SCR.

1.
2.
3.
4.

5.

6.
7.

8.
9.

DEFINICIN.
ESTRUCTURA.
APPLET CURVA CARACTERSTICA Y FUNCIONAMIENTO.
CARACTERSTICAS GENERALES.
4.1 CARACTERSTICAS ESTTICAS.
4.2 CARACTERSTICAS DE CONTROL.
4.3 CARACTERSTICAS DINMICAS.
4.4 CARACTERSTICAS TRMICAS.
MTODOS DE DISPARO.
5.1 DISPARO POR PUERTA.
5.2 DISPARO POR MDULO DE TENSIN.
5.3 DISPARO POR GRADIENTE DE TENSIN (dV/dt).
5.4 DISPARO POR RADIACIN.
5.5 DISPARO POR TEMPERATURA.
CONDICIONES NECESARIAS PARA EL CONTROL DE UN SCR.
LIMITACIONES DEL TIRISTOR.
7.1 LIMITACIONES DE LA FRECUENCIA DE FUNCIONAMIENTO .
7.2 LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE TENSIN dV/dt.
7.3 LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE INTENSIDAD dI/dt.
7.4 PROTECCIONES CONTRA dV/dt Y dI/dt.
7.5 LIMITACIONES DE LA TEMPERATURA.
EXTINCIN DEL TIRISTOR. TIPOS DE CONMUTACIN.
APLICACIONES DEL SCR.

1.

DEFINICIN.

El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio,

Figura 1), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres
uniones pn con la disposicin pnpn (Figura 2).
Est formado por tres terminales llamados nodo, Ctodo y Puerta. La
conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta. Es un
elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi
ideal, rectificador y amplificador a la vez.

Figura 1: Smbolo del SCR.

2.

ESTRUCTURA.

Figura 2 : Estructura bsica del SCR.

3.

CURVA CARACTERSTICA Y FUNCIONAMIENTO.

La curva caracterstica del SCR es la representada en el siguiente

Applet:

En el Applet se muestra la curva caracterstica tpica de un tiristor SCR,

representndose la corriente de nodo (I a) en funcin de la tensin aplicada
entre nodo y ctodo (Vak). Cuando la tensin Vak es nula, tambin lo es la
intensidad de corriente Ia. Al aumentar dicha tensin en sentido directo, con
corriente de puerta nula, si se supera la tensin V b0, la transicin de
estado OFF a ON deja de ser controlada. Si se desea que el paso al estado
"ON" se realice para tensiones V ak inferiores a Vb0, ser necesario dotar al
dispositivo de la corriente de puerta (I g) adecuada para que dicha transicin se
realice cuando la intensidad de nodo supere la intensidad de enganche (I L ).
Por el contrario, si el dispositivo esta en conduccin, la transicin al estado
"OFF" se produce cuando la corriente de nodo caiga por debajo de la
intensidad de corriente de mantenimiento (Ih).
Tanto para el estado de bloqueo directo, como para el estado de
polarizacin inversa, existen unas pequeas corrientes de fugas. Cuando se
polariza inversamente se observa una dbil corriente inversa (de fuga) hasta
que alcanza el punto de tensin inversa mxima que provoca la destruccin del
mismo.
El SCR es, por tanto, un dispositivo conductor solo en el primer
cuadrante, en el cual el disparo se provoca por:
- tensin suficientemente elevada aplicada entre nodo y ctodo,
- intensidad en la puerta. Se puede controlar as la tensin necesaria entre
nodo y ctodo para la transicin OFF ON, usando la corriente de puerta
adecuada.
4.

CARACTERSTICAS GENERALES.

Interruptor casi ideal.

Soporta tensiones altas.
Amplificador eficaz.
Es capaz de controlar grandes potencias.
Fcil controlabilidad.
Relativa rapidez.
Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (memoria).
4.1

CARACTERSTICAS ESTTICAS.

