Generacin y recombinacin de electrones huecos

Si la introduccin de impurezas se realiza de manera

controlada pueden modificarse las propiedades
elctricas en zonas determinadas del material. As, se
habla de dopado tipo P N (en su caso, de silicio P
N) segn se introduzcan huecos o electrones
respectivamente, es esta caracterstica de los
semiconductores la que permite la existencia de
circuitos electrnicos integrados.
Con la tabla siguiente se pretende resumir los
conceptos anteriores:
Hay que resaltar que el dopado no altera la neutralidad
elctrica global del material.
Material
Portadores
mayoritarios
Portadores
minoritarios
Silicio Puro - -
Silicio tipo P Huecos Electrones
Silicio tipo N Electrones Huecos
INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA SOBRE LOS
SEMICONDUCTORES
Al presentar el concepto de portadores mayoritarios y
minoritarios se ha asumido una hiptesis de trabajo: que a
temperatura ambiente (25C) la concentracin de portadores
provocada por generacin trmica es mucho menor que la
causada por los dopados. Pues bien, si se eleva la temperatura
sobre la de ambiente se aumentar la tasa de pares
electrn/hueco generados. Llegar un momento en el que, si la
temperatura es lo suficientemente elevada, la cantidad de pares
generados enmascare a los portadores presentes debidos a la
impurificacin. En ese momento se dice que el semiconductor es
degenerado, y a partir de ah no se puede distinguir si un
material es de tipo N P: es la temperatura a la cual los
dispositivos electrnicos dejan de operar correctamente. En el
caso del silicio, esta temperatura es de 125 C.
El silicio (Si) pierde sus propiedades semiconductoras
por encima de 150 C.
Debemos asegurar por diseo que esto no va a suceder
La evacuacin de calor desde el interior del dispositivo
hasta el ambiente depende enormemente del
encapsulado utilizado.
Cada modelo tiene unas caractersticas geomtricas
que le proporcionan una cierta capacidad de evacuar
calor.
En caso de que el propio encapsulado no sea suficiente
para evacuar todo el calor, es necesario utilizar algn
sistema para mejorar la transferencia: LOS
RADIADORES
13/04/2014
6
Ejemplo de disipadores
CONDUCCION ELECTRICA EN SEMICONDUCTORES
Dada la especial estructura de los semiconductores, en
su interior pueden darse dos tipos de corrientes:
1. Corrientes por arrastre de campo
2. Corrientes por difusin
1. CORRIENTE POR ARRASTRE DE CAMPO
Supongamos que disponemos de un semiconductor
con un cierto nmero de electrones y de huecos, y que
aplicamos en su interior un campo elctrico. Veamos
que sucede con los portadores de carga:
Electrones libres: Obviamente, la fuerza que el campo
elctrico ejerce sobre los electrones provocar el
movimiento de estos, en sentido opuesto al del campo
elctrico. De este modo se originar una corriente
elctrica.
DIAGRAMA DE BANDAS DEL SILICIO
CORRIENTE EN SEMICONDUCTORES
Diagramas de bandas de
energa del Si no excitado
(Sin energa externa
como el calor) en un
cristal de silicio puro.
Esta condicin ocurre
solo a una temperatura
del cero absoluto.
ELECTRONES DE CONDUCCION Y HUECOS
CORRIENTE EN SEMICONDUCTORES
Por cada electrn elevado a la banda de conduccin por medio
de energa externa queda un hueco en la banda de valencia y
se crea lo que se conoce como par electrn-hueco
Los electrones que permanecen en la banda de valencia siguen estando
unidos a sus tomos y no pueden moverse al azar en la estructura
cristalina como lo hacen los electrones libres. No obstante, un electrn de
valencia puede moverse a un hueco cercano con poco cambio en su nivel de
energa y por lo tanto deja otro hueco en el lugar de donde vino,
denominndose a este efecto corriente de hueco.
CORRIENTE DE ELECTRON Y HUECO
La corriente de electrones en silicio intrnseco se produce por el
movimiento de electrones libres generados trmicamente,
denominndose a este efecto corriente de electrn.
