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Universit degli Studi di Napoli Federico II Facolt di Ingegneria

Corso di Laurea Magistrale in Ingegneria Elettronica

Elaborato in

Dispositivi e Sistemi Fotovoltaici


Relazione delle esercitazioni e dimensionamento di un impianto fotovoltaico

Alessio Sellaroli
M61/177

A cura di:

Anno Accademico 2013-2014

Indice
1 Esercitazione 1 1.1 Valutazione dei paramentri fondamentali della cella . . . . . 1.2 Analisi al variare della temperatura . . . . . . . . . . . . . . 1.3 Analisi al variare del lifetime . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4 Analisi al variare della velocit di ricombinazione superciale 1.5 Analisi al variare dello spessore della cella . . . . . . . . . . 1.6 Analisi al variare della profondit di giunzione dellemitter. . 1.7 Analisi della risposta spettrale . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8 Analisi di una cella p-i-n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.9 Analisi al variare della temperatura in una cella P-I-N . . . . 1 4 4 6 7 9 11 11 12 14 16 16 17 18 19

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2 Esercitazione 2 2.1 Corrente di saturazione inversa del diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2 Valutazione VOC , FF, ed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3 Analisi al variare del livello di illuminazione . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4 Analisi al variare della temperatura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5 Analisi della dipendenza dei parametri di merito dalla Rsh, mantenendo ssa la Rs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.6 Analisi della dipendenza dei parametri di merito dalla Rs, mantenendo ssa la Rsh . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.7 Descrizione in PSPICE della serie di 5 celle . . . . . . . . . . . . . . . . 2.8 Valutazione la curva I-V della serie delle 5 celle . . . . . . . . . . . . . . 2.9 Oscuramento completo di una cella . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.10 Diodo di by-pass in antiparallelo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.11 Analisi della caratteristica IV al variare del livello di ombreggiamento in presenza ed in assenza del diodo di by-pass . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.12 Analisi del funzionamento del circuito quando ogni cella protetta da un diodo di by-pass e per livelli di illuminazione disuniformi . . . . . . . . . 2.13 Analisi del funzionamento del circuito quando un diodo di by-pass posto a protezione di pi celle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.14 Analisi del circuito equivalente di una cella p-i-n . . . . . . . . . . . . . . 3 Esercitazione 3 3.1 Prolo clinometrico . . . 3.2 Orientamento . . . . . . 3.3 Sistema . . . . . . . . . 3.3.1 Sistema - Modulo 3.3.2 Sistema - Inverter 3.4 Calcoli elettrici . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . i . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. 20 . 20 . 21 . 21 . 23 . 23 . 24 . 25 . 25 . 26 . . . . . . 27 27 28 28 28 30 30

3.5 3.6 3.7 3.8 3.9

Normalized production . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . System Loss Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Hourly Graph . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Dimensionamento del campo fotovoltaico con stringhe in parallelo . System Loss Diagram: campo fotovoltaico con stringhe in parallelo

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31 32 33 36 38

4 Esercitazione 4 39 4.1 Simulazione di una stringa fotovoltaica in PSIM . . . . . . . . . . . . . . . 39 4.2 DC/DC topologia Boost con P&O xed step - Rendimento Statico . . . . . 41 4.3 DC/DC topologia Boost con P&O xed step - Rendimento Dinamico . . . 44 5 Dimensionamento di un impianto 5.1 Dimensionamento . . . . . . . . . 5.2 Orientazione . . . . . . . . . . . . 5.3 Modulo fotovoltaico . . . . . . . . 5.4 Inverter . . . . . . . . . . . . . . 5.5 Simulazione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45 46 47 49 51 53

ii

Elenco delle gure


1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 1.10 1.11 1.12 1.13 1.14 1.15 1.16 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 2.10 2.11 2.12 2.13 2.14 2.15 2.16 2.17 Cella elementare realizzata in PC1D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Caratteristica I-V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Andamento della VOC , ISC , PMAX al variare della temperatura. . . . . . . . Andamento della F F e al variare della temperatura. . . . . . . . . . . . . Andamento della VOC , ISC , PMAX al variare del lifetime. . . . . . . . . . . . Andamento della F F e al variare del lifetime. . . . . . . . . . . . . . . . Andamento della VOC , ISC , PMAX al variare della velocit di ricombinazione superciale. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Andamento della F F e al variare della velocit di ricombinazione superciale. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Andamento della VOC , ISC , PMAX al variare dello spessore della cella. . . . . Andamento della F F e al variare dello spessore della cella. . . . . . . . . Andamento della VOC , ISC , PMAX al variare della profondit di giunzione dellemitter. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Internal Quantum Eciency. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Cella P-I-N. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Caratteristica I-V cella P-I-N. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Andamento della VOC , ISC , PMAX al variare della temperatura in una cella P-I-N. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Andamento della F F e al variare della temperatura in una cella P-I-N. . Circuito equivalente di una cella al silicio cristallino. . . . . . . . . . . . . Caratteristica I-V della cella. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Caratteristica P-V della cella. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Caratteristica I-V della cella al variare del livello di illuminazione. . . . . . Confronto della VOC ricavata dalla simulazione con il valore trovato analiticamente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Caratteristica I-V della cella al variare della temperatura. . . . . . . . . . . Andamento della VOC al variare della temperatura. . . . . . . . . . . . . . . Caratteristica I-V della cella al variare dalla Rsh, mantenendo ssa la Rs. Caratteristica I-V della cella al variare dalla Rs, mantenendo ssa la Rsh. Descrizione in PSPICE della serie di 5 celle. . . . . . . . . . . . . . . . . . Caratteristica I-V della serie delle 5 celle. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Caratteristica P-V della serie delle 5 celle. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Massimo della caratteristica P-V della serie delle 5 celle. . . . . . . . . . . Caratteristica I-V della serie delle 5 celle con cella oscurata. . . . . . . . . Tensione ai capi della cella oscurata. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Caratteristica I-V della serie delle 5 celle con cella oscurata By-passata. . . Tensione ai capi del diodo di by-pass. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . iii 1 4 5 5 6 7 8 8 9 10 11 12 13 14 15 15 16 17 17 18 18 19 19 20 20 21 22 22 22 23 23 23 24

