci&n intr9nseca e,istente entre las tensiones 3. y 3--"
!s9, por ejemplo, si un UJT posee una relaci&n intr9nseca caracter9stica igual a :,;< y
#ueremos determinar la tensi&n #ue aparecer' entre el terminal de emisor y la %ase . al
aplicar ./3 entre %ases, %astar' con operar de la siguiente forma$
Segunda Ecuaci&n 3.
!l valor de 3. se le conoce como tensi&n intr9nseca, y es a#u8lla #ue *ay #ue aplicar
para #ue el diodo comience a conducir" En nuestro ejemplo, si aplicamos una tensi&n de
;3 al emisor, 8ste no conducir', ya #ue en el c'todo del diodo 0 e,iste un potencial
positivo de .:,/3 correspondiente a la tensi&n intr9nseca, por lo #ue dic*o diodo
permanecer' polarizado inversamente" Sin em%argo, si aplicamos una tensi&n superior
a .:,=3 (los .:,/3 de 3. m's :,>3 de la tensi&n de %arrera del diodo 0), el diodo
comenzar' a conducir, produci8ndose el disparo o encendido del UJT" En resumen,
para conseguir #ue el UJT entre en estado de conducci&n es necesario aplicar al emisor
una tensi&n superior a la intr9nseca"
Una vez #ue conseguimos #ue el diodo conduzca, por efecto de una tensi&n de
polarizaci&n directa del emisor respecto a la %ase ., los portadores mayoritarios del
cristal ( (*uecos) inundan el tramo de cristal de tipo + comprendido entre el emisor y
dic*a %ase (recordar #ue el cristal ( est' fuertemente contaminado con impurezas y el
+ d8%ilmente)" Este efecto produce una disminuci&n repentina de la resistencia R. y,
con ella, una reducci&n de la ca9da de tensi&n en la %ase . respecto del emisor, lo #ue
*ace #ue la corriente de emisor aumente considera%lemente"
Curva caracteristica de un UJT
2ientras la corriente de emisor sea superior a la de mantenimiento (v), el diodo
permanecer' en conducci&n como si de un %iesta%le se tratase" Esta corriente se
especifica normalmente en las *ojas de caracter9sticas y suele ser del orden de <m!"
En la figura de la derec*a, se muestra el aspecto de una de las curvas caracter9sticas
de un UJT" 3p (punto ?.) nos indica la tensi&n pico #ue *ay #ue aplicar al emisor para
provocar el estado de encendido del UJT (recordar #ue 3p 6 3. @ :,>)" Una vez
superada esta tensi&n, la corriente del emisor aumenta (se *ace mayor #ue p),
provoc'ndose el desce%ado del UJT cuando la corriente de mantenimiento es inferior a
la de mantenimiento v (punto ?/)"
!plicaciones del UJT
Una de las aplicaciones del UJT m's com)n es como generador de pulsos en diente de
sierra" Estos pulsos resultan muy )tiles para controlar el disparo de la puerta de
TR!CS y SCR"
En la siguiente figura, se muestra el es#uema de uno de estos circuitos"
Aenerados de pulso en diente de sierra mediante UJT
Su funcionamiento es como sigue$ !l aplicar una tensi&n 3CC al circuito serie R1C,
formado por la resistencia varia%le RS y el condensador CS, dic*o condensador
comienza a cargarse" Como este condensador est' conectado al emisor, cuando se
supere la tensi&n intr9nseca, el UJT entrar' en conducci&n" 0e%ido a #ue el valor
&*mico de la resistencia R. es muy pe#ueBo, el condensador se descargar'
r'pidamente, y en el terminal de -. aparecer' un impulso de tensi&n" !l disminuir la
corriente de descarga del condensador, so%re el emisor del UJT, por de%ajo de la de
mantenimiento, 8ste se desce%a y comienza otro nuevo ciclo de carga y descarga del
condensador" !s9, se consigue #ue en el terminal de la %ase . aparezca una seBal
pulsante en forma de diente de sierra, #ue puede utilizarse para controlar los tiempos de
disparo de un SCR o de un TR!C" (ara regular el tiempo de disparo es suficiente con
modificar el valor &*mico de la resistencia varia%le RS, ya #ue de 8sta depende la
constante de tiempo de carga del condensador"
Control de velocidad de un monitor mediante SCR y UJT
En la siguiente figura, se muestra una t9pica aplicaci&n del generador de pulsos de
diente de sierra con UJT para controlar el disparo de un SCR" 2ediante este circuito
controlamos la velocidad de un motor serie (o de cual#uier otro tipo de carga$ estufas,
l'mparas, etc) gracias a la regulaci&n de la corriente #ue realiza so%re medio ciclo del
SCR" (ara controlar la velocidad del motor, %asta con modificar la frecuencia de los
pulsos en dientes de sierra, lo cual se consigue variando el valor del potenci&metro RS"
El 2CSDET
ntroducci&n al 2CSDET
Eos 2CSDET, o simplemente 2CS (2etal1C,ide Semiconductor, Dield Effect Transistor)
son muy parecidos a los JDET" Ea diferencia entre estos estri%a en #ue, en los 2CS, la
puerta est' aislada del canal, consigui8ndose de esta forma #ue la corriente de dic*o
terminal sea muy pe#ueBa, pr'cticamente desprecia%le" 0e%ido a este *ec*o, la
resistencia de entrada de este tipo de transistores es elevad9sima, del orden de .:":::
2F , lo #ue les convierte en componentes ideales para amplificar seBales muy d8%iles"
E,isten dos tipos de 2CSDET en funci&n de su estructura interna$ los de
empo%recimiento y los de enri#uecimiento" Eos primeros tienen un gran campo de
aplicaci&n como amplificadores de seBales d8%iles en altas frecuencias o radio1
frecuencia (RD), de%ido a su %aja capacidad de entrada" Eos segundos tienen una
mayor aplicaci&n en circuitos digitales y so%re todo en la construcci&n de circuitos
integrados, de%ido a su pe#ueBo consumo y al reducido espacio #ue ocupan"
2CSDET de empo%recimiento
(ara #ue un transistor de efecto de campo funcione no es necesario suministrar
corriente al terminal de puerta o graduador" Teniendo en cuenta esto, se puede aislar
totalmente la estructura de la puerta de la del canal" Con esta disposici&n se consigue
eliminar pr'cticamente la corriente de fuga #ue aparec9a en dic*o terminal en los
transistores JDET" En la siguiente figura se puede apreciar la estructura de un 2CSDET
de canal +"
2CSDET de tipo de empo%recimiento
Este componente, puede funcionar tanto en la forma de empo%recimiento como de
enri#uecimiento, como puede o%servarse en la siguiente figura$
S9m%olos del 2CSDET
Ea forma de tra%ajo de empo%recimiento se e,plica de%ido a #ue los electrones de la
fuente pueden circular desde el surtidor *acia el drenador a trav8s del canal estrec*o de
material semiconductor tipo +" Cuanto mayor sea la diferencia de potencial 300
aplicada por la fuente, mayor ser' esta corriente" Como ocurr9a con el JDET, la tensi&n
negativa, aplicada a la puerta, produce un estrec*amiento en el canal, de%ido al
empo%recimiento de portadores, lo #ue *ace #ue se reduzca la corriente de drenador"
!#u9 se aprecia claramente #ue, el fen&meno de control se realiza a trav8s del efecto
del campo el8ctrico generado por la tensi&n 3AA de la puerta"
0e%ido a #ue la puerta est' aislada del canal, se puede aplicar una tensi&n positiva de
polarizaci&n al mismo" 0e esta manera, se consigue *acer tra%ajar al 2CSDET en
enri#uecimiento" Efectivamente, la tensi&n positiva del graduador provoca un aumento o
enri#uecimiento de electrones li%res o portadores en el canal, de tal forma #ue, al
aumentar la tensi&n positiva 3AA, aumenta tam%i8n la corriente de drenador"
Curvas caracter9sticas
En la siguiente figura, a%ajo a la iz#uierda, se muestra el ejemplo de una familia de
curvas de drenador de un 2CSDET de empo%recimiento de canal +"
Curvas de drenador de un 2CSDET
C%s8rvese c&mo en esta curva aparecen tanto tensiones negativas de 3AS (tra%ajo en
modo de empo%recimiento), como positivas (tra%ajo en modo de enri#uecimiento)" Ea
corriente m's elevada se consigue con la tensi&n m's positiva de 3AS y el corte se
consigue con tensi&n negativa de 3AS(apag)"
0e esta familia de curvas se puede o%tener la curva de transconductancia, #ue nos
indica la relaci&n #ue e,iste entre 3AS e 0" Gsta posee la forma #ue se muestra en la
siguiente curva a%ajo a la derec*a$
Curva de transconductancia de un 2CSDET
C%s8rvese c&mo esta curva aparece di%ujada en los dos cuadrantes del eje de
tensiones" Esto es de%ido a #ue el 2CSDET puede operar tanto con tensiones positivas
como negativas" (or esta raz&n, la corriente 0SS, correspondiente a la entersecci&n de
la curva con el eje 0, ya no es la de saturaci&n"
Como ocurr9a con el JDET, esta curva de trasconductancia es para%&lica y la ecuaci&n
#ue la define es tam%i8n$
Ecuaci&n d
Seg)n se puede apreciar en la curva de transconductancia de un 2CSDET, este tipo de
transistor es muy f'cil de polarizar, ya #ue se puede escoger el punto correspondiente a
3AS6:, 060SS" Cuando 8ste #ueda polarizado as9, el transistor #ueda siempre en
conducci&n o, normalmente, encendido"
S9m%olos de los 2CSDET
En la siguiente figura, podemos ver un transistor 2CSDET de canal + (punta *acia
adentro) con cuatro terminales disponi%les" El terminal de sustrato est' li%re, en algunos
casos, para dar al transistor un mayor control so%re la corriente de drenador"
Sim%olos del 2CSDET de enri#uecimiento
Tipo de enri#uecimiento
Este tipo de 2CSDET est' diseBado de tal manera #ue s&lo adminte la forma de tra%ajo
en modo de enri#uecimiento" Ea aplicaci&n fundamental de este transistor se realiza en
circuitos digitales, microprocesadores, etc"
En las siguientes figura (a), se muestran un ejemplo de las curvas de drenador y en la
(%) las de transconductancia de este tipo de 2CSDET"
Curvas de un 2CSDET
Como se podr' o%servar en las curvas caracter9sticas, este transistor s&lo conduce
cuando son aplicadas tensiones positivas al drenador, por lo #ue normalmente estar' en
no conducci&n o apagado"
El s9m%olo #ue representa al 2CSDET de enri#uecimiento son los #ue se indican en las
siguientes figuras, siendo el (a) de enri#uecimiento y canal + y en el (%) 2CSDET de
enri#uecimiento y canal ("
Sim%olos del 2CSDET de enri#uecimiento
C%serva c&mo la l9nea del canal en estos transistores se representa como una l9nea
punteada"
(rotecci&n de los 2CSDET
Tanto los 2CSDET de empo%recimiento como los de enri#uecimiento, poseen una capa
e,tremadamente delgada de aislante #ue separa la puerta del canal" Esta capa se
destruye con suma facilidad si se aplica una tensi&n 3AS por encima de la m',ima
soporta%le" (or esta raz&n, nunca de%e operarse con una tensi&n superior a la
3AS(ma,) prescrita en las caracter9sticas del 2CSDET"
!)n as9, dic*a capa aislante es tan delicada #ue puede destruirse por otras causas,
como pueden ser las so%retensiones provocadas al insertar o retirar un 2CSDET del
circuito sin *a%er desconectado la fuente de alimentaci&n" Tam%i8n puede ocurrir, en
ciertos casos, #ue al tocar con las manos los terminales de un 2CSDET se produzca
una descarga electrost'tica entre ellos, #ue los destruya" (or esta raz&n los 2CSDET
se almacenan con un conductor #ue cortocircuita sus terminales" Este conductor se
retira una vez conectado el 2CSDET a su circuito"
Consideraciones so%re el 2CSDET
En un transistor de uni&n de efecto campo, se aplica al canal un campo el8ctrico a
trav8s de un diodo p1n" Empleando un electrodo de puerta met'lico separado del canal
semiconductor por una capa de &,ido, como se muestra en la figura, se o%tiene el
efecto de un campo %'sicamente distinto" Ea disposici&n 2etal1H,ido1Semiconductor
(2CS) permite #ue un campo %'sicamente distinto afecte al canal si se aplica una
