PROFESSOR: FERNANDO MESQUITA RAMOS

1. OBJETIVOS DA DISCIPLINA
Reconhecer e utilizar componentes e/ou dispositivos semicondutores: Diodos e Transistores; Testar componentes semicondutores, Diodos e Transistores, utilizados em circuitos eletrnicos; Esboar diagramas com circuitos eletrnicos formados por Diodos e Transistores; Enumerar as caractersticas e codificaes semicondutores: Diodos e Transistores; dos componentes

Identificar em Placas de Circuito Impresso os diversos tipos de dispositivos semicondutores: Diodos e Transistores Diferenciar os diversos tipos de amplificadores transistorizados existentes em um circuito eletrnico.

2. ASSUNTOS ABORDADOS

TEORIA DOS SEMICONDUTORES Diferenas entre condutor, isolante e semicondutor. Semicondutor tipo n e tipo p Diodo semicondutor juno PN Polarizao de diodo

ESPECIFICAES TCNICAS DO DIODO Circuitos com diodo Diodos com finalidades especficas Diodos especiais Diodo Zener e Led

TRANSISTOR BIPOLAR Conceitos bsicos Polarizao do transistor bipolar Especificaes tcnicas Tcnicas de medio Circuitos simples com transistores

CIRCUITOS AMPLIFICADORES COM TRANSISTORES Amplificador Darlington; Amplificador Classe A; Amplificador Classe B; Amplificador Classe C; AMPOP

3. INTRODUO
O "Curso bsico de eletrnica analgica" , tem por principal objetivo proporcionar aos estudantes um entendimento dos fundamentos relacionados a esse ramo da Fsica.
O curso est voltado aos conceitos fundamentais indispensveis ao entendimento de circuitos eltricos simples, evitando-se assim o uso excessivo de conceitos e clculos s necessrios muitas vezes ao projetista ou ao profissional dedicado. Desse modo, a aplicao prtica de conceitos e o entendimento da teoria fundamental buscam fazer com que o profissional domine os conceitos e teorias relacionados eletricidade e eletrnica, podendo aplic-los no seu diaa-dia.

4. BREVE HISTRICO
As primeiras observaes a respeito da eletricidade remontam da Grcia antiga, quando o filsofo Tales de Mileto (640 - 546 a.C) observou que o mbar atritado era capaz de atrair pequenos objetos (era a carga eltrica esttica). Mas a teoria da eletricidade comeou a fundamentar-se, de fato, ao que tudo indica, com as teorias de Benjamin Franklin (1706 - 1790). Ele considerava a eletricidade como um fluxo invisvel que "escoava" de um corpo a outro. Se esse fluxo ocorresse de um corpo com mais "fluido" para um corpo com menos "fluido", dizia-se que os corpos eram positivos e negativos respectivamente. Charles Coulomb aperfeioou os conceitos sobre cargas eltricas em meados do sculo XVIII. O sculo XIX testemunhou uma rpida expanso sobre o conhecimento da eletricidade e do magnetismo, culminando com as grandes experincias de Michael Faraday (1791 - 1867) e James Clark Maxwell. Na primeira metade deste sculo, Georg Simon Ohm desenvolveu a lei de Ohm, relacionado os conceitos de proporo entre corrente e tenso. Nesse mesmo perodo Gustav Robert Kirchoff desenvolveu as chamadas " Leis de Kirchoff".

4. BREVE HISTRICO
Em 1897, o fsico ingls J. J. Thomson descobriu o eltron e determinou que sua carga era negativa. Em 1909, o fsico americano Robert Millikan descobriu que a carga eltrica podia ser quantificada. Assim os conceitos em eletricidade e suas teorias foram sendo desenvolvidas at que, finalmente em 1949 , John Barbeen, Walter Bratain e Willian Shokley, todos da Bell Telephone Laboratories iniciaram uma revoluo na eletrnica, com a inveno do transistor. Da inveno do transistor at os dias de hoje, a eletrnica tm tomado cada vez mais e com maior intensidade todas as reas, revolucionando o modo de vida contemporneo.

5. GRANDEZAS FSICAS E ELTRICAS

ESTRUTURA ATMICA DA MATRIA

Antes de iniciarmos nossas discusses a respeito dos componentes e dispositivos eletrnicos, vamos recordar e firmar alguns conceitos que definem as diferenas entre os materiais do ponto de vista atmico O TOMO E OS MATERIAIS:
Quando o tomo foi descoberto, os cientistas acreditavam que essa seria a menor partcula em que a matria poderia se dividir, e por isso o seu nome ( A = no ; TOMO = divisvel). De um modo geral, para efeito dos estudos em eletricidade, o tomo pode ser dividido em duas partes distintas : o ncleo e o orbital de eltrons.

