AmpIItIcador de 200 wazzs

Cuando lleg a nuestras manos el LM12, al ver un encapsulado tipo TO-3 con un diagrama de conexiones tan
sencillo, dudamos de que fuera un amplificador de 200 Watts y que pudiera llegar a tener una buena calidad de
audio; pero, por suerte, nos equivocamos.
Este amplificador realmente tiene una muy buena respuesta en frecuencia, un muy bajo nivel de ruido y una
elevada potencia de salida.
Para definir el sonido que tiene este integrado, utilizaremos un trmino totalmente electrnico: 7) ))
El LM12 es un amplificador operacional de potencia de 200 Watts de National Semiconductor, con encap-sulado
T0-3 y cinco pines de conexin.
En la figura 1 podemos observar la disposicin de los terminales de conexin. El LM12 proporciona una corriente
de +/- 10A a una carga con tensin de alimentacin de +/- 35V. Sobre una carga de 4 Ohms puede entregar una
seal senoidal con potencia de 200 Watts.
Posee las siguientes caractersticas:
_ Proteccin de entrada
_ Tiempo de activacin controlado
_ Proteccin dinmica del rea de operacin
_ Limitacin trmica
_ El integrado est completamente protegido contra sobrecargas, incluyendo cortocircuitos en la fuente de
alimentacin. Las caractersticas de conexin son controladas de tal forma, que la salida se vuelve un circuito
abierto si la tensin de alimentacin se aproxima a BV/CEO de los transistores de salida.
Yeora de tuncIonamIenzo
Nuestro amplificador se divide en tres etapas:
1.Preamplificador integrado
2.Amplificador de salida integrado
3.Fuente de alimentacin partida
4 2
3 1
-ENT
+ENT +V
SALIDA
TO-3
-V
F 1
PRE AMP
FUENTE
220
Vca
-Vcc
+Vcc
0V
Salida
P1
A
B
C
I preampIItIcador Inzegrado
La seal entra por el extremo vivo del potencimetro (punto A). Cuando P1 tiene la resistencia mxima entre los
puntos A y B y mnima entre B y C, obtenemos cero volumen.
Cuando P1 tiene la mnima resistencia entre los puntos A y B y mxima resistencia entre B y C, tendremos el
volumen mximo.
Obviamente con todos los puntos intermedios de graduacin de volumen. Seguidamente encontramos el
preamplificador de audiofrecuencia, cuya seal es amplificada unas veinte veces respecto de la seal de entrada.
Esta ganancia esta dada por R2/R1 y puede ser modificada cambiando estos valores, para otras ganancias. La
ventaja del TL071 o TL081, es que tiene entrada a JFET lo cual provee al dispositivo de una buena relacin seal
- ruido.
Como todo operacional, consiste en una entrada diferencial, una etapa de alta ganancia y una etapa de salida en
baja impedancia (z). La z de entrada del operacional, esta dada por la resistencia de 47K colocada sobre la
entrada inversora (R1). La resistencia R3 provee de estabilidad al circuito del preamplificador y su clculo es igual
al paralelo de R2 y R1.
R3 = R1//R2 R3 = (R1 x R2) / (R1 + R2)
Del valor del clculo se aplicar un valor normalizado, que pueda encontrarse normalmente en los comercios.
El capacitor C9 es el encargado de cortar las frecuencias altas y, calculado en 1,5 pF, produce un corte a la
frecuencia mxima, que en este caso es de unos 100 Khz. En la entrada encontramos un capacitor de acopla-
miento de AF (audio-frecuencia), cuya funcin es la de bloquear la componente continua respecto de la seal de
audio, que es una seal alterna. C2 es un desacople en alterna, mientras que C3 es el capacitor de acoplamiento
entre el pre y la salida de audio. La impedancia de entrada del sistema (Zis), que ve la seal de AF de entrada, no
es la misma que el valor de Z de entrada del amplificador operacional (AO). En este caso el valor de la Zis es de
alrededor de 50 Kohms.
