1

Curvas Caractersticas do Transstor

Rmulo Carreiro Ferreira
Fundao Universidade Federal de Rondnia, Ncleo de Tecnologia, Departamento de Engenharia Eltrica - DEE Curso de Bacharelado em Engenharia Eltrica - 4o Perodo - Matrcula: 200920113 - Eletrnica I

ResumoCom o objetivo de levantar a curva caracterstica de trabalho de um transstor, operando com diferentes correntes de base, foi proposta a vericao do funcionamento do transistor, aplicado em circuitos eltricos em regime DC (corrente continua). Esses circuitos foram compostos por: potencimetro, resistores e um transstor, no qual foram medidos os valores de tenso e corrente. E foi vericado o erro relativo entre o valor experimental e o valor terico obtido com ajuda da simulao computacional, atravs do software Multisim. Index TermsTransstor, potencimentro e resistores

O comportamento bsico dos transstores em circuitos electrnicos fazer o controle da passagem de corrente entre o emissor e o colector atravs da base. Para isto necessrio polarizar correctamente as junes do transstor.

C. Funcionamento Polarizando directamente a juno base-emissor e inversamente a juno base-coletor, a corrente de colector IC passa a ser controlada pela corrente de base IB . Um aumento na corrente de base IB provoca um aumento na corrente de colector IC e vice-versa. A corrente de base sendo bem menor que a corrente de colector, uma pequena variao de IB provoca uma grande variao de IC , Isto signica que a variao de corrente de colector um reexo amplicado da variao da corrente na base. Este efeito amplicao, denominado ganho de corrente pode ser expresso matematicamente pela relao entre a variao de corrente do colector e a variao da corrente de base , isto : ganho( ) = IC IB (1)

I. I NTRODUO A. Transistor O principio do transstor poder controlar a corrente. Ele montado numa estrutura de cristais semicondutores, de modo a formar duas camadas de cristais do mesmo tipo intercaladas por uma camada de cristal do tipo oposto, que controla a passagem de corrente entre as outras duas. Cada uma dessas camadas recebe um nome em relao sua funo na operao do transstor, As extremidades so chamadas de emissor e colector, e a camada central chamada de base. Os aspectos construtivos simplicados e os smbolos elctricos dos transstores so mostrados na gura abaixo. Observe que h duas possibilidade de implementao.

D. Erro relativo(%) O erro relativo, compara valores obtidos experimentalmente com valores tericos e/ou simulados, da seguinte maneira: Erro = V V V .100 (2)

Onde V, o valor simulado e V o valor experimental.

Figura 1.

Tiipos de transstores

E. Frmulas

B. Caractersticas Construtivas O emissor fortemente dopado, com grande nmero de portadores de carga. O nome emissor vem da propriedade de emitir portadores de carga. A base tem uma dopagem mdia e muito na, no conseguindo absorver todos os portadores emitidos pelo emissor O colector tem uma dopagem leve e a maior das camadas, sendo o responsvel pela colecta dos portadores vindos do emissor. Da mesma forma que nos diodos, so formadas barreiras de potencial nas junes das camadas P e N.

IC =

VR3 R3

(3)

II. O BJETIVOS

Levantar as curvas caractersticas de trabalho de um transstor, operando com diferentes correntes de base; Conhecendo os valores das tenses e correntes, simular o circuito no programa Multisim; Comparar os valores obtidos atravs da simulao, com os valores obtidos em laboratrio.

III. M ATERIAIS E M TODO A. Materiais 01 Gerador de Tenso DC Instrutherm FA - 3030; 01 Multmetro ICEL MD - 6601; 01 Resistor de 1K; 01 Resistor de 10K; 01 Potencimetro de 10K; 01 Transistor NPN BC546BP; 01 Protoboard. Um computador, com processador core i3 330M 2.13 GHZ com memria ram de 4.0 GB com Windowns 7 Home premium 64 Bits, para rodar o Multisim verso 11.0.278, onde foi simulado o circuito da gura I.