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O ncleo formado basicamente por partculas carregadas positivamente ( os prtons ) e por partculas sem carga relevante, tambm chamadas neutras ( os nutrons ). O orbital de eltrons ou simplesmente eletrosfera composta pelos eltrons que so partculas carregadas negativamente. basicamente na eletrosfera que est a diferena entre , por exemplo, um material condutor e um material isolante. Um esquema bsico de um tomo o ilustrado a seguir :

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No material isolante os tomos esto fortemente ligados ao ncleo por uma fora de atrao, de modo que no existem eltrons circulando pela estrutura do material. Para romper-se com essa ligao entre eltron e ncleo necessrio fornecer estrutura muita energia, por exemplo na forma de calor ou potencial eltrico. Quanto mais perto do ncleo est o eltron, mais forte a fora que os une. Do mesmo modo, quanto mais forte a atrao entre eltron e ncleo, melhor o isolante (com algumas ressalvas). Dizemos nesse caso que os eltrons tm um nvel de energia muito baixo. No material condutor, os tomos das camadas superiores possuem nveis de energia relativamente altos, desprendendo-se facilmente do "lao" com o ncleo. Normalmente os metais possuem em sua ltima camada (chamada camada de valncia) eltrons livres que do ao material propriedades condutoras. Da mesma forma que no material isolante, mas de maneira inversa, quanto mais afastado do ncleo est o eltron, melhor condutor ser o material.

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Cada degrau , ou seja, cada nvel de energia pode conter um n. mximo de eltrons que dado pela frmula :

2n2
onde n o nvel de energia.

NVEL DE ENERGIA n

N MX. DE ELTRONS 2n2

1
2 3

2*12 = 2
2*22 = 8 2*32 = 18

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Os tomos ao perderem ou ganharem eltrons transformam-se em ons, ora positivos se perdem eltrons, ora negativos se ganham eltrons. A este processo d-se o nome de ionizao.

Ex: Tomemos como primeiro exemplo o tomo de Ltio ( Li ) com nmero atmico igual a 3
Se for aplicado uma energia suficiente o eltron do nvel 2 saltar para fora do tomo transformando-se num eltron livre, o tomo transforma-se num on positivo ( Li + ) , ficando assim mais estvel. O ltio considerado um material condutor.
1 eltron livre

1 eltron livre

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Se pelo contrrio, os tomos ganham um ou mais eltrons ficam com excesso de cargas negativas e ficam carregados negativamente. O tomo transformou-se em um on Negativo. Vejamos o que se passa com o tomo de Flor ( F ) com nmero atmico igual a 9

1 eltron livre

1 eltron livre

Neste caso mais simples para o tomo de flor ganhar um eltron do que ceder 7, tornando-se assim mais estvel como on negativo ( F - ) .Sendo assim no necessita de receber energia mas sim libert-la.

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Em qualquer material slido, podemos descriminar esta "distncia" assumida pelos eltrons (que so os nveis de energia) como o que chamaremos de bandas de energia. Vamos observar a figura a seguir :

Podemos observar que na estrutura de bandas acima, os eltrons podem assumir dois nveis : O nvel inferior onde o eltron est preso por ao de uma fora ao ncleo e o nvel superior onde o eltron pode circular livremente de modo a tornar o material condutor. Existe entre estes nveis uma regio onde o eltron no pode permanecer, a chamada regio proibida ou simplesmente GAP. Quanto maior o gap do material, menor a possibilidade do material tornar-se condutor.

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Vamos observar as diferenas entre um isolante e um condutor :

Como podemos notar , nos materiais condutores praticamente no existe um gap definido, porque as bandas de conduo e valncia se confundem umas nas outras. J nos materiais isolantes o gap muito grande e os eltrons que esto na banda de valncia tm que superar um obstculo muito grande para atingir a banda de conduo. Este aspecto basicamente define as diferenas entre as propriedades condutoras ou isolantes de um slido qualquer. Mais adiante veremos que um material semicondutor tem caractersticas bem definidas com relao s bandas de valncia e conduo e que o dimensionamento do gap muito importante nesses materiais.

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ANALOGIA

A conduo eltrica em bandas de energia pode ser entendida usando uma analogia com gua dentro de um tubo fechado dos dois lados: quando o tubo nao contm nenhuma gua, obviamente no pode ter fluxo de gua. Se o tubo est parcialmente cheio, e uma parte do tubo levantado a gua flui para a parte mais baixa. Quando o tubo est completamente cheio, no se observa fluxo de gua mesmo quando uma parte do tubo levantado.
Os isolantes, isto , materiais que no conduzem corrente eltrica, so cristais que tm a ltima banda completamente cheia. No pode ter fluxo de eltrons nesta banda. Os materiais condutores, tambm chamados metais, so os que tm a ltima banda semi-cheia.

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A condutividade do material depende do nmero de eltrons que passam para a banda de conduo. Este nmero tanto maior quanto maior for a temperatura e quanto menor for a energia que separa as duas bandas. Esta energia representada por Eg, onde o ndice g vem da palavra gap, que significa intervalo, em ingls. Os materiais que so isoladores a T=0K (-273 C) mas que tm Eg relativamente pequeno, da ordem de 1eV ou menos, temperatura ambiente tm condutividade, so chamados de semicondutores.

