Contenidos

EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Captulo 2: Fsica de los semiconductores
Sebastian E. Godoy
Departamento de Ingeniera Electrica
Universidad de Concepcion, Concepcion, Chile
May 25, 2010
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Contenidos I
1 Electrones y Huecos
2 Material Intrnseco
Concentracion de Portadores
Nivel de Fermi
3 Material Extrnseco
Impurezas Donadoras y Aceptoras
Concentraciones
Compensacion y Neutralidad de Carga
Efectos de la Temperatura en la Concentracion
Semiconductor Degenerado
4 Movimiento de Portadores en Campos Electricos y
Magnetics
Movilidad y Conductividad
Efectos de Temperatura y Dopaje en la Movilidad
Efectos de Campos Altos
Efecto Hall
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Contenidos II
5 Exceso de Portadores en Semiconductores
Introduccion
Absorcion

Optica
Luminiscencia y Fotoconductividad
Difusion de Portadores
Ecuacion de Continuidad
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Contenidos I
1 Electrones y Huecos
2 Material Intrnseco
Concentracion de Portadores
Nivel de Fermi
3 Material Extrnseco
Impurezas Donadoras y Aceptoras
Concentraciones
Compensacion y Neutralidad de Carga
Efectos de la Temperatura en la Concentracion
Semiconductor Degenerado
4 Movimiento de Portadores en Campos Electricos y
Magnetics
Movilidad y Conductividad
Efectos de Temperatura y Dopaje en la Movilidad
Efectos de Campos Altos
Efecto Hall
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Contenidos II
5 Exceso de Portadores en Semiconductores
Introduccion
Absorcion

Optica
Luminiscencia y Fotoconductividad
Difusion de Portadores
Ecuacion de Continuidad
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Electrones y Huecos
Cada vez que el electron sale de la banda de valencia,
genera un hueco.
Los huecos son particulas virtuales que portan carga
positiva.
Siempre se tienen de a pares: Se habla de par
electron-hueco (EHP).
Los EHP se generan por temperatura, absorcion
electromagnetica o presion.
A temperatura ambiente, el Silicio tiene una concentracion
de 10
10
EHP/cm
3
. Lo que comparado con la densidad
atomica de 5 10
22
atoms/cm
3
es baja.
La aparicion de EHP hace que algunos electrones esten
libres de moverse en la banda de conduccion utilizando los
estados libres disponibles.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Electrones y Huecos
Supongase un semiconductor sin EHP y con un diagrama
de energa-momento en la banda de valencia como la
gura
Al aplicar un campo electrico, la corriente neta es cero
pues por cada electron con momento p
j
habra otro
electron con momento p
j
. As la densidad de corriente
de la red de electrones sera:
J = (q)

i
v
i
= 0
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EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
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Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Electrones y Huecos
Al producirse un EHP, el j-esimo electron saltara a la
banda de conduccion y no estara presente en la red, por lo
que la densidad de corriente es:
J = (q)

i
v
i
(q)v
j
Anteriormente se dijo que el primer termino de la ecuacion
anterior era nulo, por lo tanto
J = qv
j
Este resultado implica que al generarse un EHP, la
corriente resultante es equivalente a la corriente producida
por una particula positivamente cargada (+q) con
velocidad v
j
.
La corriente es producida por los huecos!
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EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
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Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
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Temperatura
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Introducci on
Absorci on

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Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Contenidos I
1 Electrones y Huecos
2 Material Intrnseco
Concentracion de Portadores
Nivel de Fermi
3 Material Extrnseco
Impurezas Donadoras y Aceptoras
Concentraciones
Compensacion y Neutralidad de Carga
Efectos de la Temperatura en la Concentracion
Semiconductor Degenerado
4 Movimiento de Portadores en Campos Electricos y
Magnetics
Movilidad y Conductividad
Efectos de Temperatura y Dopaje en la Movilidad
Efectos de Campos Altos
Efecto Hall
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EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
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Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Contenidos II
5 Exceso de Portadores en Semiconductores
Introduccion
Absorcion