CORRIENTE EN SEMICONDUCTORES
CORRIENTE DE ELECTRON Y HUECO
CORRIENTE EN SEMICONDUCTORES
La densidad de la corriente elctrica (nmero de
cargas que atraviesan la unidad de superficie en la
unidad de tiempo) depender de la fuerza que acta
(qE), del nmero de portadores existentes y de la
"facilidad" con que estos se mueven por la red, es decir:
J
e
=
e
n(qE)
en donde:
J
e
= Densidad de corriente de electrones

e
= Movilidad de los electrones en el material
n = Concentracin de electrones
q = Carga elctrica
E = Campo elctrico aplicado
La movilidad
e
es caracterstica del material, y est relacionada con la capacidad de movimiento
del electrn a travs de la red cristalina.
Huecos: El campo elctrico aplicado ejerce tambin
una fuerza sobre los electrones asociados a los enlaces
covalentes. Esa fuerza puede provocar que un electrn
perteneciente a un enlace cercano a la posicin del
hueco salte a ese espacio. As, el hueco se desplaza una
posicin en el sentido del campo elctrico. Si este
fenmeno se repite, el hueco continuar
desplazndose. Aunque este movimiento se produce
por los saltos de electrones, podemos suponer que es el
hueco el que se est moviendo por los enlaces. Se
puede apreciar en la siguiente figura:
La carga neta del hueco vacante es
positiva y por lo tanto, se puede
pensar en el hueco como una carga
positiva movindose en la direccin
del campo elctrico. Obsrvese que
los electrones individuales de enlace
que se involucran en el llenado de los
espacios vacantes por la propagacin
del hueco, no muestran movimiento
continuo a gran escala. Cada uno de
estos electrones se mueve
nicamente una vez durante el
proceso migratorio. En contraste, un
electrn libre se mueve de forma
continua en la direccin opuesta al
campo elctrico.
Anlogamente al caso de los electrones libres, la
densidad de corriente de huecos viene dada por:
J
h
=
h
p(qE)
en donde:
J
h
= Densidad de corriente de huecos

h
= Movilidad de los huecos en el material
p = Concentracin de huecos
q = Carga elctrica del hueco: igual y de signo opuesto a la del electrn
E = Campo elctrico aplicado
La movilidad h es caracterstica del material, y est
relacionada con la capacidad de movimiento del hueco
a travs de los enlaces de la red cristalina. La
"facilidad" de desplazamiento de los huecos es inferior
a la de los electrones.
Consideremos ahora el caso de un semiconductor que
disponga de huecos y electrones, al que sometemos a
la accin de un campo elctrico. Hemos visto cmo los
electrones se movern en el sentido opuesta a la del
campo elctrico, mientras que los huecos lo harn en
segn el campo.
El resultado es un flujo neto de cargas positivas en el
sentido indicado por el campo, o bien un flujo neto de
cargas negativas en sentido contrario. En definitiva, la
densidad de corriente global es la suma de las
densidades de corriente de electrones y de huecos:
J = J
h
+ J
e
=
h
p(qE) +
e
n(qE)
2. CONDUCCION POR DIFUSION DE PORTADORES
El fenmeno de conduccin por difusin se puede
explicar con el siguiente ejemplo: si tenemos una caja
con dos compartimentos separados por una pared
comn. En un compartimento introducimos un gas A,
y en el otro un gas B.
Figura : Difusin de dos gases a travs de
una membrana porosa
Si en un momento determinado se abre una
comunicacin entre las dos estancias parte del gas A
atravesar la pared para ocupar el espacio contiguo, al
igual que el B. El resultado final es que en ambas
estancias tendremos la misma mezcla de gases A+B. La
difusin de partculas es un mecanismo de transporte
puramente estadstico, que lleva partculas "de donde
hay ms, a donde hay menos", siempre que no haya
ninguna fuerza externa que sea capaz de frenar dicho
proceso.
