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32

1.7 Resistenze viste ai terminali del MOSFET


Prendiamo in considerazione un MOSFET polarizzato in saturazione. Poich il
gate un circuito aperto, la resistenza vista guardando dentro il gate infinita.
Infatti applicando un generatore di tensione v
x
di prova e la corrente i
x
che eroga
nulla. La resistenza che vogliamo calcolare R
x
=v
x
/i
x
che pertanto infinita.
Ovviamente nella realt ci sar una piccola corrente di perdita del capacitore MOS,
ma in questa analisi trascurabile.

Figura 7. 28: resistenza vista al terminale di gate
Le resistenze R
S
e R
D
che compaiono in Figura 7. 28 dipendono dalla rete di
polarizzazione e, comunque, sono del tutto ininfluenti.

Per calcolare la resistenza vista guardando dentro il drain innanzitutto si
sostituisce al transistor il suo modello linearizzato come mostarto in Figura 7. 29.

Figura 7. 29: resistenza vista dal terminale di drain
Le resistenze R
G
e R
S
dipendono dalla rete di polarizzazione. Poich su R
G
non
scorre corrente, il nodo g a massa come in Figura 7. 30.


33


Figura 7. 30: resistenza vista dal terminale di drain
Dalla circuitazione della maglia di uscita si ottiene
!
v
x
= i
0
r
0
+i
S
R
S
(7. 81)
!
v
x
= i
s
" g
m
v
gs
( )
r
0
+i
S
R
S
(7. 82)
!
v
x
= i
s
+ g
m
R
s
i
s
( )
r
0
+i
S
R
S
(7. 83)
!
v
x
= i
s
1+ g
m
R
s
( )
r
0
+ R
S
( )
(7. 84)
Daltra parte i
s
=i
x
, quindi
!
R
x
=
v
x
i
x
= 1+ g
m
R
s
( )
r
0
+ R
S
(7. 85)
La resistenza vista guardando nel drain dipende dal guadagno del MOSFET e da
R
S
, ma comunque un valore molto grande. Il valore minimo si ha per R
s
=0 ed
R
x
=r
0
, che una resistenza dellordine di alcune decine di k!.

Passiamo ora allultimo terminale: il source. Per calcolare la resistenza che si vede
guardando nel source si consideri il circuito in Figura 7. 31.




34

Figura 7. 31: resistenza vista dal terminale di source
Poich la corrente che scorre su R
G
nulla, il nodo di gate a massa e il circuito
pu essere ridisegnato come in Figura 7. 32.

Figura 7. 32: resistenza vista dal terminale di source
Dalla circuitazione della maglia di uscita si ottiene
!
v
x
= "r
0
i
0
+ R
D
i
D
(7. 86)
!
v
x
= "r
0
i
x
" g
m
v
x
( )
+ R
D
i
D
(7. 87)
Daltra parte i
D
=i
x
, quindi


35
!
v
x
= "r
0
i
x
+ g
m
v
x
r
0
+ R
D
i
x
(7. 88)
da cui
!
R
x
=
v
x
i
x
=
R
D
"r
0
1" g
m
r
0
#
1
g
m
(7. 89)
Ma r
0
una resistenza piuttosto grande e di solito molto pi grande di R
D
. Inoltre
g
m
r
0
il massimo guadagno in tensione ottenibile dal MOSFET ed tipicamente
molto pi grande di 1. Pertanto
!
R
x
"
1
g
m
(7. 90)
Linverso della transconduttanza tipicamente una resistenza piuttosto piccola (da
pochi ! a qualche centinaia di !). La Figura 7. 33 riassume graficamente quanto
trovato in questo paragrafo. Le resistenze viste al gate e al drain sono molto grandi,
la resistenza vista al source piccola e pari allinverso della transconduttanza.

Figura 7. 33: resistenze viste ai tre terminali di un FET
Quanto ricavato sopra valido per qualunque tipo di FET non importa se MOSFET
o JFET, a canale n o a canale p, ad arricchimento e a svuotamento. Per il MOSFET
a quattro terminali, basta tenere presente che il terminale di body vede una
giunzione pn contropolarizzata e quindi una grande resistenza.


36

Figura 7. 34: resistenze viste ai terminali di un FET

1.8 Resistenze viste ai tre terminali del BJT
Il calcolo delle resistenze del BJT procede in modo del tutto analogo a quello per il
FET, lunica differenza che la resistenza tra base ed emettittore non infinita ma
pari a r", questo complica solo un po il calcolo. Il risultato riassunto in Figura 7.
35.