Optica
Luminiscencia y Fotoconductividad
Difusion de Portadores
Ecuacion de Continuidad
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EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
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Temperatura
Campos Altos
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Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Intrnseco
Se habla de material intrnseco cuando se tiene un cristal
sin impurezas ni defectos en sus estructuras atomicas.
Una denicion mas general considera que el n umero de
impurezas es relativamente menor con respecto a los EHP
generados por la temperatura.
Un semiconductor intrnseco es una estructura estable
formada por enlaces covalentes y los portadores
disponibles se deben a la generacion de EHP.
A cero absoluto no habra portadores.
Como los EHP se generan de a pares, la concentracion de
electrones (n) y de huecos (p) es la misma para una
temperatura ja.
n = p = n
i
n
i
(T)
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EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Intrnseco
Los EHP se generan por temperatura y pueden volver a
recombinarse:
El electron libera su energa en exceso y vuelve a la
banda de valencia.
En general un EHP tiene un tiempo de vida del orden
de los s antes de recombinarse.
A una temperatura ja, la combinacion de los procesos de
generacion y recombinacion de EHP mantienen una
concentracion constante.
Al no existir excitaciones externas como luz, presion o
campo electrico, las tasas de generaci on y recombinacion
deben ser iguales.
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EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Intrnseco: Concentraci on
Para obtener la densidad de electrones (n umero de electrones
por cm
3
) se eval ua la densidad puntual en un rango
incremental de energa dE. Deniendo:
N(E): densidad de estados permitidos de energa, por
rango de energa, por unidad de volumen. Se
mide en (cm eV )
1
.
F(E): Probabilidad de que el electron ocupe dicho
estado permitido de energa. Esta regulado por
las estaqdsticas de Fermi-Dirac.
Entonces la densidad de electrones sera n(E) = N(E)F(E).
Para obtener la densidad de electrones por unidad de volumen,
sera necesario tomar la integral desde la base de de la banda de
conduccion hasta la parte superior de la misma, luego
n =
_
E
max
E
min
n(E) dE =
_
E
max
E
min
N(E)F(E) dE
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EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Intrnseco: Nivel de Fermi
La probabilidad de que el electron ocupe un estado de energa
E esta dado por la funcion de distribucion de Fermi:
F(E) =
1
1 + e
EE
f
kT
,
en donde
k: constante de Boltzmann (1.38065 10
23
J/K)
T: temperatura absoluta en Kelvin.
E
f
: energa del nivel de Fermi.
La energa del nivel de Fermi se entiende como la energa a la
cual la probabilidad de ocupacion por un electron es
exactamente
1
2
.
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EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
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Exceso
Introducci on
Absorci on

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Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Intrnseco: Nivel de Fermi
Para la funcion de distribucion de Fermi se tienen dos opciones:
E > E
f
F(E) = 0
E < E
f
F(E) = 1
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Extrnseco
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Compensaci on
Temperatura
Degenerado
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Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Intrnseco: Nivel de Fermi
Para niveles de E que estan sobre 3kT veces sobre o bajo el
nivel de Fermi, la exponencial se vuelve mayor a 20 o menor a
0.05 respectivamente, luego
(E E
f
) > 3kT F(E) e

EE
f
kT
(E E
f
) < 3kT F(E) 1 e

EE
f
kT
La ultima ecuacion puede ser vista como la probabilidad de que
un hueco ocupe un estado ubicado en el nivel de energa E.
Se puede demostrar matematicamente que la densidad de
estados N(E) esta determinada por
N(E) = 4
_
2m
n
h
2
_
3/2
E
1/2
en donde m
n
es la masa efectiva del electron.
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EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Intrnseco: Concentraci on
En la gura se tiene de izquierda a derecha:
Diagrama de bandas para semiconductor intrnseco.
La densidad de estados, N(E), que vara con respecto a

E para una masa efectiva del electron dada.

Funcion de distribucion de Fermi.
Concentracion de portadores para semiconductor
intrnseco (areas bajo curvas de n(E) y p(E)).
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EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
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Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Intrnseco: Concentraci on
Ahora, considerando que cuando E entonces F(E) 0,
entonces se puede aproximar E
max
= . Como en un
semiconductor intrnseco el nivel de Fermi esta en el punto
medio de la banda gap, entonces E E
f
>> 3kT, luego
F(E) = exp
_

EE
f
kT
_
. Reemplazando:
n =
_

E
c
N(E)F(E) dE
=
_

E
c
4
_
2m
n
h
2
_
3/2

E e

EE
f
kT
dE
= N
c
exp
_
(E
c
E
f
)
kT
_
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Intrnseco: Concentraci on
En donde
N
c
= 2
_
2m
n
kT
h
2
_3
2
se conoce como la densidad efectiva de estados en la banda de
conduccion. Se mide en cm
3
Para temperatura ambiente se
verica que N
c
= 2.86 10
19
cm
3
para Silicio y
N
c
= 4.7 10
17
cm
3
para Galio Arsenico.
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EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Intrnseco: Concentraci on
Similarmente para la densidad de los huecos en la banda de
valencia se puede obtener
p = N
v
exp
_
(E
f
E
v
)
kT
_
en donde N
v
es la densidad efectiva de estados en la banda de
valencia y esta determinada por:
N
v
= 2
_
2m
p
kT
h
2
_3
2
,
en donde m
p
es la masa efectiva de un hueco. La densidad
efectiva es igual para el silicio y el galio arsenico. Para
temperatura ambiente se verica que N
v
= 7.0 10
18
cm
3
.
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EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Intrnseco: Concentraci on
Anteriormente se dijo que n = p = n
i
en donde n
i
es conocida
como la densidad intrnseca de portadores. Luego
np = n
2
i
= N
c
N
v
exp
_
E
g
kT
_
en donde E
g
es la banda gap. Por lo tanto:
n
i
=
_
N
c
N
v
exp
_
E
g
2kT
_
Realizando la relacion de las concentraciones de electrones y
huecos (n/p) se obtiene que
E
f
=
E
c
+ E
v
2
+
kT
2
ln
_
N
v
N
c
_
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Intrnseco: Concentraci on
A temperatura ambiente
E
c
+ E
v
2
>>
kT
2
ln
_
N
v
N
c
_
por lo tanto E
f
E
i
, es decir, el nivel de Fermi se encuentra
aproximadamente en el punto medio de la banda gap.
Los semiconductores intrnsecos son:
Familia IV: Si, Ge, SiC, SiGe.
Aleacion Familia III-IV: AlP, AlAs, AlSp, GaP, GaAs, GaSb,
InP, InAs, InSp.
Aleacion Familia II-IV: ZnS, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdTe.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
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Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Contenidos I
1 Electrones y Huecos
2 Material Intrnseco
Concentracion de Portadores
Nivel de Fermi
3 Material Extrnseco
Impurezas Donadoras y Aceptoras
Concentraciones
Compensacion y Neutralidad de Carga
Efectos de la Temperatura en la Concentracion
Semiconductor Degenerado
4 Movimiento de Portadores en Campos Electricos y
Magnetics
Movilidad y Conductividad
Efectos de Temperatura y Dopaje en la Movilidad
Efectos de Campos Altos
Efecto Hall
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Contenidos II
5 Exceso de Portadores en Semiconductores
Introduccion
Absorcion

