Circuitos de Dispositivos Semicondutores

C
1

C
C
U
U
R
R
S
S
O
O

D
D
E
E

E
E
L
L
E
E
T
T
R
R
N
N
I
I
C
C
A
A
D
D
E
E
P
P
O
O
T
T
N
N
C
C
I
I
A
A

C
2
Captulo I - DI SPOSI TI VOS SEMI CONDUTORES ....................................................................... 4
1. O RETI FI CADOR CONTROLADO DE SI L CI O( SCR ) ........................................................... 4
1.1 - CONCEITO E FUNDAMENTOS ....................................................................................... 4
1.2 - CONSTITUIO INTERNA E SIMBOLOGIA ............................................................... 4
1.3 - CURVA CARACTERSTICA DO SCR ............................................................................ 7
1.4 - TIPOS DE SCR`s ................................................................................................................ 8
1.5 - IDENTIFICAO DOS TERMINAIS DE UM SCR ....................................................... 8
1.6 - TESTE DE UM SCR ............................................................................................................ 9
1.7 - IDENTIFICAO E PARMETROS PARA A ESCOLHA DE UM SCR .................. 9
2. O RETIFICADOR CONTROLADO DE SILCIO DE MO DUPLA O TRIAC ................. 11
2.1 - CONCEITO E FUNDAMENTOS ..................................................................................... 11
2.2 - CONSTITUIO INTERNA E SIMBOLOGIA ............................................................. 11
2.3 CURVA CARACTERSTICA DO TRIAC ...................................................................... 12
2.3 - TRIAC`s COMERCIAIS ................................................................................................... 13
2.4 - IDENTIFICAO DOS TERMINAIS DE UM TRIAC ................................................ 13
2.5 - TESTE DE UM TRIAC ...................................................................................................... 14
3. O TRANSI STOR UNI J UNO( UJ T ) ...................................................................................... 14
3.1 - CONCEITO E FUNDAMENTOS ..................................................................................... 14
3.2 - CONSTITUIO INTERNA E SIMBOLOGIA ............................................................. 14
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO ............................................................................. 15
3.4 - PARMETROS IMPORTANTES DA CURVA .............................................................. 15
3.4 IDENTIFICAO DOS TERMINAIS DO UJT ............................................................. 16
3.5 TESTE DE UM UJT ........................................................................................................... 16
4.O DI AC ( DI ODO DE CORRENTE ALTERNADA ) ................................................................. 17
4.1 CONCEITO E FUNDAMENTOS..................................................................................... 17
4.2 CONSTITUIO INTERNA E SIMBOLOGIA ............................................................ 17
4.3 CURVA CARACTERSTICA DO DIAC ........................................................................ 17
4.3 IDENTIFICAO DOS TERMINAIS DE UM DIAC .................................................... 18
4.4 TESTE DO DIAC ................................................................................................................ 18
4.5 APLICAES PARA O DIAC ......................................................................................... 18
5. O I GBT( TRANSI STOR BI POLAR DE GATI LHO I SOLADO ) .............................................. 19
5.1 CONCEITO E FUNDAMENTOS..................................................................................... 19
5.2 CONSTITUIO INTERNA E SIMBOLOGIA ............................................................ 19
5.3 - PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO ............................................................................ 20
5.3 CURVA CARACTERSTICA DO IGBT ........................................................................ 21
5.4 IGBTs COMERCIAIS ..................................................................................................... 21
5.5 PINAGEM DO IGBT .......................................................................................................... 22
C
3
5.6 VANTAGENS DO IGBT .................................................................................................... 22
Captulo II CI RCUI TOS DE DI SPARO DE TI RI STORES ....................................................... 25
1 I NTRODUO .......................................................................................................................... 25
2 DI SPARO DE TI RI STORES COM SI NAL CC NO GATI LHO .............................................. 25
3 - DI SPARO DE TI RI STORES COM SI NAL CA NO GATI LHO ............................................. 25
4 - CONTROLE DE FASE COM SCR ........................................................................................... 26
5 - CONTROLE DE FASE COM TRI AC ...................................................................................... 29
6 DI SPARO POR REDE DEFASADORA ................................................................................... 32
7 DI SPARO POR PULSOS E COMPONENTES ASSOCI ADOS .............................................. 34
8 TRANSFORMADORES DE PULSO ........................................................................................ 34
9 ACOPLADORES PTI COS OU I SOLADORES PTI COS ................................................... 35
10 CI RCUI TO DE DI SPARO PULSADO COM UJ T ................................................................. 38
11 CI RCUI TO DE DI SPARO COM TCA-785 ............................................................................ 44
12 OUTROS MTODOS DE DI SPARO DO SCR ...................................................................... 49
Captulo II I - CI RCUI TOS RETI FI CADORES ............................................................................. 51
1.RETI FI CADOR CONTROLADO MONOFSI CO DE MEI A-ONDA ...................................... 53
2.RETI FI CADOR CONTROLADO MONOFSI CO DE ONDA COMPLETA ........................... 56
3.RETI FI CADOR CONTROLADO MONOFSI CO DE ONDA COMPLETA EM PONTE ..... 57
4.RETI FI CADOR SEMI -CONTROLADO MONOFSI CO EM PONTE .................................... 59
5.RETI FI CADOR CONTROLADO TRI FSI CO DE MEI A-ONDA ........................................... 64
6. RETI FI CADOR CONTROLADO TRI FSI CO DE ONDA COMPLETA EM PONTE .......... 66
7. RETI FI CADOR SEMI -CONTROLADO TRI FSI CO EM PONTE ........................................ 67
Captulo I V ....................................................................................................................................... 68
CI RCUI TOS CONVERSORES CC-CC E COMUTAO CC ...................................................... 68
1. CI RCUI TOS CONVERSORES ................................................................................................... 68
2.CI RCUI TOS DE COMUTAO PARA SCR.............................................................................. 72
Captulo V ......................................................................................................................................... 74
CONVERSO DE FREQUNCI A ................................................................................................. 74
1.I NVERSORES ............................................................................................................................... 75
1.1 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO .............................................................................. 75
1.2 - INVERSORES TRIFSICOS............................................................................................ 77
2. CI CLOCONVERSORES.............................................................................................................. 80
2.1 -PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO .............................................................................. 81
2.2 - CICLOCONVERSOR TRIFSICO ................................................................................. 83
BI BLI OGRAFI A .............................................................................................................................. 83

C
4

Captulo I - DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES

1. O RETIFICADOR CONTROLADO DE SILCIO( SCR )

1.1 - CONCEITO E FUNDAMENTOS

CONCEITO
um dispositivo que se comporta como um diodo, porm solicita de uma
autorizao para que haja conduo.

1.2 - CONSTITUIO INTERNA E SIMBOLOGIA

- Os diodos so formados por dois pedaos de material semicondutor
( P N );

- Os transistores so formados por trs blocos de material semicondutor
( P-N-P ou N-P-N );

- O SCR apresentam uma constituio interna com quatro camadas de
material semicondutor dispostos em pilha.

P
P
N
N
G
A
K
ANODO
CATODO
GATILHO
( a )
( b )
Fig. 1.1 a) estrtura interna de um SCR
b) Smbolo do SCR
C
5
EQUIVALNCIA COM DOIS TRANSISTORES

Efetuando-se um hipottico corte inclinado nas pilhas de materiais
semicondutores que forma o SCR, teremos, como mostra a configurao acima, duas
estruturas equivalentes a dois transistores bipolares: Um PNP e outro NPN.
Percebamos que tudo se passa como se a base do transistor PNP estivesse ligada ao
coletor do NPN. Esta observao fundamental para entendermos o por qu do SCR
permanecer ligado aps a retirada do pulso em seu gatilho, explicado mais tarde.

DIRETA
INVERSA
DIRETA
+
P
P
N
N
+

+
P
P
N
N
G
+

ANODO(A)
CATODO(K)
GATILHO
A
K
G
Fig. 1.2 a) Corte inclinado em um SCR
b) Modelo de um SCR com transistores
P
N
N
C
K
E
B
P
P
N
G
A
C
E
B
PNP
NPN
G
A
K
+
-
( a )
( b )
Fig. 1.3 Equivalncia com diodos
C
6
CONDUO DE UM SCR

Observamos na figura 1.3 que mesmo quando o SCR diretamente polarizado, ele
no capaz de conduzir, mesmo com dois diodos diretamente polarizados, mas haver uma
juno inversamente polarizada localizada no meio do super sanduche, representada pelo
diodo do meio, que diodo chato no ? Logo no adianta apenas polarizar diretamente o
SCR, preciso trabalharmos com um terceiro terminal, conectado ao terceiro bloco de
material, conforme mostra a figura 1.3 acima. Sem a atuao desse terminal, o SCR no
permite a passagem da corrente eltrica, pois a polarizao dos seus diodos internos
conflitante . Vejamos ento o que acontece se aplicarmos uma polarizao positiva ao
terminal G, como mostra a figura 1.4, logo a seguir.
Ao conectarmos o terminal G ao positivo, a juno inferior do sanduche fica
polarizada no sentido de conduo, permitindo a passagem de uma pequena corrente,
chamada de corrente de gatilho, como mostra a seta tracejada menor. Esta corrente pode
adquirir nveis perigosos para o SCR, portanto usualmente utilizada uma resistncia de
gatilho para limit-la, e assim manter a integridade do dispositivo, e no danific-lo.
Ao surgir, contudo, essa pequena corrente, atravs da juno( A ), diretamente
polarizada, ocorre um interessante fenmeno, nas tripas do SCR: Essa pequena corrente
como que arrasta consigo os portadores de carga existentes na juno( B ), fazendo com
que a mesma se desinverta, para efeitos prticos, e permitindo assim a livre passagem de
intensa corrente entre o anodo e o catodo. O SCR ento entra no que chamamos de estado
de conduo, e at quando?
O SCR mesmo ao retirarmos a conexo do gatilho, aps o mesmo ter sido
polarizado, ele se mantm conduzindo, esta uma caracterstica muito importante do SCR,
e isto s possvel graas a sua configurao equivalente a dois transistores apresentada na
figura 2, vejamos: Suponha que polarizamos o SCR diretamente( terminal A positivo e
terminal K negativo ), assim que aplicarmos polarizao positiva ao terminal G, a base do
transistor NPN receber tal polarizao, fazendo com que esse transistor entre em
conduo. Ao entrar o transistor NPN em conduo, a sua resistncia interna, entre
emissor e coletor, baixa bastante, permitindo ento que a polarizao negativa atinja, com
facilidade, a base do transistor PNP. O transistor PNP, por sua vez, ao receber em sua base
essa polarizao negativa, tambm entra em plena conduo, trazendo polarizao
positiva base do transistor NPN, assim, todo o conjunto entra e permanece em conduo,
podemos ento resumir este crculo vicioso em uma pequena frase: Eu te ajudo, e voc
me ajuda... E Este processo de conduo tem fim? ...

RG
P
N
P
N
+
-
Corrente intensa
Corrente
pequena de
gatilho
A
K
A
B
Figura 1.4 Circulao de corrente em um SCR
C
7
Claro que tem, existe algumas formas de se bloquear o processo de conduo de
um SCR : Uma delas desligar a fonte do circuito e outra curto circuitar os terminais
do dispositivo, ou seja, o anodo com o catodo. Essas so algumas aes verificadas em
circuitos CC, outras tambm utilizadas so chamadas de comutao forada, onde so
elaborados circuitos para que se faa a comutao do SCR no momento desejado. Em
circuitos CA h o que chamamos de comutao natural, pois o simples fato do sinal
alternado passar por zero, desliga o SCR.

1.3 - CURVA CARACTERSTICA DO SCR

PARMETROS IMPORTANTES DA CURVA

V
BO
- Tenso de Breakover.

I
H
- ( Holding current), corrente de reteno ou de manuteno:
A corrente de manuteno o valor de corrente andica abaixo do qual o
SCR ir entrar em estado de corte.

I
L
(Latching current), corrente de engatamento ou disparo:
A corrente de disparo o menor valor de corrente andica que deve circular
no SCR, a fim de que possamos retirar o sinal do gatilho e o dispositivo permanecer
conduzindo.