Qu aplicacin tiene esto a la conduccin en los
semiconductores?. Qu sucedera si, por las razones
que sean, tuviramos un semiconductor tipo P cuya
concentracin de huecos no fuera constante, sino
variable segn la direccin x. Los huecos tendern a
emigrar de la regin de alta concentracin a la de baja
concentracin. Esta migracin de portadores, es un
proceso puramente estadstico, originado por el
movimiento trmico aleatorio de los portadores. No
est relacionado con la presencia de ningn campo
elctrico.
Conceptos Bsicos de Circuitos
Elctricos
Elementos Lineales
Fuentes de energa
Leyes de Kirchhoff
Teoremas de Thevenin
ELEMENTOS LINEALES
Son aquellos elementos en que las variables
electricas (Tension y Corriente) guardan una relacin
simple proporcional, cumpliendo los principios de
homogeniedad y superposicion.
Los elementos que responden a este principio son:
La resistencia , La inductancia y La Capacitancia.
Elementos lineales
La Resistencia
Resistencias lineales.
El parmetro R se denomina resistencia y se mide en Ohmios, .
El parmetro G (Tambien: Y) se denomina conductancia y se mide en Siemens,
S.
La resistencia equivalente de un conjunto de resistencias conectadas en serie es
igual a la suma de las resistencias.
La conductancia equivalente de un conjunto de resistencias conectadas en
paralelo es igual a la suma de las conductancias.
4 3 2 1
R R R R R
eq
+ + + =
4 3 2 1
1 1 1 1 1
R R R R R
eq
+ + + =
R
G Gv i Ri v
1
= = =
La Resistencia
La Resistencia
La Resistencia
La Resistencia Variable
Condensadores
Permitividad en el vacio
Permitividad
absoluta de algunos
dielctricos
Condensadores
Caractersticas de
funcionamiento de los
condensadores
Condensadores
Condensadores
La capacidad equivalente de un conjunto de condensadores
conectados en paralelo es igual a la suma de las
capacidades.
La inversa de la capacidad de un conjunto de
condensadores conectados en serie es igual a la suma de las
inversas de las capacidades
C4 C3 C2 C1
C4
C3
C2
C1
4 3 2 1
C C C C C + + + = 4 3 2 1
1 1 1 1 1
C C C C C
+ + + =
Inductores
Son componentes que pueden producir un campo
magntico al pasar corriente por ellos.
El flujo magntico por unidad de intensidad se
denomina autoinduccin L y su unidad es el
henrio ([weber x vuelta]/amperio)
Inductores
Relacin i-v
El trmino se denomina encadenamiento de flujo y lo vamos a
representar con la letra
El voltaje a travs de un inductor es igual al cambio de
encadenamiento de flujo por unidad de tiempo, por lo que:
Potencia y energa
La potencia puede ser positiva o negativa.
Positiva: El dispositivo absorbe energa.
Negativa: El dispositivo libera energa.
dt
t di
L
dt
t dLi
dt
t d
t v
L L
L
) ( ) ( ) (
) ( = = =

dt
t di
L t i t v t i t p
L
L L L L
) (
) ( ) ( ) ( ) ( = =
Inductancias en serie . La inductancia (L) de un nmero de
bobinas, o inductores, conectados en serie, pero no acoplados
mutuamente es:
L = L
1
+ L
2
+ L
3
+ . . . (henrios)
Inductancias en paralelo. La inductancia (L) de un nmero
de bobinas en paralelo, pero no acopladas mutuamente, est
dada por:
La inductancia de dos bobinas (L
1
y L
2
) conectadas en
paralelo, pero sin acoplamiento mutuo es
Inductores
Divisor de tensin: Es un conjunto de dos o mas resistencias en
serie, de modo que entre los elementos de cada resistencia la ddp existente es
una fraccin del voltaje aplicado al conjunto.

= =
R
V
I R I
o
o
V

= =
R
R
V IR
i
o i i
V
Divisor de corriente: Es un conjunto de dos o mas resistencias
en paralelo de modo que la corriente que circula por cada resistencia es una
fraccin de la intensidad de corriente total.