Optica
Luminiscencia y Fotoconductividad
Difusion de Portadores
Ecuacion de Continuidad
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Extrnseco
Cuando un semiconductor es dopado con impurezas se le
llama extrnseco.
Estas impurezas son atomos de otros elementos que
modican las propiedades intrnsecas del semiconductor.
Las impurezas agregan niveles de energa nuevos en el
diagrama de bandas anteriormente estudiado.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Extrnseco: Donadores
Suponga que un atomo de Silicio se reemplaza por un
atomo de Arsenico.
De los 5 electrones del arsenico, 4 formaran enlaces
covalentes con los atomos de silicio vecinos, utilizando los
estados disponibles.
El quinto electron tiene una energa de enlace
relativamente peque na a su atomo de arsenico.
Este atomo puede ser facilmente ionizado dejando su
electron en exceso disponible para la conduccion.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Extrnseco: Donadores
El electron disponible se dice que fue donado a la banda
de conduccion.
El atomo de arsenico es un donador de electrones.
El cristal resultante, en estado estacionario, posee mas
electrones que huecos por lo que es llamado semiconductor
tipo N por la adicion de cargas negativas.
En general, los electrones donados siempre necesitan
menos energa que los electrones intrnsecos para pasar a
la banda de conduccion.
Al agregar arsenico en el silicio E
c
E
D
= 0.054eV .
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Extrnseco: Receptores
Realizando el mismo analisis para un atomo de boro (B) en el
arreglo de atomos de silicio se tiene
El boro tiene 3 electrones dejando un espacio libre dentro
de los enlaces covalentes con los vecinos.
Se tiene un hueco en la banda de valencia.
Al tener mayor numero de huecos que de electrones, se
habla de un semiconductor tipo P.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Extrnseco: Receptores
En general, los electrones que pueden ser aceptados no
necesitan perder tanta energa como al realizarse
recombinacion.
Al agregar boro en silicio, E
A
E
v
= 0.045eV .
Para otras impurezas se tiene:
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Extrnseco: Ionizaci on Completa
Hasta aca se ha asumido que las concentraciones de
huecos y electrones son mucho menores que la densidad
efectiva de estados.
Esto involucra que el nivel de Fermi se encuentra al menos
3kT sobre (bajo) E
v
(E
c
) para la vanda de valencia
(conduccion).
Cuando esto sucede, se habla de semiconductores
no-degenerados.
Bajo esta condicion, a temperatura ambiente existe
normalmente suciente energa termica para ionizar todos
los donadores.
En la banda de conduccion existe el mismo n umero de
electrones.
Esta condicion se conoce como ionizacion completa.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Extrnseco: Ionizaci on Completa
Bajo ionizacion completa, entonces n = N
D
para un tipo N, y
p = N
A
para un tipo P, en donde N
D
(N
A
) es la concentracion
de donadores (aceptores).
Esto se muestra en la siguiente gura
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Extrnseco: nivel de Fermi
De las relaciones de concentracion en equilibrio se puede
obtener
E
c
E
f
= kT ln
_
N
c
N
D
_
E
f
E
v
= kT ln
_
N
v
N
A
_
Esto implica que a mayor concentracion de donadores
(aceptores), la diferencia E
c
E
f
(E
f
E
v
) se hace cada vez
mas peque na
El nivel de Fermi se acerca mas a la banda de conduccion
(valencia).
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Extrnseco: nivel de Fermi
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Extrnseco: Concentraciones
Las relaciones para n y p obtenidas son igualmente validas
Anteriormente se dijo que para un semiconductor
intrnseco E
f
E
i
, luego
n
i
= N
c
exp
_

E
c
E
i
kT
_
, y p
i
= N
v
exp
_

E
i
E
v
kT
_
Por lo que se obtiene para un semiconductor extrnseco
n = n
i
exp
_
E
f
E
i
kT
_
, y p = n
i
exp
_
E
i
E
f
kT
_
De aca resulta facil demostrar que tambien se mantiene la
relacion np = n
2
i
, conocida como ley de accion de masas.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Extrnseco: Compensacion y Neutralidad
Hasta ahora se agregan donadores o aceptores en forma
independiente, pero en muchos casos se poseen ambos.
Considere el caso en donde esto se presente.
Asuma que un electron de la banda de valencia utiliza un
estado del nivel donador.
El hueco generado sera posteriormente llenado por un
electron de la banda de conduccion mediante
recombinacion.
Extendiendo la logica a todos los atomos, la concentracion
resultante esperada sera la diferencia entre la
concentracion de donadores y aceptores.
La impureza de mayor concentracion determinara el
tipo de semiconductor.
Este fenomeno se conoce como compensacion.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Extrnseco: Compensacion y Neutralidad
Para obtener la relacion de concentraciones, se considera que el
material mantiene neutralidad de carga espacial: la suma de
cargas positivas (huecos y donadores ionizados) es igual a la
suma de cargas negativas (electrones y aceptores ionizados):
n + N
+
A
= p + N

D
Tomando esta igualdad y el hecho de que np = n
2
i
se puede
obtener que la concentracion de electrones y huecos en un
semiconductor tipo N es:
n
N
=
1
2
_
N
D
N
A
+
_
(N
D
N
A
)
2
+ 4n
2
i
_
p
N
=
n
2
i
n
N
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Extrnseco: Compensacion y Neutralidad
Como los electrones son predominantes se les llama portadores
mayoritarios y los huecos corresponden a los minoritarios.
Similarmente para un semiconductor tipo P los portadores
mayoritarios, p
P
, y los minoritarios, n
P
, estan dados por:
n
P
=
n
2
i
p
P
p
P
=
1
2
_
N
A
N
D
+
_
(N
D
N
A
)
2
+ 4n
2
i
_
Generalmente la concentracion de impurezas |N
D
N
A
| es
mucho mayor que la concentracion intrnseca n
i
por lo tanto
n
N
N
D
N
A
, si N
D
> N
A
p
P
N
A
N
D
, si N
A
> N
D
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Extrnseco: Temperatura y Concentracion
Se dijo que n
i
=

N
c
N
v
exp
_
E
g
2kT
_
y que ademas
N
c
= 2
_
2m
n
kT
h
2
_3
2
; N
v
= 2
_
2m
p
kT
h
2
_3
2
Por lo que se puede obtener la relacion
n
i
(T) = 2
_
2kT
h
2
_3
2
(m
n
m
p
)
3
4
exp
_
E
g
2kT
_
y el graco de la siguiente pagina.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Extrnseco: Temperatura y Concentracion
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Extrnseco: Temperatura y Concentracion
Para semiconductores extrnsecos, se utiliza la ecuacion de
concentracion para calcular la diferencia |E
f
E
i
|:
Al aumentar la temperatura, el nivel de Fermi se acerca al
nivel intrnseco
El semiconductor vuelve a ser intrnseco!
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Extrnseco: Temperatura y Concentracion
Para una concentracion de N
D
= 10
15
cm
3
se tiene:
A bajas temperaturas la energa termica no es suciente
para ionizar las impurezas
Los electrones estan congelados en el nivel donador.
La concentracion de electrones es menor que N
D
.
A temperaturas medias la concentracion es igual a N
D
por
la ionizacion completa. Esta zona se conoce como
extrnseca.
A temperaturas altas los EHP empiezan a crecer mas alla
del n umero de atomos donadores, teniendo una zona
intrnseca.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Material Extrnseco: Temperatura y Concentracion
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Semiconductor Degenerado
Cuando la concentracion aumenta mucho con rescpecto a la
densidad efectiva de estados, la integral utilizada para el calculo
de las concentraciones se debe calcular sin aproximaciones
directas y de forma numerica dada la complejidad.
Para este caso, el nivel de Fermi se encuentra sobre E
c
(o bajo
E
v
) y es referido como semiconductor extrnseco.
La alta concentracion de impurezas hace que el gap se reduzca.
Se puede demostrar que para el silicio a temperatura ambiente:
E
g
= 22
_
N
10
18
_1
2
meV
Por ejemplo N
D
10
18
, entonces E
g
0.022eV que es
menor al 2% del gap. Pero para N
D
N
c
= 2.86 10
19
,
E
g
0.12eV .
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Contenidos I
1 Electrones y Huecos
2 Material Intrnseco
Concentracion de Portadores
Nivel de Fermi
3 Material Extrnseco
Impurezas Donadoras y Aceptoras
Concentraciones
Compensacion y Neutralidad de Carga
Efectos de la Temperatura en la Concentracion
Semiconductor Degenerado
4 Movimiento de Portadores en Campos Electricos y
Magnetics
Movilidad y Conductividad
Efectos de Temperatura y Dopaje en la Movilidad
Efectos de Campos Altos
Efecto Hall
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Contenidos II
5 Exceso de Portadores en Semiconductores
Introduccion
Absorcion

Optica
Luminiscencia y Fotoconductividad
Difusion de Portadores
Ecuacion de Continuidad
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Movilidad y Conductividad
En temperatura de equilibrio, los electrones siempre estan
en movimiento.
Este movimiento es aleatorio y no tiene direccion denida.
Puede considerarse como una dispersion (scattering)
aleatoria de las vibraciones termicas de los enrejados
atomicos, impurezas y otros electrones.
Como la dispersion de cada electron es aleatoria, un grupo
de n e/cm
3
no experimenta movimiento conjunto en
ning un perido temporal.
Al considerar un alto n umero de electrones, no existe
direccion neta de dichos electrones
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Movilidad y Conductividad
Al aplicar un campo electrico en la direccion x,
x
, cada
electron experimentara una fuerza neta dada por q
x
.
Esta fuerza puede ser insuciente para alterar el
movimiento aleatorio de un electron.
Para un grupo de n electrones se produce un movimiento
neto del grupo en la direccion x.
Si p
x
es el momento total del grupo en la direccion x, la
fuerza del campo electrico para los n electrones estara
dada por la segunda ley de Newton:
nq
x
=
dp
x
dt
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Movilidad y Conductividad
Esta ecuacion indica que existe una aceleracion constante
de los electrones.
En estado estacionario los electrones no aceleran Las
colisiones desaceleran a los electrones y balancean el
proceso.
Estudiemos las colisiones...
Si las colisiones son realmente aleatorias, entonces habra
una probabilidad constante de colision para cada electron
en cualquier tiempo.
Considerando un grupo de N
0
electrones en t = 0,
denimos como N(t) al n umero de electrones han
colisionado en el tiempo t.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Movilidad y Conductividad
La tasa de decrecimiento de N(t) en cualquier tiempo es
proporcional al n umero de electrones sin colision en el
mismo tiempo, luego

dN(t)
dt
=
1

t
N(t) .
en donde

t
1
es la constante de proporcinalidad y
representa el tiempo medio entre eventos de colision.

t es llamado tiempo libre medio del electron.
La solucion para la ecuacion diferencial es N(t) = N
0
e
t/

t
.
La probabilidad de que cualquier electron tenga una
colision en el tiempo dt estara dada por dt/

t. Por lo que
los cambios de momento por colision en el tiempo dt
estara dado por
dp
x
= p
x
dt

t

dp
x
dt
=
p
x

t
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Movilidad y Conductividad
En resumen:
Aceleracion por campo electrico ;
dp
x
dt
= nq
x
Desaceleracion por colisiones ;
dp
x
dt
=
p
x

t
En estado estacionario, ambos efectos deben cancelarse, luego

p
x

t
nq
x
= 0
El momento medio por electron estara dado por p
x
= q

t
x
, y
la velociad media de cada electron sera
v
x
=
p
x
m

n
=
q

t
m

x
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Movilidad y Conductividad
La variable m

n
es la masa efectiva del electron para la
conductividad electrica:
Si : m

n
= 0.26m
0
GaAs : m

n
= m
n
= 0.067m
0
La cantidad
q

t
m

n
describe la facilidad con la que el electron
se mueve en el material y se conoce como movilidad del
electron.
Se dene

n

q

t
m

n
,
luego v
x
=
n

x
.
En general v
x
es mucho menor que la velocidad aleatoria
dada por el movimiento termico v
th
10
7
cm/s.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Movilidad y Conductividad
La densidad de corriente resultante del movimiento neto
corresponde al n umero de electrones por unidad de area por la
carga del electron:
J = qn v
x
=
q
2
n

t
m

x
= qn
n

x
Comparando con la ley de Ohm: J =
x
, entonces se puede
concluir que la conductividad del semiconductor sera:

q
2
n

t
m

n
= qn
n
Al considerar la participacion de los huecos en la conduccion se
obtiene que
J
x
= q(n
n
+ p
p
)
x
=
x
Por lo que la conductividad total es = q(n
n
+ p
p
).
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Resistencia electrica
La resistencia electrica de una muestra de semiconductor se
puede obtener mediante la ecuacion:
R =
L
A
=
L
wt
[]
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
... Temperatura y Dopaje en la Movilidad
Existen dos tipos de mecanismos de dispersion que afectan la
movilidad de electrones y huecos: dispersion en las capas
(enrejado atomico) y en las impurezas.
Dispersion en Enrejado:
Un portador moviendose en el cristal es disperso por las
vibraciones termicas.
La frecuencia de esta dispersion crece con el aumento de
la temperatura
La movilidad decrece al aumentar la temperatura,
proporcionalmente a T
3/2
.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
... Temperatura y Dopaje en la Movilidad
Dispersion en Impurezas:
En temperaturas bajas, la vibracion termica es baja por lo
que predomina la dispersion dada en las impurezas.
Por la baja temperatura, los portadores se mueven mas
lento.
Luego son mas propensos a interactuar con los iones
cargados (impurezas) que poseen alto momento.]
Las impurezas causan un decrecimiento de la movilidad
al bajar la temperatura, proporcional a T
3/2
.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
... Temperatura y Dopaje en la Movilidad
En general se tiene que
1

t
=
1

t
impurezas
+
1

t
enrejado
Un dato importante de tener en cuenta es que al aumentar el
dopaje, el alto n umero de impurezas ionizadas ejercen efectos
sobre la movilidad aun en temperaturas altas, por ejemplo

