Transistores

El transistor como amplificador

Introduccin
La necesidad de amplificar las seales es casi una necesidad constante
en la mayora de los sistemas electrnicos. En este proceso, los
transistores desarrollan un papel fundamental, pues bajo ciertas
condiciones, pueden entregar a una determinada carga una potencia de
seal mayor de la que absorben.
El anlisis de un amplificador mediante su asimilacin a un cuadrpolo
(red de dos puertas), resulta interesante ya que permite caracterizarlo
mediante una serie de parmetros relativamente simples que nos
proporcionan informacin sobre su comportamiento.

En los amplificadores, gracias a los transistores se consigue la
intensidad de los sonidos y de las seales en general. El amplificador
posee una entrada por donde se introduce la seal dbil y otra por
donde se alimenta con C.C. La seal de salida se ve aumentada gracias
a la aportacin de esta alimentacin, siguiendo las mismas variaciones
de onda que la de entrada.
La seal de entrada, de bajo nivel, del orden de unos pocos milivotios,
la aportan dispositivos como el micrfono (transforman ondas sonoras
en seales elctricas que siguen las mismas variaciones que las
primeras), sensores trmicos, luminosos, etc.

Cuando un amplificador realiza la funcin de elevar la seal que ha
sido aplicada a su entrada, se dice que ha producido una determinada
ganancia. Se puede decir que la ganancia de un amplificador es la
relacin que existe entre el valor de la seal obtenida a la salida y el
de la entrada. Dependiendo de la magnitud elctrica que estemos
tratando, se pueden observar tres tipos de ganancia: ganancia en
tensin, ganancia en corriente y ganancia en potencia.
De esta forma podemos definir los siguienteas parmetros:
1. Ganancia de tensin (normalmente en decibelios): Av = Vo / Vi
2. Impedancia de entrada (ohmnios): Zi = Vi / Ii
3. Impedancia de salida (ohmnios): Zo = Vo / Io (para Vg = 0)
4. Ganancia de corriente (normalmente en decibelios): Ai = Io / Ii
5. Ganancia de potencia (normalmente en decibelios): Ap = Po / Pi

Un amplificador ser tanto mejor cuanto mayor sea su ganancia y
menor sea su impedancia de entrada y salida.
En cuanto a la frecuencia, los amplificadores dependen de esta, de
forma que lo que es vlido para un margen de frecuencias no tiene
porqu serlo necesariamente para otro. De todas formas, en todo
amplificador existe un margen de frecuencias en el que la ganancia
permanece prcticamente constante (banda de paso del amplificador).
El margen dinmico de un amplificador es la mayor variacin
simtrica de la seal que es capaz de presentar sin distorsin a la
salida; normalmente expresado en voltios de pico (Vp) o Voltios pico-
pico (Vpp).
Ampliacin
Para comprender el funcionamiento del transistor como amplificador,
se partir del circuito de la figura, en el que el transistor se conecta en
la configuracin denominada de emisor comn.

El generador Veb asegura que la unin base-emisor est polarizada en
sentido directo. Una batera Vc (Vc >> Vbe) proporciona la tensin de
polarizacin inversa a la unin del emisor.
El circuito de entrada, en el que se aplicar la seal que se desea
amplificar, es el que contiene a la base y el emisor. El circuito de
salida est conectado a las terminales del colector y del emisor. Rc es la
resistencia de carga del circuito de salida.
Supondremos que, cuando la tensin de entrada es nula (terminales de
entrada cortocircuitadas), las corrientes que circulan por cada terminal
son Ie, Ib e I0, con los sentidos indicados en la figura.
A continuacin, se calcularn cuales son los incrementos que se
producen en dichas intensidades si se modifica ligeramente la tensin
Web, aplicando una ddp adicional a la entrada.
En este desarrollo, se admitir que el incremento de tensin aplicado,
es lo suficientemente pequeo para que las variaciones de intensidad
que provoca estn relacionadas linealmente con l.
Asimismo, se despreciarn los efectos dinmicos producidos por la
aplicacin de una diferencia de potencial, aplicada muy lentamente.
a. Variacin de la intensidad de salida (-I0).
Como se muestra en la figura siguiente, la corriente de
salida es -I0. Dicha intensidad tiene, tres componentes: Ipb, Ibb
e Inc. Ahora bien, en un transistor polarizado en el modo
activo, la corriente Ipb es muy superior a las otras dos (unas
mil veces superior en el ejemplo anterior) por lo que, a
efectos de clculo de las variaciones en la intensidad del
colector, es admisible suponer que:

