Autor: Pedro Daz Hernndez

4/29/2014 0:07

Ejemplo de JFET Canal N

Ejemplo de JFET Canal P

Datos iniciales Canal N

Datos iniciales Canal P

Tensin de alimentacin (Vcc) =

20.0 V

Resistencia de Drenador (Rd) =

110

Ok

Tensin de alimentacin (Vcc) =

18.0 V

Resistencia de Fuente (Rs) =

1,000

Resistencia de Fuente (Rs) =

200

Resistencia de Drenador (Rd) =

3,300

Resistencia de Puerta (Rg) =

1.50E+06

Resistencia de puerta (Rg) =

1,000,000

Corriente Drenador de saturacin (Idss) =

11.00 mA

Tensin de extincin del JFET Vgs(off) =

-2.30 V

Corriente Drenador de saturacin (Idss) =

Vp = 2.3V

8.40 mA

Tensin de extincin del JFET Vgs(off) =

2.30 V

Potencia disipable en las resistencias =

250 mW

Potencia disipable en las resistencias =

250 mW

Potencia disipable en el JFET =

300 mW

Potencia disipable en el JFET =

300 mW

RESULTADOS
Id 1 =
Vgs 1 =
Id 2 =
Vgs 2 =
Corriente Ids =

Ok

Vp = -2.3V

RESULTADOS
30.717 mA
-6.143 V

>> Idss

4.305 mA
-0.861 V
4.305 mA

Tensin Vgs =

-0.861 V

Valor del canal contrado |Vds| =

1.439 V

Id 1 =

>> VGS(off)

Vgs 1 =

ok

Id 2 =

ok

Vgs 2 =

Vlido

ok
>> VGS(off)

1.632 mA

ok
ok

-1.632 mA

Vlido

Tensin Vgs =

1.632 V

Vlido

Valor canal contrado |Vds| =

-0.668 V

Tensin Vds =

18.665 V

Tensin en Rd =

0.474 V

2.4%

Tensin en Rd =

5.384 V

29.9%

Tensin en Rs =

0.861 V

4.3%

Tensin en Rs =

1.632 V

9.1%

0.8%

Potencia disipada en Rs =

Potencia disipada en Rd =

Saturacin

3.242 V
1.632 V

Corriente Ids =

Vlido

3.242 mA

2.0 mW

Tensin Vds =

-10.984 V

2.66 mW

Potencia disipada en Rs =

3.7 mW

1.5%

Potencia disipada en Rd =

8.79 mW

Potencia disipada en el JFET =

80.4 mW

26.8%

Potencia disipada en el JFET =

17.92 mW

Potencia TOTAL consumida =

86.1 mW

Potencia TOTAL consumida =

Extremos de la recta de carga =

(20.0V;11.0mA)

(Vdsmax.;Idmax.)

Punto de trabajo del JFET canal N (Q) =

(18.7V;4.3mA)

(VdsQ;IdQ)

Ecuacin de 2 grado (ax2+bx+c)

83.1758

Extremos de la recta de carga =

Punto de trabajo del JFET canal P (Q) =

-2.9130

0.0110

Ecuacin de 2 grado (ax2+bx+c)

Saturacin

29.37 mW
(18.0V;8.4mA)

(Vdsmax.;Idmax.)

(-11.0V;-1.6mA) (VdsQ;IdQ)

1,587.9017

-7.7391

0.0084

Canal N (mS)

-8.9
-8.9

2
D

2
S

2
VGS
( off

-8.8
-8.8
-8.7

gm =

-8.6
-8.5
-8.4
-8.2
-8.0
-7.7
-7.2
-6.4
-4.8
0.0
Curva gm (canal N)

0.0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
-5.0

-6.0
-7.0
-8.0
-9.0
-10.0

I DSS
)

2 RS I DSS
ID 1

VGS ( off )

2 I DSS
I D
=
VGS VGS( OFF )

I DSS 0

VGS
1
VGS( OFF )

Autor: Pedro Daz Hernndez

4/29/2014 0:07

Ejemplo de JFET Canal N

Datos iniciales Canal N

Tensin de alimentacin (Vcc) =

23.0 V

Resistencia de Drenador (Rd) =

6,000

Resistencia de Fuente (Rs) =

1,000

Resistencia (R1) =

220,000

Resistencia (R2) =

10,000

Corriente Drenador de saturacin (Idss) =

Ok

15.00 mA

Tensin de extincin del JFET Vgs(off) =

-2.500 V

Potencia disipable en las resistencias =

250 mW

Potencia disipable en el JFET =

300 mW

Vp = 2.5V

RESULTADOS
Tensin de puerta (Vg) = (Vth) = (VR2) =
Id 1 =
Vgs 1 =
Id 2 =
Vgs 2 =
Corriente Id =

1.000 V

4.3%

2.526 mA

ok

-1.526 V

ok

0.891 mA
0.109 V
2.526 mA

Tensin Vgs =

-1.526 V

Valor del canal contrado =

0.974 V

ok
Imposible!
Vlido
Vlido

Tensin Vds =

5.319 V

Tensin en Rd =

15.155 V

Saturacin
65.9%

Tensin en Rs =

2.526 V

11.0%

Potencia disipada en Rd =

38.281 mW

15.3%

Potencia disipada en Rs =

6.380 mW

2.6%

Potencia disipada en el JFET =

13.435 mW

4.5%

Potencia TOTAL consumida =

58.096 mW

Extremos de la recta de carga =

Punto de trabajo del JFET canal N (Q) =

(23.0V;15.0mA)
(5.3V;2.5mA)

(Vdsmax.;Idmax.)
(VdsQ;IdQ)

