Cap 1 - Operacion Interna de Un Diodo

OPERACIN INTERNA OPERACIN INTERNA OPERACIN INTERNA OPERACIN INTERNA
DE UN DE UN DE UN DE UN
SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR
Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M.
OBJETIVO OBJETIVO OBJETIVO OBJETIVO
Aprender como se construye y opera internamente un Diodo
Semiconductor.
Tipos de Materiales
Semiconductores
Operacin de la unin del Material del tipo p pp p con el material
de tipo n nn n
Demostracin porque la union p-n favorece solo el paso de
la corriente en una Direccin
INTRODUCCION INTRODUCCION INTRODUCCION INTRODUCCION
EL EL EL EL ATOMO ATOMO ATOMO ATOMO: :: :
Es la Partcula mas pequea de un elemento que presenta
una estructura atmica nica.
EL EL EL EL ATOMO ATOMO ATOMO ATOMO: :: :
una estructura atmica nica.
Electrn
Orbital
19
e
q 1, 6x10 C

=
Ncleo
(Protones y neutrones)
NUMERO ATOMICO: NUMERO ATOMICO: NUMERO ATOMICO: NUMERO ATOMICO:
Es igual al numero de electrones (o protones) en un tomo neutro neutro neutro neutro. .. . Tal
es as que todos los tomos estn dispuestos en la tabla peridica de
acuerdo a su numero atmico
tomo Neutro
# e # p
+
=
CAPAS Y ORBITAS DE LOS ELECTRONES: CAPAS Y ORBITAS DE LOS ELECTRONES: CAPAS Y ORBITAS DE LOS ELECTRONES: CAPAS Y ORBITAS DE LOS ELECTRONES: CAPAS Y ORBITAS DE LOS ELECTRONES: CAPAS Y ORBITAS DE LOS ELECTRONES: CAPAS Y ORBITAS DE LOS ELECTRONES: CAPAS Y ORBITAS DE LOS ELECTRONES:
Una capa capa capa capa electrnica electrnica electrnica electrnica, capa capa capa capa de de de de electrones electrones electrones electrones o cubierta cubierta cubierta cubierta de de de de electrones electrones electrones electrones es el
conjunto de rbitas rbitas rbitas rbitas seguidas por un grupo de electrones alrededor del
ncleo de un tomo. Cada capa puede contener un cierto nmero mximo
de electrones, y est asociada con un particular rango de energa en
funcin de su distancia al ncleo.
NIVELES DE ENERGIA: NIVELES DE ENERGIA: NIVELES DE ENERGIA: NIVELES DE ENERGIA:
Cada distancia discreta (Orbita) al ncleo corresponde a cierto nivel de Cada distancia discreta (Orbita) al ncleo corresponde a cierto nivel de
energa.
Nivel de Energa Nivel de Energa Nivel de Energa Nivel de Energa
Orbital Orbital Orbital Orbital Electrones Electrones Electrones Electrones
Electrones con
Menor nivel de energa
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ + + ++ +
Cap Cap Cap Capa 1 a 1 a 1 a 1
Capa 2 Capa 2 Capa 2 Capa 2
Ncleo Ncleo Ncleo Ncleo
Electrones con
Mayor nivel de energa
Capa de Valencia
NOTA NOTA NOTA NOTA
En un tomo estable, para que una cierta capa pueda contener
electrones, es necesario que todas las interiores a ella estn
completamente Llenas.
Los electrones en la capa ms externa (capa capa capa capa de de de de valencia) valencia) valencia) valencia) es la nica
que puede encontrarse parcialmente vaca, y son las que determinan
las propiedades qumicas del tomo.
El numero mximo de electrones que puede existir en cada capa
de un atomo es un hecho de naturaleza y se calcula de la siguiente
e
N
de un atomo es un hecho de naturaleza y se calcula de la siguiente
manera:
2
e
N 2n =
Donde Donde Donde Donde: n = Numero de capas
Ejemplo Ejemplo Ejemplo Ejemplo: :: :
2 2
e
Capa 1 : n= 1 N 2n = 2(1) = 2 electrones =
2 2
e
2 2
e
2 2
2 2
e
2 2
e
ELECTRONES DE VALENCIA ELECTRONES DE VALENCIA ELECTRONES DE VALENCIA ELECTRONES DE VALENCIA
Son aquellos electrones que describen orbitas alejadas del ncleo.
Tienen mas energa y estn flojamente enlazados al tomo
Contribuyen a las reacciones qumicas, y al enlace dentro de la
estructura de un material as como sus propiedades elctricas.
IONIZACION IONIZACION IONIZACION IONIZACION
Se presenta cuando un tomo pierde un electrn de valencia, y por
ejemplo si un tomo que esta cargado positivamente pierde un
electrn de valencia, este queda cargado positivamente (mas
protones que electrones) y como resultado un Ion Ion Ion Ion positivo positivo positivo positivo. .. .
AISLANTES, AISLANTES, AISLANTES, AISLANTES, CONDUCTORES CONDUCTORES CONDUCTORES CONDUCTORES Y YY Y
SEMICONDUCTORES SEMICONDUCTORES SEMICONDUCTORES SEMICONDUCTORES
CONDUCTORES CONDUCTORES CONDUCTORES CONDUCTORES
Es un material que conduce corriente elctrica fcilmente.
Se caracterizan por tener un solo electrn de valencia en la
orbita exterior muy dbilmente enlazados al tomo.
La mayora de los metales son buenos conductores, como por
ejemplo: Ag, Cu, Au, y Al.
Por consiguiente, en un material conductor, los electrones electrones electrones electrones de de de de
valencia valencia valencia valencia pasan hacer electrones electrones electrones electrones Libres Libres Libres Libres. .. .
Ing. Samuel Tarqui M.
valencia valencia valencia valencia pasan hacer electrones electrones electrones electrones Libres Libres Libres Libres. .. .
En general: En general: En general: En general: Menos de cuatro electrones de valencia en la
orbita exterior de un tomo hacen que el material sea un
buen conductor.
