ELETRNICA ANALGICA

AULA 1

D.Sc. Andra Samara Santos de Oliveira Gomes

CONTEDO PROGRAMTICO
1. 2.
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Diodos Teoria dos semicondutores Diodos Ideais Diodos de juno Curva caracterstica do diodo Testes experimentais em diodos Tipos especiais de diodos Aplicao dos diodos Retificador de meia-onda Retificador de onda completa com derivao central Retificador de onda completa em ponte Retificador com filtro capacitivo Grampeador de tenso Ceifador de tenso Portas lgicas com diodos

3.

Transistores Transistor bipolar de juno (TBJ) O Transistor como chave Polarizao de transistores: Emissor comum Polarizao de transistores: Coletor comum Polarizao de transistores por divisor de tenso Aplicao de transistores em circuitos amplificadores

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BIBLIOGRAFIA
1. 2. 3. 4.

A.S. Sedra e K.C. Smith, Microeletrnica, 4. Edio, Editora Makron Books. Milman, Jacob, Eletrnica, V. 01, McGraw-Hill. Malvino, Albert Paul. Eletrnica. Editora Makron Books, 1997. Marques, A.E.B., Dispositivos Semicondutores: Diodos e Transistores. Editora rica, 2002.

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INTRODUO

Um condutor muito pobre de eletricidade chamado de isolante; um excelente condutor um metal, e uma substncia cuja condutividade esteja situada entre estes extremos um semicondutor. A corrente eltrica em um metal devida ao fluxo de cargas negativas (eltrons), enquanto a corrente em um semicondutor resulta do movimento de ambas, eltrons e cargas positivas (lacunas). Um semicondutor pode ser dopado com tomos de impurezas diferentes de tal modo que a corrente devida predominantemente a cada tipo, eltrons ou lacunas.

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SEMICONDUTOR INTRNSECO (PURO)

A condutividade eltrica proporcional concentrao n de eltrons livres. Para um bom condutor, n muito grande (~1028 eltrons/m3); para um isolante, n muito pequeno (~107); e para um semicondutor, n situa-se entre estes dois valores. Os materiais semicondutores mais usados na indstria eletrnica so o Germnio (Ge) e o Silcio (Si), dos quais o silcio predomina na produo atual. Os semicondutores intrnsecos so considerados maus condutores, no sendo utilizados nos dispositivos eletrnicos, pois o nmero de eltrons = nmero de lacunas.

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SEMICONDUTOR EXTRNSECO (IMPURO) Se ao silcio ou germnio intrnseco, for adicionada uma pequena quantidade de tomos trivalentes ou pentavalentes, teremos um semicondutor dopado, impuro ou extrnseco. Tipo P 3 eltrons na camada de valncia (impurezas aceitadoras): boro, alumnio ou glio, por exemplo. Tipo N 5 eltrons na camada de valncia (impurezas doadoras): antimnio, arsnico ou fsforo, por exemplo. Quando uma ligao covalente quebrada (energia trmica, ftons, etc.) surge uma lacuna. Esse processo implica no deslocamento da lacuna em um sentido e do eltron no sentido oposto; Nos materiais puros este deslocamento limitado. Em um material do tipo p, as lacunas so portadores majoritrios e os eltrons so portadores minoritrios. Em um material do tipo n ocorre exatamente o inverso.

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MECANISMO PELO QUAL A LACUNA CONTRIBUI PARA A CONDUTIVIDADE

10

Na figura acima temos na fileira superior 10 ons, com uma ligao quebrada, ou lacuna, no sexto on. Agora imaginemos que um eltron, a partir do stimo on, se mova para a lacuna do sexto on, do que resulta a configurao mostrada na fileira inferior. Se compararmos as imagens, temos a impresso de que a lacuna da fileira superior moveuse para a direita (fileira inferior), do sexto on para o stimo. Assim, o movimento da lacuna no sentido indicado significa o transporte da carga negativa em igual distncia, mas em sentido oposto ao transporte da carga positiva, portanto, a lacuna comporta-se como uma carga positiva, igual em magnitude carga do eltron.

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ESTRUTURA DA JUNO P-N

Dada uma ligao entre dois materiais, um tipo p e o outro tipo n, como de se esperar ocorrer um fluxo de eltrons de encontro com um fluxo de lacunas na direo da juno.

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REGIO DE DEPLEO

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POLARIZAO DIRETA DA JUNO P-N

A aplicao de um potencial externo ir inserir mais cargas (positivas e negativas) forando uma combinao de cargas e uma reduo da regio de depleo, resultando um fluxo intenso de portadores majoritrios atravs da juno.

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POLARIZAO REVERSA DA JUNO P-N

A aplicao de um potencial reverso na pastilha reforar a condio inicial sem polarizao, ou seja, provocar um aumento da regio de depleo, causando diminuio dos portadores majoritrios.

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DIODO
O diodo nada mais que uma pastilha de juno p-n.

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DIODO IDEAL
O diodo ideal atua como um condutor perfeito quando diretamente polarizado, e como um isolador perfeito quando polarizado reversamente.

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CURVA CARACTERSTICA DO DIODO IDEAL

A curva caracterstica de um diodo um grfico que relaciona cada valor da tenso aplicada com a respectiva corrente eltrica que atravessa o diodo.
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