V
BO
V
BO
I
mx
V
CA
I
A
I
L
I
H
Caracterstica de
bloqueio reversso
Caracterstica de
bloqueio direto
(a)
+
V1
RL

I
A
V
AC
(b)
Figura 1.5 a)Curva caracterstica do SCR
b)Circuito para obteno da curva caracterstica
C
8
1.4 - TIPOS DE SCR`s

1.5 - IDENTIFICAO DOS TERMINAIS DE UM SCR

Invlucros tpicos de SCRs de baixa potncia
Figura 1.6 - SCRs comerciais

Tipos de Tiristores - rosca

Tipos de Tiristores - disco

Mdulo de Tiristores
K
G
A
Figura 1.7 - SCR e seus terminais
G Gatilho

A Anodo

K Catodo

C
9

1.6 - TESTE DE UM SCR

Notamos que na figura 1.8a o multmetro mostra que no h conduo, mesmo com
polarizao direta A(+) e K(-), isto acontece devido a autorizao no ser solicitada atravs
do Gatilho(G).
Na figura 1.8b observa-se que o SCR permite a conduo, pois curto-circuitando os
terminais A e G com a ponteira positiva do multmetro, um pulso positivo dado no
gatilho, solicitando a autorizao, logo verificamos uma diminuio na resistncia indicada
pelo instrumento.
Na figura 1.8c, retomamos a ligao feita na figura 1.8a, porm a resistncia se
mantm baixa devido a caracterstica que o SCR apresenta de permanecer em conduo
aps o pulso de disparo, isto s possvel se sua corrente de manuteno for suficiente para
tal.
1.7 - IDENTIFICAO E PARMETROS PARA A ESCOLHA DE UM SCR
Com a folha de dados tcnicos de um SCR em mos, importante que saibamos o
significado de alguns parmetros existentes na mesma para que possamos especificar o
nosso SCR, so eles:

DADOS TCNICOS DE TENSO:

G
K
A
K
G
K
A
K
G
K
A
K Figura 1.8 Sequncia de testes do SCR

V
DRM
V
RWM
V
DWM
V
RRM
V
D
V
RSM
V
DSM
V
R
t

Figura 1.9 - Sinal da rede com os transientes
V
RSM
: Pico de tenso reversa no repetitivo(surto). Esta
capacidade quotada para transientes com o tempo de durao
t s 10ms.
V
RRM
:

Pico de tenso Reversa repetitivo. o valor de pico dos
transientes que ocorrem em todos os ciclos.
V
RWM
: Tenso de crista de trabalho, no estado de corte, aplicada
no sentido inverso.
V
DSM
: Tenso de pico no repetitivo(surto), no estado de corte,
aplicada no sentido direto.
V
DRM :
Tenso de pico repetitivo,

no estado de corte, aplicada no
sentido direto.
V
DWM
: Tenso de crista de trabalho, no estado de corte,
aplicada no sentido direto.

c)
b) a)
C
10
Obs: Quando o tiristor operado diretamente na rede de energia eltrica, recomendvel
que se escolha um dispositivo cujas capacidades de tenso de pico repetitiva V
RRM
e V
DRM

sejam pelo menos 1.5 vezes o valor de pico da tenso senoidal de alimentao, ou seja,
V
DRM >
V
DWM.

DADOS TCNICOS DE CORRENTE

I
TAV
: Valor mdio da forma de onda ideal de corrente da rede durante um ciclo,
supondo a conduo durante 180
I
TRMS
: Corrente RMS(eficaz) no estado de conduo.
I
TRM
: Corrente de pico repetitiva na conduo.
I
TSM
: Corrente de pico no repetitiva(surto) na conduo. Este tempo
estabelecido para ciclo do sinal da rede.
I
H
: Corrente de manuteno( Holding Current ). o valor de corrente andica
abaixo do qual o SCR corta.
I
L
: Corrente de engatamento( Latching Currente ). o mnimo valor de corrente
andica necessrio para o engatamento do tiristor.

DADOS TCNICOS GATILHO-CATODO

V
GRM
: Tenso reversa mxima de gatilho.
V
GD
: Tenso mxima aplicada ao gatilho que no provocar o chaveamento do
estado de bloqueio para o estado de conduo.
I
GTM
: Mxima corrente de disparo de gatilho.
I
GT
: Mnima corrente de disparo de gatilho.
P
GM
: Mxima dissipao de potncia no gatilho.

Obs: Uma folha de especificao consta em anexo no final deste material.

CODIFICAO DA SRIE TIC

Devido a famlia dos tiristores da srie TIC ser a mais comumente encontrada no
mercado, efetuaremos a identificao dos tiristores atravs dos cdigos impressos
no corpo dos mesmos, como mostram os exemplos relacionados nos itens a seguir:

1 Nmero 1(um) iniciando o nmero da srie representa tiristor unidirecional
( SCR ) e o nmero 2(dois) iniciando o nmero de srie representa tiristor
bidirecional.

Ex: TIC 106

2 A letra que segue o nmero da srie representa a tenso V
DRM
(

Tenso
mxima direta, com tiristor bloqueado).

Ex: TIC 106 - A

Indica tiristor unidirecional Indica tiristor bidirecional TIC 206
100V
TIC 106 - B

200V
C
11

2. O RETIFICADOR CONTROLADO DE SILCIO DE MO DUPLA O TRIAC


a) CONCEITO:
um dispositivo que permite a passagem de corrente em ambos os sentidos,
conhecido tambm como dispositivo bidirecional, j que o SCR um dispositivo
unidirecional.

O TRIAC por dentro equivalente a dois SCR`s ligados em paralelo, porm
cada um olhando numa direo... Os terminais de controle ( gatilhos ) so juntados
para que ambos os SCR`s possam ser autorizados atravs de um nico contato esterno,
como pode ser visto na figura 1.10.
Percebemos ento que a constituio interna de um TRIAC apresenta as mesmas
caractersticas de um SCR.

PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DO TRIAC

O TRIAC funciona da seguinte maneira:

Normalmente o componente fica intercalado entre a carga e a rede de
alimentao CA e ao receber, pelo seu terminal de gatilho( G ) uma polarizao positiva(
em relao ao terminal M2), entra em conduo plena, permitindo a passagem da
corrente eltrica pela carga, nos dois sentidos, como mostram as setas. Para que a corrente
na carga permanea, contudo, necessrio que a polarizao positiva no gatilho tambm
seja constante, isso porque, da mesma forma que ocorre com o SCR, o TRIAC desliga
sempre que a tenso entre seus terminais M1 e M2 cair a zero( ainda que
momentaneamente).

M1
M2
G
K
A
A
K
G
G
SMBOLO
Figura 1.10 a) Simbololgia
b) Constituio interna
( b )
( a )
C
12

2.3 CURVA CARACTERSTICA DO TRIAC

Como pode ser observado, o TRIAC pode conduzir nos dois sentidos de
polarizao. E no que diz respeito aos parmetros da curva, so equivalentes aos vistos
na curva do SCR.
Uma diferena importante entre o TRIAC e o SCR que podemos citar que o SCR
requer uma tenso de gatilho positiva, enquanto o TRIAC ir responder tanto a uma
tenso de gatilho positiva quanto a uma negativa. Isto significa dizer que o seu disparo,
que pode ser em qualquer direo, pode ser reduzido fazendo-se o gatilho mais positivo
ou mais negativo, com relao ao M1, que usado como terminal de referncia.
Em suma, pode-se dizer que a curva caracterstica do TRIAC mostra as
caractersticas de um SCR nas duas direes, e quanto aos parmetros da curva, a
denominao e conceito so equivalntes aos definidos na curva caracterstica do SCR.

DESVANTAGENS DO TRIAC EM RELAO AO SCR
Embora o TRIAC tenha a capacidade de controlar a corrente nas duas direes e
responder a correntes e gatilho que fluam em qualquer destas direes, o dispositivo
apresenta certas desvantagens quando comparado ao SCR. Em geral, os TRIAC`s tm
valores de corrente menores que os do SCR e no competem com estes quando correntes
extremamente elevadas devem ser controladas.
A frequncia mxima na qual o TRIAC pode operar, fica em torno de 300Hz, visto
que o mesmo opera nos dois semiciclos da rede.

Figura 1.11 Curva caracterstica do TRIAC
I
C
13
2.3 - TRIAC`s COMERCIAIS
No comrcio, atravs da consulta do data Book, encontramos TRIAC`s com valores
de I
TRMS
de at 300A e valores de V
DRM
de at 1.6kV. Por estes dados, podemos perceber
que 300A pouco, frente ao SCR que possui valores de corrente acima de 3000A. Nas
figuras 1.12 e 1.13, respectivamente so mostrados alguns tipos de encapsulamentos
fabricados para o mercado e alguns TRIACS fabricados para potncias mais altas. O
invlucro mais conhecido o TO220(TO220AB) dos quais se utilizam as sries TICxxx,
BTA12AAA e vrios tantos outros triacs mais comuns.

2.4 - IDENTIFICAO DOS TERMINAIS DE UM TRIAC

M1
G
M2
G Gatilho

M1 Anodo 1 ou Main Terminal 1

M2 Anodo 2 ou Main Terminal 2

Obs: Main Terminal = Terminal principal
Figura 1.14 Terminais do Triac
Figura 1.12 Tipos de encapsulamento do TRIAC
Figura 1.13 TRIACs para alta potncia
T0202-1 T092 T0220AB T0202-2 T0P3 RD91
C
14
Alguns invlucros de TRIACS apresentam denominaes diferentes com relao
aos terminais de ligao, a figura 1.15 mostra um conjunto desses invlucros.

2.5 - TESTE DE UM TRIAC
Na prtica, devemos encontrar duas resistncias baixas no teste do TRIAC. Estas duas
resistncias baixas so entre os terminais M1 e gatilho, nos dois sentidos de
polarizao(algo em torno de 10 a 200ohms), pois estamos pegando a resistncia da
pastilha P comum a estes dois terminais.
O terminal que sobrou, quando encontramos duas resistncias baixas, o M2, inclusive
o M2, na maioria dos casos, a carcaa do TRIAC.
Para identificarmos quem M1 e gatilho, devemos consultar o manual, pois atravs do
teste prtico no podemos diferenar estes dois terminais.

3. O TRANSISTOR UNIJUNO( UJT )

CONCEITO
um transistor que comporta apenas de uma nica juno.

Formado por dois blocos de material semicondutor, um do tipo P e outro do
tipo N, semelhante a um diodo. O material P, entretanto de dimenses bem
reduzidas em relao ao material N, ficando como que Embutido no mesmo, como
mostra a figura 1.16.

Figura 1.16 Constituio interna

P
N
EMISSOR
BASE 2
BASE 1
UJT

Figura 1.17 Simbologia
E
B2
B1
Figura 1.15 Invlucros com denominaes de terminais ligeiramente diferentes
C
15
3.3 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO
De acordo com o diagrama estruturado( fig. 1.18 ) onde representa o transistor de
unijuno, caso o terminal B2 seja ligado ao positivo de uma fonte de Alimentao
E o terminal B1 ao negativo de tal fonte, uma corrente muito pequena circular
Atravs dos resistores srie, RB2 e RB1. Isto ocorre devido os valores
hmicos desses resistores serem elevados( semicondutor). Porm
ao aplicarmos uma tenso positiva ao terminal E, estaremos
polarizando diretamente o diodo, dessa forma uma corrente I
comear a circular no sentido indicado, como mostra a figura 3.2.

Assim que a tenso de entrada ultrapassar 0.6V, que o limite mnimo, a
resistncia interna da base( RB1 ) cai significativamente para um valor muito baixo,
fazendo com que a corrente que percorre B2 para B1, aumente sua intensidade. Caso o sinal
de tenso caia para valores abaixo de 0.6V, imediatamente a resistncia interna RB1 sobe
, novamente para um valor elevado impedindo assim que haja circulao de corrente.

3.4 - PARMETROS IMPORTANTES DA CURVA

V
P
- Tenso de pico.
Esta tenso tambm conhecida como tenso de disparo do UJT .

RB1
RB2
E
B1
B2
I
+
-
D1
DIODE
RB2
RB1
+
-
Q1
UJT
Figura 1.18 Conduo do UJT e diagrama estruturado
Figura 1.19 Curva caracterstica do UJT
C
16

q - (Intrinsic Stand-off ratio) Relao intrnseca de corte.
a relao
RBB
RB1
e a faixa de q de 0.51 a 0.82. Dado que RBB a
resistncia medida entre os terminais de base com o emissor aberto. O valor de RBB
est na faixa de 4KO a 10KO.

I
P
Corrente de pico.
a corrente de emissor mnima necessria para disparar o UJT. O valor de I
P

est na faixa de 2A a 25A para os diversos UJTs encontrados no mercado.

V
V
Tenso de vale.
o valor de tenso de emissor abaixo do qual ocorre o corte do UJT. Esta
tenso de encontra na faixa de 1V a 5V.

I
V
Corrente de Vale.
o valor mximo de corrente de emissor na regio de resistncia negativa.
A faixa de valores de I
V
Para UJTs comerciais de 1mA a 10mA.

3.4 IDENTIFICAO DOS TERMINAIS DO UJT

3.5 TESTE DE UM UJT

Para que se verifique o estado de Um UJT, efetua-se as medies segundo a tabela
de teste resumida , como mostra a tabela 1.1.

POLARIZAO
RESISTNCIA
MEDIDA
B2+ B1- RBB
B2- B1+ RBB
E+ B1- RB1
E- B1+

E+ B2- RB2
E- B2+

B1 Base 1

B2 Base 2

E - Emissor
Figura 1.20 Terminais do UJT
Tabela 1.1 Tabela teste do UJT
C
17

4.O DIAC ( DIODO DE CORRENTE ALTERNADA )
4.1 CONCEITO E FUNDAMENTOS

CONCEITO
uma chave bidirecional disparada por tenso, muito utilizada nos circuitos
de disparo, onde a tenso no qual o DIAC submetido ocorre normalmente entre
20V e 40V.