Es un material a medio camino entre los Conductores y los Es un material a medio camino entre los Conductores y los
aislantes, en lo que respecta a su capacidad de conducir
corriente elctrica.
Un Semiconductor en estado Puro se le denomina Material Material Material Material
Intrnseco Intrnseco Intrnseco Intrnseco. .. .
Los semiconductores mas comunes de un solo elemento son:
Si, Ge y el C.
Semiconductores Compuestos:
Semiconductores Compuestos:
* Arseniuro de Galio (AsGa)
* Fsforo de Indio (PIn).
En General: En General: En General: En General: Cuatro electrones de valencia
por tomo como el caso del Si Si Si Si y el Ge Ge Ge Ge hacen
que el material sea un semiconductor.
Ejemplos: Ejemplos: Ejemplos: Ejemplos:
tomo de Silicio
(14)
E
tomo de Fsforo
(15)
tomo de Cobre
(29)
CONDUCTOR CONDUCTOR CONDUCTOR CONDUCTOR
AISLANTE AISLANTE AISLANTE AISLANTE
Banda Banda Banda Banda de de de de Valencia Valencia Valencia Valencia. .. .- -- - Esta representada por la banda banda banda banda de de de de
niveles niveles niveles niveles de de de de Energa Energa Energa Energa donde se encuentran los electrones de
valencia.
BANDAS DE ENERGIA BANDAS DE ENERGIA BANDAS DE ENERGIA BANDAS DE ENERGIA
valencia.
Cuando un electrn adquiere suficiente energa adicional
puede abandonar la Capa Capa Capa Capa de de de de valencia valencia valencia valencia para convertirse en un
electrn electrn electrn electrn libre libre libre libre y existir en lo que se conoce como Banda Banda Banda Banda de de de de
conduccin conduccin conduccin conduccin. .. .
Banda Banda Banda Banda de de de de Conduccin Conduccin Conduccin Conduccin. .. .- -- - Es el lugar donde el electrn libre Banda Banda Banda Banda de de de de Conduccin Conduccin Conduccin Conduccin. .. .- -- - Es el lugar donde el electrn libre
puede moverse por todo el material ya que no queda
enlazado a ningn tomo. A La diferencia de energa entre la
Banda de valencia y la banda de conduccin se llama Banda Banda Banda Banda
Prohibida Prohibida Prohibida Prohibida. .. .
Banda Banda Banda Banda Prohibida Prohibida Prohibida Prohibida. .. .- -- - Es la regin donde un electrn de valencia
deber tener la suficiente energa para poder saltar de la
banda de valencia a la banda de conduccin.
BANDAS DE ENERGIA BANDAS DE ENERGIA BANDAS DE ENERGIA BANDAS DE ENERGIA
Energa Energa Energa Energa Energa Energa Energa Energa Energa Energa Energa Energa
G
E 1.12eV (Si) =
=
Banda de Conduccin Banda de Conduccin Banda de Conduccin Banda de Conduccin
Banda de Prohibida Banda de Prohibida Banda de Prohibida Banda de Prohibida
(E (E (E (E
G GG G
) )) )
Traslape Traslape Traslape Traslape
Banda de Prohibida Banda de Prohibida Banda de Prohibida Banda de Prohibida
(E (E (E (E
G GG G
) )) )
G
G
G
E 0, 67eV (Ge)
E 1, 41eV (GaAs)
=
=
G
E 5eV >
Banda de Valencia Banda de Valencia Banda de Valencia Banda de Valencia
Aislante Aislante Aislante Aislante
0
Semiconductor Semiconductor Semiconductor Semiconductor
0
Conductor Conductor Conductor Conductor
0
Es un material Capaz de Conducir Corriente Elctrica a
temperatura Ambiente (300
O
K o 25
O
C ) temperatura Ambiente (300
O
K o 25
O
C )
Conduce mucho mejor que un Material Aislador, pero no
conduce mejor que los metales.
Pertenecen al Grupo IVA de la tabla
Peridica
Los mas comunes son:
* Germanio (Ge) (32 electrones)
Ing. Samuel Tarqui
M.
* Germanio (Ge) (32 electrones)
* Silicio (Si) (14 electrones)
* Arseniuro de Galio (AsGa) (Semiconductor
Compuesto)
G
E 0, 67eV (Ge) =
G
E 1.12eV (Si) =
tomo Silicio (14) tomo Silicio (14) tomo Silicio (14) tomo Silicio (14)
tomo Germanio (32) tomo Germanio (32) tomo Germanio (32) tomo Germanio (32)
El germanio es inestable a altas
temperaturas y produce una
excesiva corriente en Inversa
El Silicio es mas utilizado en
Diodos, Transistores, Circuitos
integrados y otros Dispositivos
caractersticos.
Ing. Samuel Tarqui
M.
TIPOS DE SEMICONDUCTORES TIPOS DE SEMICONDUCTORES TIPOS DE SEMICONDUCTORES TIPOS DE SEMICONDUCTORES
EXTRINSECO EXTRINSECO EXTRINSECO EXTRINSECO
Material en estado
Puro Libre de
Impurezas que alteren
sus propiedades
INTRINSECO INTRINSECO INTRINSECO INTRINSECO
Material al cual se le
han aadido impurezas
para alterar su
propiedades elctricas.
A
l
e
g
r
e
elctricas
Dichas Impurezas
hacen que queden
enlaces covalentes sin
completar en los
materiales.
Ing. Samuel Tarqui
M.
Los tomos de silicio o
germanio forman este
material intrnsico,
llamado Cristal Cristal Cristal Cristal intrnseco, intrnseco, intrnseco, intrnseco,
unidos atravs de enlaces
covalentes.
MATERIALES INTRINSICOS MATERIALES INTRINSICOS MATERIALES INTRINSICOS MATERIALES INTRINSICOS
INTRINSECO INTRINSECO INTRINSECO INTRINSECO
Si Si Si Si
ENLACE COVALENTE ENLACE COVALENTE ENLACE COVALENTE ENLACE COVALENTE
Estructura presente en los
Materiales Monocristalinos
de alta pureza
Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si
de alta pureza
Ing. Samuel Tarqui
M.