2.18 Caratteristica I-V della serie delle 5 celle al variare del livello di ombreggiamento (senza diodo di by-pass) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.19 Caratteristica I-V della serie delle 5 celle al variare del livello di ombreggiamento (con diodo di by-pass) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.20 Caratteristica I-V della serie delle 5 celle per livelli di illuminazione disuniformi. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.21 Descrizione in PSPICE della serie di 5 celle con diodo di by-pass posto a protezione di pi celle. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.22 Caratteristica I-V con diodo di by-pass posto a protezione di pi celle. . . 2.23 circuito equivalente di una cella p-i-n. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.24 Caratteristica I-V di una cella p-i-n. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7 3.8 3.9 3.10 3.11 3.12 3.13 3.14 3.15 3.16 3.17 3.18 3.19 3.20 3.21 3.22 3.23 4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 4.7 4.8 4.9 5.1 5.2 5.3 Prolo clinometrico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Parametri del sitema. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Parametri del pannello fotovoltaico. . . . . . . . . . . . . . . . Parametri inverter. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Schema del collegamento elettrico. . . . . . . . . . . . . . . . . Parametri del collegamento elettrico. . . . . . . . . . . . . . . Produzione annua normalizzata per KWp installato. . . . . . . Diagramma delle perdite. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Hourly Graph 21/1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Hourly Graph 21/2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Hourly Graph 21/3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Hourly Graph 21/4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Hourly Graph 21/5. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Hourly Graph 21/6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Hourly Graph 21/7. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Hourly Graph 21/8. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Hourly Graph 21/9. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Hourly Graph 21/10. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Hourly Graph 21/11. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Hourly Graph 21/12. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Parametri del sitema. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Schema del collegamento elettrico. . . . . . . . . . . . . . . . . Diagramma delle perdite del campo fotovoltaico con stringhe in Simulazione di una stringa fotovoltaica in PSIM. . . . . . . . Parametri della stringa fotovoltaica in PSIM. . . . . . . . . . Andamento della Potenza per diversi valori dellirragiamento. Andamento della Potenza al variare dellirragiamento. . . . . . DC/DC topologia Boost con P&O xed step. . . . . . . . . . . Simulazione statica con duty cycle pari a 0.03. . . . . . . . . Calcolo della potenza con duty cycle pari a 0.03. . . . . . . . Calcolo della potenza con duty cycle pari a 0.01. . . . . . . . Calcolo della potenza con duty cycle pari a 0.03. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . parallelo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

24 24 25 25 26 26 26 27 28 29 30 31 31 32 32 33 33 33 34 34 34 35 35 35 36 36 36 37 37 38 39 40 40 41 42 42 43 43 44

Edicio sul quale viene eettuato il dimensionamento dellimpianto fotovoltaico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45 Producibilit elettrica annua in Italia di un impianto da 1 kWp. . . . . . . 46 Dati storici sulla producibilit nella provincia di Napoli. . . . . . . . . . . . 47 iv

5.4 5.5 5.6 5.7 5.8 5.9 5.10 5.11 5.12

Direzione cardinale delledicio tramite Google Compass. . . . . . . . Disco di irragiamento. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Modulo fotovoltaico SLK60P6L della Siliken. . . . . . . . . . . . . . . Modulo fotovoltaico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Caratteristiche meccaniche e termiche della SLK60P6L della Siliken. . Caratteristiche dellinvert AT 3000 della Sunways. . . . . . . . . . . . AT 3000 della Sunways. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Produzione normalizzata per KWp. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . System Loss Diagram. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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48 48 49 50 51 51 52 53 54

Capitolo 1 Esercitazione 1
In questa esercitazione stato richiesto di realizzare una cella con le seguenti caratteristiche: Area unitaria Spessore 250 micron Diusione frontale di tipo n con profondit di giunzione di 1 micron Drogaggio di picco pari a 1018 [cm]3 Superce testurizzata con unaltezza media di 2.5m ed un angolo di inclinazione pari a 55 Assenza di ricombinazione superciale sul front e sul back Assenza di riessione superciale In Pc1d stata realizzata la cella secondo le speciche sopra elencate.

Figura 1.1: Cella elementare realizzata in PC1D.

