INTRODUCCION

Un tiristor es un dispositivo semiconductor de estado slido con cuatro capas de

alternancia N y material tipo P. Actan como interruptores biestables, con
conduccin cuando su puerta recibe un disparo de corriente y continan
conduciendo mientras reciben derivacin.
Algunas fuentes definen rectificadores y tiristores controlados de silicio como
sinnimos. Otras fuentes definen tiristores como un conjunto ms amplio de
dispositivos con al menos cuatro capas alternadas de material de N y de tipo P.
Los primeros dispositivos de tiristores fueron liberados comercialmente en 1956 -
Debido a tiristores pueden controlar una cantidad relativamente grande de energa
y el voltaje con un dispositivo pequeo, encuentran amplia aplicacin en el control
de la energa elctrica, que van desde reguladores de luz y de control de velocidad
del motor elctrico a alta tensin transmisin de potencia de corriente continua.
Originalmente tiristores confiar slo en inversin de la corriente de apagarlos, lo
que dificulta la aplicacin de corriente continua; tipos de dispositivos ms recientes
se pueden activar y desactivar a travs de la seal de la puerta de control. Un
tiristor no es un control proporcional como un transistor, pero es solamente
siempre totalmente en o totalmente apagado, que los hace inadecuados para los
amplificadores analgicos.
EL DIODO
Funcin

Los diodos son dispositivos semiconductores que permiten hacer fluir la
electricidad solo en un sentido. La flecha del smbolo del diodo muestra la
direccin en la cual puede fluir la corriente. Los diodos son la versin elctrica de
la vlvula o tubo de vacio y al principio los diodos fueron llamados realmente
vlvulas.




Estructura interna del diodo



Cada de tensin en directa. Curva caracterstica

La electricidad utiliza una pequea energa para poder pasar a travs del diodo, de
forma similar a como una persona empuja una puerta venciendo un muelle. Esto
significa que hay un pequeo voltaje a travs de un diodo conduciendo, este
voltaje es llamado cada de voltaje o tensin en directa y es de unos 0,7 V para
todos los diodos normales fabricados de silicio. La cada de voltaje en directa de
un diodo es casi constante cualquiera que sea la corriente que pase a travs de el
por lo que tiene una caracterstica muy pronunciada (grafica corriente-voltaje).




Tensin inversa

Cuando una tensin o voltaje inverso es aplicado sobre un diodo ideal, este no
conduce corriente, pero todos los diodos reales presentan una fuga de corriente
muy pequea de unos pocos A (10-6 A) o menos. Esto puede ignorarse o
despreciarse en la mayora de los circuitos porque ser mucho mas pequea que
la corriente que fluye en sentido directo. Sin embargo, todos los diodos tienen un
mximo voltaje o tensin inversa (usualmente 50 V o mas) y si esta se excede el
diodo fallara y dejara pasar una gran corriente en direccin inversa, esto es
llamado ruptura.Los diodos ordinarios pueden clasificarse dentro de dos tipos:

diodos de seal los cuales dejan pasar pequeas corrientes de 100 mA o
menos, y
diodos rectificadores los cuales dejan pasar grandes corrientes
Adems hay diodos LED (light emitter diode: diodo emisor de luz) y diodos zener,
estos ltimos suelen funcionar con tensin inversa y permiten regular y estabilizar
el voltaje.

Diodos rectificadores (grandes corrientes)

Los diodos rectificadores son usados en fuentes de alimentacin para convertir la
corriente alterna (AC) a corriente continua (DC), un proceso conocido como
rectificacin. Tambin son usados en circuitos en los cuales han de pasar grandes
corrientes a travs del diodo.Todos los diodos rectificadores estn hechos de
silicio y por lo tanto tienen una cada de tensin directa de 0,7 V. La tabla muestra
la mxima corriente y el mximo voltaje inverso para algunos diodos rectificadores
populares. El 1N4001 es adecuado para circuitos con mas bajo voltaje y una
corriente inferior a 1A.








Puentes rectificadores

Hay varias maneras de conectar los diodos para construir un rectificador y
convertir la AC en DC. El puente rectificador es una de ellas y esta disponible en
encapsulados especiales que contienen los cuatro diodos requeridos. Los puentes
rectificadores se clasifican por su mxima corriente y mxima tensin inversa.








El transistor SCR


El rectificador controlado de silicio (en ingls SCR: Silicon Controlled Rectifier) es un
tipo de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con estructura PNPN o
bien NPNP. El nombre proviene de la unin de Tiratrn (tyratron) y Transistor.

Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y gate (puerta). La puerta es la encargada de
controlar el paso de corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona bsicamente como un
diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Mientras
no se aplique ninguna tensin en la puerta del SCR no se inicia la conduccin y en el
instante en que se aplique dicha tensin, el tiristor comienza a conducir. Trabajando en
corriente alterna el SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo. Trabajando en
corriente continua, se necesita un circuito de bloqueo forzado, o bien interrumpir el
circuito.
El pulso de conmutacin ha de ser de una duracin considerable, o bien, repetitivo si se est
trabajando en corriente alterna. En este ltimo caso, segn se atrase o adelante el pulso de
disparo, se controla el punto (o la fase) en el que la corriente pasa a la carga. Una vez
arrancado, podemos anular la tensin de puerta y el tiristor continuar conduciendo hasta
que la corriente de carga disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento (en la
prctica, cuando la onda
Parmetros del SCR
- VRDM: Mximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)
- VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
- IF: Mxima corriente directa permitida.
- PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo.
- VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el
cebado
- IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el SCR
- dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado.
- di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el SCR
EL TRIAC
El triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para
controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que
conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la tensin o al
disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El triac puede ser
disparado independientemente de la polarizacin de puerta, es decir, mediante
una corriente de puerta positiva o negativa.
DESCRIPCION GENERAL
Cuando el triac conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja
resistencia de una terminal a la otra, dependiendo la direccin de flujo de la
polaridad del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es mas positivo en MT2,
la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. En ambos
casos el triac se comporta como un interruptor cerrado. Cuando el triac deja de
conducir no puede fluir corriente entre las terminales principales sin importar la
polaridad del voltaje externo aplicado por tanto acta como un interruptor abierto.
Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin de tensin importante al
triac (dv/dt) an sin conduccin previa, el triac puede entrar en conduccin directa.
CONSTRUCCION BASICA, SIMBOLO, DIAGRAMA EQUIVALENTE







CARACTERISTICA TENSION CORRIENTE

Describe la caracterstica tensin corriente del Triac. Muestra la corriente a
travs del Triac como una funcin de la tensin entre los nodos MT2 y MT1.
El punto VBD ( tensin de ruptura) es el punto por el cual el dispositivo pasa de
una resistencia alta a una resistencia baja y la corriente, a travs del Triac, crece
con un pequeo cambio en la tensin entre los nodos.
El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de
la corriente de mantenimiento IH. Esto se realiza por medio de la disminucin de la
tensin de la fuente. Una vez que el Triac entra en conduccin, la compuerta no
controla mas la conduccin, por esta razn se acostumbra dar un pulso de
corriente corto y de esta manera se impide la disipacin de energa sobrante en la
compuerta.
Con respecto al tercer cuadrante, cuando la tensin en el nodo MT2 es negativa
con respecto al nodo MT1 y obtenemos la caracterstica invertida. Por esto es un
componente simtrico en cuanto a conduccin y estado de bloqueo se refiere,
pues la caracterstica en el cuadrante I de la curva es igual a la del III




PARAMETROS DEL TRIAC
VALORES MAXIMOS (2N6071A,B MOTOROLA)


DEFINICIN DE LOS PARMETROS DEL TRIAC
VDRM (Tensin de pico repetitivo en estado de bloqueo) = es el mximo
valor de tensin admitido de tensin inversa, sin que el triac se dae.
IT(RMS) ( Corriente en estado de conduccin) = en general en el grafico se
da la temperatura en funcin de la corriente.
ITSM (Corriente pico de alterna en estado de conduccin(ON)) = es la
corriente pico mxima que puede pasar a travs del triac, en estado de
conduccin. En general seta dada a 50 o 60 Hz.
I2t ( Corriente de fusin) = este parmetro da el valor relativo de la energa
necesaria para la destruccin del componente.
PGM ( Potencia pico de disipacin de compuerta) = la disipacin
instantnea mxima permitida en la compuerta.
IH ( Corriente de mantenimiento) = la corriente directa por debajo de la cual
el triac volver del estado de conduccin al estado de bloqueo.
dV/dt ( velocidad critica de crecimiento de tensin en el estado de bloqueo)
= designa el ritmo de crecimiento mximo permitido de la tensin en el
nodo antes de que el triac pase al estado de conduccin. Se da a una
temperatura de 100C y se mide en V/m s.
tON ( tiempo de encendido) = es el tiempo que comprende la permanencia
y aumento de la corriente inicial de compuerta hasta que circule la corriente
andica nominal.







EL DIAC
El DIAC (Diode Alternative Current, Figura 1) es un
dispositivo bidireccional simtrico (sin polaridad) con dos
electrodos principales: MT1 y MT2, y ninguno de control.
Es un componente electrnico que est preparado para
conducir en los dos sentidos de sus terminales, por ello se
le denomina bidireccional, siempre que se llegue a su
tensin de cebado o de disparo.
Smbolo del DIAC
ESTRUCTURA DEL DIAC



C CU UR RV VA A C CA AR RA AC CT TE ER R S ST TI IC CA A Y Y F FU UN NC CI IO ON NA AM MI IE EN NT TO O. .

En la curva caracterstica tensin-corriente se observa que:
- V(+ -) < V
b0
, el elemento se comporta como un circuito abierto.
- V(+ -) > V
b0
, el elemento se comporta como un cortocircuito.
Hasta que la tensin aplicada entre sus extremos supera la tensin de disparo
V
b0
; la intensidad que circula por el componente es muy pequea. Al superar
dicha tensin la corriente aumenta bruscamente, disminuyendo como
consecuencia la tensin.
C CA AR RA AC CT TE ER R S ST TI IC CA AS S G GE EN NE ER RA AL LE ES S Y Y A AP PL LI IC CA AC CI IO ON NE ES S. .
Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la
corriente del triac, de forma que solo se aplica tensin a la carga durante una
fraccin de ciclo de la alterna. Estos sistemas se utilizan para el control de
iluminacin con intensidad variable, calefaccin elctrica con regulacin de
temperatura y algunos controles de velocidad de motores.


TIRISTOR GTO

es un dispositivo de electrnica de potencia que puede ser
encendido por un solo pulso de corriente positiva en la terminal
puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal; pero en cambio
puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el
mismo terminal. Ambos estados, tanto el estado de encendido
como el estado de apagado, son controlados por la corriente en la
puerta (G).


CARACTERISTICAS:


El disparo se realiza mediante una VGK >0

El bloqueo se realiza con una VGK < 0.

La ventaja del bloqueo por puerta es que no se precisan de los circuitos de
bloqueo forzado que requieren los SCR.

La desventaja es que la corriente de puerta tiene que ser mucho mayor por lo que
el generador debe estar mas dimensionado.

El GTO con respecto al SCR disipa menos potencia.

FUNCIONAMIENTO

Un tiristor GTO, al igual que un SCR puede activarse mediante la aplicacin de
una seal positiva de compuerta. Sin embargo, se puede desactivar mediante una
seal negativa de compuerta. Un GTO es un dispositivo de enganche y se
construir con especificaciones de corriente y voltajes similares a las de un SCR.
Un GTO se activa aplicando a su compuerta un pulso positivo corto y se desactiva
mediante un pulso negativo corto.



INTENSIDAD DE PUERTA EN EL ENCENDIDO DE UN GTO



ENCENDIDO DE UN GTO

Al igual que ocurre con un tiristor convencional, para llevar a cabo el encendido de
un GTO es necesario aplicar una determinada corriente entrante por la puerta. Sin
embargo, en el encendido de un GTO la
corriente mxima por la puerta I
GM
y la
velocidad de variacin de dicha corriente al
principio de la conduccin deben ser lo
suficientemente grandes como para asegurar
que la corriente circula por todas las islas
ctodo (figura 6.4. Si esto no fuese as y slo
algunas islas ctodo condujeran, la densidad
de corriente en estas islas sera tan elevada
que el excesivo calentamiento en zonas
localizadas podra provocar la destruccin
del dispositivo.
APAGADO




Al comenzar a circular corriente positiva por la puerta, la corriente de nodo a
ctodo se concentra en las zonas situadas entre los terminales de puerta,
aumentando la densidad de corriente en estas zonas.
De esta forma, el GTO no comienza a apagarse hasta que la corriente de nodo a
ctodo ha quedado reducida a pequeos filamentos entre los terminales de puerta.
Entonces la tensin v
AK
, hasta entonces muy pequea al estar el GTO en
funcionamiento, comienza a aumentar. Como la gran densidad de corriente que
circula por estos pequeos filamentos podra ocasionar su destruccin, se utiliza
un condensador snubber en paralelo con el GTO, que ofrece a la corriente un
camino alternativo por donde circular. As, cuando v
AK
comienza a aumentar el
condensador comienza a cargarse, por lo que parte de la corriente que circulaba
por el GTO lo hace ahora por el condensador.