Figura 3.

Congurao 2.

B. Mtodo 1) Curva de entrada IB vs VBE : Inicialmente foi montado um circuito no protoboar, usando os seguintes componentes: R2 = 1k, R1 = potencimetro de 10k e um transistor (NPN BC546BP), ligados a uma fonte de tenso offset de 5V. Como mostra a gura 2.

Com a corrente de base igual a 10A, conectou-se o multmetro (funo voltmetro), em paralelo com a sada coletoremissor VCE , e variou-se a fonte V2 para se obter as seguintes tenses VCE (0,2V; 0,4V; 0,6V; 2V; 4V; 6V; 8V; 10V; 12V). Com o voltmetro foram mensuradas todas as tenses sobre o resistor R3, para todos os valores de tenses coletor-emissor, com os valores de tenso em R3 foram calculadas todas as correntes do coletor IC , pela formula 3. Para IB = 20A, IB = 30A, IB = 40A e IB = 50A foram seguidos procedimentos idnticos ao processo anterior. Com todos os valores de IC e VCE , foi construdo a curva de sada para o transistor pnp. Logo em seguida, calculou-se o ganho ( ) do transstor para VCE = 6V para cada corrente IB , pela equao 1. Todas as etapas citadas acima foram realizadas tambm no software de simulao Multisim para que se pudessem comparar os resultados simulados com os experimentais. IV. R ESULTADOS Os resultados obtidos seguem a baixo:
Tabela I VALORES DE IB EM FUNO DE VBE

Figura 2.

Congurao 1. VBE [V] Sim. Real Erro(%) 0.4 0 0 0 0.5 888 2 99,77 0.55 444,1 11 99,75 0.6 23 62 169,57 0.62 465 0,105m 125,81 0.64 886 0,19m 114,45 0.66 177 0.32m 81,88 0.68 343 0.552m 61,11

Em seguida, ajustou-se o multmetro para medir tenso em corrente contnua (voltmetro). Com o voltmetro conectado em paralelo com a sada base-emissor, ajustou-se o potencimetro para obter as seguintes tenses na sada VBE (0,40; 0,50; 0.55; 0,60; 0,62; 0,64; 0.66 e 0,68). E com ampermetro ligado em srie com o resistor R2 = 1k , foi mensurada as correntes de base (IB ), para todos os valores de tenses baseemissor citadas a cima. Com todos os valores de tenso VBE e corrente de base IB , foi feito o grco da curva de entrada IB vs VBE . 2) Curva de sada IC vs VCE : Finalizando o procedimento experimental. Montou-se um circuito no protoboard, com os seguintes componentes: R2 = 10k , R3 = 1k , transstor (NPN BC546BP), R1 = potencimetro de 10k, ligados a duas fonte de tenso offset de V1 = 5V e V2 = 30V. Como mostra a gura 3. Em seguida, com o multmetro digital (funo ampermetro) em srie com o potencimetro, ajustou-se o mesmo at que uma corrente de base igual a IB = 10A fosse encontrada.

Tabela II VALORES DE Ic EM FUNO DE VCE E IB , PARA IB = 10A VCE [V ] Sim.[m] Real[m] Erro(%) 0,2 2,79 2,26 18,99 0,4 2,86 2,31 19,23 0,6 2,87 2,42 15,68 2 2,88 2,48 13,88 4 3,01 2,67 11,29 6 3,08 2,69 12.66 8 3,16 2,74 13,29 10 3,23 2,81 13,00 12 3,31 2,93 11,48

Tabela III VALORES DE Ic EM FUNO DE VCE E IB , PARA IB = 20A VCE [V ] Sim.[m] Real[m] Erro(%) 0,2 5,65 4,33 23,36 0,4 5,82 4,43 23,88 0,6 5,82 4,45 23,53 2 5,94 4,50 24,24 4 6,09 4,68 23,15 6 6,25 4,77 23,68 8 6,4 4,88 23,75 10 6,55 4,99 23,81 12 6,7 5,09 24,02