Si Si Si Si
Enlace Covalente Enlace Covalente Enlace Covalente Enlace Covalente
Electrn de Electrn de Electrn de Electrn de
valencia valencia valencia valencia
SEMICONDUCTOR INTRINSECO SEMICONDUCTOR INTRINSECO SEMICONDUCTOR INTRINSECO SEMICONDUCTOR INTRINSECO
Observaciones: Observaciones: Observaciones: Observaciones:
A temperaturas que se aproximan al cero absoluto (0
O
K, -
273
O
C), todos los electrones residen en los enlaces covalentes
compartidos entre los tomos, sin electrones libres para la
conduccin.
Las capas exteriores de los tomos de Silicio estn llenas, y el
material se comporta como un aislante.
Ing. Samuel Tarqui
M.
Cuando aumenta la temperatura (300
O
K, 25
O
C), se aade
energa trmica al cristal y se rompen algunos enlaces,
liberndose un pequeo numero de electrones para la
conduccin.
TIPOS DE SEMICONDUCTORES TIPOS DE SEMICONDUCTORES TIPOS DE SEMICONDUCTORES TIPOS DE SEMICONDUCTORES
Densidad Densidad Densidad Densidad de de de de portadores portadores portadores portadores Intrnsicos Intrnsicos Intrnsicos Intrnsicos n nn n
i ii i
(cm
-3
) es igual a la
Densidad de portadores Intrnsicos Densidad de portadores Intrnsicos Densidad de portadores Intrnsicos Densidad de portadores Intrnsicos
i ii i
Densidad de electrones libres (n nn n) y se determina mediante las
propiedades y temperaturas del material:
2 3 -6
cm
G
i
E
n BT exp( )
kT
=
Donde: Donde: Donde: Donde:
B = Parmetro dependiente del
material
31 -3 6
1.08x10 (K .cm )
Energa de la banda del semiconductor en eV (electrn
Volts)
Constante de
Boltzman
5 o
8.62x10 eV/ K
Temperatura Absoluta,
o
K
E
G
Para el Si =1.12
=

G
T
E
k
=
=
material
Ejemplo: Ejemplo: Ejemplo: Ejemplo: Calcular el valor terico de n nn n
i ii i
en el silicio a
temperatura ambiente. temperatura ambiente.
Datos Datos Datos Datos
Temperatura ambiente = 300K B=1.08x10
31
K
-3
cm
-6
E
G
Para el Si = 1.12 eV k= 8.62x10
-5
eV/K
Solucin: Solucin: Solucin: Solucin: Remplazando la formula se tiene:
2 3 -6
G
i
E
n BT exp( ) cm
kT
=
i
n BT exp( ) cm
kT
=
2 31 3 6 3
i
5
1.12eV
n (1.08x10 K cm )(300K) exp
(8.62x10 eV/ K)(300K)

(
=
(
(

9 3
i
n 6.73x10 / cm =
Ing. Samuel Tarqui
M.
10 3
i
n 10 / cm =
CORRIENTE EN SEMICONDUCTORES CORRIENTE EN SEMICONDUCTORES CORRIENTE EN SEMICONDUCTORES CORRIENTE EN SEMICONDUCTORES
Como se vio anteriormente
los electrones de un tomo
Energa Energa Energa Energa
los electrones de un tomo
pueden existir solo dentro
de las bandas de energa
prescrita.
Cada capa alrededor del
ncleo corresponde a cierta
banda de energa y esta
separada de bandas
adyacentes (bandas
Segunda Banda
Capa 2
Banda de Prohibida
Banda de Prohibida
Ing. Samuel Tarqui
M.
adyacentes (bandas
prohibidas) en las cuales no
puede existir electrones.
El grafico muestra las
bandas energa de un cristal
de Silicio puro a 0
O
K.
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ + + ++ +
Primera Banda
Capa 1
Banda de Prohibida
Ncleo (0) Ncleo (0) Ncleo (0) Ncleo (0)
Diagrama de bandas de una Diagrama de bandas de una Diagrama de bandas de una Diagrama de bandas de una
tomo de cristal de Silicio no excitado tomo de cristal de Silicio no excitado tomo de cristal de Silicio no excitado tomo de cristal de Silicio no excitado
ELECTRONES DE CONDUCION Y HUECOS: ELECTRONES DE CONDUCION Y HUECOS: ELECTRONES DE CONDUCION Y HUECOS: ELECTRONES DE CONDUCION Y HUECOS:
CORRIENTE EN SEMICONDUCTORES CORRIENTE EN SEMICONDUCTORES CORRIENTE EN SEMICONDUCTORES CORRIENTE EN SEMICONDUCTORES
Recombinacin Recombinacin Recombinacin Recombinacin
Banda
de Conduccin
Banda
de Prohibida
Electrn Electrn Electrn Electrn
Libre Libre Libre Libre
Calorfica Calorfica Calorfica Calorfica
Ing. Samuel Tarqui
M.
Banda
de Valencia
de Prohibida
Par Par Par Par
Electrn Hueco Electrn Hueco Electrn Hueco Electrn Hueco
Hueco Hueco Hueco Hueco
Electrones Electrones Electrones Electrones
Conclusiones Conclusiones Conclusiones Conclusiones
Electrn Electrn Electrn Electrn
Un cristal de Silicio
Si Si Si Si
intrnsico a temperatura
ambiente (300
O
K o 25
O
C)
tiene energa Calorfica
(Trmica) Suficiente como
para romper el enlace
covalente.
Hueco Hueco Hueco Hueco es el espacio vaco
que deja un electrn en la
banda de Valencia, por
efecto de la energa trmica.
Ing. Samuel Tarqui
M.
Si Si Si Si
Calorfica Calorfica Calorfica Calorfica
Diagrama de Enlaces Diagrama de Enlaces Diagrama de Enlaces Diagrama de Enlaces
Una Recombinacin Recombinacin Recombinacin Recombinacin ocurre
cuando un electrn de la
banda de conduccin pierde
energa y regresa a un hueco
en la banda de valencia.
Banda de Banda de Banda de Banda de
CORRIENTE DE UN ELECTRON Y HUECO CORRIENTE DE UN ELECTRON Y HUECO CORRIENTE DE UN ELECTRON Y HUECO CORRIENTE DE UN ELECTRON Y HUECO
Banda de Banda de Banda de Banda de
Conduccin Conduccin Conduccin Conduccin
Si Si Si Si Si Si Si Si
Flujo de Electrones Flujo de Electrones Flujo de Electrones Flujo de Electrones
Perdi energa Perdi energa Perdi energa Perdi energa
Flujo de Huecos Flujo de Huecos Flujo de Huecos Flujo de Huecos
Si Si Si Si
Los huecos no no no no son
Cargas Positivas
CONCENTRACIONES DE CONCENTRACIONES DE CONCENTRACIONES DE CONCENTRACIONES DE
ELECTRONES Y HUECOS ELECTRONES Y HUECOS ELECTRONES Y HUECOS ELECTRONES Y HUECOS
Las concentraciones de electrones y huecos en un material
intrnseco, son iguales:
i
n n p = =
i
n n p = =
Donde: Donde: Donde: Donde:

i
n
n
p
=
=
=
Densidad de portadores Intrnsicos
Densidad de electrones de conduccin
3
electrones / cm
Densidad de huecos
3
huec os/ cm
Y el producto de las concentraciones de electrones y huecos
es:
2
es:
2
i
n pn =
Este producto pn pn pn pn se da, siempre que el semiconductor se
encuentre en equilibrio equilibrio equilibrio equilibrio trmico, trmico, trmico, trmico, es decir que solo depende de la
temperatura y no de cualquier otro estimulo externo como
voltaje o corriente.
MATERIALES EXTRINSICOS MATERIALES EXTRINSICOS MATERIALES EXTRINSICOS MATERIALES EXTRINSICOS
SEMICONDUCTOR EXTRINSECO SEMICONDUCTOR EXTRINSECO SEMICONDUCTOR EXTRINSECO SEMICONDUCTOR EXTRINSECO
Material Semiconductor a la cual se le aaden impurezas para
modificar sus propiedades Elctricas.
Para que se aaden impurezas? Para que se aaden impurezas? Para que se aaden impurezas? Para que se aaden impurezas?
Para que existan mas Huecos Huecos Huecos Huecos que electrones libres.
Obteniendo asi una material Tipo Tipo Tipo Tipo p p p p
) >> ( p n
Para que obtener mas electrones electrones electrones electrones libres libres libres libres que Huecos.
Obteniendo as una material Tipo Tipo Tipo Tipo n n n n
) >> ( n p
Un Un Un Un tomo tomo tomo tomo de de de de Impureza Impureza Impureza Impureza debe ser de tamao tamao tamao tamao comparable comparable comparable comparable al del
1
2
Un Un Un Un tomo tomo tomo tomo de de de de Impureza Impureza Impureza Impureza debe ser de tamao tamao tamao tamao comparable comparable comparable comparable al del
Silicio Silicio Silicio Silicio para que pueda ocupar su lugar con facilidad.
3
3
Una Una Una Una diferencia diferencia diferencia diferencia entre un material extrnseco y uno Intrnsico
es que en el material tipo Intrnsico n=p n=p n=p n=p y en el extrnseco
no.
PROCESO DE DOPAJE (Doping) PROCESO DE DOPAJE (Doping) PROCESO DE DOPAJE (Doping) PROCESO DE DOPAJE (Doping)
Es el procesos de aadir Impurezas.
Consiste en Obligar a que las impurezas penetren al material
Intrnseco Intrnseco
Como Como Como Como se se se se Logra Logra Logra Logra esto? esto? esto? esto?
Calienta el material intrnsico a una temperaturas bien alta.
Expn el material a un Gas en el cual estn las impurezas.
Luego por Difusin las Impurezas Penetran el Material.
Impurezas Impurezas Impurezas Impurezas
Gas Gas Gas Gas
MATERIAL MATERIAL MATERIAL MATERIAL SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTOR (Si Si Si Si)
Temperatura Temperatura Temperatura Temperatura
alta alta alta alta
Gas Gas Gas Gas
MATERIAL EXTRINSICO MATERIAL EXTRINSICO MATERIAL EXTRINSICO MATERIAL EXTRINSICO
MATERIAL TIPO p y n MATERIAL TIPO p y n MATERIAL TIPO p y n MATERIAL TIPO p y n
MATERIAL TIPO p MATERIAL TIPO p MATERIAL TIPO p MATERIAL TIPO p
Si Si Si Si
Se dice as al material en
Impureza Aceptadora Impureza Aceptadora Impureza Aceptadora Impureza Aceptadora
B BB B Si Si Si Si
donde predominan predominan predominan predominan los
huecos huecos huecos huecos sobre los
electrones libres.
Se logra aadiendo
impurezas con 3 33 3
electrones electrones electrones electrones de Valencia.
como el caso del Boro, Boro, Boro, Boro,
Indio Indio Indio Indio y yy y Galio Galio Galio Galio).
Si Si Si Si
Indio Indio Indio Indio y yy y Galio Galio Galio Galio).