1 Esercitazione 1

I dati ricavati dalla simulazione sono stati inseriti in uno script di matlab mostrato di seguito
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72

% %%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% % Esercitazioni del corso di Dispositivi e Sistemi Fotovoltaici % % Esercitazione 1. m % % a cura di Luca Gallucci , Ing . Elettronica Magistrale , M61 /151 % % Alessio Sellaroli , Ing . Elettronica Magistrale , M61 /??? % % sviluppato il 31/10/13 in Matlab % % %%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%% function ese1 () clc ; clear all ; close all ; bat chpara meter (); quantumyield (); disp ( Applicativo terminato ); clear all ; end function bat chpara meter () calcoli = { temp . txt , bulktau . txt , frs . txt , thickness . txt }; for index = 1: length ( calcoli ) batchcalc ( calcoli { index }) disp ( Premere un tasto per continuare con gli altri parametri ... ); pause ; clc ; close all ; end end function quantumyield () file = { bt5 . txt , bt7 . txt , bt9 . txt , bt11 . txt , bt13 . txt , bt15 . txt }; cd dati ; cd qy ; for index = 1 : 6 values = importdata ( file { index }); qy . bt . wavelenght = values . data (: ,1); qy . bt . int (: , index ) = values . data (: ,2); qy . bt . ext (: , index ) = values . data (: ,3); qy . bt . ref (: , index ) = values . data (: ,4); end file = { frs15 . txt , frs155 . txt , frs16 . txt , frs156 . txt , frs17 . txt }; for index = 1 : 5 values = importdata ( file { index }); qy . frs . wavelenght = values . data (: ,1); qy . frs . int (: , index ) = values . data (: ,2); qy . frs . ext (: , index ) = values . data (: ,3); qy . frs . ref (: , index ) = values . data (: ,4); end cd ..; cd ..; figure ( units , normalized , outerposition ,[0 0 1 1]); set (1 , Name , Variazione del QY in base al BulkTau e FrS ,... NumberTitle , off ); subplot (1 ,2 ,1); hold on ; grid ; title ( BulkTau 5 - >15\ mus ); xlabel ( Wavelenght [ nm ] ); ylabel ( Internal Quantum Efficiency [%] ); plot ( qy . bt . wavelenght , qy . bt . int (: ,1) ,... qy . bt . wavelenght , qy . bt . int (: ,2) ,... qy . bt . wavelenght , qy . bt . int (: ,3) ,... qy . bt . wavelenght , qy . bt . int (: ,4) ,... qy . bt . wavelenght , qy . bt . int (: ,5) ,... qy . bt . wavelenght , qy . bt . int (: ,6) ); legend ( 5 us , 7 us , 9 us , 11 us , 13 us , 15 us , Location , South ); subplot (1 ,2 ,2); hold on ; grid ; title ( FrS 1 e5 - >1 e7 cm / s ); xlabel ( Wavelenght [ nm ] ); ylabel ( Internal Quantum Efficiency [%] ); plot ( qy . frs . wavelenght , qy . frs . int (: ,1) ,... qy . frs . wavelenght , qy . frs . int (: ,2) ,... qy . frs . wavelenght , qy . frs . int (: ,3) ,... qy . frs . wavelenght , qy . frs . int (: ,4) ,... qy . frs . wavelenght , qy . frs . int (: ,5) ); legend ( 1 e5 cm / s , 1.5 e5 cm / s , 1 e6 cm / s , 1.5 e6 cm / s , 1 e7 cm / s ,... Location , South );

1 Esercitazione 1

73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132

disp ( Premere un tasto per continuare ... ); pause ; clc ; close all ; end function batchcalc ( file ) cd dati ; values = importdata ( file ); variable = values . colheaders {1}; batchvar = values . data (: ,1); voc = values . data (: ,2); isc = - values . data (: ,3); pmax = values . data (: ,4); cd ..; ff = pmax ./( voc .* isc ); eff =( pmax /0.1)*100; fprintf ( Coefficienti di variazioni medi in funzione della % s \ n ,... variable ); disp ( strcat ( Voc = , num2str ( coeff ( voc , batchvar ,0.6048)))); disp ( strcat ( Isc = , num2str ( coeff ( isc , batchvar ,0.03751)))); disp ( strcat ( Pmax = , num2str ( coeff ( voc , batchvar ,0.0188)))); disp ( strcat ( FF = , num2str ( coeff ( ff , batchvar ,0.827)))); disp ( strcat ( Efficienza = , num2str ( coeff ( eff , batchvar ,18.8)))); figure (1); set (1 , Name ,... sprintf ( Variazione di Voc , Isc , Pmax in funzione della % s ,... variable ) , NumberTitle , off ) subplot (1 ,3 ,1); plot ( batchvar , voc , b ); xlim ([ min ( batchvar ) max ( batchvar )]); xlabel ( variable ); ylabel ( V ); title ( Voc ); grid ; subplot (1 ,3 ,2); plot ( batchvar , isc , r ); xlim ([ min ( batchvar ) max ( batchvar )]); xlabel ( variable ); ylabel ( A ); title ( Isc ); grid ; subplot (1 ,3 ,3); plot ( batchvar , pmax , g ); xlim ([ min ( batchvar ) max ( batchvar )]); xlabel ( variable ); ylabel ( W ); title ( Pmax ); grid ;

disp ( Premere un tasto per plottare il grafico di FF ed Efficienza ... ) pause ; close ; figure (1); set (1 , Name ,... sprintf ( Variazione di FF ed Efficienza in funzione della % s ,... variable ) , NumberTitle , off ) [ ax , losevar , losevar ] = plotyy ( batchvar , ff , batchvar , eff ); title ( Variazione dei parametri FF ed \ eta ); grid ; xlabel ( variable ); set ( get ( ax (1) , Ylabel ) , String , Fill Factor ) set ( get ( ax (2) , Ylabel ) , String , Efficienza [%] ) end function y = coeff (A ,B , rif ) % A parametro da valutare , B base della variazione y = mean (( A (2: end ) - A (1: end -1))./(( B (2: end ) - B (1: end -1))* rif )); end

1 Esercitazione 1

1.1

Valutazione dei paramentri fondamentali della cella

Figura 1.2: Caratteristica I-V.