5. GRANDEZAS FSICAS E ELTRICAS

GRANDEZAS FSICAS E ELTRICAS
Pode ser definido como grandeza, de um modo geral tudo aquilo que pode ser atribudo a uma certa quantidade e dessa forma tornar-se mensurvel, ou seja, qualquer coisa que represente um valor ou uma quantidade definida em uma certa unidade de medio uma grandeza. So exemplos de grandezas : - Velocidade -Acelerao - Presso - Intensidade de luz - Calor E todas essas grandezas podem ser medidas e associadas a uma unidade, por exemplo : - A velocidade medida em metros por segundo (m/s). - A acelerao medida em metros por segundo ao quadrado (m/s). - A presso pode ser medida, por exemplo, em milmetros de mercrio (mmHg).

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So esses apenas alguns exemplos de uma infinidade de grandezas que existem. Passaremos agora a discutir com nfase uma srie de grandezas que fazem parte do rol das grandezas eltricas fundamentais.

MLTIPLOS E SUBMLTIPLOS DE GRANDEZAS : Muitas vezes uma grandeza assume valores muito grandes ou muito pequenos, tornando invivel a sua representao na unidade corrente. Dessa maneira, existem alguns "multiplicadores " que ajudam a representar os valores das grandezas de forma mais "agradvel". Vejamos alguns mltiplos e submltiplos fundamentais em eletrnica :

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Exemplos : 0,002 V = 2 mV 1000 g = 1Kg

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TENSO, CORRENTE E RESISTNCIA ELTRICA

TENSO ELTRICA : Podemos definir a tenso eltrica em um circuito como sendo a diferena de potencial entre dois plos distintos. Em todo circuito eltrico necessrio a existncia de uma fonte de tenso (ou fonte de corrente em alguns casos, como veremos mais adiante) para fornecer energia ao circuito. No S.I (Sistema Internacional) a tenso eltrica, cujo smbolo a letra U, medido em volts (V). A notao dessa grandeza deve ser feita da seguinte maneira : U = 380 V onde : U - a grandeza tenso 380 - o seu valor numrico V - a unidade em que o valor foi medido (volts)
OBS: Muitas vezes, para efeito didtico, considera-se a letra V como sendo o smbolo da tenso. No nosso caso utilizaremos a notao V, (pelo motivo citado anteriormente) muito embora a notao U seja a recomendado ao utilizarmos as unidades no SI.

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TENSO ALTERNADA, CONTNUA , MDIA , EFICAZ E DE PICO :

Tenso alternada : aquela que varia no tempo, ou seja, o tipo de tenso que descreve uma funo que varia de valor com o passar do tempo. A mais comum das tenses alternadas a tenso senoidal, que assume uma infinidade de valores no decorrer do tempo. importante notar que uma tenso alternada oscila em uma determinada frequncia.

Tenso contnua : Pode ser definida como a tenso que descreve uma constante, ou seja, seu valor no varia ao longo do tempo. Notar, portanto, que uma tenso contnua no "tem" frequncia.

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TENSO DE PICO: Vamos considerar a figura abaixo :

Esta onda senoidal um grfico do tipo : v = Vp sen onde : v = tenso instantnea Vp = Tenso de pico = ngulo em graus
Observe que a tenso aumenta de zero at o mximo positivo em 90, diminui para zero novamente 180, atinge um mximo negativo em 270 e volta a zero em 360. O valor de pico o mximo valor atingido em cada semiciclo.

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O valor de pico a pico desse sinal ( ou de qualquer outro ) a diferena entre o seu mximo e mnimo algbrico : Vpp = Vmax Vmin Para a senide acima, o valor de pico a pico ser portanto de : Vpp = Vp - (-Vp) = 2Vp , ou seja, o valor de pico a pico de uma onda senoidal o dobro do valor de pico.

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VALOR DE TENSO EFICAZ (RMS - Root Mean Square) :
Se uma tenso senoidal aparecer atravs de um resistor , ela produzir uma corrente senoidal em fase atravs do resistor ( como firmaremos mais adiante ) . O produto da tenso instantnea pela corrente d a potncia instantnea, cuja mdia durante um ciclo resulta numa dissipao mdia de potncia (tambm este tpico ser melhor discutido adiante). Em outras palavras, o resistor dissipa uma quantidade constante de calor como se houvesse uma tenso contnua atravs dele. Podemos definir o valor rms de uma onda senoidal , tambm chamado de valor eficaz ou valor de aquecimento como a tenso contnua que produz a mesma quantidade de calor que a onda senoidal . Matematicamente, a relao entre a tenso rms e de pico a seguinte : Vrms = 0,707 Vp , ou

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VALOR MDIO DE TENSO : O valor mdio de uma onda senoidal ao longo de um ciclo zero, porque a onda senoidal simtrica, ou seja, cada valor positivo da primeira metade compensado por um valor igual negativo.

Veremos mais adiante, aps o estudo de circuitos retificadores, como obter um valor mdio de tenso a partir de uma onda senoidal retificada.