Ecuacin de 2 grado (ax2+bx+c)

2,400.0000

-8.2000

0.00540

 2
R I
I S DSS 2
V
GS ( off )
2
D

I D 1 2 I DSS RS 2VTH I DSS RS

2

VGS ( off )
VGS ( off )

2
2VTH
I DSS 1 VTH

VGS ( off )
VGS ( off )

RESISTENCIAS
Serie E12
Serie E24
Tolerancia 10%
Tolerancia 5%
1.0
1.0
1.1
1.2
1.2
1.3
1.5
1.5
1.6
1.8
1.8
2.0
2.2
2.2
2.4
2.7
2.7
3.0
3.3
3.3
3.6
3.9
3.9
4.3
4.7
4.7
5.1
5.6
5.6
6.2
6.8
6.8
7.5
8.2
8.2
9.1
CONDENSADORES
Cermicos & Film Plstico
Cdigo de tolerancias
C
0,25pF
D
0,5pF
F
1%
G
2%
J
5%
K
10%
Y
15%
M
20%
Q
-10% +30%
T
-10% +50%
U
-10% +75%
S
-20% +50%
Z
-20% +80%

Datos Zener de 0.5W

Tensin Zener (V)
Z zener ()
Izmax. (mA)
BZX55C 3V3
85
115
BZX55C 3V6
85
105
BZX55C 3V9
85
95
BZX55C 4V3
75
90
BZX55C 4V7
60
85
BZX55C 5V1
35
80
BZX55C 5V6
25
70
BZX55C 6V2
10
64
BZX55C 6V8
8
58
BZX55C 7V5
7
53
BZX55C 8V2
7
47
BZX55C 9V1
10
43
BZX55C 10
15
40
BZX55C 11
20
36
BZX55C 12
20
32
BZX55C 13
26
29
BZX55C 15
30
27
BZX55C 16
40
24
BZX55C 18
50
21
BZX55C 20
55
20
BZX55C 22
55
18
BZX55C 24
80
16
BZX55C 27
80
14
BZX55C 30
80
13
BZX55C 33
80
12
RESISTENCIAS
Cdigo de colores (1B 2B 3B 4B + Tol.)
1B
2B
4B
3B
Tol.
Plata
0,01
10%
Oro
0,1
5%
Negro
0
0
0
1
--%
Marrn
1
1
1
10
1%
Rojo
2
2
2
100
2%
Naranja
3
3
3
1K
--%
Amarillo
4
4
4
10K
--%
Verde
5
5
5
100K
0,5%
Azul
6
6
6
1M 0,25%
Violeta
7
7
7
10M
0,1%
Gris
8
8
8
Blanco
9
9
9

Tensin Zener (V)

1N4728 (3,3V)
1N4729 (3,6V)
1N4730 (3,9V)
1N4731 (4,3V)
1N4732 (4,7V)
1N4733 (5,1V)
1N4734 (5,6V)
1N4735 (6,2V)
1N4736 (6,8V)
1N4737 (7,5V)
1N4738 (8,2V)
1N4739 (9,1V)
1N4740 (10V)
1N4741 (11V)
1N4742 (12V)
1N4743 (13V)
1N4744 (15V)
1N4745 (16V)
1N4746 (18V)
1N4747 (20V)
1N4748 (22V)
1N4749 (24V)
1N4750 (27V)
1N4751 (30V)
1N4752 (33V)

Datos Zener de 1W
Z zener ()
10
10
9
9
8
7
5
2
3.5
4
4.5
5
7
8
9
10
14
16
20
22
23
25
35
40
45
DIODO
1N4001
DO-35
IF(av) = 1A
Ifsm = 30A
Vfm = 1,1V @ 1A
Pd = 2.5W
Vrrm = 50V
Irm = 5A @ 25C
C = 15pF @ 1MHz

1N914/4148
DO-35
IF(av) = 300mA
Ifsm = 1A
Vfm = 1V @ 100mA
Pd = 0.5W
Vrrm = 75V
Irm = 25nA @ 25C
C = 4pF @ 1MHz

1N5626
(Fast) G-3
IF(av) = 3A
Ifsm = 125A
Vfm = 1V @ 3A
Pd = 6W
Vrrm = 600V
Irm = 5A @ 25C
C = 40pF @ 1MHz

DIODOS
1N5406
DO-201A
IF(av) = 3A
Ifsm = 200A
Vfm = 1,2V @ 3A
Pd = 6.5W
Vrrm = 600V
Irm = 5A @ 25C
C = 30pF @ 1MHz

(Fast y Schottky)
MR824
(Fast) DO-201A
IF(av) = 5A
Ifsm = 300A
Vfm = 1,1V @ 5A
Pd = 6W
Vrrm = 400V
Irm = 25A @ 25C

Izmax. (mA)
276
252
234
217
193
178
162
146
133
121
110
100
91
83
76
69
61
57
50
45
41
38
34
30
27
(Tpicos)
1N4007
DO-35
IF(av) = 1A
Ifsm = 30A
Vfm = 1,1V @ 1A
Pd = 2.5W
Vrrm = 1000V
Irm = 5A @ 25C
C = 15pF @ 1MHz

BY255
DO-201A
IF(av) = 3A
Ifsm = 100A
Vfm = 1,1V @ 3A
Pd = 6.5W
Vrrm = 1300V
Irm = 20A @ 25C
C = 50pF @ 1MHz

SB540
(Schottky) DO-201A
IF(av) = 5A
Ifsm = 150A
Vfm = 0,55V @ 5A
Pd = 5W
Vrrm = 40V
Irm = 500A @ 25C
C = 500pF @ 1MHz