El MOSFET
Los MOSFET, o simplemente MOS (Metal-Oxide Semiconductor, Field Effect
Transistor) son muy parecidos a los JFET. La diferencia entre estos estriba en
que, en los MOS, la puerta est aislada del canal, consiguindose de esta forma
que la corriente de dicho terminal sea muy pequea, prcticamente despreciable.
Debido a este hecho, la resistencia de entrada de este tipo de transistores es
elevadsima, del orden de 10.000 MW , lo que les convierte en componentes
ideales para amplificar seales muy dbiles.
Existen dos tipos de MOSFET en funcin de su estructura interna: los de
empobrecimiento y los de enriquecimiento. Los primeros tienen un gran campo de
aplicacin como amplificadores de seales dbiles en altas frecuencias o radio-
frecuencia (RF), debido a su baja capacidad de entrada.


Simbologa y estructura fsica





Curvas caractersticas
En la siguiente figura, abajo a la izquierda, se muestra el ejemplo de una familia de
curvas de drenador de un MOSFET de empobrecimiento de canal N.

Obsrvese cmo en esta curva aparecen tanto tensiones negativas de V
GS

(trabajo en modo de empobrecimiento), como positivas (trabajo en modo de
enriquecimiento). La corriente ms elevada se consigue con la tensin ms
positiva de V
GS
y el corte se consigue con tensin negativa de V
GS
(apag).
De esta familia de curvas se puede obtener la curva de transconductancia, que
nos indica la relacin que existe entre V
GS
e I
D
. sta posee la forma que se
muestra en la siguiente curva abajo a la derecha:

Obsrvese cmo esta curva aparece dibujada en los dos cuadrantes del eje de
tensiones. Esto es debido a que el MOSFET puede operar tanto con tensiones
positivas como negativas. Por esta razn, la corriente I
DSS
, correspondiente a la
enterseccin de la curva con el eje I
D
, ya no es la de saturacin.
Como ocurra con el JFET, esta curva de trasconductancia es parablica y la
ecuacin que la define es tambin:

Segn se puede apreciar en la curva de transconductancia de un MOSFET, este
tipo de transistor es muy fcil de polarizar, ya que se puede escoger el punto
correspondiente a V
GS
=0, I
D
=I
DSS
. Cuando ste queda polarizado as, el transistor
queda siempre en conduccin o, normalmente, encendido.
EL MOSFET COMO INVERSOR.
El funcionamiento del transistor MOSFET en conmutacin implica que la tensin
de entrada y salida del circuito posee una excursin de tensin, elevada (de 0 a
V
DD
) entre los niveles lgicos alto H (asociada a la tensin V
DD
) y bajo L (asociada
a la tensin 0). Para el nivel bajo, se persigue que V
GS
> V
t
y que el transistor se
encuentre trabajando en la regin hmica, con lo cual V
DS
<< 1. Mientras que para
en el nivel alto, se persigue que la tensin de salida sea elevada, y en general,
que el transistor est funcionando en la regin de corte, con V
DS
>> 1. Se puede
considerar que, el transistor MOSFET es capaz de funcionar como un interruptor.









Se denomina inversor, por que la tensin de salida, es de nivel opuesto a la
tensin de entrada. Lo nico que se requiere en los circuitos de conmutacin, es
que las tensiones de entrada y de salida se puedan reconocer fcilmente, ya sea
en nivel alto o bajo.


Transistor IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del ingls Insulated Gate Bipolar
Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como
interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia. Este dispositivo
posee la caractersticas de las seales de puerta de los transistores de efecto
campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor
bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un

Simbologa y estructura fsica

CURVA CARACTERISTICA IGBT




COMO FUNCIONA:
Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa
que no existe ningn voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al
gate, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje
VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. LA corriente ID persiste para el
tiempo tON en el que la seal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la
terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S.
LA seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate G. Este
voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15, puede
causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la
corriente de drain iD es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante).
Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el
gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en el
gate es muy baja.