La Impureza se llama
aceptadora aceptadora aceptadora aceptadora porque puede
aceptar a un electrn
Libre.
p n >>
En un material tipo p:
SEMICONDUCTOR TIPO p SEMICONDUCTOR TIPO p SEMICONDUCTOR TIPO p SEMICONDUCTOR TIPO p
Si Si Si Si
Portadores Portadores Portadores Portadores
Mayoritarios Mayoritarios Mayoritarios Mayoritarios
(p) (p) (p) (p)
tomo tomo tomo tomo
aceptor aceptor aceptor aceptor
Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si
Minoritarios (n) Minoritarios (n) Minoritarios (n) Minoritarios (n)
MATERIAL TIPO n MATERIAL TIPO n MATERIAL TIPO n MATERIAL TIPO n
Si Si Si Si
Impureza Donadora Impureza Donadora Impureza Donadora Impureza Donadora
Se libera con Se libera con Se libera con Se libera con
poca energa poca energa poca energa poca energa
Sb Sb Sb Sb Si Si Si Si
donde predominan predominan predominan predominan los
electrones electrones electrones electrones libres sobre
huecos
Se logra aadiendo
impurezas con 5 55 5
electrones electrones electrones electrones de valencias,
como el Antimonio (Sb Sb Sb Sb)
Si Si Si Si
La Impureza se llama
Donadora Donadora Donadora Donadora porque puede
ceder un electrn.
n p >>
En un material tipo p:
SEMICONDUCTOR TIPO n SEMICONDUCTOR TIPO n SEMICONDUCTOR TIPO n SEMICONDUCTOR TIPO n
Si Si Si Si
Minoritarios Minoritarios Minoritarios Minoritarios
Mayoritarios Mayoritarios Mayoritarios Mayoritarios
tomo tomo tomo tomo
Donador Donador Donador Donador
Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si
Las concentraciones de electrones y huecos en un material
extrnseco (Adulterado) ya no son iguales.
n p
Para efectos de calculo de las densidades de electrones y
huecos se debe tener presente las concentraciones de la
impurezas donadoras (N NN N
D DD D
) y las impurezas aceptadoras (N NN N
A AA A
).
Luego:
Pasos para el calculo:
0 q( N p N n) + =
1.- El Material Semiconductor debe mantener carga neutra.
0
D A
q( N p N n) + =
2.- La relacin es aplicable aun en semiconductores
adulterados en equilibrio trmico.
2
i
n pn =
MATERIAL TIPO n MATERIAL TIPO n MATERIAL TIPO n MATERIAL TIPO n MATERIAL TIPO p MATERIAL TIPO p MATERIAL TIPO p MATERIAL TIPO p
D A
N N >
A D
N N >
De las dos ecuaciones anteriores:
2 2
( ) 0
D A i
n N N n n =
Resolviendo:
2 2
2
( ) ( ) 4
2
D A D A i
i
N N N N n
n
n
+
=
De las ecuaciones dos anteriores:
2 2
( ) 0
A D i
n N N n n =
Resolviendo:
2 2
2
( ) ( ) 4
2
A D A D i
i
N N N N n
p
n
+
=
=
2
y para:
i
n
p
n
=
2
y para:
i
n
n
p
=
Para situaciones practicas: Para situaciones practicas: Para situaciones practicas: Para situaciones practicas:
: 2
( )
D A i
D A
Si N N n
n N N
>>

Para situaciones practicas: Para situaciones practicas: Para situaciones practicas: Para situaciones practicas:
: 2
( )
A D i
A D
Si N N n
p N N
>>

Ejemplo: Ejemplo: Ejemplo: Ejemplo:
Determinar el tipo y las concentraciones de electrones
y huecos en una muestra de silicio a temperatura
ambiente si esta se adultera con una concentracin de
boro de 10
16
/cm
3
y una concentracin de fsforo de
Solucin: Solucin: Solucin: Solucin:
boro de 10
16
/cm
3
y una concentracin de fsforo de
2x10
15
/cm
3
.
Datos Datos Datos Datos
10 3 16 3 15 3
10 / ; 10 / ; 2 10 /
i A D
n cm N cm N x cm = = =
Como N NN N
A AA A
>N >N >N >N
D DD D
el material material material material es es es es del del del del tipo tipo tipo tipo p p p p
15 3
( ) 8 10 /
A D
N N x cm =
Luego:
Como: 2 , Se puede aplicar la forma simplificada N N n >>
Como: 2 , Se puede aplicar la forma simplificada
A D i
N N n >>
15 3
2 20 6
4 3
15 3
( ) 8 10 huecos/cm
10 /
1.25 10 electrones/cm
8 10 /
A D
i
p N N x
n cm
n x
p
x cm
=
= = =
UNION pn UNION pn UNION pn UNION pn DIODOS DIODOS DIODOS DIODOS
DIODOS DIODOS DIODOS DIODOS
Un Diodo se origina de un trozo de silicio al ser dopado una parte
de Tipo p pp p y la otra de tipo n nn n, formando as la unin pn pn pn pn
Unin pn Unin pn Unin pn Unin pn
+ ++ +
Regin p Regin p Regin p Regin p
Regin n Regin n Regin n Regin n
Unin pn Unin pn Unin pn Unin pn
nodo (+) nodo (+) nodo (+) nodo (+)
Ctodo ( Ctodo ( Ctodo ( Ctodo (- -- -) )) )
nodo (+) nodo (+) nodo (+) nodo (+)
Ctodo ( Ctodo ( Ctodo ( Ctodo (- -- -) )) )
Opera Opera Opera Opera bajo bajo bajo bajo tres tres tres tres condiciones condiciones condiciones condiciones: :: : Circuito Circuito Circuito Circuito Abierto Abierto Abierto Abierto (Ningn estimulo
externo), Polarizacin Polarizacin Polarizacin Polarizacin Directa Directa Directa Directa (Inyectando corriente a favor de la
flecha) y Polarizacin Polarizacin Polarizacin Polarizacin Inversora Inversora Inversora Inversora (Inyectando corriente en contra de
la flecha)
DIODO DIODO DIODO DIODO EN EN EN EN CIRCUITO CIRCUITO CIRCUITO CIRCUITO ABIERTO ABIERTO ABIERTO ABIERTO
Difusin de electrones Difusin de electrones Difusin de electrones Difusin de electrones
Que es Regin de Agotamiento? Que es Regin de Agotamiento? Que es Regin de Agotamiento? Que es Regin de Agotamiento?
