CUESTIONARIO DE TRABAJO DEL TEMA 3

EL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

1. Describe y comenta brevemente la estructura fsica tpica de un BJT PNP enfatizando
las diferencias entre los terminales de colector y emisor y las consecuencias que tiene
esto en la zona de operacin activa e inversa del transistor.

El transistor bipolar es un dispositivo formado por
tres regiones semiconductoras, entre las cuales se
forman unas uniones (uniones PN). En la figura,
observamos el aspecto util para analisis de un
transistor bipolar. Siempre se ha de cumplir que el
dopaje de las regiones sea alterno, es decir, si el
emisor es tipo P, entonces la base sera tipo N y el
colector tipo P. Esta estructura da lugar a un
transistor bipolar tipo PNP. Si el emisor es tipo N,
entonces la base sera P y el colector N, dando
luga a un transistor bipolar tipo NPN.

2. Describe en forma resumida las zonas de operacin del BJT y sus principales
caractersticas.
En el transistor BJT se reconocen 3 regiones de operacin :

Activa: Esta regin de
operacin se considera de
corriente constante, se cumple
aproximadamente la relacin:
Ic = hFE . Ib
(En la cual hFE es la ganancia
de corriente continua y depende
de la construccin del
transistor.)
Aunque en la prctica Ic vara
levemente para diferentes
valores de Vce, para esta regin
se puede pensar que: la
corriente Ic es una versin amplificada de la corriente Ib. [Zona Lineal]

Saturacin: Si Vce es demasiado pequeo, Ic ya no es proporcional a Ib, es decir, aunque
Ib aumente, Ic no sigue ese crecimiento Ic < hFE . Ib
La tensin Vce permanece prcticamente constante en un valor llamado Vsat, para esta
regin se puede pensar que: entre colector y emisor, el transistor trabaja como una llave
cerrada. [Zona No lineal]

Corte: Cuando Ib es muy pequea o nula, implicar adems Ic = 0.
Lo que equivale a decir que no hay conduccin entre colector y emisor.
En esta regin se puede pensar que: entre colector y emisor, el transistor trabaja
como una llave abierta. [Zona No lineal]

3. Dibuja un esquema con las corrientes que circulan por un BJT PNP polarizado en
zona activa y describe la naturaleza de cada uno de los componentes de las
intensidades del emisor, base, colector.



El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los
voltajes y corrientes son opuestos a los del transistor NPN.

Para encontrar el circuito PNP complementario:
1. Se sustituye el transistor NPN por un PNP.
2. Se invierten todos los voltajes y corrientes.


4. Considerando un BJT PNP operando en el extremo de la zona de saturacin (I
c
> 0),
(V
EB
>V
CB
), repite el ejercicio anterior.



5. Repite el ejercicio anterior para un BJT PNP operando en la zona de corte.




6. Explica por que en un BJT PNP la corriente I
BC0
no tiene componente apreciable de
corriente de huecos de la base hacia el colector.



7. Describe lo que se conoce como efecto transistor de forma detallada, basndote en
las corrientes circulantes por un BJT PNP polarizado en zona activa.

Supongamos que polarizamos directamente el diodo base-emisor e
inversamente el diodo base-colector. Por el diodo b-e pasar corriente, y como
conduce, su voltaje se mantendr alrededor de 0.7v (como los diodos tienen
una resistencia muy baja, en el momento empiezan a conducir, se comportan
como si fueran pilas, por lo que su voltaje no cambia mucho de 0.7 a pesar de
que su intensidad pueda cambiar mucho).

En el colector, puede haber un voltaje cualquiera siempre que polarice en
inversa la unin base-colector. (en el caso del NPN, el colector tiene que ser
ms positivo que "base-0.7V").

Ahora bien. supongamos que entra un electrn por la base y sale por el emisor
(el diodo base-emisor se encuentra polarizado en continua y permite que pase
ese electrn). Los electrones que se encuentran en la barrera de base-colector
no pueden pasar hacia la base, porque dicha unin no se lo permite al estar
polarizada en inversa. Sin embargo, como la regin de base es tan delgada,
"varios electrones del colector consiguen saltar al emisor, animados por el
electrn que pasaba por la base".

Es como si el electrn de base fuera un barquero que pudiera llevar a varios
electrones desde el colector al emisor, y cuando llegaran a l, todos
abandonaran el barco.

Supongamos que un electrn que pasa de la base al emisor anima a 10
electrones del colector que pasen al emisor. As, tenemos una relacin 10 a
uno. Si pasaran 100 electrones por la base, pasaran 1000 por el colector. Si
"cada segundo" pasaran 100 electrones por la base, cada segundo pasaran
1000 electrones por el colector. Por el emisor pasarn todos juntos para salir
del transistor, por lo que en el ltimo caso, cada segundo pasarn 1100
electrones por el emisor, 1000 que vienen del colector y 100 de la base.