i parametri fondamentali della cella sono: La corrente di corto circuito ISC = 37.96mA La tensione di circuito aperto VOC = 0.61V Potenza massima erogabile dalla cella PMAX = 0.0192mW Lecienza denita come rapporto tra la massima potenza erogabile e la potenza MAX incidente = PP = 0.192 = 19.2% (PIN = 1KW/m2 visto che viene utilizzato IN lo spettro AM1.5) Il Fill Factor denito come il rapporto tra la potenza massima erogabile dalla cella MAX = 0.82 e il prodotto ISC xVOC . F F = IP SC VOC

1.2

Analisi al variare della temperatura

Al variare della temperatura cambiano le propriet del semiconduttore come ad esempio la concentrazione intrinseca i .
Eg Eg i (T ) = Nc Nv exp( KT ) = BT 3 exp( KT )

Come possibile vedere dai graci la variazione di potenza massima erogabile della cella dovuta sostanzialmente alla variazione della tensione di circuito aperto Voc , visto la variazione pressoch nulla della corrente di cortocircuito. 4

1 Esercitazione 1

Figura 1.3: Andamento della VOC , ISC , PMAX al variare della temperatura.

Figura 1.4: Andamento della F F e al variare della temperatura.

1 Esercitazione 1

1.3

Analisi al variare del lifetime

Il tempo di vita medio allinterno di un semiconduttore a bangap indiretto come il silicio dato dalla somma di tre contributi.

1 bulk

1 shr

1 auger

1 sup

SHR il tempo di vita medio ottenuto dalla teoria di SHR (ShockleyHallRead). associato ad un solo livello energetico di trappole generato dai difetti reticolari. nelle ipotesi di bassi livelli diniezione (vengono introdotti meno portatori di quanti presenti) la velocita netta di ricombinazione dipende da SHR e della concentrazione dei minoritari. AUGER un tempo di vita medio associato alle transizioni banda-banda, che per bassi drogaggi sono poco probabili ma che diventano preponderanti per alte concentrazioni di drogante. AUGER ineliminabile ed pari a (C N )1 SUP il tempo di vita medio associato alla ricombinazione superciale; tiene conto che sono presenti discontinuit con un contatto metallico o sui bordi del semiconduttore stesso. Con laumento della bulk decresce la velocita di ricombinazione e quindi la presenza di molti portatori liberi alimenta la la tensione di circuito aperto. La corrente di cortocircuito dipende dal usso utile di fotoni quindi la sua variazione impercettibile.

Figura 1.5: Andamento della VOC , ISC , PMAX al variare del lifetime.

1 Esercitazione 1

Figura 1.6: Andamento della F F e al variare del lifetime.

1.4

Analisi al variare della velocit di ricombinazione superciale

Ci aspettiamo una graduale degradazione delle prestazioni allaumentare di S; questo perch se la velocit di ricombinazione fosse nulla ci sarebbe un solo gradiente di concentrazione a spingere i portatori di carica fotogenerati verso la regione di svuotamento. La presenza di questa ricombinazione crea un altro gradiente che condiziona i portatori generati ad andare verso i contatti metallici dove vengoni catturati per saturare i legami incompleti degli atomi sulle discontinuit reticolari. I fotoni a elevate lunghezze donda o bassissime lunghezze donda creano portatori che vengono raccolti dai contatti metallici piuttosto che dalla regione di svuotamento, perdendo cos un aliquota di corrente. Avere una supercie ben passivata signica che praticamente tutti i portatori sono spinti ad andare verso la giunzione e non verso la supercie. Lemitter non essendo completamente ricoperto di metallo si riesce a passivare molto bene1 , mentre per la base si usano tecniche come la BSK(Back Surface Field).

Si utilizza la tecnica di contatto localizzato nella quale c un drogaggio maggiore nella regione dove poggia il contatto

1 Esercitazione 1

Figura 1.7: Andamento della VOC , ISC , PMAX al variare della velocit di ricombinazione superciale.

Figura 1.8: Andamento della F F e al variare della velocit di ricombinazione superciale.

1 Esercitazione 1

1.5

Analisi al variare dello spessore della cella

La corrente fotogenerata dipende dalle lunghezze di diusione di emettitore e base, tuttavia se le profondit di giunzione di questultime sono minori delle rispettive lunghezze di diusione, la corrente dipende fotogenerata dipende dalle profondita di giunzione.

JPH = qG(Ln + Lp ) con Lp < We e Ln < Wb = JPH = qG(Wb + We )

Nella prima parte del graco della ISC le dimensioni limitano la corrente erogata; superata la lnghezza di diusione allauumento di w non corrisponde un aumento di ISC . Al contrario la Voc tende a decrescere poich aumenta il cammino libero medio, quindi meno portatori arriveranno alla giunzione, ricombinandosi prima. Per piccoli valori dello spessore della cella diventa preponderante la ricombinazione superciale.

Figura 1.9: Andamento della VOC , ISC , PMAX al variare dello spessore della cella.

1 Esercitazione 1

Figura 1.10: Andamento della F F e al variare dello spessore della cella.

10

1 Esercitazione 1

1.6

Analisi al variare della profondit di giunzione dellemitter.

Figura 1.11: Andamento della VOC , ISC , PMAX al variare della profondit di giunzione dellemitter.

Al crescere della profondit di giunzione dellemettiter si supera la lunghezza di diusione e sempre meno portatori monoritari vengono convertiti in corrente fotogenerata; questo dovuto sopratutto al tempo di vita medio delle lacune pi piccolo rispetto a quello degli elettroni.

1.7

Analisi della risposta spettrale

La risposta spettrale rappresenta per ogni lunghezza donda, il rapporto tra corrente di cortocircuito e la potenza incidente relativa alla particolare lunghezza donda.

SR() =

ISC () PIN ()

= q hc QE ()

11

1 Esercitazione 1

Figura 1.12: Internal Quantum Eciency.

Per la nostra analisi si scelto di osservare la variazione della IQE al variare della e della velocita di ricombinazione superciale. i fotoni pi energetici cio a basse lunghezze donda vengono assorbite in prossimit della supercie, quelli poco energetici sono assorbiti in profondit; allaumentare di aumenta la probabilit che gli elettroni fotogenerati possano raggiungere la giunzione. Nel graco, infatti, possibile vedere una dierenza solo ad alte lunghezze donda. Nel secondocaso possibile vedere come una buona passivazione della supercie spinge i portatori ad andare verso la giunzione e non verso la supercie; aumentando la corrente fotogenerata a parit di potenza in ingresso.

1.8

Analisi di una cella p-i-n

Con Pc1d stato realizzato lanalisi della cella P-I-N impostando i parametri come mostrato di seguito: 12

1 Esercitazione 1

Figura 1.13: Cella P-I-N.

13

1 Esercitazione 1

Come possibile vedere dallandamento I-V di tale cella, la pendenza nellintorno della corrente di corto circuito pendente rispetto alla cella di prima generazione dove si aveva un tratto orizzontale; tale dierenza dovuta alla dipendenza della corrente fotogenerata dalla tensione. Il graco nel secondo quadrante perch siamo passati da una cella N-P a una cella P-I-N.

Figura 1.14: Caratteristica I-V cella P-I-N.

1.9

Analisi al variare della temperatura in una cella P-I-N

In una cella PIN oltre ai beneci portati dallannealing nel contrastare leetto StaeblerWronski, laumento della temperatura porta un aumento della corrente dovuto sopratutto allaumento della concetrazione intrinseca che si traduce in un aumento della corrente di saturazione I0 ; per lo stesso motivo possibile vedere un decremento della VOC . 14

1 Esercitazione 1

Figura 1.15: Andamento della VOC , ISC , PMAX al variare della temperatura in una cella P-I-N.

Figura 1.16: Andamento della F F e al variare della temperatura in una cella P-I-N.

15

Capitolo 2 Esercitazione 2
Nella seconda esercitazione stato utilizzato il simulatore circuitale PSPICE con il quale stato realizzato il circuito equivalente di una cella al silicio cristallino.

Figura 2.1: Circuito equivalente di una cella al silicio cristallino.

Dove sono stati impostati i seguenti valori dei parametri: Rs=1 Rsh= 1k Iph=35mA Diodo (N= 1, Rserie=0)

2.1

Corrente di saturazione inversa del diodo

Come richiesto nellesercitazione si deve dimensionare la corrente di saturazione in maniera tale da avere una tensione di circuito aperto pari a 0.7.

V I = IPH I0 (exp nV 1) per V = VOC t IPH mA = 24.2f A I0 = (exp V 1) = (exp350 .7 1)


nVt 25mV

16

2 Esercitazione 2

2.2

Valutazione VOC , FF, ed

Figura 2.2: Caratteristica I-V della cella.

Figura 2.3: Caratteristica P-V della cella.

Gracamente sono stati estrapolati i seguenti paramentri: IPH = 34.95mA PMAX = 18.929mW VMPP = 580,066mV IMPP = 32.630mA FF =
VMPP IMPP PMAX = (VOC = VOC ISC ISC ) PMAX = 1kW/m2 = 18.929%

0.774

17

2 Esercitazione 2

2.3

Analisi al variare del livello di illuminazione

Variando il livello dellilluminazione si ha una variazione lineare della corrente fotogenerata e di tipo logaritmico della tensione di circuito aperto.
X VOC X 1 ISC = XISC 1 = VOC + VT ln X

Figura 2.4: Caratteristica I-V della cella al variare del livello di illuminazione.

Di seguito viene confrontato la VOC ricavata dalla simulazione per diversi valori della IPH PH con il valore analitico della seguente espressione. VOC = VT ln II 1 0

Figura 2.5: Confronto della VOC ricavata dalla simulazione con il valore trovato analiticamente .

18

2 Esercitazione 2

2.4

Analisi al variare della temperatura

Al variare della temperatura cambiano le propriet del semiconduttore perch ne cambiano i parametri; come ad esempio la concentrazione intrinseca allequilibrio termodinamico ha una dipendenza dalla temperatura del tipo:
Eg Eg 3 3 n2 i (T ) = BT exp ( KT ) I0 (T ) = A0 T exp ( KT ) 1 OC V =T (VOC 3VT VOC ) T

Figura 2.6: Caratteristica I-V della cella al variare della temperatura.

Di seguito viene gracato landamento della tensione di circuito aperto in funzione della T

Figura 2.7: Andamento della VOC al variare della temperatura.

19

2 Esercitazione 2

2.5

Analisi della dipendenza dei parametri di merito dalla Rsh, mantenendo ssa la Rs

Variando la resistenza shunt varia il tratto orizzontale della caratteristica.

Figura 2.8: Caratteristica I-V della cella al variare dalla Rsh, mantenendo ssa la Rs.

2.6

Analisi della dipendenza dei parametri di merito dalla Rs, mantenendo ssa la Rsh

Variando la resistenza serie varia il tratto verticale della caratteristica. La resistenza serie la somma della : Resistenza di substrato Resistenza di emettitore Resistenza dei nger

Figura 2.9: Caratteristica I-V della cella al variare dalla Rs, mantenendo ssa la Rsh.

20

2 Esercitazione 2

2.7

Descrizione in PSPICE della serie di 5 celle

La descrizione della serie di 5 celle viene eettuata trascurando la resitenza serie come mostrato di seguito.

Figura 2.10: Descrizione in PSPICE della serie di 5 celle.

2.8

Valutazione la curva I-V della serie delle 5 celle

la corrente di cortocircuito uguale a quella della singola cella mentre la potenza e la tensione di circuito aperto sono la somma delle singole potenze e tensioni di circuito aperto di ogni cella. 21

2 Esercitazione 2

Figura 2.11: Caratteristica I-V della serie delle 5 celle.

Figura 2.12: Caratteristica P-V della serie delle 5 celle.

Figura 2.13: Massimo della caratteristica P-V della serie delle 5 celle.

Gracamente sono stati estrapolati i seguenti paramentri: IPH = 35mA PMAX = 100.063mW VMPP = 3.0399V IMPP = 32.9mA FF =
VMPP IMPP PMAX = (VOC VOC ISC ISC ) PMAX = PIN = 20.01%

= 0.78

22

2 Esercitazione 2

2.9

Oscuramento completo di una cella

Figura 2.14: Caratteristica I-V della serie delle 5 celle con cella oscurata.

Nel caso di una cella completamente oscurata, tale cella f da carico puramente resistivo per le restanti celle attraverso la propria resistenza shunt.

Figura 2.15: Tensione ai capi della cella oscurata.

2.10

Diodo di by-pass in antiparallelo

Inserendo un diodo di by-pass possibile recuperare un p di potenza, infatti i 35mA invece di passare attraverso la resistenza shunt, passano attraverso il diodo che polarizzato direttamente. Aumentando la tensione il diodo di by-pass inizia a spegnersi e il modulo ritrova come carico la resitenza shunt della cella oscurata.

Figura 2.16: Caratteristica I-V della serie delle 5 celle con cella oscurata By-passata.

23

2 Esercitazione 2

Figura 2.17: Tensione ai capi del diodo di by-pass.

2.11

Analisi della caratteristica IV al variare del livello di ombreggiamento in presenza ed in assenza del diodo di by-pass

Figura 2.18: Caratteristica I-V della serie delle 5 celle al variare del livello di ombreggiamento (senza diodo di by-pass) .

Essendo le celle in serie, la corrente viene limitata dalla cella che eroga la minor corrente. La presenza del diodo di by-pass, quando in funzione, permette il passaggio della corrente dierenza tra quella erogata dalle celle illuminate e quella oscurata.

Figura 2.19: Caratteristica I-V della serie delle 5 celle al variare del livello di ombreggiamento (con diodo di by-pass) .

24

2 Esercitazione 2

2.12

Analisi del funzionamento del circuito quando ogni cella protetta da un diodo di by-pass e per livelli di illuminazione disuniformi

Figura 2.20: Caratteristica I-V della serie delle 5 celle per livelli di illuminazione disuniformi.

2.13

Analisi del funzionamento del circuito quando un diodo di by-pass posto a protezione di pi celle

Figura 2.21: Descrizione in PSPICE della serie di 5 celle con diodo di by-pass posto a protezione di pi celle.

25

2 Esercitazione 2

Figura 2.22: Caratteristica I-V con diodo di by-pass posto a protezione di pi celle.

2.14

Analisi del circuito equivalente di una cella p-i-n

Per realizzare un circuito equivalente della cella p-i-n stata esplicitata la dipendenza della corrente fotogenerata dalla tensione; infatti nella cella p-i-n la corrente dipende dalle lunghezze di drift e non di diusione.

Figura 2.23: circuito equivalente di una cella p-i-n.

Figura 2.24: Caratteristica I-V di una cella p-i-n.

26

Capitolo 3 Esercitazione 3
Limpianto oggetto della presente esercitazione realizzato a Napoli (Na) alla latitudine di 41.01 . La capacit dellimpianto deve essere pari a 3KWp.

3.1

Prolo clinometrico

Il prolo clinometrico impostato stato come mostrato di seguito.

Figura 3.1: Prolo clinometrico.

27

3 Esercitazione 3

3.2

Orientamento
=

Langolo di Tilt stato impostato secondo la formula:

con pari a 40 meno la media della declinazione solare nel semiperiodo (15) per massimizzare la produzione in estate.

3.3

Sistema

Di seguito vengono impostati i parametri del sistema.

Figura 3.2: Parametri del sitema.

3.3.1

Sistema - Modulo

Il modulo stato denito secondo i parametri richiesti di seguito elencati: Si decide di usare moduli in silicio policristallino da 180 Wp con le seguenti speciche: Pnom=180 Wp Tol. = 2% Vmpp = 26.45V (STC) Impp =6.80 A (STC) Voc= 32.35 V (STC) 28

3 Esercitazione 3

Isc = 7.60 A (STC) TK Isc =0.08%/C TK Pm = 0.5%/C Weight = 16.8Kg Dimesnions: 1482mmx992mmx50mm Rsh=350 Rs=0.4 N di celle in serie=60 N di diodi di bypass=2

Figura 3.3: Parametri del pannello fotovoltaico.

29

3 Esercitazione 3

3.3.2

Sistema - Inverter

Figura 3.4: Parametri inverter.

