FOTODIODOS DE AVALANCHA O ADP

La diferencia ms importante con los fotodiodos vistos anteriormente es la presencia de un campo

elctrico muy intenso, en una capa relativamente estrecha y que est centrada en torno a la unin

, en esta zona es donde se va a producir el efecto de multiplicacin por avalancha y all es

donde se queda confinado la mayor parte del voltaje inverso aplicado.
El dispositivo queda as configurado por dos capas externas,

, entre las que aparecen

ahora dos nuevas zonas. Una primera de caractersticas casi intrnsecas o con un dopaje muy leve,
y cuyas dimensiones son superiores a las de las otras zonas, en ella el campo elctrico es muy
reducido adems en esta zona se absorben los fotones y hay un pequeo acarreo de portadores
debido al campo existente. La segunda zona es en la que aparece el campo intenso y est prxima
a la unin

, posee una resistividad muy alta, los portadores son fuertemente acelerados
por el campo que se ha creado, producindose en consecuencia la multiplicacin.

Figura . Esquema de un fotodetector ADP y campo existente en su interior
Cuando el fotodiodo se lleva a una zona de trabajo que se encuentre prximo al de la avalancha se
pueden obtener ganancias superiores a 100, lo que nos permite lograr estas ganancias es la
posibilidad de crear pares electrn-hueco, no slo por la incidencia de fotones sobre el
semiconductor, sino tambin por el choque de portadores con la malla cristalina de la zona de
deplexin. Cuando los portadores generados previamente por la radiacin luminosa alcanzan,
merced al campo elctrico aplicado, una energa suficiente, al chocar con la red cristalina pueden
llegar a ionizar los tomos de esta, entonces los electrones que se encontraban ligados a la banda
de valencia, saltan a la de conduccin con lo que se crea un nuevo par electrn-hueco. Estos
nuevos portadores vuelven a ser acelerados y, por anlogos mecanismos van repitiendo el proceso
que constituye as una verdadera avalancha.
En el proceso de avalancha, el parmetro clave en estos fotodiodos es el factor de multiplicacin
que puede estar dado en funcin de las corrientes o de los factores y . La relacin entre la
corriente que circula por los fotones y electrones

, y la corriente primaria

, que es generada
simplemente por la absorcin de fotones y que circulara antes de aparecer la fotomultiplicacin.

Que puede darse tambin en funcin del voltaje aplicado, mediante la relacin emprica:

donde es el voltaje aplicado,

el voltaje de ruptura de la unin,

la corriente total que incluye

tanto la de multiplicacin como la de oscuridad,

la suma de todas las resistencias en serie

existentes en la estructura y denominado el coeficiente de Miller (2-4).
La probabilidad de que un electrn de lugar a una colisin con ionizacin, en una distancia , es
, y la probabilidad que la consiga un hueco es , el cociente entre y , designado por k
debe de estar lo ms alejado posible de la unidad.
La situacin ms usual, bien porque el propio material as lo determina o bien por construccin del
fotodiodo, y tendrn valores diferentes. Si se designa como antes, la velocidad de ionizacin

y la constante multiplicativa puede expresarse, de manera aproximada, por:

[ ]

que para el caso de << o de que k est prxima a 0 se convierte en