Figura 7. 35: resistenze viste dai terminali del BJT
Se dal punto di vista matematico la differenza solo quella che abbiamo detto, dal
punto di vista pratico, utilizzando valori realistici dei parametri del BJT e del
MOSFET ci sono ulteriori significative differenze di cui importante tenere conto.



37
1) Linverso della transconduttanza per un BJT una resistenza molto
piccola, tipicamente minore di 10!. Nel MOSFET tale valore di solito
sensibilmente pi grande. Pertanto la resistenza vista guardando nel
source del BJT di solito molto pi piccola di quella del FET.
2) La resistenza vista guardando nel gate a tutti gli effetti grandissima, al
contrario della resistenza in base, che non certo piccola, ma neanche cos
grande da poter essere considerata un circuito aperto in ogni circostanza. In
effetti la resistenza vista guardando in base dipende dalla presenza di una
resistenza di emettittore R
E
fissata dalla rete di polarizzazione. Il caso
peggiore quando R
E
=0. Per tale valore la resistenza in base pari a r! ,
che una resistenza dellordine del k! e talvolta anche minore.
3) Le resistenze viste da drain o dal collettore sono identiche dal punto di
vista matematico e molto simili anche dal punto di vista pratico. Entrambe
sono resistenze maggiori di qualche decina di k!

Con le precisazioni e i limiti di applicabilit che abbiamo detto sopra, anche per il
BJT in prima approssimazione possiamo riassumere le resistenze viste ai tre
terminali come in Figura 7. 36. Sulla resistenza in base il segno < sta a ricordare
che necessaria un po di cautela nel considerare questa resistenza infinita



Figura 7. 36: resistenze viste dai terminali del BJT
1.9 Le tre configurazioni del FET
Un MOSFET ha tre terminali: gate, source e drain. Si pu immettere o estrarre un
segnale variabile (con frequenza minima sufficientemente alta) da ciascun
terminale mediante un capacitore (detto capacitore di accoppiamento). Il terminale
da cui non si immette o estrae il segnale collegato a massa con un capacitore


38
(detto capacitore di by-pass) Ovviamente non ha senso immettere ed estrarre il
segnale dallo stesso terminale, quindi le possibili configurazioni sono sei.


Tabella 7. 1
Tuttavia non tutte le configurazioni hanno utilit pratica. Infatti ha poco senso
immetere il segnale dal terminale di drain, in quanto in prima approssimazione la
corrente di drain non dipende dalla tensione ad esso applicata. Un MOSFET ideale
(senza modulazione del canale) del tutto insensibile a un generatore di segnale
applicato al drain. Ha ugualmente poco senso estrarre segnale dal gate, perch il
gate non pu fornire corrente e, inoltre, la variazione di tensione piccola rispetto
alle tensioni agli altri terminali. Delle sei configurazioni, ne rimangono, quindi solo
tre: CS (source comune), CD (drain comune), CG (gate comune). La
denominazione specifica solo quale dei tre terminali a comune, ovvero non
usato per immettere o estrarre il segnale. Per identificare quale degli altri due
usato per immettere il segnale e quale per estrarre basta ricordare quanto detto
sopra, ovvero:
1) dal gate non si estrae il segnale
2) nel drain non si immette il segnale.



39

Tabella 7. 2

Vediamo in dettaglio le 3 configurazioni. La figura Figura 7. 37 mostra un
MOSFET in configurazione CS. Il source ha comune, lingresso sul gate e
luscita sul drain. Ma nel paragrafo precedente abbiamo visto che la resistenza vista
nel gate molto grande, praticamente infinita, quindi lingresso non pu che essere
in tensione. Anche la resistenza di drain molto grande, ma il drain un terminale
di uscita e quindi si pu affermare che luscita in corrente.

Figura 7. 37: CS

Ragionando in maniera analoga con le altre configurazioni si ottiene che nella
configurazione CD si ha tensione in ingresso e tensione in uscita, nella
configurazione CG su ha corrente in ingresso e corrente in uscita.


40

Figura 7. 38: CD


Figura 7. 39: CG

Vogliamo ora calcolare i guadagni (ovvero i rapporti tra segnale di uscita e segnale
di ingresso) nei tre casi.
In Figura 7. 40 mostrato la configurazione CS come in Figura 7. 37 dove il
transistor stato sostituito con il suo il modello linearizzato.


41

Figura 7. 40: guadagno in configurazione CS
Dal circuito risulta evidente che
!
A
vi
=
i
L
v
sig
=
"g
m
v
gs
v
gs
= "g
m
(6. 91)
Vediamo ora la configurazione CD. La Figura 7. 41 mostra il circuito da
analizzare.

