I.

UNION P- N
Con este applet ha sido desarrollado para ayudar al alumno a adquirir soltura para
dibujar el diagrama de bandas de una unin PN, lo que se hace posible al trabajar con
el programa y observar los grficos animados. Con este applet tambin se ayuda a
familiariarse con los principios subyacentes de la formacin del diagrama de bandas,
as! como con el perfil de carga y campo elctrico que se produce. . "l diagrama de
bandas de un diodo de unin PN es el bloque fundamental o el punto de partida para
los diagramas de bandas de otras estructuras de dispositivos ms complicadas como
el transistor bipolar.
"n el applet se muestra el flujo de las corrientes de difusin, las corrientes inversas de
arrastre, y la variacin del diagrama de bandas cuando cambia la polariacin. #lo se
tienen en cuenta las caracter!sticas del diodo ideal $esto es, no se consideran la
generacin o recombinacin en la ona de defle%in ni el efecto del alto nivel de
inyeccin & cuando la concentracin de portadores inyectados es comparable a la
concentracin de portadores mayoritarios por el dopaje, etc.
'a densidad de portadores minoritarios disminuye al adentrarse en la muestra,
apro%imndose al logaritmo de la misma en equilibrio cero y se mantiene constante.
"s la distancia media que viaja un minoritario antes de recombinarse con un
mayoritario, t!picamente toma valores de entre micras a mil!metros.
Explicacin
'a escala vertical del diagrama de bandas de energ!a se utilia tanto para energ!a
como para potencial y la intensidad del color del rectngulo aul en la banda de
conduccin y del rectngulo rojo en la banda de valencia es proporcional al logaritmo
de la concentracin de portadores a esa energ!a $escala vertical en el diagrama de
bandas(.
"l n)mero de puntos aules $electrones( en " $es decir, coordenada*y(, que se
originan desde el rectngulo aul en la banda de conduccin de la regin neutra, es
proporcional a ln+n$"(,. "n realidad, el n)mero deber!a ser directamente proporcional a
n$"(.
-ambin se muestra el perfil de la densidad de carga especial y el campo elctrico en
la ona de defle%in del diodo de unin*P*N bajo la polariacin aplicada.
Para aprender a utiliar el programa se empiea utiliando los controles de la parte
superior. Con ellos el usuario puede familiariarse con las cuatro componentes bsicas
de corriente, para lo cual se deben realiar las siguientes acciones.
Corriente de arrastre de electrones: sta es parte de
la corriente de saturacin inversa.
/. 0esconectar todos los recuadros e%cepto los de arrastre y electrones.
1. 2bservar los puntos aules que bajan por la barrera de potencial, son los
electrones de arrastre.
Corriente de arrastre de huecos: es la otra parte
de la corriente de saturacin inversa.
/. 3epetir lo mismo para arrastre y huecos.
1. 2bservar los puntos rojos que suben la barrera de potencial, son los huecos de
arrastre. 4ay que hacer notar que en el diagrama de bandas de energ!a, la energ!a
de los electrones aumenta conforme se sube. Pero la de los huecos lo hace al bajar
en la banda. Por consiguiente, ambas corrientes de arrastre $electrones y huecos(
fluyen en la direccin de descenso de la energ!a.
Corriente de difusin de electrones. una ve inyectados $dentro de la regin*p,
roja(, los electrones se mueven por medio de la difusin $debido al gradiente de
concentracin en la regin*p.(
/. Para difusin y electrones.
1. observar los puntos aules que se mueven horiontalmente del lado*n al lado*P ,
son los electrones inyectados.
Corriente de difusin de huecos. 0espus de la inyeccin $dentro de la regin*n
neutra, aul(, se mueven $hacia fuera de la unin( por difusin.
4aciendo clic en el botn de 56nicio7 del panel de control inferior se anula la tensin
de polariacin aplicada, es decir tenemos 8 9oltios. "n esta situacin las
magnitudes son tales que.