4.2 CONSTITUIO INTERNA E SIMBOLOGIA

O DIAC construdo, em grande parte, do mesmo modo que um transistor bipolar.
O dispositivo tem trs camadas semicondutoras alternadamente dopadas, como se pode ver
na figura 1.21. Entretanto ele difere do transistor bipolar devido s concentraes de
dopagem em torno das duas junes serem iguais e aos terminais conectados unicamente
s camadas externas. No h conexo eltrica na sua regio intermediria. Uma vez que o
DIAC tem apenas dois terminais, ele geralmente encapsulado em invlucros de metal ou
plstico com terminais axiais. Portanto, o dispositivo lembra em muito um diodo de juno
PN comum na aparncia. Porm, ele , algumas vezes, tambm encapsulado como um
transistor bipolar convencional, mas com apenas dois terminais.

4.3 CURVA CARACTERSTICA DO DIAC

Como pode ser observado, a curva caracterstica do DIAC mostra que a conduo
do mesmo se d a partir do momento em que o nvel de tenso ultrapassa V
BO
( tenso de
Breakover), em ambas as polaridades, caracterizando assim o DIAC como um componente
bilateral.
P
N
P
T
1

T
2

Figura 1.21 Estrutura interna do DIAC Figura 1.22 Smbolos do DIAC
Figura 1.23 Curva caracterstica do DIAC
C
18

4.3 IDENTIFICAO DOS TERMINAIS DE UM DIAC

4.4 TESTE DO DIAC
Na prtica, realizando o teste do DIAC com um multiteste na escala em ohms,
devemos encontrar duas resistncias altas entre seus terminais e o resultado sendo positivo,
o dispositivo se encontra em perfeitas condies de uso, caso contrrio, o DIAC no estar
em condies de uso.
Em perfeito estado, a resistncia entre os terminais do DIAC sempre ser alta, pois,
como mostra sua curva caracterstica, apenas sua resistncia diminuir caso a tenso entre
seus terminais seja maior que V
BO
, e a tenso aplicada pelo multmetro no chagar a tanto.

4.5 APLICAES PARA O DIAC
O DIAC aplicado normalmente em circuitos de proteo contra sobretenso,
gerador de dente de serra e disparo de TRIAC. Algumas configuraes de circuitos so
mostradas nas figuras 1.25 e 1.26.

Figura 1.25 a) Circuito gerador de dente de serra
b) Forma de onda no capacitor
Figura 1.26 Circuito de proteo contra sobretenso
(a)
(b)

T
1
T
1
Figura 1.24 Curva caracterstica do DIAC
C
19
5. O IGBT( TRANSISTOR BIPOLAR DE GATILHO ISOLADO )
5.1 CONCEITO E FUNDAMENTOS

CONCEITO
Formado por quatro camadas dispostas na sequncia P-N-N-P, o IGBT no faz
parte da famlia dos tiristores, porm este um componente hbrido por apresentar
caractersticas tanto dos transistores bipolares(alta velocidade de operao) quanto
dos transistores FET( pequena perda na conduo).

5.2 CONSTITUIO INTERNA E SIMBOLOGIA

(a) (b)

A estrutura de um IGBT constituda em duas partes:
A Primeira envolve o canaln, juntamente com camadas n
-
, p e dopadas com n
+
.
Este conjunto chamado de MOSFET, devido o princpio de funcionamento interno se
igualar a este.
A regio n
-
denominada de Dreno (fictcio) D do MOSFET, a camada da regio p
abrange o Gate (G) e alcana a regio n-dopada( n
+
) que conectada a fonte S.
A Segunda envolve uma camada longa contendo uma dopagem p
+
.Chamada de
Substrato, esta camada responsvel pela injeo de portadores minoritrios e
parcialmente pela baixa tenso de trabalho e alta condutividade entre o Dreno( D ) e a
fonte ( S ) do IGBT, estando conectada ao Dreno( D ) do IGBT. e sob esta camada
inserido uma outra contendo uma dopagem n ( n
-
) e logo aps esta encontramos uma
camada p, comentadas anteriormente na primeira parte. A formao desta Segunda parte
representa um transistor bipolar pnp, e opera como tal.
O Gate( G ) isolado eletricamente das pores de dopagem das camadas por uma
camada muito fina de Dixido de Silcio ( SO
2
), este isolante um tipo particular
denominado Dieltrico, que cria campos eltricos opostos.

(Fonte)
(Dreno)
Figura 1.27 a) Estrutura interna do IGBT
b) Smbolos do IGBT

C
20
5.3 - PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO

Figura 1.28 Estrutura interna de um IGBT

FUNCIONAMENTO:

Ao se alimentar positivamente o terminal Gate, haver a criao de um campo
Eltrico devido a existncia do Dieltrico, este campo criado induzir cargas positivas que
incidiro sobre a regio p, onde se faz prximo e repelir suas cargas positivas( + ),
criando lacunas, e dessa forma ocorrer a atrao de eltrons para esta regio, eltrons
estes vindos das n
+
-dopadas, colaborando assim para a formao de um canal que
chamamos canal n. Com a criao deste canal inicia o processo de conduo de
corrente atravs do IGBT. Esta conduo de corrente se d entre o Dreno( D) e a
Fonte(S), e atravessa a regio p, de onde se fez o canal.
Quando comea a circulao de corrente no IGBT ocorre um processo de
recombinao entre os eltrons da camada n
-
e lacunas que so criadas a partir da
camada p
+
(Substrato), pois os portadores da camada n
-
so eltrons e os da camada p
portadores positivos, e ainda devido a este fenmeno ocorre um processo de difuso
atravs da juno J
2
, pois os eltrons da Fonte (S) tendem tambm a se recombinarem com
as lacunas em questo. Logo podemos dividir a corrente total de um IGBT em duas
importantes componentes a saber:
- Uma delas se forma quando da formao do canal-n, H uma circulao de
eltrons entre as regies n
-
e n
+
via este canal criado na regio p. Isto provoca
uma criao de lacunas no substrato p, ocasionando como foi explicado antes,
uma recombinao entre p e n
-
, esta corrente apresenta um valor bastante
substancial para o IGBT.
- A outra est inclusa no processo de difuso atravs da junco J
2
, descrita
anteriormente.

C
21
5.3 CURVA CARACTERSTICA DO IGBT
Figura 1.29 a) Circuito tpico com IGBT
b) Formas de onda dos sinais de entrada e sada do IGBT
c) Curva caracterstica ideal do IGBT
d) Curva caracterstica real do IGBT

5.4 IGBTs COMERCIAIS

IRG4BC30F
SKM 75 GAR 063 D

IRGPC50F

SK 13 GD 063

Figura 1.30 Tipos comerciais de IGBT

C
22
5.5 PINAGEM DO IGBT

Figura 1.31 Terminais do IGBT

5.6 VANTAGENS DO IGBT

O IGBT atinge limites de tenso e corrente consideravelmente mais elevados do que
dispositivos como o MOSFET que possuem uma faixa mais reduzida de valores, ficando,
tipicamente, entre: 100V/200A e 1000V/20A, enquanto os IGBTS atingem at
1200V/500A. Tais limites especialmente para os IGBTs tm se ampliado rapidamente em
funo do intenso trabalho de desenvolvimento que tem sido realizado.
Os IGBTs tambm apresentam baixas perdas na conduo assim como podem
trabalhar em freqncias mais elevadas de at 20kHz, inferiores no caso para os
MOSFETs que trabalham em freqncias maiores do que 50kHz.

2
3
1
1 GATILHO
2 COLETOR
3 - EMISSOR
C
23

EXERCCIOS DE APRENDIZAGEM
1) Conceitue um SCR?

2) O SCR TIC126D possui uma corrente de manuteno(I
H
) igual a 40mA. Em um certo
momento, encontra-se passando pelo mesmo uma corrente de 5A, e logo aps, por um
motivo qualquer, ocorre uma brusca reduo dessa corrente para 30mA. O que voc diz
sobre o SCR. O mesmo manter conduzindo a corrente ou entrar em corte? Explique
porqu.

2) Explique sucintamente, porque no vivel disparar o SCR aplicando sobre o mesmo
uma tenso de breakover com frequncia.

4) Dado o TIC106D disposto no invlucro T0220AB, indique a correta pinagem do mesmo.

5) Identifique que defeitos apresentam os SCRs abaixo, analisando as medidas de
resistncia.

C
24
6) Por que motivo o TRIAC chamado de dispositivo bidirecional?

7) Identifique a pinagem do TRIAC TIC216 a seguir:

8) Dado o transistor de unijuno abaixo, identifique seu defeito a partir das medies
realizadas.

9) De acordo com os testes realizados a seguir, realize o diagnstico do DIAC

............
............
............
C
25

Captulo II CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTORES

1 INTRODUO
O circuito de disparo de Tiristores representa uma das partes mais importantes nos
circuitos de controle. Um correto funcionamento do circuito de disparo, assegurar um bom
funcionamento do tiristor e com isto eficincia no controle a ser realizado.
Neste captulo estudaremos os diversos tipos de circuitos de disparo dos tiristores,
estes circuitos acionados atravs de trs tipos de fontes: Fonte de sinal CC, fonte de sinal
CA e fontes geradoras de pulsos, descrevendo algumas vantagens e desvantagens entre as
mesmas.

2 DISPARO DE TIRISTORES COM SINAL CC NO GATILHO

CIRCUITOS TPICOS

Tendo em vista os circuitos da figura 2.1, possvel calcular o valor das constantes
RG e RL visando, respectivamente, manter o valor de corrente de gatilho abaixo de IG
MAX

e acima de IG
MIN
, e controlar a corrente de anodo que passa pelo Tiristor.
Circuitos desta natureza, apresentam um inconveniente. A corrente no gatilho
permanece o tempo todo. Isto no necessrio, visto que a necessidade da corrente no
gatilho s na hora do disparo, depois a mesma pode ser retirada. Caso contrrio, estamos
dissipando energia no gatilho alm do necessrio, o que no conveniente.

3 - DISPARO DE TIRISTORES COM SINAL CA NO GATILHO

O disparo em CA ocorre quando uma amostra deste sinal alcana um valor
suficiente para disparar o Tiristor. Variante com o tempo, o sinal AC alcana o valor de
disparo em um ngulo o, chamado ngulo de disparo. Neste circuito no acarreta da
corrente se manter no gatilho, pois ao Tiristor ser disparado o circuito de gatilho curto-
circuitado.(Ver figura 2.2 ).

VCC
RL
RG
Figura 2.1 Disparos de Tiristores com sinal CC.
(Circuitos Tpicos )
RG
RL
VCC
C
26

CIRCUITOS TPICOS

4 - CONTROLE DE FASE COM SCR

Observe o circuito da figura 2.3 e o comportamento da tenso sobre a carga resistiva
R
L
= 100O, mostrado na figura 2.4.

O circuito da figura 2.3, como podemos observar, alimenta uma carga resistiva de
100O com uma tenso eficaz V
rede
= 127V, atravs de um SCR TIC 106B, que apresenta
I
GT
= 200A e V
GT
= 0.6V. A idia deste exemplo mostrar que atravs da escolha de um
valor para o potencimetro P
1
, temse disparos em instantes diferentes em relao ao sinal
alternado de entrada ( V
rede
) atravs do controle de fase, ou seja, controlar a tenso
fornecida carga e, portanto a sua potncia.

C1
RL
P1
R1
~
V
rede
R1
P1
RL
C1
~ V
rede
Figura 2.2 Disparos de Tiristores com sinal CA.
(Circuitos Tpicos )
Figura 2.3 Circuito de disparo com SCR
( Controle de fase )
1k
P1 100
V
rede ~
TIC 106B
(200kO)
C
27
FORMAS DE ONDA

As formas de ondas caractersticas da tenso nos terminais da carga, so mostrados nas
ilustraes acima, observe-se que h um valor mdio diferente de zero aplicado a carga
quando a alimentao da mesma controlado pelo SCR, e este valor mdio pode ser
calculado como mostraremos em seguida. verificado tambm que a fluxo de potncia
aplicada a carga controlado, podendo-se ento fornecer mais ou menos potncia. Mas do
que depende este controle de fluxo de potncia para a carga?

Vejamos:

O valor mdio calculado sobre uma carga quando a mesma recebe um sinal
o
o
o
o
o
o
o
Figura 2.4 Comportamento das tenses na carga para os diversos
ngulos de disparo do SCR
C
28
retificado em meia onda controlado atravs de um ngulo de disparo, calculado pela
expresso:

Enquanto o valor eficaz de tenso dado por:

Logo possvel ento aplicarmos estas equaes para calcularmos a tenso mdia e
eficaz aplicadas na carga de um circuito qualquer que se utilize de dispositivos como o
SCR para o controle de potncia sobre a mesma. A potncia ento pode ser calculada pela
expresso que segue: 0

Notamos que assim como a tenso eficaz varia segundo um ngulo, chamado ngulo
de disparo, varia a potncia consumida pela carga, conclui-se ento que o fluxo de potncia
sobre a carga depende do ngulo em que o SCR disparado.
A tabela abaixo mostra alguns valores de grandezas para os ngulos de disparos em
questo, verificados para o circuito da figura 2.3

ngulo de
disparo(o)
Tenso na
rede( V
rede
)
Tenso mdia
na carga( V
medio
)
Tenso eficaz na
carga( V
eficaz
)
Potncia consumida
pela carga( P
eficaz
)
2 6.3V 57.1V 89.8V 80.64W
15 46.5V 56.2V 89.6V 80.28W
30 89.8V 53.3V 88.5V 78.32W
60 155.5V 42.9V 80.5V 64.80W
90 179.6V 28.6V 63.5V 40.32W

Voc pode observar que o valor mximo da tenso de rede obtido com um ngulo
de disparo de 90, e isto nos leva a concluir que a partir deste ngulo no temos mais
controle de potncia sobre a carga, e agora Jos ? o que faremos.....
Fique tranqilo caro leitor, logo adiante mostraremos circuitos de disparo que
permitem variar o ngulo o de 0 a 180 no semiciclo positivo assim como de 180 a 360
no semiciclo negativo, caso estejamos trabalhando com circuitos para disparar o TRIAC.
No primeiro instante entenderemos o por qu deste limite de controle em torno de
90, certo?

t
o
2
) 1 ( COS V
V
P
mdio
+
=

t
o
t
o
8
2 sen
4 4
1
+ =
P eficaz
V V

L
eficaz
eficaz
R
V
P
2
=

C
29

Observe a figura 2.5.