I ampIItIcador de saIIda
El amplificador de salida opera con corrientes de salida muy elevadas, pero est ampliamente protegido contra
sobrecargas. Este amplificador consiste en un AO que provee a la salida una potencia de alrededor de 200 W,
sobre una carga de 4 Ohms y tiene una capacidad de disipacin de 800 W.
Las caractersticas de diseo son controladas de modo que la salida se vuelve un circuito abierto, hasta que la
tensin de alimentacin total llega a 14 V. Por otra parte la salida se comporta como circuito abierto, si la
temperatura de la cpsula supera los 150C. El integrado est compensado de modo que la ganancia unitaria para
seales pequeas tiene una banda de 700 Khz. La taza de crecimiento es de 9 V/useg, incluso cuando se usa
como seguidor. La seal de entrada de AF, ingresa por la entrada sumadora (pata 1), es decir que no se produce
inversin de seal alguna, mientras que la realimentacin se realiza por la entrada inversora va R6, C8 y R4. La
ganancia est dada por R6 / R4.
La z de entrada es de 1K y adems sirve como elemento de estabilizacin del AO de salida. Al igual que en el
operacional anterior, la R5 se calcula como:
R6 // R4
R5 = (R6 x R4) / (R6 + R4)
R5 = (10 K x 1 K) / (10 K + 1 K) = 10 K / 11 K = 0,9 K = 900 Ohms
Valor normalizado de R5 = 1 K
Los diodos son importantes cuando el amplificador tiene que excitar cargas inductivas con su potencia mxima.
Los diodos D1 y D2 son de fundamental importancia para la proteccin del AO, debido a los picos altos positivos
y negativos originados en la salida, que segn la conexin de estos diodos, retornarn por la fuente.
En la salida del amplificador de potencia encontramos un choque que nos permite eliminar RF y, a la vez, asla
la z real del amplificador de la salida del parlante, en caso de que la carga pueda deteriorarse. De esta forma no
afectar al integrado de salida. Pero si la carga est totalmente en corto puede destruir al AO.
Puenze de aIImenzacI6n parzIda
Cuando sobre el punto A aparece el semiciclo positivo, y sobre el punto B el semiciclo negativo, conducen D2,
haciendo positivo el punto D, y D3, haciendo negativo el punto C. Cuando sobre A aparece el semiciclo negativo
y sobre B el semiciclo positivo, conduce D1, haciendo negativo el punto C y D4, haciendo positivo el punto D. De
esta manera el punto D siempre va a ser positivo respecto del punto C. Ahora esto da como resultado una
corriente de salida del tipo pulsante (fig. 3). Si agregamos al transformador el punto medio conectado a masa,
y los 2 capacitores electrolticos de salida de la fuente partida, a travs de los mismos lograremos que la corriente
pulsante de salida aparezca con sus crestas aplanadas de tal forma, que se transformar en una corriente
prcticamente continua (fig. 4).
Finalmente queda un pequeo ripple o tensin de zumbido de 50 Hz, normal de una fuente no regulada. Este
ripple es de algunos mVpp (fig. 5).
Esta tensin de zumbido o ripple de fuente, que como dijimos es de algunos mV, no afectar el normal
funcionamiento de nuestro amplificador.
ObzencI6n deI zranstormador IdeaI
Necesitamos para nuestro amplificador, una fuente de 35V para lo cual debemos saber que tensin alterna
deber proveer el transformador de alimentacin. Para tal caso existe una pequea frmula de calculo:
Ejemplo para 35 + 35 V
Es decir, que el transformador que necesitamos es un 25 + 25 V.