=
= =
i
o
i
o
i i
R
V I
R
V
I I I
1
siendo
I
R
R
I
i
paralelo
i
=
I
R R
R
I
R R
R R
R
I
I
R R
R
I
R R
R R
R
I
2 1
1
2 1
2 1
2
2
2 1
2
2 1
2 1
1
1
1
1
+
=
+
=
+
=
+
=
PARA UN DIVISOR DE DOS RESISTENCIAS
La Resistencia
Fuentes de Alimentacin
Leyes de Kirchhoff
Leyes de Kirchhoff
Leyes de Kirchhoff
Identificacin de Nodos, Ramas y Mallas
Nodos
Ramas
Mallas
Diodo Semiconductor
En la teora vista anteriormente se presentaron los
materiales tipo n y tipo p.
El diodo semiconductor se forma al unir estos
materiales como se muestra en la siguiente figura. En
el momento en que los dos materiales se unan, los
electrones y los huecos en la regin de la unin se
combinarn y como consecuencia se originar una
carencia de portadores en la regin cercana a la unin.
Esta regin de iones positivos y negativos descubiertos
se denomina regin de agotamiento debido a la
disminucin de portadores en ella.
Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unin
de dos materiales semiconductores de caractersticas
opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo P. A esta
estructura se le aaden dos terminales metlicos para
la conexin con el resto del circuito. En la siguiente
Figura se presenta el esquema de los dos tipos de
diodos que se fabrican actualmente, el diodo vertical y
el plano.
Esquemas de diodos de unin PN
Formacin de la unin PN
Supongamos que se dispone de un monocristal de
silicio puro, dividido en dos zonas con una frontera
ntida, definida por un plano. Una zona se dopa con
impurezas de tipo P y la otra de tipo N (siguiente
Figura). La zona P tiene un exceso de huecos, y se
obtiene introduciendo tomos del grupo III en la red
cristalina (por ejemplo, boro). La zona N dispone de
electrones en exceso, procedentes de tomos del grupo
V (fsforo). En ambos casos se tienen tambin
portadores de signo contrario, aunque en una
concentracin varios rdenes de magnitud inferior
(portadores minoritarios).
Figura: Impurificacin del silicio para la
obtencin de diodos PN
En cada zona la carga total es neutra: por cada electrn
hay un ion positivo, y por cada hueco un ion negativo,
es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni
campos elctricos internos. En el momento mismo de
crear dos zonas de diferente concentracin de
portadores, entra en juego el mecanismo de la
difusin. Como se recordar, este fenmeno tiende a
llevar partculas de donde hay ms a donde hay menos.
El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a
la unin de las dos zonas la cruzan y se instalan en la
zona contraria, es decir:
Electrones de la zona N pasan a la zona P.
Huecos de la zona P pasan a la zona N.
Este movimiento de portadores de carga tiene un
doble efecto. Centrmonos en la regin de la
zona P cercana a la unin:
El electrn que pasa la unin se recombina con
un hueco. Aparece una carga negativa, ya que
antes de que llegara el electrn la carga total era
nula.
Al pasar el hueco de la zona P a la zona N,
provoca un defecto de carga positiva en la zona P,
con lo que tambin aparece una carga negativa.
El mismo razonamiento, aunque con signos
opuestos puede realizarse para la zona N. En
consecuencia, a ambos lados de la unin se va
creando una zona de carga, que es positiva en la
zona N y negativa en la zona P
Figura: Formacin
de la unin PN
La distribucin de cargas formada en la regin de la
unin provoca un campo elctrico desde la zona N a la
zona P. Este campo elctrico se opone al movimiento
de portadores segn la difusin, y va creciendo
conforme pasan ms cargas a la zona opuesta. Al final
la fuerza de la difusin y la del campo elctrico se
equilibran y cesa el trasiego de portadores.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece
una diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta
diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del
silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.
En ese momento est ya formado el diodo de unin
PN, y como resultado del proceso se ha obtenido:
Zona P, semiconductora, con una resistencia R
P
.