Verifica-se que o circuito se encontra projetado de tal forma que quando o sinal de
tenso da rede alcanar 89.8V, o SCR estar com uma corrente de gatilho necessria para
garantir seu disparo, que neste caso se dar em o = 30. Analisaremos agora para o Caso
em que o = 150, dado que
0
150 sen . 2 . 127 =
rede
V . Calculando-se o valor desta tenso
encontra-se V
rede
= 89.8V. Opa! Mas esse valor no o mesmo para o = 30 ? . Pois caro
leitor, dessa forma que conclumos a impossibilidade deste circuito atingir ngulos
maiores do que 90, entendeu? A figura 2.6 ajuda a esclarecer este ponto.

5 - CONTROLE DE FASE COM TRIAC

Semelhante ao SCR, o TRIAC tambm pode ser utilizado para o controle de fase de
tenso alternada, levando em conta as mesmas consideraes adotadas a respeito do limite
do ngulo de disparo do SCR. Um circuito tpico de disparo de TRIAC mostrado na
figura 5.1, bem como as formas de onda para os ngulos o = 2, o = 15, o = 30, o = 60,
o = 90 adotados para o circuito com SCR, mostradas na figura 2.7

o
Figura 2.5 Tenso de disparo
Figura 2.6 Tenso de disparo para o = 30 e o = 150
o
C
30

FORMAS DE ONDA

Figura 2.7 Circuito de controle de fase com TRIAC
100
R1
R2
100
0.1uF
~
Figura 2.8 Comportamento das tenses na carga para os diversos
ngulos de disparo do SCR
C
31

Observa-se nas formas de onda da figura 2.8 que o controle de fase no TRIAC,
diferente do controle em SCRs, feito nos semiciclos positivo e negativo.
Assim como os resultados do circuito com SCR, possvel calcular os valores de
V
mdio
, V
eficaz
e a P
eficaz
utilizando circuitos com TRIACs atravs das relaes matemticas
mostradas a seguir:

A partir dessas relaes, obtemos assim uma tabela para os ngulos de disparo em
questo mostrados nos grficos da figura 2.8

ngulo de
disparo(o)
Tenso na
rede( V
rede
)
Tenso mdia
na carga( V
medio
)
Tenso eficaz na
carga( V
eficaz
)
Potncia consumida
pela carga( P
eficaz
)
2 6.3V 0 127V 161.29W
15 46.5V 0 126.8V 160.78W
30 89.8V 0 125.2V 156.75W
60 155.5V 0 113.9V 129.73W
90 179.6V 0 89.8V 80.64W

Observando com cuidado a tabela, podemos destacar duas grandezas que
apresentam valores curiosos em relao a tabela destinada ao SCR. Pois bem, uma delas a
tenso mdia na carga( V
medio
), que apresenta valor nulo para todos os ngulos de disparo,
voc sabe o porqu?
Caso voc preste ateno nas formas de onda apresentadas na figura 2.8, o ngulo
de disparo igual nos dois semiciclos e como a forma de onda da tenso na carga
simtrica, o seu valor mdio nulo.
A outra grandeza a potncia eficaz consumida pela carga. Verifica-se que a mesma
para o circuito com TRIACs apresenta valores maiores do que aquelas observadas para os
circuitos com SCRs, e voc sabe porque?
Para um ngulo de disparo de 2 visto que na figura 2.8, mais senide aplicada a
carga, comparado ao observado na figura 2.6, e isto significa dizer que mais potncia
fornecida carga. Dessa forma fcil entendermos que uma mesma lmpada acender com
mais intensidade quando ligada a um circuito com TRIAC, e menos intensidade quando
ligada a um circuito com SCR.
Vimos que at o momento, trabalhamos com circuitos de disparo que limitam o
ngulo em at 90, no semiciclo positivo e 270 no semiciclo negativo, este controle de
potncia portanto no completo, ou seja, no se desenvolve de 0 a 180 e 180 a 360,
variando a potncia desde 0(zero) at o valor mximo, o controle desta natureza estudado
no tpico seguinte, que trata sobre disparo por rede defasadora.

0 =
mdio
V

t
o
t
o
4
2 sen
2 2
1
+ =
P eficaz
V V

L
eficaz
eficaz
R
V
P
2
=

C
32
6 DISPARO POR REDE DEFASADORA

A idia destes circuitos produzir um ngulo de disparo o maior que 90 em
relao tenso da rede, na figura 2.9 representado por o + u.

A figura 2.9 mostra que a tenso de rede ao alcanar o valor de V
o
, o disparo
acontece para um certo ngulo o, deslocado o sinal de tenso no circuito de disparo de um
ngulo |, verifica-se que o disparo se dar em um ngulo maior que o primeiro, ora, ento
descobrimos a filosofia da soluo do nosso problema, pois dessa forma podemos disparar
o tiristor sob ngulos maiores que 90, no mesmo? Identificamos ento um circuito
tpico capaz de gerar este sinal defasado, como mostra a figura 2.10

O ngulo |( discutido anteriormente ) que representa a defasagem da tenso de
disparo, tomada sobre o capacitor, em relao a tenso da rede, depende do valor da
constante de tempo t = ( R
1
+ R
2
)C
1.
Variando-se valor do resistor R
2
, possvel ento
alterar o valor do ngulo de defasagem em questo, mudando assim o ngulo em que
ocorrer o disparo do SCR.
O diodo D
1
garante que s haver corrente de gatilho no semiciclo positivo da
tenso da rede, evitando perdas desnecessrias no gatilho do SCR quando este estiver
bloqueado.
O diodo D
2
conduz no semiciclo negativo carregando C
1
com tenso negativa. Isso
garante que, em cada semiciclo positivo, o capacitor comece sempre a se carregar a partir
de uma tenso fixa, mantendo a regularidade do disparo.
o = ngulo de disparo normal
| = Atraso da rede defasadora
u = Defasagem no disparo
o = ngulo de disparo com rede
defasadora.
Figura 2.9 Comportamento da tenso de disparo com rede
defasadora
D2
carga
R2
R1
C1
SCR
D1
V
rede
Figura 2.10 Circuito tpico de disparo com rede defasadora
C
33

1) Dado o circuito abaixo, responda por que no vivel sua utilizao.

2) Responda se o circuito de disparo em CA, como mostra a figura abaixo, apresenta vantagem sobre o
circuito de disparo CC, montado no exerccio ( 1 ). Justifique sua resposta.

3) Partindo do circuito mostrado na figura abaixo, explique sucintamente a idia de como podemos disparar
em instantes diferentes o SCR, de acordo com o sinal alternado de entrada.

VCC
RL
RG
R1
P1
RL
C1
~ V
rede
1k
P1 100
V
rede ~
TIC 106B
(200kO)
C
34
4) Qual a vantagem do controle do fluxo de potncia efetuado com o TRIAC comparado com o SCR?
5) Responda se possvel controlarmos o valor mdio de tenso na carga, utilizando-se um circuito com
TRIAC. Justifique sua resposta.
6) Explique a funo dos diodos D1 e D2 no circuito abaixo.

7 DISPARO POR PULSOS E COMPONENTES ASSOCIADOS

O disparo por pulsos vantajoso em relao ao disparo CC no que diz respeito a
potncia dissipada na juno gatilho - catodo alm da possibilidade de obter isolao entre
os sinais de disparo e o dispositivo. Esta isolao, Galvnica, no permite a passagem de
corrente de um lado para outro do circuito, mantendo assim a integridade do dispositivo.
Esta isolao normalmente feita atravs de Transformadores de pulso e
Acopladores pticos, estudados mais adiante.

8 TRANSFORMADORES DE PULSO

Especialmente projetados para a transmisso de pulsos de disparo aos SCRs e
TRIACs, os transformadores de pulso devem apresentar como exigncia um timo
acoplamento entre o primrio e secundrio alm de possuir uma elevada isolao (
tipicamente da ordem de kV ), esta isolao importante para evitar que tenses
desenvolvidas nos enrolamentos, em funo da operao normal do conversor, possam
causar-lhes danos, e quanto ao acoplamento ser perfeito pode ser melhor entendido nas
ilustraes mostradas na figura 8.1.

Figura 2.11 Espalhamento da corrente ao longo do disparo
D2
carga
R2
R1
C1
SCR
D1
V
rede
C
35
Verifica-se portanto a medida que a corrente no gatilho injetada transversalmente,
uma corrente Anodo catodo vai encontrando uma maior facilidade na passagem ao longo
da seo do dispositivo, porm caso no haja conformidade nesta distribuio, devido a um
possvel mau acoplamento, a corrente I se concentrar mais em uma nica regio
provocando um aquecimento( ponto quente ) podendo danificar o componente.

TRANSFORMADORES DE PULSO COMERCIAIS

9 ACOPLADORES PTICOS OU ISOLADORES PTICOS
Estes dispositivos surgiram na dcada de 70 e foram desenvolvidos com a finalidade
de isolar pulsos de disparo.
Os acopladores pticos consistem em uma fonte de luz(fotoemissor) e um
fotosensor, que deve ter alta sensibilidade na faixa de frequncia de luz emitida pelo
fotoemissor. O fotosensor pode ser um transistor ou at um SCR ou TRIAC, disparados
num mesmo invlucro, como ilustra a figura 2.13.

Um inconveniente em usar acopladores pticos com transistor a necessidade de
uma fonte adicional, para polarizar o circuito de coletor do transistor e fornecer a corrente
de gatilho ao SCR ou TRIAC.
Imagine, caro leitor, que voc agora deseje disparar um tiristor utilizando-se de um
acoplador ptico com transistor, como mostra a figura 2.13, verifique que ser necessrio
uma fonte adicional para polarizar o circuito de coletor do transistor e assim fornecer a
corrente de gatilho para efetuar o devido disparo, isto no ser inconveniente?
Figura 2.12 Transformador de pulso
Figura 2.13 a) Esquema interno de acoplador ptico
b) Acoplador ptico com fototransistor
c) Encapsulamento do componente

a)
b)
c)
C
36
Claro que sim, pois haveria um circuito mais complexo para o disparo de seu
tiristor, pois bem, h uma soluo interessante para este caso, que o uso de acopladores
pticos com tiristores, ilustrado na figura 2.14.

TIPOS COMERCIAIS

CIRCUITO DE DISPARO COM FOTOTRIAC

Observe na figura 2.16 que para que seja acionado o TRIAC Q
1
, o sistema digital
deve fornecer nvel lgico 1 a entrada de controle da porta nand. Assim, o pino 2 do
MOC3011 vai para nvel lgico 0 e o led D
2
fica polarizado diretamente, disparando o
fotosensor Q
2
e, como consequncia, o TRIAC Q
1
.

Figura 2.14 Circuito integrado MOC3011

Figura 2.16 Circuito tpico de disparo com o MOC3011

VCONTROLE
R3
R2
+V
F1
R1
1
1/4 - 7400
D
2
Q
2
Q
1
CARGA

MOC3011

MOC3020
MOC3021
MOC3022
MOC3023
Figura 2.15 Circuito tpico de disparo com o MOC3011

C
37
Para podermos especificar um circuito integrado desta natureza importante
estarmos atento a dois parmetros: A tenso mxima reversa(V
RRM
) e a corrente mxima
direta(I
D
), suportadas pelo elemento fotosensor, no caso o TRIAC.
Uma breve anlise do comportamento do circuito com o MOC3011 quanto ao uso
dentro de seus parmetros mximos, feito para que possamos ter a idia da sequncia de
clculos para um bom dimensionamento do circuito de disparo.
A partir da figura 2.16 e dado as caractersticas do TRIAC Q
1
, assim como do
circuito integrado MOC3011 faremos a anlise.

Visto que a tabela 2.1 nos mostra os parmetros do MOC3011, a corrente I
A
de
entrada do pino 1(anodo do led) deve ser inferior a 50mA,. Para no danificar o dispositivo,
e deve ser superior a 10mA, para garantir o disparo de Q
2
.
Desejamos ento dispararmos o TRIAC Q
2
, tendo no pino 2 nvel lgico 0, a
corrente I
A
vale:

mA
R
V
I
F
A
3 . 12
300
3 . 1 5 5
1
=
=

Desta forma o MOC3011 est protegido e garante o disparo do TRIAC interno Q
2.