Suponiendo que la variacin de Veb, incremento de V, es
pequeo, la variacin de la corriente de salida es:

... y llamando transconductancia, gm, al factor I0/VT, resulta
que:

La transconductancia tiene las dimensiones de una
conductancia y su valor depende de la temperatura y del
punto de funcionamiento. A la temperatura ambiente, gm vale
unos 0.04 mOhmnios por mA de intensidad en el colector.
b. Variacin de la intensidad de entrada (-Ib)
La corriente de base, tiene, segn hemos expuesto, tres
componentes: Ine, Ibb e Inc. De ellas, tan slo las dos primeras
dependen directamente de la tensin Veb. Nos limitaremos,
por tanto a calcular sus variaciones.
De las ecuaciones anteriores se deduce que:

Por otra parte, el trmino exponencial puede expresarse en
funcin de la intentsidad del colector:

El incremento de la corriente de base es:

Denominando a todo el trmino entre corchetes, tendremos
que:

El parmetro o cuantifica el efecto que, sobre la corriente de
base, produce un incremento de la tensin Veb. As al
disminuir la barrera de potencial en la unin emisor-base, se
produce un aumento de huecos inyectados desde el emisor,
aumentando la concetracin de portadores minoritarios en la
base, lo que conduce a un incremento de la tasa de
recombinacin. Debido a ello, Ibb crece.
Por otra parte, la disminucin de la barrera de potencial
antes citada, supone un incremento del nmero de electrones
inyectados en el emisor desde la base, con lo que se produce
un aumento de la corriente Ine.
c. Variacin de la tensin colector-emisor (Vce).
La tensin colector-emisor es:

Por tanto, si Veb se incrementa, Vce variar como:

La expresin anterior implica que el incremento de la
tensin colector-emisor puede aumentar sin lmite, sin ms
que incrementar suficientemente la resistencia de carga R0.
Tal suposicin no es cierta cierta ya que hay que tener
presente que, en el modelo simplificado que se ha
desarrollado, no se ha tenido en cuenta el efecto de la
tensin de polarizacin inversa Vcb sobre la anchura de la
base, W. Valores muy elevados de gmRm suponen una
importante variacin de Vcb, lo que modificara notablemente
la anchura W, no siendo vlidas entonces las premisas del
modelo utilizado.
d. Ganancias de corriente y de tensin:
Supongamos que, a la entrada del circuito de la siguiente
figura, se aplica una seal alterna de pequea amplitud, y
frecuencia lo suficientemente pequea para que puedan ser
despreciados los efectos dinmicos que no han sido tenidos
en cuenta en el modelo anterior.
En estas condiciones, por el circuito de entrada circular una
corriente alterna -Ib-AIb. Es decir, sobre la corriente -Ib que
exista para un incremento de tensin 0, se superpone una
corriente alterna de amplitud incremento de la intensidad de
base.
De forma anloga, en el circuito de salida aparecer una
corriente alterna de amplitud igual al incremento de la
intensidad de colector, superpuesta a -Ic (corriente de
colector para un incremento de tensin 0).
Se define ganancia en intensidad como:

Obsrvese que, al ser no mucho menor que 1, la ganancia de
instensidad puede tomar valores muy elevados.
De forma anloga, se defina la ganancia de tensin como:

En definitiva, la seal de entrada, se ve amplificada tanto en
intensidad como en tensin.