Zona N, semiconductora, con una resistencia R
N
.
Zona de agotamiento (depleccin): No es conductora,
puesto que no posee portadores de carga libres. En ella acta
un campo elctrico, o bien entre los extremos acta una
barrera de potencial.
Hay que tener en cuenta que este proceso sucede
instantneamente en el momento en el que se ponen
en contacto las zonas N y P, y no necesita de ningn
aporte de energa, excepto el de la agitacin trmica.
Las impurezas trivalentes ejercen bajas fuerzas sobre los electrones de capa externa
que las impurezas pentavalentes.
Los electrones libres superiores de la regin n se difunden en la regin
p y luego caen a la banda de valencia de la regin p.
Existe un gradiente de energa , que acta como colina de energa que un electrn
de la regin n debe escalar para llega a la regin p
FORMACION DEL DIODO
Diagramas de Energa de la unin PN
Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo, que
en un caso como el descrito, tal que no se encuentra
sometido a una diferencia de potencial externa, se dice
que no est polarizado. Al extremo p, se le denomina
nodo, representndose por la letra A, mientras que la
zona n, el ctodo, se representa por la letra C (o K).
A (p) C K (n)
Representacin simblica del diodo pn
Cuando se somete al diodo a una diferencia de
tensin externa, se dice que el diodo est polarizado,
pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.
Polarizacin directa
El bloque PN descrito en la figura anterior en
principio no permite el establecimiento de una
corriente elctrica entre sus terminales puesto que la
zona de depleccin no es conductora.
Figura: Diodo PN durante la aplicacin de
una tensin inferior a la de barrera
Sin embargo, si se aplica una tensin positiva en el
nodo, se generar un campo elctrico que "empujar"
los huecos hacia la unin, provocando un
estrechamiento de la zona de depleccin (siguiente
Figura). Sin embargo, mientras sta exista no ser
posible la conduccin.
Figura: Diodo PN bajo la accin de una
tensin mayor que la de barrera
El polo negativo de la batera repele los electrones
libres del cristal n, con lo que estos electrones se
dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de
valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que
empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de
la batera es mayor que la diferencia de potencial en la
zona de depleccin, los electrones libres del cristal n,
adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos
del cristal p, los cuales previamente se han desplazado
hacia la unin p-n.
Polarizacin directa
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la
zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en
uno de los mltiples huecos de la zona p
convirtindose en electrn de valencia. Una vez
ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo
de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta
llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en
el hilo conductor y llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres
a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la
zona p, aparece a travs del diodo una corriente
elctrica constante hasta el final.
Polarizacin directa
Concluyendo si la tensin aplicada supera a la de
barrera, desaparece la zona de depleccin y el
dispositivo conduce. De forma simplificada e ideal, lo
que sucede en la figura anterior es lo siguiente:
Electrones y huecos se dirigen a la unin.
En la unin se recombinan.
Por lo tanto polarizar un diodo PN en directa es
aplicar tensin positiva a la zona P y negativa a la zona
N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda
de cargas mviles la zona de depleccin.
La tensin aplicada se emplea entonces en:
Vencer la barrera de potencial.
Mover los portadores de carga.
Polarizacin en Directa
POLARIZACION DEL DIODO
La fuente de tensin proporciona energa a los electrones libres de la regin n
para vencer el potencial de barrera (Si: 0,7 V Ge: 0.3 V) y atravesar a la regin p.
Los electrones en la regin p caen a la banda de valencia y atreves de los
huecos se desplazan hacia la izquierda atrados por el potencial positivo.
La regin de empobrecimiento se reduce debido ala disminucin de iones
positivos y negativos durante el proceso de desplazamiento de los electrones de
una regin a otra.
Polarizacin inversa
Al contrario que en el apartado anterior, al aplicar una
tensin positiva a la zona N y negativa a la zona P, se
retiran portadores mayoritarios prximos a la unin.
Estos portadores son atrados hacia los contactos
aumentando la anchura de la zona de depleccin. Esto
hace que la corriente debido a los portadores
mayoritarios sea nula.