Las caractersticas estticas corresponden a la regin nodo - ctodo y

son los valores mximos que colocan al elemento en lmite de sus
posibilidades:

- Tensin inversa de pico de trabajo .............................................: VRWM

- Tensin directa de pico repetitiva ...............................................: VDRM
- Tensin directa ...........................................................................: VT
- Corriente directa media ...............................................................: ITAV
- Corriente directa eficaz ................................................................: ITRMS
- Corriente directa de fugas ............................................................: IDRM
- Corriente inversa de fugas ............................................................: IRRM
- Corriente de mantenimiento ..........................................................: IH
Las caractersticas trmicas a tener en cuenta al trabajar con tiristores
son:
- Temperatura de la unin ................................................................: Tj
- Temperatura de almacenamiento ...................................................: Tstg
- Resistencia trmica contenedor-disipador ......................................: Rc-d
- Resistencia trmica unin-contenedor ............................................: Rj-c
- Resistencia trmica unin-ambiente.................................................: Rj-a
- Impedancia trmica unin-contenedor.............................................: Zj-c
4.2

CARACTERSTICAS DE CONTROL.

Corresponden a la regin puerta-ctodo y determinan las propiedades

del circuito de mando que responde mejor a las condiciones de disparo. Los
fabricantes definen las siguientes caractersticas:
-Tensin directa mx. ....................................................................: VGFM
- Tensin inversa mx. ...................................................................: VGRM
- Corriente mxima..........................................................................: IGM
- Potencia mxima ..........................................................................: PGM
- Potencia media .............................................................................: PGAV
- Tensin puerta-ctodo para el encendido......................................: VGT
- Tensin residual mxima que no enciende ningn elemento.............: VGNT
- Corriente de puerta para el encendido ...........................................: IGT
- Corriente residual mxima que no enciende ningn elemento............: IGNT
Entre los anteriores destacan:
- VGT e IGT , que determinan las condiciones de encendido del dispositivo
semiconductor.
- VGNT e IGNT, que dan los valores mximos de corriente y de tensin, para los
cuales en condiciones normales de temperatura, los tiristores no corren el
riesgo de dispararse de modo indeseado.
4.2.1

rea de disparo seguro.

En esta rea (Figura 3) se obtienen las condiciones de disparo del SCR.

Las tensiones y corrientes admisibles para el disparo se encuentran en el
interior de la zona formada por las curvas:
Curva A y B: lmite superior e inferior de la tensin puerta-ctodo en
funcin de la corriente positiva de puerta, para una corriente nula de nodo.
Curva C: tensin directa de pico admisible VGF.

 Curva D: hiprbola de la potencia media mxima P GAV que no

debemos sobrepasar.

Figura 3. Curva caractersticas de puerta del tiristor.

El diodo puerta (G) - ctodo (K) difiere de un diodo de rectificacin en los
siguientes puntos:

Una cada de tensin en sentido directo ms elevada.

Mayor dispersin para un mismo tipo de tiristor.

4.3

CARACTERSTICAS DINMICAS.

4.3.1 Caractersticas dinmicas.

Tensiones transitorias:
- Valores de la tensin superpuestos a la seal de la fuente de alimentacin.
- Son breves y de gran amplitud.
- La tensin inversa de pico no repetitiva (V RSM) debe estar dentro de esos
valores.
Impulsos de corriente:
- Para cada tiristor se publican curvas que dan la cantidad de ciclos durante los
cuales puede tolerarse una corriente de pico dada (Figura 4).
- A mayor valor del impuso de corriente, menor es la cantidad de ciclos.
- El tiempo mximo de cada impulso est limitado por la temperatura media de
la unin.

Figura 4. Curva de limitacin de impulsos de corriente.

ngulos de conduccin:
- La corriente y tensin media de un SCR dependen del ngulo de conduccin.
- A mayor ngulo de conduccin, se obtiene a la salida mayor potencia.
- Un mayor ngulo de bloqueo o disparo se corresponde con un menor ngulo
de conduccin (Figura 5):
ngulo de conduccin = 180 - ngulo de disparo
- Conociendo la variacin de la potencia disipada en funcin de los diferentes
ngulos de conduccin podremos calcular las protecciones necesarias.

Figura 5. ngulo de bloqueo y conduccin de un tiristor.

4.3.2 Caractersticas de conmutacin.
Los tiristores no son interruptores perfectos, necesitan un tiempo para
pasar de corte a conduccin y viceversa. Vamos a analizar este hecho.
4.3.2.1 Tiempo de encendido (Ton):
Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de corte a conduccin. Se
divide en dos partes (Figura 6):
Tiempo de retardo (td): tiempo que transcurre desde que la corriente de
puerta alcanza el 50 % de su valor final hasta que la corriente de nodo
alcanza el 10 % de su valor mximo. Depende de la corriente de mando, de la

tensin nodo - ctodo y de la temperatura (t d disminuye si estas magnitudes

aumentan).
Tiempo de subida (tr): tiempo necesario para que la corriente de nodo pase
del 10 % al 90 % de su valor mximo, o, el paso de la cada de tensin en el
tiristor del 90 % al 10 % de su valor inicial.
Ton = td + tr

Figura 6. Tiempo
de encendido.