Figura 7. 41: guadagno in configurazione CD
Dal circuito si ottiene
!
v
L
= R
L
g
m
v
gs
= R
L
g
m
v
sig
"v
L
( )
(7. 92)
da cui


42
!
A
vv
=
v
L
v
sig
=
R
L
g
m
1+ R
L
g
m
"1
(7. 93)

Il guadagno quindi unitario. La configurazione CS realizza non amplifica il
segnale ma realizza un buffer di tensione, una sorta di stadio cuscinetto (buffer)
tra due amplificatori in cascata con valori di resistenza di uscita (il primo) e di
ingresso (il secondo) non idonei a un trasferimento di tensione. Il buffer di tensione
uno degli amplificatori pi usati.

Vediamo ora la configurazione CG. La Figura 7. 42 mostra il circuito da
analizzare.

Figura 7. 42: guadagno in configurazione CG
Con le approssimazioni che abbiamo fatto sulle resistenze che si vedono ai due
terminali, di fatto il circuito si riduce a una singola maglia e quindi
!
A
ii
=
i
L
i
sig
=1
(7. 94)
Si tratta quindi di un buffer di corrente di guadagno unitario.

Il transistor consente di realizzare direttamente un amplificatore di
transcoduttanza (ovvero tensione in ingresso e corrente in uscita), un buffer di
tensione e un buffer di corrente. In numerose applicazioni per pi utile un
amplificatore tensione-tensione. Lunico modo per realizzare unamplificazione di
tensione con un transistor trasformare la corrente in uscita in una tensione


43
dissipandola in una resistenza. La Figura 7. 43 mostra un amplificatore CS con
uscita in tensione.

Figura 7. 43:CS
Dal circuito risulta evidente che
!
A
vv
=
v
0
v
sig
= "g
m
R
D
(7. 95)
Si noti che si tratta di un guadagno negativo, nel senso che quando la tensione in
ingresso aumenta, quella di uscita diminuisce, ovvero il segnale in uscita in
controfase rispetto allingresso. La resistenza di uscita di uscita pari a R
D
. Un
buon amplificatore con uscita in tensione dovrebbe avere resistenza di uscita
piccola (per massimizzare il trasferimento di tensione) tuttavia R
D
non pu essere
piccola se lamplificatore deve avere un guadagno consistente. Questo problema si
risolve con un amplificatore a due stadi. Un buffer di tensione in cascata allo stadio
di amplificazione, fa s che la resistenza di uscita sia pi adatta a un buon
trasferimento di tensione. Le figure successive riassumono graficamente il
contenuto di questo paragrafo.


44

Figura 7. 44: CE con uscita in corrente

Figura 7. 45 CS cin uscita in tensione

Figura 7. 46: CD


45

Figura 7. 47: CG
1.10 Le tre configurazioni del BJT
Per il BJT valgono tutte le considerazioni gi fatte per il FET. La Tabella 7. 3 e i
grafici successivi ne riassumono i risultati.


Tabella 7. 3


46

Figura 7. 48: CE con uscita in corrente


Figura 7. 49: CE con uscita in tensione

Figura 7. 50: CC


47

Figura 7. 51: CB
1.11 Analisi e progetto
Le considerazioni teoriche svolte nei paragrafi precedenti sono preliminari
allanalisi e alla progettazione degli amplificatori. Per analisi si intende il calcolo
delle caratteristiche di un amplificatore il cui circuito gi progettato. Nello
specifico in questo capitolo ci occuperemo di come calcolare la resistenza di
ingresso, la resistenza di uscita, il guadagno e la dinamica. Nel capitolo successivo
ci occuperemo delle caratteristiche relative alla risposta in frequenza. Lanalisi di
un circuito si esegue in due passi successivi: lanalisi DC (direct current) e
lanalisi AC (alternate current). Lanalisi DC il calcolo delle correnti e delle
tensioni in tutte le maglie, ovvero il calcolo del punto di polarizzazione o punto
di riposo. La seconda fase lanalisi AC che consiste nel sostituire i transistor con
i loro modelli linearizzati e calcolare, quindi, le componenti variabili delle correnti
e delle tensioni nel circuito. Entrambe le analisi possono essere eseguiti da un
programma di simulazione, il pi noto SPICE, di cui sono disponibili molte
versioni anche scaricabili gratuitamente. Ma, sebbene lanalisi possa essere
interamente demandata a un programma, non superfluo saperla fare con carta e
penna perch consente di capire gli elementi critici del circuito e operare delle
scelte in fase di progetto. Nel seguito eseguiremo lanalisi carta e penna di
numerosi circuiti.