Pero qu son esos electrnes por segundo? si dijramos una docena de
electrones por segundo? y si dijramos un culombio de electrones por segundo?
(un culombio es una cantidad, como una docena de cosas, pero con un nmero
muy grande). Pues un culombio de electrones por segundo es la definicin de
corriente, y es igual a un amperio. Por lo que si decimos que por la base pasa
1mA (miliamperio), significa que pasa cada segundo la milsima parte de un
culombio de electrones.

8. Define los coeficientes factor de transporte de la base (
T
) y eficiencia de
inyeccin () de un BJT polarizado en zona activa, indicando los parmetros fsicos
del transistor de los que dependen y cuales son sus valores mximo y mnimo.

El factor de transporte de la base se define como la relacin entre la corriente de huecos que
se difunde atraves de la unin de colector y la corriente huecos inyectada atraves de la
unin de emisor, esto es:

La eficienci del emisor, , se define como la proporcin de la corriente de huecos inyectada
en la unin de emisor en relacin a la corriente total de emisor:


9. Consideremos un BJT PNP en equilibrio trmico con N
E
= 5*10
17
cm
-3
, N
B
=10
15
cm
-3
y
N
C
= 10
14
cm
-3
. (n
i
= 10
10
cm
-3
; kT =0.026 eV)

a) Traza el diagrama de bandas de energa e indica las posiciones de los niveles de E
C

y E
V
con respecto a E
F
en cada regin (en unidades kT)
b) Representa las densidades de carga y calcula los campos elctricos mximos.
c) Dibuja la curva de potencial considerando que este es nulo en la regin de emisor.
d) Calcula la diferencia de potencial interno entre el emisor y el colector.

10. Consideremos el transistor del problema anterior con una polarizacin de V
EB
= 0.5 V
y V
CB
= -2 V.

a) Representa el diagrama de bandas de energa con respecto al diagrama de
equilibrio trmico.
b) Cual es la barrera de potencial para la difusin de huecos desde el colector
hacia la base?.
c) Cual es la barrera de potencial para la difusin de huecos desde el emisor hacia
la base?

11. Para un BJT PNP con I
Ep
= 1mA, I
En
= 0.01 mA, I
Cp
= 0.98 mA e I
Cn
= 0.1 A, calcula:
a) El factor de transporte de la base.
b) La eficiencia de inyeccin de emisor.
c)
CC
y
CC
y el valor de I
B

d) I
BC0
e I
EC0

e) Si I
Cp
= 0.99 mA, calcula
CC
e I
B

f) Si I
En
= 0.005 mA, calcula
CC
e I
B

g) Cmo cambiaria
CC
si aumenta I
En
?

12. Si el transistor del ejercicio 9 tiene una longitud de la base metalrgica de W
BB
= 2m:
a) Cul es la longitud W de la zona casi neutra de la base?
b) Cul es la tensin inversa mxima que puede aplicarse a la unin base-
colector? (Suponiendo V
BE
= 0V)

13. Un BJT PNP tiene una longitud de base W mucho menor que la longitud de difusin
de sus portadores minoritarios. Deduce una ecuacin que calcule la eficiencia de
inyeccin de emisor para VCB = 0 y suponiendo que todas las uniones son abruptas y
que los dopados de las tres regiones son uniformes. Cmo afecta a cc una
disminucin de la longitud de la base?

14. Indica la relacin que debe existir entre VEB y VCB para que en un B.J.T. que opera
en zona de saturacin se verifique:
a) IE = 0
b) IC = 0

15. Comenta brevemente el modelo de circuito de Ebers-Moll del BJT PNP resaltando las
diferencias entre el BJT y dos diodos en serie con el ctodo comn. Cul de los dos
parmetros, F o R, es mayor ?. Raznalo en base a sus expresiones algebraicas.

El transistor se fundamenta en:

Se puede expresar su funcionamiento mediante el siguiente modelo equivalente:

V
BE'
= Es la tensin entre los extremos de la zona de deplexin de la unin BE.
Cuando esta tensin es mayor que aproximadamente 0,7 V, el emisor inyecta un
gran nmero de electrones en la base.

cc
= La corriente del diodo de emisor controla la corriente de colector. Por esta
razn la fuente de corriente de colector obliga a que fluya una corriente
cc
I
E
en el
circuito de colector.
Luego se podran hacer aproximaciones:

cc
= 1 lo que implica que I
C
= I
E

r
b'
= 0 un cortocircuito
etc...
Donde F es mayor que R. Ya que F es un valor muy cercano a 1, siendo este el
valor mas grande.
16. Calcula IBC0 en funcin de los coeficientes de Ebers-Moll.