4.3.2.2
divide

Tiempo de apagado (Toff):

Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de conduccin a corte. Se

en
dos
partes (Figura
7):

Tiempo de recuperacin inversa (trr): tiempo en el que las cargas

acumuladas en la conduccin del SCR, por polarizacin inversa de este, se
eliminan parcialmente.
Tiempo de recuperacin de puerta (t gr): tiempo en el que, en un nmero
suficiente bajo, las restantes cargas acumuladas se recombinan por difusin,
permitiendo que la puerta recupere su capacidad de gobierno.

Toff = trr + tgr

Figura 7. Tiempo de apagado.
La extincin del tiristor se producir por dos motivos: reduccin de la
corriente de nodo por debajo de la corriente de mantenimiento y por
anulacin de la corriente de nodo.
4.4

CARACTERSTICAS TRMICAS.

Dependiendo de las condiciones de trabajo de un tiristor, ste disipa

una cantidad de energa que produce un aumento de la temperatura en las
uniones del semiconductor. Este aumento de la temperatura provoca un
aumento de la corriente de fugas, que a su vez provoca un aumento de la
temperatura, creando un fenmeno de acumulacin de calor que debe ser
evitado. Para ello se colocan disipadores de calor.

5.

MTODOS DE DISPARO.

Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo - ctodo

debe estar polarizada en directo y la seal de mando debe permanecer un
tiempo suficientemente larga como para permitir que el tiristor alcance un valor
de corriente de nodo mayor que I L, corriente necesaria para permitir que el
SCR comience a conducir. Para que, una vez disparado, se mantenga en la
zona de conduccin deber circular una corriente mnima de valor I H, marcando

el

paso

del

estado

de

conduccin

al

estado

de

bloqueo

directo.

Los distintos mtodos de disparo de los tiristores son:

- Por puerta.
- Por mdulo de tensin.
- Por gradiente de tensin (dV/dt)
- Disparo por radiacin.
- Disparo por temperatura.
El modo usado normalmente es el disparo por puerta. Los disparos por
mdulo y gradiente de tensin son modos no deseados.
5.1

DISPARO POR PUERTA.

Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste

en la aplicacin en la puerta de un impulso positivo de intensidad, entre los
terminales de puerta y ctodo a la vez que mantenemos una tensin positiva
entre nodo y ctodo.

Figura 8. Circuito de control por puerta de un SCR.

-

El valor requerido de VT necesario para disparar el SCR es:

VT = V G + I G R
- R viene dada por la pendiente de la recta tangente a la curva de mxima
disipacin de potencia para obtener la mxima seguridad en el disparo (Figura
9).
R = VFG / IFG

Figura 9. Recta tangente a la curva de mxima disipacin de potencia.

5.2

DISPARO POR MDULO DE TENSIN.

Es el debido al mecanismo de multiplicacin por avalancha. Esta forma

de disparo no se emplea para disparar al tiristor de manera intencionada; sin
embargo ocurre de forma fortuita provocada por sobre tensiones anormales en
los equipos electrnicos.
5.3

DISPARO POR GRADIENTE DE TENSIN.

Una subida brusca del potencial de nodo en el sentido directo de

conduccin provoca el disparo. Este caso ms que un mtodo, se considera un
inconveniente.

Figura 10. Zona de disparo por gradiente de tensin.

5.4

DISPARO POR RADIACIN.

Est asociado a la creacin de pares electrn-hueco por la absorcin de

la luz del elemento semiconductor. El SCR activado por luz se llama LASCR.
5.5 DISPARO POR TEMPERATURA.
El disparo por temperatura est asociado al aumento de pares electrn
- huecos generados en las uniones del semiconductor. As, la suma (1+2)
tiende rpidamente a la unidad al aumentar la temperatura. La tensin de
ruptura permanece constante hasta un cierto valor de la temperatura y

disminuye al aumentar sta.

6.

CONDICIONES NECESARIAS PARA EL CONTROL DE UN SCR.