/. corriente de difusin de electrones : corriente de arrastre de electrones.
1. corriente de difusin de huecos : corriente de arrastre de huecos.
;. Con polariacin nula, el n)mero de electrones que se mueven desde el lado*p
hasta el lado*n es e%actamente igual al n)mero movindose en sentido opuesto
$es decir, desde el lado*n al lado*p(. "sto tambin es vlido para los huecos. Por
lo tanto la corriente total que atraviesa la unin es cero para polariacin nula
$como deber!a ser(.
<na ve analiado el completo funcionamiento del applet podemos pasar ahora
a analiar una serie de cuestiones fundamentales en las que centrar la atencin del
alumno, y se ver cmo mediante este applet, se puede derivar la relacin corriente*
tensin para un diodo de unin PN.
/. 2bservar en qu direccin apunta el campo elctrico en la regin defle%in $ona
blanca(.
1. Con polariacin nula $pinchando el botn 56nicio7(, se deber!an ver los
electrones $puntos aules( atravesando la unin. ="s la corriente de arrastre de
electrones $desde p a n( igual a la corriente de difusin de electrones $desde n a
p( > ="s cierto para los huecos tambin> #e observa cmo los electrones
arrastrados bajan la barrera de potencial, mientras que los electrones
difundidos se mueven horiontalmente. Notar el significado f!sico de
estos flujos de electrones aparentemente diferentes.
;. ?ajo polariacin inversa $tensin negativa en el lado*p respecto al lado*n que
est a masa(, cambiando el nivel de dopaje del lado*p con el control del
fondo se observa la corriente de arrastre de electrones. "%plicar cualitativamente
$basndose en la observacin del applet( por qu la corriente de arrastre
es constante, independientemente de la tensin aplicada. =@u controla la
magnitud de la corriente de arrastre de electrones>
A. ?ajo polariacin directa $lado*p ms positivo que el lado*n(, usando el botn
5Byuda7 aparecen en pantalla la definicin de los parmetros. Primero se hace
clic en el botn 56nicio7. 0espus en los botones 5Parmetros7 y 5Byuda7. "n
la pantalla principal aparecen algunas definiciones.
II. LA LEY DE SHOCKLEY
"n este applet se e%plica la ecuacin corriente*tensin de un diodo ideal PN
$tambin llamada ecuacin de #hocCley(. #e podr investigar con la ecuacin
6:6o+e%p$q9DC-(*/, al trabajar con el programa.
-odas las componentes que componen la corriente total del diodo se muestran
mediante una animacin visual interactiva. Puede verse que la corriente de arrastre
es independiente de la polariacin aplicada. Para la corriente de inyeccin con
polariacin directa se puede observar su dependencia e%ponencial con la
polariacin directa aplicada.
Conociendo la distribucin del e%ceso de portadores minoritarios en ctodo resulta
fcil conocer la corriente transportada por ellos puesto que es debida
fundamental a difusin.
0iagrama de corrientes que hay en la Eigura ;.A se puede observar que la corriente
de electrones que entra por el contacto de ctodo se usa en parte para recombinar
con los huecos inyectados en ctodo y el resto para inyectar electrones en nodo.
2bservando el diagrama se ve que entra una corriente 6 de electrones por un lado y
por el otro sale una corriente 6 debida a huecos. "sto significa que en el diodo tiene
lugar una transformacin por medio de la recombinacin, de la corriente de huecos
en corriente de electrones y viceversa. Por ello, la corriente que atraviesa el diodo
ser igual al n)mero total de portadores recombinados por unidad de tiempo en
todo el diodo puesto que cada recombinacin requiere un electrn, que entra por
ctodo y un hueco, que entra por nodo.
#in embargo en el modelo ideal la recombinacin en la ona dipolar vale cero y
resulta ms cmodo determinar la corriente del diodo sumando las corrientes de
electrones y huecos en un punto en el que ambas sean conocidas
simultneamente.
"l convenio que se ha utiliado en el programa es el siguiente.