Para garantirmos a proteo do TRIAC Q
2
, a partir da carga a ser acionado,
necessrio calcularmos o valor do resistor R
1
, inserido no pino 6, vejamos:

O = = = 29 . 161
100
) 127 (
2 2
L
REDE
L
P
V
R

Portanto, a corrente mxima no pino 6 ser:

A
R R
V
I
L
REDE
529 . 0
29 . 341
2 127
2
6
= =
+
=

Isto garante que o TRIAC interno no ser danificado, pois opera com corrente
menor que mxima permitida(I
6
= 1.2A).
Garantidas ento as condies normais de trabalho do MOC3011, possvel
determinar o que nvel de tenso da rede, o TRIAC Q
1
ir Disparar, dado que saibamos seus
parmetros.
A partir da tabela 9.1, temos que I
GT
= 100mA e V
GT
=2V, considerando que V
T

=3V (TRIAC Q
2
), obtemos ento atravs do circuito em questo:
PARMETROS DO MOC3011
LED
I
A

10mA(min) 50mA(max)
V
F

1.3V-10mA

TRIAC
V
RRM,
V
DRM
250V(min)
V
T
3V(max) 100mA
I
6
1.2A(max)

PARMETROS DO TRIAC Q
1

V
GT
2V
I
GT
100mA

Tabela 2.1 Parmetros do TRIAC e do MOC 3011
C
38

2 1
1 2
) ( ) (
R R
Q V Q V V
I
GT T REDE
GT
+

=

29 . 341
2 3
10 100
3

=
REDE
V
x , V V
REDE
13 . 39 =

Isto significa que a tenso da rede ao atingir 39.13V, o TRIAC Q
1
ser disparado.
Voc deve estar questionando o fato do controle de potncia, no estar disponvel
nesta tipologia de circuito, no ? Pois bem, possvel sim criarmos um controle de ngulo
de disparo nesta topologia de circuito, basta inserirmos no pino 6 um resistor varivel(R
V
),
e logo teremos disparos para vrios valores de tenso da rede. Porm temos que ter um
cuidado especial com o mnimo valor para esta resistncia inserida no pino 6, pois poder
haver um aumento de I
6
superior ao suportado pelo TRIAC Q
2
.
Uma recomendao para evitarmos este tipo de problema, inserirmos em srie
com o resistor varivel(R
V
) uma resistncia que garante o valor limite quando este resistor
estiver prximo de zero(0), como ilustra o circuito da figura 2.17

10 CIRCUITO DE DISPARO PULSADO COM UJT

OSCILADOR DE RELAXAO COM UJT

R1
RB2
RB1
+
VCC
C1
UJT
B1
B2
E
(a)
rb1
RB1
rb2
RB2
D1
DIODE
R1
C1
+
VCC
B2
B1
E
(b)
Figura 2.18 a) Circuito tpico de um oscilador com UJT
b) Oscilador de relaxao com circuito equivalente do UJT
Figura 2.17 Circuito de disparo com MOC 3011
100W
R1
180
5V
F1
1A
R2
300
V
Rede

D
2
Q
2
Q
1
V
controle
1
MOC3011
1/4 - 7400
R3
C
39
PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO

Observe a figura 2.19, inicialmente ao aplicarmos uma tenso VCC, o capacitor se
carregar at que o diodo dom emissor comece a ficar polarizado diretamente. Quando a
tenso no capacitor atingir a tenso de disparo do UJT(V
p
), O mesmo conduz, temos ento
uma diminuio de r
b1
, permitindo ento que o capacitor C
1
se descarrega sobre (R
B1
+ r
b1
).
Esta descarga se dar at que o UJT entre novamente no estado de corte.

Este ciclo se repete segundo constantes de tempo, de carga e descarga, formando
assim um circuito oscilador.
E o que so constantes de tempo? Vejamos,
Por definio, uma constante de tempo o tempo necessrio para que o capacitor se
carregue( ou descarregue) em at 63% do valor de tenso de entrada no circuito, e dada
pela expresso t = RC.
No nosso caso temos duas diferentes constantes de tempo a considerar, a de carga e
a de descarga, respectivamente representadas pelas expresses: t
carga
= R
1
C
1
e
t
descarga
= (R
B1
+ R
B1
) C
1
, e o comportamento das mesmas ento observados na figura 2.20.

D2
DIODE
RB1
rb1
C1
R1
+
VCC1
B1
E
Figura 2.19 Circuito equivalente ao oscilador de relaxao aps o corte do UJT
V
E

t
2

V
B2

V
B2

V
B1

V
B1

V
V

V
P

t
1

Tenso de disparo
Tenso contnua em B
1
Tenso de vale
Tenso no terminal
B
1
( usada para
disparar tiristores)
Tenso no terminal B
2

t
t
t
0
Figura 2.20 Circuito equivalente ao oscilador de relaxao aps o corte do UJT
C
40

Verifica-se que de 0 a t
1
, o capacitor se carrega atravs de R
1
, com constante de
tempo t
carga
= R
1
C
1.
Em t
1
, o UJT dispara e entre t
1
e t
2
, o capacitor se descarrega com uma
constante de tempo t
descarga
= (r
B1
+ R
B1
) C
1,
de valor menor do que t
carga.

Aprendemos ento como funciona o circuito de um oscilador de relaxao com
UJT, mas de que forma podemos nos servir do mesmo para disparar um SCR ou TRIAC?
Veja bem, caro leitor, observe que na figura 2.20, a forma de onda adquirida no
terminal de B
1
representa pulsos de tenso e exatamente estes que so utilizados para
disparar os tiristores em questo. O circuito tpico para o disparo de SCRs ou TRIACs
mostrado na figura 2.21.

PROJETO DE UM OSCILOSDOR DE RELAXAO COM UJT
Para que um SCR seja disparado com sucesso atravs de um circuito como
mostrado na figura 2.21, preciso especificarmos os parmetros do mesmo.
necessrio ento efetuarmos alguns clculos baseando nas caractersticas
do UJT, assim como nas caractersticas do SCR que desejamos acionar, um
exemplo ilustrativo do SCR que desejamos acionar, um exemplo ilustrativos
mostrado a seguir, apresentando a voc de que forma podemos obter os
parmetros deste circuito oscilador.
Para o projeto em questo iremos considerar o circuito da figura 2.21, com o
UJT 2N2646 e o SCR TIC 106, onde algumas de suas caractersticas so
apresentadas a seguir:

UJT 2N2646
q
0.56(min) 0.75(max)
r
bb
4.7kO(min) 9.1kO(max)
I
p
1A(tip) 5A(max)
I
v
4mA(min) 6mA(tip)

SCR TIC106
V
GD
=0.2V

V
GT
=1V

- CLCULO DOS PARMETROS R
1
, R
2
, R
3
E C
1

CLCULO DE R2:
carga
R3
R2
R1
C1
UJT
SCR
+
Vcc
Vrede
~
Figura 2.21 Circuito tpico de disparo de SCR com UJT
C
41
Um valor prtico de R
2
calculado em torno de 15% de r
bb
, verificado nas
caractersticas tcnicas do dispositivo.
CLCULO DE R
3
:
Dado Vcc, calcula-se o valor de R
3
atravs da relao:

CLCULO DE R
1
:

O valor do clculo do resistor do emissor(R
1
) deve ficar dentro do seguinte
limite:

p
p cc
v
v cc
I
V V
R
I
V V

< <
1

A partir da seo 3.4 que trata dos parmetros do UJT, temos que V
V
=2V, I
V
= 4mA
e I
P
= 4A escolhidos assim para efetuarmos o clculo em questo. Porm Vp encontrado
atravs da expresso:
BB D p
V V V q + >

onde V
D
= 0.6, q = 0.6 e
+ +
=
3 2
2
R R R
R V
V V
BB
cc
cc BB
V
3
e Sabendo que V
3
< 0.6V,
consideraremos ento V
3
= 0.3V
.

CLCULO DO CAPACITOR C
1
:
Para o clculo do capacitor, devemos fixar uma faixa de frequncia
de operao do circuito. O valor de C
1
ento calculado pela expresso que
segue:

|
|
.
|
\
|
=
q 1
1
ln
1
1
1
f R
C , dado que so conhecidos os valores de R
1
, f e q.
Como exemplo, aplicamos ento uma tenso de alimentao Vcc = 12V e
queremos que a sada do circuito oscile com uma frequncia de 1kHZ. De posse ento
desses dados de entrada e de acordo com a ferramenta de clculo de cada parmetro
obtemos ento o valor dos mesmos mostrados no circuito da figura 2.22.

R
2
= 1kO, R
3
= 220O, R
1
= 10kO e C
1
= 0.1F

Vcc
r R x
R
bb
(min)) ( 6 . 0
2
3
+
<

carga
R3
R2
R1
C1
UJT
SCR
+
Vcc
Vrede
~
10kO
0.1F
1kO
220O
Figura 2.22 Circuito tpico de disparo
de SCR com UJT
C
42

1)Cite uma vantagem do disparo por pulsos em relao ao disparo CC.

2) Qual a funo do transformador de pulso em um circuito de disparo?

3) Cite algumas vantagens do uso de um acoplador ptico no disparo de um tiristor?

4)Dado o circuito abaixo, e consultando os dados tcnicos necessrios, dimensione o circuito com o objetivo
de protegermos o optoacoplador?

5) Dado o circuito abaixo, explique de que forma possvel retardarmos o disparo do UJT.

VCONTROLE
R3
R2
+V
F1
R1
1
1/4 - 7400
D
2
Q
2
Q
1
CARGA(R
L
=500O)

V = 110V
5V
R1
RB2
RB1
+
VCC
C1
UJT
B1
B2
E

C
43

OSCILADOR DE RELAXAO COM UJT SINCRONIZADO COM A REDE

No circuito de disparo visto anteriormente, h um pequeno problema: O ngulo de
disparo(o) aleatrio, pois o circuito gerador de pulsos fica oscilando independente do
sinal da rede. Quando isto
ocorre, os pulsos enviados podem pegar a senide a cada ciclo, em momento diferente.
Como mostra a fig. 2.23 abaixo:

Para evitar o problema do ngulo o ficar aleatrio, devemos sincronizar
funcionamento do circuito de disparo com o sinal que alimenta o circuito de potncia.
Um circuito tpico de disparo sincronizado com a rede mostrado na figura 10.7:

Este circuito funciona da seguinte forma: No semiciclo negativo da tenso de rede,
o diodo zener funciona como um diodo normal, pois polarizado diretamente como mostra
a figura 2.25:

R1
RB1
RB2
UJT
D1
R
C1
~
Figura 2.23 Formas de ondas para o circuito de disparo
Com o aleatrio
de disparo de SCR com
UJT
Figura 2.24 Circuito sincronizado de disparo com UJT
R1
D1
~
V
rede
V
rede
I
Figura 2.25 Etapa de estabilizao zener
C
44
Neste instante o oscilador estar
em curto e o UJT no ir disparar,
permitindo assim que no haja alguma
dissipao desnecessria no gatilho, j
que no semiciclo negativo o SCR no
deve conduzir, como de costume.
No semiciclo positivo, at que a
tenso de rede atinja a tenso V
Z
, o
diodo zener estar bloqueado. A partir
da o diodo zener ir manter a tenso,
no circuito gerador de pulsos,
estabilizada no valor de V
Z
, isto
ocorrer logo no incio do semiciclo
positivo.
Uma vez alimentado, o circuito
oscilar normalmente e o primeiro
pulso(com ngulo o em relao tenso
da rede) ir disparar o SCR.

Os demais pulsos so desnecessrios, mas inevitveis neste circuito e como os sinais
so repetitivos, ou seja, as condies de carga repetem-se em todos os semiciclos negativos,
o primeiro pulso ocorrer sempre com o mesmo ngulo o, como pode ser visto na figura
2.26.

11 CIRCUITO DE DISPARO COM TCA-785
O TCA-785 um circuito integrado desenvolvido para controlar o ngulo de
disparo de tiristores, continuamente de 0 a 180.

O TCA-785 faz parte de um grupo de circuitos integrados de disparo. A finalidade
destes circuitos a de facilitar o projeto de circuitos de disparo e torn-los mais compactos
e confiveis.
Dentre suas excelentes caractersticas possvel destacar:
Largo campo de aplicao devido possibilidade de controle externo;
Operao em circuitos trifsicos, utilizando-se 3(trs) CIs;
Duas sadas com corrente de disparo( TCA-785 - 250mA), duas sadas adicionais
complementares;
Figura 2.26 Formas de ondas para o circuito de disparo
sincronizado com a rede.
Figura 2.27 Circuto integrado TCA 785
C
45
Durao de pulsos de disparo determinado por um capacitor externo;
Deteco de passagem de tenso por zero volt;
Possibilidade de inibio dos pulsos de disparo;
Faixa de fonte de alimentao de 8V a 18V;
Consumo interno de corrente at 10mA.

DIAGRAMA DE BLOCOS DO TCA-785

Para melhor entendermos o funcionamento deste circuito, analisaremos suas principais
etapas.

DETETOR DE PASSAGEM POR ZERO
Vimos a importncia do circuito de disparo estar em sincronismo com a rede, para que
no ocorra disparos aleatrios dos tiristores. TCA-785 apresenta um bloco chamado
DPZ(Detector de Passagem por Zero) que gera um pulso de sincronismo toda vez que a
tenso da rede passa por zero. A entrada para a tenso de referncia de sincronismo no
pino 5, como mostra a figura 2.28.