Para el control en el disparo:

- nodo positivo respecto al ctodo.
- La puerta debe recibir un pulso positivo con respecto al ctodo.
- En el momento del disparo Iak > IL.
Para el control en el corte:
- Anulamos la tensin Vak.
- Incrementamos RL hasta que Iak< IH.
7.
7.1

LIMITACIONES DEL TIRISTOR.

LIMITACIONES DE LA FRECUENCIA DE FUNCIONAMIENTO.

- La frecuencia de trabajo en los SCR no puede superar ciertos valores.

- El lmite es atribuible a la duracin del proceso de apertura y cierre del
dispositivo.
- La frecuencia rara vez supera los 10 Khz.
7.2

LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE TENSIN dV/dt.

"dV/dt" es el valor mnimo de la pendiente de tensin por debajo del

cual no se producen picos transitorios de tensin de corta duracin, gran
amplitud y elevada velocidad de crecimiento.
a) Causas:
- La alimentacin principal produce transitorios difciles de prever en aparicin,
duracin (inversamente proporcional a su amplitud) y amplitud.
- Los contactores entre la alimentacin de tensin y el equipo: cuya apertura y
cierre pueden producir transitorios de elevada relacin dV/dt (hasta 1.000 V/s)
produciendo el basculamiento del dispositivo.
- La conmutacin de otros tiristores cercanos que introducen en la red picos de
tensin.
b) Efectos:
- Puede provocar el cebado del tiristor, perdiendo el control del dispositivo.
- La dV/dt admisible varia con la temperatura.
7.3

LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE INTENSIDAD dI/dt.

"dI/dt" es el valor mnimo de la pendiente de la intensidad por debajo de

la cual no se producen puntos calientes.

a) Causas:
- Durante el cebado, la zona de conduccin se reduce a una parte del ctodo
cerca de la puerta, si el circuito exterior impone un crecimiento rpido de la
intensidad, en esta zona la densidad de corriente puede alcanzar un gran valor.
- Como el cristal no es homogneo, existen zonas donde la densidad de
Intensidad es mayor (puntos calientes).
b) Efectos:
- En la conmutacin de bloqueo a conduccin la potencia instantnea puede
alcanzar valores muy altos.
- La energa disipada producir un calentamiento que, de alcanzar el lmite
trmico crtico, podra destruir el dispositivo.
7.4

PROTECCIONES CONTRA dV/dt Y dI/dt.

Solucin: colocar una red RC en paralelo con el SCR y una L en serie.

Calculo: mtodo de la constante de tiempo y mtodo de la resonancia.

Figura 11. Circuito de proteccin contra dV/dt y dI/dt.

7.4.1

Mtodo de la constante de tiempo.

Clculo de R y C:
1. Se calcula el valor mnimo de la constante de tiempo de la dV/dt del
dispositivo y el valor de R y C:
= ( 0,63 VDRM ) / ( dV/dt )mn
C = / RL
Rs = VA(mx) / ( ITSM - IL )
donde:
VDRM = tensin de pico repetitiva de bloqueo directo.
IL = corriente en la carga.
RL = resistencia de carga.
ITSM = corriente directa de pico no repetitiva.
VA(mx) = tensin de nodo mxima.
= coeficiente de seguridad (de 0,4 a 0,1).
2. Hallamos el valor de Rmn que asegura la no superacin de la dI/dt mxima
especificada (a partir de la ecuacin de descarga de C):

R mn = ( VA(mx) / ( dI /dt ) C )
Clculo de L:
L = VA(mx) / ( dI / dt)
7.4.2

Mtodo de la resonancia.

Elegimos R, L y C para entrar en resonancia.

El valor de la frecuencia es:
f = (dV / dt ) / 2 VA (mx)
En resonancia:
f = 1 / 2 (LC) C = 1 / ( 2f L
El valor de L es el que ms nos interese, normalmente: L= 50 H.
El valor de R ser:

7.5

Rs = (L / C)

LIMITACIONES DE LA TEMPERATURA.

En los semiconductores de potencia, se producen prdidas durante el

funcionamiento que se traducen en un calentamiento del dispositivo.
Si los perodos de bloqueo y de conduccin en un tiristor son repetitivos, la
potencia media disipada en un tiristor ser:

La potencia disipada en los tiristores durante la conduccin, es mucho

mayor que la disipada durante el bloqueo y que la potencia disipada en la unin
puerta - ctodo. Podemos decir que las prdidas con una tensin de
alimentacin dada y una carga fija, aumentan con el ngulo de conduccin ().
Si la conduccin se inicia en t1 y termina en t2, la potencia media de perdidas
ser:

Si representamos la VAK en funcin de la IA, tendremos la siguiente

relacin:

VAK = V0 + IA R
V0 y R son valores aproximadamente constantes para una determinada
familia de tiristores y para una determinada temperatura de la unin. En ste
caso nos encontraremos dentro de la zona directa de la curva
caracterstica (Figura 12).

Figura 12.
Operando con las ecuaciones anteriores:
PAV = V0 IA(AV) + R ( IA(RMS))2
Esta ecuacin se encuentra representada mediante curvas para distintas
formas de onda (sinusoidal, rectangular,...) y para distintos ngulos de
conduccin en la figura siguiente.
La potencia que se disipa, depende del valor medio de la corriente y del

valor eficaz, entonces depender del factor de forma:

a = f = IA(RMS) / IA(AV)

Figura 13.
Una vez elegido el tiristor y teniendo en cuenta los parmetros ms
importantes como son la potencia total disipada y temperatura, y calculada
tambin la potencia media que disipa el elemento en el caso ms desfavorable,
procederemos a calcular el disipador o radiador ms apropiado para poder
evacuar el calor generado por el elemento semiconductor al medio ambiente.
8. EXTINCIN DEL TIRISTOR. TIPOS DE CONMUTACIN.
Entenderemos por extincin, el proceso mediante el cual, obligaremos
al tiristor que estaba en conduccin a pasar a corte. En el momento en que un
tiristor empieza a conducir, perdemos completamente el control sobre el
mismo.
El tiristor debe presentar en el tiempo ciertas condiciones para pasar
de nuevo a corte. Este estado implica simultneamente dos cosas:

1. La corriente que circula por el dispositivo debe quedar completamente

bloqueada.
2. La aplicacin de una tensin positiva entre nodo y ctodo no debe provocar
un disparo indeseado del tiristor.
Existen diversas formas de conmutar un tiristor, sin embargo
podemos agruparlos en dos grandes grupos:
8.1

CONMUTACIN NATURAL.

a) Libre.
b) Asistida.
8.2

CONMUTACIN FORZADA.

a) Por contacto mecnico.

b) Por circuito resonante.
-Serie
-Paralelo
c) Por carga de condensador.
d) Por tiristor auxiliar.
9. APLICACIONES DEL SCR.
Las aplicaciones de los tiristores se extiende desde la rectificacin de
corrientes alternas, en lugar de los diodos convencionales hasta la realizacin
de determinadas conmutaciones de baja potencia en circuitos electrnicos,
pasando por los onduladores o inversores que transforman la corriente
contina en alterna.
La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les
utiliza como rectificadores es que su entrada en conduccin estar controlada
por la seal de puerta. De esta forma se podr variar la tensin continua de
salida si se hace variar el momento del disparo ya que se obtendrn diferentes
ngulos de conduccin del ciclo de la tensin o corriente alterna de entrada.
Adems el tiristor se bloquear automticamente al cambiar la alternancia de
positiva a negativa ya que en este momento empezar a recibir tensin
inversa.
Por lo anteriormente sealado el SCR tiene una gran variedad de
aplicaciones, entre ellas estn las siguientes:
Controles de relevador.
Circuitos de retardo de tiempo.
Fuentes de alimentacin reguladas.
Interruptores estticos.
Controles de motores.
Recortadores.
Inversores.

 Ciclo conversores.
Cargadores de bateras.
Circuitos de proteccin.
Controles de calefaccin.
Controles de fase.

TRIAC.
1.
2.
3.
4.

DEFINICIN.
ESTRUCTURA.
APPLET CURVA CARACTERSTICA Y FUNCIONAMIENTO.
MTODOS DE DISPARO.
4.1 DISPARO POR CORRIENTE CONTINUA.
4.2 DISPARO POR CORRIENTE ALTERNA.
5. CARACTERSTICAS GENERALES Y APLICACIONES.

1.

DEFINICIN.

El TRIAC (Triode
for
Alternative
Current) es un
dispositivo
semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente
promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos
y puede ser bloqueado por inversin de la tensin o al disminuir la corriente por
debajo del valor de mantenimiento. El TRIAC puede ser disparado
independientemente de la polarizacin de puerta, es decir, mediante una
corriente de puerta positiva o negativa.

Figura 1: Smbolo del TRIAC.