CARACTERISTICAS A TENER EN CUENTA EN UN IGBT:


IDmax Limitada por efecto Latch-up.
VGSmax Limitada por el espesor del xido de silicio.
Se disea para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea
entre4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla
durante unos 5 a 10 &#956;s. y pueda actuar una proteccin electrnica cortando
desde puerta.
VDSmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como &#945; es muy baja,
ser VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200,
1.700,2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV).
La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C (con SiC se esperan
valores mayores)
Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.
La tensin VDS apenas vara con la temperatura &#8658; Se pueden conectar
en paralelo fcilmente &#8658; Se pueden conseguir grandes corrientes con
facilidad, p.ej. 1.200 o 1.600 Amperios. En la actualidad es el dispositivo mas
usado para potencias entre varios kW y unpar de MW, trabajando a frecuencias
desde 5 kHz a 40kHz.
Aplicaciones
El IGBT es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de
potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin.
Se usan en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en
maquinas elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada da y
por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: Automvil,
Tren, Metro, Autobs, Avin, Barco, Ascensor, Electrodomstico, Televisin,
Domtica, Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc.

PUT
El PUT es un semiconductor de cuatro capas (pnpn) cuyo funcionamiento es similar al del
UJT. Es un tipo de tiristor y a veces se le llama tiristor disparado por nodo debido a su
configuracin. Al igual que el UJT, se utiliza como oscilador y base de tiempos, pero es
ms flexible, ya que la compuerta se conecta a un divisor de tensin que permita variar la
frecuencia del oscilador sin modificar la constante de tiempo RC.

Simbologa

Funcionamiento
Si el PUT est polarizado directamente y aplicamos Vag= 0.7 V, entra en
conduccin. El PUT permanece encendido hasta que el voltaje andico es
insuficiente, entonces, se apaga. El apagado se debe a que la corriente andica
llega un valor ligeramente menor a la corriente de sostenimiento.
Cuando no hay corriente de compuerta el voltaje desarrollado en dicho
terminal es:
Vg = Vbb Rb1/(Rb1 + Rb2) = n Vbb
El circuito no se disparar hasta tanto el potencial en el terminal de nodo no sea
superior en el voltaje de polarizacin directa de la juntura pn entre nodo y
compuerta y el voltaje de compuerta. Por lo tanto:
Vak = Vp = Vd + Vg = .7 + n Vbb
Curva caracterstica.
Si VA < VGA diodo A-GA se polariza inversamente solo circula corriente de fugas.
Si VA > VGA diodo A-GA conduce y tiene una caracterstica similar a la del UJT.

La variacin de IP e IV dependen de R1 y R2 en el divisor de tensin VGA, es decir de
RG.

Mientras la tensin Vak no alcance el valor Vp, el PUT estar abierto, por lo cual
los niveles de corriente sern muy bajos. Una vez se alcance el nivel Vp, el
dispositivo entrar en conduccin presentando una baja impedancia y por lo tanto
un elevado flujo de corriente. El retiro del nivel aplicado en compuerta, no llevar
al dispositivo a su estado de bloqueo, es necesario que el nivel de voltaje Vak
caiga lo suficiente para reducir la corriente por debajo de un valor de
mantenimiento I(br).

Aplicaciones
El PUT es utilizado tambin como oscilador de relajacin. Si inicialmente el
condensador est descargado la tensin Vak ser igual a cero. A medida que
transcurre el tiempo ste adquiere carga. Cuando se alcanza el nivel Vp de
disparo, el PUT entra en conduccin y se establece una corriente Ip. Luego, Vak
tiende a cero y la corriente aumenta. A partir de este instante el condensador
empieza a descargarse y la tensin Vgk cae prcticamente a cero. Cuando la
tensin en bornes del condensador sea prcticamente cero, el dispositivo se abre
y se regresa a las condiciones inciales. En la figura 3 puede observarse la
configuracin circuital para el oscilador.
Ejemplo
Se tiene un oscilador de relajacin que trabaja con un PUT, el cual presenta las
siguientes caractersticas:
Ip = 100 A, Iv = 5.5 mA y Vv = 1 v.
Si el voltaje de polarizacin es de 12 v y la red externa es la siguiente: Rb1 = 10
kW, Rb2 = 5 kW, R = 20 kW, C = 1 F y Rk = 100 kW, calcular Vp, Rmx, Rmn y
el perodo de oscilacin.
-Clculo de Vp
Vp = Vd + n Vbb, n = Rb1/(Rb1 + Rb2) = 10/15 = .66
Vp = .7 + .66 12 = 8.7 v
-Clculo de Rmx y Rmn
Puesto que el PUT es tambin un dispositivo de resistencia negativa, tiene que
cumplir con la condicin impuesta de que la recta de carga de trabajo, corte a la
curva caracterstica tensin-corriente precisamente en la regin que presenta
resistencia negativa. Si esto no ocurre, el dispositivo puede permanecer o en
bloqueo o en saturacin. Para garantizar que efectivamente se trabaje en la regin
adecuada , debe escogerse al igual que en el caso del UJT, el valor de resistencia
comprendido entre unos valores lmites dados
por Rmx y Rmn.
Rmx = (Vbb - Vp)/Ip = 3.3/100 = 33 kW