Valor mdio de meio-ciclo da forma de onda senoidal.

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MEDIO DE TENSO CONTNUA E ALTERNADA COM O MULTMETRO :
Quando utilizamos um multmetro para medies de tenso em cc , o valor obtido ser sempre o valor mdio da tenso, ou seja, um multmetro em escala de tenso cc mede valores mdios. Quando utilizarmos um multmetro para medies de tenso ac, o valor obtido ser sempre o valor eficaz de tenso, ou seja, um multmetro em escala de tenso ac mede valores em RMS. Na prtica isso significa que se medirmos com um multmetro um valor de tenso cc e um valor de tenso ac iguais, ambas as tenses produziro sobre um mesmo resistor a mesma dissipao de potncia.

6. TEORIA DOS SEMICONDUTORES

TEORIA DOS SEMICONDUTORES

O termo semicondutor sugere algo em relao s suas caractersticas. O prefixo semi normalmente aplicvel a algo intermedirio, entre dois limites. O termo condutor aplicado a qualquer material que permite um fluxo de corrente eltrica. Portanto, um semicondutor um material que possui um nvel de condutividade entre algum extremo de um isolante e um condutor. Neste captulo estudaremos esse material que impulsionou a eletrnica contempornea.

6. TEORIA DOS SEMICONDUTORES

DIFERENA ENTRE CONDUTOR, SEMICONDUTOR E ISOLANTE OS CRISTAIS SEMICONDUTORES :
Alguns materiais como silcio e o germnio, tm uma estrutura interna de forma geomtrica bem definida, as quais chamamos de estruturas cristalinas. Qualquer material que seja composto apenas de estruturas cristalinas repetidas chamado de monocristal. Os materiais semicondutores de aplicao prtica no campo da eletrnica possuem essa caracterstica de monocristal, e alm disso, a periodicidade da estrutura no muda significativamente com a adio de impurezas no processo de dopagem.

Os monocristais silcio e germnio apresentam, na sua camada de valncia, quatro eltrons que esto "presos" estrutura por uma ligao covalente. Com um certo acrscimo de energia, contudo, os eltrons da banda de valncia podem passar para a banda de conduo.

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A visualizao da diferena entre as bandas de energia entre condutor, semicondutor e isolante ajudam a compreenso do exposto :

Notar que os cristais semicondutores tm um potencial de Gap bem definido.

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Outro diferena entre os materiais est relacionada resistividade de cada um. Vejamos um exemplo :
- Resistividade do cobre (aproximada ) = 0,000001 . cm - Resistividade do germnio (aproximada ) = 50 . cm - Resistividade do silcio (aproximada ) = 50 K. cm - Resistividade da mica (aproximada ) = 1000 G. cm

Estes valores para os semicondutores, contudo, esto relacionados aos cristais com um certo grau de pureza ( so chamados de materiais intrnsecos ).
Quando se adiciona algum tipo de impureza no cristal, suas caractersticas semicondutoras podem ser alteradas totalmente, como veremos a seguir.

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SEMICONDUTOR TIPO N E TIPO P
Ambos os materiais, tipo n e tipo p, so formados acrescentando-se um nmero predeterminado de tomos de impureza em uma base de germnio ou de silcio. Semicondutor tipo N :

O tipo n feito com elementos de impureza que possuem cinco eltrons na camada de valncia ( impureza pentavalente ), tais como antimnio, arsnio e fsforo. Dos cinco tomos da impureza, quatro ficam ligados por ligao covalente, e um quinto eltron fica desassociado de qualquer ligao, permanecendo relativamente livre dentro da estrutura.

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A figura abaixo ilustra na estrutura, a influncia da impureza de antimnio em um material tipo n:

Ao processo de insero de impurezas no cristal damos o nome de dopagem. A dopagem do cristal influencia tambm na resistividade do material semicondutor, e altera o potencial do Gap entre as bandas de energia de conduo e de valncia da estrutura semicondutora. As impurezas pentavalentes, tambm chamadas de impurezas doadoras alteram o gap do silcio para algo em torno de 0,05 eV e do germnio para 0,01 eV.

6. TEORIA DOS SEMICONDUTORES

O antimnio chamado de elemento DOADOR DE IMPUREZA.

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o antimnio forado a participar das ligaes covalentes do silcio ou germnio, doando quatro eltrons para os tomos que esto ao seu lado. Os tomos vizinhos vo ficar completos com esses 4 tomos de antimnio e estes eltrons estaro firmemente presos. O quinto eltron do antimnio, no pertencendo a estrutura cristalina, preso ao ncleo do antimnio apenas pela fora inica. Mas mesmo a temperatura ambiente normal, a agitao trmica suficiente para que se liberte do seu ncleo e fique vagando, este eltron chamado de eltron livre. Quando aplicamos uma tenso num cristal do tipo N, os eltrons livres presentes na estrutura do cristal vo permitir o fluxo de uma corrente eltrica.