Regin p Regin p Regin p Regin p Regin n Regin n Regin n Regin n
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
E EE E
nodo nodo nodo nodo
Ctodo Ctodo Ctodo Ctodo
Difusin de electrones Difusin de electrones Difusin de electrones Difusin de electrones
Zona de Zona de Zona de Zona de
Agotamiento Agotamiento Agotamiento Agotamiento
I II I
V VV V
Regin de Regin de Regin de Regin de
Agotamiento Agotamiento Agotamiento Agotamiento
tomo donador tomo donador tomo donador tomo donador
Ionizado Ionizado Ionizado Ionizado
tomo aceptador tomo aceptador tomo aceptador tomo aceptador
Ionizado Ionizado Ionizado Ionizado
+ ++ +
Ing. Samuel Tarqui
M.
Acta como una barrera Ante el
movimiento
continuo de Electrones a travs de la
0 V =
V VV V
0 I =
La Regin de agotamiento llega a
un Equilibrio Equilibrio Equilibrio Equilibrio
DIODO EN CIRCUITO ABIERTO DIODO EN CIRCUITO ABIERTO DIODO EN CIRCUITO ABIERTO DIODO EN CIRCUITO ABIERTO
Como es que acta como una Barrera ? Como es que acta como una Barrera ? Como es que acta como una Barrera ? Como es que acta como una Barrera ?
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
E EE E
Regin p Regin p Regin p Regin p Regin n Regin n Regin n Regin n un Equilibrio Equilibrio Equilibrio Equilibrio
nodo nodo nodo nodo Ctodo Ctodo Ctodo Ctodo
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ + + ++ +
Potencial de Potencial de Potencial de Potencial de
Barrera (V Barrera (V Barrera (V Barrera (V
O OO O
) )) )
0,7V para el Si
0,3V para el Ge
E EE E
+ ++ +
a 25 a 25 a 25 a 25
O OO O
C CC C
DIODO EN UN CIRCUITO ABIERTO DIODO EN UN CIRCUITO ABIERTO DIODO EN UN CIRCUITO ABIERTO DIODO EN UN CIRCUITO ABIERTO
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
Union "pn "
Para cruzar la unin pn pn pn pn,
P
o
t
e
n
c
i
a
l
P
o
t
e
n
c
i
a
l
P
o
t
e
n
c
i
a
l
P
o
t
e
n
c
i
a
l
p
x
n
x
V
I
nodo nodo nodo nodo Ctodo Ctodo Ctodo Ctodo
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
Para cruzar la unin pn pn pn pn,
el electrn tiene que
exceder a V VV V
O OO O
(barrera
del potencial elctrico)
=
T
kT
V
q
Voltaje Trmico Voltaje Trmico Voltaje Trmico Voltaje Trmico
x
P
o
t
e
n
c
i
a
l
P
o
t
e
n
c
i
a
l
P
o
t
e
n
c
i
a
l
P
o
t
e
n
c
i
a
l
Voltaje de
Barrera V VV V
O OO O
V
Para el Silicio
0 7
o
V , V
A. D
o T
2
i
N N
V = V ln
n
(
(
(

q
POLARIZACION DIRECTA POLARIZACION DIRECTA POLARIZACION DIRECTA POLARIZACION DIRECTA
Para Polarizar un Diodo se aplica un voltaje de cc cc cc cc a travs de
el.
Polarizacin Directa es la condicin que permite la circulacin Polarizacin Directa es la condicin que permite la circulacin
de la corriente a travs de la unin pn pn pn pn.
p pp p n nn n
Contacto metlico Contacto metlico Contacto metlico Contacto metlico
y conductor y conductor y conductor y conductor
Sirve para
limitar la
corriente a un
valor que no
dae al
Diodo.
El voltaje de
Polarizacin
+ ++ +
Sentido Convencional Sentido Convencional Sentido Convencional Sentido Convencional
I
Limitador
R
+ ++ +
Polarizacin

V
( cc )
Polarizacin
debe ser mas
grande que el
voltaje de
Barrera.
POLARIZACION DIRECTA POLARIZACION DIRECTA POLARIZACION DIRECTA POLARIZACION DIRECTA
La fuente de voltaje de polarizacin
proporciona suficiente energa a los
electrones libres para vencer el
Los huecos de la regin p
potencial de barrera.
La Fuente externa
Genera un flujo de
electrones
(+) (+) (+) (+)
Los huecos de la regin p
Proporcionan el medio o ruta
para que los Electrones de
valencia se desplacen hacia el
lado izquierdo de la regin p
La carga Positiva
Al llegar al a la regin p pp p, los
electrones de conduccin pierden
energa y se recombinan recombinan recombinan recombinan para luego
ser atrados por el polo (+) de la
fuentes externa.
Regin P Regin P Regin P Regin P Regin n Regin n Regin n Regin n
(+) (+) (+) (+)
( )
La carga Positiva
de la fuente
Externa atrae a
los electrones de
la regin p
Potencial de Potencial de Potencial de Potencial de
Barrera Barrera Barrera Barrera
POLARIZACION EN INVERSA POLARIZACION EN INVERSA POLARIZACION EN INVERSA POLARIZACION EN INVERSA
Una Polarizacin en Inversa en esencia evita evita evita evita la la la la circulacin circulacin circulacin circulacin de de de de
corriente corriente corriente corriente a aa a travs travs travs travs del del del del Diodo Diodo Diodo Diodo.
Solo los portadores minoritarios tienen condiciones favorables Solo los portadores minoritarios tienen condiciones favorables
para cruzar la unin.
+ ++ +
p pp p
n nn n
La regin de
agotamiento se
ensancha, debido
a ello por el
diodo no circula
corriente.
La resistencia
no es muy
importante
debido a que no
hay corriente
elctrica
0 I =
Polarizacin Polarizacin Polarizacin Polarizacin
en Inversa en Inversa en Inversa en Inversa
I II I
V VV V
0 I =
Polarizacin

V
( cc )
No circula corriente No circula corriente No circula corriente No circula corriente
V
0 I =
POLARIZACION EN INVERSA POLARIZACION EN INVERSA POLARIZACION EN INVERSA POLARIZACION EN INVERSA
agotamiento agotamiento agotamiento agotamiento
0 I =
(+) (+) (+) (+)
( )
La Fuente externa
Atrae a los
electrones libres
Dejando iones
positivos
La fuente externa
entrega electrones
de valencia
desplazndose de
hueco en hueco
hasta llegar a la
regin de
agotamiento
s
I
Las regiones n y p se quedan sin portadores mayoritarios.