Rmn = (Vbb - Vv)/Iv = 11/5.5 = 2 kW


Ahora, debe cumplirse con la condicin:

Rmn R Rmx , 2 kW R 33 kW

Como puede observarse el valor tomado para R est entre los lmites
establecidos ya que tiene un valor de 20 kW.
-Clculo de T
T = RC ln(1 + Rb1/Rb2)
T = 20 kW 1 F ln(1 + 2) = 24 ms
EL CONMUTADOR UNILATERAL DE SILICIO (SUS).
1.4.1 Definicin.
Utilizado principalmente para el disparo de tiristores, es un conmutador unilateral de silicio,
silicon unilateral switch que est compuesto por un tiristor miniatura, con puerta de
nodo, al que asocia, entre puerta y ctodo un diodo de avalancha de poca tensin.
Comparado con un UJT, el SUS se dispara a una tensin fija, determinada por su diodo de
avalancha, y su corriente Is resulta mayor, y muy cercana a Ih. Estos datos limitan la
frecuencia (tanto alta como baja) de trabajo del elemento.
La sincronizacin se asegura mediante los impulsos aplicados a la puerta del SUS.
1.4.2 Smbolo elctrico.

1.4.3 Circuito equivalente.
Combinacin de un tiristor con puerta andica y un diodo Zener entre puerta y ctodo.

1.4.4 Estructura interna.
Su estructura bsica se forma a base de cuatro capas semiconductoras en el orden NPNP en
donde N externa corresponde al ctodo, la N interna al gate (puerta) y la P externa al nodo.
1.4.5 Curva caracterstica.
Se usa para el disparo de tiristores. Su principal parmetro es VS 6 y 10 V.
Se dispara a una tensin fija, V zener, y su corriente IS est muy cercana a IH .
Sincronizacin mediante impulsos en la puerta del SUS.


1.4.6 Aplicaciones.
Se usa para el disparo de tiristores. Su principal parmetro es VS 6 y 10 V.
TRANSISTOR UNIUNION (UJT).
1.5.1 Definicin.
Muy importante el transistor UJT no es un FET.
Dispositivo semiconductor de disparo formado por una resistencia de silicio de 4 a 9 K
tipo N (resistencia negativa) con tres terminales, base 1, base 2 y emisor tipo (unin NP),
lo que determina el valor del parmetro , standoff ratio, conocido como razn de
resistencias o factor intrnseco.
El transistor (UJT) est en estado de conduccin, hasta que el emisor recibe un voltaje
positivo de determinada magnitud.
El disparo ocurre entre el Emisor y la Base 1 y el voltaje al que ocurre este disparo est
dado por la frmula:
Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x V
B2B1
.
Donde:
n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante).
V
B2B1
= Voltaje entre las dos bases.
La frmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7
dependiendo del dispositivo y la temperatura.
Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber entre E
y B1 para que el UJT se dispare = Ip.
Ejemplo sencillo:
Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.63 y 24 voltios entre B2 y B1.
Cul es el voltaje de disparo aproximado?
Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.63 x 24) = 15.8 Voltios
1.5.1.1 Regin de corte.
En esta regin nos dice que la tensin de emisor es baja de forma que la tensin intrnseca
mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se
verifica que VE<VP e IE < IP. Esta tensin de pico en el UJT viene definida por la
siguiente ecuacin.



Donde la VF vara entre 0.35 V a 0.7 V con un valor tpico de 0.5 V.
1.5.1.2 Regin de resistencia negativa.
Si la tensin de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir, VE=VP
entonces el diodo entra en conduccin e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la
resistencia R1 debido a procesos de recombinacin. Desde el emisor, se observa como el
UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia
negativa (dVE/dIE < 0). En esta regin, la corriente de emisor est comprendida entre la
corriente de pico y de valle (IP< IE< IV).
1.5.1.3 Regin de saturacin.
Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de
mantenimiento (punto de valle) y una relacin lineal de muy baja resistencia entre la
tensin y la corriente de emisor. En esta regin, la corriente de emisor es mayor que la
corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de valle, el UJT
entrara de forma natural a la regin de corte.
Nota:
Es importante hacer notar que tambin se ha construido el UJT donde la barra es de
material tipo P (muy poco). Se le conoce como el CUJT o UJT complementario. Este se
comporta de igual forma que el UJT pero con las polaridades de las tensiones al revs.
1.5.2 Smbolo elctrico.