Puntos mviles. rojo : huecos, aul : electrones.
3egiones coloreadas. rojo : tipo*p, aul : tipo*n.
p$%:8( : concentracin de huecos en e%ceso en la frontera de defle%in
n$%:8( : concentracin de electrones en e%ceso en la frontera de defle%in
'p : longitud de difusin de huecos.
'n : longitud de difusin de electrones.
6 : corriente total
6n$%( : corriente de electrones $curva aul(
6p$%( : corriente de huecos $curva roja(
Cerca de la frontera de la ona de defle%in, la concentracin de huecos
minoritarios est por encima de la concentracin en equilibrio trmico debido a
esos huecos inyectados elctricamente. "n la regin neutra hay dos procesos
activos para los huecos minoritarios inyectados. $/( difusin y $1(
recombinacin.
$/( 0ifusin. 4ay ms huecos cerca de la frontera de defle%in que en el interior de
la regin*n. Por lo tanto se produce una difusin trmica, resultando en un flujo
neto de huecos $rojo( alejndose de esa frontera.
$1( 3ecombinacin. 'a concentracin de huecos tender a recuperar su valor
en equilibrio trmico, y entonces intentar librarse del e%ceso de huecos $p$%:8((.
"ste e%ceso de huecos sufre una recombinacin con los electrones que son los
portadores mayoritarios que aniquilan los huecos y electrones formando pares
$flujo vertical de puntos rojos(. Blgunos electrones perdidos $portadores
mayoritarios( son rpidamente repuestos a travs del contacto hmico y el cable
metlico del lado ms lejano de la regin tipo*n. "ste mismo argumento se aplica a
los electrones minoritarios inyectados.
"l diagrama de en medio puede ser visto como un diagrama de bandas, pero la
banda a travs de la regin de defle%in no se muestra aqu!.
'os procesos de difusin y recombinacin conjuntamente producen un perfil
de concentracin e%ponencial para los huecos minoritarios, como puede verse
en el la segunda grfica $parte inferior derecha en rojo(. Para una determinada
polariacin directa constante, el n)mero de huecos inyectados a travs de la unin
por unidad de tiempo iguala al n)mero de huecos perdidos por recombinacin,
establecindose entonces una situacin estacionaria $es decir, constante en el
tiempo(.
'a componente de huecos de la corriente total se muestra en la curva en rojo de la
tercera figura. 0esde la iquierda a la derecha, la corriente de huecos en la regin
tipo*p es una corriente de arrastre $debida al pequeFo campo elctrico en la regin
neutra tipo*p, en rojo(, corriente de arrastre en la regin de defle%in $debida al
campo elctrico en su
6nterior(, y corriente de difusin en el lado*n $aul( debido al gradiente de
concentracin.
'a concentracin de huecos minoritarios en e%ceso llega a cero en un determinado
punto.
'os electrones $aul( son inyectados desde el lado*n $aul( al lado*p $rojo(
atravesando la unin $o regin de defle%in, gris(. #iguen el mismo proceso que
los huecos.
Cuando el applet aparece por primera ve en la pantalla, comenar
automticamente la animacin. "n el panel de control superior tenemos una serie
de botones que sirven para controlar esta animacin.
#i se quiere cambiar alg)n parmetro hay que pulsar el botn 5Parar7, de este
modo se detiene la animacin y se activan tanto los controles del panel superior
como los inferiores. "n las casillas de verificacin superiores se puede seleccionar
los diagramas que se deseen que aparecan, as! como los parmetros
caracter!sticos dentro de los mismos. <na ve realiada la seleccin hay que volver
a activar la animacin con el botn 56nicio7 para poder observar los cambios
realiados.

DIODO CONMUTA T!AN"I"TO!#
"n este applet se simula la operacin dinmica del transistor bipolar, mostrndose
en particular que los tiempos de conmutacin estn relacionados con la
carga de los minoritarios almacenada en la base y que la lenta respuesta al
apagarse se debe a la saturacin del ?G-. #e tratan los tiempos de conmutacin y
los procesos f!sicos asociados del ?G-. "sto es uno de los primeros temas de
estudio de los circuitos digitales con transistores bipolares.