tensi&n e,terna entre puerta y sustrato, y 8sto, tam%i8n posee un efecto negativo so%re
el comportamiento del 2CSDET"
2CSDET
En efecto, si o%servamos la figura de la derec*a, donde en azul marino se representa la
capa de 0i&,ido del Silicio y en Rojo las zonas tipo + y el canal, vemos #ue al aplicar
una tensi&n so%re la puerta se necesitar' un campo m9nimo #ue inversione el canal"
Esta tensi&n, llamada tensi&n um%ral y representada por 3TI es a#uella #ue acumula
una concentraci&n de cargas capaz de invertir el canal"
Esto da lugar a #ue los niveles entre los circuitos digitales 2CS y TTE sean
incompati%les, por#ue los 2CS no pueden tra%ajar a < 3, puesto #ue #uedar9a un
margen de ruido muy pe#ueBo para su tra%ajo"
Se puede %uscar entonces, reducir esa tensi&n um%ral para la compati%ilidad de las dos
familias de dispositivos, y se ataca este pro%lema en la fase de fa%ricaci&n del
dispositivo, teniendo en cuenta #ue la tensi&n um%ral se de%e a$
El espesor del SiC/$ ! m's espesor, menos campo aplicado"
! los espacios de registro de la puerta" El contacto de puerta, en su fa%ricaci&n, no
cu%re el .::J de la capa, por lo #ue %aja su efectividad"
(ara reducir la tensi&n um%ral del dispositivo, *emos de atacar estos dos conceptos, en
la fase de fa%ricaci&n de estos dispositivos, por ejemplo, mediante fa%ricaci&n con la
t8cnica S!TC"
!dem's, los dispositivos 2CS, presentan otro pro%lema$ las capacidades asociadas al
contacto de puerta y los contactos de drenador y surtidor por el *ec*o de estar
solapados" Esta capacidad, introduce cortes o polos a altas frecuencias" Si disminuimos
las capacidades, el transistor, podr' tra%ajar a m's altas frecuencias, so%re todo dirigido
para aplicaciones digitales y computacionales"
El JDET
3amos a tratar en este tema el transistor de efecto campo JDET, y para ello, el cap9tulo,
est' dividido en varias secciones" (uedes acceder a cada una de las secciones,
mediante el men) local #ue puedes encontrar en la parte derec*a de la p'gina"
ntroducci&n
El JDET, transistor de efecto de campo o transistor unipolar, fue inventado en .=K;, al
mismo tiempo #ue el transistor normal o %ipolar, pero no fue posi%le su implantaci&n
*asta .=>: de%ido a la alta tecnolog9a necesaria para formar sus uniones"
+o es muy com)n encontrarse en un circuito un JDET aislado, 8stos suelen aparecer,
m's %ien, insertos en circuitos integrados" Ctras veces aparecen incorporados, por
ejemplo, en las c'psulas microf&nicas, como un pe#ueBo amplificador de la seBal d8%il
#ue se produce en 8stas"
Un JDET re)ne las caracter9sticas m's interesantes de las v'lvulas electr&nicas, con las
grandes ventajas de los componentes semiconductores" Seg)n su composici&n, e,isten
dos tipos de transistores JDET, los JDET de canal + y los de canal ("
En la siguiente figura, se muestra la estructura de un transistor unipolar JDET de canal
+ con su s9m%olo correspondiente$
Transistor JDET de canal +
Este componente est' formado por una delgada capa de material semiconductor tipo +
denominado canal" ! los lados de 8sta aparecen dos regiones de material
semiconductor tipo (" En cada uno de los e,tremos del canal se sit)a un terminal" !s9,
tenemos un terminal de fuente o surtidor (del ingl8s source) y otro de sumidero o
drenador (drain)" Eas dos regiones ( se interconectan entre s9, y *acia el e,terior,
constituyendo el terminal de puerta o graduador (gate)"
Este componente funciona de la siguiente forma$ en los transistores de uni&n %ipolares,
la corriente de colector emisor se controla%a gracias a la variaci&n de la pe#ueBa
corriente #ue se aplica a la %ase, realiz'ndose la conducci&n tanto por electrones como
por *uecos" Sin em%argo, los transistores de efecto campo funcionan solamente con un