1.5.3 Estructura interna.

1.5.4 Curva caracterstica.

1.5.5 Circuito equivalente.

1.5.6 Circuito bsico de disparo de un UJT.
Cuando se aplica el voltaje de alimentacin Vs en cd, se carga el capacitor C a travs de la
resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT est en estado abierto. La constante de
tiempo del circuito de carga es T1=RC. Cuando el voltaje del emisor VE, el mismo que el
voltaje del capacitor llega a un valor pico Vp, se activa el UJT y el capacitor se descarga a
travs de RB1 a una velocidad determinada por la constante de tiempo T2=RB1C. T2 es
mucho menor que T1. Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el
emisor deja de conducir, se desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga.
El voltaje de disparo VB1 debe disearse lo suficientemente grande como para activar el
SCR. El periodo de oscilacin, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentacin
Vs y est dado por:
T = 1/f = RC ln 1/1-n


1.5.7 Presentacin fsica.
UTJ 2N2646 ECG 6401 FIG S2


1E = 50 mA.
max = 0.54
min = 0.67
R
BB
min=4k
R
BB
max=12k
InterBase=55V
PD = 450 mV
I
EO
= 1 maxA
I
VMIN
= 8 mA


Fsicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones elctricas a sus
dos extremos (B1 y B2) y de una conexin hecha con un conductor de aluminio (E) en
alguna parte a lo largo de la barra de material N.
En el lugar de unin el aluminio crea una regin tipo P en la barra, formando as una unin
PN. Ver el siguiente grfico


1.5.8 Aplicaciones.

El transistor (UJT) se utiliza generalmente para generar seales de disparo en los SCR.
Se utiliza en circuitos de descarga en generadores de impulso, circuitos de bases de tiempos
y circuitos de control de ngulo de encendido de tiristores.
El encapsulado de este tipo de transistores son los mismos que los de unin.
En consecuencia el dispositivo es muy til en circuitos de tiempo, circuitos de disparo y
osciladores.

Transistor de unin bipolar
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN
muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de
sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene
lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja.
Simbologa del diodo y encapsulado


Diagrama de Transistor NPN
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan
generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones
de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
Estructura


Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas:
la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones
son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N
en un transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un
terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.


Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se
puede apreciar como la unin base-colector es mucho ms amplia que la base-
emisor.


Regiones operativas del transistor

- Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic =
Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del
transistor es el voltaje de alimentacin del circuito.
(como no hay corriente circulando, no hay cada de
voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se
presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
- Regin de saturacin: Un transistor est saturado
cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = corriente
mxima, (Ic = Ie = I mxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del
voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias
conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver
ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta
cuando la corriente de base es lo suficientemente
grande como para inducir una corriente de colector
veces ms grande. (recordar que Ic = * Ib)
- Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en
la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta
regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base
(Ib), de (ganacia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de
las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta regin es la
mas importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.
Configuraciones: Hay tres tipos de configuraciones tpicas en los amplificadores
con transistores, cada una de ellas con caractersticas especiales que las hacen
mejor para cierto tipo de aplicacin. y se dice que el transistor no est
conduciendo. Normalmente este caso se presenta cuando no hay corriente de
base (Ib = 0)
- Emisor comn
- Colector comn
- Base comn
Funcionamiento


Caracterstica idealizada de un transistor bipolar.
En una configuracin normal, la unin base-emisor se polariza en directa y la
unin base-colector en inversa.
1
Debido a la agitacin trmica los portadores de
carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a
la base. A su vez, prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados
por el campo elctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del
nodo compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada
en directa y la unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor
NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la unin base-
emisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo
elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los
electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base. Estos
electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta concentracin
cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al colector. Estos
electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base
est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores
mayoritarios en la base.
Optoacoplador


Opto acoplador en encapsulado DIL-8


Tipo

Semiconductor
Principio de
funcionamiento
Efecto
fotoelctrico
Un optoacoplador, tambin llamado optoaislador o aislador acoplado
pticamente, es un dispositivo de emisin y recepcin que funciona como un
interruptor activado mediante la luz emitida por un diodo LED que satura un
componente optoelectrnico, normalmente en forma de fototransistor o fototriac.
De este modo se combinan en un solo dispositivo semiconductor, un fotoemisor y
un fotorreceptor cuya conexin entre ambos es ptica. Estos elementos se
encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP. Se
suelen utilizar para aislar elctricamente a dispositivos muy sensibles.
Funcionamiento