Il progetto lideazione di un circuito sulla base di alcune specifiche date. Un
errore tipico del principiante affrontare la progettazione come un esercizio di
matematica che ammette una sola soluzione. Nella realt le possibili soluzioni sono
molteplici, talvolta ne esiste una ottimale, ma pi spesso ci si accontenta di una
soluzione solo soddisfacente. Non esistono delle regole di progetto di validit
generale, ma ci sono criteri specifici per particolari configurazioni circuitali. Nel
seguito mostreremo alcuni esempi di progettazione.


48
1.12 Analisi di un amplificatore di tensione a singolo MOSFET in
configurazione CS
Come primo esempio di analisi consideriamo lamplificatore a MOSFET in Figura
7. 52. Il generatore di segnale in ingresso ha resistenza di uscita di 50!. Il carico in
uscita di 100k!. Le caratteristiche del MOSFET utilizzato sono K
n
=20mA/V
2
e
V
TN
=1V. Vogliamo calcolare resistenze di ingresso e di uscita, guadagno e
dinamica.


Figura 7. 52: amplificatore a MOSFET
Innanzi tutto necessario procedere alla analisi DC. Il partitore costituito dalle
resistenze R
1
e R
2
fissano la tensione V
GS
che quindi
!
V
GS
=
R
1
R
1
+ R
2
V
DD
=1.8V
(7. 96)
La corrente i
DS
quindi pari a
!
i
DS
=
K
n
2
V
GS
"V
TN
( )
2
= 6.4mA
(7. 97)
Calcoliamo ora la tensione al drain che risulta pari a
!
V
DS
= V
DD
" R
D
i
DS
= 5.6V
(7. 98)


49
Verifichiamo che il MOSFET sia effettivamente in saturazione. La condizione
!
V
DS
> V
GS
"V
TN
(7. 99)
nello specifico
!
5.6V> 0.8V (7. 100)
che, quindi, ampiamente rispettata.

Passiamo ora allanalisi AC. Il circuito per lanalisi AC quello in Figura 7. 53,
dove i capacitori di accoppiamento sono sostituiti da cortocircuiti, e la tensione di
alimentazione cortocircuitata a massa.

Figura 7. 53: circuito per lanalisi AC
Possiamo immediatamente ricavare che
!
R
IN
= R
1
R
2
= 30.6k"
(7. 101)
!
R
OUT
= R
D
=1k"
(7. 102)
Poich
!
R
IN
>> R
S
(7. 103)
!
R
OUT
<< R
L
(7. 104)
lingresso in tensione e luscita in tensione. Il guadagno quindi dato da


50
!
A
vv
= "g
m
R
D
= "K
n
V
GS
"V
TN
( )
R
D
= "16.0
(7. 105)
Calcoliamo ora la dinamica in ingresso. Affinch possa operare in regime lineare,
lampiezza del segnale in ingresso v
s
deve rispettare la seguente condizione
!
v
s
<< 2 V
GS
"V
TN
( )
=1.6V
(7. 106)
Indicativamente un segnale di ampiezza 160mV (un decimo di 1.6V) rispetta
questa condizione.
Vediamo ora la dinamica in uscita. Al variare del segnale in ingresso aumenta e
diminuisce la corrente i
DS
che scorre su R
D
e ci fa variare la v
DS
. Ma la v
DS
in alto
limitata dalla tensione di alimentazione (V
DD
=12V) e in basso dal punto in cui il
MOSFET passa dalla saturazione alla regione lineare (V
GS
-V
TN
=0.8V).


Figura 7. 54: dinamica in uscita
Possiamo ragionevolmente assumere che il segnale sia simmetrico, nel senso che la
massima ampiezza positiva pari alla massima ampiezza negativa, pertanto la
dinamica di uscita il valore minimo tra la massima escursione in alto e quella in
basso. In questo caso 4.8V. Questo valore di ampiezza in uscita corrisponde a
300mV (4.8V/16) in ingresso. Possiamo quindi concludere che la dinamica
dingresso 300mV, ma oltre 160mV lamplificatore comincia ad uscire dalla
linearit e quindi a distorcere il segnale.