La E entre los Iones positivos y negativos se incrementa.
El potencial a travs de la regin de empobrecimiento en algn
momento llega hacer igual al voltaje de polarizacin, entonces all cesa
la corriente, excepto por una pequea corriente en inversa I II I
S SS S
generada
por los portadores minoritarios que casi siempre se desprecia.
s
I
CORRIENTE EN INVERSA CORRIENTE EN INVERSA CORRIENTE EN INVERSA CORRIENTE EN INVERSA
Los electrones
minoritarios son
empujados por la
parte negativa del
Los electrones
descienden una
colina de energa.
Los electrones Se
combinan con los
huecos minoritarios y
quedan como
electrones de
I
(+) (+) (+) (+)
( )
Luego de disiparse la Corriente genera por la fuente se produce una
parte negativa del
voltaje de
polarizacin.
electrones de
valencia, fluyen al
voltaje (+) y se crea
la corriente en
inversa.

s
I
Luego de disiparse la Corriente genera por la fuente se produce una
corriente corriente corriente corriente de de de de Saturacin Saturacin Saturacin Saturacin en en en en Inversa Inversa Inversa Inversa ( (( ( I II I
S SS S
) )) ) provocada por los portadores portadores portadores portadores
minoritarios minoritarios minoritarios minoritarios de las regiones n n n n y yy y p p p p. .. .
Producida por los pares electrn electrn electrn electrn - -- - hueco hueco hueco hueco generados trmicamente.
Los portadores minoritarios de la regin p fluyen a travs de la
regin de agotamiento con facilidad debido a que la la la la banda banda banda banda de de de de
conduccin conduccin conduccin conduccin de de de de la la la la regin regin regin regin p p p p estn estn estn estn a aa a un un un un nivel nivel nivel nivel de de de de energa energa energa energa mucho mucho mucho mucho mas mas mas mas alto alto alto alto
que que que que la la la la banda banda banda banda de de de de conduccin conduccin conduccin conduccin en en en en n n n n
RUPTURA EN INVERSA RUPTURA EN INVERSA RUPTURA EN INVERSA RUPTURA EN INVERSA
Un alto voltaje de
polarizacin en
inversa (Voltaje de (Voltaje de (Voltaje de (Voltaje de
No No No No se se se se recombinan recombinan recombinan recombinan
debido a que aun
I
Los electrones de Los electrones de Los electrones de Los electrones de
valencia valencia valencia valencia de los dems
tomos pasan a la pasan a la pasan a la pasan a la
banda de conduccin. banda de conduccin. banda de conduccin. banda de conduccin. Voltaje de Voltaje de Voltaje de Voltaje de
I II I
(+) (+) (+) (+)
( )
s
I
Ruptura) Ruptura) Ruptura) Ruptura)
proporciona proporciona proporciona proporciona
energa a los energa a los energa a los energa a los
electrones electrones electrones electrones
minoritarios.
v
r
debido a que aun
tienen suficiente
energa para
poder atravesar
la regin n.
empobrecimiento empobrecimiento empobrecimiento empobrecimiento
banda de conduccin. banda de conduccin. banda de conduccin. banda de conduccin. Voltaje de Voltaje de Voltaje de Voltaje de
Ruptura Ruptura Ruptura Ruptura
V VV V
ZK
V
La Fuente externa intenta hacer que:
Hace que V VV V
O OO O
aumente hasta el punto que el Campo Campo Campo Campo es tan intenso,
provocando as:
1.- Energa suficientes para romper enlaces en la regin p
2.- Aumento Dramtico en la Densidad de Portadores de cargas
disponibles.
s
I I >
EFECTO CON LA TEMPERATURA EFECTO CON LA TEMPERATURA EFECTO CON LA TEMPERATURA EFECTO CON LA TEMPERATURA
CORRIENTE DE SATURACION ( I CORRIENTE DE SATURACION ( I CORRIENTE DE SATURACION ( I CORRIENTE DE SATURACION ( I
S SS S
) ) ) )
La corriente de Saturacin esta dada por:
rea de la
Constantes
de
2
p
n
s i
p D n A
D
D
I Aqn
L N L N
| |
= + |
|
\
Densidad
Intrnseca
Densidad de
Aceptadores
rea de la
Unin
I II I
V VV V
s
I
de
Difusin
Longitud de
Difusin
Intrnseca Aceptadores
2 3 -6
cm
G
E / kT
i
n BT e =
V
I II I
S SS S
depende de la Geometra
Materiales y Temperatura del
Diodo
IMPORTANCIA DE LA TEMPERATURA IMPORTANCIA DE LA TEMPERATURA IMPORTANCIA DE LA TEMPERATURA IMPORTANCIA DE LA TEMPERATURA
Note de que T aparece en
varios puntos de las ecuaciones.
2 3
G
E / kT
i
n BT e =
Densidad Intrnseca Densidad Intrnseca Densidad Intrnseca Densidad Intrnseca
varios puntos de las ecuaciones.
Es Es Es Es importante importante importante importante entender entender entender entender que que que que
cambios cambios cambios cambios moderados moderados moderados moderados en en en en la la la la
temperatura temperatura temperatura temperatura producen producen producen producen cambios cambios cambios cambios
drsticos drsticos drsticos drsticos en en en en las las las las caractersticas caractersticas caractersticas caractersticas
elctricas elctricas elctricas elctricas de de de de un un un un componente componente componente componente. .. .
El diseador debe prestar
Voltaje Trmico Voltaje Trmico Voltaje Trmico Voltaje Trmico
Voltaje de Barrera Voltaje de Barrera Voltaje de Barrera Voltaje de Barrera
El diseador debe prestar
atencin a la temperatura de
operacin y a la disipacin de
calor que produce el
componente.