0entro de los circuitos digitales con transistores bipolares, los tiempos de retardo
de puerta mejoran desde la 'gica -ransistor 3esistor $3-'(, a la 'gica de
-ransistor 0iodo $0-'(, la 'gica de -ransistor -ransistor $--'( y la 'gica de
"misor Bcoplado $"C'(. "l retardo de puerta de un moderno --' puede ser menor
de /.H ns, y para "C' menor de / ns en ##6 $"scala de 6ntegracin pequeFa( y I#6
$"scala de 6ntegracin Iedia( e incluso ms pequeFo en 9'#6 $"scala de
6ntegracin Iuy Jrande(. "C' encuentra su aplicacin en circuitos de
comunicaciones digitales y otros circuitos de alta velocidad. 'os tiempos de subida
y bajada que se ven en el applet son mucho mayores de / ns.
"n la actualidad se sigue utiliando --' aunque en muchas de sus aplicaciones ha
sido superada por CI2#. Para bajos retardos de puerta $o velocidades altas de
operacin(, es importante mantener el ?G- fuera de la saturacin. -anto --'
como "C' evitan la saturacin. 2tras tecnolog!as digitales en proceso
emergente son JaBs y ?iCI2#. "sta )ltima combina las ventajas de CI2# y de
los circuitos bipolares y proporciona los medios para realiar circuitos integrados
muy densos, de bajo consumo y de alta velocidad.
Como propsitos principales del programa se busca poder asociar los aspectos de
la conmutacin dinmica del ?G- a los procesos f!sicos del transistor, en particular,
asociar los tiempos de conmutacin a la carga en la base, y e%perimentar la lenta
respuesta del ?G- saturado.
#e emplear un circuito inversor. 'a accin de invertir se lleve a cabo por la sencilla
ecuacin.
9o : 9cc * 3c K 6c
Cuando 9i es alta, 6b es alta y entonces 6c tambin. Por consiguiente 9o es baja.
Cuando 9i es baja, 9o es alta.
"l proceso de conmutacin del ?G- depende de la condicin inicial de la carga en
la ?ase y de la seFal de tensin de entrada aplicada. #e utilian las siguientes
definiciones.
@bo : cantidad de e%ceso de carga en la base en el momento de la conmutacin
@eos : carga en la ?ase al borde de la saturacin, es decir, en la frontera entre la
regin Bctiva y la de #aturacin.
9/ : tensin de entrada m!nima.
91 : tensin de entrada m%ima.
6sat : corriente de colector en saturacin.
ts : constante de tiempo de saturacin.
b : ganancia de corriente.
Brriba a la iquierda est el circuito bsico 3-' donde la conmutacin se realia
cuando el usuario pincha en las onas de la tensin de entrada.
0ebajo del circuito hay cuatro grficas, 9i $tensin de entrada(, 6b $corriente de
base(, @b $carga del e%ceso de portadores minoritarios en la base(, e iC $corriente de
colector(.
"n la parte derecha de la pantalla aparece el perfil del e%ceso de portadores
minoritarios en la base, y en la parte inferior derecha est el esquema del dispositivo.
"n la barra superior hay dos botones, el primero para ver los parmetros del circuito
$que son variables(, y el otro para los parmetros del transistor $tambin son
modificables(.
#e representa la ventana flotante que aparece cuando se pulsa el botn
5Param circuito7. Como puede apreciarse se pueden modificar los valores
m%imo y m!nimo de la seFal de entrada. -ambin son modificables otros
parmetros ms relacionados con las caracter!sticas del propio circuito como el valor
de la alimentacin y de la resistencia de base y colector.
"n la Eigura ;./1 se aprecia la ventana de parmetros del transistor que se obtiene con
el botn 5Param ?G-7.