51
1.13 Progetto di un amplificatore di tensione a singolo MOSFET in
configurazione CS
Vogliamo ora progettare un amplificatore di tensione a singolo MOSFET in
configurazione CS sulla base delle seguenti specifiche: tensione di alimentazione
V
DD
=12V; guadagno di tensione A
vv
=-10; R
IN
>10k!; R
OUT
<1k!. Le caratteristiche
del MOSFET da utilizzare sono K
n
=20mA/V
2
e V
TN
=1V.

Figura 7. 55: MOSFET in configurazione CS
La resistenza di uscita
!
R
OUT
= R
D
(7. 107)
poich deve essere minore di 1k!, fissiamo R
D
=500!.
Il guadagno dato da
!
"g
m
R
D
= A
vv
(7. 108)
!
K
n
V
GS
"V
TN
( )
R
D
= A
vv
(7. 109)
Da cui il valore di V
GS
-V
TN
!
V
GS
"V
TN
=
A
vv
K
n
R
D
=1V
(7. 110)
Per tale valore, i
DS
risulta pari a


52
!
i
dS
=
K
n
2
V
GS
"V
TN
( )
2
R
D
=10mA
(7. 111)
I valori delle tensioni nelle maglie sono quindi quelli in figura, che assicurano una
dinamica di uscita di 5V. La dinamica non tra le specifiche di progetto, ma
quando possibile buona regola renderla la pi grande possibile.

Figura 7. 56: tensioni alle maglie
Resta da dimensionare il partitore R
1
e R
2
in modo da fissare V
GS
=2V. Conviene
scegliere un valore di corrente che scorre I
P
nel partitore piuttosto piccolo, in modo
da mantenere basso il consumo e tenere alta la resistenza di ingresso. Un valore
ragionevole pu essere 10A. Quindi
!
R
1
=
V
GS
I
P
= 20k"
(7. 112)
!
R
2
=
V
DD
"V
GS
I
P
=100k#
(7. 113)
Il progetto ora completo e la Figura 7. 57 mostra i valori delle resistenze ottenuti


53

Figura 7. 57: dimensionamento delle resistenze
Si noti come non sia lunica possibile soluzione. Nel corso della progettazione
abbiamo fatto alcune scelte, in certa misura arbitrarie, entro le specifiche imposte.

1.14 Progetto di un buffer di tensione a singolo MOSFET in
configurazione CD
Vogliamo ora progettare un buffer di tensione a singolo MOSFET in
configurazione CS sulla base delle seguenti specifiche: tensione di alimentazione
V
DD
=12V; R
IN
>10k!; R
OUT
<100!. Le caratteristiche del MOSFET da utilizzare
sono K
n
=20mA/V
2
e V
TN
=1V.


54

Figura 7. 58: buffer di tensione a MOSFET
La resistenza di uscita pari a
!
R
OUT
=
1
g
m
=
1
K
n
V
GS
"V
TN
( )
(7. 114)
Poniamo R
OUT
=50!. Si ottiene (V
GS
-V
TN
)=1V.
Dobbiamo ora fissare le tensioni nella maglia di uscita, per massimizzare
lescursione del segnale in uscita conviene porre la tensione di source a riposo a
circa met tensione di alimentazione. Poniamo quindi V
S
=6V. Le tensioni sulle
maglie risultano quindi quelle in Figura 7. 59.


55

Figura 7. 59: tensioni alle maglie
Il progetto completo, ma vogliamo ora calcolare la dinamica dellamplificatore
che abbiamo dimensionato.
La tensione al source pu variare verso il basso di V
S
=6V e verso lalto di V
DD
-V
S
-
(V
GS
-V
TN
) =5V. La dinamica di uscita il minore di questi due valori, quindi 5V
che, poich il guadagno del buffer unitario, corrisponde a circa 5V anche in
ingresso.
Calcoliamo ora il limite sulla dinamica imposto dalla condizione di linearit. In
generale per un MOSFET deve valere
!
v
gs
<< 2 V
GS
"V
TN
( )
(7. 115)
Dobbiamo quindi calcolare la relazione tra v
s
(segnale in ingresso) e v
gs
. A questo
scopo si faccia riferimento al circuito AC in Figura 7. 60.


56

Figura 7. 60: calcolo della relazione tra v
gs
e v
sig

Dalla circuitazione della maglia in ingresso si ottiene
!
v
sig
= v
gs
+ R
S
g
m
v
gs
(7. 116)
da cui
!
v
gs
=
v
sig
1+ R
S
g
m
(7. 117)
Sostituendo nella (6.115) si ottiene
!
v
sig
<< 2 V
GS
"V
TN
( )
1+ R
S
g
m
( )
# 2 V
GS
"V
TN
( )
R
S
g
m
(7. 118)
!
v
sig
<< 4R
S
I
DS
= 4V
S
= 24V
(7. 119)

Lespressione appena trovata molto utile ed intuitiva: in presenza di R
S
il limite di
tensione da tenere come riferimento ai fini della linearit del transistor non 2(V
GS
-
V
TN
), ma 4V
S
.