Corriente de Saturacin Corriente de Saturacin Corriente de Saturacin Corriente de Saturacin
FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO
Los Diodos se fabrican en masa utilizando Laminas (Wafers) de
varias pulgadas de Dimetro y fracciones de pulgadas de varias pulgadas de Dimetro y fracciones de pulgadas de
espesor.
La lamina Inicialmente puede ser material intrnsico o ya haber
sido dopado con material p o n segn se requiera.
Mediante procesos fotogrficos se va a reproducir el modelo del
mismo componente tantas veces como sea necesario.
Una vez que se complete el proceso de fabricacin sobre la
lamina, los componentes individuales se cortan y luego se
empacan.
empacan.
Veamos lo que sucede Veamos lo que sucede Veamos lo que sucede Veamos lo que sucede
En uno de los En uno de los En uno de los En uno de los
elementos elementos elementos elementos
MATERIAL INICIAL MATERIAL INICIAL MATERIAL INICIAL MATERIAL INICIAL
Para efectos de explicacin comenzaremos con el material tipo Para efectos de explicacin comenzaremos con el material tipo
n que se constituir en el Ctodo Ctodo Ctodo Ctodo. .. .
Pudo haber material del tipo p en cuyo caso seria entonces el
Anodo Anodo Anodo Anodo
n nn n
FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO
Oxigeno Oxigeno Oxigeno Oxigeno
n nn n
2
SiO
Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M.
El El El El Silicio Silicio Silicio Silicio se Oxida para crear una capa de se Oxida para crear una capa de se Oxida para crear una capa de se Oxida para crear una capa de SiO SiO SiO SiO
2 22 2
sobre la sobre la sobre la sobre la
superficie expuesta superficie expuesta superficie expuesta superficie expuesta
FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO
n nn n
2
SiO
Material Foto sensitivo Material Foto sensitivo Material Foto sensitivo Material Foto sensitivo
Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M.
Sobre la capa de Silicio se coloca un material foto sensitivo.
FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO
2
SiO
Material Foto Material Foto Material Foto Material Foto
Mascarilla Mascarilla Mascarilla Mascarilla
n nn n
La Mascarilla remarca la zona a remover
2
SiO
Material Foto Material Foto Material Foto Material Foto Mdificado Mdificado Mdificado Mdificado
Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M.
n nn n
La Luz modifica el material expuesto
n nn n
2
SiO
Material Foto Material Foto Material Foto Material Foto Modificado Modificado Modificado Modificado
Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M.
Un Solvente Disuelve el material
modificado y al mascarilla
n nn n
FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO FABRICACION DE UN DIODO
Percloruro Percloruro Percloruro Percloruro
2
SiO
de Hierro de Hierro de Hierro de Hierro
2
SiO
Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M. Ing. Samuel Tarqui M.
n nn n
Se somete a la superficie a un lavado con
acido, donde la superficie expuesta
desaparece
Gas con Gas con Gas con Gas con
Impurezas Impurezas Impurezas Impurezas
2
SiO
p pp p
2
SiO
Aceptadoras Aceptadoras Aceptadoras Aceptadoras
La zona expuesta se convierte a material
tipo p
n nn n
p pp p
FABRICACION DE CONTACTOS FABRICACION DE CONTACTOS FABRICACION DE CONTACTOS FABRICACION DE CONTACTOS
p pp p
2
S iO
Material Foto Material Foto Material Foto Material Foto Material Foto Material Foto Material Foto Material Foto
Mascarilla Mascarilla Mascarilla Mascarilla
n nn n
p pp p
La nueva mascarilla definir el lugar del contacto del
nodo y se hace el respectivo lavado con el disolvente
p pp p
de Hierro de Hierro de Hierro de Hierro
2
S iO
Material Foto Material Foto Material Foto Material Foto Material Foto Material Foto Material Foto Material Foto
n nn n
Se procesa con lavado de acido para luego
depositar una lamina de Aluminio.
Contacto Contacto Contacto Contacto
Ahora solo queda
colocar el dispositivo
en su empaque
n nn n
p pp p
2
S iO
Aluminio Aluminio Aluminio Aluminio
en su empaque
protector
Aluminio Aluminio Aluminio Aluminio
PARA OBTENER MAS INFORMACION PARA OBTENER MAS INFORMACION PARA OBTENER MAS INFORMACION PARA OBTENER MAS INFORMACION
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS FLOYD
DISENO DE CIRCUITOS MICROELECTRONICOS JAEGER
Consultas al Docente: Consultas al Docente: Consultas al Docente: Consultas al Docente: starqui@ucsp.edu.pe
Consultas al Docente: Consultas al Docente: Consultas al Docente: Consultas al Docente: starqui@ucsp.edu.pe
DERECHOS RESERVADOS DERECHOS RESERVADOS DERECHOS RESERVADOS DERECHOS RESERVADOS
Autor: Ing. Samuel Tarqui M. Autor: Ing. Samuel Tarqui M. Autor: Ing. Samuel Tarqui M. Autor: Ing. Samuel Tarqui M.
Universidad Catlica San Pablo Universidad Catlica San Pablo Universidad Catlica San Pablo Universidad Catlica San Pablo
Departamento de Telecomunicaciones Departamento de Telecomunicaciones Departamento de Telecomunicaciones Departamento de Telecomunicaciones Departamento de Telecomunicaciones Departamento de Telecomunicaciones Departamento de Telecomunicaciones Departamento de Telecomunicaciones
Prohibida la Reproduccin Total o Parcial Prohibida la Reproduccin Total o Parcial Prohibida la Reproduccin Total o Parcial Prohibida la Reproduccin Total o Parcial
sin consentimiento Del Autor. sin consentimiento Del Autor. sin consentimiento Del Autor. sin consentimiento Del Autor.
Arequipa Arequipa Arequipa Arequipa - -- - 2012 2012 2012 2012

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