Figura 2.28 Diagrama de blocos do TCA 785
Figura 2.29 a)Detalhe parcial do TCA 785
b) Conexo de referncia
a)
b)
C
46
Quanto a tenso de alimentao V
S
(pino 16) pode variar dentro do intervalo
8Vs V
S
s 18V, pois a alimentao interna do TCA-785 regulada em 3.1V pelo
prprio CI, de uma tenso de alimentao externa(V
S
), como pode ser observada na figura
2.29.

GERADOR DE RAMPA
O gerador de rampa(cujo controle est na unidade lgica) consiste essencialmente de
uma fonte controlada por uma resistncia R
R
. O tempo de subida da rampa assim
determinado pela combinao R
R
e C
R
, como pode ser observado na figura 2.30.
A tenso fornecida pelo gerador de rampa varia linearmente com o tempo(reta), ou
seja, a tenso dobra se o intervalo de tempo dobrar. Em outras palavras, a tenso cresce
proporcionalmente ao aumento do tempo, como se v, por exemplo, na figura 2.30.

A equao ento que rege este comportamento da tenso de rampa(V
CR
), no
capacitor(c
r
) dada por:

t x
C
I
V
R
CR
CR
=

Verifica-se ento que a equao impe restries quanto ao valor de C
R
, logo para o
correto funcionamento do circuito, devem ser considerados os valores mnimos e mximos
adotados na prtica 500pF e 1F, respectivamente. Um valor elevado de C
R
tornaria a
descarga do mesmo muito lenta, comprometendo o novo ciclo de carga e,
consequentemente, o sincronismo do disparo.

Figura 2.30 Sada de um gerador de rampa
C
47
COMPARADOR DE DISPARO DO TCA-785
A finalidade deste bloco comparar a tenso de rampa(V
R
) com a tenso de
controle(V
C
), quando estas forem iguais, envia pulsos nas sadas, via unidade lgica.
Obtm-se, ento, no pino 15, pulsos positivos no semiciclo positivo da tenso de
sincronismo e no pino 14, pulsos positivos no semiciclo negativo da tenso de sincronismo,
defasadas entre si de 180.
Uma ilustrao do bloco comparador, bem como as formas de onda do sinal de
controle e rampa so mostrados na figura 2.31

Observe na figura 2.31 que a mudana de estado na sada V
O
do bloco comparador
de disparo indicar ao bloco lgico de formao de pulsos, que um pulso de disparo deve
ser acoplado a uma de suas sadas, a durao destes pulsos determinada pela conexo de
um capacitor externo C
12
, entre o pino 12 e o terra e amplitudes iguais a tenso de
alimentao do pino 16.
Na tabela 2.2 apresentada uma relao de capacitores para o pino 12 com as
respectivas larguras de pulsos.

C
12
Aberta 150pF 220pF 33pF 680pF 1000pF Curto
| = 620s/qF 30s 93s 136s 205s 422s 620s 180 - o

Assim podemos monitorar a largura dos pulsos adquiridos nas sadas do bloco
lgico de formao dos pulsos.
A figura 2.32 ilustra as formas de onda dos sinais de interesse do TCA 785,
apresentando os pulsos adquiridos com larguras diferentes.

Figura 2.31 a)Comparador de disparo do TCA
b) Sinal aplicado ao bloco lgico de formao de pulsos
b)
a)
C
48

Figura 2.32 Formao dos pulsos de disparo

Observa-se ento com mais clareza que os pulsos so criados a partir de interseo
do sinal de controle(V
controle
) com o sinal de rampa(V
CR
), e fcil de percebermos em que
caso elevarmos ou abaixarmos o sinal de controle, o pulso ir se deslocar para frente ou
para trs, respectivamente. Verifica-se tambm o quanto a largura do pulso alterada
quando alteramos o valor do capacitor C
12
, conectado ao pino 12, na verdade, no primeiro
momento o pino deixado aberto e no segundo momento o mesmo curto-circuitado.

C
49

12 OUTROS MTODOS DE DISPARO DO SCR
Os mtodos que estudamos at o momento so dedicados a sinais aplicados ao
gatilho do dispositivo, disparando-o sob uma tenso bem menor que sua tenso de
breakover.
Neste tpico analisaremos as possveis formas de ocorrer o disparo do S R onde
alguns destes so indesejveis e por tal motivo, protees devero ser utilizadas para evitar
disparos acidentais.

DISPARO POR TENSO DE BREAKOVER(V
BO
)
Existe um valor de tenso anodo-catodo capaz de levar o SCR do estado de
corte para o estado de conduo, sem aplicaes de corrente de gatilho(i
g
=0),
conhecido como tenso de Breakover. Este processo de disparo, nem sempre
destrutivo, raramente utilizado na prtica, pelo fato de necessitarmos de valores
elevados de tenso capaz de fazer o SCR conduzir.

DISPARO POR RUDO ( SINAIS DE INTERFERNCIA)
Esta forma de disparo indesejvel, pois um tiristor poder conduzir a
qualquer momento, desde que o gatilho capte estes sinais de interferncia. Este
tipo de disparo s ocorre para a linha de SCRs mais sensveis(ex.: TIC 106)
onde pequenos nveis de sinal no gatilho so suficientes para disparar o
componente.
Para evitarmos um disparo indesejvel por rudo, deveremos utilizar um
resistor do SCR. Na figura 2.33 temos a localizao do resistor que evita o
disparo do SCR por rudo e vale a pena ressaltar que em alguns casos(ex.: TIC
116, TIC 126) este resistor j vem colocado internamente no componente.

Figura 2.33 Disparo por rudo

DISPARO POR VARIAO DE TENSO(dV/dt)
Toda juno PN reversamente polarizada, apresenta caracterstica capacitiva.
Observe a figura 2.34

Figura 2.34 Capacitncia refletida na juno
J
2

RG

A
G
K
C
50
A partir do circuito da figura 2.34, observe que ao fecharmos a chave CH
1,
a
capacitncia da juno J
2
far com que circule uma corrente de gatilho. Caso o valor da
corrente capacitiva seja suficiente para que haja o processo regenerativo, o SCR entra em
conduo, aplicado um disparo acidental podendo atm provocar srios danos ao sistema,
como por exemplo um grave curto-circuito.
Muito bem, caro leitor, a questo como reduzirmos este efeito, certo? Ento
partimos do conhecimento que o capacitor possui a propriedade de se opor a variaes de
tenso, visto que a tenso nos seus terminais cresce de forma gradativa.
Podemos reduzir o efeito da variao brusca de tenso no SCR, colocando um
circuito que amortea esta variao. Este circuito constitudo de um ramo RC em paralelo
com os terminais anodo e catodo do SCR, que impedir que a tenso entre anodo varie
bruscamente. Este circuito conhecido como Snubber(amortecedor).

DIS
PA
RO
POR AUMENTO DE TEMPERATURA
A medida que a temperatura aumentada, diversos parmetros do SCR variam tais
como, I
fuga
, V
BO
e I
H
.
Notamos que o aumento de temperatura, facilita o disparo do SCR, uma vez que um
aumento da corrente de fuga, diminuio de V
BO
e uma diminuio I
H
, ou seja, as
alteraes nestes parmetros contribuem para uma maior facilidade de disparo do
componente.

DISPARO POR LUZ
A incidncia de luz em uma juno pode fazer surgir eltrons livres na mesma. A
medida que aumenta a incidncia de luz, aumenta o nmero de eltrons livres. Para
ocorrer tal tipo de disparo, o componente deve apresentar uma janela que propicie a
entrada da luz. Na verdade, o componente disparado pela luz o LASCR(SCR
ativado luz). O papel do gatilho, neste componente, possibilitar o controle da
intensidade de luz necessria para o disparo do mesmo.

Figura 2.35 Circuito SNUBBER

C
51

1)Explique a funo do diodo zener(D1) no circuito abaixo

2)Cite algumas vantagens do TCA 785
3) Explique o funcionamento do circuito detector de passagem por zero, mostrado abaixo

4)Na configurao do circuito mostrado abaixo, responda qual a funo dos diodos D1 e D2?

5)Responda porque importante mantermos o capacitor e o resistor de rampa fixos?

SADA
S1
60 Hz
VCC
C
R3
R2
R1
C
52
6)Responda em qual dos casos abaixo, h um capacitor de valor mais elevado conectado no pino 12 do TCA.

7)Explique o que voc entende sobra tenso de BREAKOVER
8)Responda de que forma podemos minimizar os efeitos do disparo por rudo em SCRs tipo TIC 106.
9)Responda de que forma podemos minimizar os efeitos do disparo no SCR causado por variao de tenso
ocorrida no momento de ligao de um sistema.
10)Explique de que forma um aumento de temperatura pode fazer com que um SCR dispare.

Captulo III - CIRCUITOS RETIFICADORES

Neste captulo trataremos dos circuitos retificadores controlados, tambm chamados
de conversores CA-CC, aplicados no fornecimento de uma tenso contnua, de valor mdio
varivel carga.
Entre diversas aplicaes de retificadores controlados, podemos destacar:
Controle de velocidade de motores CC por tenso de armadura varivel, nas indstrias
de ao e papel;
Fontes de tenso CC varivel para alimentao de inversores usados no controle de
motores de induo por variao de frequncia;
Controle de velocidade varivel para ferramentas eltricas portteis.

Entre os retificadores monofsicos e trifsicos estudados neste captulo, temos:
1. Retificador controlado monofsico de meia-onda;
2. Retificador controlado monofsico de onda completa;
3. Retificador controlado monofsico de onda completa em ponte;
4. Retificador semi-controlado monofsico em ponte;
5. Retificador controlado trifsico de meia-onda;
6. Retificador controlado trifsico de onda completa em ponte;
7. Retificador semi-controlado trifsico em ponte.

(A)
(B)
C
53
1.RETIFICADOR CONTROLADO MONOFSICO DE MEIA-ONDA

1.a) CIRCUITO e FORMAS DE ONDA

CIRCUITO
Figura 3.1 a) Circuito retificador controlado de meia onda.

FORMAS DE ONDA

Figura 3.2 a) Formas de onda para carga puramente resistiva
b)Formas de onda para carga indutiva

CARGA
60 Hz

C
54

1.b) TENSO MDIA NA CARGA

Carga puramente resistiva

) cos 1 (
2
o
t
+ =
Vmx
V
DC

Carga indutiva

) cos (cos
2
| o
t
=
Vmx
V
DC
, onde | = t + o e representa o ngulo
de corte do SCR, resultado do atraso da corrente na carga devido a ao da indutncia na
carga, como observado na figura 2.2b.

1.c) CIRCUITO COM DIODO DE CIRCULAO

Estrutura

Figura 3.3 Retificador monofsico de meia onda a SCR com diodo de circulao

Funcionamento

O circuito da figura 2.3 apresenta duas etapas de funcionamento distintas, conforme
mostra as figuras 2.4

a e 2.4b.

Figura 3.4 a) 1
a
etapa de funcionamento
b) 2
a
etapa de funcionamento

CARGA
60 Hz
L
R
60 Hz

i
L

(a)
L
R
60 Hz

i
L

(b)
C
55
FORMAS DE ONDA
(a) (b)
Figura 3.5 a) Formas de onda para um ngulo de disparo o pequeno
b)Formas de onda para um ngulo de disparo o elevado

C
56
Observa-se na figura 2.5 que o valor de o = 0, ou seja, o valor mdio da
tenso na carga, torna-se independente da carga. Desta forma, para uma dada carga
indutiva, o diodo de circulao provoca um aumento no valor mdio da tenso na carga, em
relao estrutura sem este diodo.

2.RETIFICADOR CONTROLADO MONOFSICO DE ONDA COMPLETA


CIRCUITO
Figura 3.6 a) Circuito retificador controlado de onda completa.

FORMAS DE ONDA
CARGA
60 Hz

Figura 3.7 Formas de onda do circuito retificador
controlado de onda completa.

C
57


) cos 1 ( o
t
+ =
Vmx
V
DC

Carga indutiva

) cos (cos | o
t
=
Vmx
V
DC
, onde | = t + o .

3.RETIFICADOR CONTROLADO MONOFSICO DE ONDA COMPLETA EM
PONTE


CIRCUITO

Figura 3.8 Circuito retificador controlado de onda completa em ponte.

CARGA
60 Hz
C
58
FORMAS DE ONDA

Figura 3.9 Formas de onda do circuito retificador de onda completa em ponte.

C
59


) cos 1 ( o
t
+ =
Vmx
V
DC

Carga indutiva

) cos (cos | o
t
=
Vmx
V
DC
, onde | = t + o .

Observa-se do ponto de vista funcional que como necessrio os pulsos de disparo
simultneos dos SCR 3 e SCR 4 ou SCR 1 e SCR 2, aconselhvel que os pulsos
aplicados a estes SCRs provenham de um mesmo circuito, portanto importante que
tenham os transformadores de pulso com dois enrolamentos secundrios.
Este circuito apresenta vantagens sobre o circuito anterior devido ao melhor
aproveitamento da tenso de sada do transformador, pois este aproveita todo o
enrolamento secundrio, j que o outro s aproveita a metade.
Verifica-se tambm neste circuito que o comportamento da corrente de sada no
senoidal, isto ocorre devido ao processo de chaveamento do SCRs, fazendo com que a
mesma se torne contnua pulsante. Este fato evidencia um problema bastante discutido hoje
na escala industrial, que a injeo de harmnicos na rede.