In conclusione il buffer progettato ha una dinamica di 5V, ma per valori di tensione
in ingresso maggiori di 2.4V comincia a non essere pi lineare.



57
1.15 Amplificatori reazionati
Gli amplificatori fin qui trattati sono tutti progettati per avere alto guadagno, ma
nella pratica non sempre necessario un elevato guadagno. Ad esempio in una
catena di amplificazione solo il primo amplificatore buona regola che sia ad alto
guadagno, i successivi bene che amplifichino molto meno per non saturare
luscita, la cui escursione sempre limitata dallalimentazione. Unottima
soluzione per ridurre e anche rendere pi stabilile il guadagno limpiego della
reazione negativa. Lidea prelevare parte del segnale in uscita e riportarlo in
ingresso in controfase, in modo che allaumentare delluscita diminuisca lingresso,
riducendo quindi leffettivo guadagno. Una resistenza R
S
sul source agisce appunto
come rete di reazione, nel senso che allaumentare della corrente i
DS
che eroga il
transistor aumenta la caduta di tensione su R
S
e quindi, a parit di v
s
, diminuisce la
v
GS
.


Figura 7. 61: circuito AC con reazione
Il guadagno tensione corrente di un amplificatore reazionato si calcola mediante il
circuito in Figura 7. 61. Dalla circuitazione della maglia di ingresso
!
v
s
= v
gs
+ R
S
g
m
v
gs
(7. 120)
da cui
!
v
gs
=
v
s
1+ R
S
g
m
(7. 121)
E quindi


58
!
i
ds
=
g
m
v
s
1+ R
S
g
m
(7. 122)
Se vale la condizione
!
R
S
g
m
>>1
(7. 123)
ovvero
!
V
GS
"V
TN
>>
1
K
n
R
S
(7. 124)
allora il guadagno dellamplificatore di transconduttanza

!
A
iv
= "
1
R
S
(7. 125)
che unespressione molto utile, perch non dipende pi dal particolare transistor
utilizzato, ma solo dal valore di una resistenza. E quindi un valore ben
determinato, che non risente della variabilit delle caratteristiche dei transistor e
che, inoltre, pu essere impostato facilmente in fase di progettazione circuitale.


Figura 7. 62: CS con reazione
Se lamplificatore utilizzato con uscita in tensione
!
A
vv
= "
R
D
R
S
(7. 126)


59

Figura 7. 63: CS reazionato con uscita in tensione
Un vantaggio importante della reazione che aumenta il valore del segnale in
ingresso per cui lamplificatore pu essere considerato lineare. La condizione di
linearit infatti
!
v
gs
=
v
s
1+ R
S
g
m
<< V
GS
"V
TN
(7. 127)
ovvero
!
v
s
<< 1+ R
S
g
m
( )
V
GS
"V
TN
( )
(7. 128)

Le considerazioni fatte sopra valgono anche per il BJT, per il quale

!
A
iv
= "
1
R
E
(7. 129)
!
A
vv
= "
R
C
R
E
(7. 130)
La condizione di lineari dellamplificatore
ovvero


60
!
v
s
<< 1+ R
E
g
m
( )
V
T
(7. 131)



Figura 7. 64: CE con reazione

Figura 7. 65: CE reazionato con uscita in tensione
Rispetto al FET, il BJT ha g
m
tipicamente molto pi grande di quello del FET e
pertanto la condizione
!
R
C
g
m
>>1
(7. 132)

(equivalente alla (6.123)) pi facilmente verificata.


61
1.16 Progetto di un amplificatore di tensione a singolo BJT in
configurazione CE con reazione
La reazione negativa spesso utizzata in combinazione con la configurazione CE.
Infatti il BJT in configurazione CE permette di ottenere un grande guadagno ma ha
alcuni importanti limiti.
1) Affinch possa operare in regime lineare, il segnale di ingresso deve essere
molto minore di 2V
T
=50mV, che un valore molto piccolo.
2) La resistenza dingresso non molto grande (tipicamente non pi di
qualche k!)
3) Il guadagno proporzionale a g
m
=I
C
/V
T
con V
T
tensione termica. Poich la
tensione termica dipende dalla temperatura, il guadagno non costante. Per
di pi g
m
= I
C
/V
T
vale solo in prima approssimazione, pi in generale
necessario considerare un fattore di non idealit a moltiplicare la tensione
termica. Tale fattore dipende dalla corrente di collettore e dal particolare
BJT. In definitiva il guadagno grande, ma poco controllabile.

