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Proceso de Fabricacin de Semiconductores: Obtencin de polisilicio en bruto Generacin de lingotes de silicio monocristalino Corte de obleas Pulido de las obleas Crecimiento epitaxial Oxidacin Recubrimiento con fotoresina Creacin de mscaras
Proceso de Fabricacin de Semiconductores (cont.): Exposicin, Revelado, Ataque cido, Aclarado y Secado
Implante inico Deposicin qumica por vapor (CVD) Deposicin de metal Ataque sobre el metal
Lavado Test de comprobacin y corte de los dados Conexionado de los terminales Encapsulado final
Oxidacin
Crecimiento epitaxial
Pulido
Generacin de mscaras
Revenido
Exposicin
Revelado
Implante inico
Enjuague y secado
Encapsulado
Conexionado
Obtencin de Polisilicio
Las barras de polisilicio se obtienen en un horno a partir de la mezcla de triclorosilano (SiHCl3) con gas H2, depositandose sobre espigas metlicas.
Los tubos as obtenidos se someten a un proceso de refinado disolvindolos en cido fluorhdrico (HF) y se obtienen los lingotes de polisilicio.
El silicio policristalino es molido e impurificado con elementos del tipo As, B, P o Sb y fundido a 1400C en un crisol de cuarzo en atmsfera de gas inerte (Ar) de alta pureza.
El dimetro del lingote se controla con la temperatura del bao y la velocidad de extraccin.
Los mayora de los lingotes son de 150 mm (6) y 200 mm (8), pero tambin pueden ser de 300 mm (12) y 400 mm (16)
Corte de Obleas
Antes de proceder a cortar los lingotes en finas obleas se hacen unas marcas para especificar la orientacin cristalina
Cara secundaria
Cara primaria
Las obleas se cortan en una sierra circular cuyo borde de corte es el interno para asegurar una mayor precisin y finura
Esmerilado y Pulido
Esmerilado
Las obleas son esmeriladas con un abrasivo para eliminar los defectos superficiales dejados por la sierra y alisar las caras de la oblea
Despus del esmerilado se realiza un ataque qumico con una solucin de cido ntrico (HNO3)/cido actico (CH3COOH) o hidrxido de sodio (NaOH) para eliminar grietas microscpicas derivadas del proceso de esmerilado.
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Esmerilado y Pulido
Pulido A continuacin las obleas se someten a una combinacin de pulido qumico y mecnico y es abrillantado con un abrasivo reforzado con slice, agua de alta pureza e hidrxido de sodio (NaOH)
Despus del pulido la oblea se somete a un lavado para eliminar todas las impurezas
Proceso de Fabricacin. FFyTI 10
Crecimiento Epitaxial
Este proceso se utiliza para hacer crecer una capa de silicio con una concentracin diferente, generalmente menor, de dopantes en el seno del sustrato.
El triclorosilano (SiHCl3) o el tetracloruro de silicio (SiCl4) y el hidrgeno se combinan con gas de diborano (B2H6) o fosfina (PH3) para actuar como dopante.
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Oxidacin
Se crea una fina capa de SiO2 sobre la superficie por exposicin a una mezcla de O2 e H2 de alta pureza a 1000 C
El xido se utiliza como aislante ( en torno a 1500 ) y como xido de puerta (entre 200 y 500 )
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La oblea se hace girar a 3000 r.p.m. extendiendo el material en forma de una capa uniforme de entre 2 y 200 m de espesor.
La fotoresina positiva se adapta mejor a las exigencias de la tecnologa moderna en cuanto a alcanzar menores dimensiones, las cuales se encuentran por debajo de 1,0 m y puede llegar a 0,15 m.
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Generacin de patrones
Durante la fabricacin de semiconductores se pueden requerir hasta 50 capas diferentes. Cada una de ellas requerir un patrn que est contenida en una mscara o retculo.