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Semicondutor tipo P :
O material tipo p formado pela dopagem de um cristal puro de germnio ou silcio, com tomos de impurezas com trs eltrons de valncia ( tetravalentes ). Os elementos mais utilizados para este fim so o boro, o glio e o ndio. Agora, como o elemento de impureza possui somente trs eltrons, h um nmero insuficiente de eltrons para completar as ligaes covalentes. A vaga resultante chamada lacuna . Como a vaga resultante aceita facilmente um eltron "livre", as impurezas acrescentadas so chamadas de tomos receptores.

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A figura abaixo ilustra uma impureza em um cristal de silcio : As impurezas no material tipo p, assim como no tipo n, alteram as caractersticas do material semicondutor. Convencionaremos que no material tipo p , as lacunas sero chamadas de portadores majoritrios ( por estarem em maior nmero que os eltrons ) e os eltrons de portadores minoritrios, enquanto que nos materiais tipo n , os eltrons sero chamados de portadores majoritrios e as lacunas minoritrios. Os materiais tipo n e tipo p constituem, na verdade, o bloco bsico dos dispositivos semicondutores. Veremos no prximo tpico que a juno de um material tipo n com um material tipo p resulta em um elemento semicondutor de importncia considervel em sistemas eletrnicos.

6. TEORIA DOS SEMICONDUTORES

Se na dopagem do cristal ns, ao invs de utilizarmos um elemento com 5 eltrons na sua camada de valncia, utilizamos um elemento com 3 eltrons na sua camada de valncia, como o ndio, boro ou glio, vamos formar um outro tipo de material semicondutor. Utilizando-se o ndio como impureza, na mesma proporo que foi usada com o antimnio o ndio vai formar ligaes covalentes com os quatro tomos vizinhos do silcio ou do germnio. O tomo de ndio vai aceitar os quatro eltrons dos tomos vizinhos, mas pode doar apenas os trs eltrons da sua camada de valncia. Desta maneira, trs pares de eltrons so completados, formando ligaes covalentes. A quarta ligao vai ficar incompleta, apenas com um eltron, fornecido pelo silcio ou o germnio. A falta deste eltron nesta ligao chamada de BURACO ou LACUNA. Atua como uma carga eltrica positiva, atraindo qualquer eltron que esteja por perto, para completar a sua ligao. Por esta razo, o ndio chamado de receptor.

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Dizemos, ento, que um material do tipo P tem buracos livres, assim como o material do tipo N tem eltrons livres.

Aplicando-se um potencial eltrico num cristal do tipo P, haver uma corrente de buracos dentro da estrutura cristalina do material. Os eltrons de valncia tambm esto se movendo mas sempre que um eltron abandona a rbita do silcio ou germnio, provoca outro buraco, e como existem mais buracos que eltrons, chamamos aos buracos de portadores majoritrios de corrente em um material do tipo P.

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INFLUNCIA DA TEMPERATURA NUM SEMICONDUTOR Um aumento da temperatura provoca um maior nmero de tomos ionizados na estrutura de um semicondutor, aumentando a sua condutividade. Nos circuitos usando dispositivos a semicondutor, sempre se procura evitar esse efeito da temperatura, anulando-o, ou pelo menos limitando o efeito.

O grfico acima mostra como o aumento de temperatura provoca um aumento nos portadores disponveis.

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TIPO DE LIGAES SEMICONDUTORAS
Materiais semicondutores (p ou n) podem ser ligados entre si, das maneiras dadas a seguir.

POR JUNO: Corresponde ao contado das superfcies dos dois ou mais semicondutores, atravs das quais se dar a circulao das cargas eltricas.

POR PONTAS: Tem-se nesse caso o contato entre as partes de um componente, por meio de pontas de contato. Comparado com o tipo anterior, este geralmente encontrado em componentes para correntes menores, devido menor seo de contato.

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POR DIFUSO: Consiste na dopagem de um certo volume de material de base numa polaridade ou concentrao de cargas diferentes do material de suporte.

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O DIODO SEMICONDUTOR

DIODO NO POLARIZADO : Quanto juntamos um material tipo n com um material tipo p obtemos o que chamamos de diodo. A juno do diodo a regio onde o tipo n e o tipo p se encontram. Ao juntarmos um pedao do material tipo n com um pedao do material tipo p, ocorre uma associao na regio da juno entre os portadores majoritrios do material tipo n ( eltrons ) com os portadores majoritrios do material tipo p ( lacunas ) , criando um par de ons ( um on positivo na lado n e um on negativo no lado p ), formando-se assim uma regio onde "no existem" eltrons nem lacunas circulando livremente. A essa camada damos o nome de camada de depleo.

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Entendo melhor
Juntando-se os dois materiais, aparecero foras inicas, que vo atuar da seguinte maneira: os ons negativos da regio P vo repelir os eltrons livres da regio N, da mesma forma que os ons positivos da regio N vo repelir os buracos livres da regio P. Em consequncia, teremos uma rea prxima da juno vazia de portadores de corrente. Esta rea recebe o nome de regio de depleo ou de carga de espao.