Tabela IV VALORES DE Ic EM FUNO DE VCE E IB , PARA IB = 30A VCE [V ] Sim.[m] Real[m] Erro(%) 0,2 8,28 6,85 17,27 0,4 8,54 6,99 18,14 0,6 8,56 7,01 18,10 2 8,72 7,11 18,46 4 8,94 7,29 18,45 6 9,17 7,43 18,97 8 9,39 7,56 19,48 10 9,61 7,90 17,79 12 9,84 8,10 17,68

Tabela V VALORES DE Ic EM FUNO DE VCE E IB , PARA IB = 40A VCE S.[m] R.[m] E(%) 0,2V 11,36 8,60 24,29 0,4V 11,72 8,89 24,14 0,6V 11,76 8,92 24,14 2V 11,98 9,00 24,87 4V 12,29 9,28 24,49 6V 12,6 9,44 25,07 8V 12,91 9,68 25,01 10V 13,22 10,11 23,52 12V 13,53 10,33 23,65

Tabela VI VALORES DE Ic EM FUNO DE VCE E IB , PARA IB = 50A VCE S.[m] R[m] E(%) 0,2V 13,86 10,56 23,80 0,4V 14,33 10,65 25,68 0,6V 14,37 10,70 25,53 2V 14,65 11,10 24,23 4V 15 11,33 24,46 6V 15,4 11,72 23,89 8V 15,78 11,87 24,77 10V 16,14 12,10 25,03 12V 16,53 12,30 25,58

Tabela VII VALORES DE EM FUNO DE IB IB (Sim.) (Real) Erro(%) 10 A 308,00 267,40 13,18 20 A 312,50 238,80 23,58 30 A 305,67 247,97 18,88 40 A 315,00 236,08 25,06 50 A 308 234,46 23,88

obtidos foram mnimos na ordem de micro e miliampers (m e ) e qualquer variao mnima na tenso base-emissor causada pelo ajuste no potencimetro gera uma grade variao no resultado (corrente de base) e tambm pelo fato dos componentes usados no experimento no serem ideais e o multmetro digital possui uma resistncia interna que aumenta conforme aumentada a escala. J o software Multisim, simula o circuito em ambiente ideal levando em conta o valor real dos componentes. Em relao aos erros obtidos nas tabelas II, III, IV, V e VI, nota-se a variao entre os valores simulados e experimentais. As discrepncias ocorrem devido a no idealidade dos componentes e do instrumento de media, tambm pelo difcil ajuste do potencimetro para obteno das correntes de base (10A, 20A, 30A, 40A e 50A) e tambm pelo difcil juste na fonte de tenso V2, para encontra as tenses coletor-emissor de acordo com o roteiro. Observando a curva caracterstica de entrada para o transstor, gura 4, pode-se notar que o mesmo est de acordo com a teoria. A medida que a tenso baseemissor aumentada a corrente de base, lembrando a curva caracterstica do diodo. Pela gura 5, pode-se observar que o grco da a curva caracterstica de sada para o transstor est de acordo com a curva de sada terica para o transistor com a congurao emissor comum. As curvas de IB no so to horizontais , oque indica que a tenso coletor-emissor inuencia o valor da corrente de coletor. Em relao aos ganhos obtidos na tabela VII, temos que o ganho est variando entre 315 a 308 , oque indica que a corrente de coletor em media cerca de 311 vezes o valor da corrente de base. R EFERNCIAS
[1] <http://www.arvm.org/exames/trasistor.htm> Acessado em 28/04/2011, s 01:22. [2] <http://www.agostinhorosa.com.br/artigos/transistor-indice.html> Acessado em 28/04/2011, s 03:04.

Figura 4.

Esboo da curva de entrada IB vs VBE

Figura 5.

Esboo da curva de sada IC vs VCE

V. D ISCUSSO E CONCLUSES Foram encontrados erros altssimos na tabela I, pois quando foram mensurados os valores de corrente de base, os valores