En la Figura 1 se muestra el smbolo esquemtico e identificacin de las
terminales de un triac, la nomenclatura nodo 2 (A2) y nodo 1 (A1) pueden
ser reemplazados por Terminal Principal 2 (T2) y Terminal Principal 1 (T1)
respectivamente.

2.

ESTRUCTURA.

Figura 2 : Estructura bsica del TRIAC.

La estructura contiene seis capas como se indica en la Figura 2, aunque
funciona siempre como un tiristor de cuatro capas. En sentido T2-T1 conduce
a travs de P1N1P2N2 y en sentido T1-T2 a travs de P2N1P1N4. La capa N3
facilita el disparo con intensidad de puerta negativa. La complicacin de su
estructura lo hace ms delicado que un tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y
capacidad para soportar sobre intensidades. Se fabrican para intensidades de
algunos amperios hasta unos 200 (A) eficaces y desde 400 a 1000 (V) de
tensin de pico repetitivo. Los TRIAC son fabricados para funcionar a
frecuencias bajas; los fabricados para trabajar a frecuencias medias son
denominados alternistores.
El TRIAC acta como dos rectificadores controlados de silicio (SCR) en
paralelo Figura 3, este dispositivo es equivalente a dos "latchs"( transistores
conectados con realimentacin positiva, donde la seal de retorno aumenta el
efecto de la seal de entrada).

Figura 3.
La diferencia ms importante que se encuentra entre el funcionamiento
de un triac y el de dos tiristores es que en este ltimo caso cada uno de los
dispositivos conducir durante medio ciclo si se le dispara adecuadamente,
bloquendose cuando la corriente cambia de polaridad, dando como resultado
una conduccin completa de la corriente alterna. El TRIAC, sin embargo, se
bloquea durante el breve instante en que la corriente de carga pasa por el valor
cero, hasta que se alcanza el valor mnimo de tensin entre T2 y T1, para
volver de nuevo a conducir, suponiendo que la excitacin de la puerta sea la
adecuada. Esto implica la prdida de un pequeo ngulo de conduccin, que
en el caso de cargas resistivas, en las que la corriente est en fase con la
tensin, no supone ningn problema. En el caso de cargas reactivas se debe
tener en cuenta, en el diseo del circuito, que en el momento en que la
corriente pasa por cero no coincide con la misma situacin de la tensin
aplicada, apareciendo en este momento unos impulsos de tensin entre los dos
terminales del componente.
3.

APPLET CURVA CARACTERSTICAS Y FUNCIONAMIENTO.

La curva caracterstica del TRIAC es la representada en el siguiente

Applet:

El Applet describe la caracterstica tensin corriente del TRIAC entre

los nodos T2 y T1.
La tensin Vb0 es aquella en el cual el dispositivo pasa de una
resistencia alta a una resistencia baja y la corriente, a travs del TRIAC, crece
con un pequeo cambio en la tensin entre los nodos.
El TRIAC permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye
por debajo de la corriente de mantenimiento I h. Esto se realiza por medio de la
disminucin de la tensin de la fuente. Una vez que el TRIACentra en
conduccin, la compuerta no controla mas la conduccin, por esta razn se

acostumbra dar un pulso de corriente corto y de esta manera se impide la

disipacin de energa sobrante en la compuerta. El mismo proceso ocurre con
respecto al tercer cuadrante, cuando la tensin en el nodo T2 es negativa con
respecto al nodo T1 y obtenemos la caracterstica invertida. Por esto es un
componente simtrico en cuanto a conduccin y estado de bloqueo se refiere,
pues la caracterstica en el cuadrante I de la curva es igual a la del III.
4.

MTODOS DE DISPARO.

Como hemos dicho, el TRIAC posee dos nodos denominados ( MT1 y

MT2) y una compuerta G. La polaridad de la compuerta G y la polaridad del
nodo 2, se miden con respecto al nodo 1.
El triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III
mediante la aplicacin entre los terminales de compuerta G y MT1 de un
impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y
simplifica mucho el circuito de disparo. Veamos cules son los fenmenos
internos que tienen lugar en los cuatro modos posibles de disparo.
1. El primer modo del primer cuadrante designado por I (+), es aquel en
que la tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son positivas con
respecto al nodo MT1 y este es el modo ms comn (Intensidad de compuerta
entrante).
La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1, en parte por la
unin P2N2 y en parte a travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin
de electrones de N2 a P2, que es favorecida en el rea prxima a la compuerta
por la cada de tensin que produce en P2 la circulacin lateral de corriente de
compuerta. Esta cada de tensin se simboliza en la figura por signos + y -.
Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusin la unin P2N1 que
bloquea el potencial exterior y son acelerados por ella inicindose la
conduccin.