Figura: Diodo PN polarizado en inversa
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de
la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el
conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la
batera. A medida que los electrones libres abandonan la
zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros,
al verse desprendidos de su electrn en el orbital de
conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa
de valencia).
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los
tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos
tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una
vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos
de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia,
siendo el electrn que falta el denominado hueco.
Polarizacin inversa
El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera
entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los
tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su
orbital de valencia).
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de
depleccin adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin
embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares
electrn-hueco a ambos lados de la unin produciendo una
pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente
inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada
corriente superficial de fugas la cual, que conduce una pequea
corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los
tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para
realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener
estabilidad.
Polarizacin inversa
Esto hace que los tomos de la superficie del diodo,
tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su
orbital de valencia con lo que los electrones circulan
sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual
que la corriente inversa de saturacin, la corriente
superficial de fugas es despreciable.
Al aumentar la tensin inversa, llega un momento en
que se produce la ruptura de la zona de depleccin, al
igual que sucede en un material aislante: el campo
elctrico puede ser tan elevado que arranque
electrones que forman los enlaces covalentes entre los
tomos de silicio, originando un proceso de rotura
por avalancha.
Polarizacin inversa
Polarizacin en Inversa
POLARIZACION DEL DIODO
Los electrones de la regin n se desplazan a la
derecha, los huecos en la regin p se desplazan
ala izquierda; ensanchando la regin de
empobrecimiento
La corriente inversa es
provocada por los
portadores minoritarios
en las regiones n y p
Si la tensin en inversa aumenta
hasta la tensin de ruptura, la
corriente en inversa se
incrementar drsticamente.
La velocidad de los electrones
en la regin p permite arrancar
electrones de valencia a la
banda de conduccin
Caracterstica tensin-corriente
En la siguiente Figura se muestra la caracterstica V-I
(tensin-corriente) tpica de un diodo real.
Figura: Caracterstica V-I de un diodo de unin PN
Por encima de 0 Voltios, la corriente que circula es muy
pequea, hasta que no se alcanza la tensin de barrera
(V
ON
). El paso de conduccin a corte no es
instantneo: a partir de V
ON
la resistencia que ofrece el
componente al paso de la corriente disminuye
progresivamente, hasta quedar limitada slo por las
resistencias internas de las zonas P y N. La intensidad
que circula por la unin aumenta rpidamente. En el
caso de los diodos de silicio, V
ON
se sita en torno a 0,7
V.
Caracterstica V-I para Polarizacin Directa
V
I
I
0
<<<<
r
E
V
I
crea un campo elctrico en el mismo sentido que el de la unin, aumenta el E
total
,
aumenta la diferencia de potencial: V=V
0
+V
I
, y disminuye la corriente de
mayoritarios. Favorece el desplazamiento de huecos hacia la zona p y de e
-
hacia la
zona n, ensanchndose la zona de transicin. Pero estos h
+
y e
-
provienen de zonas
donde son minoritarios. El resultado es que fluye una pequea corriente I
0
, debida
nicamente a los pares e
-
h
+
que se generan por agitacin trmica llamada
CORRIENTE INVERSA DE SATURACIN.
V
0
+ V
I
V
0
EL DIODO
Caracterstica V-I para Polarizacin Inversa
EL DIODO
Caracterstica V-I para Polarizacin Inversa
Ruptura en Inversa Efecto
avalancha
La alta tensin en inversa
proporciona energa a los electrones
minoritarios y colisiona con tomos
sacando los electrones de valencia a
la banda de conduccin y estos
ltimos repiten el proceso
continuamente, luego los electrones
pasan a la regin n generando el
incremento de la corriente en
inversa, produciendo el
calentamiento del dispositivo
EL DIODO
Caracterstica V-I
Completa
El potencial de
barreda se reduce
2mV por cada
grado de
incremento de
temperatura
e
kT
V
T
=
V
T
(300 K) = 25.85 mV
k (Constante de Boltzmann) = 1.3810
-23
JK
-1
|
.
|

\
|
= 1 e I I
T
V
V
0
-0,05
0,05
0,15
V (V)
I

(
m
A
)
I
o
I
0
: Corriente inversa de saturacin
0,4 0,6 0,8 0,2
I
0
< A
EL DIODO
Ecuacin de la Curva Caracterstica Completa
EL DIODO
Simbolo del Diodo
La regin n se llama ctodo y la regin p
nodo. La "flecha" en el smbolo apunta
en la direccin de la corriente convencional
(opuesta al flujo de electrones).