tipo de portadores de carga$ *uecos o electrones, seg)n el tipo de canal" !s9, por
ejemplo, en un JDET de canal +, lo portadores son los electrones"
Duncionamiento de un JDET de canal +
El transistor de la figura de la derec*a conduce siempre del terminal de surtidor al de
drenador (sentido electr&nico de la corriente)" El canal + posee suficientes electrones
li%re como para #ue se pueda esta%lecer un paso de corriente" Si a*ora sometemos al
terminal de puerta a una tensi&n negativa, los electrones li%res ser'n e,pulsados por
repulsi&n fuera del canal" Esto *ace #ue el canal se #uede con menos portadores de
carga y, por lo tanto, su resistencia aumente considera%lemente, lo #ue provoca una
disminuci&n de la corriente #ue atraviesa el canal del surtidor al de drenaje" En el caso
de #ue la tensi&n sea suficientemente negativa, la corriente puede dejar de fluir"
! esta forma de tra%ajo se la denomina de empo%recimiento, es decir, #ue la tensi&n de
control aplicada a la puerta empo%rece o e,trae los portadores del canal, lo #ue *ace
#ue 8ste se estrec*e al paso de la corriente"
En el JDET de canal ( de la siguiente figura, se utiliza material semiconductor ( para el
canal y + para la puerta"
C%serva, c&mo en este caso, la flec*a del canal, en el s9m%olo, apunta *acia afuera" Ea
tensi&n aplicada a la puerta se *ace a*ora positiva, consiguiendo, as9, repeler los
*uecos e,istentes en el canal ( y controlar de esta forma, la corriente del surtidor" En
cual#uiera de los dos tipos de transistores unipolares, la tensi&n de polarizaci&n del
diodo formado por la puerta y el canal se polariza inversamente" 0e esta forma evita
#ue por esta uni&n fluya corriente el8ctrica"
Todo el estudio #ue vamos a realizar a continuaci&n del JDET, lo *acemos para el de
canal tipo +"
Transistor JDET de canal (
Curvas caracter9sticas de drenador de un JDET
En las siguientes figuras, se muestra un ejemplo de la familia de curvas caracter9sticas
de surtidor com)n de un transistor JDET de canal + y el circuito correspondiente con el
#ue se *an o%tenido dic*as curvas"
Curvas de surtidor y JDET en surtidor com)n de un JDET
E,aminando estas curvas podemos o%servar #ue la corriente de drenaje ( 0 ) se *ace
m's pe#ueBa a medida #ue aumenta la tensi&n negativa aplicada entre la puerta y el
surtidor ( 3AS )"
!l igual #ue ocurr9a con los transistores %ipolares, en estas curvas se pueden apreciar
cuatro zonas de operaci&n$ regi&n de ruptura, regi&n activa, regi&n de corte y regi&n de
saturaci&n"
En la regi&n de ruptura, cuando la tensi&n drenador1surtidor ( 30S ) aumenta
e,cesivamente, el JDET entra en la regi&n de ruptura y se produce una avalanc*a #ue
puede destruir el transistor" En las curvas, tomadas como ejemplo, de la figura anterior,
es del orden de .L 3"
En la regi&n de corte, el transistor entra en corte, es decir, no conduce (se comporta
como un interruptor a%ierto)" Esto ocurre cuando la tensi&n negativa del graduador o
puerta es suficiente para estrangular totalmente el canal" En las curvas anteriores, se
o%serva #ue esta tensi&n 3AS es de 1."/ 3" ! esta tensi&n se la representa por
3AS(apag)"
En la regi&n de saturaci&n, el transistor se convierte en un %uen conductor (se comporta
como un interruptor cerrado)" Esto ocurre cuando se cortocircuitan los terminales de
puerta y fuente, y 3AS6:" (ara este valor (o%serva las curvas caracter9sticas), la
corriente se mantiene pr'cticamente constante (apro,iamdamente 06K m!) a partir del
codo de la curva (apro,imadamente 30S6M3)"
! esta corriente se la conoce por 0SS y es la m',ima #ue se puede dar en el drenador
de un JDET con la puerta en cortocircuito" Seg)n las curvas de la figura, 0SS6Km!"