Los patrones son generados con herramientas CAD y son transferidos al retculo (recubierto con cromo virgen y una capa de fotoresina) por uno de los dos mtodos: generacin por lser o por haz de electrones
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Generacin de patrones
Generacin de patrones por lser Toma los datos proporcionados por el software y, por medio de lentes, divisores de haces, obturadores y espejos controlados por ordenador, expone las reas especficas de la fotoresina a la luz UV.
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Generacin de patrones
Generacin de patrones por haz de electrones
Tambin interpreta los datos proporcionados por el software pero utiliza una serie de imanes, cortinas y obturadores controlados por ordenador para exponer la fotoresina a un haz de electrones de alta intensidad.
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Generacin de patrones
La fotoresina expuesta (cida) es eliminada con una solucin base, dejando al descubierto la parte del cromo que se quiere eliminar. El cromo es atacado con una solucin cida de nitrato crico de amonio, (NH4)2[Ce(NO3)6].
Los rayos UV multibanda: para tecnologa de hasta 2,0 m La luz UV de una sola longitud de onda: para tecnologa de hasta los 0,25 m Las longitudes tpicas son: 436 m (lnea G) 405 m (lnea H) 365 m (lnea I) 248 m (UV profunda) 196 m (actualmente en prueba)
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Revelado y revenido
Despus de la exposicin, la oblea es revelada tanto con una solucin cida como una base para eliminar las zonas de la fotoresina expuestas.
Una vez eliminada la parte expuesta, la oblea es sometida a un revenido suave (a baja temperatura) para endurecer la fotoresina remanente.
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Ataque qumico
Para eliminar el material de las reas seleccionadas de la oblea se utilizan diversos tipos de soluciones cidas, casticas y bases. Por la peligrosidad inherente a estas sustancias, los trabajos se realizan en cubas especiales de inmersin.
La solucin con cido fluorhdrico (HF) mezclado con fluoruro de amonio (NH4F), permite eliminar el dixido de silicio sin afectar a la capa inferior de silicio o polisilicio. El cido fosfrico (H3PO4) se emplea para atacar las capas de nitruro de silicio (Si3N4), el cido ntrico (HNO3) se utiliza para atacar a los metales y el cido sulfrico (H2SO4) se utiliza para eliminar la fotoresina.
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Implante inico
El implantador inico utiliza un tubo acelerador de alta corriente e imanes de direccin focalizadores para bombardear la superficie de la oblea con iones de un dopante especfico. Estos iones dopantes son implantados en la capa superior de la oblea, justo debajo de la superficie, modificando la conductividad de una regin especfica.
Los equipos de implante se clasifican en los de alta corriente (corriente mayor de 3 mA) o de corriente media (menores de 3 mA)
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Implante inico
Para crear una regin tipo p, se implanta un ion aceptor del tipo boro (B), galio (Ga) o Iridio (Ir). Para crear una regin tipo n, se implantan iones donadores de antimonio (Sb), arsnico (As), fsforo (P) o bismuto (Bi).
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Se utiliza para formar las capas de conduccin y se aplican dos mtodos diferentes: por evaporacin y por chisporreteo, agrupados en la categora de deposicin fsica por vapor o PVD.
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Incineracin
Proceso que se encarga de eliminar de forma selectiva la fotoresina residual por medio de un plasma de alta temperatura sin daar las capas del dispositivo.
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Despus de aplicada la capa final de pasivado, la oblea entera pasa por una preparacin posterior, la cual afina la oblea para permitir una mejor disipacin de calor y elimina las grietas tensionales que pueden causar la rotura.
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Conexionado
Una vez separados en dados, los circuitos son montados en el cuerpo que contiene los terminales (pines).
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Conexionado
Mediante un proceso automatizado se fijan los cables ultrafinos (en torno a los 30 mm de dimetro, 1/3 del dimetro del cabello humano) entre cada pad del dispositivo y el conector (pin) del soporte.
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Encapsulado
Despus de terminada la soldadura de los cables se procede al sellado del dispositivo en un envoltorio cermico o de plstico.
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Nota:
Las imgenes y fotos fueron tomadas de Fullman Kinetics http://www.fullman-kinetics.com/semiconductors/index.html
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