n
=
_
1350
cm
2
V s
Si intrnseco @ 300K
700
cm
2
V s
Si con N
D
= 10
17
cm
3
@ 300K
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
... Temperatura y Dopaje en la Movilidad
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Efectos de Campos Altos
Anteriormente se asumio que la corriente de
desplazamiento (drift) de portadores, J, era proporcional
al campo electrico aplicado.
La constante de proporcionalidad era la conductividad (ley
de Ohm) y no dependia de dicho campo electrico.
Esta consideracion es valida solo si el campo electrico es
bajo << 10
3
V/cm.
La dependencia de con el campo electrico se conoce
como efecto de portadores calientes.
Se maniesta como un aumento de la velocidad media
v
x
siendo comparable a la velocidad termica
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Efectos de Campos Altos
En Si y Ge se alcanza el valor tope dado por la velocidad
termica
La energa se pasa al enrejado y no aumenta la
velocidad de los portadores
Saturacion de la velocidad del Electron
En el GaAs la velocidad decrece pues se genera
conductividad negativa y una corriente inestable en la
muestra.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Efecto Hall
Considere la siguiente gura
La barra semiconductora es tipo P y tiene un ujo de
huecos en la direccion +x.
Al aplicar el campo magnetico perpendicular al dicho
desplazamiento, se genera la fuerza de Lorentz en la
direccion y.
Esta fuerza hace que el camino de los huecos se curve en
la direccion y.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Efecto Hall
La curvatura en el camino genera una acumulacion de
huecos en la parte izquierda de la muestra, generando un
campo electrico en direccion +y.
Como en estado estacionario no existe ujo de cargas en el
eje y entonces este campo electrico crece hasta balancear
balancear la fuerza de Lorentz. Luego en estado
estacionario:
F
y
= q(
y
v
x
B
z
) = 0
Por lo tanto
y
= v
x
B
z
en estado estacionario.
La aparicion del campo electrico
y
se conoce como efecto
Hall. Este campo electrico se le llama campo de Hall.
El campo de Hall genera un voltaje en la caras A y B de
la muestra que es conocido como voltaje de Hall y esta
dado por V
H
= w
y
.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Efecto Hall
Anteriormente se obtuvo que v
x
=
n

x
para los
electrones, por lo que para los huecos:
v
x
=
p

x
, y J
x
= qp
p

x
De donde se puede obtener que la velocidad media de los
huecos es v
x
=
J
x
qp
. Reemplazando en el campo de Hall:

y
= v
x
B
z
=
J
x
qp
B
z
= R
H
J
x
B
z
En donde se utilizo la denicion del coeciente de Hall
dada por
R
H

1
qp
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Efecto Hall
Utilizando estas deniciones se puede obtener la
concentracion de los portadores mayoritarios de la muestra:
p =
1
qR
H
=
J
x
B
z
q
y
=
I
x
B
z
qV
H
t
[cm
3
]
ya que I
x
, B
z
, V
H
y t son variables medibles.
La resistividad de la muestra sera
=
1

=
Rwt
L
=
V
CD
wt
I
x
L
[ cm]
Y la movilidad estara determinada por

p
=

qp
=
R
H

Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Efecto Hall
Para un semiconductor tipo N R
H
=
1
qn
y el voltaje de
Hall es negativo.
La medida del coeciente de Hall y la resistividad a
diferentes temperaturas temperaturas, permite obtener
gracos de concentraciones versus movilidad.
Midiendo el signo de V
H
se puede determinar si una
muestra desconocida es tipo P o N.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Contenidos I
1 Electrones y Huecos
2 Material Intrnseco
Concentracion de Portadores
Nivel de Fermi
3 Material Extrnseco
Impurezas Donadoras y Aceptoras
Concentraciones
Compensacion y Neutralidad de Carga
Efectos de la Temperatura en la Concentracion
Semiconductor Degenerado
4 Movimiento de Portadores en Campos Electricos y
Magnetics
Movilidad y Conductividad
Efectos de Temperatura y Dopaje en la Movilidad
Efectos de Campos Altos
Efecto Hall
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Contenidos II
5 Exceso de Portadores en Semiconductores
Introduccion
Absorcion

Optica
Luminiscencia y Fotoconductividad
Difusion de Portadores
Ecuacion de Continuidad
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Introduccion
La mayora de los dispositivos semiconductores operan por
la creacion de portadores en exceso de los valores en
equilibrio termico.
Estos pueden ser creados por excitacion optica o
bombardeo de electrones, o simplemente ser inyectados en
la supercie como se vera mas adelante.
Cuando aparecen estos portadores en exceso, ellos
dominan el proceso de conduccion en el semiconductor.
Estudiaremos la generacion de portadores por absorcion
optica y las propiedades resultantes de la fotoluminiscencia
y la fotoconductividad, ademas de los mecansmos de
recombinacion de EHP.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Absorci on

Optica
Los fotones con E = h
1
> E
g
son absorbidos.
Los fotones con E = h
1
< E
g
son transmitidos
(transparencia).
Como existen muchos electrones en la banda de valencia y
muchos estados disponibles en la banda de conduccion, la
probabilidad de abrorcion del foton con energa suciente
es muy alta.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Absorci on

Optica
(a) Se crea un EHP durante la absorcion del foton.
El electron excitado puede tener mas energa que
los electrones de la banda de conduccion.
(b) Por dispersion en el enrejado de atomos, el
electron pierde energa hasta que su velocidad
alcanza la velocidad termica de equilibrio.
(c) El EHP generado es un portador en exceso por lo
que el semiconductor no esta en equilibrio.
Eventualmente el EHP debera recombinarse y
generar un foton de energa E = h
2
.
Cuando los portadores en exceso existen, esta libres para
contribuir en la conduccion electrica.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Absorci on