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Vamos observar a figura abaixo :

At certo ponto, a camada de depleo age como uma barreira impedindo a continuao da difuso de eltrons livres atravs da juno. Essa camada de depleo continua aumentando at que os eltrons no consigam mais atravessar a camada, chegando-se assim a um equilbrio. diferena de potencial da camada de depleo damos o nome de barreira de potencial. A uma temperatura de 25C, esta barreira de potencial aproximadamente igual a 0,7 V para o silcio e 0,3 V para o germnio.

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POLARIZAO DE UM DIODO :

Um diodo ideal, quando submetido a uma diferena de potencial, comporta-se como se fosse uma "chave" que pode estar fechada ou aberta, dependendo do modo com que o diodo polarizado. Polarizao: polarizar significa alimentar um componente que requer determinada polaridade de alimentao. Vamos estudar, a partir de agora, como se comporta um diodo quando polarizado :

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POLARIZAO DIRETA: Vamos observar a figura abaixo : Quando o plo positivo da bateria ligado no terminal P do diodo e o plo negativo ligado ao N, a quantidade de eltrons aumenta consideravelmente do lado n, dando aos eltrons ento energia suficiente para vencerem a barreira de potencial e se combinarem com as lacunas do lado p. medida que os eltrons encontram as lacunas, eles se tornam eltrons de valncia. Ento, caminhando como eltrons de valncia, eles atingem a outro extremidade do cristal e escoam para o terminal positivo da fonte. H, portanto, um intenso fluxo de eltrons pelo diodo, ou seja, o diodo permite nesse caso que uma intensa corrente circule por ele. Quando o diodo, ligado desta maneira, permite a passagem da corrente eltrica, dizemos que ele se comporta como uma "chave fechada", e est polarizado diretamente.

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Ou seja, ao aplicarmos a polaridade da bateria no diodo, de maneira que na regio N se aplique o terminal negativo, e na regio P o terminal positivo, o potencial negativo aplicado na regio N vai repelir os eltrons em direo da regio de depleo. Da mesma forma, o potencial positivo aplicado na regio P vai repelir os buracos tambm na direo da regio de depleo. O efeito que vamos obter de que os portadores majoritrios de corrente vo atravessar a barreira de depleo, permitindo o fluxo de uma corrente eltrica. Dessa forma o diodo se comporta como um elemento condutor, apresentando uma resistncia eltrica muito pequena ao fluxo da corrente eltrica. Observe na figura que o fluxo de corrente apresentado refere-se ao sentido eletrnico.

6. TEORIA DOS SEMICONDUTORES

Exemplo: Para o diodo conduzir, mesmo em polarizao direta, necessrio que a tenso da bateria seja de pelo menos 0,7V (para vencer a barreira de potencial). Em conduo um diodo apresenta uma queda de tenso de aproximadamente 0,7V( diodo de Si). No circuito a seguir a corrente no circuito de aproximadamente 11,3mA.

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A figura a seguir mostra dois circuitos, com diodo e com a chave fechada representando o diodo. Como podemos notar existe uma diferena entre as duas medidas, mas o erro pode ser desprezado.

6. TEORIA DOS SEMICONDUTORES

A pergunta que fica : Podemos usar esse modelo sempre? Vamos respondela considerando outro exemplo. Consideremos que a bateria do circuito da figura muda de valor, passando a valer 1,5V. Resulta o circuito da figura:

Observe que neste caso o erro entre as duas corrente de aproximadamente 100% . Neste caso no podemos mais usar o modelo da chave fechada para representar o diodo. Devemos melhorar o modelo

POLARIZAO REVERSA :

Conectando-se ao diodo um potencial eltrico de modo que na regio N esteja o terminal positivo da bateria e na regio P o terminal negativo, a regio de depleo vai aumentar. Os buracos livres da regio P sero atrados para o terminal negativo da bateria, da mesma maneira que o terminal positivo da bateria vai atrair os eltrons livre da regio N. Alguns eltrons conseguem chegar at o terminal positivo da bateria, e so conduzidos at o terminal negativo, penetrando na regio P e anulando alguns buracos. Mas num espao de tempo pequeno essa circulao de corrente cessa, e o diodo se comporta como um isolante. A pequena corrente instantnea pode ser comparada carga de um capacitor, e deve ser levada em conta sempre que se trabalha com o diodos em frequncias elevadas.

O desenho abaixo ilustra a polarizao reversa do diodo :

Entendendo melhor

Quando o plo positivo da bateria ligado no terminal n do diodo e o plo negativo ligado ao p, os eltrons livres da regio n so obrigados a se afastarem da juno em direo ao terminal positivo da bateria. As lacunas do material p tambm se deslocam para o terminal negativo. Os eltrons que saem deixam ons positivos prximos juno, e as lacunas deixam ons negativos, aumentando a barreira de potencial. A barreira de potencial aumenta at que seu valor se iguale ao valor da fonte. Portanto, nessas condies, praticamente no ocorre nenhum fluxo de corrente pelo diodo e ele se comporta como de fosse uma "chave aberta". Dizemos ento que o diodo est polarizado reversamente.

