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LINEE DI TRASMISSIONE PLANARI

Le strutture guidanti sono formate da piani e strisce metalliche su un substrato dielettrico dielettrico. Le linee planari possono essere fabbricate usando la tecnologia delle schede stampate e sono compatibili con i circuiti integrati. Nei circuiti integrati per le microonde (MIC, microwave integrated circuits), le linee di trasmissione, le resistenze, le capacit, le induttanze ed i dispositivi attivi sono realizzati a partire da un unico substrato sullo stesso chip (usando procedimenti litografici). Nei circuiti ibridi i componenti discreti (resistenze, transistors, etc) vengono saldati sulla scheda su cui sono state realizzate le linee di trasmissione. Il materiale dielettrico usato per il substrato deve presentare basse perdite alle frequenze di interesse ed una buona conducibilit termica. Un materiale comunemente usato il teflon che ha una costante dielettrica tra 2 e 2 2.5 5 e la cui tangente di perdita circa 0.0005 alle frequenze delle microonde. Inoltre il teflon resistente agli agenti chimici usati nei processi litografici e la sua robustezza meccanica pu essere ulteriormente migliorata con lausilio l ausilio di substrati di vetro.
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STRIPLINE
PIANO DI MASSA

,
b2
PIANO DI MASSA

W
La guida formata da una sottile striscia metallica di larghezza W centrata tra 2 piani metallici (a potenziale zero) zero). La regione di spessore b tra i 2 piani metallici riempita da dielettrico. La stripline formata da 2 (3) conduttori ed riempita da dielettrico omogeneo e quindi il modo fondamentale il TEM, anche se possono esistere soluzioni TE e TM.
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modo TEM

velocit di fase

vp =

0 0 r

costante di propagazione

vp

= 0 0 r = k 0 r

impedenza caratteristica

L 1 = Z0 = C v pC

La capacit p p per unit di lunghezza g p pu essere ricavata dal campo p elettrico, dobbiamo risolvere lequazione per il potenziale elettrostatico. La soluzione delleq. di Laplace molto laboriosa, ma esistono delle semplici formule che h approssimano i con ottima tti precisione i i i parametri t i esatti tti d della ll stripline. t i li

b Z0 = r We + 0.441b

30

We

larghezza efficace del conduttore centrale

Limpedenza caratteristica diminuisce al crescere del rapporto

We b

La larghezza efficace si ricava dalla seguente formula:

0 We W = 2 b b 0.35 W b

per

per

W 0.35 b W < 0.35 b

Dato il substrato di spessore b e costante dielettrica relativa r e scelta limpedenza caratteristica della stripline vogliamo ricavare la larghezza della striscia.

30 x= 0.441 r Z0
x W = b 0.85 0.6 x
per per

r Z 0 120 r Z 0 > 120


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Lattenuazione dovuta al dielettrico :

k0 r tan d = 2

il risultato i lt t approssimato i t per l lattenuazione tt i d dovuta t alle ll perdite dit nel l metallo t ll :

2.7 10 3 Rs r Z 0 A 30 (b t ) c = 0.16 Rs B Z 0b
t=

per

r Z 0 120 r Z 0 > 120

per

spessore della striscia metallica

2W 1 b + t 2b t A = 1+ + ln bt bt t

b 0.414 t 1 4 W ln B = 1+ + 0.5 + (0.5 W + 0.7 t ) W 2 t

MICROSTRIP

W
ARIA
METALLO

,
PIANO DI MASSA (METALLO)

Le linee di campo sono concentrate nel dielettrico e nella regione tra la striscia metallica ed il piano di massa, ma parte del campo presente in aria. Dato che le velocit di fase nel dielettrico e nellaria sono diverse non esiste il modo TEM: il modo fondamentale un ibrido TE-TM.

Solo se il substrato molto sottile (d<<) il modo quasi-TEM: i campi elettrici e magnetici sono quasi uguali a quelli statici.
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quasi-TEM

vp =

= k0 e

costante dielettrica efficace della microstrip: p costante dielettrica di un mezzo omogeneo che sostituisce laria ed il dielettrico

e =

r + 1 r 1
2 + 2

1 1 + 12 d W

1 < e < r

Al tendere a zero del rapporto tra lo spessore del dielettrico e la larghezza d ll striscia della ti i l la costante t t di dielettrica l tt i efficace ffi t tende d alla ll costante t t d del l substrato. b t t Di solito i substrati hanno spessori che variano da 0.1 mm a 1.5 mm e le strisce hanno larghezze tra 0.05 mm e 5 mm. Questa formula e lespressione per limpedenza caratteristica sono ottenute interpolando le soluzioni numeriche ricavate a partire dalleq dall eq. di Laplace Laplace.
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Dalla soluzione numerica del problema statico si ottengono delle formule approssimate utili per progettare la microstrip.

60 8d W ln + e W 4d Z0 = 120 W W l + 1.444 e + 1.393 + 0.667 ln d d

per

per

W 1 d W >1 d

Data ata limpedenza pede a ca caratteristica atte st ca poss possibile b e ricavare ca a e la a larghezza a g e a de della a st striscia sc a

8e A W e2 A 2 = d 2 B 1 ln(2 B 1) + r 1 ln( B 1) + 0.39 0.61 2 r r

per

per

W 2 d W >2 d

Z0 r +1 r 1 0.11 A= + 0.23 + r + 1 r 60 2 377 B= 2Z 0 r


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Attenuazione dovuta alle perdite nel dielettrico per il modo quasi-TEM

k0 e tan d = F 2

relazione simile a quella per i modi TEM

r ( e 1) F= e ( r 1)

Fattore di riempimento: il campo in parte in aria e in parte nel dielettrico

Lattenuazione dovuta alle perdite nel metallo circa

Rs c = Z 0W

0 0 f = Rs = 2
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SLOTLINE

COPLANAR STRIP

COPLANAR WAVEGUIDE

RIDGE WAVEGUIDE

2
PIANO DI MASSA

2 > 1

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GUIDE DIELETTRICHE NON SONO PRESENTI STRUTTURE METALLICHE

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ECCITAZIONE DEI MODI DI UNA GUIDA


Il problema non di semplice soluzione soluzione, introduciamo solo qualitativamente alcune tecniche per trasferire energia ai modi guidati da una struttura metallica. Gli stessi concetti valgono per la ricezione dellenergia trasportata dai modi.

Introdurre leccitazione tramite una sonda (unantenna corta orientata come il campo elettrico). La sonda viene piazzata vicino ad un massimo del campo elettrico del modo, ma lesatta posizione deve consentire di realizzare ladattamento di impedenza.

L antenna eccita il modo Lantenna TM01 della guida a sezione circolare.

L antenna eccita il modo Lantenna TE10 della guida a sezione rettangolare.

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Introdurre I t d leccitazione l it i t tramite it una spirale i l percorsa d da corrente t e posizionata i i t i in un piano normale alle linee di campo magnetico del modo.

La spirale eccita il modo TE10 della guida a sezione rettangolare.

Trasferire lenergia da unaltra struttura guidante attraverso fori o iridi

Accoppiamento tra il modo TM01 della guida a sezione circolare ed il modo TE10 della guida a sezione rettangolare.

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Far scorrere corrente da una struttura guidante allaltra, come nel caso dellaccoppiamento tra un cavo coassiale e una microstrip.

Modificare gradualmente una struttura guidante fino a farla diventare una seconda struttura guidante, come nel caso di un modo TE10 di una guida a sezione rettangolare usato per eccitare il modo TE11 di una guida cilindrica cilindrica.

TE10

TE11
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