Optica
Como h = 4.135 10
15
eV s y c = 3 10
8
m/s, entonces
E = h = h
c

=
1.2405
[m]
Por lo mismo
Long. Onda Banda Gap [eV]
[nm] Mnimo Maximo
Visible 400-700 1.772 3.10
Infrarrojo 700-3000 0.04135 1.772
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Propiedades de Elementos y compuestos binarios
Semiconductor Bandgap Banda
n

p
Element Ge 0.66 I 3900 1800
Si 1.12 I 1450 505
IV-IV SiC 2.86 I 300 40
III-V AlSb 1.61 I 200 400
GaAs 1.42 D 9200 320
InAs 0.35 D 33000 450
InP 1.34 D 5900 150
InSb 0.17 D 77000 850
II-VI CdS 2.42 D 340 50
CdTe 1.56 D 1050 100
ZnO 3.35 D 200 180
ZnS 3.68 D 180 10
IV-VI PbS 0.41 I 800 1000
PbTe 0.31 I 6000 4000
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Fotoluminiscencia
Corresponde a la propiedad de emitir luz que poseen
algunos semiconductores.
Si los portadores son excitados por absorcion de fotones,
al generarse emision por recombinacion se habla de
fotolomuniscencia.
Cuando se produce por el bombardeo con electrones se
habla de catodoluminscencia. La catodoluminscencia no
se estudiara en el curso.
Al producir excitacion por medio de corriente electrica se
habla de electrolumniscencia. Se estudiara al estudiar el
diodo emisor de luz, LED.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Fotoluminiscencia
La vida media de un EHP es alrededor de 10
8
segundos o
menos.
La emision de fotones termina 10
8
segundos despues
de que termine la excitacion.
Este fenomeno se le conoce como uorescencia.
Existen otros materiales llamados fosforecentes que la
emision contin ua minutos despues de terminar la
excitacion.
Estos contienen defectos o impurezas en el gap que
atrapan a los electrones de la banda de conduccion.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Fotoluminiscencia
El proceso se puede explicar mediante:
(a) El foton es absorbido por que E
g
< h
1
, creando
un EHP.
(b) El electron pierde energa por dispersion.
(c) El electron es atrapado en un nivel de impurezas
E
t
y permanece ah hasta que es termicamehnte
reexcitado a la banda de conduccion (d).
(e) La recombinacion nal se produce cuando el
electron car a un estado en la banda de valencia
generando un foton de energa h
2
E
g
.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Fotoluminiscencia
Si la probabilidad de reexcitacion termica es baja, el
retardo entre excitacion y recombinacion es alto.
Si la probabilidad de atrapar un electron es mayor que la
probabilidad de recombinacion, entonces la emision de luz
fosforescente persiste por mucho tiempo luego de que la
excitacion es retirada.
La luz emitida dependera del nivel de impurezas agregadas.
La seleccion de colores es muy util en la fabricacion de
pantallas TV a color.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Fotoconductividad
La generacion de portadores en exceso (EHP fotogenerados)
hara que la conductividad:
= q(n
n
+ p
p
)
sufra alteraciones. En particular, luego de un incremento en la
concentracion de EHP dado por n = p, se tiene:

= q(n

n
+ p

p
)
= q[(n + n)
n
+ (p + p)
p
]
=
0
+
El aumento de conductividad recibe el nombre de
fotoconductividad.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Difusi on de Portadores
Considere un semiconductor que se ilumina por una de sus
caras.
La generacion de EHP se dara en la capa atomica mas
supercial (x = 0) de la muestra.
Cuando los portadores son introducidos de manera mas
no-uniforme, entonces las concentraciones de portadores
varan de acuerdo a la posicion en la muestra: n n(x) y
p p(x).
Este fenomeno genera un gradiente de portadores de zonas
de alta concentracion a zonas de concentraciones bajas.
Este movimiento se conoce como difusion de portadores.
Entonces, los dos proceso basicos de conduccion de
corriente son:
Desplazamiento (drift) por campo electrico.
Difusion por gradiente de concentraciones.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Difusi on de Portadores
Este fenomeno se puede ejemplicar con el siguiente graco:
La difusion se produce hasta que n(x) es constante.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Difusi on de Portadores
Se puede demostrar que el ujo de portadores es
proporcional a la disminucion de concentracion con
respecto a la posicion:

n
(x) = D
n
dn(x)
dx
, y
p
(x) = D
p
dp(x)
dx
El coeciente de proporcionalidad D
n
(D
p
) es el
coeciente de difusion del electron (hueco). Se mide en
cm
2
s
.
La corriente electrica por difusion es la densidad de
partculas multiplicada por la carga:
J
n
(diff) = (q)D
n
dn
dx
, y J
p
(diff) = (+q)D
n
dp
dx
Tanto electrones como huecos se mueven en la misma
direccion, pero la corriente generada es en diferentes
direcciones.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Difusi on de Portadores
En denitiva, al tener ambos fenomenos (difusion y drift)
la corriente total de portadores sera:
J
n
(x) = q
n
n(x)(x) + qD
n
dn
dx
J
p
(x) = q
p
p(x)(x) + qD
p
dp
dx
J(x) = J
n
(x) + J
p
(x)
Por denicion un campo electrico se puede calcular
mediante la relacion con el potencial:
(x) =
dV (x)
dx
=
d
dx
_
E
i
(q)
_
=
1
q
dE
i
dx
Esto implica que el campo electrico afecta
directamente la variacion de las bandas de energa.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Difusi on de Portadores
En equilibrio, no existe ujo de corriente en un
semiconductor.
Por lo mismo, cualquier uctuacion que origine una
corriente de difusion, tambien ja un campo electrico que
redistribuye los portadores por desplazamiento.
Un examen del requerimiento de equilibrio indica que los
coecientes de difusion y la movilidad deben estar
relacionados.
En efecto, considerando equilibrio: J
p
(x) = 0, entonces
(x) =
D
p