17. Calcula IEC0 en funcin de los coeficientes de Ebers-Moll. Obtn la relacin entre
IBC0, IEC0 y cc.

18. Explica por qu la corriente IEC0 es mayor que IBC0.


19. Considrese un BJT ideal con los siguientes parmetros:
nE0 = 2,56 10 2 cm-3 pB0 = 6,39 103 cm-3 nC0 = 4,92 105 cm-3
LE = 22,8 10-4cm LB = 46,9 10-4 cm LC = 39,5 10-4 cm
DE = 5,18 cm2s-1 DB = 22 cm2s-1 DC = 15,6 cm2s-1
W = 4 m
a) Calcula IEn, IEp, IE, ICn, ICp e IC
b) Calcula IB1 e IB3. Qu porcentaje de IB total es IB3 ?
c) Calcula , cc y cc. 3

20. Si en el problema anterior se reduce la longitud de la base a la mitad, 2 m:
a) Calcula los nuevos valores de cc y cc.
b) Calcula el nuevo valor de IEp y compralo con su valor original.
c) Cmo afect este cambio a la eficiencia de inyeccin de emisor ?

21. Para el transistor del ejercicio 18, calcula sus coeficientes de Ebers-Moll y analiza la
caracterstica I-V de salida en emisor comn desde la regin activa hasta la de
saturacin profunda, con IB = 2 A, representando IC en funcin de VEC para los
siguientes valores de VCB:
a) VCB = -1 V b) VCB = 0 V c) VCB = + 0,45 V
Qu se puede decir sobre el valor de polarizacin directa en VCB necesaria para
reducir significativamente IC desde su valor en la regin activa ?.

22. Considera un transistor ideal en el que se ha reducido drsticamente la longitud (WE)
del emisor, de forma que WE << LE. Teniendo en cuenta que, debido al contacto
metlico de emisor, el incremento de portadores minoritarios en su extremo es nulo
(n (x= WE) = 0) y considerando que el transistor est en zona activa, calcula:
a) La componente IEn de la corriente de emisor y la corriente total de emisor.
b) La eficiencia de inyeccin.
c) El valor de cc. Es mayor o menor que la de un transistor con espesor de emisor
grande ?.
d) Si se aade una capa de polisilicio entre el emisor y el contacto metlico con un
grosor mucho mayor que LE, se verifica que n (x= WE) = K. Calcula para este
nuevo dispositivo IEn, IE y cc. Cmo vara el valor de este ltimo parmetro en
comparacin con el del transistor descrito anteriormente ?.
23. Consideremos un BJT PNP con recombinacin en la base, cuya longitud es W. Si W
es mucho mayor que LB:
a) Describe cmo se comportara el dispositivo.
b) Qu ecuaciones de IE, IC e IB describiran el comportamiento del dispositivo ?.
24. Consideremos un BJT PNP con pB (0) = 7,8831014 cm-3 y pB (W) = -6,39 103cm-
3. Representa en una misma grfica pB (x) para el dispositivo ideal y para el caso en
que se considere la recombinacin en la base. Como ejemplo, tomar W = 25,4 m y
LB= 46,9 m. Qu se puede decir sobre la pendiente de pB en x = 0 y x = W en
comparacin con el caso ideal ?. Qu representa el rea entre los dos diagramas ?.

25. Considerando los datos del ejercicio 19 y considerando el modelo casi ideal:
a) Calcula IB2 y comprala con IB1 e IB3
b) Es significativa la recombinacin en la base ?.
c) Calcula cc y cc considerando el dispositivo casi ideal.
26. Un BJT PNP ideal en la regin activa tiene IE = 961,3 mA, VEB = 0,65 V y W = 3 m.
4
a) Si se incluyen los efectos de modulacin de la longitud de la base, cul es la
variacin de IE con respecto a W ?.
b) Si W queda nicamente determinado por WB xn, donde xn K (-VCB)1/2, cul
es la variacin de IE respecto a VCB ?.
c) Para VEB fijo, determinar la ecuacin que proporcione la variacin de IB respecto
a VEC si el transistor es casi ideal.

27. La variacin de IC frente a VEC de un BJT PNP en su zona activa con IB constante es
consecuencia de la modulacin de la longitud de la base. Deduce una expresin de
dicha variacin suponiendo una unin B-C abrupta y que | VCB | >> Vbi.

28. Explica cmo afecta la recombinacin en la base a ICE0 del dispositivo casi ideal
respecto al ideal.


29. Dos transistores PNP, BJT1 y BJT2 son idnticos, con excepcin de la anchura de sus
bases, que cumplen que WB1 > WB2. Bajo idnticas condiciones de polarizacin,
explica cul de ellos tendr mayor:
a) Eficiencia de inyeccin.
b) factor de transporte de base.
c) dc
d) sensibilidad a la modulacin de la anchura de la base.
e) tensin de perforacin VCB.