El optoacoplador combina un LED y un fototransistor.
La figura de la izquierda muestra un optoacoplador 4N35 formado por un LED y un
fototransistor. La tensin de la fuente de la izquierda y la resistencia en serie
establecen una corriente en el LED emisor cuando se cierra el interruptor S1. Si
dicha corriente proporciona un nivel de luz adecuado, al incidir sobre el
fototransistor lo saturar, generando una corriente en R2. De este modo la tensin
de salida ser igual a cero con S1 cerrado y a V2 con S1 abierto.
Si la tensin de entrada vara, la cantidad de luz tambin lo har, lo que significa
que la tensin de salida cambia de acuerdo con la tensin de entrada. De este
modo el dispositivo puede acoplar una seal de entrada con el circuito de salida,
aunque hay que tener en cuenta que las curvas tensin/luz del LED no son
lineales, por lo que la seal puede distorsionarse. Se venden optoacopladores
especiales para este propsito, diseados de forma que tengan un rango en el que
la seal de salida sea casi idntica a la de entrada.
La ventaja fundamental de un optoacoplador es el aislamiento elctrico entre los
circuitos de entrada y salida. Mediante el optoacoplador, el nico contacto entre
ambos circuitos es un haz de luz. Esto se traduce en una resistencia de
aislamiento entre los dos circuitos del orden de miles de M. Estos aislamientos
son tiles en aplicaciones de alta tensin en las que los potenciales de los dos
circuitos pueden diferir en varios miles de voltios.
Tipos
En general, los diferentes tipos de optoacopladores se distinguen por su diferente
etapa de salida. Entre los principales caben destacar el fototransistor, ya
mencionado, el fototriac y el fototriac de paso por cero. En este ltimo, su etapa de
salida es un triac de cruce por cero, que posee un circuito interno que conmuta al
triac slo en los cruce por cero de la fuente.


Etapa de salida a fototransistor. Etapa de salida a fototriac
4N25


Caractersticas
* OPTOACOPLADOR, TRANSISTOR, 5300VRMS
* N. of Channels:1
* Isolation voltage:5300V rms
* Tipo de salida:Transistor
* Input Current:50mA
* tensin de salida:30V
* Max Output Voltage:30V
* Operating Temperature Range:-55 C a +100
CONMUTADOR BILATERAL DE SILICIO (SBS).
Definicin
Es un dispositivo bidireccional de baja potencia para aplicaciones de disparo, tiene
a dems una terminal adicional (gate o G) que permite modificar sus
caractersticas de disparo con pequeos impulsos de corriente. Su reducido costo,
alta velocidad y capacidad para disparar puertas de tiristores con altos valores de
corriente hace que este dispositivo sea muy til en muchas aplicaciones.
El SBS no es solamente una versin mejorada del diodo de cuatro capas, sino que
es fabricado como un circuito integrado construido por transistores, diodos y
resistencias.
Esto le da la ventaja de poder aparear estrechamente los componentes,
consiguiendo una asimetra en la tensin de disparo inferior a medio voltio.
Aunque funciona como un dispositivo de dos puertas, se ha incorporado un
electrodo de puerta para una mayor flexibilidad en el uso del dispositivo.
Las especificaciones del SBS son idnticas a las del SUS; no obstante, la nocin
de tensin inversa Vr pierde todo significado.
Smbolo elctrico
Dispositivo semiconductor de tres terminales (nodo 1, nodo 2 y gate) cuya
estructura se forma a base de dos SUS conectados en paralelo e invertidos.

1.3.3 Circuito equivalente.
Derivado del SUS, se compone de dos SUS idnticos en antiparalelo. Funciona en
los dos sentidos, como su nombre lo indica.









Curva caracterstica.
Caracterstica V-I de un SBS. La puerta est desconectada.

Aplicaciones.
Se aplica sobre todo en control de triacs, siendo la nica diferencia la tencin c.c.
de ataque que habr de sustituirse por una tensin alterna.

Bibliografa
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar
www.unicrom.com
www.monografias.com.mx
http://es.wikipedia.org/wiki/Wikipedia
http://es.wikipedia.org/wiki/PUT
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_IGBT
http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET