SOFTWARE PARA CALCULO DE CAMPOS ELCTRICOS Y MAGNETICOS EN BAJA FRECUENCIA Nelson Morales Osorio

En torno a cualquier instalacin elctrica de potencia existen campos elctricos y magnticos de frecuencia industrial; un primer problema est relacionado con la determinacin de la intensidad de estos campos, necesario para efectuar posteriormente cualquier tipo de anlisis de los fenmenos derivados de la presencia de estos campos y evaluar sus efectos. Con este propsito existen bsicamente dos procedimientos: plantear modelos de la instalacin, tan cercanos a la realidad como sea posible y aplicar mtodos de clculo computacional medir efectivamente tales campos en la instalacin real El clculo anal!tico de estos campos slo es posible en ciertas configuraciones relativamente simples o muy ideali"adas. #ara la representacin de estructuras comple$as, se %an desarrollado diversas metodolog!as de clculo del campo electromagntico mediante aplicaciones computacionales: mtodos de diferencias finitas, de elementos finitos, mtodo de &onte Carlo, mtodo de elementos de contorno, mtodo de simulacin de cargas, mtodo anal!tico numrico generali"ado, etc. En esta publicacin se presentarn brevemente los dos mtodos de mayor frecuencia de aplicacin en instalaciones de alta tensin: el mtodo de simulacin de cargas ' y corrientes( y el mtodo de elementos finitos o mtodo variacional. )n %ec%o importante de destacar respecto a los mtodos de clculo, es que dado el ba$o valor de frecuencia, se puede despreciar el acoplamiento existente entre los campos elctrico y magntico variables en el tiempo, definido por las ecuaciones de &ax*ell. +e este modo, es posible utili"ar mtodos de solucin para campo esttico, con la salvedad de traba$ar con n,meros comple$os debido a la representacin fasorial del campo variable en el tiempo en rgimen sinusoidal permanente. -tro aspecto relevante es el problema de la determinacin del valor mximo para un campo vector fasor, producto de la normal diferencia de fase entre las distintas componentes espaciales del fasor. .i las componentes estn en fase y el vector de campo tiene una ,nica fase bien definida, se dice que el campo es circ lar en el punto y su mdulo se obtiene por ra!" cuadrada de la suma cuadrtica de sus componentes. .i ambas componentes no estn en fase, entonces el campo en el punto es el!"#ico y debe distinguirse los mdulos e inclinacin de los e$es mayor y menor de la elipse. El campo mximo es la magnitud del e$e mayor. M$#o%o %e si& laci'n %e car(as

.oft*are para clculo de campos /elson &orales -sorio 00000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000

El mtodo de cargas equivalentes o de simulacin de cargas consiste en emplear elementos de carga simples, ficticios, que concentren la carga del conductor, pero ubicados convenientemente en su interior, para modelar la equipotencial real del conductor. 1a seleccin del tipo, n,mero y ubicacin de cada elemento de carga est condicionada a una modelacin lo ms aproximada posible de la superficie equipotencial conocida: las cargas superficiales distribuidas se reempla"an por elementos de carga discretos ficticios, ubicados en el interior de los conductores; la solucin es ,nicamente vlida fuera del espacio ocupado por los conductores. 1a magnitud de estas cargas discretas tienen que calcularse de modo que su efecto integrado satisfaga las condiciones de borde 'valor del potencial en la superficie de los conductores(. El cumplimiento de esto puede verificarse seleccionando un n,mero de puntos adecuados sobre estas superficies, e imponiendo expl!citamente la condicin, lo cual conduce a un con$unto de ecuaciones lineales debido a la naturale"a discreta de las cargas. #ara obtener una precisin satisfactoria en un problema prctico, se requiere seleccionar, dimensionar y ubicar una gran cantidad de elementos de carga, lo cual implica que se %ace necesario el apoyo del computador. El potencial producido por 2n2 elementos de carga, iguales o distintos, se obtiene por superposicin de los potenciales producidos por cada carga q$ 1a modelacin de la superficie equipotencial de un sistema f!sico real significa: a( identificar "onas o regiones parciales de la equipotencial real, que puedan ser modeladas por elementos de carga comunes. b( seleccionar el tipo de elemento de carga adecuado para modelar cada "ona identificada previamente; esta seleccin se efect,a en base al conocimiento previo de la forma de la equipotencial real. c( ubicar y dimensionar f!sicamente cada uno de los elementos de carga seleccionados d( escoger, sobre la superficie equipotencial real, un n,mero de puntos equivalente al n,mero total de elementos de carga que la modela, para imponer condicin de borde En cada uno de los puntos de contorno se impone una igualdad entre el potencial que resulta de la superposicin de los efectos de las cargas y el potencial real.

p
$=3

( r , r )q
ci q$

= 5c i

i = 3,4, , n

El con$unto de ecuaciones para todos los puntos de contorno constituye un sistema de 2n2 ecuaciones lineales el cual debe resolverse para el vector de cargas [6]. )na ve" conocidos los valores de las 2n2 cargas q$, el potencial en cualquier punto del espacio fuera de los conductores puede calcularse usando superposicin. En particular debe verificarse en que grado 'con que precisin( el con$unto de cargas satisface las condiciones de borde. #ara tal ob$eto se escoge un cierto n,mero de puntos sobre la superficie de los conductores 'distintos de aquellos utili"ados para evaluar los elementos de carga(, se calcula su potencial y se compara con el valor real. 1a diferencia entre estos valores es una medida de la precisin en la simulacin. .i la coincidencia entre la superficie real del conductor y la correspondiente superficie equipotencial simuladas es suficientemente precisa, puede calcularse anal!ticamente por superposicin el campo elctrico en cualquier punto.
7ulio 4889

.oft*are para clculo de campos /elson &orales -sorio 00000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000

n E ' r ( = #$ r , rq $ q $ $= 3

)]

En un problema que contenga distintos medios dielctricos, la aplicacin del mtodo es un poco ms comple$a. En una frontera dielctrica existe una carga superficial, que tambin puede simularse por cargas discretas. .lo existen dos importantes diferencias con respecto a la modelacin de un conductor: - la frontera dielctrica no corresponde a una superficie equipotencial. - debe ser posible calcular el campo elctrico en ambos lados de la frontera dielctrica. 1a frontera dielctrica se modela imponiendo las condiciones de borde propias de esta situacin en un nuevo grupo de puntos pertenecientes a dic%as interfaces; en cada medio dielctrico distinto existir una relacin que define el potencial en los puntos de ese medio, considerando cierto n,mero de cargas 2q$2 en general diferentes a aquellas consideradas en la solucin de otro medio. El n,mero total de incgnitas aumenta y debe incrementarse en forma consecuente el n,mero de ecuaciones; las nuevas ecuaciones surgen al imponer continuidad del potencial y de la componente normal del vector despla"amiento en cada punto escogido sobre la frontera. Coe)icien#es %e "o#encial %e al( nos ele&en#os %e car(a %iscre#os .e recuerda en esta seccin los coeficientes de potencial de algunos de los elementos de carga ms frecuentemente empleados en el mtodo de simulacin de cargas. 1as expresiones corresponden a elementos de carga inmersos en un medio infinito de permeabilidad ; sus respectivas derivadas, definen las componentes del campo elctrico. 1a existencia de un plano de tierra puede considerarse introduciendo el efecto de cargas imgenes ubicadas simtricamente respecto de este plano, lo cual significa incorporar los coeficientes de potencial de las respectivas cargas imgenes 'mtodo de las imgenes(. #or uniformidad, se emplea de preferencia el sistema cartesiano de coordenadas, posicionando arbitrariamente al elemento para otorgar mayor generalidad a las ecuaciones originales; al considerar un plano de tierra, se puede suponer que ste coincide con el plano '" : 8( del sistema 'x y "( y determinar directamente el coeficiente de potencial del elemento imagen.

a* Car(a " n# al

7ulio 4889

.oft*are para clculo de campos /elson &orales -sorio 00000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000

p( r , rq ) =

3 =r

r = 'x x 8 ( 4 + ' y y 8 ( 4 + '" " 8 ( 4

<igura 3 Coeficiente de potencial para carga puntual +* Di"olo el$c#rico ,% -- r*

d cos p( r , rq ) = = 8 r 4 r = 'x x 8 ( 4 + ' y y 8 ( 4 + '" " 8 ( 4 cos = " "8 r

<igura 4 Coeficientes de potencial para dipolo elctrico

c*

L!nea %e car(a ni)or&e. rec#a. "aralela al e/e 0. %e lon(i# % )ini#a 4

p( r , rq ) = r + r + 4 3 1n 3 4 =( 4) r3 + r4 4

r3 = ' x x 8 ( 4 + ' y + y 8 ( 4 + '" " 8 ( 4 r3 = ' x x 8 ( 4 + ' y y 8 ( 4 + '" " 8 ( 4

<igura ; Coeficiente de potencial para la l!nea de carga finita d( L!nea %e %ensi%a% %e car(a ni)or&e. rec#a. in)ini#a , paralela al e$e x y considerando el plano tierra. ' En este caso el potencial tiene simetr!a de translacin y es proporcional a la densidad de carga ( r 3 p( r , rq ) = 1n 3 4 r4

r3 = '" + " 8 ( 4 + ' y y 8 ( 4 r4 = '" " 8 ( 4 + ' y y 8 ( 4

<igura = Coeficiente de potencial para la l!nea de carga infinita Proce%i&ien#o
7ulio 4889

.oft*are para clculo de campos /elson &orales -sorio 00000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000

>

El procedimiento para el clculo del potencial y campo elctrico en una configuracin de dielctricos y electrodos a potencial, seg,n el mtodo de simulacin de cargas, puede esquemati"arse en el siguiente procedimiento: 3. Definicin de caractersticas del modelo: Consiste en definir las superficies equipotenciales que sern modeladas y los elementos de carga que se usarn en el modelo 'tipo, dimensiones y ubicacin(. 4. Definicin de puntos de contorno: se seleccionan puntos sobre las superficies reales de los conductores, donde se impone la condicin de borde de potencial conocido; se escogern con mayor densidad en aquellas "onas donde se requiera una me$or simulacin. .e escoge puntos sobre las fronteras dielctricas, donde se imponen condiciones de borde tipo derivada conocida. ;. Evaluar coeficientes de potencial: .e relacionan cada uno de los elementos de carga con cada uno de los puntos de contorno mediante la evaluacin del respectivo coeficiente de potencial, asociado con el tipo de elemento. =. Formar sistema de ecuaciones: .e estructura el sistema de ecuaciones, producto de la aplicacin de condiciones de borde a todos los puntos de contorno y de frontera dielctrica. >. Resolver sistema de ecuaciones: 1a matri" del sistema es absolutamente densa; el sistema se resuelve por mtodos directos con precauciones especiales para evitar errores por truncacin o redondeo. 9. Verificar potencial en puntos de comprobacin: Conocidas las magnitudes de las cargas, se verifica la satisfaccin de las condiciones de borde en algunos puntos de comprobacin escogidos conveniente. ?. Estimar imprecisin la solucin: #or diferencias entre valores calculados y reales sobre la superficie de los conductores, se estima el error de la simulacin. @. Calcular potencial y campo en puntos de inters: .i el error en potencial se considera aceptable, se eval,a potencial y campos en puntos previamente identificados. A. Visualizacin de resultados Co&en#arios 1a caracter!stica relevante del mtodo de simulacin de cargas, radica en la posibilidad de utili"ar cualquier sistema de cargas cuya expresin del potencial pueda adecuarse a la forma normal 5 : pq; luego cualquier combinacin lineal de dic%as expresiones es factible, teniendo como ,nica exigencia la me$or modelacin el problema que se enfrente. Esta gran virtud representa tambin en cierto modo un inconveniente, debido a que es ,til alguna experiencia para seleccionar elementos de carga adecuados, dimensionarlos y ubicarlos convenientemente de modo de obtener un buen modelo de problema sin aumentar innecesariamente el n,mero de elementos y por consiguiente el n,mero de incgnitas. 1a calidad de la simulacin es muy sensible a estos parmetros.
7ulio 4889

.oft*are para clculo de campos /elson &orales -sorio 00000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000

El mtodo es perfectamente aplicable a problemas en tres dimensiones, con algunas venta$as adicionales: la intensidad de campo y el potencial resultan finalmente funciones anal!ticas y no es necesario que el dominio de definicin de problema sea acotado. Estas caracter!sticas lo %acen particularmente ,til para el estudio de problemas de campo en alta tensin. )na de las aplicaciones ms interesantes del mtodo de simulacin de cargas en ingenier!a de alta tensin, corresponde al estudio de campos elctricos en la vecindad de l!neas de transmisin y subestaciones, con estructuras simplificadas para propsitos de clculo. Banto los conductores de las l!neas como las estructuras pueden ser modeladas por l!neas de carga convenientemente dispuestas. 1a conformacin del campo en el centro del vano puede obtenerse suponiendo l!nea infinita, trasformando el problema en un caso bidimensional. Con algunas ideali"aciones, es posible tambin modelar estructuras ms comple$as en tres dimensiones, como subestaciones elctricas. #ara el clculo del campo elctrico ba$o una l!nea de transmisin o de un grupo de barras en una subestacin, los conductores se suponen infinitamente largos y paralelos a la superficie del terreno, el cual tambin en ba$a frecuencia se considera buen conductor, de tal modo que puede aplicarse la teor!a de imgenes para sustituirlo por las imgenes de los conductores reales. 1a relacin general usada para determinar las cargas llevadas por los conductores de un sistema de / conductores lineales es la ecuacin matricial:

{v} N 3 = [ " ] N N {!} N 3

donde q y v son vectores columna de cargas y potenciales de los conductores y [#] es la matri" cuadrada de los coeficientes de potencial propios y mutuos.

<igura > #armetros geomtricos de un .istema de conductores En el caso de conductores en %a", se adopta un modelo con un conductor equivalente, cuyo radio es:
R e! = #n nR #

donde C es el radio del subconductor, D el radio geomtrico del %a" y n el n,mero de subconductores en el %a".
7ulio 4889

.oft*are para clculo de campos /elson &orales -sorio 00000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000

1os coeficientes de potencial relacionan el potencial del cualquier conductor, con la magnitud de las cargas equivalentes 'en este caso l!neas de carga( en todos los conductores. 1uego las cargas por unidad de longitud se determinan por:

{q} = [P ] {v }
3

donde [ "] 3 = [ C] es la matri" de capacitancias del sistema. <inalmente el campo elctrico se calcula considerando la distancia efectiva entre el conductor que lleva la carga qi por unidad de longitud o su imagen, y el punto donde el campo elctrico se calcula. 1as componentes Ex y Ey globales corresponden a la superposicin de las contribuciones debidas a cada carga qi:

!i d i d i E = 4 4 4 i =34 o ( d i ) 4 + y $ y + $ + ( ) d i i i
N

y $ i y +$ i Ey = 4 4 4 i =34 o ( d i ) 4 + y $ ( d i) + y +$ i i
N

!i

donde el conductor EiF se supone ubicado en la posicin x : d i, y : %i respecto de la referencia, el campo se calcula en la posicin 'x,y( y / es el n,mero total de conductores del sistema. M$#o%o %e si& laci'n %e corrien#es "ara c1lc lo %e ca&"o &a(n$#ico #or analog!a con el mtodo de simulacin de cargas aplicado a l!neas de transmisin para el clculo del campo elctrico, es posible plantear un mtodo de simulacin de corrientes para calcular el campo magntico ba$o los conductores de l!neas y barras. En este caso no se %ace necesario resolver un sistema de ecuaciones, pues la fuente del campo es directamente la corriente por el conductor.

D su ve", el terreno ya no es un Econductor magnticoF y las l!neas de campo atraviesan la superficie del suelo. El plano equivalente de referencia se encuentra a bastante profundidad: se incorpora un nuevo parmetro EpF que representa la profundidad pelicular del campo, o distancia desde la superficie del suelo %asta este plano de referencia para el campo magntico. En este caso, las expresiones de las componentes del campo magntico para cada conductor EiF son:
7ulio 4889

.oft*are para clculo de campos /elson &orales -sorio 00000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000

El primer trmino de estas expresiones representa la contribucin del conductor real y el segundo trmino, del conductor imagen. El parmetro EpF tiene la expresin:

para >8 G", resulta:

Con una resistividad del terreno de solo 388 -%m H m, la profundidad pelicular es del orden de >88 metros, por lo que el efecto de los conductores imgenes se %ace despreciable cuando se eval,a el campo magntico en las proximidades de los conductores. M$#o%o %e ele&en#os )ini#os o &$#o%o 2ariacional El problema matemtico a resolver en un problema de campos, consiste en determinar un potencial elctrico o magntico y el campo en el interior de un dominio tridimensional, donde el potencial satisface la ecuacin de 1aplace, o ms general, la ecuacin de #oisson, cuando existe carga elctrica o corriente y materiales con diferentes propiedades dielctricas, conductivas y magnticas. 1as condiciones de borde que debe cumplir el potencial corresponden a condiciones de tipo valor de la funcin conocido, valor de la derivada conocida, o mixtas. 1a funcin potencial solucin de este problema minimi"a la funcional de energ!a total del campo dentro del dominio. Iracias a esta propiedad de la solucin, la esencia del mtodo consiste en buscar directamente la funcin que minimi"a la funcional, en ve" de intentar resolver la ecuacin diferencial. 1a %abilitacin del mtodo requiere en primer lugar subdividir la regin en estudio en un cierto n,mero de sub regiones 'usualmente poliedros en problemas tridimensionales o pol!gonos en dos dimensiones( tal como lo muestra la figura.

7ulio 4889

.oft*are para clculo de campos /elson &orales -sorio 00000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000

<igura 9. .ubdivisin de una regin en tringulos 1as aristas de estos elementos definen una malla, y sus vrtices corresponden a los nudos de la malla. 1os elementos son de forma y tamaJo arbitrarios, con la condicin de que sus lados se a$usten a las superficies de separacin internas y al contorno del dominio. 1as caracter!sticas elctricas se suponen constantes en cada elemento, aun cuando pueden variar de uno a otro. 1a minimi"acin de la funcional conduce a una expresin del tipo:

53 =

C4 K 54 K + C;K 5;K
3

C3K
3 3

para cada vrtice EiF, donde los 5L representan los potenciales y los CL son coeficientes conocidos, que dependen de las coordenadas de los vrtices y de las caracter!sticas f!sicas de los materiales. Cepitiendo la condicin de minimi"acin para todos los vrtices, se forma un sistema de ecuaciones lineales: D5:) +onde: D es la matri" de coeficientes del sistema, dependiente de las caracter!sticas de los elementos en que se subdivide la regin y de las coordenadas de sus vrtices 5 es el vector de incgnitas, los potenciales 5i desconocidos ) es el vector dato, obtenido de las condiciones a borde +e la formulacin anterior, se derivan las expresiones correspondientes a cada componente del vector campo en el interior de un elemento; en la formulacin bsica, la intensidad de campo resulta constante en el interior del elemento por lo que presenta discontinuidades en las fronteras de los tringulos. Proce%i&ien#o El procedimiento de clculo de campos por el mtodo de elementos finitos puede esquemati"arse en el siguiente proceso: %&' (eneracin de la malla: +efinido un dominio y una configuracin de materiales 'dielctricos, conductores, magnticos(, se procede a la subdivisin de dic%o dominio o generacin de la malla,
7ulio 4889

.oft*are para clculo de campos /elson &orales -sorio 00000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000

38

con libertad de forma, orientacin y tamaJo de los elementos. Existen generadores de mallas computacionales, facilitando esta parte del modelamiento. )&' Caracterizacin de elementos: .e definen las caracter!sticas dielctricas, conductivas o magnticas de todos los elementos, las cuales se suponen constantes en el interior de cada uno de ellos, y los restantes parmetros por elemento. *&' C+lculo de coeficientes de ecuaciones de potencial: .e generan los coeficientes CiL asociados a cada nudo de la malla. ,&' Formacin del sistema de ecuaciones: .e estructura el sistema de ecuaciones, luego de %aber calculado todos los coeficientes en la etapa anterior. -&' .olucin del sistema: .e resuelve el sistema, utili"ando mtodos directos o iterativos, dependiendo del grado de densidad de la matri" de coeficientes. /&' C+lculo de campo y otras cantidades: .e aplican las ecuaciones de campo para evaluar el campo en "onas de inters y otros parmetros derivados. 0&' Visualizacin de resultados& Co&en#arios El mtodo de elementos finitos entrega errores en su solucin que resultan del proceso de discreti"acin del problema. +ic%os errores pueden reducirse, en la medida que se modela con tringulos de menor tamaJo. Este mtodo es apto para adaptarse a geometr!as comple$as, con materiales de caracter!sticas f!sicas diversas. #or tanto, su aplicacin ms t!pica es para evaluar campo elctrico o magntico en el interior de equipo 'cables, transformadores, maquinaria rotatoria(.

7ulio 4889