2. El Segundo modo, del tercer cuadrante, y designado por III(-) es aquel

en que la tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son negativos
con respecto al nodo MT1 (Intensidad de compuerta saliente).
Se dispara por el procedimiento de puerta remota, conduciendo las capas
P2N1P1N4. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la
unin P2N1. La tensin positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin
P2N1 ms positivamente que la prxima a la puerta. Esta polarizacin inyecta
huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unin N1P1 y la hacen pasar a
conduccin.

3. El tercer modo del cuarto cuadrante, y designado por I(-) es aquel en

que la tensin del nodo MT2 es positiva con respecto al nodo MT1 y la
tensin de disparo de la compuerta es negativa con respecto al nodo
MT1( Intensidad de compuerta saliente).
El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente
conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2. El
disparo de la primera se produce como en un tiristor normal actuando T1 de
puerta y P de ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva
de T2 y polariza fuertemente la unin P2N2 que inyecta electrones hacia el
rea de potencial positivo. La unin P2N1 de la estructura principal, que
soporta la tensin exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la
estructura auxiliar, entrando en conduccin.

4. El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es

aquel en que la tensin del nodo T2 es negativa con respecto al nodo MT1, y
la tensin de disparo de la compuerta es positiva con respecto al nodo
MT1(Intensidad
de
compuerta
entrante).
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota.
Entra en conduccin la estructura P2N1P1N4.
La inyeccin de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I(+). Los que
alcanzan por difusin la unin P2N1 son absorbidos por su potencial de unin,
hacindose ms conductora. El potencial positivo de puerta polariza ms
positivamente el rea de unin P2N1 prxima a ella que la prxima a T1,
provocndose una inyeccin de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la
unin N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se produce la entrada
en conduccin.

Existe un gran nmero de posibilidades para realizar en la prctica el

disparo del TRIAC, pudindose elegir aquella que ms resulte adecuada para
la aplicacin concreta de que se trate. Se pueden resumir en dos variantes
bsicas:
1. Disparo por corriente continua,
2. Disparo por corriente alterna.
4.1

DISPARO POR CORRIENTE CONTINUA.

En este caso la tensin de disparo proviene de una fuente de tensin

continua aplicada al TRIAC a travs de una resistencia limitadora de la
corriente de puerta. Es necesario disponer de un elemento interruptor en serie
con la corriente de disparo encargado de la funcin de control, que puede ser
un simple interruptor mecnico o un transistor trabajando en conmutacin.
Este sistema de disparo es el normalmente empleado en los circuitos
electrnicos alimentados por tensiones continuas cuya funcin sea la de control
de una corriente a partir de una determinada seal de excitacin, que
generalmente se origina en un transductor de cualquier tipo.

4.2

DISPARO POR CORRIENTE ALTERNA.

El disparo por corriente alterna se puede realizar mediante el empleo de

un transformador que suministre la tensin de disparo, o bien directamente a
partir de la propia tensin de la red con una resistencia limitadora de la
corriente de puerta adecuada y algn elemento interruptor que entregue la
excitacin a la puerta en el momento preciso.

5.

CARACTERSTICAS GENERALES Y APLICACIONES.

La versatibilidad del TRIAC y la simplicidad de su uso le hace ideal para

una amplia variedad de aplicaciones relacionadas con el control de corrientes
alternas. Una de ellas es su utilizacin como interruptor esttico ofreciendo
muchas ventajas sobre los interruptores mecnicos convencionales, que
requieren siempre el movimiento de un contacto, siendo la principal la que se
obtiene como consecuencia de que el TRIAC siempre se dispara cada medio
ciclo cuando la corriente pasa por cero, con lo que se evitan los arcos y sobre
tensiones derivadas de la conmutacin de cargas inductivas que almacenan
una determinada energa durante su funcionamiento.
Resumiendo, algunas caractersticas de los TRIACS:
- El TRIAC conmuta del modo de corte al modo de conduccin cuando se
inyecta corriente a la compuerta. Despus del disparo la compuerta no posee
control sobre el estado del TRIAC. Para apagar el TRIAC la corriente andica
debe reducirse por debajo del valor de la corriente de retencin I h.
- La corriente y la tensin de encendido disminuyen con el aumento de
temperatura y con el aumento de la tensin de bloqueo.
- La aplicacin de los TRIACS, a diferencia de los Tiristores, se encuentra
bsicamente en corriente alterna. Su curva caracterstica refleja un
funcionamiento muy parecido al del tiristor apareciendo en el primer y tercer
cuadrante del sistema de ejes. Esto es debido a su bidireccionalidad.
- La principal utilidad de los TRIACS es como regulador de potencia entregada
a una carga, en corriente alterna.

