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Muchas Gracias
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Corriente
flujo de electrones
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Mayor resistencia
-
Menor resistencia
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Voltaje Continuo
Cant. 01 01 5 1
A) P = V * I B) C) P = V * I D) P = V * I
I =P / V I =P / V I =P / V
R= 27,5()
V = 10(V)
+ _
I1
I2
IT Datos y desarrollo
V (VT) R1 R2 RT IT V1 V2 = 10(V) = V1 + V2 = 100 () = 200 () = x () = R1 + R2 = 100 + 200 = x (A) = i1 = i2 = VT / RT = R1 * i1 = 100 * 0,0333 = R2 * i2 = 200 * 0,0333
V = 10(V)
+ _ IT
I1
I2
Datos y desarrollo
V (VT) R1 R2 RT I Total I1 I2 = 10(V) = V1 = V2 = 100 () = 200 () = x () = 66,66 () = x (A) = i1 + i2 = VT / RT = V1 / R1 = 10 / 100 = 0,1 (A) = V2 / R2 = 10 / 200 = 0,05 (A)
= 10 / 66,66
= 0,15 (A)
Fase F N
Fuga
Fase
Electricidad
Midiendo voltaje en Circuito serie
Escala 20 V
R1 = 100 ()
R2 = 200 ()
+ V = 10(V) _
I2 IT
I1 IT
Electricidad
Midiendo Voltaje y Corriente en Circuito paralelo
IT = i1 + i2 I2
R1 = 100 () R2 = 200 ()
V = 10(V) V = 10(V)
+ _
I1 I2 IT = i1 + i2
I2
Casa o empresa
Casa o empresa
Primero debemos saber que existe una frmula, la cual es: Donde: t = Tiempo de autonoma. C = Capacidad de la batera indicada en Amper Hora (AH) por el fabricante. H = Tipo de horas, indicada por el fabricante . Ej.: Bat 6V, 4AH, 20H, esto quiere decir que la batera puede entregar durante 20 horas , 0,2 amperes, ya que 0,2 * 20 = 4. (si no est impreso en la batera se asume que es de 20 H) I = Corriente promedio de la carga. K = Exponente de Peukert: 1,1 batera gel. 1,3 cido 1,0 batera ideal
Vp Lc In Sc k k
: Voltaje de prdida del conductor (V) : Largo del conductor (m) : Capacidad nominal del elemento de proteccin (A) : Seccin del conductor (mm2) : Monofsico = 2 : Trifsico = 1 : 0.018 en el Cu (Ro)
Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor Walter H. Schottky, es un del fsico alemn dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa