Instituto Tecnolgico Superior de Coatzacoalcos Ingeniera Electrnica Josu Meja Tpox 6to.

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Diseo con transistores.

Introduccin En electrnica, el transistor Darlington o AMP es un dispositivo semiconductor que combina dos transistores bipolares en un tndem (a veces llamado par Darlington) en un nico dispositivo. La configuracin (originalmente realizada con dos transistores separados) fue inventada por el ingeniero de los Laboratorios Bell Sidney Darlington. La idea de poner dos o tres transistores sobre un chip fue patentada por l, pero no la idea de poner un nmero arbitrario de transistores que originara la idea moderna de circuito integrado. Los transistores BJT, tanto del tipo NPN como PNP se pueden usar en configuracin Darlington para obtener una ganancia (en la amplificacin de seales) demasiado alta. Este nombre se debe en honor a su descubridor, pero su aplicacin no se limita a la amplificacin de audio, tambin es til para conmutar seales por el contacto de los dedos o para detectar la presencia de esttica. La configuracin consta de conectar dos transistores BJT en paralelo por colector y en serie por una unin Emisor-Base. La Base del primero se excita mediante una seal y la amplifica, esta seal sale por emisor y se inyecta en la base del segundo para despus salir con una amplificacin equivalente a (B1)(B2) donde B es el factor de ganancia de cada transistor empleado; de tal manera que si B1=200 y B2=800 a la salida tendremos una ganancia de 160000V por cada uno de entrada. Materiales Cantidad 1 1 2 5 5 1 Materiales Pic16f84a Cristal de 4 MHZ Capacitores de 22 pF Pulsadores push Resistores de 10k Integrado ULN2003

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5 1 1m 1 1

Motores de CD Fuente de alimentacin Cable para puentes Protoboard Programador de PICS

Desarrollo Esta configuracin sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos transistores normales en la misma configuracin. La ganancia total del Darlington es el producto de la ganancia de los transistores individuales. Un dispositivo tpico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior. Tambin tiene un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un nico transistor, de ah que pueda convertirse fcilmente en inestable. La tensin base-emisor tambin es mayor, siendo la suma de ambas tensiones base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V. La beta de un transistor o par darlington se halla multiplicando las de los transistores individuales. la intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad de la base por la beta total. Si 1 y 2son suficientemente grandes, se da que: Un inconveniente es la duplicacin aproximada de la base-emisor de tensin. Ya que hay dos uniones entre la base y emisor de los transistores Darlington, el voltaje base-emisor equivalente es la suma de ambas tensiones base-emisor: Para la tecnologa basada en silicio, en la que cada VBEi es de aproximadamente 0,65 V cuando el dispositivo est funcionando en la regin activa o saturada, la tensin baseemisor necesaria de la pareja es de 1,3 V. Otro inconveniente del par Darlington es el aumento de su tensin de saturacin. El transistor de salida no puede saturarse (es decir, su unin base-colector debe permanecer polarizada en inversa), ya que su tensin colector-emisor es ahora igual a la suma de su propia tensin base-emisor y la tensin colector-emisor del primer transistor, ambas

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positivas en condiciones de funcionamiento normal. (En ecuaciones, , as siempre.) Por lo tanto, la tensin de saturacin de un transistor Darlington es un VBE (alrededor de 0,65 V en silicio) ms alto que la tensin de saturacin de un solo transistor, que es normalmente 0,1 - 0,2 V en el silicio. Para corrientes de colector iguales, este inconveniente se traduce en un aumento de la potencia disipada por el transistor Darlington comparado con un nico transistor. Otro problema es la reduccin de la velocidad de conmutacin, ya que el primer transistor no puede inhibir activamente la corriente de base de la segunda, haciendo al dispositivo lento para apagarse. Para paliar esto, el segundo transistor suele tener una resistencia de cientos de ohmios conectada entre su base y emisor. Esta resistencia permite una va de descarga de baja impedancia para la carga acumulada en la unin base-emisor, permitiendo un rpido apagado. A continuacin se muestra el programa necesario para que el micro controlador realice las funciones de pulsado.

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El diagrama de conexin es el siguiente:

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Caractersticas del transistor Darlington son las siguientes: Un ULN2003A es un circuito integrado que contiene un array de transistores de alto voltaje y corriente. Se compone de siete pares de NPN Darlington que cuentan con salidas de alto voltaje con el ctodo comn diodos flyback para la conmutacin de cargas inductivas. Es muy similar a la ULN2801A, ULN2802A, ULN2803A, [3] ULN2804A, ULN2805A y, slo difieren en los niveles de entrada de lgica ( TTL , CMOS ,PMOS ) y el nmero de entradas (8). Los conductores pueden conectarse en paralelo para una mayor capacidad de corriente, incluso apilar un dispositivo en la parte superior de otro, tanto elctrica como fsicamente se ha hecho. Caractersticas

500 mA corriente de colector nominal (salida nica) 50 V de salida Incluye diodos flyback salida Entradas compatible con varios tipos de lgica.

El uso tpico de la ULN2003A es conducir rels , lmparas y pantallas LED o motores paso a paso . A continuacin se muestran los pines de este integrado, as como las conexiones internas del mismo para su funcionamiento.

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En la imagen se puede observar como el micro controlador puede controlar los 5 motores a la vez o uno por uno tomando en cuenta que los motores se alimentan a 9 v, voltaje y corriente que un uC no puede realizar por si mismo.

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Conclusiones Se ha llegado a la conclusin que para etapas de potencia el ULN2003 es una opcin practica y reduce mucho tamao para aplicaciones en que los relevadores eran la opcin, permite controlar un motor con un micro controlador mismo que sabemos por sus caractersticas no pueden ya que la corriente y tensin que consume un componente inductivo es de gran cantidad, y que al introducirse al dispositivo lo daaran completamente. Este integrado ayuda como aislante elctrico y como se menciona mucho puede resultar demasiado til en las etapas de potencias en los que se requieran dispositivos inductivos.

Bibliografa Introduccin al Anlisis de dispositivos electrnicos. Boylestad 3ra. ED.