El diodo ideal es un componente discreto que permite
la circulacin de corriente entre sus terminales en un
determinado sentido, mientras que la bloquea en el
sentido contrario.
En la siguiente Figura se muestran el smbolo y la
curva caracterstica tensin-intensidad del
funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido
para la corriente es de A a K.
Figura: Smbolo y curva caracterstica
tensin-corriente del diodo ideal.
EL DIODO
Modelo Ideal del Diodo
V
F
= 0
De forma simplificada, la curva caracterstica de un
diodo (I-V) consta de dos regiones, por debajo de
cierta diferencia de potencial, se comporta como un
circuito abierto (no conduce), y por encima de ella
como un circuito cerrado con muy pequea resistencia
elctrica.
Diferencias entre el diodo de unin PN y el diodo
ideal Las principales diferencias entre el
comportamiento real y ideal son:
La resistencia del diodo en polarizacin directa no es
nula.
La tensin para la que comienza la conduccin es V
ON
.
En polarizacin inversa aparece una pequea corriente.
A partir de una tensin en inversa el dispositivo entra en
coduccin por avalancha.
Figura : Diferencias entre el
comportamiento del diodo de unin PN y
del diodo ideal
EL DIODO
Tipos de Encapsulado
PRUEBA DEL DIODO
Principales caractersticas comerciales A la hora de
elegir un diodo para una aplicacin concreta se debe
cuidar que presente unas caractersticas apropiadas
para dicha aplicacin. Para ello, se debe examinar
cuidadosamente la hoja de especificaciones que el
fabricante provee. Las caractersticas comerciales ms
importantes de los diodos que aparecen en cualquier
hoja de especificaciones son:
Corriente mxima en directa, I
Fmax
o I
FM
(DC forward
current): Es la corriente continua mxima que puede atravesar
el diodo en directa sin que este sufra ningn dao, puesto que
una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto
Joule excesivo.
Tensin de ruptura en polarizacin inversa (Breakdown
Voltage, BV; Peak Inverse Voltage, PIV): Es la tensin a la que se
produce el fenmeno de ruptura por avalancha.
Tensin mxima de trabajo en inversa (Maximun Working
Inverse Voltage): Es la tensin que el fabricante recomienda no
sobrepasar para una operacin en inversa segura.
Corriente en inversa, I
R
(Reverse current): Es habitual que se
exprese para diferentes valores de la tensin inversa
Cada de tensin en PD, V
F
(Forward Voltage): Pese a que se
ha sealado anteriormente los 0.7V como valor tpico, en
muchas ocasiones los fabricantes aportan datos detallados de
esta cada de tensin, mediante la grfica I-V del dispositivo.
Adems, es frecuente que los fabricantes suministren
datos adicionales a cerca del comportamiento del
dispositivo para otras temperaturas diferentes a la
nominal.
Resumiendo
Ya que el diodo es un dispositivo de dos terminales, la
aplicacin de un voltaje a travs de sus terminales
ofrece tres posibilidades:
Sin polarizacin (VD = 0 v), En ausencia de un voltaje
de polarizacin aplicado, el flujo neto de carga en
cualquier direccin para un diodo semiconductor es
cero.
Polarizacin directa (VD > 0v), un diodo
semiconductor se encuentra en polarizacin directa
cuando se establece una asociacin tipo p con positivo
y tipo n con negativo.
polarizacin inversa (VD < 0v), la corriente que se
forma bajo una situacin de polarizacin inversa se
denomina corriente de saturacin inversa.