4.RETIFICADOR SEMI-CONTROLADO MONOFSICO EM PONTE


CIRCUITO
Figura 3.10 Circuito retificador semi - controlado em ponte.

CARGA
60 Hz
C
60
Funcionamento

O circuito da figura 2.11 apresenta quatro etapas de funcionamento distintas,
conforme mostra as figuras 3.11a, 3.11b,3.11c e 3.11d.

Figura 3.11 Etapas do funcionamento da ponte mista com carga R-L :
a) 1
a
etapa - o s wt s t
b) 2
a
etapa - t s wt s t + o
c) 3
a
etapa - t +o s wt s 2 t
d) 4
a
etapa - 0 s wt s o

SCR2
D2
L
R
SCR1
D1
60 Hz

b)
SCR2
D2
L
R
SCR1
D1
60 Hz

a)
SCR2
D2
L
R
SCR1
D1
60 Hz

d)
SCR2
D2
L
R
SCR1
D1
60 Hz

c)
C
61
FORMAS DE ONDA

Figura 3.12 Formas de onda do circuito retificador controlado de onda completa em
ponte, sem diodo de retorno

C
62

Carga puramente resistiva e carga indutiva

) cos 1 ( o
t
+ =
Vmx
V
DC

O retificador semi-controlado, apresenta algumas vantagens e desvantagens com
relao ao controlado. Entre as vantagens, possvel citar a economia de componentes
diante da substituio de SCRs por diodos semicondutores, e quanto as desvantagens a
no possibilidade deste conversor ser utilizado na operao como inversor . Uma outra
desvantagem que ele apresenta, uma maior distoro na corrente de sada devido aos
trechos em que a mesma se anula, como pode ser verificado na figura 2.12.

4.c) CIRCUITO COM DIODO DE CIRCULAO

Estrutura

Figura 3.13 Circuito retificador semi - controlado em ponte com diodo de circulao.

Funcionamento
O circuito da figura 2.14 apresenta a atuao do diodo de circulao no circuito em
questo.

Figura 3.14 Circuito retificador semi - controlado em ponte com diodo de circulao.

CARGA
60 Hz
DR
D2
D4
SCR3
SCR1
CARGA
60 Hz
C
63
O diodo D4 ao ser diretamente polarizado em wt = t, o mesmo aplica uma tenso
reversa em D2 que bloqueia . Dessa forma a corrente passa a circular por D4 e SCR1,
mantendo a tenso na carga nula. Perceba que na verdade ocupamos um SCR acionado,
atrasando seu estado de bloqueio. E o que este processo tem haver com o diodo de
circulao, tambm chamado de diodo de retorno ?
Ao inserirmos um diodo de retorno em paralelo com a carga, proporcionamos um
caminho preferencial, chegando a conduzir antes do diodo D4, permitindo assim que o
SCR1 reassumia sua condio de bloqueio antes do disparo de SCR3.

Formas de onda

Figura 3.15 Formas de onda do circuito retificador controlado de onda completa em ponte,
com diodo de retorno.

C
64

RETIFICADORES CONTROLADOS MONOFSICOS

1)Explique a principal funo de um conversor CA-CC(Retificador controlado)
2)Cite algumas aplicaes dos conversores CA-CC
3)Explique a funo do diodo de retorno no circuito abaixo

4)Responda o que acontece com a tenso mdia sobre a carga quando o diodo de retorno retirado do circuito
do iten (3)
5)Responda em qual dos circuitos abaixo, obtm-se maior valor de tenso mdia na carga.
6)Cite uma vantagem do circuito retificador de onda completa sobre os demais anteriores.
7)Cite uma desvantagem e uma vantagem do circuito retificador semicontrolado em ponte sobre o circuito
retificador controlado tambm em ponte

5.RETIFICADOR CONTROLADO TRIFSICO DE MEIA-ONDA


CIRCUITO

Figura 3.16 Circuito retificador controlado trifsico de meia onda.

VC
VB
carga
VA
SCR
3
SCR
2
SCR
1
I
0
CARGA
60 Hz
CARGA
60 Hz
CARGA
60 Hz
C
65
FORMAS DE ONDA

Figura 3.17 Formas de onda do circuito retificador trifsico controlado de meia onda.


Carga indutiva

o
t
cos
2
3 3 Vmx
V
DC
=

Neste caso, para dimensionarmos os dispositivos semicondutores utilizamos a
relao que segue:

ef DRMx
v V 2 3 =

C
66
6. RETIFICADOR CONTROLADO TRIFSICO DE ONDA COMPLETA EM
PONTE


CIRCUITO

Figura 3.18 Circuito retificador controlado trifsico de onda completa em ponte.

FORMAS DE ONDA

Figura 3.19 Formas de onda do circuito retificador trifsico controlado de onda completa
em ponte.

2
5 3
6 4
VC
VB
carga
1
VA
C
67


Carga indutiva

o
t
cos
3Vmx
V
DC
=

7. RETIFICADOR SEMI-CONTROLADO TRIFSICO EM PONTE


CIRCUITO

Figura 3.20 Circuito retificador semi - controlado trifsico em ponte.

FORMAS DE ONDA

Figura 3.21 Formas de onda do circuito retificador trifsico semi-controlado.

4 2 6
5 3
VC
VB
carga
1
VA
C
68


Carga indutiva

) cos 1 (
2
3
o
t
+ =
Vmx
V
DC

Captulo IV
CIRCUITOS CONVERSORES CC-CC E COMUTAO CC

1. CIRCUITOS CONVERSORES
H diversas aplicaes industriais que se utilizam de uma fonte de alimentao
contnua para obter tenso CC varivel, como por exemplo na aplicao de veculos de
trao, acionados por motores CC. Para que estas aplicaes sejam possveis, preciso
utilizar conversores CC chamados de conversores Chopper. O circuito destes conversores
mostrado na figura abaixo.

Figura 4.1 Circuito bsico chopper.

A idia de funcionamento deste circuito est baseada na aplicao ou no de tenso
carga, segundo o fechamento e abertura, respectivamente da chave CH. Porm a
continuidade de corrente atravs da carga percebida atravs do diodo de retorno DR,
quando a chave CH mantm-se aberta.
Podemos assim resumir o comportamento da tenso na carga, atravs do grfico
mostrado na figura 4.2

Figura 4.2 Forma de onda na carga
CH
carga
DR
+
V
V
0
t
ON
V

t

t
OF
C
69

A partir ento deste grfico, definimos ento o valor mdio da tenso na carga, que
dado por:

f T V
T
T V
V
ON
ON
DC
= =

Atravs desta expresso, observamos que possvel variarmos o valor mdio na
carga( V
DC
) de trs maneiras diferentes:

1. Variando T
ON
e mantendo o T constante, tambm chamado controle por largura
de pulso ou MLP(Modulao por Largura de Pulso)
2. Mantendo T
ON
ou T
OF
constante e variando T, ou seja, modulao em
frequncia.
3. Variando T
ON
e T.

1. Modulao por Largura de Pulso(MLP)
Figura 4.3 Controle MLP

Neste controle e a partir da expresso da tenso mdia( v
dc
), observa-se que
mantendo a frequncia constante, basta aumentarmos ou diminuirmos a largura do
pulso para que tenhamos um aumento ou diminuio no nvel mdio de tenso na carga.

V
0
t
ON
t
ON
T

T

t

t

V
0
V

V

C
70
2. Modulao em freqncia
Nesta modulao, T
ON
ou T
OFF
so mantidos constantes enquanto a frequncia f
varivel, como ilustra a figura 4.4

Observa-se que o emprego desta modulao dificulta o projeto de filtros para aliviar
possveis interferncias devidas ao chaveamento, devido a variao de frequncia
apresentada.

3. Variao de T
ON
e T

V
0
t
ON
T

T

t

t

V
0
V

V

t
ON
V
0
t
OF
T

T

t

t

V
0
V

V

t
OF
Figura 4.4 Controle de modulao em
frequncia
Figura 4.5 Controle com t
OF
fixo

C
71
Este tipo de controle evidencia a variao da frequncia f, o que implica como no
caso anterior, em dificuldade para projeto de filtros. A figura 4.5 ilustra este tipo de
controle.
Dentre estas tcnicas, a tcnica de modulao mais utilizada a modulao por
largura de pulso devido a mesma apresentar vantagens sobre os outros nas quais foram
identificados problemas quanto a variao da frequncia no que se diz respeito a
dificuldades do projeto de filtros.

Para o controle de tenso aplicada carga, discutido anteriormente, o emprego de tcnicas
tradicionais como por exemplo, a insero de uma resistncia varivel entre a fonte e a
carga, como mostra o circuito da figura 3.6, era bastante utilizado, at que, com o advento
dos semicondutores, este modo de controle vem sendo substitudo por chaves estticas
( SCR ) para o caso de correntes elevadas, transistores ( para o caso de correntes baixas ).

Figura 4.6 Obteno da tenso CC desejada atravs da variao de uma
resistncia.
O mtodo tradicional ainda hoje utilizado e que implica na colocao de uma
resistncia em srie com a carga, torna-se insuficiente devido ao excedente de potncia ser
dissipado na resistncia sob forma de calor, o que acarreta em perdas de energia. Enquanto
nos circuitos chopper dotados de chave esttica, observa-se uma maior eficincia, pois
quando a carga no consome energia(chave aberta) o circuito no est consumindo
tambm. A figura 4.6 ilustra um circuito chopper com um SCR como chave.

Figura 4.6 Obteno da tenso CC desejada atravs da variao de uma
resistncia.

CARGA
RV
+
V
DR
carga
+
V
C
72
2.CIRCUITOS DE COMUTAO PARA SCR

Quando se utiliza um SCR como chave em um circuito chopper importante
lembrarmos que em tenso contnua, o SCR ao ser disparado mantido conduzindo, ou
seja, o mesmo no bloqueia, j que a corrente no se anula. E agora, caro leitor? Como
desenvolvermos o controle deste circuito atravs desta chave esttica?
Pois , caro leitor, este tipo de circuito no apenas necessita de um circuito de
disparo pra o SCR, mas tambm um circuito que proporcione o seu bloqueio. Este circuito
ento chamado de circuito de comutao.
O processo de comutao se baseia em fazer com que a corrente de manuteno em
um SCR, torne-se menor que o mnimo solicitada pelo mesmo, bloqueando-o
Os mtodos utilizados na comutao de um SCR so divididos em duas categorias:

1.Comutao Natural;
2.Comutao Forada.

O processo de comutao natural aquele que ocorre quando a alimentao da fonte
CA, onde a corrente do tiristor passa naturalmente por zero e uma tenso reversa aparece
sobre o mesmo.
O processo de comutao forada um processo artificial que tende a fazer com que
a corrente direta do tiristor seja forada atravs de um circuito dedicado, chamado circuito
de comutao.

CIRCUITOS DE COMUTAO

1. CIRCUITO DE COMUTAO FORADA POR CAPACITNCIA EM
PARALELO.
A figura 4.7 mostra o circuito de comutao deste tipo.
1.1 Circuito

Figura 4.7 Circuito de comutao forada

SCRa
R1
RL
C1
SCRp
+V
C
73
1.2 Princpio de funcionamento
A figura 4.8 mostra a sequncia de estados de funcionamento deste circuito.
I II III

Observa-se que no estgio II, o SCR( SCR principal ) disparado, carregando o
capacitor C
1
atravs do SCR
P
e de R
1
.
No estgio III, revela-se ento o corte do SCR
P
, disparando o SCR auxiliar( RCS
A
),
colocando-se ento o capacitor C
1
em paralelo com o SCR
P
, polarizando-o reversamente,
Levando ento o componente ao corte.
Quando o SCR
P
novamente disparado, retorna-se ao estgio II e o ciclo se repete.
A desvantagem deste circuito est no consumo de potncia perdido no resistor R
1
,
enquanto o SCR principal( SCR
P
).

2. CIRCUITO DE COMUTAO FORADA POR RESSONNCIA
AUXILIAR (REDE LC )

2.1 Circuito

SCRa
R1
RL
C1
SCRp
+V
SCRp
SCRa
R1
RL
C1
+V
+
-
SCRp SCRa
R1
RL
C1
+V
-
+
Figura 4.8 Sequncia de funcionamento do processo de comutao forada: Estgios I,II
e III

SCRp
L1
D1 SCRa
C1
+V
RL
C
74
2.2 Princpio de funcionamento

- I - - II - - III -

3.31 Sequncia de funcionamento do processo de comutao forada: Estgios I,II
e III

Inicialmente, tem-se no estgio II o disparo do SCR
A
, e o capacitor C
1
carregado
atravs de RL e SCR
A
, levando o SCR
A
naturalmente ao bloqueio, devido a sua polarizao
reversa. Em seguida o SCR
P
disparado e o capacitor C
1
fica praticamente em paralelo
com L
1
e D
1
.
Enquanto o SCR
P
conduz, o capacitor C
1
lana sua energia sobre o indutor L
1
, e
quando o mesmo energizado lana sua energia de volta ao capacitor, s que nesta
condio a polaridade da tenso no capacitor torna-se oposta ao apresentada no estgio II,
tem-se ento o estgio III.
No estgio III ocorre o bloqueio ento do SCR
P
, pois o mesmo polarizado
reversamente quando o SCR
A
disparado, fecha-se ento o ciclo. Observa-se tambm neste
estado que o capacitor, polarizado de forma como est, no troca energia com o indutor L
1
,
pois o diodo D
1
polarizado inversamente, impedindo tal feito, e assim uma oscilao
permanente entre o capacitor e o indutor.
Observa-se neste circuito que no haver dissipao de potncia, como no circuito
anterior, pois basta que seja disparado o SCR
A
para que o capacitor C
1
fique em paralelo
com o SCR
P
, levando-o ao corte.

