El circuito integrado EEPROM 2816 es una memoria reprogramable y borrable que contiene 2048 localidades de memoria con 8 bits

cada una, (2K X 8) y opera con una sola fuente de alimentacin de + 5 Volts, con tiempos similares a los de una RAM esttica en modo de lectura, tiene dos modos de programacin una de +5 Volts y otra de alto voltaje. El modo de programacin de +5 Volts se inicia con un pulso de escritura con una transicin alto/bajo de nivel TTL con una duracin de 200 nseg, el circuito automticamente borra el byte seleccionado antes de escribir otro dato nuevo, se completa un ciclo de borrado/escritura en un tiempo mximo de 10 mseg, el tiempo de acceso a lectura es de 250 nseg, todas sus salidas son compatibles con la tecnologa TTL. CARACTERSTICAS DE LA 2816 Organizacin de la memoria 2048 X8 Tipo de funcionamiento; chip esttico Tiempos de acceso a lectura; 250 nseg. Capacidad de correccin para un solo bit Tiempo de escritura max, 10 mseg. Compatible con la arquitectura de microprocesadores Potencia de disipacin a).- Estado activo; 610 mW b).- Estado inactivo: 295 mW

LA DESCRIPCIN DE LAS TERMINALES ES LA SIGUIENTE A0 - A10 Lineas de direcciones E/S0 E/S7 Entrada y salida de datos (CE)' Habilitador del chip (OE)' Habilitador de las salidas Vpp Voltaje de programacin Vcc + 5 Volts Vss 0.0 Volts tierra. OPERACIN DE EPROM 2816 Este dispositivo contiene seis modos de operacin, segn se muestra en la siguiente figura, los modos de programacin estn diseados para proporcionar compatibilidad mxima con los microprocesadores y para obtener una consistencia optima en el diseo del circuito impreso, el chip EEPROM 2816 es una memoria no voltil, y contiene una densidad apropiada para una aplicacin de tipo industrial, con esto se logra optimizar el costo/eficiencia de manera funcional, todas las tensiones que usa son compatibles, con la tecnologa TTL con la excepcin del modo de borrado total de la memoria, en este modo el voltaje se debe subir arriba de +9 Volts, en las otras formas se debe sostener a + 5 Volts durante la escritura y la lectura.

OPERACIN DE LECTURA Un dato es ledo de la memoria EEPROM 2816 mediante la aplicacin de un nivel alto en Vpp, (voltaje de programacin conectada a Vcc), un nivel bajo en (CE)' y un nivel bajo en (OE)', con estas condiciones se obtiene informacin de terminales E/S estarn en estado de alta impedancia siempre y cuando (OE)' y/o (CE)' estn en un nivel alto. La funcin de la terminal (CE)' es la de poder controlar la activacin del chip, puede ser usado por un sistema con microprocesadores para la seleccin del dispositivo.

La terminal que habilita las salidas, o las pone en estado de alta impedancia, si se tiene en cuenta que las entradas son estables el tiempo de acceso es igual al tiempo de retardo de la terminal (CE)', los datos estn disponibles despus de un tiempo de retardo de la terminal (OE)'. OPERACIN DE ESCRITURA (Modo de programacin de + 5 Volts) El ciclo de escritura es iniciado por la aplicacin de un nivel bajo en Vpp, 200 nseg, mientras que (OE)' debe estar en estado alto y (CE)' en estado bajo, la direccin es doblemente almacenada a la cada y a la salida de Vpp, una vez realizado esto la arquitectura interna de la memoria borrara automticamente el dato seleccionado y proceder a escribir el nuevo dato en un tiempo de l0 mseg, mientras tanto las terminales E/S o E/S; permanecern en estado de alta impedancia durante un tiempo igual al de la operacin del proceso de escritura, La EEPROM 2816 se escribe y se borra elctricamente utilizando un voltaje de +5 Volts para grabar y leer, la condicin de grabado es "borrado antes de escribir", esta memoria es del tipo ROM reprogramable, en caso de que se desconecte el circuito de alimentacin de la energa la informacin no se pierde, se puede usar el modo de "stanby" para que la informacin no se borre. La 2816 se borra y se programa elctricamente y no pticamente como lo requieren normalmente las EPROMS, en estas, se borra la informacin con luz ultravioleta, el dispositivo EEPROM 2816 ofrece flexibilidad para borrar un solo bit o todo el chip si as se desea. Para escribir en una localidad en particular, el bit existente se borra antes de escribir el nuevo bit, los niveles de las terminales E/S deben ser compatibles con la tecnologa TTL en cuanto a sus equivalentes de niveles lgicos deseados como niveles de grabacin, la programacin debe durar mnimo 9 msg y un mximo de 15 mseg. OPERACIN DE BORRADO Si se desean borrar todas las direcciones de la EEPROM 2816, el dispositivo ofrece una funcin para borrado inmediato de todas las localidades, cuando esta funcin se lleva a cabo ..