La reazione negativa mitiga questi problemi al prezzo di una riduzione del
guadagno.

A titolo di esempio progettiamo un amplificatore CE con reazione con le seguenti
specifiche: V
CC
=12V; A
vv
=-5; R
OUT
=1k!.


Figura 7. 66: amplificatore a BJT in configurazione CE reazionato



62
Poich R
OUT
=R
C
, dalle specifiche segue che R
C
=1k!.
Il guadagno in tensione dato da
!
A
vv
= "
R
C
R
E
= "5
(7. 133)
Quindi R
E
=200!. La somma delle tensioni sulla maglia di uscita deve essere pari a
V
CC
, quindi
!
I
C
R
C
+V
CE
+ I
C
R
E
= V
CC
(7. 134)
In presenza del segnale la tensione sul collettore varia in maniera simmetrica
rispetto al valore di riposo. Lescursione massima in alto pari alla caduta di
tensione su R
C
, per avere la stessa escursione in basso necessario impostare V
CE

uguale alla caduta di V
CE
, pertanto la (6.130) diviene
!
2I
C
R
C
+ I
C
R
E
= V
CC
(7. 135)
da cui
!
I
C
=
V
CC
2R
C
+ R
E
= 5.45mA
(7. 136)

Per questo valore di corrente
!
I
C
R
E
=1.09V
(7. 137)
Affinch la reazione negativa possa operare agevolmente deve essere rispettata la
seguente condizione
!
R
C
g
m
>>1
(7. 138)
ovvero
!
R
C
I
C
>> V
T
= 25mV
(7. 139)
1.09V senzaltro molto maggiore di 25mV. Le tensioni ai nodi del circuito di
polarizzazione sono quindi quelle in Figura 7. 67, dove si assunto V
BE
=0.6V.


63

Figura 7. 67: tensioni ai nodi del circuito di polarizzazione
Resta ora da dimensionare le resistenze del partitore della maglia di ingresso. La
corrente che vi scorre I
P
deve essere molto maggiore della corrente di base
!
I
P
>> I
B
=
I
C
"
F
(7. 140)
Assumendo "
F
maggiore di 100, I
B
risulta di volte inferiore alla corrente di
collettore. Poich I
C
=5.45mA, segue che I
P
>>55A. Scegliamo I
P
=0.5mA. Ne
consegue che
!
R
1
=
V
B
I
P
= 3.4k"
(7. 141)
!
R
2
=
V
CC
"V
B
I
P
= 20.6k#
(7. 142)

Il progetto del circuito sulla base delle specifiche data concluso. Vogliamo per
calcolare anche la resistenza di ingresso e la dinamica dellamplificatore
progettato.
La presenza della resistenza di emettitore R
E
fa s che la resistenza di ingresso in
base sia
!
R
IN
( B )
= r
"
1+ g
m
R
E
( )
+ R
E
# $
F
R
E
= 20k%
(7. 143)


64
avendo assunto #
F
=100. La resistenza di ingresso quindi
!
R
IN
= R
1
R
2
"
F
R
E
= 2.54k#
(7. 144)
Calcoliamo ora la dinamica. Poich lescursione massima in uscita 5.5V e il
guadagno pari a -5, la massima ampiezza in ingresso per non saturare luscita
1.1V. Vediamo ora la condizione di piccolo segnale.
!
v
s
<< 1+ R
E
g
m
( )
V
T
" R
E
I
C
=1.1V
(7. 145)
Pertanto la dinamica 1.1V, ma pu essere considerato lineare solo per valori di
tensione in ingresso molto pi piccoli di 1.1V, indicativamente dellordine di
110mV (dieci volte pi piccoli)
1.17 Teorema di Miller
Nel seguito troveremo molto utile usare il Teorema di Miller. Questo permette di
semplificare lanalisi di un circuito quando unimpedenza collega il morsetto di
ingresso con quello di uscita.

Il teorema afferma che il circuito in Figura 7. 68 del tutto equivalente a quello di
Figura 7. 69 dove
!
A =
v
o
v
i
(7. 146)
Lequivalenza dimostrata se limpedenza vista in ingresso e in uscita la stessa
per i due circuiti.