Com polarizao reversa a corrente no diodo ser muito baixa (da ordem de nA para diodos de Si), de forma que do ponto de vista prtico ser zero. Esta corrente reversa tambm chamada de corrente de fuga s depende de aspectos construtivos (dopagem) e da temperatura (dobra de valor para cada 10 graus de aumento na temperatura). Observe que quando polarizado reversamente toda a tenso da fonte cair entre os terminais do diodo, que dever ter capacidade para suportar essa tenso reversa, caso contrrio pode ocorrer um fenmeno chamado de avalanche o que pode levar destruio do diodo.

Efeito capacitivo da juno

interessante notar que a zona de esvaziamento assume sempre as caractersticas de um perfeito DIELTRICO, cuja espessura (no caso de polarizao inversa ) dependente da tenso externa de polarizao. Pode-se ento considerar a juno nestas condies, como equivalente a um capacitor, representando-se as armaduras pelo bordo externo da prpria juno

OBS: Durante a polarizao direta da juno P-N o fenmeno capacitivo muito menos importante pois, sendo muito baixa a R direta da prpria juno, o circuito modificado no seguinte modo:

Por conveno, o terminal onde est ligado o material tipo n, chamado de CATODO ( que representado pela letra K ) e o terminal onde est o tipo p chamado de ANODO ( que representado pela letra A ). Quando o diodo est polarizado diretamente, a corrente convencional flui do anodo para o catodo. RESUMINDO O COMPORTAMENTO DO DIODO IDEAL : -O diodo polarizado diretamente, ou seja, positivo da bateria na anodo = chave fechada. - O diodo polarizado reversamente, ou seja, positivo da bateria na catodo = chave aberta.

Na figura abaixo temos alguns modelos de diodos semicondutores com cpsula de plstico. O catodo indicado por um anel branco ou por um arredondamento do corpo da cpsula.

Testes de Verificao 1) Uma juno : a) a unio de uma barra de um semicondutor do tipo P com um semicondutor do tipo N. b) a difuso de cargas positivas sobre um semicondutor de germnio. c) uma barra de um semicondutor dopada diferentemente em dois pontos. d) NDA.

2) Na figura, a barreira de potencial : a) facilmente supervel pelos eltrons b) absolutamente insupervel pois a polarizao inversa c) dificilmente supervel porque a polarizao inversa d) NDA

3) Polarizar significa: a) alimentar de modo correto um componente respeitando a polaridade b) alimentar de modo inverso um componente respeitando a polaridade c) alimentar um componente polarizado d) NDA 4) Assinalar o circuito equivalente exato de uma juno polarizada inversamente

5) Na juno polarizada inversamente, a corrente:

a) no passa absolutamente b) passa somente se os fios forem de alumnio c) passa somente uma pequena corrente d) circula corrente direta

6) Polarizando uma juno diretamente: a) b) c) d) a barreira de potencial diminui a barreira de potencial diminui e se estreita a barreira de potencial aumenta e se alarga a barreira de potencial aumenta e se estreita

ESPECIFICAES TCNICAS DO DIODO SIMBOLOGIA : O diodo representado da seguinte maneira :

Os modos de ligao do diodo em polarizao direta e reversa so os seguintes :

MODELOS APROXIMADOS Para os diodos reais, porm , preciso lembrar que eles tm entre outras caractersticas, uma barreira de potencial na polarizao direta da ordem de 0,7 V para o diodo de silcio e uma resistncia dinmica tambm para o silcio. Dessa maneira podemos aproximar o diodo real de trs maneiras diferentes: -A primeira aproximao consiste em se associar o diodo a uma chave liga/desliga.

-A segunda aproximao leva em conta a queda de tenso do diodo, que convencionaremos, a partir de agora, ser de silcio e consequentemente, proporcionar uma queda de tenso de aproximadamente 0,7 V. O circuito total ser a associao em srie da chave com a bateria. - A terceira aproximao leva em conta, alm da chave e da bateria, a resistncia interna dinmica do diodo. O resultado ser, portanto, uma srie entre os trs elementos.

Modelo 1 - Diodo Ideal O modelo mais simples do diodo considera-o como sendo uma chave que controlada pela tenso aplicada no diodo. Se a tenso positiva a chave fecha, se negativa a chave abre. O diodo se comporta de forma ideal. A figura a seguir mostra a curva caracterstica

A figura a seguir mostra dois circuitos, com diodo e com a chave fechada representando o diodo. Como podemos notar existe uma diferena entre as duas medidas, mas o erro pode ser desprezado.