3.4

Calcoli elettrici

Esistono due criteri di dimensionamento dei cavi: il criterio termico e il criterio della caduta di tensione, questultimo verr utilizzato di seguito. In un linea di corrente DC, possibile scrivere: V =
2ISDC L S

in una linea attraversata da corrente alternata (AC), analogamente si pu scrivere: V =


2ILCA L S

30

3 Esercitazione 3

ISDC corrente nella stringa ILCA corrente nella linea, ovvero la corrente alluscita dellinverter. resistivit del rame L lunghezza dei cavi S sezione dei cavi V la caduta di tensione sui cavi, nel caso specico l1% della tensione della stringa

Figura 3.5: Schema del collegamento elettrico.

Figura 3.6: Parametri del collegamento elettrico.

3.5

Normalized production

Di seguito viene gracata la produzione annua per KWp installato. 31

3 Esercitazione 3

Figura 3.7: Produzione annua normalizzata per KWp installato.

3.6

System Loss Diagram

Figura 3.8: Diagramma delle perdite.

32

3 Esercitazione 3

3.7

Hourly Graph

Come richiesto vengono mostrati i diagrammi dellenergia disponibile allinverter e dellenergia iniettata in rete il 21 di ogni mese dellanno.

Figura 3.9: Hourly Graph 21/1.

Figura 3.10: Hourly Graph 21/2.

Figura 3.11: Hourly Graph 21/3.

33

3 Esercitazione 3

Figura 3.12: Hourly Graph 21/4.

Figura 3.13: Hourly Graph 21/5.

Figura 3.14: Hourly Graph 21/6.

34

3 Esercitazione 3

Figura 3.15: Hourly Graph 21/7.

Figura 3.16: Hourly Graph 21/8.

Figura 3.17: Hourly Graph 21/9.

35

3 Esercitazione 3

Figura 3.18: Hourly Graph 21/10.

Figura 3.19: Hourly Graph 21/11.

Figura 3.20: Hourly Graph 21/12.

3.8

Dimensionamento del campo fotovoltaico con stringhe in parallelo

Nella seconda parte di questa esercitazione si vuole dimensionare il campo fotovoltaico in modo da avere due stringe in parallelo ciascuna da 10 pannelli in serie (gli stessi usati nella prima parte). 36

3 Esercitazione 3

Figura 3.21: Parametri del sitema.

Come possibile vedere in gura stato scelto un inverter con 2 MPPT per ottenre il massimo da entrambe le stringhe.

Figura 3.22: Schema del collegamento elettrico.

37

3 Esercitazione 3

3.9

System Loss Diagram: campo fotovoltaico con stringhe in parallelo

Figura 3.23: Diagramma delle perdite del campo fotovoltaico con stringhe in parallelo.

38

Capitolo 4 Esercitazione 4

4.1

Simulazione di una stringa fotovoltaica in PSIM

PSIM un simultare circuitale dove possibile inserire delle parti di controllo (descritte in C per esempio). Tramite PSIM si simulato il comportamento di 10 moduli in sere ognuno composto da 36 celle.

Figura 4.1: Simulazione di una stringa fotovoltaica in PSIM.

39

4 Esercitazione 4

Figura 4.2: Parametri della stringa fotovoltaica in PSIM.

come rischiesto stato determinato il massimo della curva di potenza per i valori di irraggiamento pari a 50, 100, 200, 300, 500 e 1000 W/m2 mostrato di seguito.

Figura 4.3: Andamento della Potenza per diversi valori dellirragiamento.

40

4 Esercitazione 4

Figura 4.4: Andamento della Potenza al variare dellirragiamento.

4.2

DC/DC topologia Boost con P&O xed step - Rendimento Statico

In questa fase stato analizzato un algoritmo MPPT di tipo a, per diversi valore del Duty cicle.

Figura 4.5: DC/DC topologia Boost con P&O xed step.

Il le diviso in due parti; in rosso abbiamo la parte circuitale composta da un boost converter, in rosso invece la parte logica che implementa il MPPT. Per la verica dellalgoritmo abbiamo ricavato il rendimento statico, che pari al rapporto tra la potenza in ingresso al DC-DC fratto la potenza fornita dalla stringa. 41

4 Esercitazione 4
PIN PPV

Nella prima simulazione stato impostato il valore del duty cycle a 0.03 e si arrestato il processo non appena il duty cycle ha raggiunto il valore a regime.

Figura 4.6: Simulazione statica con duty cycle pari a 0.03.

Come possibile vedere il duty cycle si assesta dopo un tempo circa pari a 2. Arrivati a regime quello che vogliamo fare calcolare la media della potenza, per capire quanto si discosta dal punto massimo reale; maggiore sar lampiezza delloscillazione maggiore sar il discostamento.

Figura 4.7: Calcolo della potenza con duty cycle pari a 0.03.

42

4 Esercitazione 4

Figura 4.8: Calcolo della potenza con duty cycle pari a 0.01.

Dalle analisi eettuate si evince di come diminuendo il duty cycle aumenta lecienza arrivando a valori di ecienza di circa il 99%.

4.3

DC/DC topologia Boost con P&O xed step - Rendimento Dinamico

Nel calcolo del rendimento dinamico si eettua una variazione periodica dellilluminazione in ingresso alla stringa. 43

4 Esercitazione 4

Figura 4.9: Calcolo della potenza con duty cycle pari a 0.03.

Aumentando lampiezza dei salti del duty cycle permette di arrivare molto velocemente al valore di regime ma con un errore molto elevato, mentre viceversa usando un valore piccolo permette di avvicinarsi molto di pi al valore di regime ma in un tempo maggiore.