Figura 7. 68: teorema di Miller


65

Figura 7. 69: teorema di Miller
Dimostriamo il teorema. Con riferimento alla Figura 7. 70
!
i =
v
i
"v
0
Z
(7. 147)
da cui
!
i =
1" A
Z
v
i
(7. 148)
Un generatore di tensione di prova tra lingresso e massa vedr unimpedenza pari
al parallelo della resistenza dingresso dellamplificatore con limpedenza Z
IN
data
dal rapporto tra v
i
e i.
!
Z
IN
'
=
v
i
i
=
Z
1" A
(7. 149)




66

Figura 7. 70: dimostrazione del teorema di Miller
In maniera analoga si dimostra che dalluscita la stessa impedenza tra uscita e
ingresso vista come unimpedenza tra il morsetto di uscita e massa pari a -Z(1-
A)/A.

1.18 Analisi di un amplificatore a MOSFET con resistore tra gate e
drain
Si consideri il circuito in Figura 7. 71. Si noti che R
G
sempre una resistenza
grande. Non c ragione di dimensionarla piccola: il punto di polarizzazione
indipendente dal valore di questa resistenza, daltra parte un valore piccolo pu
avere solo leffetto di ridurre la resistenza di ingresso e ci uno svantaggio.
Possiamo quindi assumere che R
G
sia abbastanza grande da non variare il guadagno
in tensione A
vv
=-g
m
R
D
.


67

Figura 7. 71: amplificatore CS



Applichiamo ora il teorema di Miller.

Figura 7. 72: circuito AC

Dal circuito in Figura 7. 72 si ottiene che


68
!
R
IN
=
R
G
1" A
vv
#
R
G
g
m
R
D
(7. 150)
!
R
OUT
= R
G
1" A
vv
"A
vv
# R
G
(7. 151)
Si noti come la resistenza R
G
debba effettivamente essere molto grande, quando
riportata in ingresso dal teorema di Miller il suo valore diviso per il guadagno di
tensione.
1.19 Analisi di un amplificatore a BJT con resistenza di emettiore e
resistenza tra collettore e base
In Figura 7. 73 mostrato un amplificatore di tensione a BJT con resistenza di
emettitore e resistenza tra base e collettore. Se R
B
grande, il guadagno in tensione
dato da
!
A
vv
= "
R
C
R
E
(7. 152)



Figura 7. 73: BJT con resistore tra collettore e base e resistore sullemettitore
Applicando il teorema di Miller si ottiene il circuito AC in


69

Figura 7. 74: circuito AC
Per il quale
!
R
IN
= r
"
1+ g
m
R
E
( )
+ R
E
( )
R
B
1+
R
C
R
E
# $
F
R
E
( )
R
E
R
B
R
C
#
R
E
R
B
R
C
(7. 153)
!
R
OUT
" R
G
(7. 154)
Limpiego del BJT spesso limitato dalla sua resistenza di base non molto grande.
A questo proposito il circuito visto sopra unottima soluzione, in quanto la
resistenza di ingresso proporzionale a R
B
che pu essere dimensionato con un
valore molto grande. Vediamo quindi cosa pu limitare il valore R
B
. Questa
resistenza non pu essere cos grande da impedire che vi scorra una corrente
abbastanza grande da polarizzare il BJT. Tale corrente
!
I
B
=
I
C
"
F
(7. 155)
Per la stessa corrente deve valere
!
I
B
=
V
CB
R
B
(7. 156)


70

quindi
!
R
B
=
"
F
V
CB
I
C
(7. 157)
Giusto per dare un ordine di grandezza per V
CB
=1V, I
C
=1mA e "
F
=100, risulta
R
B
=100k!. Se ad esempio lamplificatore avesse un guadagno in tension di -10, la
resistenza di ingresso potrebbe essere di 10k!, che un valore piuttosto alto per un
amplificatore a BJT.


1.20 Amplificatori a carico attivo
Nei paragrafi precedenti abbiamo sempre utilizzato il transistor come dispositivo di
controllo della corrente erogata a una resistenza. Tuttavia, come abbiamo gi visto
nel capitolo 5, il transistor (il FET in particolare) pu essere utilizzato anche come
carico attivo. Vediamo due esempi. Il primo mostrato in Figura 7. 75.


Figura 7. 75: amplificatore con carico attivo
Abbiamo gi visto nel paragrafo 5.11 che la funzione di trasferimento del circuito
in Figura 7. 76 ha una regione di funzionamento lineare (vedi Figura 7. 77) di
pendenza pari a