Consideremos que a bateria do circuito da figura muda de valor, passando a valer 1,5V. Resulta o circuito da figura:

Neste caso no podemos mais usar o modelo da chave fechada para representar o diodo. Devemos melhorar o modelo

Modelo 2 Bateria O modelo anterior pode ser melhorado considerando-se que ao conduzir o diodo pode ser substitudo por uma bateria de 0,6V. Se a tenso aplicada no diodo for maior que 0,6V o diodo ser substitudo por uma bateria de 0,6V. Para uma tenso menor que 0,6V o diodo ser um circuito aberto.

A figura a seguir mostra as medidas em um circuito com diodo e no circuito equivalente com a bateria de 0,6V substituindo o diodo.

Como podemos observar os valores so muito prximos. O modelo anterior pode ser melhorado mais ainda se substituirmos o diodo por uma bateria em serie com uma resistncia(resistncia CC do corpo do diodo) para v>0,6V. Obs: melhor seria utilizar a b ateria com valor prximo de 0,7 V.

Modelo 3 - Bateria e Resistncia (modelo linearizado por trechos de retas) Um modelo mais completo considera a resistncia dinmica ou resistncia incremental do diodo quando em conduo (rD), isto , considera que a tenso nos terminais do diodo aumenta linearmente com a corrente para V>0,6V, Figura abaixo:

A figura a seguir mostra as medidas em um circuito com diodo e no circuito equivalente com a bateria de 0,6V em serie com uma resistncia de 50 Ohms substituindo o diodo.

Observar que os resultados so muito prximos, desta forma o modelo a ser adotado depende dos valores da bateria e da resistncia do circuito. Se a tenso da fonte for muito maior do que 0,6V podemos usar o modelo simplificado, caso contrario deve ser usado o penltimo ou o ultimo modelo.

A CURVA DO DIODO : Os diodos, quando submetidos a uma diferena de potencial, proporcionam uma "curva de resposta" dada pela relao tenso/corrente que difere de elementos como o resistor (que so componentes lineares)por ser no linear, ou seja, a resposta do diodo no "reta. O diodo ideal apresenta a seguinte curva :

Contudo, o diodo real, que apresenta caractersticas definidas, apresenta uma curva relativamente diferente, vejamos :

-Na regio direta, o diodo real passa a conduzir somente depois que a tenso do circuito atinge um valor maior que 0,7 V ( notar que, como convencionado, tratamos do silcio ). Esse ponto onde o diodo comea a conduzir normalmente conhecido como joelho. - Embora a curva no ilustre, vale a pena lembrar que o aumento da corrente deve limitar-se s especificaes do diodo, caso contrrio o mesmo sofrer danos.

- Na regio reversa, a medida que o tenso reversa aumenta, comea aparecer uma corrente reversa no diodo, denominada corrente de fuga. A corrente de fuga aumenta at o ponto em que o diodo atinge sua condio de ruptura. - O ponto de ruptura o ponto onde o diodo deixa de suportar uma tenso reversa e conduz fortemente, como consequncia muitas vezes de danos permanentes no componente ( curto-circuito ).

ESPECIFICAO DO DIODO :

Ao se especificar um diodo, necessrio ao menos os tens : A capacidade de conduo de corrente direta, a tenso reversa, a mxima potncia de trabalho e a corrente de surto direta. Em circuitos de elevada frequncia ainda, a capacitncia da juno deve ser especificada. Normalmente recorremos aos cdigos dos fabricantes, que denotam suas caractersticas. Um exemplo de especificao de diodo o seguinte :
Componente : Diodo BA129 Faixa de temperatura : -65C a +200C Dissipao de potncia mxima a 25C : 500 mW Tenso inversa de trabalho : 180 V Corrente direta contnua : 500 mA Corrente de surto direta de pico : 1,0 A

Na prtica, contudo, existem alguns meios de se substituir um diodo por outro, tendo em vista o cdigo da fabricante, que denota somente a corrente direta e a tenso reversa, por exemplo : Diodo Semikron SKB 12/08 Esse diodo possui as seguintes caractersticas : 12 = Corrente direta = 12A 08 = Tenso reversa x 100 = 800V.

Logo, suponhamos que na necessidade de substituio de um diodo desse tipo, tem-se a mo somente trs diodos com as seguintes marcaes : - Diodo SKB 08/10 - Diodo SKB 25/06 -Diodo SKB 16/08
Qual ( ou quais ) o diodo que pode substituir o SKB 12/08 ? Vejamos :

O primeiro diodo, o SKB 08/10, embora apresente uma tenso reversa de 1000V, suporta uma corrente direta de apenas 8A, logo no pode substituir o diodo defeituoso em questo.

O segundo diodo, o SKB 25/06 , Embora apresente uma corrente direta na ordem de 25, apresenta uma tenso reversa de apenas 600 V, logo no pode ser usado.
Finalmente o terceiro diodo, o SKB 16/08, suporta uma corrente direta de 16A e tenso reversa de 800V, podendo portanto ser utilizado como substituio ao SKB 12/08 ( notar que as iniciais SKB devem ser mantidas correspondentes ).

Tipos de invlucros para diodos a semi-condutores

OBRIGADO!

Eng. Fernando Mesquita Ramos