Ea regi&n activa del JDET se encuentra entre las regiones de saturaci&n y ruptura"
Seg)n las curvas e,puestas, esta regi&n se encontrar' para los valores de M a .L 3 de
30S"
Corriente de fuga de graduador o compuerta"
Ea uni&n #ue se esta%lece entre los cristales del graduador y el surtidor se comporta
como si fuese un diodo de silicio polarizado inversamente, por lo #ue la corriente
inversa #ue fluye por el graduador es muy pe#ueBa, pr'cticamente desprecia%le" Gsta
es la raz&n por la #ue s&lo se tiene en cuenta una corriente, la 0"
Resistencia de entrada"
0e%ido a #ue la corriente #ue circula por el terminal graduador es pr'cticamente cero, la
resistencia o impedancia de entrada se *ace elevad9sima, del orden de miles de
Nilo*mios" (or esta raz&n, este transistor se emplea m's en a#uellos casos en #ue se
re#uiera una mayor impedancia de entrada"
Curvas de transferencia o transconductancia"
Curvas de transconductancia de un JDET
Estas curvas nos indican los valores #ue toma la intensidad de drenador (0) en funci&n
de las variaciones #ue e,perimenta la tensi&n de graduador1surtidor (3AS) para valores
de 30S constantes"
En general, la curva de transconductancia de cual#uier JDET posee la forma de una
par'%ola, tal como se muestra en la figura anterior" Esta gr'fica se corresponde con las
curvas de drenador del JDET"
Esta curva se corresponde con la siguiente ecuaci&n$
Ecuaci&n d
0e esta forma, conociendo los valores de 0SS y 3AS(apag) (datos #ue suele
proporcionar el fa%ricante en las *ojas t8cnicas) se puede determinar el valor de la
corriente 0 para cual#uier valor de la tensi&n 3AS aplicada a la puerta"
!plicaciones
nterruptor anal&gico con JDET
El JDET posee %astantes aplicaciones, como son$ interruptores anal&gicos,
multiple,ores, control autom'tico de ganancia OC!AO en receptores de radio,
amplificadores de pe#ueBa seBal en receptores de radio y T3, troceadores o c*oppers,
etc"
En la figura de la iz#uierda, se muestra un ejemplo de interruptor anal&gico con un
JDET"
Si a este circuito se le aplica una tensi&n 3AS6:, el transistor entrar' en saturaci&n y se
comportar' como un interruptor cerrado" (or otro lado, si la tensi&n aplicada es
3AS63AS(apag), el transistor se pondr' en corte y actuar' como un interruptor a%ierto"
Cuando se utiliza un JDET como interruptor, se le *ace tra%ajar )nicamente en dos
estados, corte y saturaci&n"
Da%ricaci&n
JDET de canal +"
Ea siguiente figura representa un JDET en el #ue difusi&n se realiza por una cara
solamente" Se representa en ella la secci&n del plano !!P de la vista superior de la
figura %)" El sustrato es de material tipo ( en el #ue se *a formado por crecimiento
epita,ial el canal n" Seguidamente, se difunde una puerta ( en el canal +" Ea puerta
difundida es de un material de muy %aja resistividad permitiendo #ue la regi&n de
deple,i&n se e,tienda m's en el canal tipo +"
Aeometr9a de un JDET de uni&n de canal n
JDET de canal ("
Este tipo se o%tiene a partir de la estructura de la resistencia 2CS, aBadiendo una
cone,i&n met'lica al emisor, #ue la resistencia no necesita%a para a su construcci&n"
Este contacto conductor constituye el terminal de puerta mientras #ue los otros dos
terminales act)an de fuente y drenador" El canal lo constituye la fina regi&n ( #ue forma
la resistencia" C%s8rvese #ue el DET de canal ( re#uiere dos operaciones de difusi&n (
contrariamente a lo #ue ocurre al DET de canal + de la anterior figura"
Con lo dic*o, resulta evidente #ue tal resistencia es fuertemente no lineal" Ea resistencia
es igual a la inversa de la pendiente de la curva tensi&n1corriente (d30S7d0) y por tanto
su valor depende de 30S" Si 30S aumenta *asta provocar la estricci&n de la secci&n
recta del canal y llegar a la corriente de saturaci&n, la resistencia llega a ad#uirir valores
sumamente elevados"