La corriente (I) que necesitamos para el transformador ser de unos 10 Amperes; porque son: 3 A por rama, pero
con un margen de tolerancia de unos 2 A por rama. Porque al utilizarse en forma continua se exige demasiado y
puede deteriorarse. Si queremos realizar un amplificador estereofnico, es decir 2 canales amplificadores, reco-
mendamos utilizar un transformador cuya corriente sea de unos 15 A como mnimo.Ya con estos datos sabemos
como debe ser la fuente de alimentacin adecuada para nuestro amplificador, recomendamos el uso de la fuente
PLAQUETODO 155, teniendo en cuenta que se debe utilizar un transformador de 25 + 25 V
Vca =
35V
2
+ 0,7 V =
35V
1, 4142
25 4 V 25 V 0, 7 V
mV
F. 4
F. 3 F. 5
Nozas de Monzae
En el montaje del amplificador hay que tener en cuenta las siguientes condiciones. La figura 6 es una vista
interior global del aspecto del amplificador final, para tener idea del montaje general de las partes. En la figura 7
vemos la parte ms importante del montaje que es la colocacin del integrado de salida sobre el disipador trmico.
La grasa siliconada se colocar en ambas caras de la mica aisladora. Se cubrir toda la mica con una ligera capa
de grasa siliconada quedando toda la superficie de la misma bien cubierta sobre todo la parte central de mayor
contacto trmico.
Se colocar la mica sobre el LM12 y luego todo el conjunto sobre el disipador. Seguidamente los niples y los
tornillos de sujecin con sus respectivas tuercas. Medir en escala de Ohmetro con el tester, si el LM12 ha
quedado totalmente aislado elctricamente del disipador.
Con respecto a la fuente de alimentacin, conviene que sta este lo suficientemente alejada del circuito del
amplificador, an estando dentro del mismo gabinete, para evitar zumbidos indeseables. Observar que las masas
se encuentren haciendo buen contacto elctrico entre s. De esta forma se logran evitar zumbidos provenientes de
masas en falso contacto. Debe tenerse en cuenta, tambin, que tanto las conexiones al potencimetro como a la
entrada o entradas, tienen que ser realizadas con cable blindado. Debe existir nicamente una conexin a masa
desde la masa de la plaqueta hasta el chasis del gabinete. Y la otra conexin desde el cero volt de la fuente de
alimentacin partida al gabinete, para evitar oscilaciones parsitas.
Para proteger al parlante de Vcc se puede colocar un capacitor electroltico en serie con el parlante para evitar
este tipo de inconvenientes.
El capacitor puede calcularse de manera sencilla, aplicando la frmula de capacidad:
C = (10
6
) / (2 x Fmin x RL)
C = (10
6
) / (6,28 x 20 Hz x 4 )
C = 1990 uF
Valor normalizado de C = 2200 uF
Este capacitor debe tener un voltaje de aproximadamente 70V.
Realizar todas las interconexiones de audio con cable mallado, para evitar "ruidos" molestos, que en 200 Watts
de potencia, pueden llegar a resultar trgicos para los parlantes y, tambin, para los odos de quien los est
escuchando.
Proximamente publicaremos un artculo para armar un baffle que cumpla con las caractersticas necesarias para
funcionar con este amplificador.
LIszado de componenzes
ResIszencIas
R1, R3 47 Kohms
R2 1 Mohm
R4, R5 1 Kohm
R6 10 Kohms
R7 0,33 Ohms 2 Watts*
R8, R9 2,2 Kohms
R10, R11 3,3 Kohms
P1 Pote 50 Kohms log
* El valor de la resistencia puede variarse hasta 2
CapacIzores
C1 .1 uF x 25 V (tantalio o metal-Iilm)
C2, C3, C4, C5 10 uF x 25 V (electrolitico)
C6, C7 4700 uF x 70 V
C8 330 pF x 63 V (metal-Iilm o ico)
C9 1,5 pF x 50 V (metal-Iilm o ico)
$emIconduczores
IC1 TL081
IC2 LM12
D1, D2 6 A x 400 V
BobIna L1
Se construye sobre un nucleo de Ierrite de 5 mm de diametro y 25 mm de longitud, se usa alambre de cobre esmaltado de 1
mm de diametro. La cantidad de vueltas (21) que se arrollaran seran del largo total del Ierrite. El valor de esta bobina es de
4 uHy.