Problemas
P1.- En el circuito de la figura R1 = 600 Ohmios y las caractersticas del
DIAC son las siguientes:
VBO = 30 v
ep = 5 v
Pmx = 500 mw
a) Obtener la corriente por el circuito en el momento que la tensin del
generador se iguala a VBO.
b) Cul es el valor mximo que puede alcanzar el generador sin que se
rompa el DIAC?
Apartado a)
Desde E = 0 hasta E < VBO el DIAC est en bloqueo, o sea, no conduce (I = 0
A).
Pero para E = VBO se produce el disparo del DIAC, o sea, para a conducir, la
tensin en el DIAC cae y vale VBO - ep. Para analizarlo cambiamos el DIAC
por una pila del valor anteriormente indicado y lo resolvemos.

Apartado b)
Se pide Emx. Esta se da en el caso extremo en el que el DIAC est
soportando la Pmx, o sea, la Imx.

a) I = 8.33mA

b) Emx = 37v

P2.- En el circuito siguiente

calcular la tensin de disparo y el
tiempo que tarda el UJT en
dispararse, sabiendo que la
resistencia interbases RBB =
10kOhmios y la relacin intrnseca
de control =0.6
DATOS: E=20v R1=250kOhmios
R2=1.2kOhmios R3=80Ohmios y
C=2.2F

a) Tensin de disparo (Vp). Sabemos que Vp = VBB + VD.

Nos falta VBB. Para calcularlo debemos plantear la malla externa para calcular
la corriente que circula en conduccin y multiplicar esta corriente por RBB.

Vp = VBB + VD = 0.617.7 + 0.7 = 11.32v = Vd

b) Tiempo de disparo (td). La resistencia R1 junto al condensador C y a la pila
constituye el circuito de carga de un condensador. Por tanto, se cumple la
ecuacin de la carga del condensador.
La tensin en el condensador ser la tensin de disparo en el tiempo de
disparo.

Despejando la t y sustituyendo la Vc por Vp y la t por td obtenemos:

a) Vd = 17.7v

b) td = 554msg

P3.- Las
caractersticas del
UJT del circuito son:
Iv = 7mA
Vv = 1v
= 0.85

a) En qu estado se encuentra el UJT?

b) Qu valor tiene la corriente de entrada cuando el UJT est
conduciendo?
c) A qu valor debe disminuirse la tensin de entrada (Ve) para que el
UJT deje de conducir?
a) Vp = VBB + VD = 0.8510 + 0.7 = 9.2v
Como la Ve=20v >> Vp = 9.2v implica que el UJT esta cebado (en conduccin).
b) Ie = (Ve - VEB)/R1 = (20 - 0)/0.4 = 50mA = Ie
consideramos VEB=0 por ser muy pequea.
c) Ve < Vv + IvR1 = 1 + 70.4 = 3.8v > Ve
a) En conduccin

b) Ie = 50mA

c) Ve < 3.8v

P4.- Las caractersticas del tiristor

del circuito son:
VT = 0.68v
IL = 7.2 mA
IH = 6.4 mA

a) Cul es la tensin de salida (Vs) cuando el tiristor est bloqueado?

b) Cul es la tensin de entrada que dispara el tiristor?
c) Hasta qu valor se debe disminuir Vcc para que el tiristor se bloquee?

a) El tiristor en bloqueo equivale a un circuito abierto (I=0).

Vcc = R1I + Vs ; Vs = Vcc - R1I = 15 - 470 = 15v = Vs
b) Ve = IeR2 + VEB ; Ved = ILR2 + VEB = 7.20.82 + 0 = 5.9v = Ved
c) De conduccin a bloqueo: IAK <IH
Vcc = VT + IHR1 = 0.68 + 6.40.047 = 0.68 + 0.30 = 0.98v = Vcc
a) Vs = 15v

b) Ved = 5.9v

c) Vcc = 0.98v