Captulo V
CONVERSO DE FREQUNCIA

Neste captulo ser discutido o princpio de funcionamento de circuitos inversores
bem como citado algumas de suas aplicaes. Tambm ser abordado o funcionamento de
circuitos cicloconversores, bem como aplicaes envolvendo o mesmo.

SCRp
L1
D1 SCRa
C1
+V
RL
SCRp
L1
D1 SCRa
C1
+V
RL
+
-
SCRp
L1
D1 SCRa
C1
+V
RL
+
-
C
75
1.INVERSORES
Figura 5.1 Circuito inversor monofsico

Os circuitos inversores fazem a converso CC-CA, e so os grandes responsveis
pela automao industrial, no que se diz respeito ao controle de velocidade das mquinas de
corrente alternada, promovendo a possibilidade de variao de frequncia e amplitude da
corrente produzida.
Devido ao motivo de sua frequente utilizao para variao de frequncia, tambm
so denominadas de conversores estticos de frequncia, utilizados normalmente no
estgio intermedirio CA/CC.
Dentre as aplicaes deste circuito podemos citar as seguintes:
a) Controle de velocidade de motores de induo;
b) Transmisso de energia por CC;
c) Sistema de alimentao de emergncia;
d) Trao eltrica.

1.1 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO
Utilizaremos uma ponte inversora monofsica para que o leitor possa entender
melhor a idia de funcionamento de um circuito inversor, e mais tarde, a mesma ser
aplicada aos circuitos inversores trifsicos.
Considere o inversor monofsico, como mostra a figura 4.1alimentando uma carga
RL.

- I - - II -

Figura 5.2 Circuito inversor com corrente invertida na carga: Estgios I e II

S4
S3
S2
S1
RL
V
+
V-
S4
S3
S2
S1
RL
V
+
V
-
S4
S3
S2
S1
RL
V
+
V
-
C
76
O seu funcionamento se resume nos estgios I e II, como mostra a figura 4.2
Observando a figura 5.2, fcil verificarmos que possvel alterarmos a
polaridade nos terminais da carga atravs do acionamento conveniente de chaves(S
1
, S
2,
S
3
e
S
4
), dessa forma, o inversor alimentado atravs de um barramento CC, cuja tenso seja V,
obtm-se uma sada como mostra a figura 5.3

Figura 5.3 Forma de onda na sada do inversor

Verifica-se que a tenso contnua no barramento CC transformada em uma
tenso alternada, cuja frequncia determinada pela frequncia de chaveamento das
chaves e a amplitude da tenso na carga depende de tenso aplicada a entrada do
inversor.
Com o advento dos semicondutores, na verdade estas chaves so substitudas
por chaves estticas(SCR e transistores) por exemplo, com obteno dos mesmos
resultados.
Substitumos ento as chaves mecnicas por SCRs. preciso que sejam
levados em conta o circuito de disparo e o circuito de corte destes
dispositivos(circuitos de comutao), a fim de que possamos sincronizar os disparos
para obtermos os resultados desejados. O circuito inversor monofsico com SCRs
mostrado na figura 5.4

Figura 5.4 Inversor com ponte de SCRs

V
RL
V
t
-V
T
+
V
SCR4
SCR3
SCR2
SCR1
RL
C
77
Para que este circuito funcione perfeitamente, necessrio um circuito de
disparo para acionar os SCRs 1 e 4 e tambm um circuito de corte para realizar o
desligamento destes SCRs quando for feito o disparo dos SDCRs 2 e 3, pois caso
os SCRs de um mesmo brao conduzirem, haver um curto-circuito na fonte.
Os circuitos com transistores comuns apresentam uma vantagem sobre os
SCRs em relao sua facilidade de corte, pois ao se retirar o sinal aplicado base,
o mesmo deixa de conduzir.
Hoje so utilizados os transistores bipolares de gatilho isolado( IGBTs ) por
apresentarem caractersticas que se adaptam ao uso de frequncias elevadas, assim
como correntes elevadas, solicitadas nos inversores de potncia.

1.2 - INVERSORES TRIFSICOS
A figura 5.5 mostra a configurao do circuito inversor trifsico.
Figura 5.5 Inversor trifsico com ponte de SCRs

Os dispositivos so numerados e disparados em uma ordem tal que passam a
produzir tenses numa sequncia de fases positiva, V
AB
, V
BC
e V
CA
. Para o caso de
uma carga ligada em tringulo, so estas as tenses de interesse. A figura 5.6 mostra
o esquema de ligao da carga e a figura 5.7 as formas de onda assim nela aplicada.

+
SCR2
SCR5
D6
D5
D4
D3
D2
SCR6
SCR4
SCR3
D1
+
SCR1
C
78

Ligando-se uma carga em estrela, j contamos com as tenses fase-neutro
como as de menor interesse. A figura 5.8 mostra o esquema desta ligao assim
como o circuito equivalente aps o disparo de uma das combinaes das chaves e o
respectivo comportamento das tenses fase-neutro.

Figura 5.6 Conexo em tringulo

Figura 5.7 Formas de onda da sada do inversor
trifsico em ponte.

C
79

Figura 5.8 Conexo em estrela

Figura 5.9 - circuitos equivalentes

Figura 5.10 Formas
de onda das tenses
de fase na sada do
inversor trifsico

Figura 5.11 (a)Formas de onda de tenso de fase na sada do inversor trifsico
(b)Forma de onda da corrente de fase na sada do inversor trifsico

(a)
(b)
C
80

Entendido ento o comportamento do inversor trifsico na alimentao de
cargas resistivas, a questo , e no caso do inversor estar alimentando uma carga
indutiva?
Se a carga fosse indutiva, caro leitor, sabido que haver um atraso da
corrente em cada ramo do inversor, logo teramos um comportamento mostrado na
figura 5.11.

Observe que a corrente aplicada em uma das fases da carga, mostrada na
figura 5.11b quase senoidal, pois apresenta distoro devido ao chaveamento.

2. CICLOCONVERSORES

Cicloconversor um circuito capaz de converter um sinal CA de frequncia
fixa em outro CA cuja frequncia varivel. Um circuito tpico de um
cicloconversor mostrado na figura 5.12

Observa-se que este circuito formado por uma associao de dois
grupos retificadores monofsicos de onda completa com derivao central.
Os tiristores 1 e 2 formam o primeiro grupo, chamado de grupo positivo do
cicloconversor, e os tiristores 3 e 4 formam o segundo grupo, chamado de grupo
negativo do cicloconversor.
RL
60 Hz
SCR4
SCR2
SCR3
SCR1
Figura 5.12 Cicloconversor monofsico
RL
60 Hz
SCR4
SCR2
SCR3
SCR1
C
81

2.1 -PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO

Dado o sinal de sada do transformador V
E
, os tiristores 1 e 2 so disparados
durante um nmero inteiro de semiperodo da tenso de alimentao V
E
e em
seguida, faz-se o mesmo com os tiristores 3 e 4, repetindo o ciclo. A figura 4.13
mostra o comportamento da forma da tenso na carga.

Observe que o resultado deste controle de disparos a aplicao de dois
semiciclos positivos e dois semiciclos negativos a carga, aumenta o perodo do sinal
de tenso em duas vezes, o que implica em reduzir a frequncia pela metade.

2
E
S
f
f =

A partir desta idia de controle dos SCRs, possvel reduzirmos a 1/3 e at
mais, a frequncia da tenso V
E
. Basta dispararmos os SCRs 1 e 2 em nmeros de
ciclos positivos e 3 e 4 em nmeros de ciclos negativos iguais a frao em que se
deseje dividir a frequncia.
A figura 5.14 mostra o sinal de tenso V
E
reduzido a 1/3 e ou 1/5 de sua
frequncia, segundo o disparo sincronizado dos SCRs.

Figura 5.14 Sinal de sada de um cicloconversor com 1/3 e 1/5 da frequncia do sinal de
entrada
Verifica-se ento que atravs deste processo possvel convertermos um
sinal CA de frequncia fixa em um sinal CA de frequncia varivel. Este processo
realizado da forma como mostrado nas figuras 5.13 e 5.14, onde os SCRs so
disparados em o = 0, provocam um contedo harmnico elevado e indesejvel na
tenso de sada. E assim para que seja evitado harmnicos de baixa ordem com
amplitude elevada, disparam-se os SCRs com o = 0 e preferencialmente varivel.
Esta variao do ngulo o melhor aplicada tomando como referncia o
valor de amplitude do sinal AC, ou seja, quanto maior a amplitude, menor o ngulo
o, e quanto menor a amplitude, maior o ngulo o, como mostra a figura 5.15

Figura 5.13 Sinal de sada de um cicloconversor com metade da freqncia
do sinal de entrada

C
82

Figura 5.15 Forma de onda na sada de um cicloconversor com o varivel

Os cicloconversores trifsicos so bastantes utilizados no controle de
velocidade de motores de alta potncia e baixa velocidade.
A figura 5.16 mostra a configurao de um circuito cicloconversor assim
como a converso de uma forma de onda da tenso de sada para uma de frequncia
3(trs) vezes menor que a frequncia de alimentao.

Figura 5.16 Circuito cicloconversor trifsico

Figura 5.17 Forma de onda de tenso na sada de um cicloconversor trifsico

C
B
A
CARGA
SCR6
SCR5
SCR4
SCR2
SCR3
SCR1

C
83

3 O INVERSOR DE FREQNCIA ( TPICOS GERAIS)

3.1 O INVERSOR POR DENTRO

3.2 MANDAMENTOS DA INSTALAO DO INVERSOR

Cuidado! No inverter a sada trifsica com a entrada de rede trifsica
Conecte o aterramento tanto ao inversor como ao motor
O valor do aterramento nunca deve ser maior que 5 Ohms
Deve-se evitar ao mximo misturar (em um mesmo eletroduto ou canaleta)
cabos de potncia com cabos de comando e sempre que possvel usar
cabos de comando blindado.

3.3 DIMENSIONAMENTO DE UM INVERSOR

? COMO POSSO SABER: QUAL O MODELO, TIPO, E POTNCIA
DO MEU INVERSOR PARA A MINHA APLICAO?

-POTNCIA DO INVERSOR

EXEMPLO: REDE ELTRICA = 380VCA
MOTOR = 1HP
APLICAO = EXAUSTOR INDUSTRIAL

-

~
RS 485
A
DIN
C

P

U

-

M

Interface
Serial
0 10 Vcc
Analgico
I/O Digital

REDE
D
I
H
M

~
-
~
~
C
84

CLCULOS:
Temos que o motor possui 1HP = 746W
Cos | = 0,80(Fator de potncia do inversor)

(CI = Corrente do Inversor)
amperes

Logo o inversor dever Ter :
-Tenso de entrada : 380Vca
-Corrente Nominal: 2,5A

-TIPO DO INVERSOR

Escalar, pois trata-se de um exaustor.

Obs:
- Seria Vetorial em duas ocasies: Extrema preciso de rotao,
torque elevado para rotao baixa ou zero(Guindastes, pontes rolantes, elevadores, etc...)

- TCNICAS DE CONTROLE
Aplicaes tpicas do inversor com controle vetorial
Torque elevado com baixa rotao ou rotao zero
Controle preciso de velocidade
Torque regulvel, como trao eltrica

Aplicaes tpicas do inversor com controle escalar
Partidas suaves
Operao acima da velocidade nominal do motor
Operaes com constantes reverses

C
85

BIBLIOGRAFIA

Lander,Cyril W. Eletrnica industrial: Teoria e aplicaes. So Paulo. McGraw-Hill, 1988;
Almeida, J.L.A. Eletrnica industrial. So Paulo: rica, 1991;
Almeida, J.L.A. Eletrnica de potncia. So Paulo: rica, 1991;
Almeida, J.L.A. Dispositivos semicondutores: Tiristores, controle de potncia CC e CA. So Paulo.
rica, 2001;
Rashid, Muhammad H. Eletrnica de potncia: Circuitos, dispositivos e aplicaes. So Paulo.
Makron Books, 1999;
Alves, Edna Andrade. Eletrnica industrial: Anlise de dispositivos e suas aplicaes. Bahia.
Empresa Grfica da Bahia. 1996;
Saites consultados:
o www.ir.com
o www.motorola.com
o www.dee.feis.unesp.br
o www.semikron.com.br
Revista consultada:
o Saber eletrnica

Circuitos de Dispositivos Semicondutores

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