44

Capitolo 5 Dimensionamento di un impianto


In questo ultimo capitolo verr dimensionato un impianto fotovoltaico per lautoconsumo un palazzo a 4 piani. Il palazzo situato a napoli e come possibile vedere in gura non sono presenti ombreggiamenti.

Figura 5.1: Edicio sul quale viene eettuato il dimensionamento dellimpianto fotovoltaico.

c da precisare che un impianto fotovoltaico realizzato a partire dal 6 luglio 2013 non benecia di nessun conto energia, essendo il 5 conto energia lultimo incentivo al fotovoltaico. Per tale motivo non bisogna considerare il fotovoltaico come investimento nanziario ma come investimento energetico: lo si sceglie, nel caso degli impianti domestici, per risparmiare sulla bolletta e per ottimizzare i propri consumi. Lo scopo di questo impianto quindi lo scambio sul posto. 45

5 Dimensionamento di un impianto

5.1

Dimensionamento

Volendo puntare sullautoconsumo si tiene conto che una tipica famigia italiana ha un consumo allincirca di 4000KWh; per dimensionare limpianto si tiene conto della producibilit elettrica annua in Italia per ogni KWp installato.

Figura 5.2: Producibilit elettrica annua in Italia di un impianto da 1 kWp.

46

5 Dimensionamento di un impianto

In rete si trovano molti dati storici e statistiche che forniscono dati utili per il dimensionamento dellimpianto fotovoltaico.

Figura 5.3: Dati storici sulla producibilit nella provincia di Napoli.

Dalla tabella si evince che in provincia di Napoli 1KWp produce allincirca 1300KWh; quindi per soddisfare il fabbisogno medio di una famiglia italiana si deve installare un impianto di circa 3KWp.

5.2

Orientazione

Attraverso Google Compass possibile ricavarsi langolo che la direzione cardinale delledicio realizza con la direzione Nord. Come possibile vedere in gura si ha un angolo di 158 rispetto la direzione Nord e quindi di -22 rispetto la direzione Sud. 47

5 Dimensionamento di un impianto

Figura 5.4: Direzione cardinale delledicio tramite Google Compass.

Attraverso il Disco di irragiamento possibile che per azimut pari a 22 si hanno eecenze massime per valori di compresi tra 15 e 50.

Figura 5.5: Disco di irragiamento.

Per massimizzare la produzione sopratutto durante i mesi estivi si pone langolo di tilt pari alla dierenza tra la latitudine e il valore medio della declinazione solare durante il semperiodo dellanno con massima altezza del sole rispetto al piano equatoriale.
2 = m = 30 con m = 23.45

Non essendoci ostacoli allirraggiamento lindagine clinometrica stata lasciata inalterata. 48

5 Dimensionamento di un impianto

5.3

Modulo fotovoltaico

Come modulo stato scelto un SLK60P6L della Siliken.

Figura 5.6: Modulo fotovoltaico SLK60P6L della Siliken.

Il modulo in Silicio policristallino con una potenza nominale di 230Wp una tensione di circuito aperto pari a 36.9V e una corrente di corto circuito di 8.28A come mostrato di seguito. 49

5 Dimensionamento di un impianto

Figura 5.7: Modulo fotovoltaico.

Non mostrato nel report ma dal datasheet facilmente reperibile in rete possibile vedere dalla gura che la tensione massima di sistema pari a 1000V, valore solito a molti moduli. 50

5 Dimensionamento di un impianto

Figura 5.8: Caratteristiche meccaniche e termiche della SLK60P6L della Siliken.

Volendo dimensionare un circuito da 3KWp dovranno essere installati 13 (13x230Wp=2.99KWp) di questi moduli1 . Il prossimo passo decidere come collegare tra di loro questi moduli; visto che non ci sono cause di ombreggiamento e disposerli in due stringhe in parallelo comporterebbe lutilizzo di diodi di blocco, si sceglie di disporli in serie. La tensione di circuito aperto della serie non supera la tensione massima di sistema (rispettivamente 480V e 1000V).

5.4

Inverter

Figura 5.9: Caratteristiche dellinvert AT 3000 della Sunways.

Come inverte stato utlizzato un AT 3000 della Sunways con le seguenti caratteristiche.

In realt si pu decidere anche di installarne 14 poich non ci sono pi soglie di potenza da rispettare per beneciare degli incentivi statali.

51

5 Dimensionamento di un impianto

Figura 5.10: AT 3000 della Sunways.

Linverter stato scelto a valle del calcolo della tensione minima e massima del sistema negli estremi del range critico [-10C ; 70C]; Il coeciente di temperatura per questo modulo vale KV = 0.356%/C per la tensione e KI = 0.062%/C per la corrente. Vmax,stringa (10) = VOC,stringa (25) + KV 35 VOC,stringa /100 = 540V Vmin,stringa (70) = Vmpp,stringa (25) KV 45 VOC,stringa /100 = 301V 52

5 Dimensionamento di un impianto

Imax,stringa (70) = ISC,stringa (25) + KI 45 ISC,stringa /100 = 10.5A

Tale inverter presenta una buona compatibilit con la stringa in quanto:

Vmin,stringa > Vmin,inverter Vmax,stringa < Vmax,inverter

con Vmin,inverter = 300V Vmax,inverter = 600V

5.5

Simulazione

Di seguito viene mostrato la produzione normalizzata per KWp installato.

Figura 5.11: Produzione normalizzata per KWp.

e il diagramma delle perdite. 53

5 Dimensionamento di un impianto

Figura 5.12: System Loss Diagram.

54