p
1
p(x)
dp
dx
Comparando con la ecuacion obtenida anteriormente, se
tiene:
D
p

p
1
p(x)
dp
dx
=
1
q
dE
i
dx
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Difusi on de Portadores
Tomando el hecho de que p(x) = n
i
exp
_
E
i
(x)E
f
(x)
kT
_
,
entonces
dp
dx
=
p(x)
kT
_
dE
i
dx

dE
f
dx
_
Reemplazando se tiene
D
p

p
1
kT
_
dE
i
dx

dE
f
dx
_
=
1
q
dE
i
dx
.
Como el nivel de Fermi no experimenta variaciones sin
campos electricos externos, entonces
dE
f
dx
= 0.
As se obtiene la relacion
D
p

p
=
kT
q
,
que se conoce como la relacion de Einstein.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Ecuaci on de Continuidad
Anteriormente se consideraron efectos individuales de
desplazamiento, difusion y recombinacion.
Ahora se tomaran todos los efectos ocurriendo en forma
simultanea en el mismo semiconductor.
La ecuacion que modela esto se conoce como ecuacion
de continuidad.
Consideremos:
n(x): concentracion de electrones en posicion x.
A: area transversal de la muestra.
G
n
: tasa de generacion de EHP.
R
n
: tasa de recombinacion de EHP.
J
n
(x): densidad de corriente de electrones en x.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Ecuaci on de Continuidad
Consideremos un volumen de ancho dx (en rigor, una lamina
innitesimal):
El n umero de electrones aumenta por: ujo de corriente
neto en la lamina y por la generacion de EHP.
El n umero de electrones decrece por: ujo de corriente
neto saliendo de la lamina y por la recombinacion de EHP.
(tasa aumento de electrones en volumen) = (electrones
entrando en volumen) - (electrones saliendo del volumen) +
(tasa generacion) - (tasa recombinacion)
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Ecuaci on de Continuidad
Se tiene:
Tasa de aumento de electrones en volumen:
n
t
Adx
Electrones entrando en volumen:
I
n
(x)
q
=
J
n
(x)A
q
Electrones saliendo del volumen:
I
n
(x + dx)
q
=
J
n
(x + dx)A
q
Tasas generacion-recombinacion en el volumen:
(G
n
R
n
)Adx, luego
n
t
Adx =
_
J
n
(x)A
q

J
n
(x + dx)A
q
_
+ (G
n
R
n
)Adx
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Ecuaci on de Continuidad
Aproximando la corriente en el punto x +dx mediante series de
Taylor:
J
n
(x + dx) = J
n
(x) +
J
n
t
dx + . . .
luego
n
t
Adx =
J
n
t
Adx
q
+ (G
n
R
n
)Adx
As, la ecuacion de continuidad para los electrones es:
n
t
=
1
q
J
n
t
+ (G
n
R
n
)
Similarmente para los huecos:
p
t
=
1
q
J
p
t
+ (G
p
R
p
)
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Ecuaci on de Continuidad
Utilizando la denicion de densidad de corriente y que existe
recombinacion directa de electrones, entonces
n
t
= n
n

x
+
n

n
x
+ D
n

2
n
x
2
+ G
n

n
p
t
= p
p

x

p

p
x
+ D
p

2
p
x
2
+ G
p

p
Adicionalmente se debe cumplir la relacion de Poisson:
d
dx
=

s

s
en donde

s
: densidad espacial de cargas.

s
q(p n + N
+
D
N

A
)

s
: permisividad dielectrica del semiconductor.
Contenidos
EHP
Intrnseco
Concentracion
Nivel de Fermi
Extrnseco
Impurezas
Concentraciones
Compensaci on
Temperatura
Degenerado
Movimiento
Movilidad
Temperatura
Campos Altos
Efecto Hall
Exceso
Introducci on
Absorci on

Optica
Luminiscencia
Difusion
Continuidad
Ecuaci on de Continuidad
Al tener un desplazamiento peque no de portadores:
n
t
= D
n

2
n
x
2
+ G
n

n
se tiene una ecuacion pare resolver problemas con
transientes de difusion con generacion-recombinacion.
Por ejemplo: pulsos de electrones generados por
iluminacion, que se mueven por difusi on y desaparecen por
recombinacion.
Al estar en estado estacionario, el exceso de portadores se
mantiene, desapareciendo las variaciones temporales.

2
n
x
2
=
n
D
n

n
=
n
L
2
n
en donde L
n

D
n

n
es el largo medio de difusion para
los electrones. Corresponde a la distancia media recorrida
por los electrones en la barra antes de recombinarse.